TWI353390B - - Google Patents
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Description
1353390 100年9月q日替換頁 九、發明說明: -—- 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種簡便的濺鍍靶與支持板所構成之構 % 造體’可使得廉價、並且強度與耐渦電流特性優良之銅辞 合金支持板可在特性不致降低的前提下充分對應於進一步 的高功率化β 【先前技術】 近年來’普遍使用導熱性佳之銅合金做為濺鍍靶之冷 卻、支持基板。例如在專利文獻1中提及,黃銅、鋁青銅 以及加工強化純銅相較於以往使用之純銅(無氧銅)、銘(銘 合金)或者不銹鋼,較不易損傷,具有足夠的強度以及導熱 性0 再者,專利文獻2令,就絡銅支持板舉出了鉻含量 0,5〜2wt%之銅合金,特別就物體表面者舉出了 JIS Ζ3234(含 有 lwt°/〇鉻)。 此外,專利文獻3當中’認為比電阻值在3 〇从Ω · cm 以上且抗伸強度在150MPa以上的銅合金或者鋁合金製作 的支持板’能有效的使在磁控濺鍍上磁旋產生的渦電流儘 可能的減少、藉由抑制磁旋轉數變動,來抑制有效磁通量 的變動、提高膜的均一性、並且提高成膜速度及提昇生產 性。 在專利文獻3的實施例當中,使高純度銅靶(6N)與比電 阻7.2从Ω · cm、拉伸強度在32 OMPa的黃銅進行擴散接合 而做出總厚度1 7mm的濺鍵靶-支持板組合艘。 5 1353390 100年9月分曰替換頁 在專利文獻4當中認為,就擴散接合之後的變形小, 且不使靶與支持板之間發生剥離或者破裂之可承受高功率 难鍍的纽或者鶴乾-銅合金支持板組合體而言,插入厚度 0.5mm以上之鋁或者鋁合金板是有效的做法。實施例當中, 銅路合金、銅-鋅合金被用來做為銅合金支持板。 專利文獻5當中’對於銅或者銅合金濺鍍靶可使得耐 满電流特性與其他磁控濺鍍靶必要的特性能均衡地共存的 銅或銅合金靶/銅合金支持板而言,低鈹-銅合金或者 Cu-Ni-Si系合金鋼合金支持板適合做為此種銅合金支持 板,再者導電率35〜6〇%(IACS)、〇 2%安全限應力 400〜850MPa乃為必要者。 再者’做為解決靶所產生之熱所造成之問題的方法, 已提出一種將靶與導熱率高於靶的支持板直接一鱧化,或 者透過熔點比靶更高的間隔物以爆炸接合法熱軋法之類 的方法一體化之靶/支持板組合體(參見專利文獻6)。 在A1合金靶的情況,係舉出了純銀鈦、鎳之類的間 隔物〜為可以進行成膜高速化以及乾的高溫化,使得高 品質的薄膜能夠安定的成媒。 在專利文獻7 之材質是Cu、Au 或其等的合金,纪 之中,記載了藉由在靶與支持板(支持板 、Cu93_All7、Cu4-A196)之間夾設銅、鋁 的冷卻效率會有較好的結果。 3己了此情況可有效地解決因為冷卻不均勻造成 乾材的再結晶引起组織變化、靶材的熱應變引起的變形(翹 曲)、濺鍍效率降低、靶的熔融等問題。並且認為最好在靶 100年9月q日替換頁 之面積之70%以上以及厚度在0.05〜0 5mm程度之範圍。 此外在專利文獻8中,記載了一種濺鍍裝置,其特徵 為在至少減钮正下方的支持板表面或是靶裏面,設置有防 止靶與支持板之間發生反應的反應防止物。並且指出反應 防止物設定為高熔點的金屬或其等之氮化物、矽化物、碳 化物及棚化物,或是埋入槽内的石墨層或是呈中空。 另外還記載了防止靶與支持板因為濺鍍產生的熱而發 生反應而在靶交換時無法取出,以及防止做為支持板成分 的銅擴散進入靶中而以雜質之形式混入所形成之薄膜中所 造成之污染。 專利文獻1:特開平1-222047號公報 專利文獻2:特開平8-269704號公報 專利文獻3:特開2001-3293 62號公報 專利文獻4:特開2002-129316號公報 專利文獻5:W〇2005/064036號公報 專利文獻6:特開平4-131374號公報 專利文獻7:特開平1 U89870號公報 專利文獻8:特開昭63_45368號公報 以上是由專利公報所得到的公開技術,然而最近的技 術’為了形成像90nm〜65nm製程這樣的細微配線網,乃藉 由進一步提高減鍍功率、增加濺鍍粒子的離子化比率,來 控制往晶圓成膜的機錄粒子的直行性。 ie.樣的減鐘數程,被稱作自行離子化(self· i〇nized)製 程°隨錢鑛裝置之支持板背面側的旋轉中磁控所產生的磁 1353390 100年9月9日替換頁 場狀態,於激烈受到濺蝕的區域中,由靶^產生之ϋ能 會變得非常大》 一般而言’使用可廉價製造、高強度、導熱性優良、 而且能抑制渦電流發生的銅-鋅合金做為支持板材質。但 是’將有用的銅鋅合金使用於支持板的情形,會發生濺蝕 集中部分處添加的合金元素鋅蒸發而使擴散接合後的界面 剝離之問題。 特別是做為靶的低導熱性钽或者鈕基合金靶,這樣的 問題會顯著的發生’由於從支持板剝離的部分阻斷了熱擴 散路徑’放任這種狀態而繼續濺鍍的情況下,熱量會不斷 累積而使得乾產生部分熔融(me〖t down),會有減鍵無法繼 續的情形。 對於其他的乾(例如鋼-0.5%鋁合金祀)而言,因為乾本 身的熱傳導率比组大很多,沒有溶融(melt down)的情形, 而濺鍍氣體中檢測出微量的鋅存在。 鋅的蒸散是由於蒸汽壓高的原因,由假想的數值計算 的結果’判斷出在最為受到濺蝕的位置正下方接合界面處 支持板最高溫度一旦超過約500°C將會有問題發生。 【發明内容】 本發明鑒於上述問題點’其目的在於提供一種簡便的 濺鍍靶/支持板’可使得廉價、並且強度與耐渦電流特性優 良之銅鋅合金支持板可在特性不致降低的前提下充分對應 於進一步的高功率化。 為解決在靶所發生由熱引起的問題,推估藉由在把/銅 1353390 100年9月只日替換頁 鋅合金支持板之間插入比銅-鋅合金有更佳導熱性的夾設 材料,能使在靶處產生的熱量往支持板一側逸散,而使銅鋅 合金支持板的溫度降低至鋅不致蒸散的溫度。 但是,夾設材料的厚度薄的情形下,支持板的溫度無 法降低至鋅不致蒸散的溫度’如果夹設材料太厚的話,會 使得支持板厚度相對地變薄,支持板的強度會降低因而無 法適用》 例如使用组作為把,插入與乾相同面積,厚度5 mm的 純銅夹設材料的情況下,由鋅的蒸散造成靶的剝離並未發 生,但因為插入部份所發生之渦電流的影響,磁旋會產生 變動。因夾設材料與把面積相同,所以滿電流的影響會變 大,單以插入的方法無法解決問題。 為了解決這樣的問題,經過努力研究的結果,發現下 述情事:為專門使得嚴重發生濺蝕的區域之熱量有效率地 往支持板側散失,不得不選擇埋設特定材料(導熱性優於銅 -鋅合金、不含蒸氣壓高的元素、並且與銅辞合金擴傲接合 之材料)構造的支持板;再者,由於靶與銅·鋅合金支持板必 須進行擴散接合’故純銅乃為最適當者β 而且,在磁控滅鍵中’磁控在支持板背部旋轉,渦電 流於抑制磁場變動的方向,磁場變動速度快的外圍部分發 生較劇烈。由於這樣的渦電流於電阻較低的材料顯著地發 生’造成磁控旋轉的改變,導致媒的均勻性降低。 據此’為了降低這種純銅埋入物之渦電流的影響,發 現埋設在靶的中央部是必要@。 9 1353390 100年9月q日替換頁 本##基·於前述見解乃提供1) 一種濺鍍靶與支持板所 搆成之·组合趙’其為濺鈒靶與銅-鋅合金製支持板所構成之 接合IS ’其特徵為:於靶中央部的支持板位置具有埋入純 銅的構造。 本發明主要為了防止於濺鍍靶與銅-辞合金製支持板所 構成之接合體濺鍍時溫度上升、銅_鋅合金製支持板所含有 鋅之蒸發,以及靶/支持板間的剝離。但是另一方面,有必 要抑%造成膜的均勻性降低之渦電流發生。 如以上所述,因為渦電流於磁場變動被抑制的方向, 磁場變動速度較快的外圍部分較為劇烈發生,所以於支持 板外圍部分有必要使用能抑制渦電流發生的銅-鋅合金。因 此,有必要專門將能量集中的靶中央部分,置換成不含鋅 且導熱性高的純銅。 由於溫度上升以及與支持板的接合強度等會依照乾的 材質而有差異,故有必要對應於靶的材質,適當設定純銅 的中心部厚度與直徑尺寸。但是,對於濺鍍靶與銅_辞合金 製支持板所構成之接合體而言,能廣泛適用的較佳值是存 在的。其即為2)—種濺鍍靶與支持板所構成之組合雜,& 純銅所構成的埋入體直徑為靶直徑的1/20〜1/2β 純銅構成的埋入體直徑愈小則強度愈大,抑制涡電流 發生的效果也愈高,但卻相對的使導熱性降低,因此相$ 於靶材以及./或者濺鍍條件來調整埋入體的直徑可說是所希 望者。 而且,就埋入型支持板之較佳樣態而言,是3)—種機 10 100年9月C|日替換頁 鐘乾與支持板所構成之組合體,其中純銅構成的埋入體厚 度為支持板的1/5-4/5。 雖然不若受到純銅構成之埋入體口徑之直接影響,但 埋入體的厚度會大幅影響導熱性。 當然的,埋入體的厚度愈厚,靶的排熱效果愈大,愈 能抑制靶/支持板間的剝離。 純銅埋入型支持板之構造如圖1所示,埋入體的純銅 是呈被銅·鋅合金環抱包圍的形狀。此乃顯示組合體的其中 一個例子。與銅-鋅合金相比,雖然純銅的強度較低,但像 這樣的純銅的周園被銅-鋅合金包圍住的形狀,有個最大的 特徵是’具備有能整體性維持高溫時支持板強度的機能。 於圖1所示構造的濺鍍靶與銅-鋅合金製支持板所構成 之組合餿,係將純銅構成之埋入趙3的厚度定為銅-鋅合金 製支持板2的1/4-2/4 ’此乃使拓1的排熱效果變大,可抑 制靶/支持板之間的剝離之更佳的構造。 對於上述具有被環抱包圍的形狀之濺鍍靶與支持板所 構成之組合體構造而言,亦可賦予5)純銅所構成之埋入體 厚度為銅-辞合金製支持板之厚度所貫穿(貫通)之構造。這 種情況下,從支持板背面的冷卻變成對純銅構成之埋入體 直接冷卻。由於冷媒與熱傳導優良的純銅直接接觸的緣 故,减中心部可能達到更有效率的冷卻。 本發明之濺鍍靶與支持板所構成之組合體',不論靶的 材料為何種均可以適用’對於在高溫下加熱之6)靶為钽或 者组基合金特別有用。如前述般,本發明可適用於高溶 1353390 100年9月分曰替換真 點金屬材料之濺鍍靶。 另外’本發明對於7)具有靶與支持板為擴散接合構造 之濺鍍靶與支持板所構成之組合體是有用的。這樣的構造 為高熔點靶一般所需要的接合方法,而因為熱影響極大, 所以要求其具有堅固的接合。而本發明可以提供能適應這 樣狀況的濺鍍靶與支持板所構成之组合體。 本發明的濺鍍靶與支持板所構成之組合體對於容易發 生渦電流的8)磁控濺鍍裝置特別有用。然而,應該知道的 一點是本發明的濺鍍靶與支持板所構成之組合體無須限定 於這種磁控濺鍵裝置。其理由在於,大多數的情況,與把 邊緣的部分相比,熱量較容易集中在中心部分,所以即使 是謀求靶的均勻冷卻,在中心部使用了導熱性高的純銅之 本發明的滅鍵乾與支持板所構成之組合艘亦為有用者。因 此,亦能適用於一般的濺鍍裝置》 就本發明的濺鍍靶與支持板所構成之組合體所使用的 埋入材料之純銅而言,9)純銅可以使用無氧銅。 於濺鍍靶與支持板所構成之組合體所使用的10)銅-鋅 合金製支持板,可以使用含有5〜40 wt0/。鋅的銅-鋅系銅合 金。其理由在於,做為支持板材質所使用銅-鋅合金,其廉 價、強度高、導熱性優良、且能抑制渦電流發生。 根據以上所述,本發明所能達成之優異效果為:可以 提供一種簡便的濺鍍靶與支持板所構成之組合體,可使得 廉價、並且強度與耐渦電流特性優良的銅-鋅合金製支持板 可在特性不致下降的前提下充分對應於進一步的高功率化 12 1353390 100年9月q日替換頁 的這種優異效果。 ~ ~~~ 【實施方式】 以下是說明本發明的具體例,而以下的說明只是其中 一個例子,本發明並不因本例而受到限制。亦即,本發明 僅受限於由說明書記載的全部事項所能掌握的技術思想, 而包含本例以外的各種變步。 (鈕/銅·鋅合金擴散接合逋之熱影響試驗) 關於组/銅-鋅合金擴散接合體支持板的強度,可對其進 行加熱處理,觀察鋅的蒸發狀況加以確認。關於靶以及支 持板,使用了下述的材料: 靶:钽直徑440mm、厚度4.8mm 銅-辞合金支持板(合金編號C2600):厚度17mm 靶與銅-鋅合金支持板之接合:擴散接合 此靶與支持板所構成之擴散接合艘以真空加熱處理至 700°C ’尚未引起鋅之蒸散。然而,於900〇c真空加熱處理, 銅-鋅合金製支持板材的钽/銅·鋅合金之擴散接合部分發生 了剝離現象。 其次’為了使這個結果以數值計算再現,乃對被假想 受到激钱最為顯著之中央部分直徑5〇mm之區域,均勻投予 500W/cm的功率(總賤锻功率i〇kw:假定i〇kw是集中作 用在直徑50mm的區域。實際濺链功率是4〇kw,這是發生 剝離的情況> 又,支持板背面側(靶之相反側)是施以水冷(冷 卻水的溫度是設定為2〇它)。 由數值4算的結果,组托的表面中央部分最高溫度是 13 1353390 100年9月c?日替換頁 104CTC。這與實際濺鍍時的靶溫度相近。 銅-辞合金製支持板中心部之與靶接合界面的最高溫度 是770eC,若一併考慮在真空熱處理結果之700。(:並未發生 問題’則於上述的數值計算條件下,由於銅鋅支持板大約 超過750°C的時候會引起鋅的蒸散,故預估在這樣的狀態下 靶/銅-鋅合金製支持板發生剝離。 實施例 以以上的實驗與數值計算做為基礎,製作埋入純銅的 各種靶/銅-辞合金製支持板,觀察銅-鋅合金製支持板的最 高溫度,以及濺鍍試驗的结果。數值計算的條件如以下所 述。 靶:钽直徑44Qmm,厚度4.8mm 銅-鋅合金製支持板(合金编號C2600):厚度17mm 直徑50mm、厚度6mm的埋入體埋設於最為受到濺触 的中央部分。. 於最為受到濺蝕的中央部分直徑5Omm的區域,均勻投 予500W/cm2的功率,支持板側為水冷(冷卻水溫度設定為 20°C ) 濺鍵條件為:採用_L述形狀之乾/支持板組合體以4〇kW 之功率進行濺鍍β (實施例1〜8以及比較例1〜2) 實施例1〜7,如表1所示,為純銅埋入體之直徑固定 為50mm’由1mm〜15mm改變其厚度,於實施例8為貫穿(貫 1353390 100年9月孕日替換頁 通)銅-鋅合金製支持板之構造。於比較例1,靶與銅-鋅合金 製支持板之間,使用1 mm之純銅夾設物,於比較例2,乾 與銅-鋅合金製支持板之間使用6mm之純銅央設物。 [表1] 純銅埋入體厚度 銅-鋅合金製支持板 最高溫度 濺鍍實驗結果 實施例1 lmm 710°C 沒有引起剝離,成膜均一性:可 實施例2 2mm 680〇C 沒有引起剝離,成膜均一性:可 實施例3 3mm 630〇C 沒有引起剝離,成膜均一性:良 實施例4 6mm 510°C 沒有引起剝離,成膜均一性:優 實施例5 8mm 470〇C 沒有引起剝離,成膜均一性:優 實施例6 12mm 360〇C 沒有引起剝離,成膜均一性:良 實施例7 15mm 320〇C 沒有引起剝離,成膜均一性:可 實施例8 17mm(貫穿支持 板) 270〇C 沒有引起剝離,成膜均一性:可 比較例1 lmm(夾設於整個 靶面與支持板間) 沒有實施數值計算 沒有引起剝離,成膜均一性:不良 比較例2 6mm(失設於整個 靶面與支持板間) 沒有實施數值計算 沒有引起剝離,成膜均一性:不良 埋入體直徑:50mm,銅·鋅合金製支持板厚度: 7mm 乾材:组直徑440mm,厚度4.8mm (濺鍍實驗結果) 由數值計算結果,钽靶之表面中央部最高溫度達到 1050°C,實施例1具有厚度lmm純銅埋入體之銅-鋅合金製 支持板最高溫度為71 0°C,並且沒有引起剝離,成膜均一性 尚可。 前述情形,即使僅配置了薄的純銅製埋入體,仍可使 得銅-辞合金製支持板的溫度降低,可知此方法為有效。如 上述,在不使用純銅製的埋入體的情況,銅-鋅合金製支持 15 1353390 100年9月分日替換頁 C,如今降低至 到的。 板t心部分與靶的接合界面最高溫度是wo 7l〇°C,即表示了 60°C的溫度下降是可能達 如表1所示,純銅埋入體的厚度薄未必能說會有優良 的成膜均一性。這原因可能是因為純銅埋入趙厚度薄,造 成靶溫度分布差異過大。 (實施例2〜6) 實施例2結果為:具有厚度2mm純鋼埋入艘之銅_鋅合 金製支持板之最高溫度680°C,沒有引起剝離,成膜均一性 尚可》 實施例3結果為:具有厚度3 mm純銅埋入艎之銅-辞合 金製支持板最高溫度63(TC,沒有引起剝離,成膜均一性良 好》 實施例4結果為:厚度6mm純銅埋入體之銅·鋅合金製 支持板最高溫度510°C,沒有引起剝離,成膜均一性優良》 實施例5結果為:厚度8n^m純銅埋入趙之銅-鋅合金製 支持板最高溫度470°C,沒有引起剝離,成膜均一性優良。 如以上所示,伴隨純銅埋入體的厚度增加,能增進成 膜的均一性,以純銅埋入體厚度6 mm、8 mm的成膜均一性 最為優良。 (實施例6〜7) 實施例6結果為:厚度12mm純銅埋入體之銅-鋅合金製 支持板最高溫度360°C,而且沒有引起剝離,成膜均一性.良 好。這個情況下,雖然溫度顯著的降低了,但成膜均一性 比純銅埋入體厚度為6mm、8mm的情況稍微更差。一般認 16 1353390 100年9月g日替換頁 為此乃由於在埋入體厚度厚的情況下,造成如前述之渦電 流引起磁旋變動之故β 實施例7結果為:具有厚度1 5mm純銅埋入趙之銅辞合 金製支持板最高溫度320。〇,而且沒有引起剝離,成膜均一 性尚可。此情況*亦儘管溫度顯著下降,然成膜均一性與純 銅埋入想厚度6mm、8mm的情況相比更差。一般認為此乃 由於在埋入趙厚度厚的情況下,與磁性物距離變近,造成 如前述之渦電流引起磁旋變動之故。 (實施例8) 實施例8為具有厚度17 mm純銅埋入體之銅-辞合金製 支持板,即與銅-鋅合金支持板厚度相同,且純銅埋入體將 其貫穿構造之支持板。在這個情況之最高溫度270。(:,而且 沒有引起剝離,成膜均一性尚可。這情況溫度顯著下降,' 可知純銅冷卻效率為良好。然成膜均一性與純銅埋入體厚 度6mm、8mm的情況相比更差。一般認為此乃由於在埋入 趙厚度厚的情泥下’與磁性物距離變近,造成如前述之渦 電流引起磁旋變動之故。 (比較例1〜2) 如上所述,比較例1為:於靶全面與銅-鋅合金製支持板 之間使用了 1 mm之純銅夾設物,而比較例2為:於乾全面與 钢-辞合金製支持板之間使用了 6mm之純銅夹設物的情況。 比較例1與比較例2之結果為:雖藉由導熱性高的純鋼 失設物之效果,不會發生鋅合金製支持板之剝離,然而成 媒均一性為不良。一般認為此乃由於起因於渦電流造成之
S 17 1353390 100年9月q日替換頁 磁旋變動,銅·辞合金製支持板之抑制效果被純銅夾 抵銷之故。 (實施例9〜10) 其次’表2所示者乃將上述濺鍍試驗結果優異之純鋼 埋入體厚度固定在6mm,然後使純钢埋入趙直徑改變的情 況下之試驗結果。 靶以及支持板的條件為與上述實驗相同(再度揭載如 下)。以純銅埋入體直徑對靶直徑之比表示》 輕:组直徑440mm,厚度4.8mm 銅-鋅合金製支持板(合金編號C2600):厚度17mm。 實施例9為純銅埋入體直徑:靶直徑=1:2的情況,銅_辞 製支持板最高溫度為420°C,並未引起剝離,成膜均_性良 好。 實施例10是純銅埋入體直徑:把直徑=1:5的情況,銅_辞 製支持板最高溫度為470°C ’並未引起剝離,成膜均_性優 良。此結果表示於表2。 18 1353390 100年9月q曰替換頁 [表2] 4銅埋入體對靶 直徑比 銅-鋅合金製支持板 最高溫度 濺鍍實驗結果 實施例9 1/2 420〇C 沒有引起剝離,成媒均一,•电. 實施例10 1/5 470°C 沒有引起剝離,成骐均一,W.婿 實施例11 1/7.5 500°C 沒有弓丨起剝 實施例12 1/10 53(TC 沒有引起剝離,成媒均一枓声 實施例13 1/20 690〇C 沒有引起剝離,成唭均一性:可 比較例3 1/1.5 400°C 沒有引起剝離,成骐均一性:不良 比較例4 1/30 >750〇C 支持板一部份熔融,剝離發生,減链 t斷 比較例5 1/40 >750eC 支持扳_部份熔融,剝離發生,濺鍍 中斷 純銅埋入想厚度:6mm,i 時-鋅合金製支持板厚度:17mm 材:链直徑440mm,厚度4.8mm (實施例11〜13) 實施例11為純銅埋入體直徑:靶直徑=1:7.5之情況,銅 -鋅合金製支持板最高溫度為500°C,並未引起剝離,成膜 均一性優良。 實施例12為純銅埋入體直徑:乾直徑= ι:ι〇之情況,銅 -鋅合金製支持板最高溫度為530°C,並未引起剝離,成膜 均一性良好。 實施例13為純銅埋入體直徑:靶直徑mjo之情況,銅 •鋅合金製支持板最高溫度為690°C,並未引起剝離,成膜 均一性尚可。 (比較例3) 比較例3為純銅埋入體直徑:靶直徑=丨:丨5之情況,銅 •鋅合金製支持板最高溫度為400。(:,並未引起剝離,成膜
S 19 1353390 loo年9月q日替換頁 均一性不良。這是起因於純銅埋入體直徑過大,由渦電流 引起的磁旋轉變動造成之成膜均一性惡化。也就是說一般 認為由純銅夾設物造成銅-鋅合金製支持板之抑制效果被減 小 〇 (比較例4〜5) 比較例4為純銅埋入體直徑:靶直徑=1:30之情況,銅-鋅 合金製支持板最高溫度為超過75(TC,發生了剝離現象。這 是純銅埋入體直徑過小,熱擴散效果不夠充分,銅-辞合金 製支持板一部分發生熔融之故。 比較例5為純銅埋入體直徑:靶直徑=1 :_4〇之情況,銅-鋅 合金製支持板最高溫度為超過750。(:,發生了剝離現象。相 較於上述之比較例4,此狀態又更為惡化。 這是純鋼埋入體直徑過小,熱擴散效果不夠充分,銅-辞 合金製支持板一部分發生熔融之故。 由以上的例子明顯地可看出,若純銅埋入體直徑的比 率增加’雖銅-鋅合金製支持板之溫度降低,但成膜均一性 未相對地提升。 另一方面’若純銅埋入體之直徑比率減少,雖銅-辞合 金製支持板之溫度上升,但成膜均一性則變得優良。 但是一旦此比率極端的變低,純銅埋入體的效果會減 ^成膜均一性會變低。由以上所述看來,可知任一個情 況都有最適0的條件存在。也就是說純銅構成之埋入趙 之直彳主為靶直徑之1/2〇M/2。另外,可知純銅構成之埋入體 厚度在支持板厚度的1/5〜4/5時更為所希望者。. 20 100年9月今日替換頁 本發明具有之優異效果為:可提供一 i簡便之錢鍍乾… 番支持板所構成之構造體,而其可使得廉價、強度與耐满 流特性優良之銅-鋅合金支持板在特性不致降低之前提 下,充分對應於更進一步的高功率化,對於靶採用鉅或者 组基合金等高熔點靶材來濺鍍的情況特別有用。 【圖式簡單說明】 圖1是本發明的濺鍍靶與支持板所構成之組合體的截 面說明圖。 【主要元件符號說明】 靶 : 銅-辞合金支持板 ; 埋入體(純銅) 21
Claims (1)
1353390
十、申請專利範圍: 1. 一種濺鍍靶與支持板所構成之組合體,其係濺鍍靶與 銅-鋅合金製支持板所構成之接合體;其特徵在於··具有於靶 中央部分之支持板位置埋入純銅之構造;且,該由純銅所 構成之埋入趙直徑為乾直徑的1/2〇~1/2。 2·如申請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合趙’其中,由純銅所構成之埋入體厚度為支持板厚度 的 1/5〜4/5 » 3. 如申請專利範圍第2項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合艘’其中’由純銅所構成之埋入體厚度為支持板厚度 的 1/4〜2/4 » 4. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合體’其中,具有由純銅所構成之埋入體厚度以銅·鋅合 金製支持板厚度貫通之構造》 5. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合趙’其中,乾為组或者组基合金β 6. 如中請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 紐合趙’其中’具有靶與支持板經擴散接合之構造。 7. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合體,係使用於磁控濺鍍裝置。 8. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合體,其中,純銅為無氧銅。 9. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶與支持板所構成之 組合體,其中,鋼·鋅合金製支持板為含有5〜40wt%辞之銅 22 1353390 -鋅系銅合金。 Η—、圖式: 如次頁 100年9月q日替換頁 23
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006179930 | 2006-06-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200801216A TW200801216A (en) | 2008-01-01 |
TWI353390B true TWI353390B (zh) | 2011-12-01 |
Family
ID=38845319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096116790A TW200801216A (en) | 2006-06-29 | 2007-05-11 | Sputtering target/backing plate conjunction element |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8157973B2 (zh) |
EP (1) | EP2039797B1 (zh) |
JP (1) | JP4879986B2 (zh) |
KR (1) | KR101040076B1 (zh) |
CN (1) | CN101479400B (zh) |
TW (1) | TW200801216A (zh) |
WO (1) | WO2008001547A1 (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101065511A (zh) * | 2004-11-17 | 2007-10-31 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置 |
KR101337306B1 (ko) * | 2008-04-21 | 2013-12-09 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 필드-강화 스퍼터링 타겟 및 그 생산 방법 |
WO2011062002A1 (ja) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
US10167547B2 (en) | 2009-12-24 | 2019-01-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Gadolinium sputtering target and production method of said target |
JP5694360B2 (ja) | 2010-10-27 | 2015-04-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
US8968537B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | PVD sputtering target with a protected backing plate |
WO2013003458A1 (en) | 2011-06-27 | 2013-01-03 | Soleras Ltd. | Sputtering target |
CN105209657A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-12-30 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶/背衬板组件 |
WO2016017432A1 (ja) | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 防食性の金属とMo又はMo合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体 |
JP6021861B2 (ja) * | 2014-08-06 | 2016-11-09 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
KR101649794B1 (ko) | 2014-08-20 | 2016-08-19 | 김정욱 | 타워램프 상태 모니터링용 무선 타워램프 정보 관리 시스템 |
JP6546953B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-07-17 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
US11244815B2 (en) | 2017-04-20 | 2022-02-08 | Honeywell International Inc. | Profiled sputtering target and method of making the same |
KR102263414B1 (ko) | 2020-02-19 | 2021-06-10 | 주식회사 엘에이티 | 스퍼터 전극체 |
CN113173284B (zh) * | 2021-04-26 | 2022-07-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种半成品靶材背板的管理方法 |
KR102707659B1 (ko) | 2021-11-17 | 2024-09-19 | 바짐테크놀로지 주식회사 | 스퍼터링 타겟 접합체 |
KR20240072544A (ko) | 2022-11-17 | 2024-05-24 | 바짐테크놀로지 주식회사 | 스퍼터링 타겟 접합방법 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1988-02-26 | Toshiba Corp | スパツタ装置 |
JPH01222047A (ja) | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Nippon Mining Co Ltd | 銅又は銅合金製バッキングプレート |
JPH0774436B2 (ja) | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
US5693203A (en) | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
JP3660014B2 (ja) | 1995-03-31 | 2005-06-15 | 株式会社テクノファイン | スパッタ用ターゲット |
JPH11189870A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Nisshin Steel Co Ltd | スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法 |
JP2001329362A (ja) | 2000-05-17 | 2001-11-27 | Nikko Materials Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 |
JP3791829B2 (ja) | 2000-08-25 | 2006-06-28 | 株式会社日鉱マテリアルズ | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
JP3905295B2 (ja) | 2000-10-02 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | 高純度コバルトターゲットと銅合金製バッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法 |
JP3905301B2 (ja) | 2000-10-31 | 2007-04-18 | 日鉱金属株式会社 | タンタル又はタングステンターゲット−銅合金製バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
KR100631275B1 (ko) | 2000-11-17 | 2006-10-02 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트 또는 배킹 플레이트 및 파티클 발생이 적은 스퍼터링 방법 |
KR100581139B1 (ko) | 2001-03-14 | 2006-05-16 | 가부시키 가이샤 닛코 마테리알즈 | 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트, 배킹 플레이트 또는스퍼터링 장치 내의 기기 및 방전 가공에 의한 조화방법 |
WO2003052161A1 (fr) | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Nikko Materials Company, Limited | Procede pour assembler une cible en substance magnetique avec une plaque dorsale, et cible en substance magnetique |
US6709557B1 (en) * | 2002-02-28 | 2004-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Sputter apparatus for producing multi-component metal alloy films and method for making the same |
TWI269815B (en) * | 2002-05-20 | 2007-01-01 | Tosoh Smd Inc | Replaceable target sidewall insert with texturing |
US20040016635A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Ford Robert B. | Monolithic sputtering target assembly |
KR20060033013A (ko) * | 2003-07-14 | 2006-04-18 | 토소우 에스엠디, 인크 | 저 전도 백킹 플레이트를 갖는 스퍼터링 타겟 조립체 및 그제조 방법 |
EP1715077A4 (en) | 2003-12-25 | 2010-09-29 | Nippon Mining Co | ARRANGEMENT OF COPPER OR COPPER ALLOY STARGET AND COPPER ALLOY CARRIER PLATE |
CN101065511A (zh) | 2004-11-17 | 2007-10-31 | 日矿金属株式会社 | 溅射靶、溅射靶-背衬板组装体以及成膜装置 |
EP1876258A4 (en) | 2005-04-28 | 2008-08-13 | Nippon Mining Co | sputtering Target |
KR100994663B1 (ko) | 2005-10-04 | 2010-11-16 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
US8647484B2 (en) * | 2005-11-25 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Target for sputtering chamber |
US20080236738A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Chi-Fung Lo | Bonded sputtering target and methods of manufacture |
-
2007
- 2007-05-02 JP JP2008522336A patent/JP4879986B2/ja active Active
- 2007-05-02 CN CN2007800243834A patent/CN101479400B/zh active Active
- 2007-05-02 EP EP07742794A patent/EP2039797B1/en active Active
- 2007-05-02 KR KR1020087031070A patent/KR101040076B1/ko active IP Right Grant
- 2007-05-02 US US12/306,734 patent/US8157973B2/en active Active
- 2007-05-02 WO PCT/JP2007/059359 patent/WO2008001547A1/ja active Application Filing
- 2007-05-11 TW TW096116790A patent/TW200801216A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101040076B1 (ko) | 2011-06-09 |
JP4879986B2 (ja) | 2012-02-22 |
TW200801216A (en) | 2008-01-01 |
CN101479400A (zh) | 2009-07-08 |
KR20090016599A (ko) | 2009-02-16 |
WO2008001547A1 (fr) | 2008-01-03 |
US20090277788A1 (en) | 2009-11-12 |
CN101479400B (zh) | 2011-06-22 |
EP2039797A4 (en) | 2010-04-28 |
US8157973B2 (en) | 2012-04-17 |
EP2039797B1 (en) | 2012-08-29 |
EP2039797A1 (en) | 2009-03-25 |
JPWO2008001547A1 (ja) | 2009-11-26 |
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