WO2017085931A1 - 磁気記録媒体 - Google Patents

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WO2017085931A1
WO2017085931A1 PCT/JP2016/004903 JP2016004903W WO2017085931A1 WO 2017085931 A1 WO2017085931 A1 WO 2017085931A1 JP 2016004903 W JP2016004903 W JP 2016004903W WO 2017085931 A1 WO2017085931 A1 WO 2017085931A1
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WO
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layer
recording medium
magnetic recording
magnetic
medium according
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PCT/JP2016/004903
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English (en)
French (fr)
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淳一 立花
遠藤　哲雄
尾崎　知恵
隆嗣 相澤
Original Assignee
ソニー株式会社
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Publication date
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Priority to JP2017551534A priority patent/JP6825573B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
    • G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
    • G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant

Definitions

  • This technology relates to a magnetic recording medium.
  • the present invention relates to a magnetic recording medium having a perpendicular recording layer.
  • Patent Document 1 discloses a magnetic recording medium in which at least an amorphous layer, a seed layer, an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer are sequentially formed on a nonmagnetic support.
  • An object of the present technology is to provide a magnetic recording medium having a high SNR.
  • the present technology provides a long substrate having flexibility, a Cr-Ni-Fe layer, and a face-centered cubic lattice structure provided on the substrate, A first layer preferentially oriented so that a (111) plane of a centered cubic structure is parallel to the substrate surface; and an average of O with respect to the average atomic concentration of Co, including Co and O, provided on the first layer
  • a second layer having a column structure having an atomic concentration ratio of 1 or more and an average particle size of 3 nm or more and 13 nm or less; a third layer provided on the second layer and containing Ru; and a third layer on the third layer And a perpendicular recording layer.
  • a magnetic recording medium having a high SNR can be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary configuration of a magnetic recording medium according to an embodiment of the present technology.
  • FIG. 2 is a schematic diagram schematically illustrating an example of a configuration of a sputtering apparatus used for manufacturing a magnetic recording medium according to an embodiment of the present technology.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary configuration of a magnetic recording medium according to Modification 1 of the embodiment of the present technology.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary configuration of a magnetic recording medium according to Modification 2 of the embodiment of the present technology.
  • FIG. 3B is a cross-sectional view schematically illustrating an exemplary configuration of a magnetic recording medium according to Modification 3 of the embodiment of the present technology.
  • a magnetic recording medium 10 is a so-called long single-layer perpendicular magnetic recording medium, and as illustrated in FIG. 1, a base 11 and one main surface (hereinafter “surface”) of the base 11.
  • the seed layer (first layer) 12 provided on the seed layer 12, the base layer (second layer) 13 provided on the seed layer 12, and the intermediate layer (third layer provided on the base layer 13).
  • the magnetic recording medium 10 includes a protective layer 16 provided on the recording layer 15, a lubricating layer 17 provided on the protective layer 16, and the other main surface (hereinafter “back surface”) of the substrate 11 as necessary. It may be further provided with a back coat layer 18 provided thereon.
  • a magnetic recording medium having no soft magnetic underlayer (hereinafter referred to as “SUL”) is referred to as “single-layer perpendicular magnetic recording medium”, and a magnetic recording medium having SUL is referred to as “two”. It is called a “layer perpendicular magnetic recording medium”.
  • the magnetic recording medium 10 is suitable for use as a data archiving storage medium that is expected to increase in demand in the future.
  • This magnetic recording medium 10 can realize, for example, a surface recording density that is 10 times or more that of the present coating-type magnetic recording medium for storage, that is, a surface recording density of 50 Gb / in 2 .
  • a general linear recording type data cartridge is configured using the magnetic recording medium 10 having such a surface recording density, large capacity recording of 50 TB or more per one data cartridge can be performed.
  • This magnetic recording medium 10 is suitable for use in a recording / reproducing apparatus using a ring type recording head and a giant magnetoresistive (GMR) type reproducing head.
  • GMR giant magnetoresistive
  • the base 11 serving as a support is a long non-magnetic base having flexibility.
  • the nonmagnetic substrate is a film, and the thickness of the film is, for example, 3 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less.
  • a flexible polymer resin material used for a general magnetic recording medium can be used. Specific examples of such a polymer material include polyesters, polyolefins, cellulose derivatives, vinyl resins, polyimides, polyamides, and polycarbonates.
  • the seed layer 12 includes Cr, Ni, and Fe, has a face-centered cubic lattice (fcc) structure, and is preferentially oriented so that the (111) plane of the face-centered cubic structure is parallel to the surface of the substrate 11. Yes.
  • the preferential orientation is a state where the diffraction peak intensity from the (111) plane of the face-centered cubic lattice structure is larger than the diffraction peaks from other crystal planes in the ⁇ -2 ⁇ scan of the X-ray diffraction method, or X-ray diffraction This means that only the diffraction peak intensity from the (111) plane of the face-centered cubic lattice structure is observed in the normal ⁇ -2 ⁇ scan.
  • the X-ray diffraction intensity ratio of the seed layer 12 is preferably 60 cps / nm or more, more preferably 70 cps / nm or more, and even more preferably 80 cps / nm or more, from the viewpoint of improving the SNR.
  • the X-ray diffraction intensity ratio of the seed layer 12 is obtained by dividing the X-ray diffraction intensity I (cps) of the seed layer 12 by the thickness D (nm) of the seed layer 12 (I / D). (Cps / nm)).
  • Cr, Ni, and Fe contained in the seed layer 12 have an average composition represented by the following formula (A).
  • Cr X (Ni Y Fe 100-Y ) 100-X (A) (However, X is in the range of 10 ⁇ X ⁇ 45 and Y is in the range of 60 ⁇ Y ⁇ 90.)
  • X is out of the above range
  • the (111) orientation of the face-centered cubic lattice structure of Cr, Ni, and Fe is lowered, and the SNR tends to deteriorate.
  • Y is out of the above range
  • the (111) orientation of the face-centered cubic lattice structure of Cr, Ni, and Fe tends to decrease, and the SNR tends to deteriorate.
  • the thickness of the seed layer 12 is preferably 5 nm or more and 40 nm or less. If the thickness of the seed layer 12 is out of this range, the (111) orientation of the Cr, Ni, Fe face-centered cubic lattice structure tends to decrease and the SNR tends to deteriorate.
  • the underlayer 13 includes Co and O having a face-centered cubic lattice structure, and has a column (columnar crystal) structure.
  • the concentration ratio of the average atomic concentration of O to the average atomic concentration of Co is 1 or more. When the concentration ratio is less than 1, the effect of providing the underlayer 13 tends to decrease, and the SNR tends to decrease.
  • the underlayer 13 may be a column (columnar crystal) structure layer containing Ni and O having a face-centered cubic lattice structure.
  • the column structure is preferably inclined from the viewpoint of improving the SNR.
  • the inclination direction is preferably the longitudinal direction of the long magnetic recording medium 10.
  • the longitudinal direction is preferable in this way for the following reason.
  • the magnetic recording medium 10 according to the present embodiment is a so-called linear recording magnetic recording medium, and the recording track is parallel to the longitudinal direction of the magnetic recording medium 10.
  • the magnetic recording medium 10 according to the present embodiment is also a so-called perpendicular magnetic recording medium. From the viewpoint of recording characteristics, it is preferable that the crystal orientation axis of the recording layer 15 is the vertical direction. The tilt of the crystal orientation axis of the recording layer 15 may occur due to the influence of the tilt of the structure.
  • the structure in which the crystal orientation axis of the recording layer 15 is inclined in the longitudinal direction of the magnetic recording medium 10 in relation to the head magnetic field at the time of recording is the width of the magnetic recording medium 10.
  • the influence on the recording characteristics due to the inclination of the crystal orientation axis can be reduced.
  • the tilt direction of the column structure of the underlayer 13 is preferably the longitudinal direction of the magnetic recording medium 10 as described above.
  • the inclination angle of the column structure is preferably greater than 0 ° and 60 ° or less.
  • the change in the shape of the tip of the column contained in the underlayer 13 is substantially triangular, so the effect of the granular structure is enhanced, noise is reduced, and SNR is improved.
  • the inclination angle exceeds 60 °, the change in the tip shape of the column included in the underlayer 13 is small and hardly forms a triangular mountain shape, so that the low noise effect tends to fade.
  • the average particle size of the column structure is 3 nm or more and 13 nm or less. If the average particle diameter is less than 3 nm, the average particle diameter of the column structure contained in the recording layer 15 becomes small, and the current magnetic material tends to have a significant decrease in the ability to retain recording. On the other hand, when the average particle diameter exceeds 13 nm, noise increases and SNR tends to decrease.
  • the thickness of the underlayer 13 is preferably 10 nm or more and 150 nm or less.
  • the thickness of the underlayer 13 is less than 10 nm, the (111) orientation of the face-centered cubic lattice structure of the underlayer 13 tends to decrease.
  • the thickness of the underlayer 13 exceeds 150 nm, the particle size of the column increases and noise increases, so that the SNR tends to decrease.
  • the intermediate layer 14 preferably has the same crystal structure as that of the recording layer 15.
  • the intermediate layer 14 includes a material having a hexagonal close packed (hcp) structure similar to the Co-based alloy, and the c-axis of the structure is relative to the film surface. It is preferably oriented in the vertical direction (that is, the film thickness direction). This is because the orientation of the recording layer 15 can be improved and the lattice constant matching between the intermediate layer 14 and the recording layer 15 can be made relatively good.
  • a material having a hexagonal close packed structure a material containing Ru is preferably used, and specifically, Ru alone or a Ru alloy is preferable. Examples of the Ru alloy include Ru alloy oxides such as Ru—SiO 2 , Ru—TiO 2, and Ru—ZrO 2 .
  • the thickness of the intermediate layer 14 may be thinner than the intermediate layer in a general magnetic recording medium, and may be, for example, 1 nm or more and 5 nm or less. Since the seed layer 12 and the base layer 13 having the above-described configuration are provided under the intermediate layer 14, a good SNR can be obtained even if the intermediate layer 14 is thin as described above.
  • the recording layer 15 is a so-called perpendicular magnetic recording layer, and is preferably a granular magnetic layer containing a Co-based alloy from the viewpoint of improving the recording density.
  • the granular magnetic layer is composed of ferromagnetic crystal particles containing a Co-based alloy and nonmagnetic grain boundaries (nonmagnetic material) surrounding the ferromagnetic crystal particles. More specifically, the granular magnetic layer includes a column (columnar crystal) containing a Co-based alloy, and a nonmagnetic grain boundary (for example, an oxide such as SiO 2 ) surrounding the column and magnetically separating each column. ).
  • the recording layer 15 having a structure in which each column is magnetically separated can be formed.
  • the Co-based alloy has a hexagonal close-packed (hcp) structure, and its c-axis is oriented in a direction perpendicular to the film surface (film thickness direction).
  • hcp hexagonal close-packed
  • the CoCrPt-based alloy is not particularly limited, and the CoCrPt alloy may further contain an additive element.
  • the additive element include one or more elements selected from the group consisting of Ni and Ta.
  • the nonmagnetic grain boundary surrounding the ferromagnetic crystal grain contains a nonmagnetic metal material.
  • the metal includes a semi-metal.
  • the nonmagnetic metal material for example, at least one of a metal oxide and a metal nitride can be used. From the viewpoint of maintaining a more stable granular structure, it is preferable to use a metal oxide.
  • the metal oxide include a metal oxide containing at least one element selected from the group consisting of Si, Cr, Co, Al, Ti, Ta, Zr, Ce, Y, and Hf.
  • Metal oxides containing the product ie SiO 2
  • metal nitride examples include metal nitrides containing at least one element selected from the group consisting of Si, Cr, Co, Al, Ti, Ta, Zr, Ce, Y, Hf, and the like. Specific examples thereof include SiN, TiN, and AlN.
  • the CoCrPt-based alloy contained in the ferromagnetic crystal grains and the Si oxide contained in the nonmagnetic grain boundaries have an average composition represented by the following formula (B). This is because the saturation magnetization amount Ms that suppresses the influence of the demagnetizing field and can secure a sufficient reproduction output can be realized, thereby further improving the recording and reproduction characteristics.
  • (Co x Pt y Cr 100- xy) 100-z - (SiO 2) z ⁇ (B) (However, in the formula (B), x, y, and z are values within the ranges of 69 ⁇ X ⁇ 75, 10 ⁇ y ⁇ 16, and 9 ⁇ Z ⁇ 12, respectively.)
  • the above composition can be obtained as follows. While performing ion milling from the protective layer 16 side of the magnetic recording medium 10, depth direction analysis (depth profile measurement) of the recording layer 15 by Auger Electron Spectroscopy (hereinafter referred to as “AES”) is performed. The average composition (average atomic ratio) of Co, Pt, Cr, Si and O in the direction is obtained.
  • AES Auger Electron Spectroscopy
  • the protective layer 16 includes, for example, a carbon material or silicon dioxide (SiO 2 ). From the viewpoint of the film strength of the protective layer 16, the protective layer 16 preferably includes a carbon material. Examples of the carbon material include graphite, diamond-like carbon (DLC), diamond, and the like.
  • the lubricant layer 17 contains at least one lubricant.
  • the lubrication layer 17 may further contain various additives such as a rust preventive as necessary.
  • the lubricant has at least two carboxyl groups and one ester bond, and contains at least one carboxylic acid compound represented by the following general formula (1).
  • the lubricant may further contain a type of lubricant other than the carboxylic acid compound represented by the following general formula (1).
  • the carboxylic acid compound is preferably represented by the following general formula (2) or (3).
  • General formula (2) (In the formula, Rf is an unsubstituted or substituted, saturated or unsaturated, fluorine-containing hydrocarbon group or hydrocarbon group.)
  • General formula (3) (In the formula, Rf is an unsubstituted or substituted, saturated or unsaturated, fluorine-containing hydrocarbon group or hydrocarbon group.)
  • the lubricant preferably contains one or both of the carboxylic acid compounds represented by the general formulas (2) and (3).
  • lubrication occurs due to the cohesive force between the fluorine-containing hydrocarbon groups or hydrocarbon groups Rf that are hydrophobic groups.
  • the effect is manifested.
  • the Rf group is a fluorinated hydrocarbon group
  • the total carbon number is preferably 6 to 50
  • the total carbon number of the fluorinated hydrocarbon group is preferably 4 to 20.
  • the Rf group may be saturated or unsaturated, linear or branched or cyclic, but is preferably saturated and linear.
  • Rf group is a hydrocarbon group
  • Rf group is preferably a group represented by the following general formula (4).
  • General formula (4) (In the general formula (4), l is an integer selected from the range of 8 to 30, more preferably 12 to 20.)
  • Rf group is a fluorine-containing hydrocarbon group
  • Rf group is a fluorine-containing hydrocarbon group
  • the fluorinated hydrocarbon group may be concentrated at one place as described above, or may be dispersed as in the following general formula (6), and not only —CF 3 and —CF 2 — but also —CHF 2 or -CHF- may be used.
  • the carbon number is limited as described above because the number of carbon atoms constituting the alkyl group or the fluorine-containing alkyl group (l or the sum of m and n) is This is because when the amount is not less than the above lower limit, the length becomes an appropriate length, the cohesive force between the hydrophobic groups is effectively exhibited, a good lubricating action is exhibited, and the friction / wear durability is improved. Moreover, it is because the solubility with respect to the solvent of the lubricant which consists of the said carboxylic acid type compound is kept favorable that the carbon number is below the said upper limit.
  • the Rf group contains a fluorine atom
  • it is effective in reducing the friction coefficient and improving the running performance.
  • a hydrocarbon group is provided between the fluorine-containing hydrocarbon group and the ester bond, and the fluorine-containing hydrocarbon group and the ester bond are separated to ensure the stability of the ester bond and prevent hydrolysis. Good.
  • the Rf group may have a fluoroalkyl ether group or a perfluoropolyether group.
  • the R group may not be present, but in some cases, it may be a hydrocarbon chain having a relatively small number of carbon atoms.
  • the Rf group or R group contains elements such as nitrogen, oxygen, sulfur, phosphorus, and halogen as constituent elements, and in addition to the functional groups described above, a hydroxyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, an amino group, and an ester It may further have a bond or the like.
  • the carboxylic acid compound represented by the general formula (1) is preferably at least one of the following compounds. That is, the lubricant preferably contains at least one compound shown below. CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 10 COOCH (COOH) CH 2 COOH CF 3 (CF 2 ) 3 (CH 2 ) 10 COOCH (COOH) CH 2 COOH C 17 H 35 COOCH (COOH) CH 2 COOH CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 OCOCH 2 CH (C 18 H 37 ) COOCH (COOH) CH 2 COOH CF 3 (CF 2 ) 7 COOCH (COOH) CH 2 COOH CHF 2 (CF 2 ) 7 COOCH (COOH) CH 2 COOH CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 2 OCOCH 2 CH (COOH) CH 2 COOH CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2 ) 6 OCOCH 2 CH (COOH) CH 2 COOH CF 3 (CF 2 ) 7 (CH 2
  • the carboxylic acid compound represented by the general formula (1) is soluble in a non-fluorinated solvent with a small environmental load, and is a general-purpose solvent such as a hydrocarbon solvent, a ketone solvent, an alcohol solvent, an ester solvent, etc. It has the advantage that operations such as coating, dipping, and spraying can be performed.
  • solvents such as hexane, heptane, octane, decane, dodecane, benzene, toluene, xylene, cyclohexane, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methanol, ethanol, isopropanol, diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, and cyclohexanone. it can.
  • the protective layer 16 includes a carbon material
  • the carboxylic acid compound when applied as a lubricant on the protective layer 16, two carboxyl groups that are polar base parts of the lubricant molecules and at least one of the carboxyl groups are applied on the protective layer 16.
  • the ester bond group is adsorbed, and the lubricating layer 17 having particularly good durability can be formed by the cohesive force between the hydrophobic groups.
  • the lubricant is not only held as the lubricating layer 17 on the surface of the magnetic recording medium 10 as described above, but also contained in the layers such as the recording layer 15 and the protective layer 16 constituting the magnetic recording medium 10 and possessed. May be.
  • the back coat layer 18 includes, for example, a binder, inorganic particles, and a lubricant.
  • the back coat layer 18 may contain various additives such as a curing agent and an antistatic agent as necessary.
  • the sputtering apparatus 20 is a continuous winding type sputtering apparatus used for forming the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15.
  • a drum 22 that is a can (rotary body), cathodes 23a to 23d, a supply reel 24, a take-up reel 25, and a plurality of guide rolls 27a to 27c and 28a to 28c are provided.
  • the sputtering apparatus 20 is, for example, a DC (direct current) magnetron sputtering system, but the sputtering system is not limited to this system.
  • the film forming chamber 21 is connected to a vacuum pump (not shown) through the exhaust port 26, and the atmosphere in the film forming chamber 21 is set to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump.
  • a drum 22, a supply reel 24 and a take-up reel 25 having a rotatable configuration are arranged inside the film forming chamber 21, a plurality of guide rolls 27 a to 27 c for guiding the conveyance of the substrate 11 between the supply reel 24 and the drum 22 are provided, and the drum 22, the take-up reel 25, A plurality of guide rolls 28a to 28c are provided for guiding the conveyance of the substrate 11 between them.
  • the substrate 11 unwound from the supply reel 24 is wound around the take-up reel 25 via the guide rolls 27a to 27c, the drum 22 and the guide rolls 28a to 28c.
  • the drum 22 has a cylindrical shape, and the long base 11 is conveyed along the cylindrical surface of the drum 22.
  • the drum 22 is provided with a cooling mechanism (not shown), and is cooled to, for example, about ⁇ 20 ° C. during sputtering.
  • a plurality of cathodes 23 a to 23 d are disposed inside the film forming chamber 21 so as to face the peripheral surface of the drum 22.
  • a target is set on each of the cathodes 23a to 23d.
  • targets for forming the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 are set on the cathodes 23a, 23b, 23c, and 23d, respectively.
  • a plurality of types of films, that is, the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 are simultaneously formed by these cathodes 23a to 23d.
  • the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 can be continuously formed by a Roll-to-Roll method.
  • the magnetic recording medium 10 according to an embodiment of the present technology can be manufactured as follows, for example.
  • the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 are formed on the surface of the substrate 11 using the sputtering apparatus 20 shown in FIG. Specifically, the film is formed as follows. First, the film forming chamber 21 is evacuated until a predetermined pressure is reached. Thereafter, the target set on the cathodes 23a to 23d is sputtered while introducing a process gas such as Ar gas into the film forming chamber 21. Thereby, the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 are sequentially formed on the surface of the traveling substrate 11.
  • a process gas such as Ar gas
  • the atmosphere of the film forming chamber 21 during sputtering is set to about 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa, for example.
  • the film thickness and characteristics (for example, magnetic characteristics) of the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 are the tape line speed at which the substrate 11 is wound, the pressure of a process gas such as Ar gas introduced during sputtering (sputtering). Gas pressure) and input power can be adjusted.
  • a protective layer 16 is formed on the recording layer 15.
  • a method for forming the protective layer 16 for example, a chemical vapor deposition (CVD) method or a physical vapor deposition (PVD) method can be used.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition
  • a coating material for film formation of the backcoat layer is prepared by kneading and dispersing a binder, inorganic particles, a lubricant and the like in a solvent.
  • the back coat layer 18 is formed on the back surface of the substrate 11 by applying a coating material for forming the back coat layer on the back surface of the substrate 11 and drying it.
  • a lubricant is applied on the protective layer 16 to form the lubricant layer 17.
  • various application methods such as gravure coating and dip coating can be used.
  • the magnetic recording medium 10 is cut into a predetermined width as necessary. Thus, the magnetic recording medium 10 shown in FIG. 1 is obtained.
  • the magnetic recording medium 10 includes the seed layer 12 and the underlayer 13 between the base 11 and the intermediate layer 14.
  • the seed layer 12 contains Cr, Ni, and Fe, has a face-centered cubic lattice structure, and is preferentially oriented so that the (111) plane of the face-centered cubic structure is parallel to the surface of the substrate 11.
  • the underlayer 13 includes Co and O, has a column structure in which the ratio of the average atomic concentration of O to the average atomic concentration of Co is 1 or more, and the average particle size is 3 nm or more and 13 nm or less.
  • the recording layer 15 having a good crystal orientation and high coercive force can be realized without reducing the thickness of the intermediate layer 14 and using Ru, which is an expensive material, as much as possible. Therefore, the magnetic recording medium 10 having a high SNR can be provided.
  • Ru contained in the intermediate layer 14 has the same hexagonal close-packed lattice structure as Co which is the main component of the recording layer 15. For this reason, Ru has the effect of achieving both improvement in crystal orientation of the recording layer 15 and promotion of granularity.
  • an underlayer 13 and a seed layer 12 are provided under the intermediate layer 14.
  • substantially the same effect (function) as that of the intermediate layer 14 containing Ru is realized by the base layer 13 containing inexpensive CoO having a face-centered cubic lattice structure. For this reason, the thickness of the intermediate layer 14 can be reduced.
  • a seed layer 12 containing Cr, Ni and Fe is provided to increase the crystal orientation of the underlayer 13.
  • the magnetic recording medium 10 may include an intermediate layer 31 having a two-layer structure on the underlayer 13.
  • the intermediate layer 31 includes a first intermediate layer 31a provided on the base layer 13 and a second intermediate layer 31b provided on the first intermediate layer 31a.
  • the first intermediate layer 31a includes, for example, NiW, NiWZr, NiWAl, or Ta.
  • the second intermediate layer 31b is the same as the intermediate layer 14 in the above-described embodiment.
  • the magnetic recording medium 10 is a so-called double-layer perpendicular magnetic recording medium, and may further include a single-layer SUL 32 between the base 11 and the seed layer 12 as shown in FIG. 3B.
  • This magnetic recording medium 10 is suitable for use in a recording / reproducing apparatus using a single pole type (SPT) type recording head and a tunnel magnetoresistive (TMR) type reproducing head.
  • SPT single pole type
  • TMR tunnel magnetoresistive
  • the film thickness of SUL13 is preferably 40 nm or more, more preferably 40 nm or more and 140 nm or less.
  • the SUL 13 includes a soft magnetic material in an amorphous state.
  • a Co-based material or an Fe-based material can be used as the soft magnetic material.
  • the Co-based material include CoZrNb, CoZrTa, and CoZrTaNb.
  • the Fe-based material include FeCoB, FeCoZr, and FeCoTa.
  • the magnetic field strength from the recording head can be increased by providing the SUL 19 under the recording layer 15 which is a perpendicular magnetic layer. Therefore, the magnetic recording medium 10 suitable for high density recording can be realized.
  • the magnetic recording medium 10 may include an antiparallel coupled SUL (hereinafter referred to as “APC-SUL”) 33 between the base 11 and the seed layer 12.
  • APC-SUL antiparallel coupled SUL
  • the APC-SUL 33 has a structure in which two soft magnetic layers 33a and 33c are stacked via a thin intermediate layer 33b, and the magnetization is positively coupled antiparallel using exchange coupling via the intermediate layer 33b. is doing.
  • the film thicknesses of the soft magnetic layers 33a and 33c are preferably substantially the same.
  • the total film thickness of the soft magnetic layers 33a and 33c is preferably 40 nm or more, more preferably 40 nm or more and 140 nm or less. When the total film thickness is 40 nm or more, better recording / reproducing characteristics can be obtained. On the other hand, when the total film thickness is 140 nm or less, it can be avoided that the film formation time of APC-SUL 33 becomes long and the productivity is lowered.
  • the materials of the soft magnetic layers 33a and 33c are preferably the same material, and the same material as that of the SUL 32 in the second modification can be used.
  • the film thickness of the intermediate layer 33b is, for example, not less than 0.8 nm and not more than 1.4 nm, preferably not less than 0.9 nm and not more than 1.3 nm, more preferably about 1.1 nm. By selecting the film thickness of the intermediate layer 33b within the range of 0.9 nm or more and 1.3 nm or less, better recording / reproducing characteristics can be obtained.
  • Examples of the material of the intermediate layer 33b include V, Cr, Mo, Cu, Ru, Rh, and Re. In particular, it is preferable that Ru is contained.
  • the soft magnetic layer 33a as the upper layer and the soft magnetic layer 33c as the lower layer are exchange-coupled antiparallel to each other in a residual magnetization state.
  • the total magnetization of the upper and lower layers is zero.
  • Modification 4 In the above-described embodiment, the case where the seed layer 12, the underlayer 13, the intermediate layer 14, and the recording layer 15 are formed by the sputtering method has been described. However, at least one of these layers, for example, the underlayer 13 is formed by the evaporation method. You may make it form. Further, the intermediate layer 31, the SUL 32, and the APC-SUL 33 in the above-described modified examples 1 to 3 may be formed by a sputtering method or may be formed by an evaporation method.
  • the thicknesses of the seed layer, the underlayer, the intermediate layer, the recording layer, and the protective layer were determined as follows. First, a magnetic tape was thinly processed in the film cross-sectional direction to prepare a sample piece. Next, the sample piece was observed with a transmission electron microscope (hereinafter referred to as “TEM”), and the thickness of each layer was measured from the TEM image.
  • TEM transmission electron microscope
  • the composition of the seed layer was determined as follows. First, ion milling of the magnetic tape was performed, and depth direction analysis (depth profile measurement) of the seed layer by AES was performed. Next, the average composition (average atomic number ratio) of Cr, Ni and Fe in the film thickness direction was determined from the obtained depth profile.
  • Example 2 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that in the seed layer formation step, the thickness of the seed layer was changed to 5 nm and 40 nm.
  • Example 9 In the underlayer film forming step, a 50 nm underlayer made of CoO was formed on the seed layer under the following film formation conditions.
  • Deposition method Vapor deposition method Incident angle: 90 ° (However, the incident angle is the incident angle of the vapor deposition material with the polymer film surface as a reference (0 °).)
  • Example 10 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the underlayer was changed to 100 nm and 150 nm in the underlayer forming process.
  • Example 12 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that in the underlayer forming process, the input power was changed to 1.25 W / mm 2 .
  • Example 13 and 14 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 9 except that in the underlayer film forming step, the incident angle of the film forming conditions was changed to 60 ° and 70 °.
  • Example 15 and 16 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that a mask was used and the mask angle was set to 60 ° and 70 ° in the underlayer film forming step. By adjusting the mask angle to 60 ° and 70 °, the angles at which the sputtered atoms entered the polymer film surface were set to about 60 ° and 70 °.
  • the incident angle is an angle with the polymer film surface as a reference (0 °).
  • Example 17 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the intermediate layer forming step was further provided between the intermediate layer forming step and the magnetic recording layer forming step.
  • An intermediate layer made of NiW was formed to a thickness of 10 nm on the underlayer under the following film formation conditions.
  • Deposition method DC magnetron sputtering method
  • Target NiW target Gas type: Ar Gas pressure: 0.5Pa
  • Example 18 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the seed layer formation step was further provided with the following single-layer SUL film formation step.
  • Example 19 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 18 except that the following APC-SUL film forming step was provided instead of the single layer SUL film forming step.
  • a first soft magnetic layer made of CoZrNb was formed to a thickness of 50 nm on the surface of a long polymer film under the following film formation conditions.
  • Deposition method DC magnetron sputtering method
  • Target CoZrNb target
  • Gas type Ar Gas pressure: 0.1 Pa
  • an intermediate layer made of Ru was formed to a thickness of 1.0 nm on the first soft magnetic layer under the following film formation conditions.
  • Deposition method DC magnetron sputtering method
  • Target Ru target Gas type: Ar Gas pressure: 0.3Pa
  • a second soft magnetic layer made of CoZrNb was deposited to 50 nm on the intermediate layer under the following deposition conditions.
  • Example 5 In the seed layer forming step, a magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the gas pressure was changed to 1 Pa.
  • Example 13 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the underlayer was changed to 160 nm in the underlayer forming process.
  • Example 14 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the gas pressure was changed to 0.5 Pa in the underlayer film forming step.
  • Example 15 A magnetic tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that the input power was changed to 1.5 W / mm 2 in the underlayer forming process.
  • a magnetic tape was thinly processed in the film cross-sectional direction to prepare a sample piece.
  • the sample piece was observed with a TEM, and the tilt angle of the column of the underlayer was measured from the TEM image.
  • the inclination angle is an angle measured with the surface (interface) on the seed layer side of the underlayer as a reference (0 °).
  • Table 1 shows the measurement conditions for the X-ray diffraction intensity.
  • data processing software attached peak search software and XRD analysis processing software JADE were used.
  • the recording / reproducing characteristics were evaluated as follows. First, a ring type recording head and a giant magnetoresistive (GMR) type reproducing head are used, and recording and reproduction are performed by reciprocating vibration of the head by a piezo stage, and measurement is performed by a so-called drag tester. It was. Here, the read track width of the reproducing head was 120 nm. Next, the recording wavelength is 250 kFCI (kilo Flux Changes per Inch), and the SNR is determined by the ratio between the zero-to-peak voltage of the reproduced waveform and the voltage obtained from the value obtained by integrating the noise spectrum in the band of 0 kFCI to 500 kFCI. Calculated and obtained.
  • GMR giant magnetoresistive
  • the minimum SNR required to establish a recording / reproducing system is about 17 dB in the case of a value obtained by the measurement method used for evaluating the recording / reproducing characteristics (so-called “Broadband SNR”). Furthermore, it is desirable to further set an SNR margin in consideration of a decrease in output caused by sliding of the magnetic tape and the magnetic head and a decrease in practical characteristics such as deformation of the magnetic tape. Considering this margin, it is considered that the SNR is preferably 20 dB or more.
  • the recording / reproducing characteristics were evaluated as follows. First, using a single pole type recording head and a tunnel magnetoresistive (TMR) type reproducing head, recording and reproduction is performed by reciprocally vibrating the head with a piezo stage, and measurement is performed using a so-called drag tester. went. In a high recording density recording area exceeding 100 Gb / in 2 , even a perpendicular magnetic recording medium is mainly a recording problem, and it is difficult to realize sufficient recording / reproducing characteristics, and a single magnetic field capable of generating a steep magnetic field in the vertical direction is obtained.
  • TMR tunnel magnetoresistive
  • a combination of a two-layer perpendicular recording medium having a single pole type (SPT) head and a soft magnetic underlayer (SUL) is required.
  • a tunnel magnetoresistive (TMR) type reproducing head having a large magnetoresistive change rate and a high reproducing sensitivity as compared with a giant magnetoresistive head is also considered necessary. For this reason, evaluation using an SPT recording head and a TMR reproducing head was performed here.
  • the read track width of the reproducing head was set to 75 nm.
  • the recording wavelength is set to 300 kFCI (kilo Flux Changes per Inch), and the SNR is determined by the ratio between the zero-to-peak voltage of the reproduced waveform and the voltage obtained from the integrated value of the noise spectrum in the band of 0 kFCI to 600 kFCI. Calculated and obtained.
  • the minimum SNR required to establish a recording / reproducing system is about 17 dB in the case of a value obtained by the measurement method used for evaluating the recording / reproducing characteristics (so-called “Broadband SNR”). Furthermore, it is desirable to further set an SNR margin in consideration of a decrease in output caused by sliding of the magnetic tape and the magnetic head and a decrease in practical characteristics such as deformation of the magnetic tape. Considering this margin, it is considered that the SNR is preferably 20 dB or more.
  • the linear recording density is 600 kBPI (Bit Per Inch)
  • the track pit is twice the track width of the reproducing head
  • Table 2A shows the configurations of the magnetic tapes of Examples 1 to 19.
  • Table 2B shows the configurations of the magnetic tapes of Examples 1 to 19.
  • Table 2C shows the evaluation results of the magnetic tapes of Examples 1 to 19.
  • Table 3A shows the configurations of the magnetic tapes of Comparative Examples 1 to 15.
  • Table 3B shows the configurations of the magnetic tapes of Comparative Examples 1 to 15.
  • Table 3C shows the evaluation results of the magnetic tapes of Comparative Examples 1 to 15.
  • the seed layer contains Cr, Ni, and Fe, and the (111) plane of the face-centered cubic structure is preferentially oriented so as to be parallel to the surface of the polymer film as the substrate.
  • the intensity ratio of line diffraction is 60 cps / nm or more.
  • the underlayer includes a column structure containing Co and O, wherein the ratio of the average atomic concentration of O to the average atomic concentration of Co is 1 or more, and the average particle size is 3 nm or more and 13 nm or less. For this reason, a good vertical coercive force Hc and a vertical squareness ratio Rs are compatible, and a good SNR is obtained.
  • a long substrate having flexibility A first layer is provided on the substrate, includes Cr, Ni and Fe, has a face-centered cubic lattice structure, and is preferentially oriented so that a (111) plane of the face-centered cubic structure is parallel to the surface of the substrate.
  • a second structure is provided on the first layer, includes Co and O, has a column structure in which a ratio of an average atomic concentration of O to an average atomic concentration of Co is 1 or more, and an average particle diameter is 3 nm or more and 13 nm or less.
  • a magnetic recording medium comprising: a perpendicular recording layer provided on the third layer.
  • the soft magnetic layer includes a first soft magnetic layer, an intermediate layer, and a second soft magnetic layer.

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Abstract

磁気記録媒体は、可とう性を有する長尺状の基体と、基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、第３層上に設けられた垂直記録層とを備える。

Description

磁気記録媒体
　本技術は、磁気記録媒体に関する。詳しくは、垂直記録層を備える磁気記録媒体に関する。
　近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展、図書館および公文書館などの電子化、ならびにビジネス文書の長期保管により、データストレージ用磁気記録媒体の大容量化の要求が高まっている。このような要求に応えるべく、垂直記録層を備える磁気記録媒体が提案されている。
　例えば特許文献１には、上述の磁気記録媒体として、非磁性支持体上に、少なくとも、アモルファス層、シード層、下地層、磁性層および保護層が順次形成されたものが開示されている。
特開２００５－１９６８８５号公報
　本技術の目的は、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、本技術は、可とう性を有する長尺状の基体と、基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、第３層上に設けられた垂直記録層とを備える磁気記録媒体である。
　以上説明したように、本技術によれば、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体を提供できる。
図１は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を模式的に示す概略図である。 図３Ａは、本技術の一実施形態の変形例１に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。図３Ｂは、本技術の一実施形態の変形例２に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。図３Ｂは、本技術の一実施形態の変形例３に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。
　本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
　１　磁気記録媒体の構成
　２　スパッタ装置の構成
　３　磁気記録媒体の製造方法
　４　効果
　５　変形例
［１　磁気記録媒体の構成］
　本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆる長尺状の単層垂直磁気記録媒体であり、図１に示すように、基体１１と、基体１１の一方の主面（以下「表面」という。）上に設けられたシード層（第１層）１２と、シード層１２上に設けられた下地層（第２層）１３と、下地層１３上に設けられた中間層（第３層）１４と、中間層１４上に設けられた記録層１５とを備える。この磁気記録媒体１０が、必要に応じて、記録層１５上に設けられた保護層１６と、保護層１６上に設けられた潤滑層１７と、基体１１の他方の主面（以下「裏面」という。）上に設けられたバックコート層１８とをさらに備えるようにしてもよい。
　なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、以下「ＳＵＬ」という。）を持たない磁気記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」といい、ＳＵＬを持つ磁気記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」という。
　一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、今後ますます需要が高まることが期待されるデータアーカイブ用ストレージメディアとして用いて好適なものである。この磁気記録媒体１０は、例えば、現在のストレージ用塗布型磁気記録媒体の１０倍以上の面記録密度、すなわち５０Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現することが可能である。このような面記録密度を有する磁気記録媒体１０を用いて、一般のリニア記録方式のデータカートリッジを構成した場合には、データカートリッジ１巻当たり５０ＴＢ以上の大容量記録が可能になる。この磁気記録媒体１０は、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
（基体）
　支持体となる基体１１は、可撓性を有する長尺状の非磁性基体である。非磁性基体はフィルムであり、フィルムの厚さは、例えば３μｍ以上８μｍ以下である。基体１１の材料としては、例えば、一般的な磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
（シード層）
　シード層１２は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。ここで、優先配向とは、Ｘ線回折法のθ－２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度が他の結晶面からの回折ピークより大きい状態、またはＸ線回折法のθ－２θスキャンにおいて面心立方格子構造の（１１１）面からの回折ピーク強度のみが観察される状態を意味する。
　シード層１２のＸ線回折の強度比率は、ＳＮＲの向上の観点から、好ましくは６０ｃｐｓ／ｎｍ以上、より好ましくは７０ｃｐｓ／ｎｍ以上、さらにより好ましくは８０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。ここで、シード層１２のＸ線回折の強度比率は、シード層１２のＸ線回折の強度Ｉ（ｃｐｓ）をシード層１２の厚さＤ（ｎｍ）で除算して求められる値（Ｉ／Ｄ（ｃｐｓ／ｎｍ））である。
　シード層１２に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有することが好ましい。
　ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X　・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
　Ｘが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。同様にＹが上記範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。
　シード層１２の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。シード層１２の厚さがこの範囲から外れると、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅの面心立方格子構造の（１１１）配向が低下し、ＳＮＲの悪化する傾向がある。
（下地層）
　下地層１３は、面心立方格子構造を有するＣｏおよびＯを含み、カラム（柱状結晶）構造を有している。ＣｏおよびＯを含む下地層１３では、Ｒｕを含む中間層１４とほぼ同様の効果（機能）が得られる。Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の濃度比（（Ｏの平均原子濃度）／（Ｃｏの平均原子濃度））が１以上である。濃度比が１未満であると、下地層１３を設ける効果が低下し、ＳＮＲが低下する傾向がある。また、下地層１３は、面心立方格子構造を有するＮｉおよびＯを含むカラム（柱状結晶）構造の層でもよい。
　カラム構造は、ＳＮＲ向上の観点から、傾斜していることが好ましい。その傾斜の方向は、長尺状の磁気記録媒体１０の長手方向であることが好ましい。このように長手方向が好ましいのは、以下の理由による。本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆるリニア記録用の磁気記録媒体であり、記録トラックは磁気記録媒体１０の長手方向に平行となる。また、本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、いわゆる垂直磁気記録媒体でもあり、記録特性の観点からすると、記録層１５の結晶配向軸が垂直方向であることが好ましいが、下地層１３のカラム構造の傾きの影響で、記録層１５の結晶配向軸に傾きが生じる場合がある。リニア記録用である磁気記録媒体１０においては、記録時のヘッド磁界との関係上、磁気記録媒体１０の長手方向に記録層１５の結晶配向軸が傾いている構成が、磁気記録媒体１０の幅方向に記録層１５の結晶配向軸が傾いている構成に比べて、結晶配向軸の傾きによる記録特性への影響を低減できる。磁気記録媒体１０の長手方向に記録層１５の結晶配向軸を傾かせるためには、上記のように下地層１３のカラム構造の傾斜方向を磁気記録媒体１０の長手方向とすることが好ましい。
　カラム構造の傾斜角は、好ましくは０°より大きく６０°以下であることが好ましい。傾斜角が０°より大きく６０°以下の範囲では、下地層１３に含まれるカラムの先端形状の変化が大きくほぼ三角山状になるため、グラニュラ構造の効果が高まり、低ノイズ化し、ＳＮＲが向上する傾向がある。一方、傾斜角が６０°を超えると、下地層１３に含まれるカラムの先端形状の変化が小さくほぼ三角山状とはなりにくいため、低ノイズ効果が薄れる傾向がある。
　カラム構造の平均粒径は、３ｎｍ以上１３ｎｍ以下である。平均粒径が３ｎｍ未満であると、記録層１５に含まれるカラム構造の平均粒径が小さくなるため、現在の磁性材料では記録を保持する能力が著しく低下する傾向がある。一方、平均粒径が１３ｎｍを超えると、ノイズが増大し、ＳＮＲが低下する傾向がある。
　下地層１３の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。下地層１３の厚さが１０ｎｍ未満であると、下地層１３の面心立方格子構造の（１１１）配向が低下する傾向がある。一方、下地層１３の厚さが１５０ｎｍを超えると、カラムの粒径が大きくなりノイズが増大するため、ＳＮＲが低下する傾向がある。
（中間層）
　中間層１４は、記録層１５と同様の結晶構造を有していることが好ましい。記録層１５がＣｏ系合金を含んでいる場合には、中間層１４は、Ｃｏ系合金と同様の六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（すなわち膜厚方向）に配向していることが好ましい。記録層１５の配向性を高め、かつ、中間層１４と記録層１５との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填構造を有する材料としては、Ｒｕを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはＲｕ単体またはＲｕ合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、例えば、Ｒｕ－ＳｉＯ2、Ｒｕ－ＴｉＯ2またはＲｕ－ＺｒＯ2などのＲｕ合金酸化物が挙げられる。
　中間層１４の厚さは、一般的な磁気記録媒体における中間層よりも薄くてもよく、例えば、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とすることが可能である。中間層１４の下に上述の構成を有するシード層１２および下地層１３を設けているので、中間層１４の厚さが上述のように薄くても良好なＳＮＲが得られる。
（記録層）
　記録層１５は、いわゆる垂直磁気記録層であり、記録密度を向上する観点から、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界（例えばＳｉＯ2などの酸化物）とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する記録層１５を構成することができる。
　Ｃｏ系合金は、六方細密充填（ｈｃｐ）構造を有し、そのｃ軸が膜面に対して垂直方向（膜厚方向）に配向している。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、ＣｒおよびＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に限定されるものではなく、ＣｏＣｒＰｔ合金がさらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、ＮｉおよびＴａなどからなる群より選ばれる１種以上の元素が挙げられる。
　強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物および金属窒化物のうちの少なくとも一方を用いることができ、グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられ、少なくともＳｉ酸化物（すなわちＳｉＯ2）を含んでいる金属酸化物が好ましい。その具体例としては、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2またはＨｆＯ2などが挙げられる。金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、ＹおよびＨｆなどからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮまたはＡｌＮなどが挙げられる。
　強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉ酸化物とが、以下の式（Ｂ）に示す平均組成を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑え、かつ、十分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性の更なる向上を実現できるからである。
　（ＣｏxＰｔyＣｒ100-x-y）100-z－（ＳｉＯ2）z　・・・（Ｂ）
（但し、式（Ｂ）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦Ｘ≦７５、１０≦ｙ≦１６、９≦Ｚ≦１２の範囲内の値である。）
　なお、上記組成は次のようにして求めることができる。磁気記録媒体１０の保護層１６側からイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による記録層１５の深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、ＳｉおよびＯの平均組成（平均原子数比率）を求める。
（保護層）
　保護層１６は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含み、保護層１６の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンドなどが挙げられる。
（潤滑層）
　潤滑層１７は、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑層１７は、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
一般式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
　上記カルボン酸系化合物は、下記の一般式（２）または（３）で表されるものが好ましい。
一般式（２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
　潤滑剤は、上記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。
　一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を記録層１５または保護層１６などに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。
　例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般式（４）で表される基であることが望ましい。
一般式（４）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （但し、一般式（４）において、ｌは、８～３０、より望ましくは１２～２０の範囲から選ばれる整数である。）
　また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般式（５）で表される基であることが望ましい。
一般式（５）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （但し、一般式（５）において、ｍとｎは、それぞれ次の範囲から選ばれる整数で、ｍ＝２～２０、ｎ＝３～１８、より望ましくは、ｍ＝４～１３、ｎ＝３～１０である。）
　フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般式（６）のように分散していてもよく、－ＣＦ3や－ＣＦ2－ばかりでなく－ＣＨＦ2や－ＣＨＦ－等であってもよい。
一般式（６）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （但し、一般式（６）において、ｎ１＋ｎ２＝ｎ、ｍ１＋ｍ２＝ｍである。）
　一般式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。
　特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。
　また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。
　Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。
　また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。
　一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
　一般式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。
　保護層１６が炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層１６上に塗布すると、保護層１６上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑層１７を形成することができる。
　なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録媒体１０の表面に潤滑層１７として保持されるのみならず、磁気記録媒体１０を構成する記録層１５および保護層１６などの層に含まれ、保有されていてもよい。
（バックコート層）
　バックコート層１８は、例えば、結着剤、無機粒子および潤滑剤を含んでいる。バックコート層１８が、必要に応じて硬化剤および帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。
［２　スパッタ装置の構成］
　以下、図２を参照して、本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０の製造に用いられるスパッタ装置２０の構成の一例について説明する。このスパッタ装置２０は、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図２に示すように、成膜室２１と、金属キャン（回転体）であるドラム２２と、カソード２３ａ～２３ｄと、供給リール２４と、巻き取りリール２５と、複数のガイドロール２７ａ～２７ｃ、２８ａ～２８ｃとを備える。スパッタ装置２０は、例えばＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
　成膜室２１は、排気口２６を介して図示しない真空ポンプに接続され、この真空ポンプにより成膜室２１内の雰囲気が所定の真空度に設定される。成膜室２１の内部には、回転可能な構成を有するドラム２２、供給リール２４および巻き取りリール２５が配置されている。成膜室２１の内部には、供給リール２４とドラム２２との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２７ａ～２７ｃが設けられていると共に、ドラム２２と巻き取りリール２５との間における基体１１の搬送をガイドするための複数のガイドロール２８ａ～２８ｃが設けられている。スパッタ時には、供給リール２４から巻き出された基体１１が、ガイドロール２７ａ～２７ｃ、ドラム２２およびガイドロール２８ａ～２８ｃを介して巻き取りリール２５に巻き取られる。ドラム２２は円柱状の形状を有し、長尺状の基体１１はドラム２２の円柱面状の周面に沿わせて搬送される。ドラム２２には、図示しない冷却機構が設けられており、スパッタ時には、例えば－２０℃程度に冷却される。成膜室２１の内部には、ドラム２２の周面に対向して複数のカソード２３ａ～２３ｄが配置されている。これらのカソード２３ａ～２３ｄにはそれぞれターゲットがセットされている。具体的には、カソード２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄにはそれぞれ、シード層１２、下地層１３、中間層１４、記録層１５を成膜するためのターゲットがセットされている。これらのカソード２３ａ～２３ｄにより複数の種類の膜、すなわちシード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５が同時に成膜される。
　上述の構成を有するスパッタ装置２０では、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５をRoll to Roll法により連続成膜することができる。
［３　磁気記録媒体の製造方法］
　本技術の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
　まず、図２に示したスパッタ装置２０を用いて、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５を基体１１の表面上に成膜する。具体的には以下のようにして成膜する。まず、成膜室２１を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、成膜室２１内にＡｒガスなどのプロセスガスを導入しながら、カソード２３ａ～２３ｄにセットされたターゲットをスパッタする。これにより、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５が、走行する基体１１の表面に順次成膜される。
　スパッタ時の成膜室２１の雰囲気は、例えば、１×１０-5Ｐａ～５×１０-5Ｐａ程度に設定される。シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５の膜厚および特性（例えば磁気特性）は、基体１１を巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒガスなどのプロセスガスの圧力（スパッタガス圧）、および投入電力などを調整することにより制御可能である。
　次に、記録層１５上に保護層１６を成膜する。保護層１６の成膜方法としては、例えば化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法または物理蒸着（physical vapor deposition：ＰＶＤ）法を用いることができる。
　次に、結着剤、無機粒子および潤滑剤などを溶剤に混練、分散させることにより、バックコート層成膜用の塗料を調製する。次に、基体１１の裏面上にバックコート層成膜用の塗料を塗布して乾燥させることにより、バックコート層１８を基体１１の裏面上に成膜する。
　次に、例えば潤滑剤を保護層１６上に塗布し、潤滑層１７を成膜する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を用いることができる。次に、必要に応じて、磁気記録媒体１０を所定の幅に裁断する。以上により、図１に示した磁気記録媒体１０が得られる。
［４　効果］
　上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０は、基体１１と中間層１４との間にシード層１２および下地層１３を備えている。シード層１２は、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、この面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面に平行になるように優先配向している。下地層１３は、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。これにより、中間層１４の厚さを薄くして高価な材料であるＲｕをできるだけ使用せずに、良好な結晶配向を有し、かつ高い抗磁力を有する記録層１５を実現できる。したがって、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体１０を提供できる。
　中間層１４に含まれるＲｕは、記録層１５の主成分であるＣｏと同じ六方稠密格子構造を有する。このため、Ｒｕには、記録層１５の結晶配向性向上とグラニュラ性促進とを両立させる効果がある。また、中間層１４に含まれるＲｕの結晶配向を更に向上させるために、中間層１４の下に下地層１３およびシード層１２を設けている。一実施形態に係る磁気記録媒体１０においては、Ｒｕを含む中間層１４とほぼ同様の効果（機能）を、面心立方格子構造を有する安価なＣｏＯを含む下地層１３で実現している。このため、中間層１４の厚さを薄くできる。また、下地層１３の結晶配向を高めるために、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含むシード層１２を設けている。
［５　変形例］
（変形例１）
　磁気記録媒体１０は、図３Ａに示すように、下地層１３上に２層構造を有する中間層３１を備えるようにしてもよい。中間層３１は、下地層１３上に設けられた第１中間層３１ａと、第１中間層３１ａ上に設けられた第２中間層３１ｂとを備える。第１中間層３１ａは、例えばＮｉＷ、ＮｉＷＺｒ、ＮｉＷＡｌまたはＴａを含んでいる。第２中間層３１ｂは、上述の一実施形態における中間層１４と同様である。
（変形例２）
　磁気記録媒体１０は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図３Ｂに示すように、基体１１とシード層１２との間に単層のＳＵＬ３２をさらに備えるようにしてもよい。この磁気記録媒体１０は、単磁極型（Single Pole Type：ＳＰＴ）の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。
　ＳＵＬ１３の膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。ＳＵＬ１３は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。軟磁性材料としては、例えば、Ｃｏ系材料またはＦｅ系材料などを用いることができる。Ｃｏ系材料としては、例えば、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなどが挙げられる。Ｆｅ系材料としては、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどが挙げられる。
　変形例２に係る磁気記録媒体１０では、垂直磁性層である記録層１５の下にＳＵＬ１９を設けることで、記録ヘッドからの磁界強度を高めることができる。したがって、高密度記録に適した磁気記録媒体１０を実現できる。
（変形例３）
　磁気記録媒体１０は、図３Ｃに示すように、基体１１とシード層１２との間にAntiparallel Coupled ＳＵＬ（以下「ＡＰＣ－ＳＵＬ」という。）３３を備えるようにしてもよい。
　ＡＰＣ－ＳＵＬ３３は、薄い中間層３３ｂを介して２つの軟磁性層３３ａ、３３ｃを積層し、中間層３３ｂを介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行に結合させた構造を有している。軟磁性層３３ａ、３３ｃの膜厚は略同一であることが好ましい。軟磁性層３３ａ、３３ｃのトータルの膜厚は、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。トータルの膜厚が４０ｎｍ以上であると、より良好な記録再生特性を得ることができる。一方、トータルの膜厚が１４０ｎｍ以下であると、ＡＰＣ－ＳＵＬ３３の成膜時間が長くなり、生産性の低下を招くことを回避できる。軟磁性層３３ａ、３３ｃの材料は同一の材料であることが好ましく、その材料としては変形例２におけるＳＵＬ３２と同様の材料を用いることができる。中間層３３ｂの膜厚は、例えば０．８ｎｍ以上１．４ｎｍ以下、好ましくは０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下、より好ましくは１．１ｎｍ程度である。中間層３３ｂの膜厚を０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下の範囲内に選択することで、より良好な記録再生特性を得ることができる。中間層３３ｂの材料としては、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、およびＲｅが挙げられ、特に、Ｒｕを含んでいることが好ましい。
　変形例３に係る磁気記録媒体１０では、ＡＰＣ－ＳＵＬ３３を用いているので、上層部である軟磁性層３３ａと下層部である軟磁性層３３ｃとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、ＡＰＣ－ＳＵＬ３３中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。
（変形例４）
　上述の一実施形態では、シード層１２、下地層１３、中間層１４および記録層１５をスパッタリング法により形成する場合について説明したが、それらの層の少なくとも１層、例えば下地層１３を蒸着法により形成するようにしてもよい。また、上述の変形例１～３における中間層３１、ＳＵＬ３２およびＡＰＣ－ＳＵＬ３３をスパッタリング法により形成するようにしてもよいし、蒸着法により形成するようにしてもよい。
　以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　本実施例において、シード層、下地層、中間層、記録層および保護層の各層の厚さは、以下のようにして求められたものである。まず、磁気テープをその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製した。次に、その試料片を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope、以下「ＴＥＭ」という。）により観察し、そのＴＥＭ像から各層の厚さを測定した。
　また、本実施例において、シード層の組成は、以下のようにして求められたものである。まず、磁気テープをイオンミリングして、ＡＥＳによるシード層の深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行った。次に、得られたデプスプロファイルから、膜厚方向におけるＣｒ、ＮｉおよびＦｅの平均組成（平均原子数比率）を求めた。
（実施例１）
（シード層の成膜工程）
　まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての長尺の高分子フィルムの表面上に、ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝８１）からなるシード層を１０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：ＣｒＮｉＦｅターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．２５Ｐａ
　投入電力：１．７５Ｗ／ｍｍ2
（下地層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる下地層を５０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＲＦマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：ＣｏＯターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：１Ｐａ
　投入電力：０．７５Ｗ／ｍｍ2
　マスク：なし
（中間層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、下地層上にＲｕからなる中間層を２ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｒｕターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
（記録層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ2）からなる磁気記録層を１４ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ2）ターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：１．５Ｐａ
（保護層の成膜工程）
　次に、以下の成膜条件にて、記録層上にカーボンからなる保護層を５ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：カーボンターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：１．０Ｐａ
（潤滑層の成膜工程）
　次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、潤滑層を成膜した。
（バックコート層の成膜工程）
　次に、高分子フィルムの裏面上にバックコート層成膜用の塗料を塗布、乾燥することにより、バックコート層を形成した。以上により、目的とする磁気テープが得られた。
（実施例２、３）
　シード層の成膜工程において、シード層の膜厚を５ｎｍ、４０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例４、５、６）
　シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝４０、Ｙ＝６０、７０、９０）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例７、８）
　シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（但し、Ｘ＝１０、４５、Ｙ＝８１）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例９）
　下地層の成膜工程において、以下の成膜条件にて、シード層上にＣｏＯからなる下地層を５０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：蒸着方式
　入射角：９０°（但し、入射角は、高分子フィルム表面を基準（０°）とした蒸着材料の入射角である。）
　酸素導入量：１０００ｓｃｃｍ
（実施例１０、１１）
　下地層の成膜工程において、下地層の膜厚を１００ｎｍ、１５０ｎｍｎに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例１２）
　下地層の成膜工程において、投入電力を１．２５Ｗ／ｍｍ2に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（実施例１３、１４）
　下地層の成膜工程において、成膜条件の入射角を６０°、７０°に変更する以外は実施例９と同様にして磁気テープを得た。
（実施例１５、１６）
　下地層の成膜工程において、マスクを用いると共に、そのマスク角度を６０°、７０°とする以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。なお、マスク角度を６０°、７０°に調整することによって、スパッタされた原子が高分子フィルム表面に入射する角度が約６０°、７０°に設定された。なお、入射角は、高分子フィルム表面を基準（０°）とした角度である。
（実施例１７）
　中間層の成膜工程と磁気記録層の成膜工程との間に、以下の中間層の成膜工程をさらに備える以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（中間層の成膜工程）
　以下の成膜条件にて、下地層上にＮｉＷからなる中間層を１０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：ＮｉＷターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．５Ｐａ
（実施例１８）
　シード層の成膜工程前において、以下の単層構造のＳＵＬの成膜工程をさらに備える以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（単層構造のＳＵＬの成膜工程）
　以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる単層構造のＳＵＬを２０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．１Ｐａ
（実施例１９）
　単層構造のＳＵＬの成膜工程に代えて、以下のＡＰＣ－ＳＵＬの成膜工程を備える以外は、実施例１８と同様にして磁気テープを得た。
（ＡＰＣ－ＳＵＬの成膜工程）
　まず、以下の成膜条件にて、長尺の高分子フィルムの表面上にＣｏＺｒＮｂからなる第１軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．１Ｐａ
　次に、以下の成膜条件にて、第１軟磁性層上にＲｕからなる中間層を１．０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：Ｒｕターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．３Ｐａ
　次に、以下の成膜条件にて、中間層上にＣｏＺｒＮｂからなる第２軟磁性層を５０ｎｍ成膜した。
　成膜方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
　ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
　ガス種：Ａｒ
　ガス圧：０．１Ｐａ
（比較例１、２、３、４）
　シード層の成膜工程において、シード層の膜厚を２ｎｍ、４ｎｍ、４５ｎｍ、５０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例５）
　シード層の成膜工程において、ガス圧を１Ｐａに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例６、７）
　シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（Ｘ＝５、５０、Ｙ＝８１）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例８、９）
　シード層の成膜工程において、シード層の組成をＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X（Ｘ＝４０、Ｙ＝５５、９５）に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１０、１１、１２）
　下地層の成膜工程において、酸素導入量を５００ｓｃｃｍ、７００ｓｃｃｍ、９００ｓｃｃｍに変更する以外は実施例９と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１３）
　下地層の成膜工程において、下地層の膜厚を１６０ｎｍに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１４）
　下地層の成膜工程において、ガス圧を０．５Ｐａに変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（比較例１５）
　下地層の成膜工程において、投入電力を１．５Ｗ／ｍｍ2に変更する以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
（特性評価）
　上述のようにして得られた実施例１～１９、比較例１～１５の磁気テープについて、以下の評価を行った。
（Ｏ、Ｃｏ原子濃度比）
　まず、磁気テープをイオンミリングして、ＡＥＳにより下地層の深さ方向分析を行うことにより、深さ方向におけるＣｏ、Ｏ原子それぞれの平均原子濃度（at（atomic）％）を求めた。次に、Ｏ原子の平均原子濃度に対するＣｏ原子の平均原子濃度の濃度比（（Ｃｏ原子の平均原子濃度）／（Ｏ原子の平均原子濃度））を求めた。
（平均粒径）
　まず、磁気テープの表面から中間層までをイオンミリングにより除去するとともに、磁気テープの裏面側よりシード層までをイオンミリングにより除去した。次に、残った膜片をＴＥＭにより観察し、そのＴＥＭ像から無作為に粒子を１００個選び出し、各粒子の面積Ｓを求めた。次に、粒子の断面形状が円形であると仮定して、以下の式から各粒子の粒径（直径）Ｒを求めた。
　Ｒ＝２×（Ｓ／π）1/2
　次に、求めた１００個の粒子の粒径を単純に平均（算術平均）してカラムの平均粒径を求めた。
（カラムの傾斜角）
　まず、磁気テープをその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製した。次に、その試料片をＴＥＭ観察し、そのＴＥＭ像から下地層のカラムの傾斜角を測定した。ここで、傾斜角は、下地層のシード層側の表面（界面）を基準（０°）として測定された角度である。
（Ｘ線回折強度比率）
　まず、磁気テープの膜法面内にて（θ－２θ）特性を測定した。その結果、２θ：４４°（Ｎｉ　ｆｃｃ（１１１面））にピークが観察され、Ｎｉの面心立方格子（ｆｃｃ）構造の（１１１）面が高分子フィルム表面に平行になるように優先配向していることがわかった。次に、２θ：４４°（Ｎｉ　ｆｃｃ（１１１面））のピーク強度Ｉをシード層の厚さＤで除算した値（Ｉ／Ｄ）をＸ線回折強度比率として求めた。なお、シード層の厚さは、上述したように、作製した試料片をＴＥＭ観察することにより求めたものである。
　表１に、Ｘ線回折強度の測定条件を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　なお、データ処理ソフトとしては、付属のピークサーチソフトとＸＲＤ解析処理ソフトＪＡＤＥを使用した。
（磁気特性）
　磁気テープの垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓを振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定した。
（記録再生特性）
［ＳＵＬを持たない磁気テープの場合］
　以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、リング型の記録ヘッドと巨大磁気抵抗効果（Giant Magnetoresistive：ＧＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は１２０ｎｍとした。次に、記録波長を２５０ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のゼロ・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ～５００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
　一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、上記記録再生特性の評価に用いた測定方法（所謂 Broadband SNR）で得られる値の場合１７ｄＢ程度といわれている。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２０ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。
［ＳＵＬを持つ磁気テープの場合］
以下のようにして記録再生特性を評価した。まず、Single Pole型の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドを用い、ピエゾステージによりこのヘッドを往復振動させることにより記録再生を行う、所謂、ドラッグテスタにて測定を行った。１００Ｇｂ／ｉｎ2を超える高記録密度記録領域では、垂直磁気記録媒体であっても主に記録の問題で、十分な記録再生特性を実現することが難しく、垂直方向に急峻な磁界を発生できる単磁極（Single Pole Type：ＳＰＴ）ヘッドと軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）を有する２層垂直記録媒体の組み合わせが必要である。また、巨大磁気抵抗ヘッドに比べて磁気抵抗変化率が大きく再生感度の高いトンネル磁気抵抗効果（Tunnel Magnetoresistive：ＴＭＲ）型の再生ヘッドも必要と思われる。そのような理由から、ここでは、ＳＰＴ記録ヘッドとＴＭＲ再生ヘッドによる評価を実施した。ここで、再生ヘッドのリードトラック幅は７５ｎｍとした。次に、記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形のゼロ・トゥ・ピーク電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ～６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。
　一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、上記記録再生特性の評価に用いた測定方法（所謂 Broadband SNR）で得られる値の場合１７ｄＢ程度といわれている。更に、磁気テープと磁気ヘッドの摺動にて発生する出力低下や、磁気テープの変形などの実用上の特性低下を考慮した場合、更にＳＮＲマージンを設定することが望ましい。このマージンを考慮すると、ＳＮＲは２０ｄＢ以上であることが好ましいと考えられる。
　なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が６００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１６９ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、６００ｋＢＰＩ×１６９ｋＴＰＩ＝１０１Ｇｂ／ｉｎ2の面記録密度を実現できることになる。
　表２Ａに、実施例１～１９の磁気テープの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２Ｂに、実施例１～１９の磁気テープの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表２Ｃに、実施例１～１９の磁気テープの評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表３Ａに、比較例１～１５の磁気テープの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表３Ｂに、比較例１～１５の磁気テープの構成を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表３Ｃに、比較例１～１５の磁気テープの評価結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　上記評価結果から以下のことがわかる。
　実施例１～１９では、（１）シード層がＣｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方構造の（１１１）面が基体としての高分子フィルムの表面に平行になるように優先配向し、Ｘ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である。また、（２）下地層がＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立され、良好なＳＮＲが得られている。
　比較例１～９では、（１）Ｘ線回折の強度比率が６０ｃｐｓ／ｎｍ未満である。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
　比較例１０～１２では、（２）Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１未満である。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
　比較例１０～１２では、（２）カラム構造の平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下から外れている。このため、良好な垂直保磁力Ｈｃおよび垂直角型比Ｒｓが両立されず、良好なＳＮＲが得られていない。
　以上、本技術の実施形態およびその変形例、ならびに実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態およびその変形例、ならびに実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　可とう性を有する長尺状の基体と、
　前記基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が前記基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、
　前記第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、
　前記第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、
　前記第３層上に設けられた垂直記録層と
　を備える磁気記録媒体。
（２）
　前記第１層におけるＸ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
　前記第１層に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有する（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
　ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X　・・・（Ａ）
（但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
（４）
　前記第１層の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
　前記第２層の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
　前記カラム構造の傾斜角は、６０°以上９０°以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
　前記基体と前記第１層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
　前記軟磁性層は、第１軟磁性層と、中間層と、第２軟磁性層とを備える（７）に記載の磁気記録媒体。
（９）
　前記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
　下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
（１１）
　下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
一般式（２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
一般式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 （式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
（１２）
　Ｒｆは、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素である（１１）に記載の磁気記録媒体。
　１０　　磁気記録媒体
　１１　　基体
　１２　　シード層
　１３　　下地層
　１４、３１　　中間層
　１５　　記録層
　１６　　保護層
　１７　　潤滑層
　１８　　バックコート層
　２０　　スパッタ装置
　２１　　成膜室
　２２　　ドラム
　２３ａ、２３ｂ、２３ｃ　　カソード
　２４　　供給リール
　２５　　巻き取りリール
　３１ａ　　第１中間層
　３１ｂ　　第２中間層
　３２　ＳＵＬ
　３３　ＡＰＣ－ＳＵＬ
　３３ａ、３３ｃ　　軟磁性層
　３３ｂ　　中間層

Claims (12)

  1. 　可とう性を有する長尺状の基体と、
    　前記基体上に設けられ、Ｃｒ、ＮｉおよびＦｅを含み、面心立方格子構造を有し、該面心立方構造の（１１１）面が前記基体表面に平行になるように優先配向している第１層と、
    　前記第１層上に設けられ、ＣｏおよびＯを含み、Ｃｏの平均原子濃度に対するＯの平均原子濃度の比が１以上であり、平均粒径が３ｎｍ以上１３ｎｍ以下であるカラム構造を有する第２層と、
    　前記第２層上に設けられ、Ｒｕを含む第３層と、
    　前記第３層上に設けられた垂直記録層と
    　を備える磁気記録媒体。
  2. 　前記第１層におけるＸ線回折の強度比率は、６０ｃｐｓ／ｎｍ以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
  3. 　前記第１層に含まれるＣｒ、ＮｉおよびＦｅは、以下の式（Ａ）で表される平均組成を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
    　ＣｒX（ＮｉYＦｅ100-Y）100-X　・・・（Ａ）
    （但し、Ｘは１０≦Ｘ≦４５、Ｙは６０≦Ｙ≦９０の範囲内である。）
  4. 　前記第１層の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
  5. 　前記第２層の厚さは、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
  6. 　前記カラム構造の傾斜角は、６０°以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
  7. 　前記基体と前記第１層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える請求項１に記載の磁気記録媒体。
  8. 　前記軟磁性層は、第１軟磁性層と、中間層と、第２軟磁性層とを備える請求項７に記載の磁気記録媒体。
  9. 　前記垂直記録層は、Ｃｏ、ＰｔおよびＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
  10. 　下記の一般式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含む潤滑層をさらに備える請求項１に記載の磁気記録媒体。
    一般式（１）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
     （式中、Ｒｆは非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基、Ｅｓはエステル結合、Ｒは、なくてもよいが、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。）
  11. 　下記の一般式（２）および（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含む潤滑層をさらに備える請求項１に記載の磁気記録媒体。
    一般式（２）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
     （式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
    一般式（３）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
     （式中、Ｒｆは、非置換若しくは置換の、また、飽和若しくは不飽和の、含フッ素炭化水素基或いは炭化水素基である。）
  12. 　Ｒｆは、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０である、飽和若しくは不飽和の含フッ素炭化水素である請求項１１に記載の磁気記録媒体。
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