KR20200069884A - 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

스퍼터링 타겟은 기저면 방향으로 열이 전달되는 기저부; 및 상기 기저부의 측벽에 형성되고, 상기 측벽을 따라 열이 전달되는 제1 히트 싱크를 포함할 수 있다.

Description

스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법{SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
제안발명은 타겟 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 스퍼터링 공정에서 사용하는 타겟 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치는 증착 공정, 식각 공정 등을 포함하는 다수의 공정 과정을 거쳐 제조된다. 그 중 증착 공정은 화학적 기상 증착 방식(Chemical Vapor Deposition), 물리적 증착 방식(Physicial Vapor Deposition) 등을 포함한다.
물리적 증착 방식의 일종인 스퍼터링(Sputtering) 방식은 스퍼터링 장치를 이용한다. 스퍼터링 장치는 불활성 가스가 소량 존재하는 고진공 챔버 내에 전기장을 생성하고, 전기장에 의해 가스를 이온화시킨다. 이온화된 가스는 가속되어 타겟에 충돌하고, 그 충격에 의해 타겟의 원자가 방출되어 기판에 증착된다.
스퍼터링으로 증착되는 막의 퀄리티, 증착 속도 등은 스퍼터링 타겟의 특성에 따라 영향을 받는다. 그런데, 스퍼터링 공정을 진행하는 과정에서 타겟의 표면에 휘스커(whisker), 노듈(nodule) 등의 불량이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 타겟이 손상되거나, 증착된 막의 질이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 불량이 감소된 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟은 기저면 방향으로 열이 전달되는 기저부; 및 상기 기저부의 측벽에 형성되고, 상기 측벽을 따라 열이 전달되는 제1 히트 싱크를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 제조 방법은 기저면 방향으로 열이 전달되는 기저부를 형성하는 단계; 상기 기저부의 측벽을 일부 제거하는 단계; 및 상기 기저부의 측벽에, 상기 측벽을 따라 열이 전달되는 히트 싱크를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
열을 효율적으로 분산 및 방출시키는 스퍼터링 타겟을 제공함으로써, 스퍼터링 타겟의 불량을 감소시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 열 전달 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 구조를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 설명하기 위한 사시도이다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시예들이 상세히 설명된다.
도면은 반드시 일정한 비율로 도시된 것이라 할 수 없으며, 몇몇 예시들에서, 실시예들의 특징을 명확히 보여주기 위하여 도면에 도시된 구조물 중 적어도 일부의 비례는 과장될 수도 있다. 도면 또는 상세한 설명에 둘 이상의 층을 갖는 다층 구조물이 개시된 경우, 도시된 것과 같은 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 특정 실시예를 반영할 뿐이어서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 층들의 상대적인 위치 관계나 배열 순서는 달라질 수도 있다. 또한, 다층 구조물의 도면 또는 상세한 설명은 특정 다층 구조물에 존재하는 모든 층들을 반영하지 않을 수도 있다(예를 들어, 도시된 두 개의 층 사이에 하나 이상의 추가 층이 존재할 수도 있다). 예를 들어, 도면 또는 상세한 설명의 다층 구조물에서 제1 층이 제2 층 상에 있거나 또는 기판상에 있는 경우, 제1 층이 제2 층 상에 직접 형성되거나 또는 기판상에 직접 형성될 수 있음을 나타낼 뿐만 아니라, 하나 이상의 다른 층이 제1 층과 제2 층 사이 또는 제1 층과 기판 사이에 존재하는 경우도 나타낼 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟(10)은 기저부(11) 및 히트 싱크(12)를 포함한다. 여기서, 스퍼터링 타겟(10)은 백 플레이트(back plate; 20) 상에 위치될 수 있다. 참고로, 백 플레이트(20)가 스퍼터링 타겟(10)의 일부로서 포함되는 것도 가능하다.
기저부(11)는 스퍼터링 공정 시에 가속화된 이온이 충돌하여 성장 물질을 제공하기 위한 것으로, 증착하고자하는 막에 따른 물질로 형성된다. 탄소 전극과 같은 탄소막을 증착하고자 하는 경우, 기저부(11)는 탄소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기저부(11)는 탄소, 비정질 탄소, 그래파이트 시트, 열분해성 그래파이트 시트(pyrolytic graphite sheet) 등을 포함할 수 있고, 증착(deposition) 방식, 소결(sintering) 방식 등으로 형성될 수 있다.
또한, 기저부(11)는 물질의 종류, 결정 구조 등에 따라 특정 방향으로 열을 전달할 수 있다. 기저부(11)가 탄소를 포함하는 경우, 탄소의 결합 구조에 따라 기저(basal) 방향으로 열을 전달할 수 있다. 예를 들어, 기저부(11)는 백 플레이트(20)의 상면에 적층된 열분해성 그래파이트 시트들(pyrolytic graphite sheets)을 포함하고, 기저부(11)는 제1 방향(D1), 예를 들어, 기저면(basal plane) 방향으로 열을 전달할 수 있다. 따라서, 스퍼터링 과정에서 소정 영역(R)에 집중된 열은 제1 방향(D1)을 따라 주로 전달된다.
히트 싱크(12)는 기저부(11)의 열을 분산 및 방출시키기 위한 것으로, 기저부(11)로부터 전달받은 열을 직접 방출하거나, 열을 분산시킨다. 이를 위해, 히트 싱크(12)는 열 전도율이 높은 물질을 포함하거나, 특정 방향으로 열을 전달하도록 원자들이 결합된 구조를 가질 수 있다. 히트 싱크(12)와 기저부(11)는 동일한 물질을 포함하거나, 상이한 물질을 포함하거나, 서로 다른 동소체를 포함할 수 있다.
일 예로, 히트 싱크(12)는 기저부(11)가 열을 전달하는 제1 방향(D1)과 상이한 제2 방향(D2)으로 열을 전달할 수 있다. 예를 들어, 히트 싱크(12)는 기저부(11)의 측벽에 형성되고, 기저부(11)의 측벽을 따라 열을 전달할 수 있다. 이를 위해, 히트 싱크(12)는 소정 방향으로 열을 전달하는 결정 구조를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 히트 싱크(12)는 기저부(11)의 측벽에 적층된 그래파이트 시트들을 포함한다. 이러한 경우, 히트 싱크(12)는 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 열을 전달할 수 있다. 따라서, 열이 기저부(11)의 특정 레벨에 집중되는 것을 방지하고, 열을 효율적으로 분산 및 방출할 수 있다. 참고로, 히트 싱크(12)와 기저부(11)는 동일한 물질을 포함하거나, 상이한 물질을 포함하거나, 서로 다른 동소체를 포함할 수 있다.
다른 예로, 히트 싱크(12)는 기저부(11)에 비해 열 전도율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 히트 싱크(12)는 전도성 물질을 포함할 수 있고, 구리, 알루미늄 등의 금속을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 히트 싱크(12)는 기저부(11)로부터 전달받은 열을 보다 용이하게 방출할 수 있다. 또한, 히트 싱크(12)를 통해 제2 방향(D2)로 열이 전달되므로, 열이 기저부(11)의 특정 레벨에 집중되는 것을 방지할 수 있다.
전술한 바와 같은 구조에 따르면, 스퍼터링 공정 시에 스퍼터링 타겟(10)의 특정 영역(R)에 열이 집중되더라도, 열을 용이하게 분산 및 방출할 수 있다. 스퍼터링 공정 시, 스퍼터링 타겟(10)에 가속화된 이온이 충돌하므로 열이 발생된다. 그런데, 열이 특정 영역에 집중될 경우, 스퍼터링 타겟(10)의 표면에 휘스커(whisker), 노듈(nodule) 등의 불량이 발생할 수 있다. 특히, 스퍼터링 타겟(10)이 그래파이트와 같이 특정 방향으로만 열을 전달하는 물질을 포함하는 경우, 스퍼터링 타겟(10)의 특정 레벨에 열이 집중되고, 이로 인해, 스퍼터링 타겟(10)이 손상되거나 기판 상에 증착되는 막의 질이 저하될 수 있다. 따라서, 기저부(11)의 특정 영역(R)에 포함된 열을 분산 및 방출시키도록, 히트 싱크(12)를 형성한다.
히트 싱크(12)는 스퍼터링 타겟(10) 내에서 열이 전달되는 경로를 추가로 제공함으로써, 스퍼터링 타겟(10)이 국부적으로 가열되는 것을 방지한다. 즉, 기저부(11) 내에서 제1 방향(D1)으로 열을 전달하고, 히트 싱크(12)에서 제2 방향으로 열을 전달함으로써, 열을 효율적으로 분산 및 방출하는 경로를 제공할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 히트 싱크(12)는 기저부(11)와 연결되도록 형성되며, 기저부(11)와 직접 접하여 형성될 수 있다. 또한, 히트 싱크(12)는 열을 효율적으로 방출하도록, 기저부(11)의 측벽 상에 형성되거나, 기저부(11)의 측벽을 감싸도록 형성될 수 있다.
한편, 스퍼터링 타겟(10)은 진공 챔버 안에 노출되어 있기 때문에, 스퍼터링 공정 시에 기저부(11) 내의 전자들이 히트 싱크(12)로 집중되어 방출될 수 있다. 특히, 히트 싱크(12)가 전도성 물질을 포함하면 히트 싱크(12)로 전자들이 더욱 집중되는데, 히트 싱크(12)와 백 플레이트(20)가 접할 경우 아킹(arcing)이 발생할 수 있다.
따라서, 히트 싱크(12)는 백 플레이트(20)와 직접 접하지 않도록, 백 플레이트(20)와 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 기저부(11)는 제1 영역(11A) 및 제2 영역(11B)을 포함하고, 제2 영역(11B)이 제1 영역(11A)에 비해 좁은 폭 또는 직경을 가질 수 있다. 이러한 경우, 기저부(11)는 측벽에 단차를 갖게 되고, 히트 싱크(12)가 제2 영역(11B)의 측벽을 감싸도록 형성될 수 있다. 이를 통해, 스퍼터링 타겟(10)은 전체적으로 균일한 폭 또는 직경을 갖게 되고, 히트 싱크(12)의 측벽은 제1 영역(11A)의 측벽과 동일한 평면에 위치될 수 있다.
기저부(11)의 제2 영역(11B)과 제1 영역(11A)은 실질적으로 동일한 두께(T1=T2)를 갖거나 상이한 두께(T1≠T2)를 가질 수 있다. 여기서, 제2 영역(11B)은 스퍼터링 타겟(10)으로서 실질적으로 사용되는 영역일 수 있으며, 8mm 이하일 수 있다. 제1 영역(11A)은 백 플레이트(20)와 히트 싱크(12)를 상호 분리시키기 위한 갭 영역일 수 있으며, 1mm 이상일 수 있다. 제2 영역(11B)이 제1 영역(11A)이 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있으며, 제2 영역(11B)과 제1 영역(11A)의 비율(T2:T1)은 2:1 내지 8:1일 수 있다.
전술한 바와 같은 구조에 따르면, 제1 영역(11A)에 의해 히트 싱크(12)와 백 플레이트(20)가 서로 분리된다. 따라서, 히트 싱크(12)와 백 플레이트(20)가 직접 접하지 않으며, 아킹이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
참고로, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟(10)은 탄소 전극을 형성하기 위한 증착 공정에 사용될 수 있다. 여기서, 탄소 전극은 휘발성 메모리 소자, 비휘발성 메모리 소자 등에 포함될 수 있다. 예를 들어, 탄소 전극은 SRAM(Static Random Access Memory), DRAM(Dynamic Random Access Memory), SDRAM (Synchronous DRAM), ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable ROM), EPROM(Electrically Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM), 플래시 메모리, PRAM(Phase-change RAM), MRAM(Magnetic RAM), RRAM(Resistive RAM), FRAM (Ferroelectric RAM) 등에 포함될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 열 전달 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a는 그래파이트의 구조를 나타낸다. 그래파이트는 탄소 동소체 중의 하나로, 1개의 탄소 원자(21)가 다른 3개의 탄소 원자(21)와 공유 결합(22)하여 정육각형의 그물 구조를 갖는 평면을 형성한다. 또한, 복수 개의 평면들이 반데르 발스 힘(23)에 의해 층상 구조를 유지한다.
도 2b는 적층된 그래파이트 시트들(25)의 열 전달 방향을 나타낸 사시도이다. 그래파이트 시트들(25)은 기저면 방향(D1')으로 높은 열 전도도를 갖고, 적층 방향(D2')으로는 낮은 열 전도도를 갖는다. 따라서, 그래파이트 시트들(25) 내의 열은 기저면 방향(D1')으로 주로 전달되며, 적층 방향(D2')으로는 거의 전달되지 않는다.
도 2c를 참조하면, 스퍼터링 타겟(10)은 영역에 따라 상이한 기저면 방향(D1A, D1B)을 가질 수 있다. 이와 같이, 영역에 따라 기저면 방향(D1A, D1B)을 상이하게 조절함으로써, 스퍼터링 타겟(10) 내의 열을 복수의 방향으로 전달 및 방출할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 타겟(10)은 서로 다른 기저면 방향(D1A, D1B)을 갖는 기저부(11)와 히트 싱크(12)를 포함한다.
기저부(11)에 포함된 제1 그래파이트 시트들(25A)과 히트 싱크(12)에 포함된 제2 그래파이트 시트들(25B)은 서로 다른 기저면 방향(D1A≠D1B)을 가질 수 있다. 예를 들어, 기저부(11)에 포함된 제1 그래파이트 시트들(25A)의 제1 기저면 방향(D1A)과 히트 싱크(12)에 포함된 제2 그래파이트 시트들(25B)의 제2 기저면 방향(D1B)이 서로 직교할 수 있다. 따라서, 기저부(11) 내의 열이 제1 기저면 방향(D1A)을 따라 전달된 후, 히트 싱크(12)의 제2 기저면 방향(D1B)을 따라 전달 및 방출 된다. 따라서, 스퍼터링 타겟(10)의 특정 영역 및 특정 레벨에 열이 집중되는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 구조를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟(30)은 기저부(31) 및 히트 싱크(32)를 포함하고, 기저부(31)는 제1 영역(31A) 및 제2 영역(31B)을 포함할 수 있다. 히트 싱크(32)는 백 플레이트(35)로부터 이격되도록 기저부(11)의 전체 높이 중 일부 높이를 감싸도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 히트 싱크(32)는 기저부(31) 중 제2 영역(31B)을 감싸도록 형성된다.
기저부(31)는 원형, 타원형, 사각형, 다각형 등의 단면을 가질 수 있으며, 축(X)을 기준으로 대칭 형태를 갖거나 비대칭 형태를 가질 수 있다. 또한, 축(X)을 기준으로, 히트 싱크(32)는 기저부(31)의 측벽을 전체적으로, 예를 들어, 360° 감싸는 링 구조를 가질 수 있다. 참고로, 축(X)을 기준으로, 히트 싱크(32)가 기저부(31)의 측벽을 일부만 감싸도록 형성되는 것도 가능하다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 구조를 설명하기 위한 단면도이다. 이하, 앞서 설명된 내용과 중복된 내용은 생략하여 설명하도록 한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟(40)은 기저부(41), 제1 히트 싱크(42A) 및 제2 히트 싱크(42BA, 42BB)를 포함하고, 기저부(41)은 백 플레이트(45) 상에 위치될 수 있다.
제1 히트 싱크(42A)는 기저부(41)의 측벽을 감싸도록 형성될 수 있고, 제2 히트 싱크(42B)는 기저부(42)의 내부에 위치될 수 있다. 제1 히트 싱크(42A)는 챔버 내에 노출되므로, 아킹 방지를 위해 백 플레이트(45)와 이격되어 위치될 수 있다. 제2 히트 싱크(42B)는 챔버 내에 노출되지 않으므로, 백 플레이트(45)의 상부면과 접하여 위치될 수 있다.
스퍼터링 타겟(40)은 복수의 제2 히트 싱크들(42BA, 42BB)을 포함할 수 있으며, 제2 히트 싱크들(42BA, 42BB)의 높이, 폭은 다양하게 조절될 수 있다. 예를 들어, 제2 히트 싱크들(42BA, 42BB)은 균일한 높이를 갖거나 상이한 높이를 가질 수 있으며, 균일한 폭을 갖거나 상이한 폭을 가질 수 있다.
제2 히트 싱크(42BA, 42BB)는 스퍼터링 타겟(40)의 침식 영역(erosion area)을 고려하여 위치될 수 있다. 스퍼터링 장치는 챔버 내부에 배치된 전극들에 바이어스 전압을 인가하여 전계를 형성하고, 전계에 의해 가속된 플라즈마 이온들을 타겟에 충돌시킨다. 여기서, 전계를 형성하기 위한 자성부는 N극과 S극을 갖는 영구 자석, 전자석 등일 수 있으며, 챔버 내에서 회전할 수 있다. 따라서, 자성부의 회전 방향, 회전 속도 등에 따라 스퍼터링 타겟의 표면 중 일부가 더 빠르게 침식될 수 있고, 침식 영역에 열이 집중될 수 있다(화살표 참조). 따라서, 침식 영역을 고려하여 기저부(41)의 내부에 제2 히트 싱크(42BA, 42BB)를 위치시킴으로써, 침식 영역에 집중된 열을 보다 효율적으로 분산 및 방출시킬 수 있다.
도 4a를 참조하면, 제2 히트 싱크(42B)는 침식 영역에 대응되도록 위치될 수 있다. 여기서, 제2 히트 싱크(42BA)는 원형, 타원형, 사각형, 다각형 등의 평면을 가질 수 있다. 도 4b를 참조하면, 스퍼터링 타겟(40)이 복수의 제2 히트 싱크들(42BB)을 포함하고, 제2 히트 싱크들(42BB)이 침식 영역의 주변에 위치될 수 있다. 또한, 중심에 위치된 제2 히트 싱크(42BB)가 엣지에 위치된 제2 히트 싱크(42BB)에 비해 넓은 폭을 가질 수 있다.
전술한 바와 같은 구조에 따르면, 스퍼터링 타겟(40)이 측벽에 위치된 제1 히트 싱크(42A)와 내부에 위치된 제2 히트 싱크(42BA, 42BB)를 둘다 포함함으로써, 보다 효율적으로 열을 분산 및 방출시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 타겟의 제조 방법을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5a를 참조하면, 기저부(51)를 형성한다. 기저부(51)는 탄소를 포함할 수 있고, 하소 방식, 증착 방식, 소결 방식 등으로 형성될 수 있다. 일 예로, CH4, C2H2, C3H6 등의 탄화 수소 가스를 열분해(thermal decomposition)하여, 기판 상에 탄소를 증착시킴으로써, 열분해성 그래파이트를 형성할 수 있다. 다른 예로, 그래파이트, 콕스(cokes), 콜-타르 피치(coal-tar pitch) 등의 원료를 믹싱한 후, 압력 처리(pressing)하고, 소결(sintering) 및 피치 함침(pitch impregnation) 공정을 수행한 후, 그래파이트화(graphitization) 공정, 정제(purification) 공정 등을 거쳐 그래파이트 시트를 형성한다. 이를 통해, 기저부(51)가 형성되며, 기저부(51)는 탄소 디스크 등일 수 있다. 기저부(51)는 백 플레이트 상에 직접 형성되거나, 기저부(51)를 형성한 후에 백 플레이트 상에 부착할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 선반 가공(machining)으로 기저부(51)의 측벽을 일부 제거한다. 이를 통해, 제1 영역(51A) 및 제1 영역(51A)에 비해 좁은 폭을 갖는 제2 영역(51B)을 갖는 형태로 기저부(51')를 성형할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 기저부(51')의 측벽에 히트 싱크(52)를 형성한다. 여기서, 히트 싱크(52)는 탄소, 전도성 물질, 금속 물질 등을 포함할 수 있다. 일 예로, 필름, 테이프 형태로 히트 싱크(52)를 형성한 후, 기저부(51')의 측벽에 히트 싱크(52)를 부착할 수 있다. 다른 예로, 기저부(51')의 측벽에 히트 싱크(52)를 코팅할 수 있다. 또 다른 예로, 오-링(O-ring) 형태로 히트 시크(52)를 형성한 후, 기저부(51)의 측벽에 끼울 수 있다.
전술한 바와 같은 제조 방법에 따르면, 히트 싱크(52)를 포함하는 스퍼터링 타겟(50)을 용이하게 제조할 수 있다.
이상으로 해결하고자 하는 과제를 위한 다양한 실시예들이 기재되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자진 자라면 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 스퍼터링 타겟 11: 기저부
12: 히트 싱크 20: 백 플레이트
30: 스퍼터링 타겟 31: 기저부
32: 히트 싱크 33: 백 플레이트
40: 스퍼터링 타겟 41: 기저부
42: 히트 싱크 42A: 제1 히트 싱크
42B, 42BA, 42BB: 제2 히트 싱크 50: 스퍼터링 타겟
51: 기저부 52: 히트 싱크

Claims (14)

  1. 기저면 방향으로 열이 전달되는 기저부; 및
    상기 기저부의 측벽에 형성되고, 상기 측벽을 따라 열이 전달되는 제1 히트 싱크
    를 포함하는 스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크는 상기 기저면 방향과 직교하는 방향으로 상기 열을 전달하는
    스퍼터링 타겟.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크는 상기 기저부에 비해 열 전도율이 높은 물질을 포함하는
    스퍼터링 타겟.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크는 탄소 또는 전도성 물질을 포함하거나 이들의 조합을 포함하는
    스퍼터링 타겟.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크는 상기 기저부의 측벽에 적층된 그래파이트 시트들을 포함하는
    스퍼터링 타겟.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기저부는 탄소를 포함하는
    스퍼터링 타겟.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기저부는 그래파이트 시트들을 포함하는
    스퍼터링 타겟.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기저부는 제1 폭을 갖는 제1 영역 및 상기 제1 폭보다 좁은 폭을 갖는 제2 영역을 포함하는
    스퍼터링 타겟.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 히트 싱크는 상기 제2 영역의 측벽을 감싸는
    스퍼터링 타겟.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기저부의 내부에 위치된 제2 히트 싱크
    를 더 포함하는 스퍼터링 타겟.
  11. 기저면 방향으로 열이 전달되는 기저부를 형성하는 단계;
    상기 기저부의 측벽을 일부 제거하는 단계; 및
    상기 기저부의 측벽에, 상기 측벽을 따라 열이 전달되는 히트 싱크를 형성하는 단계
    를 포함하는 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 히트 싱크는 상기 기저면 방향과 직교하는 방향으로 상기 열을 전달하는
    스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 기저부는 그래파이트 시트들을 포함하고, 상기 히트 싱크는 기저부의 측벽에 적층된 그래파이트 시트들을 포함하는
    스퍼터링 타겟의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 기저부는 그래파이트 시트들을 포함하고, 상기 히트 싱크는 전도성 물질을 포함하는
    스퍼터링 타겟의 제조 방법.
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