JP2012180555A - インジウムターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ターゲットの断面方向から観察した結晶粒のアスペクト比(長手方向の長さ/短手方向の長さ)が2.0以下であるインジウムターゲット。
【選択図】図3
Description
縦250mm、横160mm、深さ80mm(内寸)のSUS製の鋳型に180℃で溶解させたインジウム原料(純度4N)を鋳型の深さ39mmまで流し込んだ後、鋳型を周りから水冷し、インゴットを作製した。続いて、厚さ39mmから3mmずつ圧延し、厚さ6mmのタイルを作製した。このタイルを直径205mmの円盤状に切断し、直径250mm、厚さ5mmの銅製のバッキングプレートにボンディングし、旋盤により直径204mm×厚み6mmの円盤状に加工し、インジウムターゲットを作製した。
冷媒を用いず、鋳型のインジウム原料を放冷した以外は、実施例1と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
厚み18mmのインゴットを作製し、3mmずつ圧延して厚さ6mmのタイルを作製した以外は、実施例1と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
厚み60mmのインゴットを作製し、3mmずつ圧延して厚さ6mmのタイルを作製した以外は、実施例1と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
厚み20mmのインゴットを作製し、3mmずつ圧延して厚さ6mmのタイルを作製した以外は、実施例1と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
冷媒を用いず、鋳型のインジウム原料を放冷し、厚み8.2mmのインゴットを作製し、圧下率10%で圧延して厚さ6mmのタイルを作製した以外は、実施例1と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
冷媒を用いず、鋳型のインジウム原料を放冷し、厚み17.5mmのインゴットを作製し、圧下率30%で圧延して厚さ6mmのタイルを作製した以外は、実施例1と同様の条件でインジウムターゲットを作製した。
直径250mm、厚さ5mmの銅製のバッキングプレート上に鋳型を作製し、180℃で溶解させたインジウム原料(純度4N)を鋳型の深さ39mmまで流し込んだ後、鋳型を周りから水冷して、直径204mm×厚み6mmの円盤状のインジウムターゲットを作製した。
インジウム原料を流し込んだ鋳型を周りから冷風により冷却した以外は、比較例1と同様にしてインジウムターゲットを作製した。
インジウム原料を流し込んだ鋳型を30℃の室温で放冷した以外は、比較例1と同様にしてインジウムターゲットを作製した。
インジウム原料を流し込んだ鋳型を15℃の室温で放冷した以外は、比較例1と同様にしてインジウムターゲットを作製した。
〔結晶粒のアスペクト比〕
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットを150〜156℃まで加温し、溶融する直前でターゲットの観察断面を出したい箇所の両脇を持ち、ターゲットを折る、もしくは曲げるようにしてターゲットを割り、断面を露出させた。ここで、溶融する直前とは、該ターゲットの破面となる箇所の温度が156℃となった瞬間を指す。156℃に達したインジウムは粒界に沿って非常に割れやすくなっているため、前述したような折る、曲げるという力の入れ方の他に、叩く、引っ張る、押すといった力の加え方をしてもよい。また、ターゲットは手で持って前述した力を加えてもよいし、ペンチ等の道具によりターゲットを掴んで前述した力を加えてもよい。この断面の結晶組織をデジタルカメラにより撮影し、その画像から、結晶粒のアスペクト比を評価した。
なお、インジウムターゲットの上記断面の結晶組織は、従来の観察方法では正確には観察できないものであった。すなわち、従来の観察方法である切断により断面を露出させる方法では、切断面そのままでは表面がなめてしまっているため、結晶粒界を観察できず、さらにエッチングを行って結晶粒界を露出させることになる。このような方法では、切断した段階で、断面に歪が発生し且つ再結晶化してしまい、本来の結晶粒界を観察することはできない。また、断面の露出には、液体窒素冷却後の破壊による露出もあるが、本発明におけるインジウムターゲットは液体窒素冷却を行っても破壊できないため、このような方法を採用することができない。これに対し、本発明では、インジウムターゲットの断面の結晶組織を上述のような方法で観察するため、本来の結晶粒界を正確に観察することができる。
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットの厚さ方向における断面の平均結晶粒径の測定法を以下に示す。当該断面をデジタルカメラにより撮影し、その画像の断面の任意の領域内(長方形、面積をSmm2とする)に存在する結晶粒の個数(N)を数えた。ただし、領域の境界に跨って存在する結晶粒は0.5個とし、四角に存在する結晶粒は0.25個とした。測定対象領域の面積(S)をNで割ることによって、結晶粒の平均面積(s)を算出した。結晶粒を球と仮定して、平均結晶粒径(A)を以下の式で算出した。
A=2(s/π)1/2
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットの不純物濃度(バッキングプレート由来の銅濃度)をICP発光分析法(Seiko Instrument Inc.製、SPS3000 ICP発光分光分析装置)よって評価した。
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットについて、スパッタ開始(スパッタ初期)からの成膜レートおよび放電電圧の経時変化を観察した。具体的には、下記条件で連続スパッタし、4kWhごとにスパッタリング装置付属の電圧計にて放電電圧を測定し、続いて基板を入れ替え3分間成膜し、膜厚を測定した。なお、膜厚の測定にはアルバック社製Dektak8を使用した。下記スパッタ条件中に記載の「投入スパッタパワー密度」とは、スパッタ時の印加パワーをターゲットのスパッタ面の面積で割った値である。
スパッタリング条件は次の通りである。
・スパッタリング装置: キャノンアネルバ社製、SPF−313H
・ターゲットサイズ: φ8インチ×5mmt
・スパッタガス: Ar
・スパッタガス圧: 0.5Pa
・スパッタガス流量: 50SCCM
・スパッタリング温度: R.T.(無加熱)
・投入スパッタパワー密度: 2.0W/cm2
・基板: コーニング社製イーグル2000、φ4インチ×0.7mmt
各測定条件及び結果を表1及び2に示す。また、表2における成膜レート及び放電電圧の評価結果のグラフを図5及び6にそれぞれ示す。
比較例1〜4は、いずれも、結晶粒のアスペクト比が2.0超であり、成膜レートが小さく且つ初期放電電圧が大きく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が不安定であった。
Claims (8)
- ターゲットの断面方向から観察した結晶粒のアスペクト比(長手方向の長さ/短手方向の長さ)が2.0以下であるインジウムターゲット。
- 平均結晶粒径が1〜20mmである請求項1に記載のインジウムターゲット。
- パワー密度:2.0W/cm2、ガス圧:0.5Pa、及び、使用ガス:Ar100%のスパッタ条件において、4000Å/min以上の成膜レートを有する請求項1又は2に記載のインジウムターゲット。
- パワー密度:2.0W/cm2、ガス圧:0.5Pa、及び、使用ガス:Ar100%のスパッタ条件において、スパッタ開始から終了までの積算電力1kWhあたりの成膜レートの変化率が0.5%以内である請求項1〜3のいずれかに記載のインジウムターゲット。
- パワー密度:2.0W/cm2、ガス圧:0.5Pa、及び、使用ガス:Ar100%のスパッタ条件において、初期放電電圧が350V以下である請求項1〜4のいずれかに記載のインジウムターゲット。
- パワー密度:2.0W/cm2、ガス圧:0.5Pa、及び、使用ガス:Ar100%のスパッタ条件において、スパッタ開始から終了までの積算電力1kWhあたりの放電電圧の変化率が0.2%以内である請求項1〜5のいずれかに記載のインジウムターゲット。
- Cu、Ni及びFeからなる群から選択された1種又は2種以上の濃度が合計で100wtppm以下である請求項1〜6のいずれかに記載のインジウムターゲット。
- 溶解したインジウム原料を鋳型に流し込んで冷却することでインジウムインゴットを作製する工程と、
前記インジウムインゴットを圧延してインジウムタイルを作製する工程と、
前記インジウムタイルをボンディングする工程と、
を含んだインジウムターゲットの製造方法。
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