DE102004060423B4 - Rohrtarget und dessen Verwendung - Google Patents
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft ein Rohrtarget mit einem zylindrischen Trägerrohr und mindestens einem an dessen Mantelfläche angeordneten Targetrohr, wobei zwischen Targetrohr und Trägerrohr eine Verbindungsschicht angeordnet ist, sowie die Verwendung dieses Rohrtargets.
- Zum Besputtern großflächiger Substrate wie z. B. Glas für den Bau-/Architekturbereich, für die Automobilverglasung und für Flachbildschirmscheiben werden großflächige Flach- oder Planartargets eingesetzt. Diese Targets zeichnen sich durch eine verhältnismäßig niedrige Materialausbeute von ca. 30–40% im Sputterprozess aus. Die Verwendung von Rohrtargets ermöglicht dagegen Materialausbeuten am Target von bis zu 90% und minimiert das Entstehen von sogenannten Redepositzonen, die zur Partikelfreisetzung während des Sputterprozesses neigen. Zur Herstellung der Rohrtargets wurden bisher üblicherweise thermische Spritzverfahren, wie z. B. Plasmaspritz- und Lichtbogenspritzverfahren, eingesetzt, wobei das entsprechende Targetmaterial über das Verfahren der thermischen Spritztechnik direkt auf ein Trägerrohr aufgeschichtet wird. Nachteile dieses Verfahrens sind im allgemeinen hohe Sauerstoffwerte, hohe Materialverluste während des Fertigungsprozesses und lange Prozesszeiten mit hohem Energie- und Gasverbrauch. Neuere Verfahren ermöglichen das direkte Aufgießen des Targetmaterials auf ein Trägerrohr (
DE 10043 748 A1 ,DE 100 63 383 C1 ). Diese Technik wird insbesondere bei niedrig schmelzenden Materialien wie Sn und Zn erfolgreich eingesetzt und liefert Targetmaterialien mit schmelzcharakteristischem Gefügeaufbau. Rohrförmige Sputtermaterialien mit hohem Schmelzpunkt und starkem Unterschied des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zum Trägerrohr können bisher nicht auf diese Weise hergestellt werden. Daher werden einige dieser Materialein wie Ag, Zn, SiAl in kurzen rohrförmigen Segmenten schmelz- und gießtechnisch vorgefertigt und anschließend zusammen auf ein Trägerrohr geschoben und befestigt (DE 102 53 319 B3 ). Das Trägerrohr liefert hierbei die mech. Stabilität der Targetkonstruktion. - Die Befestigung der Segmente auf dem Trägerrohr geschieht in Übertragung der Herstellung von Flachtargets überwiegend mittels eines Lotes. Es stellt sich jedoch heraus, dass die Qualität dieser Befestigung unbefriedigend ist. Hierfür gibt es vielfältige, teilweise miteinander verknüpfte Ursachen. Einige davon sind schlechtes Benetzungsverhalten eines Standardlotes gegenüber verschiedenen Targetmaterialien, unterschiedliches Benetzungsverhalten des Lotes gegenüber Targetmaterial und Trägerrohr, stark unterschiedliche thermische Ausdehungskoeffizienten zwischen Targetmaterial und Trägerrohr, Neigung zur Legierungsbildung zwischen Targetmaterial und Lotmaterial, schlechte Wärmeleitfähigkeit des Targetmaterials und damit Schwierigkeiten in der Prozessführung des Lötens, Schwierigkeit der Temperaturführung über große Längen während des Lötens, unkontollierbare Lotbefüllung, Oxidation der Oberflächen von Targetmaterial und Trägerrohr sowie des Lotes während des Lötprozesses.
- Aus der
JPH0273971A - Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, den Stand der Technik zu verbessern und ein zuverlässig funktionierendes Rohrtarget bereitzustellen.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Hauptanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten. Das erfindungsgemäße segmentförmig aufgebaute Rohrtarget besteht aus einem Trägerrohr und einem oder mehreren Targetsegmenten. Es ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschicht elektrisch leitfähig ist und einen Benetzungsgrad von > 90%, vorzugsweise > 95% aufweist.
- Der Benetzungsgrad liegt sowohl an der Mantelfläche des Trägerrohrs als auch an der Innenfläche des Targetrohrs vor. Zweckmäßig ist es, dass an mindestens einer Stirnseite des Trägerrohrs und/oder des Targetrohrs Anschlußstücke, Lageraufnahmen oder Flansche angeordnet sind. Desweiteren ist es vorteilhaft, dass mindestens ein Targetrohr an mindestens einem Ende einen vergrößerten Durchmesser aufweist. Das Material des Targetrohrs ist aus Mo, gebildet. Es ist weiterhin zweckmäßig, dass das oder die Targetrohre aus vollen Materialblöcken herausgearbeitet oder durch direktes Gießen von Hohlzylindern, Strangpressen, Fließpressen, Sintern oder heißisostatisches Pressen hergestellt sind.
- Insbesondere weist die Verbindungsschicht einen Leitkleber oder ein Lotmaterial auf.
- Auf dem Trägerrohr kann entweder direkt ein Lotmaterial oder mindestens eine Haftvermittler- oder Benetzungsmittelschicht und darauf das Lotmaterial angeordnet sein, wobei das Lotmaterial In, Sn, InSn, SnBi oder andere niedrig schmelzende Lotlegierungen mit einer Liquidustemperatur unterhalb 300°C enthält oder daraus gebildet ist.
- Auf dem Targetrohr ist direkt ein Lotmaterial angeordnet, wobei das Lotmaterial aus In gebildet ist.
- Vorteil bei direkter Benetzung ist eine Kostenersparnis gegenüber der Version mit Haftschicht. Das Trägerrohr und/oder das Targetrohr können mit einer Nickel-Basis-Haftschicht, insbesondere aus einer Nickel-Aluminium- oder einer Nickel-Titan-Legierung beschichtet sein. Auch eine Aluminium-Legierungs-Haftschicht führt zu einer guten Benetzbarkeit und Haftung auf dem Basismaterial. Das Trägerrohr ist aus Stahl, oder Titan gebildet.
- Insbesondere kann das erfindungsgemäße Rohrtarget zur Herstellung von Display-Beschichtungen verwendet werden. Es weist eine hohe Lebensdauer, geringe Kosten, thermisch und elektrisch gut leitende Verbindung zwischen Trägerrohr und Targetmaterial zwecks Kühlung und Aufbau eines stabilen Sputterplasmas auf. Weitere Vorteile sind ein optimaler Einsatz des teuren Targetmaterials nur auf dem später auch abzutragenden Mantelbereich, durch spezielle Führung der Abkühlung beim Bondverfahren eine gerichtete Erstarrung von unten nach oben, die zu einer poren- und lunkerarmen Verbindung führt.
- Die Oberfläche des Trägerrohres wird zur Entfernung jeglicher Verschmutzungen und Oxid-/Verzunderungsreste sowie zur Einstellung einer Rauhigkeit vorbehandelt. Auf diese Oberfläche wird eine homogene, gut wärmeleitfähige Beschichtung < 1 mm aufgebracht, die das Benetzungsverhalten zum Lot ermöglicht und thermisch verursachte Spannungen zwischen Targetmaterial und Trägerrohr kompensiert. Bevorzugte Schichtmaterialien sind Al, Ni, Cu, Zn und deren Legierungen. In analoger Weise werden die Innenflächen der rohrförmigen Targetsegmente behandelt. In Abhängigkeit von den Materialeigenschaften sind hierauf abgestimmte Verfahren und Werkstoffe zu wählen. Nach Auftrag der Beschichtungen wird sowohl target- wie auch trägerseitig eine weitere auf das zu verwendende Lot abgestimmte Zwischenschicht < 1 mm aufgebracht. Bevorzugte Materialien sind Al, Ni, Zn, In, Sn, Bi und deren Legierungen. Nach Auftrag der Zwischenschicht kann sowohl target- wie auch trägerseitig eine weitere Schmierfilmschicht eines leicht flüchtigen Öles aufgebracht werden. Diese Schicht muss vor dem eigentlichen Lötprozess wieder vollständig entfernt werden.
- Das in dieser Weise vorbereitete Rohrtarget wird homogen, z. B. in einem Rohrofen unter inerter Spülgasatmosphäre erwärmt und anschließend wird der Lotspalt zwischen Trägerrohr und Targetsegmenten mit auf die Materialien abgestimmtem Lot befüllt. Hierzu sind abhängig von den Materialien sowohl aufsteigende wie auch fallende Befüllungstechniken, ebenso die Befüllung unter Druck zu wählen. Für bestimmte Materialkombinationen ist die Lotbefüllung unter Anwendung von mechanischer Aktivierung vorteilhaft. Nach vollständiger Befüllung mit Lot wird ein definiertes Abkühlprogramm zur Erstarrung des Lotes gefahren.
- Im Falle weniger hoher Anforderungen an die Wärmeleitfähigkeit des Rohrtargets sowie an die Festigkeit des Rohrtargets werden die Segmente über ein Klebeverfahren auf dem Trägerrohr fixiert. Hierzu dient ein wärmeleitfähiger Klebstoff, der stoffschlüssig den Spalt zwischen Trägerrohr und Targetsegmenten füllt. Im Falle geringer Anforderungen an die Wärmeleitfähigkeit des Rohrtargets und geringer Sputterleistungen können die Rohrsegmente auf dem Trägerrohr unter Umständen auch mittels federartiger Systeme oder mittels Klemmsystemen befestigt.
- Nachfolgend wird die Erfindung beispielhaft anhand einer Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigt
-
1 : ein Rohrtarget. - Auf einem Trägerrohr
1 sind mehrere Targetrohre2 segmentartig aufgebracht. Im Folgenden wird die Herstellung erläutert. - Beispiel 1 (nicht erfindungsgemäß):
- Ein Stahl-Trägerrohr
1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung in einem Gemisch aus HCl:HNO3 gebeizt. Weiterhin wird die Oberfläche des Trägerrohres1 mittels eines Bürstprozesses aufgerauht und aktiviert. Anschließend wird auf die Oberfläche des Trägerrohres eine Cu-Schicht als Zwischenschicht mit ca. 0,02 mm Dicke galvanisch aufgebracht. Im Schleudergussverfahren werden 3 Aluminium-Rohrsegmente2 hergestellt, auf Länge 0,4 m gesägt und außen wie innen überdreht auf ∅i = 135 mm, ∅a = 154 mm. Die Innenoberfläche der Al-Segmente wird ebenfalls galvanisch verkupfert. - Die Zwischenschicht des Trägerrohres wird flächendeckend mit einer ca. 0,5 mm dicken Sn-Lotfolie belegt, welche durch lokale Erwärmung mittels eines Gasbrenners angelötet wird. Die Zwischenschicht der Aluminium-Targetrohrsegmente
2 wird flächendeckend mit einer 0,5 mm dicken Indium-Folie ausgelegt, welche durch lokale Erwärmung mittels eines Gasbrenners angelötet wird. Anschließend wird eine dünne Schmierfilmschicht eines leicht verdunstbaren Öles auf beide zuletzt aufgebrachten Schichten aufgebracht. Anschließend werden die rohrförmigen Targetsegmente2 auf das Trägerrohr1 mittels Zentrier- und Distanzhhilfen aufgeschoben. Die Schmierfilmschicht wird ausgespült. Zur homogenen Erwärmung auf Löttemperatur wird das vorbereitete Rohrtarget homogen in einem Rohrofen auf 200°C erwärmt. Hierbei werden gleichzeitig letzte Reste der Schmierfilmschicht ausgeheizt. Zur Vermeidung von Oxidations-/Anlaufeffekten wird während des Erwärmens mit Schutzgas gespült. Nach Erreichen der Löttemperatur wird das Rohrtarget aus dem Rohrofen entnommen, aufgerichtet und in einer Vertikallötvorrichtung montiert. Hierbei werden alle Spalte mit Schnellverschlussdichtspangen abgedichtet. Während dieser Vorbereitungen wird das Rohrtarget mit thermisch isolierendem Material bedeckt und über eine Innenheizung auf 170°C gehalten. Zusätzlich wird die Inertgasspülung aufrecht erhalten. Als Lot werden ca. 1,5 kg Indium geschmolzen, auf 250°C gebracht und in den Lotspalt eingefüllt. Zur Erzielung einer 100%igen Füllung des Lotspaltes wird während des Loteingusses eine mechanische Anregung an das vertikal stehende Rohrtarget angekoppelt. Sobald das Lot vollständig eingefüllt ist, werden alle Heiz- und Isoliermaßnahmen am Rohr eingestellt und über vier Viellochlanzen in der Vertikallötvorrichtung mittels Pressluft der Abkühlprozess in Gang gesetzt. Die Abkühlrate wird über Gasventile gesteuert. Nach Abkühlung des Rohrtargets auf Raumtemperatur kann das Rohrtarget aus der Vertikallöteinrichtung ausgebaut und von Lotresten versäubert werden. - Beispiel 2:
- Ein Stahl-Trägerrohr
1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung in einem Gemisch aus HCl:HNO3 gebeizt. - Weiterhin wird die Oberfläche des Trägerrohres
1 mittels eines Sandstrahlprozesses aufgeraut und aktiviert. Anschließend wird auf die Oberfläche des Trägerrohres1 eine Ni-Schicht als Zwischenschicht mit ca. 0,2 mm Dicke über thermische Spritztechnik aufgebracht. Es wird ein Mo-Rohr der Länge 1,4 m mit ∅i = 135 mm, ∅a = 154 mm auf pulvermetallurgischem Weg hergestellt. Die Innenoberfläche des Mo-Rohres wird von Verzunderungsresten freigebürstet und stromlos vernickelt. Es werden keine weiteren Schichten aufgebracht. Die weitere Verfahrensweise des Lötprozesses entspricht Beispiel 1. - Beispiel 3 (nicht erfindungsgemäß):
- Ein Stahl-Trägerrohr
1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung mittels eines Bürstprozesses aufgeraut und anschließend mit einer galvanischen Cu-Schicht überzogen. Es werden zwei Cr-Rohrsegmente der Länge 0,7 m mit ∅i = 135 mm, ∅a = 154 mm auf pulvermetallurgischem Weg hergestellt. Beide Cr-Segmente werden mittels eines wärmeleitfähigen und elektrisch leitfähigen Klebers nach Erwärmung auf 80°C zur Kleberverflüssigung auf das Trägerrohr1 aufgeklebt. Um einen hohen Benetzungsgrad zwischen Kleber und Targetrohr2 bzw. Trägerrohr1 zu erreichen, wird das wie oben beschrieben vorbereitete Target bei ca. 80°C ca. 1 h gehalten. - Beispiel 4 (nicht erfindungsgemäß):
- Ein Stahl-Trägerrohr
1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung in einem Gemisch aus HCl:HNO3 gebeizt. Das zu befestigende Targetmaterial besteht aus einem Al-Rohr der Länge 1,4 m mit ∅i = 135 mm, ∅a = 155 mm. Die Innenoberfläche wird mittels geeigneter Oberflächenbehandlung gereinigt und aufgeraut. Es werden keine weiteren Schichten aufgebracht. Die weitere Verfahrensweise des Lötprozesses entspricht Beispiel 1.
Claims (6)
- Rohrtarget mit einem zylindrischen Trägerrohr und mindestens einem auf dessen Mantelfläche angeordneten Targetrohr, wobei zwischen Targetrohr und Trägerrohr eine Verbindungsschicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschicht elektrisch leitfähig ist und einen Benetzungsgrad von > 90% aufweist, dass dieser Benetzungsgrad sowohl an der Mantelfläche des Trägerrohrs als auch an der Innenfläche des Targetrohrs vorliegt, dass das Trägerrohr aus Stahl oder Titan gebildet ist, dass die Verbindungsschicht ein aus In gebildetes Lotmaterial aufweist, das auf dem Targetrohr direkt angeordnet ist, dass das Material des Targetrohrs aus Mo gebildet ist und, dass optional das Trägerrohr mit einer Nickel-Basis-Haftschicht beschichtet ist.
- Rohrtarget nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Benetzungsgrad > 95% beträgt.
- Rohrtarget nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass an mindestens einer Stirnseite des Trägerrohrs und/oder des Targetrohrs Anschlussstücke, Lageraufnahmen oder Flansche angeordnet sind.
- Rohrtarget nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Targetrohr an mindestens einem Ende einen vergrößerten Durchmesser aufweist.
- Rohrtarget nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das oder die Targetrohre aus kompakten Materialblöcken herausgearbeitet oder durch direktes Gießen von Hohlzylindern, Strangpressen, Fließpressen, Sintern oder heißisostatisches Pressen hergestellt sind.
- Verwendung eines Rohrtargets nach einem der Ansprüche 1 bis 5 zur Herstellung von Display-Beschichtungen.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004060423.1A DE102004060423B4 (de) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Rohrtarget und dessen Verwendung |
PCT/EP2005/013084 WO2006063721A1 (de) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | Rohrtarget mit zwischen targetrohr und trägerrohr angeordneter verbindungsschicht |
US11/721,677 US20090250337A1 (en) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | Tubular target having a connecting layer arranged between the target tube and the carrier tube |
KR1020077014141A KR20070086523A (ko) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | 관형 타겟과 관형 지지부 사이에 위치하는 연결 층을포함하는 관형 타겟 |
EP05819256A EP1851356A1 (de) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | Rohrtarget mit zwischen targetrohr und trägerrohr angeordneter verbindungsschicht |
CNA2005800429247A CN101080508A (zh) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | 具有设置在靶管与承载管之间的连接层的管状靶 |
JP2007545898A JP2008523251A (ja) | 2004-12-14 | 2005-12-07 | ターゲット管と支持管との間に配置された結合層を備える管状ターゲット |
TW094144186A TWI404813B (zh) | 2004-12-14 | 2005-12-14 | 管靶材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004060423.1A DE102004060423B4 (de) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Rohrtarget und dessen Verwendung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004060423A1 DE102004060423A1 (de) | 2006-06-29 |
DE102004060423B4 true DE102004060423B4 (de) | 2016-10-27 |
Family
ID=36011023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004060423.1A Revoked DE102004060423B4 (de) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | Rohrtarget und dessen Verwendung |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090250337A1 (de) |
EP (1) | EP1851356A1 (de) |
JP (1) | JP2008523251A (de) |
KR (1) | KR20070086523A (de) |
CN (1) | CN101080508A (de) |
DE (1) | DE102004060423B4 (de) |
TW (1) | TWI404813B (de) |
WO (1) | WO2006063721A1 (de) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7922066B2 (en) * | 2005-09-21 | 2011-04-12 | Soleras, LTd. | Method of manufacturing a rotary sputtering target using a mold |
TWI317763B (en) * | 2005-10-03 | 2009-12-01 | Thermal Conductive Bonding Inc | Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing |
DE102006009749A1 (de) * | 2006-03-02 | 2007-09-06 | FNE Forschungsinstitut für Nichteisen-Metalle Freiberg GmbH | Targetanordnung |
JP5103911B2 (ja) * | 2007-01-29 | 2012-12-19 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP5387118B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2014-01-15 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
DE102008046443A1 (de) | 2008-09-09 | 2010-03-11 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit Verbindungsschicht |
JP5482020B2 (ja) | 2008-09-25 | 2014-04-23 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
KR101647636B1 (ko) * | 2009-01-30 | 2016-08-11 | 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 | 튜브 타겟 |
JP5679315B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2015-03-04 | 日立金属株式会社 | 円筒型Mo合金ターゲットの製造方法 |
EP2709138B1 (de) * | 2010-05-11 | 2016-11-30 | Applied Materials, Inc. | Kammer zur physikalischen Dampfabscheidung |
TWI544099B (zh) | 2010-05-21 | 2016-08-01 | 烏明克公司 | 濺鍍標靶對支撐材料的非連續性接合 |
US9334563B2 (en) | 2010-07-12 | 2016-05-10 | Materion Corporation | Direct cooled rotary sputtering target |
JP5576562B2 (ja) | 2010-07-12 | 2014-08-20 | マテリオン アドバンスト マテリアルズ テクノロジーズ アンド サービシーズ インコーポレイティド | 回転式ターゲット裏当て管結合用組立 |
JP4948634B2 (ja) | 2010-09-01 | 2012-06-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
KR101341705B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2013-12-16 | 플란제 에스이 | 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합방법 |
JP5672536B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-02-18 | 東ソー株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP5140169B2 (ja) | 2011-03-01 | 2013-02-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲット及びその製造方法 |
CN103620082B (zh) * | 2011-04-29 | 2016-12-07 | 普莱克斯 S.T.技术有限公司 | 形成圆柱形溅射靶组件的方法 |
EP2723915A1 (de) | 2011-06-27 | 2014-04-30 | Soleras Ltd. | Sputter-target |
US9015337B2 (en) | 2011-07-13 | 2015-04-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems, methods, and apparatus for stream client emulators |
JP2011252237A (ja) * | 2011-09-16 | 2011-12-15 | Tosoh Corp | 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP5026611B1 (ja) | 2011-09-21 | 2012-09-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
DE102011055314B4 (de) * | 2011-11-14 | 2017-03-16 | Sindlhauser Materials Gmbh | Sputtertargetanordnung und Bond-Verfahren zu deren Herstellung |
JP5074628B1 (ja) | 2012-01-05 | 2012-11-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2013181221A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Ulvac Japan Ltd | ターゲットアセンブリ及びターゲットユニット |
WO2014030362A1 (ja) | 2012-08-22 | 2014-02-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウム製円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US20140110245A1 (en) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | Primestar Solar, Inc. | Non-bonded rotatable targets and their methods of sputtering |
JP5855319B2 (ja) | 2013-07-08 | 2016-02-09 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び、それの製造方法 |
JP2015036431A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法。 |
JP5799154B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2015-10-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP6233224B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2017-11-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 接合材シート及び円筒形スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP5947413B1 (ja) * | 2015-02-13 | 2016-07-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
TWI704245B (zh) * | 2015-02-13 | 2020-09-11 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 濺射靶件及其製造方法 |
US10822690B2 (en) * | 2015-03-18 | 2020-11-03 | Umicore | Lithium-containing transition metal oxide target |
JP5909006B1 (ja) * | 2015-03-23 | 2016-04-26 | Jx金属株式会社 | 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN105755445B (zh) * | 2015-12-10 | 2019-07-05 | 金鸿医材科技股份有限公司 | 一种具有复合靶材的卷对卷溅镀制程与其制成品 |
CN105624627B (zh) * | 2016-03-14 | 2018-08-31 | 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 | 绑定式磁控溅射旋转靶材及其制备方法 |
CN110218983A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-10 | 杨晔 | 磁控溅射旋转靶材的绑定方法 |
CN110129759B (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-25 | 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 | 一种用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材及其制备方法 |
CN113463043B (zh) * | 2021-06-09 | 2023-05-26 | 先导薄膜材料(广东)有限公司 | 一种旋转靶材的制备方法 |
CN113523239A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-10-22 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种使用铟锡混合材料的靶材绑定工艺 |
CN115233169B (zh) * | 2022-06-22 | 2023-09-05 | 苏州六九新材料科技有限公司 | 一种铝基管状靶材及其制备方法 |
CN115533359A (zh) * | 2022-09-07 | 2022-12-30 | 有研稀土新材料股份有限公司 | 一种稀土旋转靶材及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0273971A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲット |
DE10253319B3 (de) * | 2002-11-14 | 2004-05-27 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets aus einer Si-Basislegierung, sowie die Verwendung des Sputtertargets |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3634208B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2005-03-30 | 真空冶金株式会社 | 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット |
US6582572B2 (en) * | 2000-06-01 | 2003-06-24 | Seagate Technology Llc | Target fabrication method for cylindrical cathodes |
US6409897B1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-06-25 | Poco Graphite, Inc. | Rotatable sputter target |
AT4240U1 (de) * | 2000-11-20 | 2001-04-25 | Plansee Ag | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
DE10063383C1 (de) * | 2000-12-19 | 2002-03-14 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung |
US20050279630A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
-
2004
- 2004-12-14 DE DE102004060423.1A patent/DE102004060423B4/de not_active Revoked
-
2005
- 2005-12-07 KR KR1020077014141A patent/KR20070086523A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-12-07 WO PCT/EP2005/013084 patent/WO2006063721A1/de active Application Filing
- 2005-12-07 CN CNA2005800429247A patent/CN101080508A/zh active Pending
- 2005-12-07 EP EP05819256A patent/EP1851356A1/de not_active Ceased
- 2005-12-07 JP JP2007545898A patent/JP2008523251A/ja active Pending
- 2005-12-07 US US11/721,677 patent/US20090250337A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-14 TW TW094144186A patent/TWI404813B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0273971A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Hitachi Metals Ltd | スパッタリングターゲット |
DE10253319B3 (de) * | 2002-11-14 | 2004-05-27 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets aus einer Si-Basislegierung, sowie die Verwendung des Sputtertargets |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006063721A1 (de) | 2006-06-22 |
EP1851356A1 (de) | 2007-11-07 |
CN101080508A (zh) | 2007-11-28 |
US20090250337A1 (en) | 2009-10-08 |
JP2008523251A (ja) | 2008-07-03 |
TW200632121A (en) | 2006-09-16 |
TWI404813B (zh) | 2013-08-11 |
KR20070086523A (ko) | 2007-08-27 |
DE102004060423A1 (de) | 2006-06-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: HANS-CHRISTIAN KUEHN, DE Representative=s name: HANS-CHRISTIAN KUEHN, 63450 HANAU, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE Effective date: 20111219 Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE Effective date: 20111219 Owner name: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE Effective date: 20111219 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB, DE Effective date: 20111219 Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE Effective date: 20111219 Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE Effective date: 20111219 Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE Effective date: 20111219 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE Effective date: 20150223 Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE Effective date: 20150223 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB, DE Effective date: 20150223 Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE Effective date: 20150223 Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE Effective date: 20150223 Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE Effective date: 20150223 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB, DE Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE |
|
R026 | Opposition filed against patent | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, 63450 HANAU, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE |
|
R037 | Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final |