JP5026611B1 - 積層構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、インジウムターゲットのインジウム−錫ロウ材側表面から2.5〜3.0mmの厚み範囲における錫濃度が、5wtppm以下である積層構造体。
【選択図】なし
Description
このような知見に基づき、本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討したところ、インジウムターゲットとバッキングプレートとをインジウム−錫ロウ材でボンディングした後、それらを所定の冷却速度で冷却することで、錫のインジウムターゲット内への拡散を良好に抑制することができることを見出した。
本発明に係る積層構造体は、このような構成により、スパッタ可能な領域の割合が多く、利用効率が良好である。インジウムターゲットのインジウム錫ロウ材側表面から2.5〜3.0mmの厚みにおける錫濃度は1wtppm以下であることがより好ましい。また、インジウムターゲットの錫拡散厚みは、インジウム−錫ロウ材側表面から2.0mm以下であることがより好ましい。
まず、溶解鋳造法等でインジウムインゴットを作製する。続いて、このインジウムインゴットを所定の形状に加工してインジウムターゲットを作製する。この際、使用する原料インジウムは、作製する太陽電池の変換効率を高くするために、より高い純度を有していることが望ましく、例えば、純度99.99質量%(4N)以上のインジウムを使用することが望ましい。
次に、所定の材料及び形状のバッキングプレートを用意して、インジウムターゲットを120〜140℃に加熱しておき、さらにバッキングプレートを加熱しておく。十分に定常状態となった後、まずバッキングプレート上にインジウム−錫ロウ材を溶解させて、スクレーパー等を用いて十分に塗り広げる。インジウムターゲットも同様にインジウム−錫ロウ材を塗り、直ちにボンディングを行う。
次に、ボンディングされたバッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットを2.5℃/分以上の冷却速度で冷却することで、積層構造体を作製する。
このような構成により、インジウムターゲットへの錫の拡散の抑制が可能となる。これは、物質の拡散が温度、時間の影響を受けるためである。
インジウムターゲットの温度は125〜135℃とすることがより好ましい。
冷却速度は4℃/分以上とすることがより好ましい。冷却速度はインジウムターゲットの温度(T℃)と、錫の固層拡散が十分に抑制されると考えられる40℃との差(T−40〔℃〕)を、冷却に要した時間(分)で除して求める。
また、上記ボンディング工程において、インジウムターゲットとボンディングするバッキングプレートをインジウムターゲットより8〜20℃高く設定しておくことが好ましい。ボンディング時にたびたび発生するロウ材のイレギュラーな凝固を抑制し、仮にそのような自体が発生した場合にも直ちに最溶解、回復され、良好なボンディングが可能となり、ターゲットとバッキングプレートとの接着率を90%以上とすることができる。バッキングプレートの温度はインジウムターゲットより10〜15℃高い温度に加熱するのがより好ましい。また、このような温度差の設定を上記ボンディング法と組み合わせることで高い接着率と錫拡散の低減の両立が可能となる。
ボンディングで使用するインジウム−錫ロウ材の錫濃度は10〜60at%であることが好ましい。このような構成により、低融点であるインジウムターゲットとロウ材の温度差を実用上十分に設けることができ、良好なボンディングが可能となる。錫濃度は温度差をより大きくするため20〜55at%が好ましい。
まず、純度4Nのインジウムを原料として使用し、このインジウム原料を160℃で溶解させ、この溶体を周囲が直径205mm、高さ7mmの円柱状の鋳型に流し込み、自然冷却により、凝固して得られたインジウムインゴットを直径204mm、厚さ6mmの円板状に加工して、スパッタリングターゲットとした。
次に、直径250mm、厚さ5mmの銅製のバッキングプレートを準備した。
次に、バッキングプレートを表1に記載の温度Aに加熱し、インジウムターゲットを表1記載の温度Bで加熱した状態で、表1に記載の錫濃度のインジウム−錫ロウ材をバッキングプレート、インジウムターゲットの順に塗り広げ、ただちにバッキングプレートとインジウムターゲットとをボンディングし、次に表1に記載の冷却速度で冷却することにより積層構造体を作製した。
実施例及び比較例で得られた積層構造体のインジウムターゲットについて、インジウム−錫ロウ材側表面から厚み方向へかけて、厚みごとにマシニングにより切削、回収し、錫濃度をそれぞれICP分析法で測定した。
また、これら実施例及び比較例で得られた積層構造体のインジウムターゲットとバッキングプレートとの接合状態(接着率)を電子走査式超音波探傷器で測定した。具体的には、ターゲットを当該装置の探傷器水槽内にセットして、周波数帯域1.5〜20MHz、パルス繰返し周波数5kHz、スキャンスピード60mm/minで測定し、得られた像イメージから、接着領域が全体領域に占める割合を算出し、接着率として表した。
各測定条件及び測定結果を表1に示す。
比較例1〜5は、いずれもボンディングされたバッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットを冷却する速度が2.5℃/分未満であったため、インジウム−錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が大きかった。
比較例6及び7は、ボンディング工程におけるインジウムターゲットの温度が120〜140℃の範囲外であったため、インジウム−錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が大きかった。
Claims (8)
- バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、
前記インジウムターゲットの前記インジウム−錫ロウ材側表面から2.5〜3.0mmの厚み範囲における錫濃度が、5wtppm以下である積層構造体。 - 前記インジウムターゲットの前記インジウム−錫ロウ材側表面から2.0〜2.5mmの厚み範囲における錫濃度が、100wtppm以下である請求項1に記載の積層構造体。
- 前記インジウムターゲットの前記インジウム−錫ロウ材側表面から2.0〜2.5mmの厚み範囲における錫濃度が、80wtppm以下である請求項2に記載の積層構造体。
- 前記インジウムターゲットの前記インジウム−錫ロウ材側表面から1.5〜2.0mmの厚み範囲における錫濃度が、200wtppm以下である請求項1〜3のいずれかに記載の積層構造体。
- 前記インジウムターゲットの前記インジウム−錫ロウ材側表面から1.5〜2.0mmの厚み範囲における錫濃度が、160wtppm以下である請求項4に記載の積層構造体。
- バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層された積層構造体の製造方法であって、
温度が120〜140℃のインジウムターゲットと、バッキングプレートとをインジウム−錫ロウ材を用いてボンディングする工程と、
前記ボンディングされたバッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットを2.5℃/分以上の冷却速度で冷却する工程と、
を備えた積層構造体の製造方法。 - 前記ボンディング工程で、前記インジウムターゲットと、前記インジウムターゲットより温度が8〜20℃高いバッキングプレートとをインジウム−錫ロウ材を用いてボンディングする請求項6に記載の積層構造体の製造方法。
- 前記ボンディングで使用するインジウム−錫ロウ材の錫濃度が10〜60at%である請求項6又は7に記載の積層構造体の製造方法。
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