CN101479400B - 溅射靶/背衬板接合体 - Google Patents
溅射靶/背衬板接合体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101479400B CN101479400B CN2007800243834A CN200780024383A CN101479400B CN 101479400 B CN101479400 B CN 101479400B CN 2007800243834 A CN2007800243834 A CN 2007800243834A CN 200780024383 A CN200780024383 A CN 200780024383A CN 101479400 B CN101479400 B CN 101479400B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- backing plate
- copper
- target
- zinc alloy
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 90
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZTXONRUJVYXVTJ-UHFFFAOYSA-N chromium copper Chemical compound [Cr][Cu][Cr] ZTXONRUJVYXVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种溅射靶/背衬板组件，其特征在于，在溅射靶/铜-锌合金制背衬板接合体中，具有在靶中央部的背衬板位置处嵌入有纯铜的结构。本发明的课题在于，提供一种不使廉价、强度和抗涡流特性优良的铜-锌合金背衬板的特性降低、并且可以充分地应对更大功率化的简便的溅射靶/背衬板结构体。
Description
技术领域
本发明涉及提供一种不使廉价、强度和抗涡流特性优良的铜-锌合金背衬板的特性降低、并且可以充分地应对更大功率化的简便的溅射靶/背衬板结构体。
背景技术
近年来，一般使用热传导性良好的铜合金作为溅射靶的冷却/支撑基板。例如，在专利文献1中，记载了与以往所使用的纯铜(无氧铜)、铝(铝合金)和不锈钢相比，黄铜、铝青铜及加工强化纯铜难以划伤，且具有充分的强度和热传导性。
另外，在专利文献2中，列举了铬0.5～2重量％的铜合金作为铬铜背衬板，特别列举了JIS Z3234(含铬1重量％)作为典型的铬铜背衬板。
另外，在专利文献3中，记载了尽可能减少由磁控溅射中的磁体的旋转产生的涡流，抑制磁体的旋转数的变化，由此抑制有效磁通量的变化，提高膜的均匀性，并且提高成膜速度，从而使生产率提高，因此，电阻率数值为3.0μΩ·cm以上、并且抗拉强度为150MPa以上的铜合金或铝合金制背衬板是有效的。
专利文献3的实施例中，使高纯度Cu靶(6N)与电阻率7.2μΩ·cm、抗拉强度320MPa的黄铜扩散接合，制成总厚度17mm的溅射靶-背衬板组件。
在专利文献4中，记载了作为扩散接合后的变形小、并且不发生靶和背衬板间的剥离或断裂的耐受高功率溅射的钽或钨靶-铜合金背衬板组件，厚度0.5mm以上的铝或铝合金板的嵌入物是有效的。实施例中，使用铜铬合金或铜锌合金作为铜合金背衬板。
在专利文献5中，相对于铜或铜合金溅射靶而言，在均衡地兼具有抗涡流特性和其它的磁控溅射靶所必须的特性的铜或铜合金靶/铜合金背衬板中，作为该铜合金背衬板适宜采用低铍铜合金或Cu-Ni-Si类合金铜合金背衬板，并且要求导电率为35～60％(IACS)，0.2％耐力为400～850MPa。
另外，作为解决由靶中产生的热而引起的问题的方法，示出了：将靶和热传导率高于靶的背衬板直接、或通过熔点比靶高的衬垫采用爆炸焊接法、热轧法等进行一体化而成的靶/背衬板组件(参照专利文献6)。
在Al合金靶的情况下，可以列举纯银、钛、镍等作为衬垫。能够进行成膜的高速化及靶的高温化，并且能够稳定地形成高品质的薄膜。
另外，在专利文献7中，记载了通过在靶和背衬板(背衬板的材质为Cu、Al、Cu93-Al17、Cu4-Al96)之间夹持铜、铝或它们的合金，使靶的冷却效率更有效。
此时，记载有：在由冷却的不均匀、靶材的重结晶而产生的组织变化、由靶材的热应变而产生的变形(翘曲)、溅射效率的降低、靶的熔融这样的问题上有效地发挥作用。靶的70％以上的面积、厚度可以在约0.05～约0.5mm的范围。
另外，在专利文献8中记载了一种溅射装置，其特征在于，至少在腐蚀的正下面的背衬板表面或靶背面上设置防止靶和背衬板的反应的反应防止物。并且示出：反应防止物为高熔点金属或它们的氮化物、硅化物、碳化物硼化物，或者是嵌入槽内的石墨层或中空。
还记载了靶和背衬板防止：由溅射产生的热进行反应而在靶交换时没有除去的、在靶中作为背衬板成分的铜，在扩散形成的薄膜中作为杂质混入而产生污染。
专利文献1：日本特开平1-222047号公报
专利文献2：日本特开平8-269704号公报
专利文献3：日本特开2001-329362号公报
专利文献4：日本特开2002-129316号公报
专利文献5：WO2005/064036号公报
专利文献6：日本特开平4-131374号公报
专利文献7：日本特开平11-189870号公报
专利文献8：日本特开昭63-45368号公报
以上虽然是由专利公报得到的公知的技术，但作为最近的技术，为了形成如90nm～65nm工艺所示的微细配线网，通过进一步提高溅射功率，使溅射粒子的电离率提高，抑制成膜的溅射粒子向晶片的直进性。
例如，这种溅射工艺被称为自身离子化(自电离)工艺。根据在溅射装置的背衬板背面侧由旋转的磁控管所产生的磁场的状态，有时在被严重腐蚀的区域中由靶产生的热变得非常强。
通常，使用可以廉价地制造、强度高、热传导性优良、并且能够抑制涡流产生的铜-锌合金来作为背衬板材料。但是，在将这种有用的铜-锌合金用于背衬板时，产生了在腐蚀集中的部分作为添加合金元素的锌蒸发、并且在扩散接合的界面剥落的新问题。
特别是就靶而言，在热传导率低的钽或钽基合金靶中显著地产生这样的问题，由于从背衬板上剥离的部分切断热量的耗散途径，因此在放任该状态继续溅射时，也有时热量积累，靶部分地熔融(熔化)，从而无法继续进行溅射。
在其它的靶(例如铜-0.5％铝合金靶)中，由于靶自身的热传导率与钽相比大很多，因此不存在熔融(熔化)这样的现象，但是，在溅射气氛中虽然极少但仍检测到锌的存在。
锌蒸发是由于蒸汽压高，由假设的数值计算结果可知产生如下问题：在最受腐蚀的位置的正下面，接合界面中的背衬板的最高温度超过约500℃。
发明内容
本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种不使廉价、强度和抗涡流特性优良的铜-锌合金背衬板的特性降低、并且可以充分地应对更大功率化的简便的溅射靶/背衬板结构体。
为了解决由靶产生的热而引起的问题，可以类推：通过在靶/铜-锌合金背衬板之间插入热传导性比铜-锌合金好的衬垫材料，可以使由靶产生的热向背衬板侧进一步耗散，并使铜锌合金背衬板的温度降低至锌不蒸发的温度。
但是，当衬垫材料的厚度薄时，无法使背衬板的温度降低至锌不蒸发的温度，如果衬垫材料很厚，则由于背衬板的厚度变薄，背衬板的强度降低，因此不优选。
例如，在使用钽作为靶、且插入与靶相同面积的厚度为5mm的纯铜衬垫材料时，没有发生由锌的蒸发而引起的靶的剥离，但由于在衬垫部产生的涡流的影响，在磁体的旋转上产生变动。由于衬垫材料与靶的面积相同，因此涡流的影响大，仅使用衬垫材料是无法解决的。
为了解决这样的问题而进行潜心的研究，结果发现，为了仅仅在发生严重腐蚀的区域中使热有效地向背衬板侧逸散，必须制成不含有比铜-锌合金热传导性更好、蒸汽压更高的元素、并且嵌入有与铜-锌合金扩散接合的材料的结构的背衬板。另外，由于靶和铜-锌合金背衬板必须扩散接合，因此纯铜最适合。
另外，在磁控溅射中，磁控管在背衬板背部旋转，涡流在抑制磁场变化的方向上磁场变化速度快的外围部大量产生。该涡流在电阻低的材料上显著地产生，通过使磁控管的旋转变化来使膜的均匀性降低。
由此，判明为了降低该纯铜嵌入体的涡流的影响，需要在靶中央部进行埋设。
本发明基于该见解，提供：1)一种溅射靶/背衬板组件，其特征在于，在溅射靶/铜-锌合金制溅射靶接合体中，具有在靶中央部的背衬板位置处嵌入有纯铜的结构。
本发明主要是防止：溅射靶/铜-锌合金制背衬板接合体中溅射时的温度上升、铜-锌合金制背衬板中含有的锌的蒸发、以及靶/背衬板间的剥离。但是，另一方面，需要抑制作为使膜的均匀性降低的原因的涡流的产生。
如上所述，由于涡流在抑制磁场变化的方向上磁场变化速度快的外围部更大量地发生，因此背衬板外围部需要使用能够抑制涡流产生的铜-锌合金。因此，需要仅使能量集中的靶中央部不含有锌，并且置换成热传导性高的纯铜。
根据靶的材质，在温度上升、与背衬板的接合强度等方面存在差异，因此需要根据靶的材质对纯铜的中心部的厚度与直径的尺寸进行适宜设定。但是，在溅射靶/铜-锌合金制背衬板接合体中，存在可以广泛适用的优选值。其为2)一种溅射靶/背衬板组件，其中，由纯铜构成的嵌入体的直径为靶直径的1/20～1/2。
如果由纯铜构成的嵌入体的直径小，则强度大，涡流产生的抑制效果提高，但由于只有热传导性降低，因此可以说期望根据靶的材质和/或溅射条件来进行调节。
另外，作为嵌入型背衬板的优选方式，是3)一种溅射靶/背衬板组件，其中，由纯铜构成的嵌入体的厚度为背衬板的1/5～4/5。
虽然没有受到由纯铜构成的嵌入体的直径那样的直接影响，但由纯铜构成的嵌入体的厚度对热传导性产生大影响。
当然嵌入体的厚度越大，靶的除热效果越好，并且可以抑制靶/背衬板之间的剥离。
纯铜嵌入型的背衬板的结构如图1所示，作为嵌入体的纯铜呈被铜-锌合金环绕的形状。这示出组件的一个例子。纯铜的强度低于铜-锌合金，但这样用铜-锌合金包围纯铜的周围的形状，具有的特征在于，具备能够整体地维持升至高温的背衬板的强度的功能。
在如图1所示结构的溅射靶/铜-锌合金制背衬板组件中，通过使由纯铜构成的嵌入体3的厚度为铜-锌合金制背衬板2的1/4～2/4，得到靶1的除热效果大、并且能够抑制靶/背衬板间剥离的更优选结构。
对于上述环绕形状的溅射靶/背衬板组件的结构，也可以使其5)具有由纯铜构成的嵌入体的厚度在铜-锌合金制背衬板的厚度内贯穿(付き切り)(贯通)的结构。此时，来自背衬板的背面的冷却，变为对于由纯铜构成的嵌入体的直接冷却。此时，由于冷却介质与热传导优良的纯铜直接接触，因此可能成为靶中心部的更有效的冷却。
本发明的溅射靶/背衬板组件，不论任何靶材料的种类均可以适用，特别是在加热至高温的6)靶为钽或钽基合金靶方面有用。本发明可以适用于这样的高熔点金属材料的溅射靶。
另外，本发明在7)具有靶和背衬板扩散接合的结构的溅射靶/背衬板组件中有用。这是由于：这样的结构虽然是高熔点靶中通常必须的接合方法，但热影响极大要求坚固的接合。另外，本发明可以提供能够与其适应的溅射靶/背衬板组件。
本发明的溅射靶/背衬板组件，特别是在易发生涡流的8)磁控溅射装置中特别有用。但是，应该知道本发明的溅射靶/背衬板组件没有必要限定于该磁控溅射装置。这是由于：在多数情况下，与靶的边缘部相比中心部更容易集中热量，因此为了实现靶的均匀冷却，在中心部使用热传导性高的纯铜的本发明的溅射靶/背衬板组件是有用的。因此，也可以应用于一般的溅射装置。
作为在本发明的溅射靶/背衬板组件中使用的嵌入材料的纯铜，9)纯铜可以使用无氧铜。
溅射靶/背衬板组件中使用的10)铜锌合金制背衬板可以使用含有5～40重量％的锌的铜-锌类铜合金。这是由于：作为背衬板材料使用的铜-锌合金价格便宜，强度高，热传导性优良，并且能够抑制涡流的发生。
由上，本发明可以得到下述优良的效果，即：提供一种不使廉价、强度和抗涡流特性优良的铜-锌合金背衬板的特性降低、并且可以充分地应对更大功率化的简便的溅射靶/背衬板结构体。
附图说明
图1是本发明的靶/背衬板组件截面的说明图。
具体实施方式
下面，对本发明的具体例子进行说明。另外，以下的说明仅仅为一个例子，本发明并不限于该例子。即，本发明仅限于由说明书中提到的全部记载所理解的技术思想，并包含该例子中所包括的内容以外的各种变形。
(钽/铜-锌合金扩散接合体的热影响试验)
关于钽/铜-锌合金扩散接合体背衬板的强度，可以对其进行加热处理，观察锌的蒸发状况，由此来进行确认。关于靶及背衬板，使用以下的材料。
靶：钽直径440mm、厚度4.8mm
铜-锌合金背衬板(合金编号C2600)：厚度17mm
靶和铜-锌合金背衬板的接合：扩散接合
该靶/背衬板扩散接合体，在至700℃的真空加热处理中，没有引起锌的蒸发。但是，在900℃的真空热处理中，铜-锌合金制背衬板材料的钽/铜-锌合金的扩散接合部产生剥离的现象。
接着，为了使该结果以数值计算的方式再现，在假想的最受腐蚀的中央部的直径50mm的区域内，均匀地施加500W/cm2的功率(总溅射功率10kW：假定10kW仅仅集中地作用于直径50mm的区域。实际的溅射功率为40kW，这是产生剥离的情况)。另外，背衬板的背面侧(靶的相反侧)进行水冷(将冷却水的温度设为20℃)。
从数值计算的结果来看，钽靶的表面中央部的最高温度为1040℃。这接近于实际溅射时的靶温度。
如果将铜-锌合金制背衬板的中心部、与靶的接合界面的最高温度达到770℃、在真空热处理结果的700℃下不产生问题也考虑在内，则在上述数值计算条件下，铜锌背衬板超过约750℃时，引起锌的蒸发，由此推测在该状态下产生靶/铜-锌合金制背衬板的剥离。
实施例
基于以上的实验和数值计算，制作嵌入有纯铜的各种靶/铜-锌合金制背衬板，观察铜-锌合金制背衬板的最高温度、溅射试验的结果。数值计算条件如下。
靶：钽 直径440mm、厚4.8mm
铜-锌合金制背衬板(合金编号C2600)：厚17mm
在最受腐蚀的中央部埋设直径50mm、厚6mm的嵌入体。
在最受腐蚀的中央部的直径50mm的区域内，均匀地施加500W/cm2的功率，背衬板侧进行水冷(将冷却水的温度设为20℃)。
溅射条件为：在溅射功率40kW下对上述形状的靶/背衬板组件进行溅射。
(实施例1-8和比较例1-2)
关于实施例1-7，如表1所示，将纯铜嵌入体的直径固定在50mm，使厚度在1mm～15mm间变化，关于实施例8，使铜-锌合金制背衬板为贯穿(突き切り)(使其贯通)结构。
另外，关于比较例1，在靶与铜-锌合金制背衬板之间使用1mm的纯铜衬垫，关于比较例2，在靶与铜-锌合金制背衬板之间使用6mm的纯铜衬垫材料。
表1
| 纯铜嵌入体的厚度 | 铜-锌合金制背衬板最高温度 | 溅射试验结果 | |
| 实施例1 | 1mm | 710℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性尚可 |
| 实施例2 | 2mm | 680℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性尚可 |
| 实施例3 | 3mm | 630℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性良好 |
| 实施例4 | 6mm | 510℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性优异 |
| 实施例5 | 8mm | 470℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性优异 |
| 实施例6 | 12mm | 360℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性良好 |
| 实施例7 | 15mm | 320℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性尚可 |
| 实施例8 | 17mm(背衬板贯穿) | 270℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性尚可 |
| 比较例1 | 1mm(靶整个面衬垫) | 没有实施数值计算 | 没有引起剥离，成膜均匀性不良 |
| 比较例2 | 6mm(靶整个面衬垫) | 没有实施数值计算 | 没有引起剥离，成膜均匀性不良 |
嵌入体的直径：50mm，铜-锌合金制背衬板的厚度：17mm
靶：钽 直径440mm，厚度4.8mm
(溅射试验的结果)
由数值计算结果可知，钽靶的表面中央部的最高温度达到1050℃，但实施例1具有厚1mm的纯铜制嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为710℃，没有发生剥离，成膜均匀性尚可。
由此可知，即使仅配置薄的纯铜制嵌入体，有时铜-锌合金制背衬板的温度也降低，因而有效。如上所述，没有使用纯铜制嵌入体时，与铜-锌合金制背衬板的中心部的靶的接合界面的最高温度为770℃，但可能降低至710℃，温度降低60℃。
如表1所示，厚度薄的纯铜嵌入体不一定成膜均匀性优良。认为这是由于：厚度薄的纯铜嵌入体的靶的温度分布差异大。
(实施例2-6)
实施例2中，具有厚2mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为680℃，没有发生剥离，成膜均匀性尚可。
实施例3中，具有厚3mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为630℃，没有发生剥离，成膜均匀性良好。
实施例4中，具有厚6mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为510℃，没有发生剥离，成膜均匀性优异。
实施例5中，具有厚8mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为470℃，没有发生剥离，成膜均匀性优异。
如上所述，随着纯铜嵌入体的厚度增加，成膜均匀性提高，在厚度为6mm、8mm时，成膜均匀性最优异。
(实施例6-7)
实施例6中，具有厚12mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为360℃，而且，没有发生剥离，成膜均匀性良好。此时，尽管温度显著降低，但成膜均匀性比纯铜嵌入体的厚度为6mm、8mm时也稍有降低。认为这是在厚度厚时，如上所述由引起涡流的磁体旋转的变化所引起的。
实施例7中，具有厚15mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板的最高温度为320℃，而且，没有发生剥离，成膜均匀性尚可。此时，尽管温度显著降低，但成膜均匀性比纯铜嵌入体的厚度为6mm、8mm时也降低。认为这是在厚度厚时，与磁体的距离变近，如上所述由引起涡流的磁体旋转的变化所引起的。
(实施例8)
实施例8是：具有厚17mm的纯铜嵌入体的铜-锌合金制背衬板、即与铜-锌合金制背衬板为同一厚度、且纯铜嵌入体为贯通结构的背衬板。此时的最高温度为270℃，而且，没有发生剥离，成膜均匀性尚可。此时可知，温度显著降低，纯铜的冷却效率良好。但是，成膜均匀性比纯铜嵌入体的厚度为6mm、8mm时降低。认为这是在厚度厚时，与磁体的距离变近，如上所述引起涡流的磁体旋转的变化起到很大作用。
(比较例1-2)
如上所述，比较例1是在靶整个面与铜-锌合金制背衬板之间使用1mm的纯铜衬垫的情况，关于比较例2，是在靶整个面与铜-锌合金制背衬板之间使用6mm的纯铜衬垫材料的情况。
比较例1、比较例2中，由于热传导性高的纯铜的衬垫效果，没有发生锌合金制背衬板的剥离，但成膜均匀性不良。认为这是由引起涡流的磁体旋转的变化所引起的，由于纯铜的衬垫，减弱铜-锌合金制背衬板的抑制效果。
(实施例9-10)
然后，将上述溅射试验结果优异的纯铜嵌入体的厚度固定在6mm、并使纯铜嵌入体的直径变化时的试验结果示于表2。
靶和背衬板的条件与上述相同(再次示出)。以纯铜嵌入体的直径相对于靶的直径的比来表示。
靶：钽 直径440mm、厚4.8mm
铜-锌合金制背衬板(合金编号C2600)：厚17mm
实施例9为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:2的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度为420℃，没有发生剥离，成膜均匀性良好。
实施例10为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:5的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度为470℃，没有发生剥离，成膜均匀性优异。将该结果示于表2。
表2
| 纯铜嵌入体相对于靶直径比 | 铜-锌合金制背衬板最高温度 | 溅射试验结果 | |
| 实施例99 | 1/2 | 420℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性良好 |
| 实施例10 | 1/5 | 470℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性优异 |
| 实施例11 | 1/7.5 | 500℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性优异 |
| 实施例12 | 1/10 | 530℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性良好 |
| 实施例133 | 1/20 | 690℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性尚可 |
| 比较例3 | 1/1.5 | 400℃ | 没有引起剥离，成膜均匀性不良 |
| 比较例44 | 1/30 | >750℃ | 背衬板一部分发生熔融剥离、溅射中断 |
| 比较例5 | 1/40 | >750℃ | 背衬板一部分发生熔融剥离、溅射中断 |
纯铜嵌入体的厚度：6mm，铜-锌合金制背衬板的厚度：17mm
靶：钽 直径440mm，厚度4.8mm
(实施例11-13)
实施例11为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:7.5的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度为500℃，没有发生剥离，成膜均匀性优异。
实施例12为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:10的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度为530℃，没有发生剥离，成膜均匀性良好。
实施例13为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:20的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度为690℃，没有发生剥离，成膜均匀性尚可。
(比较例3)
比较例3为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:1.5的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度为400℃，没有发生剥离，但成膜均匀性不良。认为这是由于：纯铜嵌入体的直径过大，由引起涡流的磁体旋转的变化而引起，从而成膜均匀性变差，即，通过纯铜的衬垫，减弱铜-锌合金制背衬板的抑制效果被。
(比较例4-5)
比较例4为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:30的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度超过750℃，发生剥离。
这是由于：纯铜嵌入体的直径过小，热扩散的效果不充分，铜-锌合金制背衬板中产生一部分熔融。
比较例5为纯铜嵌入体的直径:靶的直径＝1:40的情况，铜-锌合金制背衬板的最高温度超过750℃，发生剥离。与上述比较例4相比，该状态恶化。
这是由于：纯铜嵌入体的直径过小，热扩散的效果不充分，铜-锌合金制背衬板中产生一部分熔融。
由以上的例子可知，当纯铜嵌入体的直径的比率增加时，铜-锌合金制背衬板的温度降低，但成膜均匀性不再提高。
另一方面，当纯铜嵌入体的直径的比率减少时，铜-锌合金制背衬板的温度上升，但成膜均匀性变优异。
但是，当该比率变得极少时，纯铜嵌入体的效果减少，成膜的均匀性也降低。由上可知，在任一情况下均存在最佳条件。
即：可知更加优选由纯铜构成的嵌入体的直径为靶直径的1/20～1/2，而且，由纯铜构成的嵌入体的厚度为背衬板的1/5～4/5。
产业上利用的可能性
本发明具有下述优异的效果，即：提供一种不使廉价、强度和抗涡流特性优良的铜-锌合金背衬板的特性降低、并且可以充分地应对更大功率化的简便的溅射靶/背衬板结构体，特别是在对靶为钽或钽基合金等高熔点靶材进行溅射时有用。
Claims (13)
1.一种溅射靶/背衬板组件，其特征在于，在溅射靶/铜-锌合金制背衬板接合体中，具有在背衬板嵌入纯铜的结构，嵌入纯铜的位置是靶中央部的背衬板位置。
2.如权利要求1所述的溅射靶/背衬板组件，其中，由纯铜构成的嵌入体的直径为靶直径的1/20～1/2。
3.如权利要求1所述的溅射靶/背衬板组件，其中，由纯铜构成的嵌入体的厚度为背衬板的1/5～4/5。
4.如权利要求3所述的溅射靶/背衬板组件，其中，由纯铜构成的嵌入体的厚度为背衬板的1/4～2/4。
5.如权利要求1所述的溅射靶/背衬板组件，其中，具有由纯铜构成的嵌入体的厚度在铜-锌合金制背衬板的厚度内贯通的结构。
6.如权利要求2所述的溅射靶/背衬板组件，其中，具有由纯铜构成的嵌入体的厚度在铜-锌合金制背衬板的厚度内贯通的结构。
7.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶/背衬板组件，其中，靶为钽或钽基合金。
8.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶/背衬板组件，其中，具有靶与背衬板扩散接合而成的结构。
9.如权利要求7所述的溅射靶/背衬板组件，其中，具有靶与背衬板扩散接合而成的结构。
10.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶/背衬板组件，其用于磁控溅射装置。
11.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶/背衬板组件，其中，纯铜为无氧铜。
12.如权利要求1～6中任一项所述的溅射靶/背衬板组件，其中，铜-锌合金制背衬板为含有5～40重量％的锌的铜-锌类铜合金。
13.如权利要求11所述的溅射靶/背衬板组件，其中，铜-锌合金制背衬板为含有5～40重量％的锌的铜-锌类铜合金。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006179930 | 2006-06-29 | ||
| JP179930/2006 | 2006-06-29 | ||
| PCT/JP2007/059359 WO2008001547A1 (fr) | 2006-06-29 | 2007-05-02 | élément de liaison pour cible de pulvérisation cathodique/plaque de support |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101479400A CN101479400A (zh) | 2009-07-08 |
| CN101479400B true CN101479400B (zh) | 2011-06-22 |
Family
ID=38845319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007800243834A Active CN101479400B (zh) | 2006-06-29 | 2007-05-02 | 溅射靶/背衬板接合体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8157973B2 (zh) |
| EP (1) | EP2039797B1 (zh) |
| JP (1) | JP4879986B2 (zh) |
| KR (1) | KR101040076B1 (zh) |
| CN (1) | CN101479400B (zh) |
| TW (1) | TW200801216A (zh) |
| WO (1) | WO2008001547A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101065511A (zh) * | 2004-11-17 | 2007-10-31 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶、溅射靶－背衬板组装体以及成膜装置 |
| KR101337306B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2013-12-09 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 필드-강화 스퍼터링 타겟 및 그 생산 방법 |
| WO2011062002A1 (ja) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
| US10167547B2 (en) | 2009-12-24 | 2019-01-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Gadolinium sputtering target and production method of said target |
| JP5694360B2 (ja) | 2010-10-27 | 2015-04-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
| US8968537B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | PVD sputtering target with a protected backing plate |
| WO2013003458A1 (en) | 2011-06-27 | 2013-01-03 | Soleras Ltd. | Sputtering target |
| CN105209657A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-12-30 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶/背衬板组件 |
| WO2016017432A1 (ja) | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
| JP6021861B2 (ja) * | 2014-08-06 | 2016-11-09 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
| KR101649794B1 (ko) | 2014-08-20 | 2016-08-19 | 김정욱 | 타워램프 상태 모니터링용 무선 타워램프 정보 관리 시스템 |
| JP6546953B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-07-17 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
| US11244815B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
| KR102263414B1 (ko) | 2020-02-19 | 2021-06-10 | 주식회사 엘에이티 | 스퍼터 전극체 |
| CN113173284B (zh) * | 2021-04-26 | 2022-07-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种半成品靶材背板的管理方法 |
| KR102707659B1 (ko) | 2021-11-17 | 2024-09-19 | 바짐테크놀로지 주식회사 | 스퍼터링 타겟 접합체 |
| KR20240072544A (ko) | 2022-11-17 | 2024-05-24 | 바짐테크놀로지 주식회사 | 스퍼터링 타겟 접합방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1688740A (zh) * | 2002-07-19 | 2005-10-26 | 卡伯特公司 | 整体式溅射靶组件 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Toshiba Corp | スパツタ装置 |
| JPH01222047A (ja) | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Nippon Mining Co Ltd | 銅又は銅合金製バッキングプレート |
| JPH0774436B2 (ja) | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
| US5693203A (en) | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
| JP3660014B2 (ja) | 1995-03-31 | 2005-06-15 | 株式会社テクノファイン | スパッタ用ターゲット |
| JPH11189870A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Nisshin Steel Co Ltd | スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法 |
| JP2001329362A (ja) | 2000-05-17 | 2001-11-27 | Nikko Materials Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 |
| JP3791829B2 (ja) | 2000-08-25 | 2006-06-28 | 株式会社日鉱マテリアルズ | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
| JP3905295B2 (ja) | 2000-10-02 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | 高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法 |
| JP3905301B2 (ja) | 2000-10-31 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| KR100631275B1 (ko) | 2000-11-17 | 2006-10-02 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트 또는 배킹 플레이트 및 파티클 발생이 적은 스퍼터링 방법 |
| KR100581139B1 (ko) | 2001-03-14 | 2006-05-16 | 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 | 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트, 배킹 플레이트 또는스퍼터링 장치 내의 기기 및 방전 가공에 의한 조화방법 |
| WO2003052161A1 (fr) | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Nikko Materials Company, Limited | Procede pour assembler une cible en substance magnetique avec une plaque dorsale, et cible en substance magnetique |
| US6709557B1 (en) * | 2002-02-28 | 2004-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Sputter apparatus for producing multi-component metal alloy films and method for making the same |
| TWI269815B (en) * | 2002-05-20 | 2007-01-01 | Tosoh Smd Inc | Replaceable target sidewall insert with texturing |
| KR20060033013A (ko) * | 2003-07-14 | 2006-04-18 | 토소우 에스엠디, 인크 | 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법 |
| EP1715077A4 (en) | 2003-12-25 | 2010-09-29 | Nippon Mining Co | ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE |
| CN101065511A (zh) | 2004-11-17 | 2007-10-31 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶、溅射靶－背衬板组装体以及成膜装置 |
| EP1876258A4 (en) | 2005-04-28 | 2008-08-13 | Nippon Mining Co | sputtering Target |
| KR100994663B1 (ko) | 2005-10-04 | 2010-11-16 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
| US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
| US20080236738A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Chi-Fung Lo | Bonded sputtering target and methods of manufacture |
-
2007
- 2007-05-02 JP JP2008522336A patent/JP4879986B2/ja active Active
- 2007-05-02 CN CN2007800243834A patent/CN101479400B/zh active Active
- 2007-05-02 EP EP07742794A patent/EP2039797B1/en active Active
- 2007-05-02 KR KR1020087031070A patent/KR101040076B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-02 US US12/306,734 patent/US8157973B2/en active Active
- 2007-05-02 WO PCT/JP2007/059359 patent/WO2008001547A1/ja active Application Filing
- 2007-05-11 TW TW096116790A patent/TW200801216A/zh unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1688740A (zh) * | 2002-07-19 | 2005-10-26 | 卡伯特公司 | 整体式溅射靶组件 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2002-129316A 2002.05.09 |
| JP特开平11-189870A 1999.07.13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101040076B1 (ko) | 2011-06-09 |
| JP4879986B2 (ja) | 2012-02-22 |
| TW200801216A (en) | 2008-01-01 |
| CN101479400A (zh) | 2009-07-08 |
| KR20090016599A (ko) | 2009-02-16 |
| WO2008001547A1 (fr) | 2008-01-03 |
| US20090277788A1 (en) | 2009-11-12 |
| EP2039797A4 (en) | 2010-04-28 |
| TWI353390B (zh) | 2011-12-01 |
| US8157973B2 (en) | 2012-04-17 |
| EP2039797B1 (en) | 2012-08-29 |
| EP2039797A1 (en) | 2009-03-25 |
| JPWO2008001547A1 (ja) | 2009-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101479400B (zh) | 溅射靶/背衬板接合体 | |
| JP4955008B2 (ja) | Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び半導体配線 | |
| US9472383B2 (en) | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly | |
| TWI308597B (en) | Sputtering target, sputtering target backing plate assembly and film deposition system | |
| TW438900B (en) | High-purity copper sputtering targets and thin films | |
| US8702919B2 (en) | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof | |
| JP4869415B2 (ja) | 純銅板の製造方法及び純銅板 | |
| JP5068925B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| US20080173541A1 (en) | Target designs and related methods for reduced eddy currents, increased resistance and resistivity, and enhanced cooling | |
| TW200302287A (en) | Copper alloy sputtering target and the manufacturing method thereof | |
| US10167547B2 (en) | Gadolinium sputtering target and production method of said target | |
| CN101918208B (zh) | 具有防腐层的复合材料及其制备方法 | |
| CN104109837B (zh) | 保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜 | |
| EP2722126A1 (en) | Coated rotating tool | |
| CN105369204B (zh) | 溅射靶-背衬板接合体 | |
| JP2007534834A (ja) | 低導電率の支持板を有するスパッターリングターゲットアセンブリとその製造方法 | |
| JPH0225987B2 (zh) | ||
| US10854436B2 (en) | Connector piece for a tubular target | |
| JP5694503B2 (ja) | 自己拡散抑制機能を有するシード層及び自己拡散抑制機能を備えたシード層の形成方法 | |
| CA2556000A1 (en) | Edm wire | |
| JPH07278807A (ja) | スパッタリングターゲット組立体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JX NIPPON MINING + METALS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: NIPPON MINING + METALS CO., LTD. Effective date: 20101216 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20101216 Address after: Tokyo, Japan, Japan Applicant after: JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan, Japan Applicant before: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan, Japan Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION Address before: Tokyo, Japan, Japan Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: JKS Metal Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: JKS Metal Co.,Ltd. |