JPH0554551U - スパッタリング用筒状ターゲット - Google Patents

スパッタリング用筒状ターゲット

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JPH0554551U
JPH0554551U JP10556591U JP10556591U JPH0554551U JP H0554551 U JPH0554551 U JP H0554551U JP 10556591 U JP10556591 U JP 10556591U JP 10556591 U JP10556591 U JP 10556591U JP H0554551 U JPH0554551 U JP H0554551U
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JP
Japan
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target
sputtering
cylindrical
cylindrical target
magnet
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Pending
Application number
JP10556591U
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English (en)
Inventor
昭史 三島
正樹 森川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0554551U publication Critical patent/JPH0554551U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 スパッタリングに用いられる材料の使用効率
をさらに向上させる。 【構成】 純Feなどの強磁性体30によって、局部的
に大きい漏れ磁束Bを下げて平均化し、局部的なエロー
ジョンの発生を防止することができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、スパッタリング用の筒状ターゲットに関し、特に、内部に磁石を 保持した状態で行われるスパッタリング(いわゆるマグネトロンスパッタリング )に用いられる筒状ターゲットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、Si合金等からなるターゲット層を設けたDCスパッタリング用ターゲ ット(以下、単にターゲットと略称する)としては、プレーナ型(円板状もしく は角板状)のものが広く使用されていた。
【0003】 しかし、このターゲットは、材料の使用効率が20%以下と低く、また連続ス パッタリングや長尺物のスパッタリングができない等の欠点もあるために、最近 では円筒状のターゲットが用いられつつある。
【0004】 図3は、こうした円筒状のターゲット1の両端を二つの回転治具10に固定し た例を示す断面図である。
【0005】 前記ターゲット1は、円筒状のステンレス製バッキングチューブ(基体)2の 外周面2aに、溶射法によりSi合金のターゲット層3を均一に形成したもので あり、回転治具10の回転によって軸線回りに回転させられるようになっている 。
【0006】 また、前記ターゲット1の内部には、回転治具10を貫通して磁石保持板11 が挿入され、この磁石保持板11の表面には、鉄板からなるポールピース12を 介して磁石4が固定されている。
【0007】 前記磁石保持板11は、回転治具10とOリングを介して接しており、かつ、 装置本体(図示せず)に取り付けられて、回転治具10を回転させた状態でも回 転しない構成となっている。
【0008】 また、前記磁石4は、図4および図5に示すように、全体長方形をなすように 配置され、かつ、S極をポールピース12側に配置したマグネット部材4aと、 このマグネット部材4aの内側に配置され、これと極性を逆にしたマグネット部 材4bとから構成されている。
【0009】 前記従来のターゲット1においては、図5に示すように磁石4に磁力線が生じ ているので、ターゲット1を静止させた状態でスパッタリングを行うと、マグネ ット部材4aとマグネット部材4bとの間のスパッタ効率が高いために、この部 分にくぼみが発生して、早期に使用限度を迎えてしまい、材料使用効率が悪くな ってしまう。そこで、通常は、磁石4に対してターゲット1を軸回りに回転させ ることによって、材料の使用効率を70〜80%程度まで高めている。
【0010】 しかしながら、従来のターゲット1においては、マグネット部材4bの長手方 向両端部とマグネット部材4aとの間の空間A(図5参照)において、磁力線の 水平成分の総和が最も大きくなって、漏れ磁束Bが大きくなり(図6参照)、ス パッタリングによって、図7に示したように、ターゲット1の端部近傍(前記空 間Aに対応する部分)に局部的な凹部(いわゆるエロージョン)3aが形成され 、この凹部3aの底部におけるターゲット層3の厚さt1が限界厚さとなった時 点で、ターゲット1を交換しなければならなくなり、材料の使用効率が未だ低い という問題があった。
【0011】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、前記した事情に鑑みてなされたもので、材料の使用効率をさらに向 上させることのできる筒状ターゲットを提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】 本考案に係る筒状ターゲットは、筒状のターゲット本体と、このターゲット本 体の軸方向端部近傍に取り付けられた強磁性体とを備えている。
【0013】
【作用】
本考案のターゲットによれば、強磁性体によって、局部的に大きい漏れ磁束を 下げて平均化し、局部的なエロージョンの発生を防止することができる。
【0014】
【実施例】
本考案の実施例に係る筒状ターゲット20の実施例を図1および図2に基づい て説明する。なお、本例の説明においては、前記した従来のターゲットと共通す る構成については同一符号を付して詳細についての説明を省略する。
【0015】 本例のターゲット20においては、バッキングチューブ2の外周面2aの軸方 向端部近傍、すなわち、マグネット部材4bの両端部とマグネット部材4aとの 間の空間Aに対応する位置に、全周にわたって2つの凹部2bを形成し、この凹 部2b中に、円筒状に成形された強磁性体20を嵌合し、バッキングチューブ2 および強磁性体20の周面にターゲット層3を形成した点で前記従来のターゲッ トと相違している。
【0016】 ここで、前記強磁性体としては、純Fe、純Ni、純Coなどを用いることが 好ましいが、これらの合金、例えばNi−19%Feであってもよく、その他の 強磁性体を用いることも可能である。
【0017】 本例のターゲット20によれば、図1に示したように、ターゲット20の端部 近傍に設けた強磁性体30によって、従来この端部近傍において大きく発生して いた漏れ磁束Bを下げ、ターゲット全体にわたって平均化することができるので 、ターゲット層3の端部近傍におけるエロージョン3aの発生を防止でき、ター ゲット層3のほぼ全体を限界厚さt1まで使用することが可能となり(図2参照 )、ターゲットの使用効率をほぼ90〜95%にまで高めることができるという 利点がある。
【0018】 また、本例のターゲット20によれば、バッキングチューブ2の凹部2b内に 円筒状の強磁性体30を嵌合する構成としたので、バッキングチューブ2の外周 面2aと強磁性体30の外周面とを同一面上に形成することができ、したがって 、これらの表面に形成されるターゲット層3の表面を平滑にすることが容易であ り、凸部を削り落とす手間や、材料の無駄を省くことができるという利点もある 。
【0019】 なお、前記実施例のターゲット20においては、強磁性体30を円柱状に形成 して、バッキングチューブ2の凹部2b内に嵌合するものとしたが、例えば、凹 部2bを形成せず、強磁性体を溶射によってバッキングチューブ2の外周面に取 り付けるなど、他の手段によってもよい。
【0020】
【考案の効果】
本考案に係る筒状ターゲットは、筒状のターゲット本体と、このターゲット本 体の軸方向端部近傍に取り付けられた強磁性体とを備えているので、従来ターゲ ット層の端部近傍において発生していたエロージョンを防止でき、ターゲット層 のほぼ全体を限界厚さまで使用することが可能となった。このため、ターゲット の使用効率をほぼ90〜95%にまで高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例に係る円筒ターゲットの断面図
である。
【図2】本考案の実施例に係る円筒ターゲットの断面図
である。
【図3】従来の円筒ターゲットを示す断面図である。
【図4】図3の要部拡大斜視図である。
【図5】図4のX−X線に沿う断面図である。
【図6】従来の円筒ターゲットを示す断面図である。
【図7】従来の円筒ターゲットを示す断面図である。
【符号の説明】
4 磁石 20 ターゲット 30 強磁性体

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部に磁石を保持した状態でスパッタリ
    ングに用いられる筒状ターゲットにおいて、筒状のター
    ゲット本体と、このターゲット本体の軸方向端部近傍に
    取り付けられた強磁性体とを備えていることを特徴とす
    るスパッタリング用筒状ターゲット。
JP10556591U 1991-12-20 1991-12-20 スパッタリング用筒状ターゲット Pending JPH0554551U (ja)

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JPH0554551U true JPH0554551U (ja) 1993-07-20

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