KR101988391B1 - 스퍼터링 타겟 - Google Patents

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딘 티. 플레이스티드
마이클 아스바스
로렌스 씨. 페린
폴 지. 카터
가이 피. 라베리에르
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솔레라스 리미티드
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Abstract

본 발명은 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법뿐만 아니라 이로 인해 얻어진 타겟과 캐스팅용 몰드에 관한 것이다. 이러한 방법은 개구를 한정하는 몰드를 제공하는 단계와, 상기 몰드 근방의 저장소(140) 내로 반응성 재료 잉곳을 위치시키는 단계와, 진공을 형성하고 상기 저장소 내의 반응성 재료를 용융시키는 단계와, 캐스팅 온도를 상회하도록 몰드를 가열하고 진공을 형성하는 단계와, 용융된 반응성 재료를 상기 저장소로부터 개구로 도입하는 단계와, PVD 타겟을 형성하도록 몰드를 냉각시키는 단계를 포함한다.

Description

스퍼터링 타겟 {SPUTTERING TARGET}
본 출원은 그 전체 내용이 참조로서 본원에 포함된, 2011년 6월 27일자로 출원된 미국 가출원 번호 제61/501,605호를 우선권 주장한다.
본 출원은 캐스팅, 보다 구체적으로는, 반응성 재료를 캐스팅하는 것 뿐만 아니라 이에 따라 얻어지는 관형 반응성 재료 타겟에 관한 것이다.
리튬의 박막 증착은 통상적으로 증발에 의해 행해진다. 예를 들어 스퍼터링 설비용의 리튬 물리 기상 증착(PVD) 타겟은 통상적으로 활용 가능하지 않고, 스퍼터링 프로세스에 의해 형성된 리튬 코팅은 로터리 타겟(또한 관형 타겟으로 지칭됨)이 아닌 편평 타켓을 채용한다. 프레스 가공 또는 단조 가공되는 편평형 타겟과 달리, 로터리 타겟은 캐스팅에 의해 형성되고, 이러한 방법은 입자의 균일성을 포함하는 입자 크기의 제어를 허용한다. 한편, 타겟을 형성하기 위해 리튬을 가압하면 균일한 입자 크기 분포를 제공하는 것은 어렵다. 또한 이는 소정의 종류의 증착 설비에서 사용하는 것이 제한된다.
로터리 타겟은 편평 타겟에 비해 몇가지 이점을 제공하며, 이는 긴 수명, 높은 타겟 활용성 및 로터리 타겟의 자가 클리닝 특성을 통해 반응성 스퍼터링 환경에 견디는 개선된 능력을 포함한다. 특히, 편평 타겟은 그의 표면에 고정된 부식 패턴을 갖는다. 부식 패턴의 에지(race track) 부근에서, 통상적으로 절연 산화물로서 재료가 재증착된다. 이러한 재증착은 부식 패턴에 침입하고 부식 패턴을 좁게, 즉 증착을 위해 활용 가능한 재료의 양을 감소시킨다. 유사한 부식 패턴이 로터리 타겟에 존재하지만, 타겟이 회전식이므로, 부식 패턴 내로 새로운 재료가 이동된다. 달리 말하면, 로터리 타겟의 재증착된 영역은 너무 두꺼워지기 전에 부식 구역 내로 이동하고, "클리닝"된다.
게다가, 리튬 배터리 산업에서, 리튬 증발법을 스퍼터링으로 대체하기 위한 강한 요구가 존재한다. 증발법은 매우 균일한 증착된 필름을 생성한다. 그러나, 이러한 필름을 달성하기 위해, 기판은 증발원에 대해 거의 포물선 구성으로 배열되어야만 한다. 따라서, 스퍼터링과 달리, 증발은 웨브 및 패널의 코팅에는 그다지 적합하지는 않다.
본 발명의 소정의 실시예들은 반응성 타겟을 제조하기 위해 반응성 재료를 캐스팅하기 위한 우수한 방법 및 시스템뿐만 아니라 이에 따라 얻어진, 예를 들어 관형 타겟과 같은 우수한 반응성 재료 타겟을 제공하지만, 본 실시예는 이에 제한되지 않고, 반응성 재료는 편평 타겟도 제조될 수 있다.
반응성 재료 타겟을 캐스팅하는 방법은, 스테인리스 스틸 맨드릴 둘레에 진공으로 예를 들어 리튬을 캐스팅하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명의 적어도 일부의 실시예들은, 로터리 캐소드를 이용하는 이점과 조합하여, 리튬 또는 세륨과 같은 반응성 재료의 스퍼터링을 가능하게 하는 이점을 제공하는 로터리 캐소드로부터 순수한 리튬과 같은 반응성 재료를 스퍼터하는 능력을 야기한다.
본 발명의 실시예들의 장점은 편평 타겟 뿐만 아니라 관형 타겟이 실질적으로 균일한 입자 크기 분포를 갖는 예를 들어 리튬 타겟을 제조할 수 있다는 점이다.
전술한 목적은 본 발명의 소정의 실시예에 따른 방법 및 장치에 의해 달성될 수 있다.
일 양태에서, 본 발명의 실시예는 반응성 재료 PVD 타겟, 예를 들어 관형 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하는 방법을 특징으로 하지만, 이에 제한되지 않는다. 본 방법은 (i) 개구를 한정하며, 폐쇄 저부를 갖는 몰드를 제공하는 단계와, (ii) 상기 몰드 근방의 저장소 내로 반응성 재료 잉곳을 위치시키는 단계와, (iii) 진공 또는 불활성 대기를 형성하고 저장소 내의 반응성 재료를 용융시키는 단계와, (iv) 캐스팅 온도를 상회하도록 몰드를 가열하고 진공 또는 불활성 대기를 형성하는 단계와, (v) 상기 저장소로부터 상기 개구 내로 용융된 반응성 재료를 도입하는 단계와, (vi) PVD 타겟을 형성하도록 몰드를 냉각시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 개구를 한정하는 몰드를 제공하는 단계와, 몰드 근방의 저장소 내로 반응성 재료를 위치시키는 단계는, 타겟 재료가 도입되는 몰드의 일부와 저장소를 밀봉하기 전에 행해질 수 있다. 밀봉은 진공 또는 불활성 대기를 형성하고 저장소 내의 반응성 재료를 용융시키기 전에 행해질 수 있다. 후자는, 반응성 재료가 대기에 노출되거나, 또는 대기에서 그의 용융 반응 상태로 노출되는 것을 방지하는, 본 발명의 실시예의 장점을 야기한다. 밀봉 전 또는 밀봉 동안, 저장소와 몰드는 밀봉 가능한 체적을 형성하도록 함께 조립될 수 있다. 저장소로부터 개구 내로의 용융된 반응성 재료를 도입하는 단계는 몰드 내로 예를 들어 중력 하에서 용융된 반응성 재료가 유동하는 단계를 포함한다. 저장소 내로 반응성 재료 잉곳을 위치시키는 단계는 저장소 내로 제어된 분위기 하에서 반응성 재료 잉곳을 위치시키는 단계를 포함한다. 저장소와 몰드는 동일한 용기(vessel)의 일부일 수 있다. 몰드를 제공하는 단계는, 외부 몰드 쉘과 외부 몰드 쉘 내에 배치된 맨드릴을 포함하는 몰드를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 외부 몰드 쉘과 맨드릴은 그 사이에 원통형 환형 개구를 한정하고, 맨드릴은 코어 구역을 한정하는 내부벽을 갖는다. 형성된 타겟은 관형 PVD 타겟일 수 있다.
본 발명의 실시예는 로터리 타겟 또는 회전식 타겟을 포함하는 관형 타겟을 포함할 수 있다. 이러한 타겟의 형상은 예를 들어 원통형일 수 있다.
하나 이상의 이하의 특징들이 포함될 수 있다. 몰드를 가열하는 단계는 내부벽 및/또는 외부 몰드 쉘을 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 외부 몰드 쉘은 내부벽으로부터 복사열을 통해 가열될 수 있다. 가열은 전도 가열, 복사 가열 등을 사용하는 것과 같이 임의의 적절한 수단을 이용하여 행해질 수 있다.
몰드를 냉각시키는 단계는 코어 구역으로부터 내부벽을 향해 유동성 냉각 매체를 안내, 예를 들어 샤워헤드를 통해 유동성 냉각 매체를 스프레잉하는 것을 포함한다. 대안적으로, 유동성 냉각 매체는 또한 코어 구역으로부터 내부벽 상으로 유동하도록 임의의 다른 방식으로 주입될 수 있다. 편평 타겟을 캐스팅하기 위한 몰드의 외부 표면은 코어 구역의 내부벽을 형성한다. 유동성 냉각 매체는 물, 수용액 및/또는 오일계 조성물과 같은 유체를 포함하거나 기본적으로 이들로 구성될 수 있다. 스프레잉하는 경우, 샤워헤드는 히터의 원위 단부에 장착될 수 있고, 히터는 코어 구역 내로 삽입하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 히터는 코어 구역으로부터 추출될 수 있고, 유동성 냉각 매체는 동시에 샤워헤드를 통해 스프레이될 수 있다. 유리하게는, 본 발명의 소정의 실시예에서, 가열 및 냉각하기 위한 효율적인 방법이 적용될 수 있다.
몰드를 냉각시키는 단계는, 몰드의 외부 표면, 예를 들어 외부 몰드 쉘을 향해 유동성 냉각 매체를 스프레잉하는 단계를 포함한다. 유동성 냉각 매체를 안내하는 단계는 샤워헤드를 통해 유동성 냉각 매체를 스프레잉하는 단계를 포함한다. 유동성 냉각 매체는 물, 수용액 및/또는 오일계 조성물을 포함하거나 기본적으로 이들로 구성될 수 있다. 대안적으로, 외부 몰드 쉘을 냉각시키는 단계는 임의의 적절한 방식으로 유동성 냉각 매체를 도포하고 이를 외부 몰드 쉘 상에서 유동하도록 함으로써 적용될 수 있다.
몰드는 수직으로 배향될 수 있고, 외부 몰드 쉘과 내부벽 중 적어도 하나는 저부로부터 상단부로 냉각될 수 있다. 몰드를 냉각시키는 단계는 외부 몰드 쉘과 맨드릴의 내부벽을 동시에 냉각시키는 단계를 포함할 수 있다. 몰드는 용융된 반응성 재료가 몰드 내로 도입되고나서 몰드가 냉각되기 전에 교반될 수 있다. 교반은 진동, 반복적인 또는 비반복적인 운동의 사용 등을 포함할 수 있다. 외부벽 몰드 쉘은 관형 PVD 타겟으로부터 파괴식으로 제거될 수 있다. 반응성 재료는 리튬 또는 리튬계 합금일 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명의 실시예들은 전술한 임의의 방법들에 따라 캐스팅될 수 있는 관형 또는 편평 반응성 재료 PVD 타겟을 포함할 수 있다. 이러한 관형 또는 편평 반응성 재료 PVD 타겟은 리튬 또는 리튬 함유 타겟일 수 있지만, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않고, 예를 들어 나트륨, 칼륨, 마그네슘 또는 텔르루와 같은 다른 반응성 재료 타겟 또한 이러한 캐스팅 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 발명의 실시예들은 기본 구조를 갖는 관형 또는 편평 PVD 타겟과; 기본 구조 상에 배치된 캐스트 반응성 재료층을 포함할 수 있다. 기본 구조는 코어 구역을 한정하는 내부벽을 갖는 맨드릴일 수 있고, 캐스트 반응성 재료층은 맨드릴의 외부벽 상에 배치될 수 있고, 맨드릴과 캐스트 리튬층은 관형 구조를 형성한다. 하나 이상의 이하의 특징들이 포함될 수 있다. 반응성 재료층은 비반응성 형태로 제공될 수 있다. 캐스트 반응성 재료층은 리튬층일 수 있다. 캐스트 반응성 재료층은 1체적% 미만의 공극(void) 공간을 포함할 수 있다.
맨드릴은 스틸 및 스테인리스 스틸 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 캐스트 리튬층은 적어도 약 3mm의 직경의 평균 입경을 갖는 그레인을 가질 수 있다.
일 양태에서, 본 발명의 실시예들은 또한 전술한 바와 같은 방법을 행하기 위한 시스템에 관한 것이다. 이러한 시스템은 그 사이에서 개구를 한정하는 몰드를 보유하기 위한 홀더와, 폐쇄 저부를 갖는 몰드와, 몰드 근방에 위치되도록 홀더에 대해 구성되는 저장소와, 저장소와 몰드 내에 진공을 발생시키기 위한 진공 발생 수단과, 저장소 내의 반응성 재료를 용융시키고 소정의 캐스팅 온도를 상회하여 몰드를 가열시키기 위한 가열 수단과, 관형 또는 편평 PVD 타겟을 형성하기 위해 몰드를 냉각시키기 위한 냉각 수단을 포함한다. 홀더, 저장소, 진공 발생 수단, 가열 수단 및/또는 냉각 수단은 제1 양태에서 설명한 바와 같은 임의의 특징부를 포함할 수 있거나, 또는 제1 양태에 개시된 하나 이상의 방법 단계들의 기능성을 갖는 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몰드는 외부 몰드 쉘과 외부 몰드 쉘 내에 배치된 맨드릴을 포함하며, 외부 몰드 쉘과 맨드릴은 그 사이에서 원통형 환형 개구를 한정한다.
또 다른 양태에서, 본 발명의 실시예들은 관형 반응성 재료 PVD 타겟의 제조시에 사용하기 위한 몰드에 관한 것이다. 몰드는 외부 몰드 쉘과, 외부 몰드 쉘 내에 배치된 맨드릴을 포함할 수 있고, 외부 몰드 쉘과 맨드릴은 그 사이에서 원통형 환형 개구를 한정할 수 있다. 몰드는 또한 중공 구역을 한정하는 맨드릴의 내부벽과 폐쇄된 저부를 갖는다.
본 발명의 특정하고 바람직한 실시예들은 첨부된 독립 청구항과 종속 청구항들에서 설명된다. 종속 청구항들로부터의 특징은, 명백한 바와 같이, 그 뿐만 아니라 청구범위에서 명쾌히 설명한 바와 같이, 독립 청구항들의 특징들과 그리고 다른 종속 청구항들의 특징들과 결합될 수 있다.
이하의 도면들은 비율에 맞춰질 필요가 없고, 본 발명의 실시예의 원리를 도시하기 위해 일반적인 배치 대신에 강조된다. 본 발명의 실시예들의 전술한 특징들과 다른 특징들 및 장점뿐만 아니라 본 발명 자체는, 첨부된 도면과 함께 읽을 때, 이하의 예시적이고 바람직한 실시예들의 상세한 설명과 바람직한 실시예로부터 보다 잘 이해될 것이다.
도 1 내지 3은 본 발명의 실시예에 따른 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 장치를 도시하는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 관형 반응성 재료 PVD 타겟의 개략도이다.
청구범위의 임의의 도면부호들은 범주를 제한하도록 해석되어서는 안된다.
상이한 도면들에서, 동일한 도면부호는 동일하거나 유사한 요소들을 지칭한다.
본 발명은 특정한 실시예에 대해 소정의 도면을 참조하여 설명되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않고 청구범위에 의해서만 제한된다. 개시된 도면들은 개략적이며 비제한적이다. 도면에서, 일부 요소들의 크기는 과장될 수 있고, 도시를 위해 비율대로 그려지지 않을 수 있다. 치수 및 상대적인 치수는 본 발명의 실시예를 실시하기 위한 실제 축소에는 대응하지 않는다.
또한, 상세한 설명 및 청구범위에서 제1, 제2 등의 용어는 유사한 요소들간에 구별을 위해 사용되고, 임시적인, 공간적인, 랭크 또는 임의의 다른 방식의 순서를 설명하는 것은 아니다. 사용된 이러한 용어는 적절한 상황 하에서 상호 교환 가능하고, 본원에서 개시한 본 발명의 실시예들은 본원에 개시되거나 도시된 것 외의 다른 순서로 동작이 가능하다.
게다가, 상세한 설명 및 청구범위에서 위쪽, 아래쪽 등의 용어는 설명을 위해서 사용되지만, 반드시 상대 위치를 설명하기 위한 것은 아니다. 사용된 이러한 용어는 적절한 상황 하에서 상호 교환 가능하고, 본원에서 개시한 본 발명의 실시예들은 본원에 개시되거나 도시된 배향 외의 다른 동작이 가능하다.
청구범위에서 사용된 용어 "포함하다"는, 그 다음에 열거하는 수단으로 제한되도록 해석되어서는 안되며, 다른 요소들 또는 단계들을 배제하는 것은 아니라는 점에 유의한다. 따라서, 지칭되는 언급된 특징, 정수, 단계들 및 컴포넌트들의 존재를 구체화하는 것으로 해석되지만, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계들 또는 컴포넌트들 또는 이들의 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지는 않는 것으로서 해석되어야만 한다. 따라서, 표현 "수단 A 및 B를 포함하는 디바이스"의 표현은 디바이스가 컴포넌트 A와 B로만 구성되는 것으로 제한되어서는 안된다. 이는 본 발명의 실시예에 대해서 디바이스의 관련 컴포넌트들이 단지 A와 B라는 것을 의미한다.
이러한 명세서 전반에서 "일 실시예", "실시예"를 참조하는 것은, 실시예와 관련하여 개시된 특정한 특성, 구조 또는 특징이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서에 걸쳐 다양한 장소에서 구절 "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"의 존재는 동일한 실시예로 모두 지칭하는 것은 아니지만, 동일한 실시예를 지칭하는 것일 수도 있다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성은, 하나 이상의 실시예에서, 본 명세서로부터 당업자들에게는 명백한 바와 같이, 임의의 적절한 방식으로 합체될 수 있다.
유사하게, 본 발명의 예시적인 실시예의 설명에서, 본 발명의 다양한 특성들은 종종 명세서를 간소화하고 하나 이상의 다양한 창의적인 양태의 이해를 돕기 위해 단일 실시예, 도면, 또는 이들의 설명으로 함께 그룹화되는 것은 명백하다. 그러나, 명세서의 이러한 방법은, 본 발명의 청구된 실시예가 각각의 청구범위에서 명확히 재인용한 것 외의 추가의 특성을 필요로 한다는 의도를 반영하는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 이하의 청구범위가 반영하는 바와 같이, 창의적인 양태는 하나의 전술한 개시된 실시예의 모든 특징들 내에 포함된다. 따라서, 상세한 설명에 후속하는 청구범위는 이러한 상세한 설명 내에서 명확하게 포함되며, 각각의 청구범위는 본 발명의 개별 실시예로서 자립한다.
또한, 본원에 개시된 소정의 실시예는 소정의 특성을 포함하지만 다른 실시예에 포함된 다른 특성을 포함하지 않으며, 다른 실시예들의 특성의 조합은 본 발명의 범주 내에 있는 것을 의미하고, 당업자들에게 이해될 수 있는 바와 같이 다른 실시예를 형성한다. 예를 들어, 이하의 청구범위에서, 임의의 인용된 실시예는 임의의 조합으로 사용될 수 있다.
본원에 제공된 상세한 설명에서, 다양한 구체적인 세부사항이 설명된다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이들 구체적인 세부사항 없이 실시될 수 있다. 다른 예에서, 공지된 방법, 구조 및 기술은 본 상세한 설명의 이해를 불명료하게 하지 않도록 상세히 도시되지 않는다.
본 발명의 실시예에서, 저장소에서 용융시키기 위한 원 재료로서 사용될 수 있는 재료에 대해 잉곳(ingot)이 참조되었다. 가능한 잉곳 재료의 예는 쓰레드, 파우더, 조각(piece), 그레인, 로프, 바아, 퍽(puck), 샷 등일 수 있고, 본 발명의 실시예는 따라서 제한되지 않는다.
본 발명의 실시예에서 사용되는 반응성 재료는 예를 들어 리튬, 마그네슘, 세륨, 나트륨, 칼륨 등과 같은 반응 특성을 갖는 재료를 포함할 수 있다. 이는 반응성 재료를 갖는 것으로 고려되는 멘델레예프의 주기율표의 원소들에 기초한 원소의 재료에 관한 것 뿐만 아니라, 이들의 비반응 형태의 이러한 원소를 포함하는 합금 또는 화합물에 관한 것이다. 본 발명의 적어도 소정의 실시예에 따르면, 반응성 재료는 유리하게는 이들의 비반응 형태 또는 순수 형태이다.
제1 양태에서, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같이 관형 타겟을 캐스팅하는 방법에 관한 것이다. 상이한 몰드 형상, 예를 들어 박스의 직립벽 사이에 용융된 반응성 재료를 제공하기 위해 긴 개구를 갖는 박스형 몰드를 형성하는 복수의 직립 벽을 갖는 몰드 형상에 기초하여, 이러한 방법은 또한 편평 타겟용으로도 적용 가능하다는 점이 이해될 것이다. 따라서 벽들 중 하나는 기본 구조를 형성한다. 관형 반응성 재료 타겟을 캐스팅하기 위한 방법의 특정예로 돌아가면, 이러한 방법의 표준 및 선택적인 특성은 도 1 및 2를 참조하여 보다 더 설명될 것이고, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에서, 용기(100)는 외부 몰드 쉘(110)에 의해 둘러싸여진 맨드릴(105)(또한 본원에서 코어로 지칭됨)이라고 지칭되는 중심 요소를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 맨드릴은 유리하게는 중공 요소이며, 맨드릴(105)의 내부 표면은 그 안에 코어 구역(107)을 한정할 것이다. 맨드릴과 외부 몰드 쉘은 예를 들어 스테인리스 스틸과 같은 임의의 적절한 재료로 제조될 수 있다. 사용되는 재료는 맨드릴과 외부 몰드 쉘이 스퍼터 타겟이 만들어지는 반응성 재료에 대해 불활성이도록 선택될 것이다. 소정의 실시예에서, 외부 몰드 쉘은 스틸일 것이다. 또한, 맨드릴은 반응성 재료, 예를 들어 리튬이 습윤(wet)되는 티타늄 또는 다른 재료일 수 있다. 외부 몰드 쉘은 반응성 재료, 예를 들어 리튬을 오염시키지 않고 캐스팅시의 열에 견딜 수 있는 임의의 다른 재료일 수 있다. 코어(105)에 대한 반응성 재료의 접착을 촉진시키기 위해, 코어는 순수한(bare) 스테인리스 스틸, 비드 블래스팅된 표면을 갖는 스테인리스 스틸 또는 널링(knurl) 가공된 표면을 갖는 스테인리스 스틸일 수 있다. 코어에 반응성 재료의 접착을 촉진시키기 위한 추가적인 수단은 스테인리스 스틸 코어의 OD에 대한 니켈 도금과 같은 층의 적용일 수 있다. 다른 안정적인 코어 및 표면 마감과 특성(예를 들어 홈, 스플라인 등)들이 고려될 수 있다. 맨드릴과 외부 몰드 쉘은 그 사이에 예를 들어 원통형 환형 개구 형상의 갭(120)을 한정한다. 원통형 환형 개구는 통상적으로 몰드에 캐스트되는 제품의 치수와 동일한 치수를 갖는다. 통상적인 치수는 이하와 같다: 맨드릴 외경-133mm; 외부 몰드 쉘 내경 163 내지 174mm 이상이며, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.
몰드는 맨드릴(105)과 외부 몰드 쉘(110)을 가교(bridge)시키는 플레이트(130)를 갖는 폐쇄 저부를 가져서, 갭(120)의 저부를 밀봉한다. 외부 몰드 쉘의 상단부는 외부 몰드 쉘의 하부보다 큰 직경을 가질 수 있는 굴뚝(funnel)을 형성하여, 저장소(140)를 형성한다. 맨드릴(105) 자신 또는 맨드릴에 부착된 연장 튜브(150)는 저장소(140) 너머 상향으로 연장된다. 저장소의 용량은 개시 재료가 완전히 압밀(compact)되지 않을 수 있으므로, 예를 들어 최종 캐스트 재료 체적 + 20% + 추가 공간에 대응하도록 충분히 클 수 있다. 예를 들어, 개시 재료는 감겨진 로프 또는 바아, 또는 다수의 퍽 또는 샷, 또는 사용 가능한 다른 종류의 잉곳일 수 있다. 연장 튜브(150)의 목적은 통기를 제공하는 것이어서, 후술하는 바와 같이 쿨러가 유동성 냉각 매체를 스프레이할 때, 증기가 탈출할 수 있도록 한다. 연장 튜브(150)는 또한 ID 히터 및 ID 쿨러의 배치를 용이하게 하고, 히터와 쿨러가 몰드의 내측으로부터 수직으로 인출되도록 충분한 직경을 가질 수 있다. 저장소(140)는 대안적으로 외부 몰드 쉘(110)의 상단부에 부착된 개별 컴포넌트일 수 있다.
도시된 예에서, 저장소(140)의 상단부는 커버(180)의 부착을 위해 제1 플랜지(160)를 포함한다. 제2 플랜지(170)는 맨드릴(105) 둘레에 배치된다. 연장 튜브(150)가 맨드릴에 부착되는 대안적인 실시예에서, 제2 플랜지(170)는 연장 튜브(150) 둘레에 배치된다. 제2 플랜지(170)는 저장소를 커버하는 제1 플랜지(160)와 동일한 레벨 근방에서 맨드릴/연장 튜브 둘레에 배치된다.
커버(180)는 제1 및 제2 플랜지(160, 170) 상에 볼트 결합되도록 함으로써 저장소 위에 배치되도록 구성될 수 있다. 통상적으로 펌핑 포트(182), 가스 포트, 기기장치 포트 및 관찰 포트(185)가 커버 내에 배치된다. 가스 튜브(190)는 커버(180)를 통해 연장하고, 저장소(140) 내로 가스를 선택적으로 도입하도록 구성된다.
히터(195)는 저장소(140), 외부 몰드 쉘(110) 및 맨드릴(105)의 내부 표면을 선택적으로 가열하도록 구성된다. 히터는 예를 들어, 전기 저항 히터, 가스 히터, 이들의 조합, 전도성 히터 등과 같은 임의의 적절한 가열 수단일 수 있다. 하나 이상의 히터는 미국 St. Louis, MO. 소재의 Watlow Electric Manufacturing Company에서 제조된 WATROD, 부품 번호 RDN 134J10S와 같은 관형 가열 요소일 수 있다. 적어도 하나의 히터는 몰드를 가열하기 위해 몰드에 대해 이동 가능하도록 구성된다. 소정의 실시예에서, 히터는 맨드릴의 코어 구역 내로 삽입하도록 구성된다. 삽입된 히터는 맨드릴의 내부벽을 가열하고, 외부 몰드 쉘은 내부벽으로부터의 복사열에 의해 또는 개별 히터에 의해 가열될 수 있다. 삽입된 히터는 예를 들어 반응성 맨드릴 둘레의 코일에 배열된 관형 저항 가열 소자일 수 있다. 외부 몰드용 개별 히터는 외부 몰드 쉘의 외경을 둘러싸는 코일로 굴곡된 관형 가열 소자일 수 있다.
로터리 액추에이터 또는 진동원과 같은 교반기(210)는 바람직하게는 용융된 반응성 타겟 재료가 도입된 후이며 외부 몰드 쉘과 맨드릴의 내부벽이 냉각되기 전에 몰드 맨드릴과 외부 몰드 쉘을 교반하도록 구성된다. 반복적인 또는 비반복적인 운동을 제공하고 캐스팅된 재료의 압밀을 유도하도록 하는 임의의 종류의 교반기가 사용될 수 있다. 적절한 교반기는 미국 Robbinsvillc, NJ. 소재의 McMaster-Carr로부터의 부품 번호 5807K71로서 활용 가능한 측면 입구식의 연성철 저충격식 공기 동력 진동기이다.
도 2 및 또한 도 3을 참조하면, 제1 쿨러(220)는 맨드릴의 내부 표면을 냉각하기 위해 맨드릴 내에 삽입하도록 구성될 수 있다. 소정의 실시예에서, 제1 쿨러는 용기의 몰드부에 대해 이동하도록 구성될 수 있다. 제1 쿨러는 히터의 원위 단부에 장착될 수 있다. 제1 쿨러는 예를 들어 샤워헤드와 같은 유동식 냉각 시스템일 수 있다. 샤워헤드는 물, 수용액 및/또는 오일계 조성물과 같은 유동식 냉각 매체를 분배하도록 구성될 수 있다.
제2 쿨러(230)는 외부 몰드 쉘(110)을 냉각시키도록 구성될 수 있다. 소정의 실시예에서, 제2 쿨러는 외부 몰드 쉘(110)에 대해 이동하도록 구성될 수 있다. 제1 및 제2 쿨러는 동시에 또는 조직된 방식으로 이동되도록 구성될 수 있다. 제2 쿨러는 예를 들어, 샤워헤드와 같은 유동성 냉각 시스템일 수 있다. 이러한 샤워헤드의 구성은 외부 몰드 쉘 둘레에 끼워맞춤되도록 원형으로 굴곡되는 스프링클러 원드(wand)일 수 있다. 샤워헤드는 물, 수용액 및/또는 오일계 조성물과 같은 유동성 냉각 매체를 분배하도록 구성될 수 있다.
리튬과 같은 반응성 재료는 물의 존재하에서 불타기 때문에, 두 개의 쿨러에 대해 안전 조치가 도입된다. 승강 기구(260)는 제1 및 제2 쿨러 각각을 이동시키도록 구성될 수 있다. 승강 기구는 예를 들어 서보 모터, 리니어 슬라이드 및 샤워헤드 장착 하드웨어의 사용을 포함할 수 있다. 서보 모터는 쿨러가 몰드에 대해 이동하는 비율을 정확하게 제어한다. 내부 및 외부 쿨러는 각각 이들 자체의 승강 기구를 가질 수 있다.
사용시에, 예를 들어 리튬 잉곳(200)인 반응성 재료의 예비 로드는 바람직하게는 실온에서 저장소(140) 내에 위치된다. 저장소에 위치된 반응성 재료의 양은 바람직하게는, 재료의 압밀을 보상하기 위해 완료된 로터리 타겟의 높이의 추가 20% 만큼 몰드(즉, 원형 환형 개구)를 충전하는데 충분하다.
작은 타겟에 대해서는, 전체 몰드뿐만 아니라 기밀식으로 밀봉된 패키지 내의 반응성 재료들은 조절된 분위기에서 위치될 수 있다. 몰드와 반응성 재료는 예를 들어 글로브 박스 내에 위치될 수 있다. 글로브 박스는 2 미만의 상대 습도로 조정된다. 반응성 재료는 패키지로부터 제거되어 저장소 내에 위치된다. 커버는 저장소에 위치되고 저장소는 밀봉된다. 몰드는 글로브 박스로부터 제거된다. 큰 타겟에 대해서는, 글로브 박스형 장치가 저장소의 상단부에 위치되어, 몰드의 내측이 2 미만의 상대 습도로 조정될 수 있다. 반응성 재료는 저장소에 위치되고 커버는 폐쇄된다. 반응성 재료가 위치된 후에, 저장소와 재료가 캐스트되는 몰드부는 밀봉된 조립체일 수 있다. 커버(180)는 플랜지(140, 170) 상에 볼트 결합되어, 진공 밀봉 시일을 형성한다.
펌핑 포트(182)에 연결된 진공 펌프(240)에 의해 저장소(140) 내에 진공이 형성된다. 용기는 1torr 미만으로 펌핑된다. 적절한 펌프는 독일 Koeln 소재의 Oerlikon Leybold Vacuum GmbH에서 제조되는 모델 Leybold D30이다. 저장소(140)를 플러싱(flush)하기 위해 가스 튜브(190)를 통해 가스가 도입될 수 있다. 가스는 예를 들어 리튬(200)에서 형성될 수 있는 산화물을 감소시킬 수 있는 포밍 가스일 수 있다. 적절한 포밍 가스는 디클로로디플루오로메탄(FREON12)이다. 포밍 가스는 아르곤과, 예를 들어 포밍 가스 10과 아르곤 90으로 혼합될 수 있다. 보다 유리하게는, 예를 들어 거의 30" Hg의 압력에서와 같은 강진공(hard vaccum) 하에서 조작이 수행될 수 있다. 사용시에, 약 10" 머큐리(mercury) 내지 약 20" 머큐리의 범위의 부분적인 진공이 가변 오리피스 밸브(250)를 이용하여 저장소와 몰드 내에 유지될 수 있다.
예를 들어 저장소(140)에 진공을 형성하는데 사용하는 동일한 펌프(240)로 맨드릴(105)과 외부 몰드 쉘(110)을 포함하는 용기의 몰드부에 또한 진공이 형성된다. 포밍 가스와 같은 가스가 또한 용기의 몰드부 내로 도입될 수 있다.
히터(195)가 온 되고, 예를 들어 리튬인 반응성 재료의 용융점을 상회하는 온도, 즉 180℃를 상회하는 온도, 예를 들어 약 300℃까지의 온도를 얻도록 제어될 수 있다. 예시적인 프로세스에서, 외부 몰드 쉘용의 히터와 맨드릴의 내부벽용의 히터는 300℃로 설정되고, 저장소는 120℃로 예열된다. 외부 및 내부 몰드 쉘이 설정된 온도가 얻어지면, 저장소 온도는 300℃로 증가한다.
바람직하게는, 맨드릴은 반응성 재료가 원통형 환형 개구에 진입하기 전에 가열되어, 반응성 재료가 맨드릴을 습윤시킨다. 맨드릴의 내부벽의 가열 및/또는 외부 몰드 쉘의 가열에 의해, 몰드가 가열될 수 있다. 외부 몰드 쉘은 대안적으로 또는 추가적으로 내부벽으로부터의 복사열에 의해 가열될 수 있다.
따라서 반응성 재료 잉곳(200)이 용융되어, 반응성 재료가 맨드릴과 외부 몰드 쉘 사이의 간극(130) 내로 유동한다. 맨드릴에 대한 반응성 재료의 접착을 촉진시키고 임의의 포획된 가스 기포를 제거하기 위해 캐스팅 동안에 교반 또는 진동이 행해질 수 있다.
이어서 반응성 재료는 외부 몰드 쉘 외측 및/또는 코어 구역 내측의 냉각 매체를 통해서 냉각된다. 냉각 매체는 물, 수용액 및/또는 오일계 조성물일 수 있고, 제1 및 제2 쿨러에 의해 도포(예를 들어 스프레이)될 수 있다. 대안적으로, 장치는 냉각 매체 내로 침지될 수 있다. 몰드의 냉각은 외부 몰드 쉘과 맨드릴의 내부벽의 냉각을 동시에 포함할 수 있다. 몰드는 수직으로 배향될 수 있고, 내부벽 및/또는 외부 벽 몰드가 저부로부터 상단부로 냉각될 수 있다. 소정의 실시예에서, 그의 원위 단부에 장착된 샤워헤드를 갖는 히터는 코어 구역으로부터 추출될 수 있으면서, 유동성 냉각 매체가 샤워헤드를 통해 스프레이된다. 냉각율은 예를 들어 3 내지 10mm 직경의 평균 크기를 갖는 작고 균일한 그레인 구조를 정제하도록 반응성 재료, 예를 들어 리튬을 고화시키도록 제어될 수 있다.
소정의 바람직한 캐스팅 파라미터 범위가 표 1에 열거된다.
캐스팅 파라미터
파라미터 최대 최소 예
초기 압력 10"Hg 20"Hg 15"Hg
온도 480℃ 200℃ 300℃
백그라운드 진공 10Torr 0.1Torr 0.5Torr
가스 유동률 15SCFH 2SCFH 5SCFH
냉각 매체 유동 15gpm 1gpm 12gpm
평균 그레인 크기 10mm 0.1mm 3mm
소정의 실시예에서, 몰드의 가열 및 냉각은 개별 스테이션에 의해 제공될 수 있고, 몰드 조립체는 우선 용융되고 및 용융된 반응성 재료를 캐스팅하기 위해 가열 스테이션으로 이동하고, 이어서 캐스트 반응성 재료의 고화를 위해 냉각 스테이션으로 이동한다. 표 2는 개별 가열 및 냉각 스테이션을 활용하는 일 실시예에 따른 통상의 프로세스 순서를 개시한다.
냉각 및 가열 스테이션을 채용하는 예시적인 프로세스 흐름
반응성 재료를 예비 로드한 몰드 조립체를 가열 스테이션(히터, 절연 외부벽, 절연 저부 및 절연 커버를 포함하는 스테이션)에 위치시키고, 진공 및 가스 라인에 연결
진공(1torr)과 압력(5psi) 사이의 소기를 3회 순환
진공 밸브를 통해 압력을 30"Hg로 설정
굴뚝 온도 설정값을 250℉로 설정
캐스팅 조립체 온도 설정값을 500℉로 설정
캐스팅 조립체 온도가 설정값 부근이 되면, 굴뚝 온도 설정값을 600℉로 증가
이러한 온도에서, 재료가 완전히 용융됨
몰드 내로 재료를 유동시킴
몰드 온도를 하강시킴
몰드 온도가 새로운 설정값 온도로 감소될 때까지 대기
조립체를 매 10분마다 흔듬, 태핑 또는 진동시킴
ID 히터와 굴뚝 챔버 히터를 오프함
유체 냉각을 온시킴
히터/샤워헤드 조립체를 상승
조립체가 고상화 온도 아래로 냉각되면, 유체 냉각을 오프함
유닛을 20psi로 가압
도 4를 참조하면, 반응성 재료가 캐스트되고 냉각된 후에, 외부 몰드 쉘은 예를 들어 종방향으로 톱 또는 밀링 절단으로 컷 오프함으로써 파괴식으로 제거된다. 대안적으로는, 외부 몰드 쉘은 외부 몰드 쉘을 재사용할 수 있도록 비파괴적인 방식으로 제거될 수 있다. 반응성 재료, 예를 들어 리튬(200)은 맨드릴(105) 상에 잔류하여 로터리 리튬 PVD 타겟을 형성한다. 로터리 반응성 재료 PVD 타겟은 코어 구역을 한정하는 내부벽을 갖는 맨드릴과, 맨드릴의 외부벽 상에 배치된 캐스트 리튬층을 포함하고, 맨드릴과 캐스트 리튬층은 관형 구조를 한정한다. 캐스트층은 최종 길이 및 직경 요구사항으로 피니시 기계가공될 수 있다.
일 양태에서, 본 발명의 실시예는 또한 전술한 바와 같은 방법을 실행하기 위한 시스템에 관한 것이다. 이러한 시스템은 몰드(예를 들어 외부 몰드 쉘과 외부 몰드 쉘 내에 배치되는 맨드릴을 포함하며, 외부 몰드 쉘과 맨드릴은 그 사이에서 원통형 환형 개구를 한정하는 편평 타겟용 또는 관형 타겟용의 몰드)를 보유하기 위한 홀더를 포함하고, 몰드는 폐쇄 저부를 갖는다. 소정의 실시예에서의 몰드는 코어 구역을 한정하는 내부벽, 예를 들어 맨드릴의 내부벽을 가질 수 있다. 시스템은 또한 저장소가 몰드 근방에 있도록 홀더에 대해 구성된 저장소와, 저장소와 몰드 내에 진공을 발생시키는 진공 발생 수단, 저장소 내의 반응성 재료를 용융시키고 몰드를 소정의 캐스팅 온도 위로 가열하기 위한 가열 수단과, 반응성 PVD 타겟을 형성하기 위해 몰드를 냉각하기 위한 냉각 수단을 포함한다. 홀더, 저장소, 진공 발생 수단, 가열 수단 및/또는 냉각 수단은 제1 양태에서 개시된 임의의 특징을 포함할 수 있거나, 또는 제1 양태에서 개시된 하나 이상의 방법 단계들의 기능성을 갖는 요소들을 포함할 수 있다.
또 다른 양태에서, 본 발명의 실시예는 반응성 재료 PVD 타겟, 예를 들어 관형 타겟을 제조하는 데 사용되는 몰드에 관한 것이다. 몰드가 관형 타겟용으로 적절한 경우, 몰드는 외부 몰드 쉘과, 외부 몰드 쉘 내에 배치된 맨드릴을 포함하고, 외부 몰드 쉘과 맨드릴은 그 사이에 원통형 환형 개구를 한정한다. 몰드는 폐쇄 저부를 갖는다. 관형 타겟이 제조되는 경우에, 몰드는 또한 중공 구역을 한정하는 맨드릴의 내부벽을 포함한다.
본원에 열거된 모든 파라미터는 예시적인 것이고 실제 파라미터는 본 발명의 실시예의 방법과 재료가 사용되는 특정 응용예에 따른다는 점은 당업자에게는 명백할 것이다. 따라서, 전술한 실시예는 예로서만 제공되며, 첨부된 청구범위와 그의 등가물의 범주 내에서 본 발명의 실시예들은 특정하게 개시된 것과는 다르게 행해질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 다양한 재료, 기하학적 형상, 크기 및 요소들의 상호관계는 다양한 조합 및 치환으로 실시될 수 있고, 이러한 모든 변경 및 등가물은 본 발명의 실시예의 일부로서 고려된다.
본 발명의 상세한 도식적인 실시예가 관형 반응성 재료 타겟을 캐스팅하기 위한 방법 및 이에 의해 얻어진 관형 반응성 타겟을 참조하여 설명하였지만, 실시예들은 이에 제한되지 않고, 본 발명은 또한 편평 타겟에 대한 일부 실시예에도 관련된다. 몰드의 구성은 편평 타겟이 캐스트될 수 있고, 예를 들어 두 개의 개별 벽에 기초하여 타겟이 캐스트될 수 있고 진공 및 불활성 대기에서의 동작과 캐스팅 프로세스가 전술한 것과 유사한 폐쇄부를 예를 들어 포함하여, 유사한 특성과 장점을 수반한다. 유사하게, 전술한 예들은 진공에서의 작업을 참고하여 기재하였으나, 불활성 대기에서의 동작도 가능하다.

Claims (27)

  1. 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법에 있어서,
    - 개구를 한정하는 몰드를 제공하는 단계로서, 상기 몰드는 폐쇄 저부를 갖는, 몰드를 제공하는 단계;
    - 밀봉되도록 상기 몰드와 함께 조립되는 저장소 내로 반응성 재료 잉곳(ingot)을 위치시키는 단계로서, 상기 저장소는 상기 몰드보다 위에 위치하여 상기 몰드에 캐스팅될 용융된 반응성 재료가 위로부터 상기 몰드의 상단부로 흐르도록 하는, 반응성 재료 잉곳을 위치시키는 단계;
    - 진공 또는 불활성 대기를 형성하고 상기 저장소 내의 상기 반응성 재료 잉곳을 용융시키는 단계;
    - 상기 몰드를 캐스팅 온도를 상회하도록 가열하고 상기 몰드에 진공 또는 불활성 대기를 형성하는 단계;
    - 상기 저장소로부터 상기 몰드의 개구 내로 용융된 반응성 재료를 도입하는 단계; 및
    - 상기 반응성 재료 PVD 타겟을 형성하도록 상기 몰드를 냉각시키는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 몰드를 제공하는 단계는 외부 몰드 쉘에 의해 둘러싸인 맨드릴을 갖는 몰드를 제공하는 단계로서, 상기 맨드릴은 중공이고 내부벽을 갖는, 몰드를 제공하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저장소로부터 상기 개구로 융융된 반응성 재료를 도입하는 단계는 용융된 반응성 재료를 상기 몰드로 흐르도록 하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법은 관형 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법이고, 상기 몰드를 제공하는 단계는 외부 몰드 셀과 상기 외부 몰드 쉘 내에 배치된 맨드릴을 가지는 몰드를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 외부 몰드 쉘과 상기 맨드릴은 외부 몰드 쉘과 맨드릴 사이에서 원통형 환형 개구를 한정하고, 상기 맨드릴은 코어 구역을 한정하는 내부벽을 가지는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 몰드를 가열하는 단계는 상기 내부벽을 가열하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 몰드를 가열하는 단계는 상기 외부 몰드 쉘을 가열하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 외부 몰드 쉘을 가열하는 단계는 상기 내부벽으로부터 나오는 열 방사를 경유하여 상기 외부 몰드 쉘을 가열하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 몰드를 냉각시키는 단계는 상기 코어 구역으로부터 상기 내부벽을 향하여 유동성 냉각 매체를 안내하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  9. 제2항에 있어서, 상기 몰드를 냉각시키는 단계는 상기 외부 몰드 쉘을 향하여 유동성 냉각 매체를 안내하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 유동성 냉각 매체를 안내하는 단계는 샤워헤드를 통하여 상기 유동성 냉각 매체를 스프레이하는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 유동성 냉각 매체는 물, 수용액 및 오일계 조성물로 구성된 군으로부터 선택된 유체를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 유동성 냉각 매체를 안내하는 단계는 샤워헤드를 통하여 상기 유동성 냉각 매체를 스프레이하는 단계를 포함하고, 상기 샤워헤드는 히터의 원위 단부에 장착되고, 상기 히터는 코어 구역 내로 삽입되도록 구성되는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 코어 구역으로부터 상기 히터를 추출하는 단계와 동시에 상기 샤워헤드를 통해 상기 유동성 냉각 매체를 스프레이하는 단계를 더 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  14. 제5항에 있어서, 상기 몰드는 수직으로 배향되고, 상기 내부벽과 상기 외부 몰드 쉘 중 적어도 하나는 저부로부터 상단부로 냉각되는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  15. 제2항에 있어서, 상기 몰드를 냉각시키는 단계는, 상기 외부 몰드 쉘과 상기 맨드릴의 내부벽을 동시에 냉각시키는 단계를 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 용융된 반응성 재료가 상기 몰드 내로 도입한 후, 그리고 상기 몰드가 냉각되기 전에, 상기 몰드를 교반하는 단계를 더 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  17. 제4항에 있어서, 상기 관형 반응성 재료 PVD 타겟으로부터 상기 외부 몰드 쉘을 제거하는 단계를 더 포함하는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 반응성 재료는 리튬 및 리튬계 합금으로 구성된 군으로부터 선택되는, 반응성 재료 PVD 타겟을 캐스팅하기 위한 방법.
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