CN112654730A - 用于装饰元件的膜的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种用于装饰元件的膜的制造方法，该方法包括以下步骤：在膜的一个表面上沉积两个以上的岛；以及通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部。

Description

用于装饰元件的膜的制造方法
技术领域
本申请要求2018年8月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0103951号和2018年8月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0103960号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及一种用于装饰元件的膜的制造方法。
背景技术
为了提高产品的价值，在外观设计(颜色、形状等)中需要反映各种客户意见，并增强产品的原始功能。对于诸如化妆品铭牌或移动电话外壳的各种产品，通过附接能够获得各种颜色和纹理的装饰膜来装饰外观。装饰膜的设计要素(颜色、色感、纹理等)由图案层、颜色层、反射层、彩色膜以及印刷层的颜色控制。除了这种方法之外，还可以通过将颜色层图案化来控制装饰膜的设计特性。
在一般的图案化工艺中，使用掩模来分配在曝光工艺期间曝光的光致抗蚀剂/膜的区域，并且通过随后的蚀刻工艺，光致抗蚀剂/膜被图案化。图案的尺寸、形状等最终由掩模的尺寸和形状确定。作为非传统的图案化工艺，有时使用以下方法：薄沉积金属薄膜，并且在通过热处理将金属薄膜转变为岛形状之后，使用金属薄膜作为掩模。这是利用薄膜的不稳定性和热处理工艺将薄膜转变成稳定的岛形状，并且，由于需要额外的热处理工艺，因此具有以下缺点：该方法难以在易受热影响的塑料基板上使用。
发明内容
技术问题
本公开涉及一种用于装饰元件的膜的制造方法。
技术方案
本公开的一个实施例提供了一种用于装饰元件的膜的制造方法，该方法包括：将两个以上的岛沉积在膜的一个表面上；以及通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部。
有益效果
根据本公开的用于装饰元件的膜的制造方法，可以在不进行单独的热处理工艺的情况下形成岛掩模。
另外，根据本公开的用于装饰元件的膜的制造方法，可以容易地蚀刻膜而无需使用岛作为掩模的单独的掩模。
另外，根据本公开的用于装饰元件的膜的制造方法，可以在不会由于热处理而损坏膜或基板的情况下蚀刻膜。
另外，根据本公开的用于装饰元件的膜的制造方法，可以通过容易地蚀刻低阻抗膜或光吸收层来制造高阻抗的装饰元件。
附图说明
图1和图26是分别示出本公开的用于装饰元件的膜的制造方法的图。
图2至图4示出了膜对蚀刻气体的反应性的测试。
图5至图7示出了示例1至3的蚀刻工艺之前和之后的膜的表面。
图8至图15是示出参考例的沉积的铟岛掩模形状的图。
图12和图13是示出示例4的沉积铟岛掩模形状的图。
图11是表示PMMA对蚀刻气体的反应性的测试结果的图。
图12和图13是示出示例5的蚀刻工艺之前和之后的膜的表面的图。
图14和图15是示出参考例3的蚀刻工艺之前和之后的膜的表面的图。
图16至图25示出了每个示例和比较例中制造的装饰元件的光反射层侧的SEM图像。
图27至图33分别示出了本公开的装饰元件的层叠结构。
图34至图51分别示出了可以被包括在本公开的用于装饰元件的膜中的图案层的形状。
具体实施方式
在本说明书中，除非另外定义，否则“或”表示选择性地或全部包括所列内容的情况，即，为“和/或”的含义。
在本说明书中，“层”表示覆盖存在有相应层的区域的70％以上。优选地，其表示覆盖75％以上，更优选地，覆盖80％以上。
在本说明书中，特定层的“厚度”表示从相应层的下表面到上表面的最短距离。
在本说明书中，空间相对术语“一个表面”和“另一表面”可用于容易地描述如附图中所示的一个组成与其他组成之间的相关性。空间相对术语应被理解为除了附图所示的方向之外还包括当使用或操作时所述组成的不同方向的术语。例如，当翻转附图中所示的组成时，可以将被描述为另一组成的“一个表面”的组成放置在另一组成的“另一表面”上。因此，示例性术语“一个表面”可以包括上下两个方向。组成也可以被定向在其他方向上，因此，空间相对术语可以根据定向来解释。
本公开的一个实施例提供了一种用于装饰元件的膜的制造方法，该方法包括：将两个以上的岛沉积在膜的一个表面上；以及通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部。
图1示出了用于装饰元件的膜的制造方法。
根据图1(A)，本说明书的用于装饰元件的膜的制造方法包括：(a)将两个以上的岛沉积在膜上；以及(b)通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部。
根据图1(B)，膜可以在另一表面上包括单独的基板。
通过对膜进行干蚀刻来形成图案部的步骤是通过对膜进行蚀刻而在膜上形成图案部的步骤。膜的蚀刻部分可以被称为凹部，并且膜的未被蚀刻的部分可以被称为凸部。
当蚀刻膜时，岛用作掩模，从而仅蚀刻膜的一部分。在此，通过调节岛的尺寸或分布，可以控制膜的蚀刻程度。具体地，岛的宽度、高度、水平截面或垂直截面可以如下调整。
岛的宽度为10nm至1000nm，高度为5nm至1000nm；优选地，宽度为20nm至800nm，高度为10nm至600nm；并且更优选地，宽度为50nm至600nm，高度为10nm至200nm。
岛的水平截面可以为800,000nm2以下，大于或等于80nm2且小于或等于800,000nm2，优选地，大于或等于300nm2且小于或等于500,000nm2，并且更优选地，大于或等于1000nm2且小于或等于300,000nm2。“水平截面”可以表示通过在与膜的表面方向水平的方向上切割岛而获得的截面的面积。
岛的垂直截面可以为800,000nm2以下，大于或等于100nm2且小于或等于800,000nm2，优选地，大于或等于200nm2且小于或等于600,000nm2，并且更优选地，大于或等于300nm2且小于或等于300,000nm2。“垂直截面”可以表示通过在与膜的表面方向垂直的方向上切割岛而获得的截面的面积。
当岛的水平截面或垂直截面满足上述的数值范围时，可以容易地控制掩模岛的形状和分布，并且有效果的是，要蚀刻膜的蚀刻水平是可控的。另外，当满足上述的数值范围时，岛以分离的岛形状而不是以岛彼此连接的膜形状被沉积，并且每个沉积的岛可以保持分离形式而不彼此连接。
可以使用本领域中通常使用的方法来测量岛的宽度和高度、岛的水平截面和岛的垂直截面。例如，可以在测量中使用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等。
岛包含铟(In)。具体地，岛的铟(In)可以具有99％以上的原子百分比(at％)。当使用铟作为岛的材料时，可以实现以岛形状的沉积而无需进一步的热处理，并且每个岛可以保持分离形式而不彼此连接。
具体地，在本领域中为了以岛形状沉积特定材料，需要在高温环境下执行沉积，或者以连续膜形式执行沉积，并且，通过在高温下对产物进行热处理，需要利用在膜中发生的去湿现象将膜形式转变成岛形状。例如，为了以岛形状沉积锗(Ge，Tm＝938.2℃)和硅(Si，Tm＝1414℃)，需要在750℃或更高的高温沉积环境下执行沉积。另外，由于铝在通常的沉积环境下以连续膜形式被沉积，因此通过在600℃或更高的高温下进行热处理，利用去湿现象将铝制备成岛形状。然而，当通过高温沉积环境和高温热处理方法沉积成岛形状时，发生损坏易受热影响的塑料基板的问题。
在本公开中，通过使用铟(In)作为岛材料，在室温沉积环境下沉积而未进行进一步的热处理的铟能够形成为岛形状。铟具有156.6℃的熔点，该熔点低于其他材料的熔点(Al：660℃，Cu：1084.6℃，Ag：961.8℃)，并且铟具有可以在低温下进行焊接(冷焊)的优点。换句话说，当岛为铟时，具有在室温沉积环境下容易形成岛的优点。
岛的沉积可以在10℃至100℃，优选地高于或等于10℃且低于或等于80℃，更优选地高于或等于10℃且低于或等于60℃的温度条件下执行。当在低于上述范围的温度下沉积时，脱离靶并到达膜的材料的向膜的粘附力降低，导致在随后的过程中沉积膜与膜分离的问题，并且在高于上述范围的温度下，可能存在脱离靶的颗粒在到达使岛形状连接而不是使岛形状分离的膜时具有高迁移率的问题，甚至在更高的温度下，可能存在沉积到膜上的材料再蒸发或再汽化使得岛的生长速率降低的问题。
在膜上沉积两个以上的岛可以使用蒸发方法或溅射方法。蒸发方法是通过在高真空(5x10-5托至1x10-7托)室内使用电子束或电灯丝使靶材料蒸发或升华而沉积在被粘物上的方法。另外，溅射方法是使诸如氩气的气体流入真空室内，并利用通过施加电压产生的等离子体而将靶材料沉积在被粘物上的方法。
在高真空状态(5x10-5托至1x10-7托)下在位于包括钨(W)或钼(Mo)的沉积皿(蒸发皿)和坩埚中的诸如铟(In)的靶材料上施加电压或增加电子束的电力直到发生蒸发或升华之后，可以在0.1nm/秒至10nm/秒的沉积速率条件下执行蒸发方法。
溅射方法的工艺条件可以满足特定条件，以实现上述的岛的宽度、高度、垂直截面和水平截面。特别地，可以根据作为被粘物的膜与溅射靶之间的距离，将诸如施加电力的不同条件调整为不同。
在溅射方法中，膜与溅射靶之间的最短距离(d1)为200mm以下，并且在靶的每单位面积上施加0.1W/cm2至10W/cm2的电力条件下施加电力10秒至1000秒；优选地，膜与溅射靶之间的最短距离(d1)为200mm以下，并且施加0.1W/cm2至5W/cm2的电力10秒至900秒。电力条件的分母单位cm2表示溅射靶的单位面积为1cm2。另外，膜与溅射靶之间的最短距离(d1)可以大于或等于10mm且小于或等于150mm，优选地大于或等于50mm且小于或等于120mm。
可替代地，在溅射方法中，膜与溅射靶之间的最短距离(d2)大于200mm，并且在靶的每单位面积上施加1W/cm2至10W/cm2的电力条件下施加电力10秒至1200秒；或者施加0.1W/cm2至10W/cm2的电力10秒至1000秒；或者优选地施加0.1W/cm2至5W/cm2的电力10秒至900秒。另外，膜与溅射靶之间的最短距离(d2)可以大于或等于250mm且小于或等于1000mm，优选地大于或等于300mm且小于或等于900mm。
在溅射方法中，溅射期间的处理压力可以为1毫托至100毫托，优选地为1毫托至75毫托，并且更优选地为1毫托至50毫托。当处理压力高于上述范围时，存在于腔室内的等离子体气体颗粒的数量增加，并且从靶发射的颗粒与等离子体气体颗粒碰撞而损失能量，这降低了岛生长速率。另一方面，当处理压力保持过低时，由等离子体气体颗粒引起的岛成分颗粒的能量损失减少，然而，存在有具有高能量的颗粒损坏膜或基板的缺点。因此，作为溅射工艺条件，需要通过调整各种变量(例如，沉积设备的尺寸、样品位置和靶距离、靶类型和气体类型、流速、处理期间的压力等)来找到最佳工艺条件。
溅射方法可以使用氩(Ar)、氦(He)或氮(N2)作为溅射气体。
在溅射方法中，可以根据沉积在膜上的岛的材料，不同地使用靶。例如，当岛为铟(In)时，靶可以是由RND韩国公司制造的铟靶(纯度99.99％)。
本公开的用于装饰元件的膜的制造方法包括通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部。
“干蚀刻”可以是使用等离子体的干蚀刻。“等离子体”是指电离的气体，并且当使用诸如电能的能量对由原子和分子形成的气体进行放电时，形成由电子、离子、分解气体、光子等形成的等离子体。这些离子和分解气体在使用等离子体的干蚀刻中使用。例如，当使用电能分解氩(Ar)时，产生Ar+离子和附加电子的同时形成等离子体，并且，当对诸如CF4的气体进行放电时，产生诸如CF3 +和F的离子以及分解气体。
干蚀刻是区别于本领域中已经使用的湿蚀刻的蚀刻方法，并且作为使用反应性气体或离子选择性地蚀刻膜的方法，不同于使用溶液蚀刻膜的湿蚀刻方法。
干蚀刻能够进行各向异性蚀刻，并且湿蚀刻具有各向同性蚀刻的特性。膜中的蚀刻区域通常由光刻工艺中使用的掩模确定，被掩模覆盖的部分未被蚀刻，未被掩模覆盖的部分被选择性地蚀刻。在各向同性蚀刻中，容易发生被掩模覆盖的部分也被部分地蚀刻的底切(undercut)现象，并且当底切现象过度发生时，具有由于不应该被蚀刻的区域被蚀刻导致精细图案难以形成的问题。
另一方面，本公开的干蚀刻具有各向异性蚀刻的特性，并且具有底切发生的程度小于湿蚀刻的优点。这具有易于形成精细图案的优点。
除此之外，干蚀刻仅使用少量的气体执行蚀刻，这降低了工艺成本，并且由于不使用具有环境污染的可能性的溶液，因此具有引起较少的环境污染的优点。
另外，可以容易地监测在蚀刻工艺期间产生的等离子体性质的变化，因此，可以容易地确定工艺的稳定性，并且还可以容易地确定蚀刻工艺结束的时间，这有利于过程自动化。
特别地，在本公开中，当岛掩模较小，具有10nm至1000nm的宽度，并且岛之间的距离为100nm以下时，为了有效地形成精细图案，可执行各向异性蚀刻的干蚀刻是有利的。
干蚀刻可以是电容耦合等离子体(CCP)蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)蚀刻、电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻或微波蚀刻的方法。
可以通过将膜引入腔室中，以5sccm至100sccm的流量供应蚀刻气体，并在0.5毫托至100毫托以下的压力条件下施加50W至1000W的电力，来执行干蚀刻。
压力条件优选地大于或等于1毫托且小于或等于90毫托，更优选地大于或等于1毫托且小于或等于80毫托。当满足上述的数值范围时，具有形成稳定的等离子体的优点。
蚀刻气体的流量为10sccm至80sccm，优选地为10sccm至50sccm。
电力可以根据蚀刻设备的类型而改变。
具体地，当蚀刻设备为RIE设备时，对电极侧保持接地状态，并且施加到基板电极侧的电力可以为10W至500W。
另外，当蚀刻设备是RIE-ICP设备时，施加到放置有要蚀刻的样品的基板电极侧的电力为10W至500W，并且施加到ICP侧的电力可以为100W至1000W。
当蚀刻设备是RIE-ICP设备时，施加到基板电极侧的电力可以为10W至400W，并且优选地为10W至300W。
另外，当蚀刻设备是RIE-ICP设备时，施加到ICP侧的电力可以为200W至1000W，并且优选地为300W至1000W。
蚀刻可以各自独立地被注入到腔室中，或者可以预先形成为混合气体，然后注入到腔室中。可以考虑到反应室的体积、取决于其他构成的性能的将在下面描述的压力条件等，适当地选择注入到腔室中的蚀刻气体的总流速。
蚀刻气体还包括选自由含卤素元素的气体、氧化气体(O2)、氮气(N2)、氢气(H2)、烃气体和惰性气体组成的组中的一种、两种或更多种。
含卤素元素的气体为Cl2、CCl4、CCl2F2、CF4、BCl3、NF3、NF5、SF6、F2、C2F6、C3F8、C4F8或CHF3。
氧化气体为O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2或NO2。
惰性气体为氩气(Ar)、氙气(Xe)、氪气(Kr)或氦气(He)。
烃气体可以为具有1至9个碳原子的烃气体，其示例可以包括甲烷(CH4)气体。
可以根据要蚀刻的膜的类型来选择蚀刻气体。例如，当膜是诸如铝(Al)的金属时，蚀刻气体包括诸如BCl3、CCl4、CF4或Cl2的含卤素元素的气体，当膜是有机材料时，蚀刻气体包括诸如CF4的含卤素元素的气体或者氧气，当膜是诸如GaAs、InP、HgCdTe或ZnS的半导体材料时，蚀刻气体包括含卤素元素的气体、氢气或烃气体，当膜是诸如Si、SiO2或Si3N4的无机材料时，蚀刻气体可以是含卤素元素的气体。
干蚀刻可以执行大于或等于60秒且小于或等于600秒，优选地执行大于或等于80秒且小于或等于500秒，更优选地执行大于或等于100秒且小于或等于300秒。当满足上述数值范围时，蚀刻效果提高，并且在膜中可以清楚地示出除了形成有岛掩模的区域以外的部分与形成有岛掩模的区域之间的差异。
可以根据要制造的膜的应用和特性来不同地调整膜的类型，例如，膜可以是金属；有机材料；或无机材料。
金属可以是选自由钛(Ti)、锡(Sn)、铝(Al)、镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钕(Nd)、铁(Fe)、铬(Cr)和钴(Co)组成的组中的一种、两种或更多种。
有机材料是三乙酰纤维素(triacetyl cellulose)、环烯烃共聚物(acycloolefincopolymer)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚乙烯(polyethylene)、聚丙烯(polypropylene)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol)、二乙酰纤维素(diacetyl cellulose)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚砜(polyethersulfone)、聚醚醚酮(polyetheretherketone)、聚苯砜(polyphenylsulfone)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)；聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)；聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate)；聚酰亚胺(polyimide)；聚砜(polysulfone)；聚芳酯(polyarylate)和无定形氟树脂。
无机材料是选自由铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、硅(Si)、锗(Ge)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钕(Nd)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)和银(Ag)中的任一者的氮化物；其氧化物；其氮氧化物；或GaAs、AlAs、AlGaAs、GaP、InP、InAs、InGaAs、InSb、CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnS、ZnO、GaN、AlGaN、InAlN、HgCdTe和石墨烯组成的组中的一种或多种。
本公开的用于装饰元件的膜的制造方法可以进一步包括：在膜上沉积两个以上的岛之前，准备基板；以及在基板的一个表面上形成膜。
基板可以是玻璃基板或塑料基板。作为塑料基板，为包含以下物质的片或膜：纤维素树脂，例如三乙酰纤维素(triacetyl cellulose)或二乙酰纤维素(diacetylcellulose)；环烷聚合物(cycloolefin polymer)，例如降冰片烯衍生物；丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate))；聚碳酸酯(polycarbonate)；聚烯烃，例如聚乙烯(polyethylene)或聚丙烯(polypropylene)；聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)；聚醚砜(polyethersulfone)；聚醚醚酮(polyetheretherketone)；聚醚酰亚胺(polyetherimide)；聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)；聚酯，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)；聚酰亚胺(polyimide)；聚砜(polysulfone)；氟树脂等。
然而，在基板的一个表面上形成膜的方法不特别限制，形成方法可以根据膜的类型而改变。例如，当膜是金属或有机材料时，可以使用诸如溅射方法的沉积，当膜是有机材料时，可以使用旋涂法。
膜的厚度可以为1nm至500nm，优选地为5nm至100nm，更优选地为5nm至50nm。
在本公开中，上述用于装饰元件的膜可以被称为“装饰元件”。
另外，本公开的一个实施例提供了一种装饰元件的制造方法，该方法包括：在光吸收层的一个表面上沉积具有彼此分离的两个以上的岛的结构的光反射层；通过使用光反射层作为掩模对光吸收层进行干蚀刻来形成图案部。换句话说，当上述的用于装饰元件的膜是装饰元件时，上述的岛沉积的“膜”可以对应于“光吸收层”，并且“岛”可以对应于“光反射层”。该过程在图26中示出。
在本说明书中，光反射层是指在使用岛作为掩模对光吸收层进行干蚀刻之后未被蚀刻的剩余的岛。换句话说，具有用作掩模的光反射层未被去除并且可以用作装饰元件的光反射层的优点。
当部分地蚀刻膜时，减少了电子流动的路径，增加了膜的电阻，并且当膜在厚度方向上被完全蚀刻时，通过阻挡电子流动的路径，用于装饰元件的膜或者整个膜的电阻可增加。
具体地，关于在通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部之前，装饰元件的电阻值可在使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部之后，增加2倍以上，5倍以上，10倍以上，优选地100倍以上，更优选地800倍以上。
电阻值可以使用两点探针型电阻测量设备(日置有限公司，产品名称3244-60，Card Hi-tester)来测量，并且电阻测量期间的样品长度可以为1cm至10cm。在此，由于电阻与样品长度成比例，所以从每个样品表面测量相同的距离，并且基于1cm将结果标准化。
本公开的用于装饰元件的膜的制造方法可以在制造装饰元件的一般方法中使用。特别地，该方法可以用于装饰膜、移动装置的外壳、电子产品外壳或需要彩色装饰的家用物品。另外，由于可以将光吸收层制备成具有高电阻，所以通过使由电磁屏蔽(EMI)特性引起的电磁发送和接收干扰最小化可以防止使用装饰元件的电子装置的功能受抑制。
本公开的一个实施例提供一种使用上述制造方法制造的装饰元件，该装饰元件包括：光吸收层；以及设置在光吸收层的一个表面上的光反射层，其中，装饰元件的线电阻为105Ω以上。
装饰元件的线电阻为106Ω以上，优选地为107Ω以上。当满足上述的数值范围时，可以在需要高电阻的移动装置的外壳或电子产品外壳中使用装饰元件，并且可以通过使由电磁屏蔽(EMI)特性引起的电磁发送和接收干扰最小化来防止使用装饰元件的电子装置的功能受抑制。
具体地，装饰元件的薄层电阻优选为100欧姆/平方以上，优选为500欧姆/平方以上，优选为5000欧姆/平方以上，更优选为10000欧姆/平方以上，最优选为1千兆欧姆/平方以上，更优选为4千兆欧姆/平方以上。可以使用已知的薄层电阻根据4点探针法来测量薄层电阻。关于薄层电阻，通过使用4个探针测量电流(I)和电压(V)，并使用样品的面积(单位面积，W)和用于测量电阻的电极之间的距离(L)，来测量电阻值(V/I)，得到薄层电阻(V/IxW/L)，然后，乘以电阻校正因子(RCF)，从而计算为欧姆/平方，欧姆/平方是薄层电阻单位。电阻校正因子可以使用样品大小、样品厚度和测量时的温度来计算，并且可以使用泊松方程来计算。
在本公开中，由装饰元件表现的颜色可以由光源的光谱特性、物体的反射率和观察者的颜色观察效率来定义。对于客观的颜色表现，需要使用标准光源和标准观察者来测量颜色，并将颜色表示为颜色空间的坐标。装饰元件的颜色可以由CIE Lab(L*a*b*)坐标或提供视觉上统一的色彩空间的LCh坐标来表现。L*代表亮度，+a*代表红色，-a*代表绿色，+b*代表黄色，-b*代表蓝色，C*和h*将在后面描述。在色彩空间中，取决于观察位置的总色差可以表示为
Figure BDA0002899946240000111
可以使用分光光度计(CM-2600d，由柯尼卡美能达公司制造)来测量颜色，并且通过分光光度计，获得样品的反射率作为光谱并且可以获得对于每个波长的反射率，并由此，可以获得光谱反射率图和转换后的颜色坐标。在此，以8度视角获得数据，并且，为了观察装饰元件的二向色性，在相对于装饰元件的水平方向和垂直方向上进行测量。
视角是由装饰元件的显色层表面的表面的法线方向上的直线(d1)和穿过分光光度计和要测量的装饰元件的一点的直线(d2)形成的角度，并且通常具有0度到90度的范围。“显色层”是包括光吸收层和光反射层的术语。
当观察装饰元件时，显色层可以提供金属质感和颜色深度。显色层允许根据视角以各种颜色看到装饰元件的图像。这是由于以下事实：穿过图案层并在无机材料层的表面上反射的光的波长根据入射光的波长而变化。
在本说明书中，“光吸收层”和“光反射层”是具有彼此相对的性质的层。光吸收层可以指与光反射层相比具有更高的光吸收率的层，并且光反射层可以指与光吸收层相比具有更高的光反射率的层。
光吸收层和光反射层可以各自形成为单层，或者也可以形成为两层以上的多层。
在本说明书中，光吸收层和光反射层由它们的功能命名。对于具有特定波长的光，可以将反射相对较多的光的层表示为光反射层，并且可以将反射相对较少的光的层表示为光吸收层。
图27示出了本公开的装饰元件的层叠结构。图27示出了包括显色层(100)和基板(101)的装饰元件。显色层(100)包括光反射层(201)和光吸收层(301)。图27示出了基板(101)设置在显色层(100)的光吸收层(301)侧上的结构，然而，基板也可以设置在光反射层(201)侧上。
通过图28，描述了光吸收层和光反射层。在图28的装饰元件中，各层基于光入射方向按Li-1层、Li层和Li+1层的顺序层叠，界面Ii位于Li-1层与Li层之间，并且界面Ii+1位于Li层与Li+1层之间。
当在垂直于各层的方向上照射具有特定波长的光使得不会发生薄膜干涉时，界面Ii处的反射率可以由以下数学式1表示。
[数学式1]
Figure BDA0002899946240000121
在数学式1中，ni(λ)表示根据第i层的波长(λ)的折射率，并且ki(λ)表示根据第i层的波长(λ)的消光系数。消光系数是能够定义对象材料以多大强度吸收特定波长的光的量度，并且该定义与之后提供的定义相同。
使用数学式1，当在每个波长下计算出的界面Ii处每个波长的反射率之和为Ri时，Ri如以下数学式2所示。
[数学式2]
Figure BDA0002899946240000131
光吸收层优选地在400nm的波长下具有0至8的折射率(n)，并且折射率可以为0至7，可以为0.01至3，并且可以为2至2.5。可以通过sinθa/sinθb(θa是入射到光吸收层的表面的光的角度，θb是光吸收层内部的光的折射角)来计算折射率(n)。
光吸收层优选地在380nm至780nm的波长范围内具有0至8的折射率(n)，并且折射率可以为0至7，可以为0.01至3，并且可以为2至2.5。
光吸收层在400nm的波长下具有大于0且小于或等于4的消光系数(k)，并且消光系数优选为0.01至4，可以为0.01至3.5，可以为0.01至3，并且可以为0.1至1。消光系数(k)为-λ/4πI(dI/dx)(在此，为λ/4π与dI/I相乘的值，光吸收层中每路径单位长度(dx)(例如1m)的光强度的既约分数，并且在此，λ为光的波长)。
如上所述具有特定的消光系数和折射率显色的光吸收层的原理与通过向现有基板添加染料而显色的装饰元件的显色的原理不同。例如，使用通过将染料添加到树脂中来吸收光的方法以及使用如上所述具有消光系数的材料导致不同的光吸收光谱。当通过向树脂中添加染料来吸收光时，吸收波长带是固定的，并且仅发生根据涂层厚度的变化而改变吸收量的现象。另外，为了获得目标光吸收量，需要至少几微米以上的厚度的变化来调节光吸收量。另一方面，在具有消光系数的材料中，即使厚度变化几纳米到几十纳米时，吸收光的波长带也会变化。
另外，当将染料添加到现有树脂中时，仅显影出基于该染料的特定颜色，因此，可能不会显示各种颜色。另一方面，通过使用特定材料而不使用树脂的本公开的光吸收层，通过光的干涉现象获得显示各种颜色的优点而无需添加染料。
在光吸收层中，在光的入射路径和反射路径中发生光吸收，并且通过在光吸收层的表面以及光吸收层(301)和光反射层(201)的界面中的每一个上反射的光，两个反射光经历相长干涉或相消干涉。
在光吸收层的表面上反射的光可以表示为表面反射光，并且在光吸收层和光反射层的界面上反射的光可以表示为界面反射光。这种工作原理的模拟图在图29中示出。图29示出了在光反射层(201)侧上设置基板(101)的结构，然而，该结构不限于这种结构，并且基板(101)可以设置在其他位置上。
装饰元件包括基板(101)，基板(101)设置在以下表面的一个或多个上：光反射层(201)的与面对光吸收层(301)的表面相对的表面上；或者光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面。例如，基板可以设置在光反射层的与面对光吸收层的表面相对的表面上(图30(a))、或光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面上(图30(b))。
基板可以包括用于化妆品容器的塑料注射模具或玻璃基板。另外，塑料注射模具可以是没有曲线(特定图案)的板型塑料注射模具，或者可以是具有曲线(特定图案)的塑料注射模具。
可以使用塑料成型方法来制备塑料注射模具。塑料成型方法包括压缩成型、注射成型、吹塑成型、热成型、热熔成型、发泡成型、辊压成型、增强塑料成型等。压缩成型是将材料放入模具中，加热产物并对其施加压力的成型方法，并且，作为最古老的成型方法，其可以主要用于成型诸如酚醛树脂的热固化树脂。注射成型是使用输送装置将塑料熔体推出并经由喷嘴塑料熔体填充到模具的成型方法，该方法可以模制热塑性树脂和热固化树脂这两者，并且是最常用的成型方法。用作化妆盒的树脂是SAN。吹塑成型是在将塑料型坯放置在模具的中央并向其注入空气的同时模制产品的方法，并且，作为制造塑料瓶或小容器的成型方法，产品的制造速度非常快。
作为玻璃基板，可以使用透射率为80％以上的玻璃。
基板的厚度可以根据需要选择，例如可以具有50μm至200μm的范围。
装饰元件还包括彩色膜，所述彩色膜在光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面上；在光吸收层与光反射层之间；或者在光反射层的与面对光吸收层的表面相对的表面上。彩色膜还可以起到基板的作用。例如，可以用作基板的装置可以通过向其添加染料或颜料而用作彩色膜。
彩色膜不特别地限制，只要与未设置彩色膜时相比，当存在彩色膜时，其色差ΔE*ab、显色层的色坐标CIE L*a*b*中的L*a*b*空间中的距离大于1即可。
可以通过CIE L*a*b*来表现颜色，并且可以使用L*a*b*空间中的距离(ΔE*ab)定义色差。具体地，色差为
Figure BDA0002899946240000151
并且，在0<ΔE*ab<1的范围内，观察者可能看不到色差[参考文献：机器图形与视觉20(4)：383-411]。因此，在本说明书中，通过彩色膜的添加而获得的色差可以由ΔE*ab>1定义。
图31示出了包括彩色膜的显色层，图31(a)示出了连续层叠有光反射层(201)、光吸收层(301)和彩色膜(401)的结构，图21(b)示出了连续层叠有光反射层(201)、彩色膜(401)和光吸收层(301)的结构，图31(c)示出了连续层叠有彩色膜(401)、光反射层(201)和光吸收层(301)的结构。
当基板设置在光反射层的与面对光吸收层的表面相对的表面上，并且彩色膜位于光反射层的与面对光吸收层的表面相对的表面上时，彩色膜可以设置在基板与光反射层之间；或者在基板的与面对光反射层的表面相对的表面上。作为另一示例，当基板设置在光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面上，并且彩色膜位于光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面上时，彩色膜可以设置在基板与光吸收层之间；或者在基板的与面对光吸收层的表面相对的表面上。
将基板设置在光反射层的与面对光吸收层的表面相对的表面上，并且进一步设置彩色膜。图32(a)示出了在光吸收层(301)的与光反射层(201)侧相对的表面上设置有彩色膜(401)的结构，图32(b)示出了在光吸收层(301)与光反射层(201)之间设置有彩色膜(401)的结构，图32(c)示出了在光反射层(201)与基板(101)之间设置有彩色膜(401)的结构，图32(d)示出了在基板(101)的与光反射层(201)侧相对的表面上设置有彩色膜(401)的结构。图32(e)示出了设置有彩色膜(401a，401b，401c，401d)的结构，彩色膜(401a，401b，401c，401d)分别设置在光吸收层(301)的与光反射层(201)侧相对的表面上、在光吸收层(301)与光反射层(201)之间、在光反射层(201)与基板(101)之间、以及在基板(101)的与光反射层(201)侧相对的表面上，然而，结构不限于此，并且可以不包括彩色膜(401a，401b，401c，401d)中的1至3个。
将基板设置在光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面上，并且进一步设置彩色膜。图33(a)示出了在基板(101)的与光吸收层(301)侧相对的表面上设置有彩色膜(401)的结构，图33(b)示出了在基板(101)与光吸收层(301)之间设置有彩色膜(401)的结构，图33(c)示出了在光吸收层(301)与光反射层(201)之间设置有彩色膜(401)的结构，图33(d)示出了在光反射层(201)的与光吸收层(301)侧相对的表面上设置有彩色膜(401)的结构。图33(e)示出了设置有彩色膜(401a，401b，401c，401d)的结构，彩色膜(401a，401b，401c，401d)分别设置在基板(101)的与光吸收层(201)侧相对的表面上、在基板(101)与光吸收层(301)之间、在光吸收层(301)与光反射层(201)之间、以及在光反射层(201)的与光吸收层(301)侧相对的表面上，然而，结构不限于此，可以不包括彩色膜(401a，401b，401c，401d)中的1至3个。
在诸如图32(b)和图33(c)的结构中，当彩色膜的可见光透射率大于0％时，光反射层可以反射穿过彩色膜入射的光，因此，可以通过层叠光吸收层和光反射层来获得颜色。
在诸如图32(c)、图32(d)和图33(d)的结构中，从光反射层(201)的彩色膜显影的颜色的光透射率可以为1％以上，优选为3％以上，更优选为5％以上，使得能够识别通过彩色膜的添加获得的色差的变化。这是因为这样的事实：在这样的可见光透射率范围内透射的光可能与由彩色膜获得的颜色混合。
彩色膜可以设置成一片，或者相同类型或不同类型的两片以上的层叠体。
作为彩色膜，可以使用能够通过与从上述的光反射层和光吸收层的层叠结构显影的颜色组合来显现目标颜色的彩色膜。例如，可以使用通过将一种或两种以上的类型的颜料和染料分散到基质树脂中来表现颜色的彩色膜。可以通过在可提供彩色膜的位置上直接涂覆用于形成彩色膜的组合物来形成这样的彩色膜，或者可以使用通过在单独的基板上涂覆用于形成彩色膜的组合物，或使用已知的成型方法(例如流延或挤出)来制备彩色膜，然后将彩色膜设置或附接在可提供彩色膜的位置上的方法。作为涂布方法，可以使用湿法涂布或干法涂布。
能够被包含在彩色膜中的颜料和染料可以选自本领域中已知并且能够从最终装饰元件中获得目标颜色的颜料和染料，并且可以使用基于红色、基于黄色、基于紫色、基于蓝色、基于粉红色等的颜料和染料中的一种、两种或更多种。具体地，诸如基于紫罗兰酮的红色染料、基于蒽醌的红色染料、基于甲烷的黄色染料、基于蒽醌的黄色染料、基于蒽醌的紫色染料、基于酞菁的蓝色染料、基于硫靛蓝的粉红色染料或基于异靛蓝的粉红色染料的染料可以单独使用或组合使用。诸如炭黑、铜酞菁(C.I.颜料蓝15:3)、C.I.颜料红112、颜料蓝或异吲哚啉黄的颜料可以单独使用或组合使用。作为这种染料或颜料，可以使用可商购的染料或颜料，例如，可以使用由汽巴奥利色公司(Ciba ORACET)或Chokwang涂料公司制造的材料。染料或颜料的类型及其颜色仅出于说明目的，并且可以使用各种已知的染料或颜料，并且可以从其中获得更多种的颜色。
作为包含在彩色膜中的基质树脂，可以使用作为透明膜、底漆层、粘合层或涂层的材料已知的材料，并且基质树脂不特别限于这些材料。例如，可以选择诸如丙烯酸基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯基树脂、尿烷基树脂、线性烯烃基树脂、环烯烃基树脂、环氧基树脂或三乙酰纤维素基树脂的各种材料，也可以使用上述材料的共聚物或混合物。
例如，当如图32的(a)和(b)以及如图33的(a)、(b)和(c)的结构中，将彩色膜设置成比光反射层或光吸收层更靠近观察装饰元件的位置时，从光反射层、光吸收层或光反射层和光吸收层的层叠结构由彩色膜显影的颜色的光透射率可以为1％以上，优选为3％以上，更优选为5％以上。其结果，可以通过将从彩色膜显影的颜色和从光反射层、光吸收层或其层叠结构显影的颜色组合来获得目标颜色。
彩色膜的厚度没有特别限制，并且本领域的技术人员可以选择和设定厚度，只要其能够获得目标颜色即可。例如，彩色膜可以具有500nm至1mm的厚度。
装饰元件包括图案层，所述图案层设置在以下表面中的一个或多个上：光反射层的与面对光吸收层的表面相对的表面；光反射层与光吸收层之间；或光吸收层的与面对光反射层的表面相对的表面。
图案层包括具有非对称结构的截面的凸部形状或凹部形状。
在本说明书中，“截面”是指在任一方向上切割凸部或凹部时的表面。例如，截面可以指，当将装饰元件放置在地面上时，在与地面平行的方向或与地面垂直的方向上切割凸部或凹部时的表面。在根据实施例的装饰元件的图案层的凸部或凹部形状的表面中，在与地面垂直的方向上的截面中的至少一个具有非对称结构。
在本说明书中，“非对称结构的截面”是指以该截面的边界形成的图形不具有线对称或点对称的结构。线对称是指以直线为中心镜像某个图形时具有重叠的特性。点对称是指当某个图形基于一个点旋转180度时，具有与原始图形完全重叠的对称特性。在此，非对称结构截面的边界可以是直线、曲线或它们的组合。
在本说明书中，“凸部形状”可以包括一个或多个“凸部单元形状”，“凹部形状”可以包括一个或多个“凹部单元形状”。凸部单元形状或凹部单元形状是指包括两个斜边(第一斜边和第二斜边)的形状，不是包括三个以上斜边的形状。当参考图41时，圆C1的凸部形状(P1)是包括第一斜边和第二斜边的一个凸部单元形状。然而，圆C2中包括的凸部形状包括两个凸部单元形状。可以将第一斜边各自定义为凸部形状或凹部形状的左斜边，并且第二斜边可以各自指凸部形状或凹部形状的右斜边。
如上所述，装饰元件可以通过在图案层的表面中包括的具有非对称结构截面的凸部或凹部来显现二向色性。二向色性是指根据视角观察到不同的颜色。颜色可以由CIE L*a*b*表示，并且可以使用L*a*b*空间中的距离(ΔE*ab)来定义色差。具体地，色差为
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并且在0<ΔE*ab<1的范围内，观察者可能看不到色差[参考文献：机器图形与视觉20(4)：383-411]。因此，在本说明书中，二向色性可以由ΔE*ab>1定义。
装饰元件具有△E*ab>1的二向色性。具体地，色差ΔE*ab，整个装饰元件的色坐标CIE L*a*b*中的L*a*b*空间中的距离可以大于1。
图34示出了根据本公开的一个实施例的包括图案层的装饰元件(未示出基板和保护层)。图案层表面可以具有这样的形状：具有比凸部小的高度的第二凸部(P2)设置在凸部(P1)之间。在下文中，在第二凸部之前陈述的凸部可以被称为第一凸部。
图35示出了根据本公开的一个实施例的包括图案层的装饰元件(未示出显色层)。图案层表面可以具有还包括凹部(P3)的形状，该凹部(P3)在凸部(P1)的尖部(尖端部)上具有比凸部小的高度。这样的装饰元件可以表现出图像颜色根据视角稍微发生改变的效果。
图案层包括凸部形状或凹部形状，并且每个形状可以以反相结构布置。
图36示出了根据本公开的一个实施例的包括图案层的装饰元件。如图36(a)所示，图案层表面可以具有多个凸部以180度的反相结构布置的形状。具体地，图案层表面可以包括第一区域(C1)和第二区域(C2)，在第一区域(C1)中第二倾斜表面具有比第一倾斜表面更大的倾斜角，在第二区域(C2)中第二倾斜表面具有比第一倾斜表面更大的倾斜角。在一个示例中，可以将第一区域中包括的凸部称为第一凸部(P1)，并且可以将第二区域中包括的凸部称为第四凸部(P4)。关于高度、宽度、倾斜角和由第一凸部(P1)和第四凸部(P4)的第一倾斜表面和第二倾斜表面形成的角度，可以以同样方式使用在凸部(P1)中提供的描述。如图36(b)所示，可以构成为使得第一区域和第二区域中的任何一个区域对应于图像或标志，另一区域对应于背景部分。这样的装饰元件可以表现出图像或标志颜色根据视角而稍微发生改变的效果。另外，可以实现图像或标志部分和背景部分的颜色根据观察方向看上去被切换的装饰效果。
第一区域和第二区域可以各自包括多个凸部。可以根据目标图像或标志的大小来适当地控制第一区域和第二区域的宽度以及凸部的数量。
在本说明书中，凸部(P1)的倾斜角(a2，a3)可以指凸部(P1)的倾斜表面(S1，S2)与图案层的水平面之间形成的角度。除非在本说明书中另有特别说明，否则在附图中第一倾斜表面可以被定义为凸部的左倾斜表面，第二倾斜表面可以表示凸部的右倾斜表面。
图案层的凸部(P1)具有多边形截面，并且可以具有在一个方向上延伸的柱形状。在一个实施例中，凸部(P1)的截面可以是三角形，或者在三角形的尖部(尖端部或顶点部)上还包括小的凹部的形状。
由第一倾斜表面(S1)和第二倾斜表面(S2)形成的角度(a1)可以在80度至100度的范围内。具体地，角度(a1)可以为80度以上，83度以上，86度以上或89度以上，并且可以为100度以下，97度以下，94度以下或91度以下。该角度可以表示由第一倾斜表面和第二倾斜表面形成的顶点的角度。当第一倾斜表面和第二倾斜表面没有相互形成顶点时，该角度可以表示在通过虚拟地延伸第一倾斜表面和第二倾斜表面而形成顶点的状态下的顶点的角度。
凸部(P1)的第一倾斜表面(a2)的倾斜角与第二倾斜表面(a3)的倾斜角之间的差可以在30度至70度的范围内。例如，第一倾斜表面(a2)的倾斜角与第二倾斜表面(a3)的倾斜角之间的差可以为30度以上，35度以上，40度以上或45度以上，并且可以为70度以下，65度以下，60度以下或55度以下。使第一倾斜表面与第二倾斜表面之间的倾斜角之差在上述范围内，可以有利于获得取决于方向的颜色表现。换句话说，二向色性更明显地出现。
凸部(P1)可以具有5μm至30μm的高度(H1)。使凸部高度在上述范围内可以有利于生产工艺方面。在本说明书中，凸部高度可以指基于图案层的水平面，凸部的最高部分与最低部分之间的最短距离。关于与凸部的高度有关的描述，也可以在上述的凹部的深度中使用相同的数值范围。
凸部(P1)可以具有10μm至90μm的宽度(W1)。使凸部宽度在上述范围内可以有利于处理和形成图案的工艺方面。例如，凸部(P1)的宽度可以为10μm以上，15μm以上，20μm以上或25μm以上，并且可以为90μm以下，80μm以下，70μm以下，60μm以下，50μm以下，40μm以下或35μm以下。关于宽度的描述可以在上述的凹部以及凸部中使用。
凸部(P1)之间的距离可以为0μm至20μm。在本说明书中，凸部之间的距离可以指，在两个相邻的凸部中，一个凸部结束的点与另一个凸部开始的点之间的最短距离。当适当地保持凸部之间的距离时，可以改善当从凸部的具有较大倾斜角的倾斜表面侧观察装饰元件时在要获得相对较亮的颜色时由于阴影导致反射区域看起来暗的现象。在凸部之间，可以存在高度比凸部小的第二凸部，如稍后所述。关于距离的描述可以在上述凹部以及凸部中使用。
第二凸部(P2)的高度(H2)可以在第一凸部(P1)的高度(H1)的1/5至1/4的范围内。例如，第一凸部和第二凸部之间的高度差(H1-H2)可以为10μm至30μm。第二凸部的宽度(W2)可以为1μm至10μm。具体地，第二凸部的宽度(W2)可以为1μm以上，2μm以上，3μm以上，4μm以上或4.5μm以上，并且可以为10μm以下，9μm以下，8μm以下，7μm以下，6μm以下或5.5μm以下。
第二凸部可以包括具有不同倾斜角的两个倾斜表面(S3，S4)。由第二凸部的两个倾斜表面形成的角度(a4)可以为20度至100度。具体地，角度(a4)可以为20度以上，30度以上，40度以上，50度以上，60度以上，70度以上，80度以上或85度以上，并且可以为100度以下或95度以下。第二凸部的两个倾斜表面之间的倾斜角度之差(a6-a5)可以为0度至60度。倾斜角之差(a6-a5)可以为0度以上，10度以上，20度以上，30度以上，40度以上或45度以上，并且可以为60度以下或55度以下。具有在上述范围内的尺寸的第二凸部在通过增加光从具有大的倾斜表面角的侧表面的流入来形成明亮颜色的方面可能是有利的。
凹部(P3)的高度(H3)可以为3μm至15μm。具体地，凹部(P3)的高度(H3)可以为3μm以上，并且可以为15μm以下，10μm以下或5μm以下。凹部可以包括具有不同倾斜角度的两个倾斜表面(S5，S6)。由凹部的两个倾斜表面形成的角度(a7)可以为20度至100度。具体地，角度(a7)可以为20度以上，30度以上，40度以上，50度以上，60度以上，70度以上，80度以上或85度以上，并且可以为100度以下或95度以下。凹部的两个倾斜表面之间的倾斜角度之差(a9-a8)可以为0度至60度。倾斜角度之差(a9-a8)可以为0度以上，10度以上，20度以上，30度以上，40度以上或45度以上，并且可以为60度以下或55度以下。具有在上述范围内的尺寸的凹部在增加倾斜表面上的色感方面可能是有利的。
图案层包括凸部形状，该凸部形状的截面包括第一斜边和第二斜边，第一斜边和第二斜边的形状彼此相同或彼此不同，并且各自为直线形状或曲线形状。
图37示出了根据本说明书的一个实施例的包括图案层的装饰元件。图案层的截面具有凸部形状，并且凸部形状的截面包括具有第一斜边的第一区域(D1)和具有第二斜边的第二区域(D2)。第一斜边和第二斜边具有直线形状。由第一斜边和第二斜边形成的角度(c3)可以为75度至105度，或80度至100度。由第一斜边与地面形成的角度(c1)与由第二斜边与地面形成的角度(c2)不同。例如，c1和c2的组合可以是20度/80度、10度/70度或30度/70度。
图38示出了根据本说明书的一个实施例的包括图案层的装饰元件。图案层的截面包括凸部形状，并且该凸部形状的截面包括具有第一斜边的第一区域(E1)和具有第二斜边的第二区域(E2)。第一斜边和第二斜边中的任一个或多个可以具有曲线形状。例如，第一斜边和第二斜边可以都具有曲线形状，或者第一斜边可以具有直线形状，第二斜边可以具有曲线形状。当第一斜边具有直线形状而第二斜边具有曲线形状时，角度c1可以大于角度c2。图38示出了第一斜边具有直线形状而第二斜边具有曲线形状的情况。当从斜边接触地面的点到第一斜边和第二斜边邻接的点绘制任意直线时，根据由直线和地面形成的角度，可以计算出由具有曲线形状的斜边与地面形成的角度。曲线形状的第二斜边可以根据图案层高度而具有不同的曲率，并且曲线可以具有曲率半径。曲率半径可以为凸部形状的宽度(E1+E2)的10倍以下。图38(a)示出了曲线的曲率半径为凸部形状的宽度的两倍。图38(b)示出了曲线的曲率半径与凸部形状的宽度相同。具有曲率的部分(E2)相对于凸部的宽度(E1+E2)之比率可以为90％以下。图38(a)和图38(b)示出了具有曲率的部分(E2)相对于凸部的宽度(E1+E2)之比率为60％。
凸部形状的截面可以具有三角形或四边形的多边形。
图39示出了根据本说明书的一个实施例的包括图案层的装饰元件。图案层的截面具有凸部形状，并且该凸部形状的截面可以具有四边形形状。四边形形状可以是一般的四边形形状，并且没有特别限制，只要每个斜边的倾斜角不同即可。四边形形状可以是部分切割三角形之后留下的形状。例如，可以包括梯形，该梯形为一对相对的边平行的四边形，或者不存在一对彼此平行的边的四边形。凸部形状的截面包括具有第一斜边的第一区域(F1)、具有第二斜边的第二区域(F2)和具有第三斜边的第三区域(F3)。第三斜边可以平行于或可以不平行于地面。例如，当四边形是梯形时，第三斜边平行于地面。第一斜边至第三斜边中的任一个或多个可以具有曲线形状，并且对该曲线形状的描述与上述相同。F1+F2+F3的组合长度可以被定义为凸部形状的宽度，并且对该宽度的描述与以上提供的描述相同。
图案层包括两个以上的凸部形状，并且平坦部可以进一步被包括在每个凸部形状之间的一部分或全部中。
图40示出了根据本说明书的一个实施例的包括图案层的装饰元件。可以在图案层的每个凸部之间包括平坦部。平坦部是指不存在凸部的区域。除了还包括平坦部的图案层之外，对其余构成(D1、D2、c1、c2、c3、第一斜边和第二斜边)的描述与以上提供的描述相同。同时，将D1+D2+G1的组合长度定义为图案的间距，图案的间距与上述图案的宽度不同。
凸部形状或凹部形状的表面包括两个以上的凸部形状或凹部形状。通过如上所述具有两个以上的凸部形状或凹部形状的表面，可以进一步提高二向色性。在此，两个以上的凸部形状或凹部形状可以具有重复相同形状的形式，然而，也可以包括彼此不同的形状。
在具有非对称结构的截面的凸部形状或凹部形状中，至少一个截面包括具有不同的倾斜角度、不同的曲率或不同的边形状的两个以上的边。例如，当形成至少一个截面的边中的两个边具有不同的倾斜角度、不同的曲率或不同的边形状时，凸部或凹部具有非对称的结构。
在凸部或凹部的形状中，至少一个截面包括具有不同倾斜角度的第一斜边和第二斜边。
在本说明书中，除非另有说明，否则“边”可以是直线，但不限于此，并且其一部分或全部可以是曲线。例如，边可以包括圆形或椭圆形的弧的一部分的结构、波浪结构或锯齿形。
在本说明书中，当边包括圆形或椭圆形的弧的一部分时，圆形或椭圆形可以具有曲率半径。当将曲线的极短的部分转换为弧时，曲率半径可以通过弧的半径来定义。
在本说明书中，除非另有说明，否则“斜边”是指，当将装饰元件放置在地面上时，该边相对于地面形成的角度大于0度且小于或等于90度的边。在此，当边是直线时，可以测量由直线和地面形成的角度。当边包括曲线时，可以测量当将装饰元件放置在地面上时，地面与以最短距离连接边的最靠近地面的点和边的最远离地面的点的直线形成的角度。
在本说明书中，除非另有说明，否则倾斜角是，当将装饰元件放置在地面上时，地面和形成图案层的表面或边所形成的角度，并且大于0度且小于或等于90度。可替代地，它可以指，由地面与当将形成图案层的表面或边邻接地面的点(a’)和形成图案层的表面或边最远离地面的点(b’)连接时产生的线段(a’-b’)所形成的角度。
在本说明书中，除非另有说明，否则曲率是指在边或表面的连续点处的切线的斜率的变化的程度。随着在边或表面的连续点处的切线的斜率的变化较大，曲率较高。
在本说明书中，凸部可以是凸部单元形状，凹部可以是凹部单元形状。凸部单元形状或凹部单元形状是指包括两个斜边(第一斜边和第二斜边)的形状，不是包括三个以上的斜边的形状。当参考图41时，圆C1的凸部(P1)是包括第一斜边和第二斜边的一个凸部单元形状。然而，圆C2中包括的形状包括两个凸部单元形状。可以将第一斜边定义为凸部或凹部的左斜边，并且第二斜边可以指凸部或凹部的右斜边。
由第一斜边和第二斜边形成的角度(a1)可以在80度至100度的范围内。具体地，角度(a1)可以为80度以上，83度以上，86度以上或89度以上，并且可以为100度以下，97度以下，94度以下或91度以下。该角度可以指由第一斜边和第二斜边形成的顶点的角度。当第一斜边和第二斜边不彼此形成顶点时，该角度可以指在通过虚拟地延伸第一斜边和第二斜边而形成顶点的状态下顶点的角度。
凸部(P1)的第一斜边(a2)的倾斜角度与凸部(P1)的第二斜边(a3)的倾斜角度之差可以在30度至70度的范围内。例如，第一斜边(a2)的倾斜角度和第二斜边(a3)的倾斜角度之间的差可以为30度以上，35度以上，40度以上或45度以上，并且可以为70度以下，65度以下，60度以下或55度以下。使第一斜边与第二斜边之间的倾斜角度差在上述范围内，在获得取决于方向的色彩表现方面可能是有利的。
图42示出了根据本说明书的一个实施例的装饰元件的图案层及其制备方法。图案层的截面具有凸部形状，并且该凸部形状的截面可以具有去除ABO1三角形的特定区域得到的形状。确定去除的特定区域的方法如下。关于倾斜角度c1和c2的细节与以上提供的描述相同。
1)设定将AO1线段以L1:L2的比率划分的AO1线段上的任意点P1。
2)设定将BO1线段以m1:m2的比率划分的BO1线段上的任意点P2。
3)设定将AB线段以n1:n2的比率划分的AB线段上的任意点O2。
4)设定将O2O1线段以O1:O2的比率划分的O1O2线段上的任意点P3。
在此，L1:L2、m1:m2、n1：n2和o1:o2的比率彼此相同或彼此不同，并且可以各自独立地为1:1000至1000:1。
5)去除由P1O1P2P3多边形形成的区域。
6)将由ABP2P3P1多边形形成的形状用作凸部的截面。
通过调节L1:L2、m1:m2、n1：n2和o1:o2的比率，可以将图案层修改为各种形状。例如，当L1和m1增加时，图案的高度可以增加，当o1增加时，在凸部上形成的凹部的高度可以减小，并且通过调节n1的比率，可以将形成在凸部上的凹部的最低点的位置调节为更靠近凸部的斜边的任一侧。
图43示出了使用根据图42的装饰元件的图案层的制备方法制备的图案层。当L1:L2、m1:m2和o1:o2的比率都相同时，截面形状可以是梯形。梯形的高度(ha，hb)可以通过调节L1:L2的比率来改变。例如，图43(a)示出了当L1:L2的比率为1:1时制备的图案层，图43(b)示出了当L1:L2的比率为2:1时制备的图案层。
图案层表面的凸部或凹部可以是从图案层的表面突出的锥形凸部或凹入图案层的表面中的锥形凹部。
锥形包括圆锥形、椭圆锥形或多棱锥形状。在此，多棱锥的底面的形状包括三角形、四边形、具有5个以上突出点的星形等。根据一个实施例，当在将装饰元件放置在地面上时图案层表面具有锥形凸部形状时，凸部形状的相对于地面垂直的截面中的至少一个可以具有三角形形状。根据另一实施例，当在将装饰元件放置在地面上时图案层表面具有锥形凹部形状时，凸部形状的相对于地面垂直的截面中的至少一个可以具有倒三角形形状。
锥形凸部形状或锥形凹部形状可以具有至少一个非对称结构的截面。例如，当从凸部形状或凹部形状的表面侧观察锥形凸部或锥形凹部时，基于锥体的顶点旋转360度时具有两个以下的相同形状，有利于产生二向色性。图44示出了从凸部形状的表面侧观察到的锥形凸部形状，并且(a)全部示出了对称结构的锥形，(b)示出了非对称结构的锥形。
当将装饰元件放置在地面上时，对称结构的锥形具有与地面平行的方向上的截面(以下称为水平截面)为圆形或具有相同边长的正多边形的结构，并且锥体的顶点存在于垂直线上，该垂直线是与相对于地面的水平截面的重心的截面垂直的垂直线上。然而，具有非对称结构的截面的锥形具有如下结构：当从锥形凸部或锥形凹部的表面侧观察时，锥体的顶点的位置存在于不是锥体的水平截面的重心的点的垂直线上，或者具有如下结构：锥体的水平截面是非对称结构的多边形或椭圆形。当锥体的水平截面是非对称结构的多边形时，多边形的边和角中的至少一个可以设计成与其余部分不同。
例如，如图45所示，可以改变锥体的顶点的位置。具体地，如图45的第一个图所示，当将锥的顶点设计成位于，当从锥形凸部的表面侧观察时，锥体的相对于地面的水平截面的重心(O1)的垂直线上时，基于锥体的顶点旋转360度时，可以获得4个相同的结构(4重对称)。然而，通过将锥体的顶点设计在不是相对于地面的水平截面的重心(O1)的位置(O2)上，对称结构被破坏。当将水平截面的相对于地面的一个边的长度设为x，锥体的顶点的迁移距离设为a和b，锥形状的高度即从锥体的顶点(O1或O2)到相对于地面水平的截面垂直连接的线的长度设为h，并且由水平截面与锥体的侧表面形成的角度设为θn时，可以如下获得图45的表面1、表面2、表面3和表面4的余弦值。
Figure BDA0002899946240000261
Figure BDA0002899946240000262
在此，θ1和θ2相同，因此不具有二向色性。然而，θ3和θ4不同，│θ3-θ4│表示两种颜色之间的色差(ΔE*ab)，因此，可以获得二向色性。在此，│θ3-θ4│>0。如上所述，可以使用由锥体的相对于地面的水平截面和侧表面形成的角度来定量地表示对称结构被破坏的程度，即非对称度，并且表示这种非对称度的值与二向色性的色差成比例。
图46示出了具有最高点具有线形状的凸部形状的表面，(a)示出了具有不显现二向色性的凸部的图案，并且(b)示出了具有显现二向色性的凸部的图案。图46(a)的X-X’截面是等腰三角形或等边三角形，图46(b)的Y-Y’截面是具有不同边长的三角形。
图案层具有最高点具有线形状的凸部形状或最低点具有线形状的凹部形状的表面。线形状可以是直线形状或曲线形状，并且可以包括曲线和直线两者，或者可以为锯齿形。这在图47至图49中示出。当从凸部形状或凹部形状的表面侧观察最高点具有线形状的凸部形状或最低点具有线形状的凹部形状的表面时，基于凸部或凹部的相对于地面的水平截面的重心旋转360度时，仅具有一个相同的形状，有利于显现二向色性。
图案层具有锥形尖部被切割的凸部形状或凹部形状的表面。图50示出了这样的图像：当将装饰元件放置在地面上时，获得倒梯形凹部，在该倒梯形凹部中与地面垂直的截面是非对称的。这样的非对称截面可以具有梯形或倒梯形形状。在这种情况下，也可以通过非对称结构的截面显现二向色性。
除了上述结构之外，也可以获得如图51所示的凸部形状或凹部形状的各种表面。
在本说明书中，除非另有说明，否则“表面”可以是平坦表面，但不限于此，并且其一部分或全部可以是曲面。例如，在与表面垂直的方向上的截面的形状可以包括圆形或椭圆形的弧的一部分的结构、波浪结构或锯齿形。
图案层包括对称结构的图案。作为对称结构，包括棱镜结构、双凸透镜结构等。
图案层在与凸部形状或凹部形状形成的表面相对的表面上具有平坦部，并且该平坦部可以形成在基板上。作为基板层，可以使用塑料基板。作为塑料基板，可以使用三乙酰纤维素(TAC)；环烷共聚物(COP)，例如降冰片烯衍生物；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；聚碳酸酯(PC)；聚乙烯(PE)；聚丙烯(PP)；聚乙烯醇(PVA)；二乙酰纤维素(DAC)；聚丙烯酸酯(Pac)；聚醚砜(PES)；聚醚醚酮(PEEK)；聚苯砜(PPS)，聚醚酰亚胺(PEI)；聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；聚酰亚胺(PI)；聚砜(PSF)；聚芳酯(PAR)，无定形氟树脂等，然而，塑料基板不限于此。
图案层可以包括热固化树脂或紫外线固化树脂。作为固化树脂，可以使用光固化树脂或热固化树脂。作为光固化树脂，可以使用紫外线固化树脂。热固化树脂的示例可以包括硅酮树脂、硅树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、氨基树脂、酚醛树脂、脲树脂、聚酯树脂、三聚氰胺树脂等，但不限于此。作为紫外线固化树脂，通常可以使用丙烯酸类聚合物，例如，聚酯丙烯酸酯聚合物、聚苯乙烯丙烯酸酯聚合物、环氧丙烯酸酯聚合物、聚氨酯丙烯酸酯聚合物或聚丁二烯丙烯酸酯聚合物、硅丙烯酸酯聚合物、丙烯酸烷基酯聚合物等，然而，紫外线固化树脂不限于此。
彩色染料可以进一步被包括在图案层的内部或至少一个表面中。在图案层的至少一个表面上包括彩色染料例如可以指，在图案层的平坦部侧上设置的上述基板层上包括彩色染料的情况。
作为彩色染料，可以使用蒽醌类染料、酞菁类染料、硫代靛蓝类染料、紫罗兰酮类染料、异靛蓝类染料、甲烷类染料、单偶氮类染料、1:2金属络合物类染料等。
当将彩色染料包括在图案层内部时，染料可以被添加到固化树脂中。当在图案层的底部进一步包括彩色染料时，可以使用在基板层的顶部或底部涂覆包含染料的层的方法。
彩色染料的含量例如可以为0wt％至50wt％。彩色染料含量可以确定图案层或装饰元件的透射率和雾度范围，透射率例如可以为20％至90％，雾度例如可以为1％至40％。
在下文中，将参考示例具体描述本说明书，然而，本说明书的范围不受以下示例限制。
1、膜的制备
(1)制备例1：另一表面上设置有基板的无机材料膜的制备
通过在玻璃基板上形成氮氧化铝膜(AlON)来制备基板/膜层叠体。
具体地，为了形成膜，将铝(Al)靶安装在内联溅射设备(In-line Sputter)上，将氩(Ar)气(80sccm)和氮(N2)气(14sccm)注入到腔室中，将腔室内的压力保持在3毫托，并施加2.1kW的电压以执行沉积240秒。
(2)制备例2：在另一表面上设置有基板的有机材料膜的制备
通过在硅(Si)基板上形成有机材料膜(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)来制备基板/膜层叠体。
具体地，使将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)以2wt％(重量％)溶解在甲苯溶剂中得到的溶液以1000rpm的旋转速度旋涂在硅(Si)基板上进行1分钟，将产物在烘箱中干燥30分钟，以形成有机材料膜。
2、沉积材料对蚀刻气体的反应性测试
(1)无机材料(氮氧化铝)
为了测试氮氧化铝对蚀刻气体(SF6)的反应性，将铝(Al)靶安装在内联溅射设备上，将氩(Ar)气(80sccm)和氮(N2)气(14sccm)注入到腔室中，将腔室内的压力保持在3毫托，并施加1.86W/cm2的电力80秒，以在基板上沉积氮氧化铝。
之后，使用蚀刻气体(SF6)对氮氧化铝执行干蚀刻工艺。具体地，通过使用RIE-ICP设备，将SF6气体以20sccm的流量注入到腔室中，在5毫托的压力下以RF方式向样品侧施加100W的电力，并向ICP侧施加800W的电力，由此执行蚀刻工艺120秒。在执行该工艺的同时，将氦气(He)施加到样品侧进行冷却。
氮氧化铝的蚀刻结果示于图2中。当参考图2时，可以确认，除了用于固定样品的形成有红色虚线的区域以外的部分的氮氧化铝被蚀刻。由此，可以确认，氮氧化铝(AlON)对蚀刻气体(SF6)具有优异的反应性。
(2)有机材料(PMMA)
测试了有机材料(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)对蚀刻气体(O2)的反应性。
对于根据制备例2的膜层叠体，使用蚀刻气体(O2)执行干蚀刻工艺。具体地，通过使用RIE-ICP设备，将O2气体以20sccm的流量注入到腔室中，以RF方式施加100W的电力，由此执行蚀刻工艺60秒。
有机材料的蚀刻结果示于图3中。当参考图3时，可以确认，除了用于固定样品的形成有红色虚线的区域以外的部分的有机材料被蚀刻。由此，可以确认，有机材料(PMMA)对蚀刻气体(O2)具有优异的反应性。
为了根据制备例2在设置有硅基板的有机材料膜上形成铟岛掩模，使用内联溅射工艺，并且作为气体，将氩气以50sccm的流量注入到腔室中，并且在2毫托的压力下施加0.74W/cm2的电力以执行100秒。
之后，使用RIE设备对膜进行蚀刻。在此，当腔室达到10毫托的真空状态时，在将O2气以20sccm的流量注入到腔室中的环境下，以RF方式向基板侧施加200W的电力，由此执行蚀刻工艺60秒。
(3)铟
为了测试铟对蚀刻气体(SF6)的反应性，将铟(In)靶安装在内联溅射设备上，将氩(Ar)气(50sccm)注入到腔室中，将腔室内的压力保持在2毫托，并施加1.48W/cm2的电力，以执行沉积100秒。
之后，使用蚀刻气体(SF6)执行干蚀刻工艺，结果示于图4中。具体的工艺条件与上述的氮氧化铝的蚀刻工艺相同。当参考图4时，可以确认，铟几乎不被蚀刻。由此，可以确认，铟对SF6的反应性低，铟是将SF6用作蚀刻气体时适合用作掩模的适合的材料。
根据上述结果，可以确认，在使用蚀刻气体蚀刻无机材料(氮氧化铝)时，能够将铟用作掩模。
3、膜制造实验
通过改变铟岛掩模的沉积条件，铟岛掩模的形状形成为不同，当采用它们中的每一个作为岛掩模来蚀刻膜时，比较膜蚀刻的程度。
<示例1>
为了根据制备例1在膜的一个表面上形成铟(In)岛掩模，将铟靶安装在内联溅射设备上，将氩(Ar)气以50sccm的流量注入到腔室中，并在2毫托的压力条件下施加0.37W/cm2的电压，以执行沉积工艺100秒。在此，铟靶与腔室内的薄膜之间的距离为80mm，并且沉积在室温(25℃)下进行。
之后，通过使用岛作为掩模对膜进行干蚀刻来形成图案部。具体地，使用RIE-ICP蚀刻机II对膜进行蚀刻。向腔室顶部的圆形天线施加800W的电力以形成ICP，并向基板侧施加100W的电力。
在此，通过将SF6气体以20sccm的流量注入以进行蚀刻2分钟，并且在蚀刻工艺期间，通过注入氦气来冷却基板侧。
<示例2>
除了在形成铟岛掩模时将电压改变为0.74W/cm2以外，以与示例1相同的方式对膜进行蚀刻。
<示例3>
除了在形成铟岛掩模时将电压改变为1.48W/cm2以外，以与示例1相同的方式对膜进行蚀刻。
图5至图7分别示出了示例1至3的蚀刻工艺(干蚀刻)之前和之后的膜表面的扫描电子显微镜(SEM)图像。
另外，使用AFM测量示例1至3的蚀刻工艺之前的膜的岛结构形状的宽度和高度，结果总结于表1中。
【表1】
示例1 示例2 示例3
宽度(nm) 33.2～68.4 64.5～97.7 205.1～224.6
高度(nm) 3.3～8.3 13.6～18.9 55.0～64.9
<参考例1>
以与示例1相同的方式对膜进行蚀刻，不同之处在于，使用铟靶与薄膜之间的距离被调节为400mm的距离的间歇式腔室(batch-type chamber)，通过在5毫托的压力条件下施加3.1W/cm2的偏置电力以将铟沉积1500秒。在此，铟岛掩模的高度为1500nm，并且所沉积的铟岛掩模的形状示于图8和图9中。
<参考例2>
以与参考例1相同的方式对膜进行蚀刻，不同之处在于，将铟沉积1800秒。在此，铟岛掩模的高度为2000nm，并且所沉积的铟岛掩模的形状示于图10和图11中。
根据上述结果，可以确认，在示例1至3中，铟岛掩模以彼此分离的岛形式存在，并且在蚀刻工艺中通过使用铟岛掩模作为掩模有效地蚀刻了膜。另一方面，在参考例1和2中，可以确定，铟岛掩模太厚并且具有彼此连接的结构，并且膜没有被顺利地蚀刻。
<示例4：硅膜的蚀刻>
为了在硅(Si)膜的一个表面上形成铟(In)岛掩膜，将铟靶安装在内联溅射设备上，将氩(Ar)气以50sccm的流量注入到腔室中，在2毫托的压力条件下施加1.5W/cm2的电压，以执行沉积工艺100秒。在此，铟靶与腔室内的薄膜之间的距离为80mm。
之后，使用RIE-ICP蚀刻机II对膜进行蚀刻。向腔室顶部的圆形天线以RF方式施加800W的电力以形成ICP，并向基板侧施加100W的电力。
在此，将SF6气体以20sccm的流量并且在5毫托的压力下注入的环境下进行蚀刻120秒，并且在蚀刻工艺期间，使用氦气冷却基板侧。
图12至图13分别示出了示例4的蚀刻工艺之前和之后的膜表面的扫描电子显微镜(SEM)图像。
根据上述结果，可以确认，暴露于蚀刻气体的硅膜被蚀刻，未暴露于蚀刻气体的硅膜未被蚀刻。
<参考例3>
以与示例4相同的方式蚀刻膜，不同之处在于，为了在硅(Si)膜上形成铟岛掩模，将铟靶安装在内联溅射设备上，将氩(Ar)气以50sccm的流量注入到腔室中，在2毫托的压力条件下施加3W/cm2的电压，以执行沉积工艺1000秒。
图14至图15分别示出了参考例3的蚀刻工艺之前和之后的膜表面的扫描电子显微镜(SEM)图像。
根据上述结果，可以确认，铟岛的形状和大小不均一，并且蚀刻工艺未均匀地进行。
4、膜制造实验
通过改变膜(或光吸收层)的蚀刻条件来测试制造的装饰元件(用于装饰元件的膜)的电阻值的变化。
<比较例1>
将玻璃基板引入到安装有铝靶的内联溅射设备，将氩气(Ar)和氮气(N2)分别以80sccm和14sccm的流量注入到腔室中，并在3毫托的压力条件下施加3.12W/cm2的电力，以执行沉积工艺80秒，其结果，在玻璃基板上形成了氮氧化铝(AlON)光吸收层。
之后，将形成有光吸收层的玻璃基板引入到安装有铟靶的内联溅射设备中，将氩气(Ar)以50sccm的流量注入到腔室中，并在2毫托的压力条件下施加1.48W/cm2的电力，以执行沉积工艺100秒，其结果，通过在光吸收层上形成铟光反射层制造了装饰元件。
图16至图18中示出了装饰元件的光反射层侧的SEM图像。
对于装饰元件，使用两点探针型电阻测量设备(日置有限公司，产品名称3244-60，Card Hi-tester)来测量电阻。当测量电阻时在样品上彼此接触的两个探针之间的长度为1cm至10cm，并且在基于1cm标准化之后记录了电阻值。
在此，电阻值为50000Ω。
<示例5>
使用RIE-ICP蚀刻机II，通过对在比较例1中制造的装饰元件的光吸收层进行蚀刻来制造装饰元件。形成了具有以800W向腔室顶部的圆形天线施加的RF的ICP电力，并且以100W向基板侧施加了偏置RF(RIE)。
在此，通过将SF6气体以20sccm的流量注入，以进行蚀刻大于等于30秒且小于60秒，并且在蚀刻工艺期间，过注入氦气来冷却基板侧。在此，腔室内的压力为5毫托。
以与比较例1相同的方式测量电阻，并且电阻值约为50000Ω，与比较例1几乎相同。
<示例6>
以与示例5相同的方式制造装饰元件，不同之处在于，当沉积铟光反射层时，通过将电力改变为0.37W/cm2，形成3nm至8nm的铟光反射层。在此，光吸收层(基板)与溅射靶之间的最短距离大于200mm。
图19和图20中分别示出了装饰元件的干蚀刻工艺之前和之后的图像。根据图像，可以确认，铟光反射层太薄，在蚀刻工艺期间铟大部分消失。装饰元件形成有光吸收层和光反射层，并且，由于光反射层消失，所以装饰元件的功能不能被执行。
<示例7>
除了将蚀刻时间调整为2分钟以外，以与示例5相同的方式制造装饰元件。
图21至图23中示出了装饰元件的光反射层侧的SEM图像。
以与比较例1中相同的方式测量电阻，并且电阻值约为500000Ω，其是比较例1的10倍。
<示例8>
除了将蚀刻时间调整为5分钟以外，以与示例5相同的方式制造装饰元件。
图24和图25中示出了装饰元件的光反射层侧的SEM图像。
以与比较例1中相同的方式测量电阻，并且电阻值超过了测量设备的极限。测量设备的测量极限约为42×106Ω，因此，可以看出电阻增加约800倍以上。
根据示例和比较例中的电阻测量结果，可以确认，在蚀刻光吸收层时调节蚀刻条件改变了光吸收层的蚀刻程度，并且制造的装饰元件的电阻值也显著改变。特别地，在示例7和8中，可以确认，电阻值显著增大。

Claims (15)

1.一种用于装饰元件的膜的制造方法，所述方法包括：
在膜的一个表面上沉积两个以上的岛；以及
通过使用所述岛作为掩模对所述膜进行干蚀刻来形成图案部。
2.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛的宽度为10nm至1000nm，所述岛的高度为5nm至1000nm。
3.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛的水平截面为800,000nm2以下。
4.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛的垂直截面为800,000nm2以下。
5.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛包含铟(In)。
6.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述膜上沉积两个以上的岛是在10℃至100℃的温度条件下进行的。
7.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述膜上沉积两个以上的岛使用蒸发方法或溅射方法。
8.根据权利要求7所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述溅射方法中，所述膜与溅射靶之间的最短距离(d1)为200mm以下，并且在所述溅射靶的每单位面积上施加0.1W/cm2至10W/cm2的电力条件下施加电力10秒至1000秒。
9.根据权利要求7所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述溅射方法中，所述膜与溅射靶之间的最短距离(d2)大于200mm，并且在所述溅射靶的每单位面积上施加1W/cm2至10W/cm2的电力条件下施加电力10秒至1200秒。
10.根据权利要求7所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述溅射方法使用氩气(Ar)、氦气(He)或氮气(N2)作为溅射气体。
11.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述干蚀刻中，将所述膜引入到腔室中，以5sccm至100sccm的流量供应蚀刻气体，并在0.5毫托至100毫托以下的压力条件下施加50W至1000W的电力。
12.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述干蚀刻是电容耦合等离子体(CCP)蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)蚀刻、电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻或微波蚀刻的方法。
13.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述膜为金属、有机材料、或无机材料。
14.根据权利要求13所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述金属为选自由钛(Ti)、锡(Sn)、铝(Al)、镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钕(Nd)、铁(Fe)、铬(Cr)和钴(Co)组成的组中的一种、两种或更多种。
15.根据权利要求13所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述无机材料为选自由铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、硅(Si)、锗(Ge)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钕(Nd)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)和银(Ag)中任一者的氮化物；其氧化物；其氮氧化物；或GaAs、AlAs、AlGaAs、GaP、InP、InAs、InGaAs、InSb、CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnS、ZnO、GaN、AlGaN、InAlN、HgCdTe和石墨烯组成的组中的一种或多种。
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