JP2009538986A - 回転可能なスパッタターゲット - Google Patents
回転可能なスパッタターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009538986A JP2009538986A JP2009512594A JP2009512594A JP2009538986A JP 2009538986 A JP2009538986 A JP 2009538986A JP 2009512594 A JP2009512594 A JP 2009512594A JP 2009512594 A JP2009512594 A JP 2009512594A JP 2009538986 A JP2009538986 A JP 2009538986A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputter
- sputter target
- compound
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 169
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 4
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010303 TiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0089—Reactive sputtering in metallic mode
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本発明は、回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。スパッタターゲットは、ターゲット材料及びターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を備えている。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を備えると共に、少なくとも端区域において第２の材料を備えている。第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。好ましくは第２の材料は、溶射によって施される。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
Description
本発明は、改良された回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。
過去数１０年にわたって、マグネトロンスパッタリングは、薄い被膜、例えば、金属被膜又はセラミック被膜をガラスのような大面積基板又は細長い柔軟基板に堆積させるための周知の技術になってきた。
スパッタリングの技術は、通常、酸化珪素、窒化珪素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫などを堆積するのに用いられる。
スパッタ堆積率及びターゲット消耗度は、スパッタプロセスを経済的に興味深いものにするための重要な検討事項である。
回転可能なスパッタターゲットの導入によって、いくつかの利点が実現され得るようになり、スパッタプロセスは、より魅力的になってきた。最も重要な利点は、ターゲット材料の消耗率が高められること、より高い電力密度を用いる可能性、従って、より高いスパッタ堆積率を得る可能性があること、ＡＣスパッタリング中の陽極機能性が高められること、及び反応性スパッタリング中のアーク感受性が著しく減少することである。
しかし、多数の利点を達成する一方、回転可能なスパッタターゲットは、問題も呈している。
反応性スパッタリングは、反応ガス内における金属のスパッタ堆積率をヒステレシス曲線から知られるように生じさせ、かつ制御することを含んでいる。
高スパッタ堆積率は、金属モードにおいて得られる。しかし、反応ガスがターゲット材料と反応するので、露出した非スパッタリング面の全てに、絶縁物質が堆積される可能性がある。
より高いスパッタ堆積率を得るために、迅速フィードバックループによってターゲットを準安定の半汚染（semi-poisoned）状態に維持するシステムが開発されてきた。オペレータは、プロセスの感知可能な信号（例えば、分圧、ターゲット電圧、プラズマの光学的放射など）を監視しながら、不安定な状況からのどのようなずれをもフィードバックし、半汚染されたターゲット状態を維持することができる。
回転可能なターゲットの消耗率は、平面ターゲットと比較して著しく高いが、依然として、かなりの量のターゲット材料が、スパッタターゲット及び磁石アレイの配置によって失われるので、回転可能なターゲットのターゲット材料の消耗率は、いまだに、検討事項として残っている。
運転中、回転可能なスパッタターゲットは、静止したレーストラックの下を通って回転する。レーストラックのＵターン部分では、より高い電力密度、従って、より高いスパッタ堆積が得られ、その結果、ターゲット材料のより高い消耗率がもたらされる。しかし、レーストラックのＵターン部分において使用可能なターゲット材料の全てが消耗されると、かなりの量の有用な材料がターゲットの主要部分に残っていても、ターゲットを取り換えねばならない。
これらの問題を解消するために、スパッタターゲットの両端により多くの材料を施すことが、当技術分野において知られている。こうして得られたスパッタターゲットは、ドッグボーン（dog-bone）ターゲットと呼ばれている。
しかし、材料の脆弱さ及び製造上の問題から、このドッグボーンによる解決策が用いられる範囲は、制限されている。
前述の問題は、十分なフィードバックループシステムを用いることによって、及びドッグボーン構造を有するターゲットを用いることによって、解消されるかもしれないが、新たな問題が生じる。ターゲットの消耗率が、例えば、典型的には平面ターゲットに対して知られている値にまで低下する。
米国特許第５，４７０，４５２号及び第５，７２５，７４６号は、外面にターゲット材料を有する細長の管状材料を備える回転可能なターゲットを開示している。ターゲットは、管状部材の少なくとも一端に導電性材料のカラーを備えている。ターゲット材料は、カラー材料から実質的に独立している。カラー材料はアーキングを抑止する。しかし、この種の回転可能なターゲットは、多くの欠点を呈している。
カラーとターゲット材料との間の熱的な接触が最適ではないので、カラー材料の熱応力が高くなる可能性がある。
カラーは、ターゲット材料の残りと比較して、熱的に大きく膨張する。その結果、カラーと水冷ターゲット材料との間の熱的な接触が、さらに低減する。最終的に、スパッタリング中に、カラーが、回転しているターゲット材料を覆う徐々に大きくなる遊動リングとして機能し、ターゲット材料上に局部的な溶融区域を生じさせる可能性がある。
この種の回転可能なターゲットのさらに他の欠点は、カラー材料からスパッタされた材料が、被覆される基板の縁にも堆積し、ターゲットからスパッタされた材料と混合される点にある。
本発明の目的は、先行技術の問題を回避する、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
本発明の他の目的は、最適化されたターゲット消耗率を有する、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、ターゲット材料の実質的に全長がスパッタリングプロセスに用いられる、回転可能なスパッタターゲットを提供することにある。
本発明の他の目的は、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法を提供することにある。
本発明の第１の態様によれば、回転可能なスパッタターゲットが提供される。
回転可能なスパッタターゲットは、ターゲット材料及び前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。
ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を含んでいる。ターゲット材料の第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を含み、少なくとも端区域において第２の材料を含んでいる。
第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
好ましい実施形態では、第１の材料は、中心区域及び端区域に施される一方、第２の材料は、少なくとも端区域において、第１の材料の上に施される。
好ましくは、第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び第２の材料から堆積された被膜スパッタは、実質的に同一の組成を有している。「実質的に同一の組成」という用語は、第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び第２の材料から堆積された被膜スパッタは、少なくとも８０％の原子組成が、同一であることを意味している。
「実質的に同一の組成」という用語について、例を挙げて、さらに説明する。
以下の組成を有する材料Ｘ及び材料Ｙ、すなわち、
４０原子％の成分ａ、３０原子％の成分ｂ、２０原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｄを含み、（成分ｅを含まない）、材料Ｘと、
３５原子％の成分ａ、４０原子％の成分ｂ、１５原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｅを含み、（成分ｄを含まない）、材料Ｙと
は、原子組成の８０％が同一なので、実質的に同一の組成を有すると見なされる。
４０原子％の成分ａ、３０原子％の成分ｂ、２０原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｄを含み、（成分ｅを含まない）、材料Ｘと、
３５原子％の成分ａ、４０原子％の成分ｂ、１５原子％の成分ｃ、及び１０原子％の成分ｅを含み、（成分ｄを含まない）、材料Ｙと
は、原子組成の８０％が同一なので、実質的に同一の組成を有すると見なされる。
第１の材料及び第２の材料が、実質的に同一の組成を有する被膜を基板に堆積するのに用いられるので、ターゲット金属の実質的に全長が、スパッタリングに用いられることになる。
「ターゲット材料の実質的に全長」という用語は、中心区域及び端区域を意味している。
ターゲット材料の実質的に全長がスパッタリングに用いられるという事実は、当技術分野において知られているスパッタターゲットと比較して、本発明による回転可能なスパッタターゲットの大きな利点である。
原理的に、第１の材料は、ＤＣスパッタリング又は中周波ＡＣスパッタリングに用いられるどのような材料を含んでもよい。
前述したように、第１の材料は、少なくとも第１の元素を含んでいる。
好ましくは、第１の元素は、金属を含み、さらに好ましくは、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される金属を含んでいる。第１の材料は、第１の元素の化合物又は合金を含んでもよい。
第１の材料は、他の元素がドープされた第１の元素を含んでもよい。
さらに、第１の材料は、他の元素がドープされた第１の元素の化合物、又は他の元素がドープされた第１の元素の合金を含んでもよい。
前述したように、第２の材料は、好ましくは、上記の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
本発明の目的のために、第１の材料の第１の元素の化合物は、第１の元素を含む任意の材料として、規定されている。
第２の材料は、例えば、第１の材料の第１の元素からなるとよい。
代替的に、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の合金を含んでもよい。
さらに、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物、例えば、第１の材料の第１の元素の酸化物、窒化物、又は酸窒化物を含んでもよい。
他の実施形態では、第２の材料は、第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、第１の材料の第１の元素、又は第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
本発明による回転可能なスパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられるのに、特に適している。
好ましい実施形態では、第１の材料は金属を含み、第２の材料はこの金属と反応ガスとの化合物を含んでいる。
本発明による回転可能なターゲットの好ましい実施形態として、
第１の材料としてＺｎ及び第２の材料としてＺｎＯ２を含むターゲット材料を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
第１の材料としてＴｉ及び第２の材料としてＴｉＯｘＮｙ（０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦２、但し、ｘ又はｙの少なくとも１つは、０と異なる）を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素、窒素、又は酸素及び窒素の混合物を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
−第１の材料としてＳｉ：Ａｌ（１０ｗｔ％Ａｌ）及び第２の材料としてＳｉを含むターゲット材料を有し、任意の種類の反応ガス、好ましくは、酸素又は窒素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと
が挙げられる。
第１の材料としてＺｎ及び第２の材料としてＺｎＯ２を含むターゲット材料を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
第１の材料としてＴｉ及び第２の材料としてＴｉＯｘＮｙ（０≦ｘ≦２、０≦ｙ≦２、但し、ｘ又はｙの少なくとも１つは、０と異なる）を有し、好ましくは、反応ガスとして酸素、窒素、又は酸素及び窒素の混合物を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと、
−第１の材料としてＳｉ：Ａｌ（１０ｗｔ％Ａｌ）及び第２の材料としてＳｉを含むターゲット材料を有し、任意の種類の反応ガス、好ましくは、酸素又は窒素を用いる反応性スパッタプロセスに用いられる回転可能なターゲットと
が挙げられる。
ターゲット材料は、自己支持形であってもよいし、又はターゲット基部に堆積されてもよい。
可能であれば、ターゲット材料が施される前に、接着促進層がターゲット基部に施されてもよい。
ターゲット材料の第１の材料及び第２の材料は、当技術分野において知られているどのような技術、例えば、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形、溶射のような噴霧、又はこれらの組合せによって、得られてもよい。
第２の材料は、好ましくは、溶射によって得られる。この場合、第２の材料が溶射によって施されると、第１の材料と第２の材料との界面に拡散層が形成される。この拡散層によって、第１の材料と第２の材料との間に優れた熱伝導率が保証される。
拡散層の存在によって、第２の材料は第１の材料に係留され、スパッタターゲットの使用中、遊離することがない。
これは、当技術分野において知られているスパッタターゲットと比較して、大きな利点である。
本発明の好ましい実施形態では、第１の材料及び第２の材料のいずれも溶射によって得られる。
本発明によるスパッタターゲットの第１のグループは、ターゲット基部の全長にわたって均一な厚みのターゲット材料を有するスパッタターゲットを含んでいる。
ターゲット材料の厚みは、好ましくは、２ｍｍから３０ｍｍの範囲内、さらに好ましくは、４ｍｍから１５ｍｍの範囲内である。
本発明によるスパッタターゲットの第２のグループは、ターゲット材料がドッグボーン構造を有するスパッタターゲットを含んでいる。
ドッグボーン構造を有するターゲット材料の場合、端区域におけるターゲット材料の厚みは、中心区域に配置されたターゲット材料の厚みよりも大きい。
ターゲット材料がドッグボーン構造を有する場合、中心区域におけるターゲット材料の厚みは、好ましくは、２ｍｍから２０ｍｍの範囲内にあり、端区域におけるターゲット材料の厚みは、好ましくは、３ｍｍから３０ｍｍの範囲内にある。
本発明の第２の態様によれば、回転可能なスパッタターゲットを製造する方法が提供される。
この方法は、
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
ターゲット材料の内部に配置される磁石アレイを設けるステップであって、磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含んでいる。
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
ターゲット材料の内部に配置される磁石アレイを設けるステップであって、磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含んでいる。
ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を含み、少なくとも端区域において第２の材料を含んでいる。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
好ましい方法では、ターゲット材料は、中心区域及び端区域において第１の材料を含み、端区域において、第１の材料の上に第２の材料を含んでいる。
第１の材料及び第２の材料は、好ましくは、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形、又は噴霧によって得られる。
さら好ましくは、第２の材料は溶射によって得られる。
以下、添付の図面に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
第１の試験では、先行技術によって知られている回転可能な金属チタンターゲットを用いて、二酸化チタン被膜を堆積する。
ターゲットは、真っ直ぐな構造を有し、このターゲットに、十分なフィードバックループシステムが設けられている。ターゲットの消耗率は、１４〜４５％に制限されている。
本出願人は、どのような理論にも縛られることを望まないが、以下のことがなされていると思われる。
フィードバックループシステムは、ターゲットの長さの両端間の１つ又は複数個所において、変動する特定の迅速反応プロセスを監視している。
フィードバックパラメータを適切に保つことによって、ターゲット面は、半汚染状態に保持されている。しかし、同時に、レーストラックのＵターン部分は、異なる汚染条件下に位置することになる。
本発明の目的のために、「レーストラックのＵターン部分」という用語は、中心ターゲット領域（スパッタリング区域）よりもプラズマ密度が高い区域、又は中心ターゲット領域（スパッタリング区域）よりもプラズマ領域における滞留時間が長い区域として、定義される。
より高いプラズマ密度又はより長いプラズマ露出によって、表面がより清浄化され、（すなわち、酸素が排除され、新鮮なチタンが露出され）、これによって、酸素がより少ない場合に匹敵する表面状態が得られる。
その結果、レーストラックのＵターン部分では、より酸化されない又はより汚染されないチタンが高堆積率でスパッタされ、その一方、スパッタターゲットの中心では、より汚染されたチタン又は（亜）酸化チタンが、低スパッタ堆積率でスパッタされることになる。
従って、レーストラックのＵターン部分では、プラズマ滞留時間が長いので、スパッタ堆積率がより高く、また、材料が、次々、より高いスパッタ堆積率でスパッタされる。
両方の効果によって、レーストラックのＵターン部分では、極めて高い堆積率がもたらされ、その結果として、全体のターゲット消耗率が、典型的には平面ターゲットに対して知られている値にまで低下する。
図１は、本発明による回転可能ターゲット１０を示している。回転可能なターゲット１０は、ターゲット基部１１、ターゲット基部の外側に施されたターゲット材料１２、及び前記ターゲット基部内に配置された磁石アレイ１３を備えている。磁石アレイ１３は、中心区域１４及び端区域１５を画定している。磁石アレイ１３は、中心区域１４及び２つの端区域１５を画定している。中心区域１４は、ターゲット基部１１の長さの大部分に沿って延在している。中心区域の端は、磁石アレイ１３の端と略対応している。
ターゲット材料１２は、第１の材料１６及び第２の材料１７を備えている。
第１の材料１６は少なくとも中心区域１４に施され、第２の材料１７は少なくとも端区域１５に施されている。
第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。
第１の材料はＴｉを含み、第２の材料はＴｉＯｘ（０≦ｘ≦２）を含んでいる。ＴｉＯｘは、溶射によって施されている。
回転可能なターゲット１０は、反応性プロセスにおいて用いられ、このターゲット１０に、十分なフィードバックシステムが設けられている。
端区域１５に配置された第２の材料１７は、中心区域１４に配置された第１の材料の堆積率と同様の堆積率でスパッタされる。
端区域１５の第２の材料１７も、良好な品質のＴｉＯ２層を形成する。何故なら、（必要以上のエロージョンによる）ガス中の欠乏した酸素量が、第２の材料１７に含まれる酸素の存在によって、補われるからである。
Claims (35)
- ターゲット材料と、
前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイと
を備える、回転可能なスパッタターゲットであって、前記磁石アレイは、前記ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、前記中心区域の各端に端区域を画定し、前記ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を含み、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有し、前記ターゲット材料は、少なくとも前記中心区域において前記第１の材料を含み、少なくとも前記端区域において前記第２の材料を含み、前記第１の材料は、第１の元素を含み、前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む、スパッタターゲット。 - 前記第１の材料は、前記中心区域及び前記端区域に施され、前記第２の材料は、少なくとも前記端区域において、前記第１の材料の上に施される請求項１に記載の回転可能なターゲット。
- 前記第１の材料から堆積された被膜スパッタ及び前記第２の材料から堆積された被膜スパッタは、実質的に同一の組成を有する請求項１又は２に記載のスパッタターゲット。
- 前記第１の材料の前記第１の元素は、金属を含む請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される請求項４に記載のスパッタターゲット。
- 前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素からなる請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の合金を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第２の材料は、前記第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素を含み、又は前記第１の元素以外の少なくとも１つの材料がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１〜６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記スパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられる請求項１〜９のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第１の材料は、金属を含み、前記第２の材料は、前記金属と前記反応ガスとの化合物を含む請求項１〜１０のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記ターゲット材料は自己支持形である請求項１〜１１のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記ターゲット材料は、ターゲット基部に堆積される請求項１〜１２のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第１の材料及び前記第２の材料は、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形又は噴霧によって得られる請求項１〜１３のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第２の材料は、溶射によって得られる請求項１〜１４のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記第１の材料と前記第２の材料との間に、拡散層が形成される請求項１〜１５のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記ターゲット材料は、その全長にわたって均一な厚みを有する請求項１〜１６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 前記ターゲット材料は、前記ターゲット材料の厚みが前記端区域でより厚いドッグボーン構造を有する請求項１〜１６のいずれかに記載のスパッタターゲット。
- 請求項１〜１８のいずれかに記載のスパッタターゲットを製造する方法であって、
第１の材料及び第２の材料を含むターゲット材料を設けるステップであって、前記第２の材料は、前記第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有する、ステップと、
前記ターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを設けるステップであって、前記磁石アレイは、前記ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、前記中心区域の各端に端区域を画定する、ステップと
を含み、前記ターゲット材料は、少なくとも前記中心区域において前記第１の材料を含み、少なくとも前記端区域において前記第２の材料を含み、前記第１の材料は、第１の元素を含み、前記第２の材料は、前記第１のものの化合物を含む、方法。 - 前記第１の材料は、前記中心区域及び前記端区域に施され、前記第２の材料は、少なくとも前記端区域において、前記第１の材料の上に施される請求項１９に記載の方法。
- 前記第１の材料の前記元素は、金属を含む請求項１９又は２０に記載の方法。
- 前記金属は、Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｄ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗからなる群から選択される請求項２１に記載の方法。
- 前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素からなる請求項１９〜２２に記載の方法。
- 前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の合金を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
- 前記第２の材料は、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
- 前記第２の材料は、前記第１の元素以外の少なくとも１つの元素がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素を含み、又は前記第１の元素以外の少なくとも１つの材料がドープされた、前記第１の材料の前記第１の元素の化合物を含む請求項１９〜２２のいずれかに記載の方法。
- 前記スパッタターゲットは、反応ガスを用いる反応性スパッタプロセスに用いられる請求項１９〜２６のいずれかに記載の方法。
- 前記第１の材料は、金属を含み、前記第２の材料は、前記金属と前記反応ガスとの化合物を含む請求項１９〜２７のいずれかに記載の方法。
- 前記ターゲット材料は自己支持形である請求項１９〜２８のいずれかに記載の方法。
- 前記ターゲット材料は、ターゲット基部に堆積される請求項１９〜２８のいずれかに記載の方法。
- 前記第１の材料及び前記第２の材料は、注型、押出、焼結、熱間静水圧成形又は噴霧によって得られる請求項１９〜３０のいずれかに記載の方法。
- 前記第２の材料は、溶射によって得られる請求項１９〜３１のいずれかに記載の方法。
- 前記第１の材料と前記第２の材料との間に、拡散層が形成される請求項１９〜３２のいずれかに記載の方法。
- 前記ターゲット材料は、その全長にわたって均一な厚みを有する請求項１９〜３３のいずれかに記載の方法。
- 前記ターゲット材料は、前記ターゲット材料の厚みが前記端区域でより厚いドッグボーン構造を有する請求項１９〜３３のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06114890 | 2006-06-02 | ||
| PCT/EP2007/055281 WO2007141174A1 (en) | 2006-06-02 | 2007-05-31 | A rotatable sputter target |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009538986A true JP2009538986A (ja) | 2009-11-12 |
Family
ID=36649090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009512594A Pending JP2009538986A (ja) | 2006-06-02 | 2007-05-31 | 回転可能なスパッタターゲット |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8043488B2 (ja) |
| EP (1) | EP2024530A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009538986A (ja) |
| CN (1) | CN101484605A (ja) |
| WO (1) | WO2007141174A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012523497A (ja) * | 2009-04-10 | 2012-10-04 | サン−ゴバン コーティング ソルスィヨン | モリブデン系ターゲット及び溶射によってターゲットを製造するための方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2723915A1 (en) | 2011-06-27 | 2014-04-30 | Soleras Ltd. | Sputtering target |
| AT12292U3 (de) * | 2011-10-18 | 2013-03-15 | Plansee Se | Rohrtarget |
| KR102152949B1 (ko) * | 2013-04-24 | 2020-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| CN103409725A (zh) * | 2013-05-22 | 2013-11-27 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 旋转异形靶阴极机构及磁控溅射镀膜装置 |
| CN105378138B (zh) * | 2013-07-09 | 2017-11-17 | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 | 用于电绝缘层的反应溅射沉积的靶 |
| CN104372299B (zh) * | 2013-09-23 | 2017-08-04 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 多层结构硬质、耐磨、润滑涂层及其制备方法 |
| CN105463390B (zh) * | 2014-09-12 | 2018-12-04 | 安泰科技股份有限公司 | 旋转靶材及其制造方法 |
| CN109161849B (zh) * | 2018-07-19 | 2019-10-11 | 西安交通大学 | 一种银钽复合材料构建的有序多孔阵列及其制备方法 |
| CN109628899A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-04-16 | 苏州罗纳尔材料科技有限公司 | 旋转锌镁靶材及其制备方法 |
| CN110282984A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-27 | 兰品军 | 测试用可变组分的陶瓷旋转靶材及其制备方法 |
| CN111136265B (zh) * | 2020-03-07 | 2022-02-18 | 北京安泰六九新材料科技有限公司 | 一种钛硅合金靶材及其制造方法 |
| CN112079626A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-15 | 韶关市欧莱高新材料有限公司 | 一种铝钕铟锌氧化物旋转靶及其制备方法 |
| CN112094103A (zh) * | 2020-09-16 | 2020-12-18 | 韶关市欧莱高新材料有限公司 | 一种大尺寸钕铝铟锌氧化物平面靶材及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0554551U (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-20 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用筒状ターゲット |
| JPH06235062A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-08-23 | ”エミエル バンデルストラエテン”，ベスローテン フェンノートシャップ メット ベペルクテ アアンスプラケリユクヘイド | スパッタ陰極 |
| JPH0734245A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2000319777A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-21 | Sti Technology Kk | スパッタリング用ターゲットとこれを用いたカラーフィルタ用ブラックマトリクスの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427665A (en) * | 1990-07-11 | 1995-06-27 | Leybold Aktiengesellschaft | Process and apparatus for reactive coating of a substrate |
| EP0543931A4 (en) | 1990-08-10 | 1993-09-08 | Viratec Thin Films, Inc. | Shielding for arc suppression in rotating magnetron sputtering systems |
-
2007
- 2007-05-31 JP JP2009512594A patent/JP2009538986A/ja active Pending
- 2007-05-31 EP EP07729693A patent/EP2024530A1/en not_active Withdrawn
- 2007-05-31 WO PCT/EP2007/055281 patent/WO2007141174A1/en active Application Filing
- 2007-05-31 CN CNA2007800203911A patent/CN101484605A/zh active Pending
- 2007-05-31 US US12/302,203 patent/US8043488B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0554551U (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-20 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用筒状ターゲット |
| JPH06235062A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-08-23 | ”エミエル バンデルストラエテン”，ベスローテン フェンノートシャップ メット ベペルクテ アアンスプラケリユクヘイド | スパッタ陰極 |
| JPH0734245A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2000319777A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-21 | Sti Technology Kk | スパッタリング用ターゲットとこれを用いたカラーフィルタ用ブラックマトリクスの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012523497A (ja) * | 2009-04-10 | 2012-10-04 | サン−ゴバン コーティング ソルスィヨン | モリブデン系ターゲット及び溶射によってターゲットを製造するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090139862A1 (en) | 2009-06-04 |
| CN101484605A (zh) | 2009-07-15 |
| US8043488B2 (en) | 2011-10-25 |
| EP2024530A1 (en) | 2009-02-18 |
| WO2007141174A1 (en) | 2007-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009538986A (ja) | 回転可能なスパッタターゲット | |
| US8123919B2 (en) | Sputtering target with bonding layer of varying thickness under target material | |
| US20020139662A1 (en) | Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process | |
| US6787003B2 (en) | Sputtering target and methods of making and using same | |
| WO1992001081A1 (en) | Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films | |
| CA1263217A (en) | Low contact electrical resistant composition, substrates coated therewith, and process for preparing such | |
| EP1543176B1 (en) | A method for depositing multilayer coatings | |
| GB2130795A (en) | Electrical contacts | |
| EP2616566B1 (en) | Improved method of co-sputtering alloys and compounds using a dual c-mag cathode arrangement and corresponding apparatus | |
| WO2007141173A1 (en) | A rotatable sputter target | |
| WO2002027057A2 (en) | Sputtering target and method of making same | |
| US6420826B1 (en) | Flat panel display using Ti-Cr-Al-O thin film | |
| JPH06240453A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JP2007276291A (ja) | 射出成型用金型部材 | |
| EP1148148A1 (en) | Laminate structure and production method therefor | |
| JP2004083960A (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置 | |
| JP3040432B2 (ja) | スパッタリング用ターゲット | |
| JP3020245B2 (ja) | マグネトロンスパッタ法および磁気記録媒体の製造方法 | |
| FR3130851A1 (fr) | Procédé de fabrication d’une couche sous-stœchiométrique en oxygène d’un oxyde de titane, de vanadium, de tungstène ou de molybdène | |
| JPH09143706A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2830000B2 (ja) | スパッタリング方法及びその装置 | |
| JPS5914107B2 (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JP2002088464A (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、ターゲット装置および真空成膜方法 | |
| JPS61243172A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JPS63157864A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100408 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120810 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121112 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121119 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121210 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121217 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130109 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130117 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130315 |