JP7136179B2 - 磁気記録媒体及びカートリッジ - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録媒体等の技術に関する。

近年、電子データのバックアップなどの用途で磁気記録媒体が広く利用されている。磁気記録媒体の一つとして、磁性層を有する磁気テープが広く普及している。

磁気記録媒体の磁性層には、複数の記録トラックを含むデータバンドが設けられており、この記録トラックに対してデータが記録される。また、磁性層においては、幅方向でデータバンドを挟み込む位置にサーボバンドが設けられ、このサーボバンドにサーボ信号が記録される。磁気ヘッドは、サーボバンドに記録されたサーボ信号を読み取ることで、記録トラックに対して位置合わせを行う。

磁気記録媒体への記録方式としては、磁性層内の磁性粒子を水平方向に磁化させてデータを記録する水平磁気記録方式と、磁性層内の磁性粒子を垂直方向に磁化させてデータを記録する垂直磁気記録方式とが知られている。垂直磁気記録方式は、水平磁気記録方式に比べて高密度にデータを記録することができる。

特開２０１４－１９９７０６号公報

近年においては、記録すべきデータ量の増加から、さらなる高密度記録化が要請されおり、データの記録密度をさらに向上させることができる技術が求められている。

以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、データの記録密度をさらに向上させることができる技術を提供することにある。

本技術に係る磁気記録媒体は、磁性層を有し、長手方向に長く、幅方向に短いテープ状の磁気記録媒体であって、前記磁性層は、データ信号が書き込まれる前記長手方向に長いデータバンドと、サーボ信号が書き込まれる前記長手方向に長いサーボバンドとを含み、垂直配向度が６５％以上であり、前記サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下であり、前記磁性層の厚さが、９０ｎｍ以下であり、前記基材の厚さが、４．２μｍ以下である。

これにより、データの記録密度をさらに向上させることができる。

上記磁気記録媒体において、前記孤立波形の半値幅が１８０ｎｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記孤立波形の半値幅が１６０ｎｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記孤立波形の半値幅が１４０ｎｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記孤立波形の半値幅が１２０ｎｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記垂直配向度が７０％以上であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記垂直配向度が７５％以上であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記垂直配向度が８０％以上であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記データバンドは、前記長手方向に長く、前記幅方向に整列され、前記幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅を有する複数の記録トラックを有し、前記サーボ信号は、前記幅方向に対して所定のアジマス角を持って傾斜する複数のストライプを含み、前記複数のストライプうち、任意のストライプ上の任意の点をＰ１とし、前記Ｐ１に対して、前記幅方向で前記記録トラック幅分、離れた位置にある前記任意のストライプ上の点をＰ２としたとき、前記Ｐ１及び前記Ｐ２における前記長さ方向での距離が、０．０８μｍ以上であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記Ｐ１及び前記Ｐ２における前記長さ方向での距離が、０．６２μｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記磁性層は、長手配向度が３５％以下であってもよい。

上記磁気記録媒体は、長手方向の保磁力が２０００Ｏｅ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記磁性層の表面全体の面積に対する前記サーボバンドの面積の比率が、４．０％以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記磁性層は、磁性粉を含み、前記磁性粉の粒子体積が２３００ｎｍ^３以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、データバンドの本数が４ｎ（ｎは、２以上の整数）であり、サーボバンドの本数が、４ｎ＋１であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記データバンドは、前記長手方向に長く、前記幅方向に整列され、前記幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅を有する複数の記録トラックを有し、前記記録トラック幅は、２．０μｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記データバンドに記録されるデータ信号における前記長手方向の１ビット長が、４８ｎｍ以下であってもよい。

上記磁気記録媒体において、前記磁性層は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はコバルト含有フェライトの磁性粉を含んでいてもよい。

本技術に係るカートリッジは、基材と磁性層とを有し、長手方向に長く、幅方向に短いテープ状の磁気記録媒体を含むカートリッジであって、前記磁性層は、データ信号が書き込まれる前記長手方向に長いデータバンドと、サーボ信号が書き込まれる前記長手方向に長いサーボバンドとを含み、垂直配向度が６５％以上であり、前記サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下であり、前記磁性層の厚さが、９０ｎｍ以下であり、前記基材の厚さが、４．２μｍ以下である。

以上のように、本技術によれば、データの記録密度をさらに向上させることができる技術を提供することができる。

磁気記録媒体を側方から見た模式図である。 磁気記録媒体を上方から見た模式図である。 データバンドにおける記録トラックを示す拡大図である。 サーボバンドにおけるサーボ信号を示す拡大図である。 データ記録装置を示す模式図である。 ヘッドユニットを下側から見た図である。 第１のヘッドユニットがデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。 サーボ信号における１つのストライプを読み取ったときの再生波形を示す図である。 孤立波形における半値幅を説明するための図である。 本技術の基本的な考え方を説明するための図であり、サーボ信号における２つのストライプを示す図である。 各種実施例及び各種比較例を示す図である。 さらに別の各種実施例及び各種比較例を示す図である。

以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。

＜磁気記録媒体の構成＞
まず、磁気記録媒体１における基本的な構成について説明する。図１は、磁気記録媒体１を側方から見た模式図である。

図１及び図２に示すように、磁気記録媒体１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長く、幅方向（Ｙ軸方向）に短く、厚さ方向（Ｚ軸方向）に薄いテープ状に構成されている。なお、本明細書（及び図面）においては、磁気記録媒体１を基準とした座標系をＸＹＺ座標系で表すこととする。

磁気記録媒体１は、好ましくは９６ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されている。磁気記録媒体１は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるデータ記録装置に用いられることが好ましい。

図１を参照して、磁気記録媒体１は、長手方向（Ｘ軸方向）に長いテープ状の基材１１と、基材１１の一方の主面上に設けられた非磁性層１２と、非磁性層１２上に設けられた磁性層１３と、基材１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを含む。なお、バック層１４は、必要に応じて設けられればよく、このバック層１４は省略されてもよい。

［基材］
基材１１は、非磁性層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基材１１は、長尺のフィルム状を有する。基材１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基材１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１つのカートリッジ２１（図５参照）内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。

基材１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基材１１以外の層（すなわち非磁性層１２、磁性層１３およびバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（基材１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基材１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基材１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基材１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

［磁性層］
磁性層１３は、データ信号を記録するための記録層である。磁性粉、結着剤、導電性粒子等を含む。磁性層１３は、必要に応じて、潤滑剤、研磨剤、防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層１３は、多数の孔部が設けられた表面を有している。これらの多数の孔部には、潤滑剤が蓄えられている。多数の孔部は、磁性層の表面に対して垂直方向に延設されていることが好ましい。

磁性層１３の垂直配向度（反磁界補正なし：以下同様）は、典型的には、６５％以上とされる。また、磁性層１３の長手配向度は、典型的には、３５％以下とされる。

磁性層１３の厚さは、典型的には、３５ｎｍ以上９０ｎｍ以下とされる。このように、磁性層１３の厚さを３５ｎｍ以上９０ｎｍ以下とすることで、電磁変換特性を向上させることができる。さらに、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅（後述）の観点からすると、磁性層１３の厚さは、好ましくは９０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下とされる。磁性層１３の厚さが９０ｎｍ以下とされることで、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くして（１９５ｎｍ以下）、サーボ信号の再生波形のピークを鋭くすることができる。これにより、サーボ信号６の読み取り精度が向上するため、記録トラック数を増加させてデータの記録密度を向上させることができる（詳細は後述）。

磁性層１３の厚さは、例えば、以下の様にして求めることができる。まず、磁気記録媒体１を、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察を行う。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍

次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１１０の長手方向で少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚さを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１３の厚さとする。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含む。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気記録媒体の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１の特性劣化を抑制することができる。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１以上２．５以下、より好ましくは１以上２．１以下、さらにより好ましくは１以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができ、また、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上させることができる。

磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）は、好ましくは２３００ｎｍ^３以下、より好ましくは２２００ｎｍ^３以下、より好ましくは２１００ｎｍ^３以下、より好ましくは１９５０ｎｍ^３以下、より好ましくは１６００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは１３００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均体積Ｖaveが２３００ｎｍ^３以下であると、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くして（１９５ｎｍ以下）、サーボ信号の再生波形のピークを鋭くすることができる。これにより、サーボ信号の読み取り精度が向上するため、記録トラック数を増加させてデータの記録密度を向上させることができる（詳細は後述）。なお、磁性粉の平均体積Ｖaveは、小さければ小さいほど良いので体積の下限値については特に限定されないが、例えば、下限値は、１０００ｎｍ^３以上とされる。

上記の磁性粉の平均粒子サイズ、平均アスペクト比及び平均体積Ｖaveは、以下のようにして求められる（例えば、磁性粉がε酸化鉄粒子のような球体等の形状を有している場合）。まず、測定対象となる磁気記録媒体１をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉を無作為に選び出し、各磁性粉の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、磁性粉の長軸と直交する方向における磁性粉の長さのうち最大のものを意味する。

続いて、測定した５０個の磁性粉の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。そして、このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の磁性粉の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。次に、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから磁性粉の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。

次に、平均長軸長ＤＬaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝π／６×ＤＬave^３

ここでの説明では、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

以上の説明では、ε酸化鉄粒子がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉は、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含んでいてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び磁性粉の平均体積Ｖaveは上述したとおりである。

なお、磁性粉の平均粒子サイズ、平均アスペクト比および平均体積Ｖaveは以下のようにして求められる（例えば、磁性粉が六方晶フェライトのような板状の形状を有している場合）。まず、測定対象となる磁気記録媒体１をＦＩＢ法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から、水平方向に対して７５度以上の角度で配向した磁性粉を５０個無作為に選び出し、各磁性粉の最大板厚ＤＡを測定する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。

次に、磁気記録媒体１の磁性層１３の表面をＴＥＭにより観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉を無作為に選び出し、各磁性粉の最大板径ＤＢを測定する。ここで、最大板径ＤＢとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した５０個の磁性粉の最大板径ＤＢを単純に平均（算術平均）して平均最大板径ＤＢaveを求める。そして、このようにして求めた平均最大板径ＤＢaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。次に、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveから磁性粉の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。

次に、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝３√３／８×ＤＡave×ＤＢave^２

磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含んでいてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び磁性粉の平均体積Ｖaveは上述と同様である。また、磁性粉の平均アスペクト比も上述と同様にして求められる。

なお、磁性粉がコバルトフェライト粒子のような立方体状の形状を有している場合、磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）は、以下のようにして求めることができる。まず、磁気記録媒体１の磁性層１３の表面をＴＥＭにより観察し、次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉を無作為に選び出し、各磁性粉の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の磁性粉の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣaveを求める。次に、平均辺長ＤＣaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝ＤＣave^３

（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１に対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２等の極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属である。

さらに、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ^－は弗素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等も挙げられる。

（潤滑剤）
潤滑剤は、下記の一般式（１）で示される化合物、および下記の一般式（２）で示される化合物を含むことが好ましい。潤滑剤がこれらの化合物を含むことで、磁性層１３の表面の動摩擦係数を特に低減することができる。したがって、磁気記録媒体１の走行性をさらに向上することができる。
ＣＨ_３（ＣＨ_２）_ｎＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｎは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ_３（ＣＨ_２）_ｐＣＯＯ（ＣＨ_２）_ｑＣＨ_３ ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは２以上５以下の範囲から選ばれる整数である。）

（添加剤）
磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含んでいてもよい。

［非磁性層１２］
非磁性層１２は、非磁性粉及び結着剤を含む。非磁性層１２は、必要に応じて、電動性粒子、潤滑剤、硬化剤、防錆材などの添加剤を含んでいてもよい。

非磁性層１２の厚さは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。非磁性層１２の厚さは、磁性層１３の厚さを求める方法と同様の方法（例えば、ＴＥＭ）により求めることができる。なお、ＴＥＭ像の倍率は、非磁性層１２の厚さに応じて適宜調整される。
（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素材料を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
（結着剤）
結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。

［バック層１４］
バック層１４は、非磁性粉及び結着剤を含む。バック層１４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤及び帯電防止剤などの添加剤を含んでいてもよい。非磁性粉、結着剤としては、上述の非磁性層１２に用いられる材料と同様の材料が用いられる。

（非磁性粉）
非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズＤと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１の平均厚みが５．６μｍである場合でも、非磁性層１２や基材１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１の平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層１４を除去した磁気記録媒体１の平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

バック層１４は、多数の突部が設けられた表面を有している。多数の突部は、磁気記録媒体１をロール状に巻き取った状態において、磁性層１３の表面に多数の孔部を形成するためのものである。多数の孔部は、例えば、バック層１４の表面から突出された多数の非磁性粒子により構成されている。

ここでの説明では、バック層１４の表面に設けられた多数の突部を、磁性層１３の表面に転写することにより、磁性層１３の表面に多数の孔部を形成する場合について説明したが、多数の孔部の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面に多数の孔部を形成するようにしてもよい。

［磁気記録媒体の平均厚み］
磁気記録媒体１の平均厚み（平均全厚）の上限値が、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは、４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１の平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であると、カートリッジ２１内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気記録媒体１の平均厚みは、上述のバック層１４の平均厚みの求め方において説明した手順により求められる。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１の長手方向における保磁力Ｈｃの上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。

磁気記録媒体１の長手方向に測定した保磁力Ｈｃの下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上、であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を押さえることができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１から測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの長手方向（磁気記録媒体１の走行方向）に測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（非磁性層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基材１１のみを残してバックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いて基材１１の長手方向（磁気記録媒体１の走行方向）に基材１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループから基材１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１の長手方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。

（角形比）
磁気記録媒体１の垂直方向（厚み方向）における角形比（配向度）Ｓ１が、６５％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。

角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１から測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（非磁性層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基材１１のみを残して、バックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いて基材１１の垂直方向（磁気記録媒体１の垂直方向）に対応する基材１１のＭ－Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループから基材１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気記録媒体１の長手方向（走行方向）における角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。

角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１および基材１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（動摩擦係数）磁気記録媒体１に加わる張力が１．２Ｎであるときの磁性層１３の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μ_Aと、磁気記録媒体１に加わる張力が０．４Ｎであるときの磁性層１３の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μ_B との比率（μ_Ｂ／μ_Ａ）が、好ましくは１．０以上で２．０以下であると、走行時の張力変動による摩擦係数の変化を小さくできるためテープの走行を安定させることができる。

磁気記録媒体１に加わる張力が０．６Ｎであるときの磁性層１３の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μ_Ａが走行５回目の値μ５と１０００回目の値 μ１０００との比率（μ₁₀₀₀／μ₅）が、好ましくは１．０以上２．０以下、より好ましくは１．０以上１．５以下である。比率（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０以上で２．０以下であると、多数回走行による摩擦係数の変化を小さくできるためテープの走行を安定させることができる。

［データバンド及びサーボバンド］
図２は、磁気記録媒体１を上方から見た模式図である。図２を参照して、磁性層１３は、データ信号が書き込まれる長手方向（Ｘ軸方向）に長い複数のデータバンドｄ（データバンドｄ０～ｄ３）と、サーボ信号６が書き込まれる長手方向に長い複数のサーボバンドｓ（サーボバンドｓ０～ｓ４）とを有している。サーボバンドｓは、幅方向（Ｙ軸方向）で各データバンドｄを挟み込む位置に配置される。

本技術において、磁性層１３の表面全体の面積に対するサーボバンドｓの面積の比率は、典型的には、４．０％以下とされる。また、サーボバンドｓの幅は、典型的には、９５μｍ以下とされる。

サーボバンドｓは、データバンドｄを挟み込む位置に配置されため、サーボバンドｓの本数は、データバンドｄの本数よりも１本多くなる。図２に示す例では、データバンドｄの本数が４本とされ、サーボバンドｓの本数が５本とされた場合の例が示されている（既存のシステムにおいては、この方式が採用されることが一般的）。

なお、データバンドｄの本数、サーボバンドｓの本数は、適宜変更することができ、これらの本数は、増やされてもよい。

この場合、サーボバンドｓの数は、好ましくは５以上とされる。サーボバンドｓの数が５以上であると、磁気記録媒体１の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。

また、データバンドｄの本数が、８本、１２本、・・（つまり、４ｎ本（ｎは、２以上の整数））とされ、サーボバンドｓの本数が、９本、１３本、・・（つまり、４ｎ＋１本（ｎは、２以上の整数））とされてもよい。この場合、既存のシステムを変更することなく、データバンドｄの本数、サーボバンドｓの本数の変更に対応することができる。

データバンドｄは、長手方向に長く、幅方向に整列された複数の記録トラック５を含む。データ信号は、この記録トラック５に沿って、記録トラック５内に記録される。なお、本技術において、データバンドｄに記録されるデータ信号における長手方向の１ビット長は、典型的には、４８ｎｍ以下とされる。サーボバンドｓは、サーボ信号記録装置（不図示）によって記録される所定パターンのサーボ信号６を含む。

図３は、データバンドｄにおける記録トラック５を示す拡大図である。図３に示すように、記録トラック５は、長手方向に長く、幅方向に整列され、また、幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅Ｗｄを有している。この記録トラック幅Ｗｄは、典型的には、２．０μｍ以下とされる。なお、このような記録トラック幅Ｗｄは、例えば、磁気記録媒体１を、フェリコルド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。

１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数は、例えば、１０００本から２０００本程度とされる。

図４は、サーボバンドｓにおけるサーボ信号６を示す拡大図である。図４に示すように、サーボ信号６は、幅方向（Ｙ軸方向）に対して所定のアジマス角αを持って傾斜する複数のストライプ７を含む。この複数のストライプ７は、幅方向（Ｙ軸方向）に対して時計回りに傾斜する第１のストライプ群８と、幅方向に対して反時計回りに傾斜する第２のストライプ群９とに分類される。なお、このようなストライプ７の形状などは、例えば、磁気記録媒体１を、フェリコルド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。

図４には、サーボ信号６がトレースされるラインであるサーボトレースラインＴが破線により示されている（後述のサーボリードヘッド３２によりトレースされる）。サーボトレースラインＴは、長手方向（Ｘ軸方向）に沿って設定され、また、幅方向に所定の間隔Ｐｓを開けて設定される。

１本のサーボバンドｓあたりのサーボトレースラインＴの本数は、例えば、３０本から６０本程度とされる。

隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、記録トラック幅Ｗｄの値と同じであり、例えば、２．０μｍ以下とされる。ここで、隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、記録トラック幅Ｗｄを決定付ける値とされている。つまり、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓが狭められると、記録トラック幅Ｗｄが小さくなり、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数が増える。結果として、データの記録容量が増えることになる（間隔Ｐｓが広くなる場合は、その逆）。

＜データ記録装置２０＞
次に、磁気記録媒体１に対して、データ信号の記録及び再生を行うデータ記録装置２０について説明する。図５は、データ記録装置２０を示す模式図である。なお、本明細書（及び図面）においては、データ記録装置２０を基準とした座標系をＸ'Ｙ'Ｚ'座標系で表すこととする。

データ記録装置２０は、磁気記録媒体１を収容したカートリッジ２１を装填可能に構成されている。なお、ここでは、説明を容易にするため、データ記録装置２０が１つのカートリッジ２１を装填可能な場合について説明するが、データ記録装置２０が複数のカートリッジ２１を装填可能に構成されていてもよい。

図５に示すように、データ記録装置２０は、スピンドル２７と、リール２２と、スピンドル駆動装置２３と、リール駆動装置２４と、複数のガイドローラ２５と、ヘッドユニット３０と、制御装置２６とを含む。

スピンドル２７は、カートリッジ２１を装填可能に構成されている。カートリッジ２１は、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、巻回された磁気記録媒体１を、ケースの内部において回転可能に収容している。リール２２は、カートリッジ２１から引き出された磁気記録媒体１の先端側を固定可能に構成されている。

スピンドル駆動装置２３は、制御装置２６からの指令に応じて、スピンドル２７を回転させる。リール駆動装置２４は、制御装置２６からの指令に応じて、リール２２を回転させる。磁気記録媒体１に対してデータ信号の記録／再生が行われるとき、スピンドル駆動装置２３及びリール駆動装置２４により、スピンドル２７及びリール２２が回転されて、磁気記録媒体１が走行される。ガイドローラ２５は、磁気記録媒体１の走行をガイドするためのローラである。

制御装置２６は、例えば、制御部、記憶部、通信部などを含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、データ記録装置２０の各部を統括的に制御する。

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。通信部は、ＰＣ（Personal Computer）、サーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

ヘッドユニット３０は、制御装置２６からの指令に応じて、磁気記録媒体１に対してデータ信号を記録することが可能に構成されている。また、ヘッドユニット３０は、制御装置２６からの指令に応じて、磁気記録媒体１に書き込まれたデータを再生することが可能に構成されている。

図６は、ヘッドユニット３０を下側から見た図である。図６に示すように、ヘッドユニット３０は、第１のヘッドユニット３０ａと、第２のヘッドユニット３０ｂとを含む。第１のヘッドユニット３０ａと、第２のヘッドユニット３０ｂとは、Ｘ'軸方向（磁気記録媒体１の走行方向）で対称に構成されている。この第１のヘッドユニット３０ａ及び第２のヘッドユニット３０ｂは、幅方向（Ｙ'軸方向）に移動可能に構成されている。

第１のヘッドユニット３０ａは、磁気記録媒体１が順方向（カートリッジ２１側から装置２０側に流れる方向）に走行されているときに使用されるヘッドである。一方、第２のヘッドユニット３０ｂは、磁気記録媒体１が逆方向（装置２０側からカートリッジ２１側に流れる方向）に走行されているときに使用されるヘッドである。

第１のヘッドユニット３０ａ及び第２のヘッドユニット３０ｂは、基本的に同様の構成であるため、第１のヘッドユニット３０ａについて代表的に説明する。

第１のヘッドユニット３０ａは、ユニット本体３１と、２つのサーボリードヘッド３２と、複数のデータライト／リードヘッド３３とを有する。

サーボリードヘッド３２は、磁気記録媒体１に記録されたサーボ信号６から発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive）などにより読み取ることで、サーボ信号６を再生可能に構成されている。サーボリードヘッド３２は、ユニット本体３１における幅方向（Ｙ'軸方向）の両端側にそれぞれ１つずつ設けられる。２つのサーボリードヘッド３２の幅方向（Ｙ'軸方向）における間隔は、磁気記録媒体１における隣接するサーボバンドｓ間の距離と略同じとされている。

データライト／リードヘッド３３は、幅方向（Ｙ軸方向）に沿って、等間隔に配置されている。また、データライト／リードヘッド３３は、２つのサーボリードヘッド３２に挟み込まれる位置に配置されている。データライト／リードヘッド３３の数は、例えば、２０個～４０個程度とされるが、この個数ついては特に限定されない。

データライト／リードヘッド３３は、データライトヘッド３４と、データリードヘッド３５とを含む。データライトヘッド３４は、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気記録媒体１に対してデータ信号を記録することが可能に構成されている。また、データリードヘッド３５は、磁気記録媒体１に記録されたデータ信号から発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive）などにより読み取ることで、データ信号を再生可能に構成されている。

第１のヘッドユニット３０ａにおいては、データライトヘッド３４が、データリードヘッド３５の左側（磁気記録媒体１が順方向に流れる場合の上流側）に配置される。一方、第２のヘッドユニット３０ｂにおいては、データライトヘッド３４が、データリードヘッド３５の右側（磁気記録媒体１が逆方向に流れる場合の上流側）に配置される。なお、データリードヘッド３５は、データライトヘッド３４が磁気記録媒体１にデータ信号を書き込んだ直後に、このデータ信号を再生可能とされている。

図７は、第１のヘッドユニット３０ａがデータ信号の記録／再生を行っているときの様子を示す図である。なお、図７に示す例では、磁気記録媒体１が順方向（カートリッジ２１側から装置２０側に流れる方向）に走行されているときの様子が示されている。

図７に示すように、第１のヘッドユニット３０ａがデータ信号の記録／再生を行うとき、２つのサーボリードヘッド３２のうち一方のサーボリードヘッド３２は、隣接する２つのサーボバンドｓのうち一方のサーボバンドｓ上に位置し、このサーボバンドｓ上のサーボ信号６を再生する。

また、２つのサーボリードヘッド３２のうち他方のサーボリードヘッド３２は、隣接する２つのサーボバンドｓのうち他方のサーボバンドｓ上に位置し、このサーボバンドｓ上のサーボ信号６を再生する。

また、このとき、制御装置２６は、サーボ信号の再生波形に基づいて、サーボリードヘッド３２が、目的とするサーボトレースラインＴ（図４参照）上を正確にトレースしているかどうかを判定する。

この原理について説明する。図４に示すように、サーボ信号６における第１のストライプ群８と、第２のストライプ群９とでは、幅方向（Ｙ軸方向）に対して傾斜する方向が逆となっている。このため、上側のサーボトレースラインＴでは、第１のストライプ群８と、第２のストライプ群９との間の長手方向（Ｘ軸方向）での距離は、相対的に狭くなっている。一方、下側のサーボトレースラインＴ上では、第１のストライプ群８と、第２のストライプ群９との間の長手方向（Ｘ軸方向）での距離は、相対的に広くなっている。

このため、第１のストライプ群８の再生波形が検出された時刻と、第２のストライプ群９の再生波形が検出された時刻との差を求めれば、サーボリードヘッド３２が磁気記録媒体１に対して幅方向（Ｙ軸方向）で、現在どの位置に位置するかが分かる。

従って、制御装置２６は、サーボ信号の再生波形に基づいて、目的とするサーボトレースラインＴ上をサーボリードヘッド３２が正確にトレースしているかどうかを判定することができる。そして、制御装置２６は、目的とするサーボトレースラインＴ上をサーボリードヘッド３２が正確にトレースしていない場合には、ヘッドユニット３０を幅方向（Ｙ'軸方向）に移動させて、ヘッドユニット３０の位置を調整する。

図７に戻り、データライト／リードヘッド３３は、幅方向での位置が調整（ずれた場合）されながら、記録トラック５に沿って、記録トラック５内にデータ信号を記録する。

ここで、磁気記録媒体１がカートリッジ２１から全て引き出されると、今度は、逆方向（装置２０側からカートリッジ２１側に流れる方向）に磁気記録媒体１が走行される。このとき、ヘッドユニット３０として、第２のヘッドユニット３０ｂが使用される。

また、このとき、サーボトレースラインＴは、先ほどのサーボトレースラインＴに隣接するサーボトレースラインＴが使用される。この場合、ヘッドユニット３０は、幅方向（Ｙ'軸方向）において、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ分（＝記録トラック幅Ｗｄ分）、移動される。

また、この場合、先ほどデータ信号が記録された記録トラック５に隣接する記録トラック５に対して、データ信号が記録される。

このように、磁気記録媒体１は、順方向及び逆方向に走行方向が変えられて何往復もされながら、記録トラック５に対してデータ信号が記録される。

ここで、例えば、サーボトレースラインＴの本数が、５０本であり、第１のヘッドユニット３０ａ（あるいは、第２のヘッドユニット３０ｂ）に含まれるデータライト／リードヘッド３３の数が３２個の場合を想定する。この場合、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の本数は、５０×３２で１６００本であり、この記録トラック５すべてにデータ信号を記録するためには、磁気記録媒体１を２５往復させる必要がある。

＜本技術の基本的な考え方＞
次に、本技術の基本的な考え方について説明する。本技術においては、サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅（ＰＷ５０）に着目している。まず、この孤立波形の半値幅について説明する。

図８は、サーボ信号６における１つのストライプ７を読み取ったときの再生波形を示す図である。図８に示すように、１つのストライプ７を読み取ったときの再生波形は、プラス側及びマイナス側に突出する（Ｎ極及びＳ極を読み取るため）。孤立波形は、基本的にこの半分である。

図９は、孤立波形における半値幅を説明するための図である。図９に示すように、半値幅は、サーボ信号６の再生波形における最大値（１００％）の半分（５０％）の高さにおける波形の幅である。

この半値幅は、サーボ信号６の再生波形におけるピークの鋭さを示す値である。つまり、半値幅が狭くなるほど、再生波形におけるピークの鋭さが増し、逆に、半値幅が広くなるほど、再生波形におけるピークの鋭さが鈍くなる。

図１０は、本技術の基本的な考え方を説明するための図であり、サーボ信号６における２つのストライプ７を示す図である。

図１０を参照して、サーボ信号６の第１のストライプ群８に含まれる複数のストライプ７のうち、任意のストライプ７を第１のストライプ７ａとする。また、サーボ信号６の第２のストライプ群９に含まれる複数のストライプ７のうち、任意のストライプ７を第２のストライプ７ｂとする。

また、複数のサーボトレースラインＴのうち任意のサーボトレースラインＴを第１のサーボトレースラインＴ１とする。また、第１のサーボトレースラインＴ１に隣接するサーボトレースラインＴを第２のサーボトレースラインＴ２とする。

また、第１のストライプ７ａと、第１のサーボトレースラインＴ１との交点をＰ１とする。なお、このＰ１について、第１のストライプ７ａ上において、任意の点をＰ１としてもよい。

また、第１のストライプ７ａと、第２のサーボトレースラインＴ２との交点をＰ２とする。なお、このＰ２について、Ｐ１に対して、幅方向（Ｙ軸方向）で間隔Ｐｓ分（つまり、記録トラック幅Ｗｄ分）、離れた位置にある第１のストライプ７ａ上の点をＰ２としてもよい。

また、Ｐ１及びＰ２における長手方向（Ｘ軸方向）での距離を距離Ｄとする。

また、第２のストライプ７ｂと、第１のサーボトレースラインＴ１との交点をＰ３とし、第２のストライプ７ｂと、第２のサーボトレースラインＴ２との交点をＰ４とする。

第１のサーボトレースラインＴ１がトレースされているとき、Ｐ１において再生波形が検出された時刻と、Ｐ３において再生波形が検出された時刻との差を判断する必要がある。この差を第１の期間とする。

同様に、第２のトレースラインＴがトレースされているとき、Ｐ２において再生波形が検出された時刻と、Ｐ４において再生波形が検出された時刻との差を判断する必要がある。この差を第２の期間とする。

次に、第１の期間と、第２の期間との差を考える。ここで、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ、及び記録トラック幅Ｗｄが１．５６μｍであるとし、アジマス角αが１２度であるとする。この場合、距離Ｄは、１．５６×ｔａｎ１２°で、０．３３μｍとなる。Ｐ１及びＰ３の間の距離と、Ｐ２及びＰ４の間の距離との差は、距離Ｄの２倍なので、０．６６μｍである。

このとき、磁気記録媒体１の走行速度が５ｍ／ｓであるとすると、０．６６／５００００００で、０．１３μｓとなる。これが、第１の期間と、第２の期間との差である。

つまり、第１のサーボトレースラインＴ１及び第２のサーボトレースラインＴ２を正確にトレースするためには、０．１３μｓの微小な差を正確に判断する必要がある（これができないと、隣の記録トラック５にデータ信号が記録されてしまう）。

しかしながら、サーボ信号６の再生波形（図８参照）におけるピークの鋭さが鈍い場合、このような微小な差を正確に判断することはできない。特に、記録トラック５の本数を増やすために、記録トラック幅Ｗｄを小さくし、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓを小さくすると、距離Ｄがさらに狭まり、第１の期間と第２の期間との差がさらに小さくなる。

そこで、本技術においては、サーボ信号６の再生波形におけるピークが鋭くなるように、磁性層１３の垂直配向度を一定の値以上とし、また、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅を一定の値以下とすることとしている。

なお、磁性層１３の垂直配向度を６５％以上とし、孤立波形の半値幅を１９５ｎｍとすることで、上記のような微小な差（例えば、０．１３μｓ）を識別可能な程度に、サーボ信号６の再生波形におけるピークが鋭くなるという知見が得られている（後述の各実施例参照）。

＜各種実施例及び各種比較例＞
次に、本技術における各種実施例及び各種比較例について説明する。図１１は、各種実施例及び各種比較例を示す図である。

まず、第１実施例に係る磁気記録媒体１が基準となる磁気記録媒体１として用意され、他の実施例及び他の比較例では、第１実施例に対して、垂直配向度等の各種の値が変化された。

図１１に示すように、第１実施例では、磁性層１３の垂直配向度が６５％とされ、磁性層１３の長手配向度が３５％とされた。また、第１実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）に対する距離Ｄの比（図１０参照）が、２１．３％とされた。なお、この比は、アジマス角α（図４参照）と関係があり、ｔａｎαを％で表した値に等しい。なお、第１実施例では、アジマス角αは、１２°とされた。

また、第１実施例では、距離Ｄ（図１０参照）が、０．１２μｍとされ、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が０．５６μｍとされた。また、第１実施例では、磁性層１３に含まれる磁性粉として、六角板状のバリウムフェライトが用いられた。

また、第１実施例では、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅が、１８０ｎｍであった。なお、孤立波形の半値幅は、例えば、以下の様にして求めることができる。まず、デジタル・ストレージ・オシロスコープを用いて、例えば、サンプリング：５００Ｍｓ／ｓ（２ｎｓｅｃ／ｐｏｉｎｔ）、サンプリング数：５００００ポイントの条件で、平均化（同期加算平均）を行う。そして、得られた孤立再生波形から孤立波形の半値幅を算出する。なお、同期加算は、波形におけるピーク位置において位置合わせが行われる。

また、第１実施例では、磁性層１３に含まれる磁性粉が、板状とされ、この磁性粉におけるアスペクト比が、２．８とされた。また、磁性粉の粒子体積（平均体積Ｖave）は、１９５０ｎｍ^３とされた。また、磁性層１３の厚さは、８０ｎｍとされた。

第２実施例では、第１実施例に対して、磁性層１３の垂直配向度が上げられて、６６％とされた。また、磁性層１３の長手配向度が下げられ、３１％とされた。第２実施例では、磁性層１３の垂直配向度が第１実施例よりも上げられた（長手配向度が下げられた）ことにより、孤立波形の半値幅が、第１実施例よりも狭まっており、１６０ｎｍであった。なお、その他の点については、第１実施例と同じである。

第３実施例では、第２実施例よりも磁性層１３の垂直配向度がさらに上げられて、７０％とされた。また、磁性層１３の長手配向度がさらに下げられ、２９％とされた。第３実施例では、磁性層１３の垂直配向度が第２実施例よりもさらに上げられた（長手配向度がさらに下げられた）ことにより、孤立波形の半値幅が、第２実施例よりも狭まっており、１５０ｎｍであった。なお、その他の点については、第１実施例と同じである。

第４実施例では、第３実施例よりも磁性層１３の垂直配向度がさらに上げられて、７１％とされた。また、磁性層１３の長手配向度がさらに下げられ、２５％とされた。第４実施例では、磁性層１３の垂直配向度が第３実施例よりもさらに上げられた（長手配向度がさらに下げられた）ことにより、孤立波形の半値幅が、第３実施例よりも狭まっており、１４０ｎｍであった。なお、その他の点については、第１実施例と同じである。

第５実施例では、磁性層１３の垂直配向度が６６％とされ、また、磁性層１３の長手配向度が３１％とされた。なお、第５実施例～第１８実施例における垂直配向度及び長手配向度は、第２実施例と同様である。

また、第５実施例では、サーボ信号６のアジマス角α（図４参照）が第１実施例～第４実施例とは異なっており、アジマス角αが２４度とされている。この関係で、第５実施例では、距離Ｄ（図１０参照）が、第１実施例～第４実施例とは異なっており、０．２５μｍとされている。また、第５実施形態では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）に対する距離Ｄの比（図１０参照）が、第１実施例～第４実施例とは異なっており、４４．５％とされている。

第５実施例では、垂直配向度、長手配向度が第２実施例と同じであるが、サーボ信号６のアジマス角αが増やされた関係で、孤立波形の半値幅が第２実施例よりも増えており、１８０ｎｍであった。なお、その他の点については、第１実施例と同様である。

第６実施例では、第５実施例よりも、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が広げられ、１．２１μｍとされた。また、第６実施形態では、この関係で、第５実施例よりも、距離Ｄが広がり、０．５４μｍとされた。その他の点については、第５実施例と同じである。

第７実施例では、第５実施例よりも、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が狭められ、０．３８μｍとされた。また、第７実施形態では、この関係で、第５実施例よりも、距離Ｄが狭められ、０．１７μｍとされた。その他の点については、第５実施例と同じである。

なお、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が変えられても、垂直配向度、アジマス角α等が変わらなければ、孤立波形の半値幅は変わらない（第６、第７実施例の半値幅は、第５実施例と同じ１８０ｎｍ）。

第８実施例では、磁性層１３の垂直配向度が６６％とされ、また、磁性層１３の長手配向度が３１％とされた。また、第８実施例では、サーボ信号６のアジマス角α（図４参照）が第１実施例～第７実施例とは異なっており、アジマス角αが１８度とされている。

この関係で、第８実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）に対する距離Ｄの比（図１０参照）が、第１実施例～第７実施例とは異なっており、３２．５％とされている。

また、第８実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）も、第１実施例～第７実施例とは異なっており、１．６６μｍとされた。また、第８実施例では、距離Ｄ（図１０参照）が０．５４μｍとされた。そして、第８実施例では、孤立波形の半値幅が、１７０μｍであった。

第９実施例では、第８実施例よりも、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が狭められ、０．７７μｍとされた。また、第９実施形態では、この関係で、第８実施例よりも、距離Ｄが狭まり、０．２５μｍとされた。その他の点については、第８実施例と同じである。

第１０実施例では、第９実施例よりもさらに記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が狭められ、０．５２μｍとされた。また、第１０実施形態では、この関係で、第９実施例よりもさらに距離Ｄが狭められ、０．１７μｍとされた。その他の点については、第９実施例と同じである。

なお、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が変えられても、垂直配向度、アジマス角α等が変わらなければ、孤立波形の半値幅は変わらない（第９、第１０実施例の半値幅は、第８実施例と同じ１７０ｎｍ）。

第１１実施例～第１４実施例では、第２実施例で使用した磁気記録媒体１と同じ磁気記録媒体１を使用して、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）を変化させている。具体的には、第１１実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が、２．９１μｍとされ、距離Ｄが０．６２μｍとされた。

また、第１２実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が、１．５５μｍとされ、距離Ｄが０．３３μｍとされた。また、第１３実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が、０．５６μｍとされ、距離Ｄが０．１２μｍとされた。また、第１４実施例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が、０．３８μｍとされ、距離Ｄが０．０８μｍとされた。

なお、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が変えられても、垂直配向度、アジマス角α等が変わらなければ、孤立波形の半値幅は変わらない（第１１～第１４実施例の半値幅は、第２実施例と同じ１６０ｎｍ）。

第１５実施例～第１８実施例では、磁性層１３に含まれる磁性粉の成分が、第２実施例と異なっているが、その他の点については、第２実施例と同様である。

第１５実施例では、磁性粉として、六角板状のストロンチウムフェライトが用いられた。この磁性粉のアスペクト比は、３であった。第１６実施例では、磁性粉として、球状のε酸化鉄粒子が用いられた。この磁性粉のアスペクト比は、１．１であった。

第１７実施例では、磁性粉として、球状のガリウムフェライトが用いられた。この磁性粉のアスペクト比は、１であった。第１８実施例では、磁性粉として、立方状のコバルト含有フェライトが用いられた。この磁性粉のアスペクト比は、１．７であった。

第１５実施例～第１８実施例（及び第２実施例）では、磁性層１３に含まれる磁性粉の成分が、それぞれ異なっているが、垂直配向度（６６％）、アジマス角（１２°）等が同じであるので、孤立波形の半値幅が同じ値（１６０ｎｍ）となっている。

第１の比較例及び第２の比較例では、垂直配向度が低く（５５％、６１％）、長手配向度が高い（４６％、４０％）ことから、孤立波形の半値幅が広く、２２０ｎｍ、２００ｎｍとなっている。この第１の比較例、第２の比較例では、サーボ信号６の再生波形におけるピークが鈍いことから、第１の期間と第２の期間の差が小さい（距離Ｄが小さい）ときに、この差（あるいは、距離Ｄ）を正確に判断することができないと考えられる。

これに対して、第１実施例～第１８実施例では、垂直配向度が高く（６５％以上）、長手配向度が低い（３５％以下）ことから、孤立波形の半値幅が狭くなっている（１９５ｎｍ以下）。従って、第１実施例～第１８実施例では、サーボ信号６の再生波形におけるピークが鋭いことから、第１の期間と第２の期間の差が小さくても（距離Ｄが小さくても）、この差（あるいは、距離Ｄ）を正確に判断することができる。

一方、第３の比較例では、垂直配向度が高く（６６％）、長手配向度が低い（３１％）ことから、孤立波形の半値幅が狭く、１６０ｎｍとなっている。しかしながら、第３の比較例では、記録トラック幅Ｗｄ（サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓ）が狭すぎて、距離Ｄの値が小さすぎ、第１の期間と第２の期間の差が小さすぎる。

このため、第３の比較例では、孤立波形の半値幅が適切な値となっているとしても、第１の期間と第２の期間の差が小さすぎる（距離Ｄが小さすぎる）ことから、この差（あるいは、距離Ｄ）を判断することができず、システムが破綻してしまっている。

このため、典型的には、距離Ｄの値は、０．０８μｍ以上とされる。

図１２は、さらに別の各種実施例及び各種比較例を示す図である。

第１９実施例では、第４実施例よりも磁性層１３の垂直配向度がさらに上げられて、７５％とされた。また、磁性層１３の長手配向度がさらに下げられ、２３％とされた。なお、その他の点については、第４実施例と同じ（第１実施例と同じ）である。第１９実施例では、磁性層１３の垂直配向度が第４実施例よりもさらに上げられた（長手配向度がさらに下げられた）ことにより、孤立波形の半値幅が、第４実施例よりも狭まっており、１３８ｎｍであった。

第２０実施例では、第１９実施例よりも磁性層１３の垂直配向度がさらに上げられて、８０％とされた。また、磁性層１３の長手配向度がさらに下げられ、２１％とされた。なお、その他の点については、第１９実施例と同じ（第１実施例と同じ）である。第２０実施例では、磁性層１３の垂直配向度が第１９実施例よりもさらに上げられた（長手配向度がさらに下げられた）ことにより、孤立波形の半値幅が、第１９実施例よりも狭まっており、１３０ｎｍであった。

第２１実施例では、第２０実施例よりも磁性層１３の垂直配向度がさらに上げられて、８５％とされた。また、磁性層１３の長手配向度がさらに下げられ、１８％とされた。なお、その他の点については、第２０実施例と同じ（第１実施例と同じ）である。第２１実施例では、磁性層１３の垂直配向度が第２０実施例よりもさらに上げられた（長手配向度がさらに下げられた）ことにより、孤立波形の半値幅が、第２０実施例よりも狭まっており、１１９ｎｍであった。

第２２実施例では、第１実施例よりも磁性粉の粒子体積（平均体積Ｖave）が小さくされて１６００ｎｍ^３とされた。なお、その他の点については、第１実施例と同じである。第２２実施例では、粒子体積が第１実施例よりも小さくされたことにより、孤立波形の半値幅が、第１実施例よりも小さくなっており、１３０ｎｍであった。なお、磁性粉の粒子体積が小さくされると孤立波形の半値幅が狭まるのは、磁化遷移領域が狭くなるためである。

第２３実施例では、第２２実施例よりも磁性粉の粒子体積（平均体積Ｖave）がさらに小さくされて１３００ｎｍ^３とされた。なお、その他の点については、第２２実施例と同じ（第１実施例と同じ）である。第２３実施例では、粒子体積が第２２実施例よりも小さくされたことにより、孤立波形の半値幅が、第２２実施例よりもさらに狭まっており、１２５ｎｍであった。

第２４実施例では、第１９実施例と同様に、磁性層１３の垂直配向度が７５％とされ、磁性層１３の長手配向度が２３％とされた。一方、第２４実施例では、第１９実施例よりも（第１実施例よりも）磁性層１３の厚みが薄くされて６０ｎｍとされた。なお、その他の点については、第１９実施例と同じ（第１実施例と同じ）である。第２４実施例では、磁性層１３の厚みが第１９実施例よりも薄くされたことにより、孤立波形の半値幅が、第１９実施例よりも狭まっており、１２０ｎｍであった。

第２５実施例では、第２４実施例よりも磁性層１３の垂直配向度がさらに上げられて、８０％とされた。また、磁性層１３の長手配向度がさらに下げられ、２１％とされた。さらに、第２５実施例では、第２４実施例よりも磁性層１３の厚みがさらに薄くされて４０ｎｍとされた。なお、その他の点については、第２４実施例と同じ（第１実施例と同じ）である。

ここで、第２５実施例は、第２０実施例と比べると、磁性層１３の厚みが８０ｎｍから４０ｎｍに薄くされた点を除いて、それ以外の条件が同じである。第２５実施例では、第２０実施例と比べて、磁性層１３の厚みが薄くされたことにより、孤立波形の半値幅が狭まって、１００ｎｍとなっている。

なお、磁性層１３の厚みが９０ｎｍ以下であれば、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅の値を小さくして（１９５ｎｍ以下）、再生波形におけるピークを鋭くすることができると考えられる。

第４比較例では、第１実施例よりも磁性粉の粒子体積が大きくされて、２５００ｎｍ^３とされた。なお、その他の点については、第１実施例と同じである。第４比較例では、第１実施例よりも磁性粉の粒子体積が大きくされたことにより、孤立波形の半値幅が、第１実施例よりも広がってしまっており、２１０ｎｍであった。この半値幅の値（２１０ｎｍ）は、広くなってしまっており適切な範囲（１９５ｎｍ以下）に収まっていない。

第５比較例では、第４比較例よりも磁性粉の粒子体積がさらに大きくされて、２８００ｎｍ^３とされた。なお、その他の点については、第４比較例と同じ（第１実施例と同じ）である。第５比較例では、第４比較例よりも磁性粉の粒子体積がさらに大きくされたことにより、孤立波形の半値幅が、第４比較例よりもさらに広がってしまっており、２２０ｎｍであった。この半値幅の値（２２０ｎｍ）は、広くなってしまっており適切な範囲（１９５ｎｍ以下）に収まっていない。

なお、磁性粉の粒子体積が２３００ｎｍ^３以下であれば、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅の値を小さくして（１９５ｎｍ以下）、再生波形におけるピークを鋭くすることができると考えられる。

＜作用等＞
以上説明したように、本技術においては、磁性層１３の垂直配向度が６５％以上とされ、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下とされている（第１実施例～第２５実施例参照）。これにより、サーボ信号６の再生波形におけるピークが鋭くなり、第１の期間と第２の期間の差が小さくても（距離Ｄが小さくても）、この差（あるいは、距離Ｄ）を正確に判断することができる。

このように、第１の期間と第２の期間の差が小さくても（距離Ｄが小さくても）、この差（あるいは、距離Ｄ）を正確に判断することができるので、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓを小さくすることができ、記録トラック幅Ｗｄを小さくすることができる。従って、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の数を増やすことができ、これにより、データの記録密度をさらに向上させることができる。

ここで、孤立波形の半値幅が狭くなるほどサーボ信号６の再生波形におけるピークが鋭くなり、サーボ信号６の読み取りの精度が向上する。従って、孤立波形の半値幅は、１８０ｎｍ以下（第１実施例～第２５実施例参照）、１６０ｎｍ以下（第２～４、１１～２５実施形態参照）、１４０ｎｍ以下（第４、１９～２５実施形態参照）、１２０ｎｍ以下（第２１、２４、２５実施形態参照）などとされていてもよい。

また、磁性層１３の垂直配向度が上がるほど、孤立波形の半値幅が狭くなる。従って、垂直配向度は、７０％以上（第３～４、１９～２１、２４～２５実施例参照）、７５％以上（第１９～２１、２４～２５実施例参照）、８０％以上（第２０～２１、２５実施例参照）などとされていてもよい。

また、本技術においては、距離Ｄ（Ｐ１及びＰ２における長さ方向での距離）が、０．０８μｍ以上とされる（第１実施例～第２５実施例：特に、第１４実施例参照）。これにより、システムが破綻してしまうことを防止することができる。

なお、本技術においては、距離Ｄが小さく、距離Ｄが０．６２μｍ以下とされるような場合に適用されると有利である（第１実施例～第２５実施例：特に、第１１実施例参照）。

また、磁性層１３の長手配向度が３５％以下（第１実施例～第２５実施例：特に、第１実施例参照）とされることで、第１の期間と第２の期間の差が小さくても（距離Ｄが小さくても）、この差（あるいは、距離Ｄ）をさらに正確に判断することができる。

また、磁気記録媒体１の長手方向の保磁力が２０００Ｏｅ以下とされることで、第１の期間と第２の期間の差が小さくても（距離Ｄが小さくても）、この差（あるいは、距離Ｄ）をさらに正確に判断することができる。

また、磁性層１３の表面全体の面積に対するサーボバンドｓの面積の比率が、４．０％以下とされることで、データバンドｄの面積が広くなり、データの記録容量を向上させることができる。また、サーボバンドｓの幅が、９５μｍ以下とされることで、データバンドｄの幅が広くなり、データの記録容量を向上させることができる。

また、記録トラック幅Ｗｄが、２．０μｍ以下とされることで、１本のデータバンドｄに含まれる記録トラック５の数を増やすことができ、これにより、データの記録密度をさらに向上させることができる。

また、データバンドｄに記録されるデータ信号における長手方向の１ビット長が、４８ｎｍ以下とされることで、データの記録密度をさらに向上させることができる。

また、磁性層１３の厚さが、９０ｎｍ以下とされることで、電磁変換特性を向上させることができる。また、磁性層１３の厚さが９０ｎｍ以下とされることで、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くして（１９５ｎｍ以下）、サーボ信号の再生波形のピークを鋭くすることができる（第１実施例～第２５実施例参照）。これにより、サーボ信号６の読み取り精度が向上するため、記録トラック数を増加させてデータの記録密度を向上させることができる。

また、磁性粉の粒子体積（平均体積Ｖave）が２３００ｎｍ^３以下とされることで、サーボ信号６の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くして（１９５ｎｍ以下）、サーボ信号の再生波形のピークを鋭くすることができる（第１実施例～第２５実施例参照）。これにより、サーボ信号の読み取り精度が向上するため、記録トラック数を増加させてデータの記録密度を向上させることができる。

＜磁気記録媒体の製造方法＞
次に、磁気記録媒体１の製造方法について説明する。まず、非磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、非磁性層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤および非磁性粉等を溶剤に混練、分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、非磁性層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、非磁性層形成用塗料を基材１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、非磁性層１２を形成する。続いて、この非磁性層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を非磁性層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基材１１の厚み方向に磁場配向させることが好ましい。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基材１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基材１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。磁性層１３の形成後、バック層形成用塗料を基材１１の他方の主面に塗布して乾燥させることにより、バック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１が得られる。

その後、得られた磁気記録媒体１にカレンダー処理を行い、磁性層１３の表面を平滑化する。次に、カレンダー処理が施された磁気記録媒体１をロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気記録媒体１に加熱処理を行うことにより、バック層１４の表面の多数の突部１４Ａを磁性層１３の表面に転写する。これにより、磁性層１３の表面に多数の孔部１３Ａが形成される。

加熱処理の温度は、５５℃以上７５℃以下であることが好ましい。加熱処理の温度が５５℃以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の温度が７５℃以上であると、細孔量が多くなりすぎ、表面の潤滑剤が過多になってしまう。ここで、加熱処理の温度は、磁気記録媒体１を保持する雰囲気の温度である。

加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。加熱処理の時間が１５時間以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の時間が４０時間以下であると、生産性の低下を抑制することができる。

最後に、磁気記録媒体１を所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１が得られる。

［磁性層形成用塗料の調製工程］
次に、磁性層形成用塗料の調整工程について説明する。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）粒子の粉末（六角板状、アスペクト比２．８、粒子体積１９５０ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

［非磁性層形成用塗料の調製工程］
次に、非磁性層形成用塗料の調整工程について説明する。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、非磁性層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した非磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

［バック層形成用塗料の調製工程］
次に、バック層形成用塗料の調整工程について説明する。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２０ｎｍ）：９０質量部
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：１０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

なお、無機粒子の種類および配合量を以下のように変更してもよい。
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２０ｎｍ）：８０質量部
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：２０質量部

また、無機粒子の種類および配合量を以下のように変更してもよい。
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：１００質量部

［塗布工程］
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および非磁性層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）（例えば、平均厚み４．０μｍ）の一方の主面上に平均厚み１．０～１．１μｍの非磁性層、および平均厚み４０～１００ｎｍの磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に非磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、非磁性層を形成した。次に、非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。なお、ソレノイドコイルからの磁界の強さを調整したり（磁性粉の保持力の２～３倍）、磁性層形成用塗料の固形分を調整したり、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）の調整により、磁場中で磁性粉が配向するための条件を調整したりすることによって、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を所定の値に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、非磁性層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。なお、角形比（配向度）を高くするためには、磁性層形成用塗料の分散状態を良くする必要がある。さらに、垂直方向配向度を高くするために、磁気テープが配向装置内に入る前に、事前に磁性粉を磁化しておく方法も有効である。

［カレンダー工程、転写工程］
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、得られた磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の加熱処理を２回行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。

［裁断工程］
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気テープが得られた。

＜各種変形例＞
本技術は、以下の構成をとることもできる。
（１）基材と磁性層とを有し、長手方向に長く、幅方向に短いテープ状の磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、データ信号が書き込まれる前記長手方向に長いデータバンドと、サーボ信号が書き込まれる前記長手方向に長いサーボバンドとを含み、垂直配向度が６５％以上であり、
前記サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の厚さが、９０ｎｍ以下であり、
前記基材の厚さが、４．２μｍ以下である
磁気記録媒体。
（２） 上記（１）に記載の磁気記録媒体であって、
前記孤立波形の半値幅が１８０ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（３） 上記（２）に記載の磁気記録媒体であって、
前記孤立波形の半値幅が１６０ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（４） 上記（３）に記載の磁気記録媒体であって、
前記孤立波形の半値幅が１４０ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（５） 上記（４）に記載の磁気記録媒体であって、
前記孤立波形の半値幅が１２０ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（６） 上記（１）～（５）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記垂直配向度が７０％以上である
磁気記録媒体。
（７） 上記（６）に記載の磁気記録媒体であって、
前記垂直配向度が７５％以上である
磁気記録媒体。
（８） 上記（７）に記載の磁気記録媒体であって、
前記垂直配向度が８０％以上である
磁気記録媒体。
（９） 上記（１）～（８）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記データバンドは、前記長手方向に長く、前記幅方向に整列され、前記幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅を有する複数の記録トラックを有し、
前記サーボ信号は、前記幅方向に対して所定のアジマス角を持って傾斜する複数のストライプを含み、
前記複数のストライプうち、任意のストライプ上の任意の点をＰ１とし、前記Ｐ１に対して、前記幅方向で前記記録トラック幅分、離れた位置にある前記任意のストライプ上の点をＰ２としたとき、前記Ｐ１及び前記Ｐ２における前記長さ方向での距離が、０．０８μｍ以上である
磁気記録媒体。
（１０） 上記（９）に記載の磁気記録媒体であって、
前記Ｐ１及び前記Ｐ２における前記長さ方向での距離が、０．６２μｍ以下である
磁気記録媒体。
（１１） 上記（１）～（１０）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、長手配向度が３５％以下である
磁気記録媒体。
（１２） 上記（１）～（１１）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁気記録媒体は、長手方向の保磁力が２０００Ｏｅ以下である
磁気記録媒体。
（１３） 上記（１）～（１２）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層の表面全体の面積に対する前記サーボバンドの面積の比率が、４．０％以下である
磁気記録媒体。
（１４） 上記（１）～（１３）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、前記磁性層は、磁性粉を含み、前記磁性粉の粒子体積が２３００ｎｍ^３以下である磁気記録媒体。
（１５） 上記（１）～（１４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
データバンドの本数が４ｎ（ｎは、２以上の整数）であり、サーボバンドの本数が、４ｎ＋１である
磁気記録媒体。
（１６） 上記（１）～（１５）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下である
磁気記録媒体。
（１７） 上記（１）～（１６）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記データバンドは、前記長手方向に長く、前記幅方向に整列され、前記幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅を有する複数の記録トラックを有し、
前記記録トラック幅は、２．０μｍ以下である
磁気記録媒体。
（１８） 上記（１）～（１７）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記データバンドに記録されるデータ信号における前記長手方向の１ビット長が、４８ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（１９） 上記（１）～（１８）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体であって、
前記磁性層は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はコバルト含有フェライトの磁性粉を含む
磁気記録媒体。
（２０）基材と磁性層とを有し、長手方向に長く、幅方向に短いテープ状の磁気記録媒体を含むカートリッジであって、
前記磁性層は、データ信号が書き込まれる前記長手方向に長いデータバンドと、サーボ信号が書き込まれる前記長手方向に長いサーボバンドとを含み、垂直配向度が６５％以上であり、
前記サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の厚さが、９０ｎｍ以下であり、
前記基材の厚さが、４．２μｍ以下である
カートリッジ。

ｄ・・・データバンド
ｓ・・・サーボバンド
５・・・記録トラック
６・・・サーボ信号
７・・・ストライプ
１・・・磁気記録媒体
１１・・基材
１２・・非磁性層
１３・・磁性層
１４・・バック層
２０・・データ記録装置

Claims (20)

1. 基材と磁性層とを有し、長手方向に長く、幅方向に短いテープ状の磁気記録媒体であって、
   前記磁性層は、データ信号が書き込まれる前記長手方向に長いデータバンドと、サーボ信号が書き込まれる前記長手方向に長いサーボバンドとを含み、垂直配向度が６５％以上であり、
   前記サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下であり、
   前記磁性層の厚さが、９０ｎｍ以下であり、
   前記基材の厚さが、４．２μｍ以下である
   磁気記録媒体。
2. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
   前記孤立波形の半値幅が１８０ｎｍ以下である
   磁気記録媒体。
3. 請求項２に記載の磁気記録媒体であって、
   前記孤立波形の半値幅が１６０ｎｍ以下である
   磁気記録媒体。
4. 請求項３に記載の磁気記録媒体であって、
   前記孤立波形の半値幅が１４０ｎｍ以下である
   磁気記録媒体。
5. 請求項４に記載の磁気記録媒体であって、
   前記孤立波形の半値幅が１２０ｎｍ以下である
   磁気記録媒体。
6. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
   前記垂直配向度が７０％以上である
   磁気記録媒体。
7. 請求項６に記載の磁気記録媒体であって、
   前記垂直配向度が７５％以上である
   磁気記録媒体。
8. 請求項７に記載の磁気記録媒体であって、
   前記垂直配向度が８０％以上である
   磁気記録媒体。
9. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
   前記データバンドは、前記長手方向に長く、前記幅方向に整列され、前記幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅を有する複数の記録トラックを有し、
   前記サーボ信号は、前記幅方向に対して所定のアジマス角を持って傾斜する複数のストライプを含み、
   前記複数のストライプうち、任意のストライプ上の任意の点をＰ１とし、前記Ｐ１に対して、前記幅方向で前記記録トラック幅分、離れた位置にある前記任意のストライプ上の点をＰ２としたとき、前記Ｐ１及び前記Ｐ２における前記長さ方向での距離が、０．０８μｍ以上である
   磁気記録媒体。
10. 請求項９に記載の磁気記録媒体であって、
    前記Ｐ１及び前記Ｐ２における前記長さ方向での距離が、０．６２μｍ以下である
    磁気記録媒体。
11. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記磁性層は、長手配向度が３５％以下である
    磁気記録媒体。
12. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記磁気記録媒体は、長手方向の保磁力が２０００Ｏｅ以下である
    磁気記録媒体。
13. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記磁性層の表面全体の面積に対する前記サーボバンドの面積の比率が、４．０％以下である
    磁気記録媒体。
14. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記磁性層は、磁性粉を含み、
    前記磁性粉の粒子体積が２３００ｎｍ^３以下である
    磁気記録媒体。
15. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    データバンドの本数が４ｎ（ｎは、２以上の整数）であり、サーボバンドの本数が、４ｎ＋１である
    磁気記録媒体。
16. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記サーボバンドの幅が、９５μｍ以下である
    磁気記録媒体。
17. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記データバンドは、前記長手方向に長く、前記幅方向に整列され、前記幅方向でトラック毎に所定の記録トラック幅を有する複数の記録トラックを有し、
    前記記録トラック幅は、２．０μｍ以下である
    磁気記録媒体。
18. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記データバンドに記録されるデータ信号における前記長手方向の１ビット長が、４８ｎｍ以下である
    磁気記録媒体。
19. 請求項１に記載の磁気記録媒体であって、
    前記磁性層は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はコバルト含有フェライトの磁性粉を含む
    磁気記録媒体。
20. 基材と磁性層とを有し、長手方向に長く、幅方向に短いテープ状の磁気記録媒体を含むカートリッジであって、
    前記磁性層は、データ信号が書き込まれる前記長手方向に長いデータバンドと、サーボ信号が書き込まれる前記長手方向に長いサーボバンドとを含み、垂直配向度が６５％以上であり、
    前記サーボ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１９５ｎｍ以下であり、
    前記磁性層の厚さが、９０ｎｍ以下であり、
    前記基材の厚さが、４．２μｍ以下である
    カートリッジ。

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