DE102004060423B4 - Rohrtarget und dessen Verwendung - Google Patents

Rohrtarget und dessen Verwendung Download PDF

Info

Publication number
DE102004060423B4
DE102004060423B4 DE102004060423.1A DE102004060423A DE102004060423B4 DE 102004060423 B4 DE102004060423 B4 DE 102004060423B4 DE 102004060423 A DE102004060423 A DE 102004060423A DE 102004060423 B4 DE102004060423 B4 DE 102004060423B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
target
tube
support tube
pipe
wetting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Revoked
Application number
DE102004060423.1A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004060423A1 (de
Inventor
Dr. Simons Christoph
Dr. Schlott Martin
Markus Schultheis
Dr. Weigert Martin
Lars Gusseck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Materion Advanced Materials Germany GmbH
Original Assignee
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=36011023&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE102004060423(B4) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Heraeus Deutschland GmbH and Co KG filed Critical Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Priority to DE102004060423.1A priority Critical patent/DE102004060423B4/de
Priority to EP05819256A priority patent/EP1851356A1/de
Priority to US11/721,677 priority patent/US20090250337A1/en
Priority to KR1020077014141A priority patent/KR20070086523A/ko
Priority to PCT/EP2005/013084 priority patent/WO2006063721A1/de
Priority to CNA2005800429247A priority patent/CN101080508A/zh
Priority to JP2007545898A priority patent/JP2008523251A/ja
Priority to TW094144186A priority patent/TWI404813B/zh
Publication of DE102004060423A1 publication Critical patent/DE102004060423A1/de
Publication of DE102004060423B4 publication Critical patent/DE102004060423B4/de
Application granted granted Critical
Revoked legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C21/00Alloys based on aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

Rohrtarget mit einem zylindrischen Trägerrohr und mindestens einem auf dessen Mantelfläche angeordneten Targetrohr, wobei zwischen Targetrohr und Trägerrohr eine Verbindungsschicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschicht elektrisch leitfähig ist und einen Benetzungsgrad von > 90% aufweist, dass dieser Benetzungsgrad sowohl an der Mantelfläche des Trägerrohrs als auch an der Innenfläche des Targetrohrs vorliegt, dass das Trägerrohr aus Stahl oder Titan gebildet ist, dass die Verbindungsschicht ein aus In gebildetes Lotmaterial aufweist, das auf dem Targetrohr direkt angeordnet ist, dass das Material des Targetrohrs aus Mo gebildet ist und, dass optional das Trägerrohr mit einer Nickel-Basis-Haftschicht beschichtet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Rohrtarget mit einem zylindrischen Trägerrohr und mindestens einem an dessen Mantelfläche angeordneten Targetrohr, wobei zwischen Targetrohr und Trägerrohr eine Verbindungsschicht angeordnet ist, sowie die Verwendung dieses Rohrtargets.
  • Zum Besputtern großflächiger Substrate wie z. B. Glas für den Bau-/Architekturbereich, für die Automobilverglasung und für Flachbildschirmscheiben werden großflächige Flach- oder Planartargets eingesetzt. Diese Targets zeichnen sich durch eine verhältnismäßig niedrige Materialausbeute von ca. 30–40% im Sputterprozess aus. Die Verwendung von Rohrtargets ermöglicht dagegen Materialausbeuten am Target von bis zu 90% und minimiert das Entstehen von sogenannten Redepositzonen, die zur Partikelfreisetzung während des Sputterprozesses neigen. Zur Herstellung der Rohrtargets wurden bisher üblicherweise thermische Spritzverfahren, wie z. B. Plasmaspritz- und Lichtbogenspritzverfahren, eingesetzt, wobei das entsprechende Targetmaterial über das Verfahren der thermischen Spritztechnik direkt auf ein Trägerrohr aufgeschichtet wird. Nachteile dieses Verfahrens sind im allgemeinen hohe Sauerstoffwerte, hohe Materialverluste während des Fertigungsprozesses und lange Prozesszeiten mit hohem Energie- und Gasverbrauch. Neuere Verfahren ermöglichen das direkte Aufgießen des Targetmaterials auf ein Trägerrohr ( DE 10043 748 A1 , DE 100 63 383 C1 ). Diese Technik wird insbesondere bei niedrig schmelzenden Materialien wie Sn und Zn erfolgreich eingesetzt und liefert Targetmaterialien mit schmelzcharakteristischem Gefügeaufbau. Rohrförmige Sputtermaterialien mit hohem Schmelzpunkt und starkem Unterschied des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zum Trägerrohr können bisher nicht auf diese Weise hergestellt werden. Daher werden einige dieser Materialein wie Ag, Zn, SiAl in kurzen rohrförmigen Segmenten schmelz- und gießtechnisch vorgefertigt und anschließend zusammen auf ein Trägerrohr geschoben und befestigt ( DE 102 53 319 B3 ). Das Trägerrohr liefert hierbei die mech. Stabilität der Targetkonstruktion.
  • Die Befestigung der Segmente auf dem Trägerrohr geschieht in Übertragung der Herstellung von Flachtargets überwiegend mittels eines Lotes. Es stellt sich jedoch heraus, dass die Qualität dieser Befestigung unbefriedigend ist. Hierfür gibt es vielfältige, teilweise miteinander verknüpfte Ursachen. Einige davon sind schlechtes Benetzungsverhalten eines Standardlotes gegenüber verschiedenen Targetmaterialien, unterschiedliches Benetzungsverhalten des Lotes gegenüber Targetmaterial und Trägerrohr, stark unterschiedliche thermische Ausdehungskoeffizienten zwischen Targetmaterial und Trägerrohr, Neigung zur Legierungsbildung zwischen Targetmaterial und Lotmaterial, schlechte Wärmeleitfähigkeit des Targetmaterials und damit Schwierigkeiten in der Prozessführung des Lötens, Schwierigkeit der Temperaturführung über große Längen während des Lötens, unkontollierbare Lotbefüllung, Oxidation der Oberflächen von Targetmaterial und Trägerrohr sowie des Lotes während des Lötprozesses.
  • Aus der JPH0273971A ist bekannt, dass die Verbindung einer Rückenplatten mit einem Eisen-Legierungs-Target verbessert werden kann, in dem ein Metallfilm, z. B. Cu, mit zufriedenstellenden Benetzungseigenschaften bezüglich eines Lots auf der Rückseite des Targets aufgebracht wird welches mit der Rückenplatte verbunden wird.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, den Stand der Technik zu verbessern und ein zuverlässig funktionierendes Rohrtarget bereitzustellen.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Hauptanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen enthalten. Das erfindungsgemäße segmentförmig aufgebaute Rohrtarget besteht aus einem Trägerrohr und einem oder mehreren Targetsegmenten. Es ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschicht elektrisch leitfähig ist und einen Benetzungsgrad von > 90%, vorzugsweise > 95% aufweist.
  • Der Benetzungsgrad liegt sowohl an der Mantelfläche des Trägerrohrs als auch an der Innenfläche des Targetrohrs vor. Zweckmäßig ist es, dass an mindestens einer Stirnseite des Trägerrohrs und/oder des Targetrohrs Anschlußstücke, Lageraufnahmen oder Flansche angeordnet sind. Desweiteren ist es vorteilhaft, dass mindestens ein Targetrohr an mindestens einem Ende einen vergrößerten Durchmesser aufweist. Das Material des Targetrohrs ist aus Mo, gebildet. Es ist weiterhin zweckmäßig, dass das oder die Targetrohre aus vollen Materialblöcken herausgearbeitet oder durch direktes Gießen von Hohlzylindern, Strangpressen, Fließpressen, Sintern oder heißisostatisches Pressen hergestellt sind.
  • Insbesondere weist die Verbindungsschicht einen Leitkleber oder ein Lotmaterial auf.
  • Auf dem Trägerrohr kann entweder direkt ein Lotmaterial oder mindestens eine Haftvermittler- oder Benetzungsmittelschicht und darauf das Lotmaterial angeordnet sein, wobei das Lotmaterial In, Sn, InSn, SnBi oder andere niedrig schmelzende Lotlegierungen mit einer Liquidustemperatur unterhalb 300°C enthält oder daraus gebildet ist.
  • Auf dem Targetrohr ist direkt ein Lotmaterial angeordnet, wobei das Lotmaterial aus In gebildet ist.
  • Vorteil bei direkter Benetzung ist eine Kostenersparnis gegenüber der Version mit Haftschicht. Das Trägerrohr und/oder das Targetrohr können mit einer Nickel-Basis-Haftschicht, insbesondere aus einer Nickel-Aluminium- oder einer Nickel-Titan-Legierung beschichtet sein. Auch eine Aluminium-Legierungs-Haftschicht führt zu einer guten Benetzbarkeit und Haftung auf dem Basismaterial. Das Trägerrohr ist aus Stahl, oder Titan gebildet.
  • Insbesondere kann das erfindungsgemäße Rohrtarget zur Herstellung von Display-Beschichtungen verwendet werden. Es weist eine hohe Lebensdauer, geringe Kosten, thermisch und elektrisch gut leitende Verbindung zwischen Trägerrohr und Targetmaterial zwecks Kühlung und Aufbau eines stabilen Sputterplasmas auf. Weitere Vorteile sind ein optimaler Einsatz des teuren Targetmaterials nur auf dem später auch abzutragenden Mantelbereich, durch spezielle Führung der Abkühlung beim Bondverfahren eine gerichtete Erstarrung von unten nach oben, die zu einer poren- und lunkerarmen Verbindung führt.
  • Die Oberfläche des Trägerrohres wird zur Entfernung jeglicher Verschmutzungen und Oxid-/Verzunderungsreste sowie zur Einstellung einer Rauhigkeit vorbehandelt. Auf diese Oberfläche wird eine homogene, gut wärmeleitfähige Beschichtung < 1 mm aufgebracht, die das Benetzungsverhalten zum Lot ermöglicht und thermisch verursachte Spannungen zwischen Targetmaterial und Trägerrohr kompensiert. Bevorzugte Schichtmaterialien sind Al, Ni, Cu, Zn und deren Legierungen. In analoger Weise werden die Innenflächen der rohrförmigen Targetsegmente behandelt. In Abhängigkeit von den Materialeigenschaften sind hierauf abgestimmte Verfahren und Werkstoffe zu wählen. Nach Auftrag der Beschichtungen wird sowohl target- wie auch trägerseitig eine weitere auf das zu verwendende Lot abgestimmte Zwischenschicht < 1 mm aufgebracht. Bevorzugte Materialien sind Al, Ni, Zn, In, Sn, Bi und deren Legierungen. Nach Auftrag der Zwischenschicht kann sowohl target- wie auch trägerseitig eine weitere Schmierfilmschicht eines leicht flüchtigen Öles aufgebracht werden. Diese Schicht muss vor dem eigentlichen Lötprozess wieder vollständig entfernt werden.
  • Das in dieser Weise vorbereitete Rohrtarget wird homogen, z. B. in einem Rohrofen unter inerter Spülgasatmosphäre erwärmt und anschließend wird der Lotspalt zwischen Trägerrohr und Targetsegmenten mit auf die Materialien abgestimmtem Lot befüllt. Hierzu sind abhängig von den Materialien sowohl aufsteigende wie auch fallende Befüllungstechniken, ebenso die Befüllung unter Druck zu wählen. Für bestimmte Materialkombinationen ist die Lotbefüllung unter Anwendung von mechanischer Aktivierung vorteilhaft. Nach vollständiger Befüllung mit Lot wird ein definiertes Abkühlprogramm zur Erstarrung des Lotes gefahren.
  • Im Falle weniger hoher Anforderungen an die Wärmeleitfähigkeit des Rohrtargets sowie an die Festigkeit des Rohrtargets werden die Segmente über ein Klebeverfahren auf dem Trägerrohr fixiert. Hierzu dient ein wärmeleitfähiger Klebstoff, der stoffschlüssig den Spalt zwischen Trägerrohr und Targetsegmenten füllt. Im Falle geringer Anforderungen an die Wärmeleitfähigkeit des Rohrtargets und geringer Sputterleistungen können die Rohrsegmente auf dem Trägerrohr unter Umständen auch mittels federartiger Systeme oder mittels Klemmsystemen befestigt.
  • Nachfolgend wird die Erfindung beispielhaft anhand einer Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigt
  • 1: ein Rohrtarget.
  • Auf einem Trägerrohr 1 sind mehrere Targetrohre 2 segmentartig aufgebracht. Im Folgenden wird die Herstellung erläutert.
  • Beispiel 1 (nicht erfindungsgemäß):
  • Ein Stahl-Trägerrohr 1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung in einem Gemisch aus HCl:HNO3 gebeizt. Weiterhin wird die Oberfläche des Trägerrohres 1 mittels eines Bürstprozesses aufgerauht und aktiviert. Anschließend wird auf die Oberfläche des Trägerrohres eine Cu-Schicht als Zwischenschicht mit ca. 0,02 mm Dicke galvanisch aufgebracht. Im Schleudergussverfahren werden 3 Aluminium-Rohrsegmente 2 hergestellt, auf Länge 0,4 m gesägt und außen wie innen überdreht auf ∅i = 135 mm, ∅a = 154 mm. Die Innenoberfläche der Al-Segmente wird ebenfalls galvanisch verkupfert.
  • Die Zwischenschicht des Trägerrohres wird flächendeckend mit einer ca. 0,5 mm dicken Sn-Lotfolie belegt, welche durch lokale Erwärmung mittels eines Gasbrenners angelötet wird. Die Zwischenschicht der Aluminium-Targetrohrsegmente 2 wird flächendeckend mit einer 0,5 mm dicken Indium-Folie ausgelegt, welche durch lokale Erwärmung mittels eines Gasbrenners angelötet wird. Anschließend wird eine dünne Schmierfilmschicht eines leicht verdunstbaren Öles auf beide zuletzt aufgebrachten Schichten aufgebracht. Anschließend werden die rohrförmigen Targetsegmente 2 auf das Trägerrohr 1 mittels Zentrier- und Distanzhhilfen aufgeschoben. Die Schmierfilmschicht wird ausgespült. Zur homogenen Erwärmung auf Löttemperatur wird das vorbereitete Rohrtarget homogen in einem Rohrofen auf 200°C erwärmt. Hierbei werden gleichzeitig letzte Reste der Schmierfilmschicht ausgeheizt. Zur Vermeidung von Oxidations-/Anlaufeffekten wird während des Erwärmens mit Schutzgas gespült. Nach Erreichen der Löttemperatur wird das Rohrtarget aus dem Rohrofen entnommen, aufgerichtet und in einer Vertikallötvorrichtung montiert. Hierbei werden alle Spalte mit Schnellverschlussdichtspangen abgedichtet. Während dieser Vorbereitungen wird das Rohrtarget mit thermisch isolierendem Material bedeckt und über eine Innenheizung auf 170°C gehalten. Zusätzlich wird die Inertgasspülung aufrecht erhalten. Als Lot werden ca. 1,5 kg Indium geschmolzen, auf 250°C gebracht und in den Lotspalt eingefüllt. Zur Erzielung einer 100%igen Füllung des Lotspaltes wird während des Loteingusses eine mechanische Anregung an das vertikal stehende Rohrtarget angekoppelt. Sobald das Lot vollständig eingefüllt ist, werden alle Heiz- und Isoliermaßnahmen am Rohr eingestellt und über vier Viellochlanzen in der Vertikallötvorrichtung mittels Pressluft der Abkühlprozess in Gang gesetzt. Die Abkühlrate wird über Gasventile gesteuert. Nach Abkühlung des Rohrtargets auf Raumtemperatur kann das Rohrtarget aus der Vertikallöteinrichtung ausgebaut und von Lotresten versäubert werden.
  • Beispiel 2:
  • Ein Stahl-Trägerrohr 1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung in einem Gemisch aus HCl:HNO3 gebeizt.
  • Weiterhin wird die Oberfläche des Trägerrohres 1 mittels eines Sandstrahlprozesses aufgeraut und aktiviert. Anschließend wird auf die Oberfläche des Trägerrohres 1 eine Ni-Schicht als Zwischenschicht mit ca. 0,2 mm Dicke über thermische Spritztechnik aufgebracht. Es wird ein Mo-Rohr der Länge 1,4 m mit ∅i = 135 mm, ∅a = 154 mm auf pulvermetallurgischem Weg hergestellt. Die Innenoberfläche des Mo-Rohres wird von Verzunderungsresten freigebürstet und stromlos vernickelt. Es werden keine weiteren Schichten aufgebracht. Die weitere Verfahrensweise des Lötprozesses entspricht Beispiel 1.
  • Beispiel 3 (nicht erfindungsgemäß):
  • Ein Stahl-Trägerrohr 1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung mittels eines Bürstprozesses aufgeraut und anschließend mit einer galvanischen Cu-Schicht überzogen. Es werden zwei Cr-Rohrsegmente der Länge 0,7 m mit ∅i = 135 mm, ∅a = 154 mm auf pulvermetallurgischem Weg hergestellt. Beide Cr-Segmente werden mittels eines wärmeleitfähigen und elektrisch leitfähigen Klebers nach Erwärmung auf 80°C zur Kleberverflüssigung auf das Trägerrohr 1 aufgeklebt. Um einen hohen Benetzungsgrad zwischen Kleber und Targetrohr 2 bzw. Trägerrohr 1 zu erreichen, wird das wie oben beschrieben vorbereitete Target bei ca. 80°C ca. 1 h gehalten.
  • Beispiel 4 (nicht erfindungsgemäß):
  • Ein Stahl-Trägerrohr 1 der Länge 1,5 m mit Außendurchmesser ∅a = 133 mm, Innendurchmesser ∅i = 125 mm wird zur Vorbereitung in einem Gemisch aus HCl:HNO3 gebeizt. Das zu befestigende Targetmaterial besteht aus einem Al-Rohr der Länge 1,4 m mit ∅i = 135 mm, ∅a = 155 mm. Die Innenoberfläche wird mittels geeigneter Oberflächenbehandlung gereinigt und aufgeraut. Es werden keine weiteren Schichten aufgebracht. Die weitere Verfahrensweise des Lötprozesses entspricht Beispiel 1.

Claims (6)

  1. Rohrtarget mit einem zylindrischen Trägerrohr und mindestens einem auf dessen Mantelfläche angeordneten Targetrohr, wobei zwischen Targetrohr und Trägerrohr eine Verbindungsschicht angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschicht elektrisch leitfähig ist und einen Benetzungsgrad von > 90% aufweist, dass dieser Benetzungsgrad sowohl an der Mantelfläche des Trägerrohrs als auch an der Innenfläche des Targetrohrs vorliegt, dass das Trägerrohr aus Stahl oder Titan gebildet ist, dass die Verbindungsschicht ein aus In gebildetes Lotmaterial aufweist, das auf dem Targetrohr direkt angeordnet ist, dass das Material des Targetrohrs aus Mo gebildet ist und, dass optional das Trägerrohr mit einer Nickel-Basis-Haftschicht beschichtet ist.
  2. Rohrtarget nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Benetzungsgrad > 95% beträgt.
  3. Rohrtarget nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass an mindestens einer Stirnseite des Trägerrohrs und/oder des Targetrohrs Anschlussstücke, Lageraufnahmen oder Flansche angeordnet sind.
  4. Rohrtarget nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Targetrohr an mindestens einem Ende einen vergrößerten Durchmesser aufweist.
  5. Rohrtarget nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das oder die Targetrohre aus kompakten Materialblöcken herausgearbeitet oder durch direktes Gießen von Hohlzylindern, Strangpressen, Fließpressen, Sintern oder heißisostatisches Pressen hergestellt sind.
  6. Verwendung eines Rohrtargets nach einem der Ansprüche 1 bis 5 zur Herstellung von Display-Beschichtungen.
DE102004060423.1A 2004-12-14 2004-12-14 Rohrtarget und dessen Verwendung Revoked DE102004060423B4 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004060423.1A DE102004060423B4 (de) 2004-12-14 2004-12-14 Rohrtarget und dessen Verwendung
PCT/EP2005/013084 WO2006063721A1 (de) 2004-12-14 2005-12-07 Rohrtarget mit zwischen targetrohr und trägerrohr angeordneter verbindungsschicht
US11/721,677 US20090250337A1 (en) 2004-12-14 2005-12-07 Tubular target having a connecting layer arranged between the target tube and the carrier tube
KR1020077014141A KR20070086523A (ko) 2004-12-14 2005-12-07 관형 타겟과 관형 지지부 사이에 위치하는 연결 층을포함하는 관형 타겟
EP05819256A EP1851356A1 (de) 2004-12-14 2005-12-07 Rohrtarget mit zwischen targetrohr und trägerrohr angeordneter verbindungsschicht
CNA2005800429247A CN101080508A (zh) 2004-12-14 2005-12-07 具有设置在靶管与承载管之间的连接层的管状靶
JP2007545898A JP2008523251A (ja) 2004-12-14 2005-12-07 ターゲット管と支持管との間に配置された結合層を備える管状ターゲット
TW094144186A TWI404813B (zh) 2004-12-14 2005-12-14 管靶材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004060423.1A DE102004060423B4 (de) 2004-12-14 2004-12-14 Rohrtarget und dessen Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004060423A1 DE102004060423A1 (de) 2006-06-29
DE102004060423B4 true DE102004060423B4 (de) 2016-10-27

Family

ID=36011023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004060423.1A Revoked DE102004060423B4 (de) 2004-12-14 2004-12-14 Rohrtarget und dessen Verwendung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20090250337A1 (de)
EP (1) EP1851356A1 (de)
JP (1) JP2008523251A (de)
KR (1) KR20070086523A (de)
CN (1) CN101080508A (de)
DE (1) DE102004060423B4 (de)
TW (1) TWI404813B (de)
WO (1) WO2006063721A1 (de)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7922066B2 (en) * 2005-09-21 2011-04-12 Soleras, LTd. Method of manufacturing a rotary sputtering target using a mold
TWI317763B (en) * 2005-10-03 2009-12-01 Thermal Conductive Bonding Inc Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing
DE102006009749A1 (de) * 2006-03-02 2007-09-06 FNE Forschungsinstitut für Nichteisen-Metalle Freiberg GmbH Targetanordnung
JP5103911B2 (ja) * 2007-01-29 2012-12-19 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5387118B2 (ja) * 2008-06-10 2014-01-15 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
DE102008046443A1 (de) 2008-09-09 2010-03-11 W.C. Heraeus Gmbh Sputtertarget mit Verbindungsschicht
JP5482020B2 (ja) 2008-09-25 2014-04-23 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
KR101647636B1 (ko) * 2009-01-30 2016-08-11 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 튜브 타겟
JP5679315B2 (ja) * 2010-03-31 2015-03-04 日立金属株式会社 円筒型Mo合金ターゲットの製造方法
EP2709138B1 (de) * 2010-05-11 2016-11-30 Applied Materials, Inc. Kammer zur physikalischen Dampfabscheidung
TWI544099B (zh) 2010-05-21 2016-08-01 烏明克公司 濺鍍標靶對支撐材料的非連續性接合
US9334563B2 (en) 2010-07-12 2016-05-10 Materion Corporation Direct cooled rotary sputtering target
JP5576562B2 (ja) 2010-07-12 2014-08-20 マテリオン アドバンスト マテリアルズ テクノロジーズ アンド サービシーズ インコーポレイティド 回転式ターゲット裏当て管結合用組立
JP4948634B2 (ja) 2010-09-01 2012-06-06 Jx日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
KR101341705B1 (ko) * 2010-11-24 2013-12-16 플란제 에스이 스퍼터링용 로터리 타겟의 접합방법
JP5672536B2 (ja) * 2010-12-21 2015-02-18 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5140169B2 (ja) 2011-03-01 2013-02-06 Jx日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
CN103620082B (zh) * 2011-04-29 2016-12-07 普莱克斯 S.T.技术有限公司 形成圆柱形溅射靶组件的方法
EP2723915A1 (de) 2011-06-27 2014-04-30 Soleras Ltd. Sputter-target
US9015337B2 (en) 2011-07-13 2015-04-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems, methods, and apparatus for stream client emulators
JP2011252237A (ja) * 2011-09-16 2011-12-15 Tosoh Corp 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
JP5026611B1 (ja) 2011-09-21 2012-09-12 Jx日鉱日石金属株式会社 積層構造体及びその製造方法
DE102011055314B4 (de) * 2011-11-14 2017-03-16 Sindlhauser Materials Gmbh Sputtertargetanordnung und Bond-Verfahren zu deren Herstellung
JP5074628B1 (ja) 2012-01-05 2012-11-14 Jx日鉱日石金属株式会社 インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2013181221A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Ulvac Japan Ltd ターゲットアセンブリ及びターゲットユニット
WO2014030362A1 (ja) 2012-08-22 2014-02-27 Jx日鉱日石金属株式会社 インジウム製円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法
US20140110245A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Primestar Solar, Inc. Non-bonded rotatable targets and their methods of sputtering
JP5855319B2 (ja) 2013-07-08 2016-02-09 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、それの製造方法
JP2015036431A (ja) * 2013-08-12 2015-02-23 住友金属鉱山株式会社 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法。
JP5799154B2 (ja) * 2013-12-13 2015-10-21 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6233224B2 (ja) * 2014-07-17 2017-11-22 住友金属鉱山株式会社 接合材シート及び円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
JP5947413B1 (ja) * 2015-02-13 2016-07-06 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI704245B (zh) * 2015-02-13 2020-09-11 日商Jx金屬股份有限公司 濺射靶件及其製造方法
US10822690B2 (en) * 2015-03-18 2020-11-03 Umicore Lithium-containing transition metal oxide target
JP5909006B1 (ja) * 2015-03-23 2016-04-26 Jx金属株式会社 円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN105755445B (zh) * 2015-12-10 2019-07-05 金鸿医材科技股份有限公司 一种具有复合靶材的卷对卷溅镀制程与其制成品
CN105624627B (zh) * 2016-03-14 2018-08-31 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 绑定式磁控溅射旋转靶材及其制备方法
CN110218983A (zh) * 2019-06-25 2019-09-10 杨晔 磁控溅射旋转靶材的绑定方法
CN110129759B (zh) * 2019-06-27 2020-12-25 江阴恩特莱特镀膜科技有限公司 一种用于Low-E玻璃的硅铝锆靶材及其制备方法
CN113463043B (zh) * 2021-06-09 2023-05-26 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种旋转靶材的制备方法
CN113523239A (zh) * 2021-06-29 2021-10-22 芜湖映日科技股份有限公司 一种使用铟锡混合材料的靶材绑定工艺
CN115233169B (zh) * 2022-06-22 2023-09-05 苏州六九新材料科技有限公司 一种铝基管状靶材及其制备方法
CN115533359A (zh) * 2022-09-07 2022-12-30 有研稀土新材料股份有限公司 一种稀土旋转靶材及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0273971A (ja) * 1988-09-08 1990-03-13 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲット
DE10253319B3 (de) * 2002-11-14 2004-05-27 W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets aus einer Si-Basislegierung, sowie die Verwendung des Sputtertargets

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3634208B2 (ja) * 1999-09-21 2005-03-30 真空冶金株式会社 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット
US6582572B2 (en) * 2000-06-01 2003-06-24 Seagate Technology Llc Target fabrication method for cylindrical cathodes
US6409897B1 (en) * 2000-09-20 2002-06-25 Poco Graphite, Inc. Rotatable sputter target
AT4240U1 (de) * 2000-11-20 2001-04-25 Plansee Ag Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle
DE10063383C1 (de) * 2000-12-19 2002-03-14 Heraeus Gmbh W C Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets und Verwendung
US20050279630A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Dynamic Machine Works, Inc. Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0273971A (ja) * 1988-09-08 1990-03-13 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲット
DE10253319B3 (de) * 2002-11-14 2004-05-27 W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets aus einer Si-Basislegierung, sowie die Verwendung des Sputtertargets

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006063721A1 (de) 2006-06-22
EP1851356A1 (de) 2007-11-07
CN101080508A (zh) 2007-11-28
US20090250337A1 (en) 2009-10-08
JP2008523251A (ja) 2008-07-03
TW200632121A (en) 2006-09-16
TWI404813B (zh) 2013-08-11
KR20070086523A (ko) 2007-08-27
DE102004060423A1 (de) 2006-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004060423B4 (de) Rohrtarget und dessen Verwendung
DE69203743T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Zerstäubungstargets.
DE112006003537B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargetaufbaus
KR101184173B1 (ko) 브레이징용 알루미늄 합금 스트립
EP1216772B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Rohrtargets
EP0839081B1 (de) Legierung, insbesondere lotlegierung, verfahren zum verbinden von werkstücken durch löten mittels einer lotlegierung sowie verwendung einer legierung zum löten
DE60033156T2 (de) Glasscheibe und verfahren zu dessen herstellung
EP0024355B1 (de) Verfahren zum Befestigen von in Scheiben- oder Plattenform vorliegenden Targetmaterialien auf Kühlteller für Aufstäubanlagen
EP1250467B1 (de) Lotlegierung
AT3175U1 (de) Verfahren zur herstellung eines thermisch hoch belastbaren verbundbauteiles
DE3538390A1 (de) Beschichtung fuer ein substrat und verfahren zu dessen herstellung
EP0669902B1 (de) Thermisch hoch belastbares bauteil
DE19935164C2 (de) Verfahren zur gleichzeitigen Reinigung und Flußmittelbehandlung von Aluminium-Motorblock-Zylinderbohrungsoberflächen zur Befestigung von thermisch gespritzten Überzügen
EP0663670B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kühleinrichtung
EP0508295B1 (de) Metall-Keramik-Verbindung
EP1663568A1 (de) Lötwerkstück, lötverfahren und wärmetauscher
DE3933215C1 (de)
DE2813166C3 (de) Verfahren zum Hartlöten von einem schnelloxydierenden Metall mit einem anderen Metall
DE10324952A1 (de) Zusatzwerkstoffsystem nach Art eines Fülldrahtes
WO2003097287A1 (de) Verfahren zum zusammenfügen eines fügeteils mit einem gegenstück mit einer silber- und kupferanteile enthaltenden legierung
DE4229306C2 (de) Verfahren zum Verbinden von zwei Bauteilen
DD207508A5 (de) Verfahren zum hartloeten von kupfer an kupfer oder an stahllegierungen
CH383733A (de) Verfahren zum Anlöten eines Diamanten an eine Metallfassung
DE2244267C3 (de) Gasundurchlässiger Kohlekörper und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10042246C1 (de) Verfahren zum Erzeugen punkt- oder linienförmiger Überlappverbindungen an Aluminiumfeinblechen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R082 Change of representative

Representative=s name: HANS-CHRISTIAN KUEHN, DE

Representative=s name: HANS-CHRISTIAN KUEHN, 63450 HANAU, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE

Effective date: 20111219

Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE

Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE

Effective date: 20111219

Owner name: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, DE

Free format text: FORMER OWNER: W.C. HERAEUS GMBH, 63450 HANAU, DE

Effective date: 20111219

R082 Change of representative

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB, DE

Effective date: 20111219

Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE

Effective date: 20111219

Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20111219

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20111219

R082 Change of representative

Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE

Effective date: 20150223

Owner name: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, DE

Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE

Effective date: 20150223

R082 Change of representative

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB, DE

Effective date: 20150223

Representative=s name: KUEHN, HANS-CHRISTIAN, DE

Effective date: 20150223

Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20150223

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE

Effective date: 20150223

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG, 63450 HANAU, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB, DE

Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE

R026 Opposition filed against patent
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: MATERION ADVANCED MATERIALS GERMANY GMBH, 63450 HANAU, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: KADOR & PARTNER PART MBB PATENTANWAELTE, DE

Representative=s name: KADOR & PARTNER PARTG MBB PATENTANWAELTE, DE

R037 Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final