JPH0390547A - 極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法、それを用いた極薄の軟磁性合金薄帯と磁性コア、その磁性コアを組込んだ電子装置、および軟磁性合金薄帯製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、ノイズフィルター、−１１飽和リアクトル、
スパイクノイズ低減用超重形インダクタンス素子、各柾
トランス、チョークコイル、零相変流器、磁気ヘッド等
に用いられる高周波で高透磁率が要求される用途に適し
た極薄の軟磁性合金薄・：１）の製造方法、それを用い
た極薄の軟磁性ｎ全薄帯および軟磁性合金薄シ１２製逍
装置に関する。

（従来の技術） 近年、電子機器の小型軽量化、高性能化の要求に伴い、
重要な機能部分として用いられている磁性部品にも高性
能化が必要となってきている。

したがって、これら磁性部品に用いられる磁性（イ料に
も浸れた磁気特性が要求されている。特に、零相変流器
等の電流センサ、ノイズフィルター化９、多くの磁性部
品に対しては、透磁率の高い伺料がａ効である。

例えばノイズフィルターを例として説明すると、電子機
器の安定化電源としてはスイッチング電源が幅広く用い
られている。スイッチング電源においては、ノイズ対策
が重要な課題となっており、例えばスイッチング周波数
を址本周波数とする高周波ノイズや、負６″、Ｉ例えば
パソコンの論理回路から発生するＭｌｌｚ域のノイズが
問題となっている。

そこで、これら伍導ノイズを低減するために、コモンモ
ードチョークコイルがノイズフィルタとして用いられて
いる。このフィルタを電源ラインに神大した場合、雑音
入力端子に対する雑音出力電圧の大きさは磁心の透磁率
に関係し、透磁率が大きいほど雑音出力電圧は小さくな
る。さらに低周波領域だけでなくＩＭＩ（ｚ以上の高周
波頭載でもＨ効に機能する必要があり、このために透磁
率の周波数特性も良好であることが必要である。

また近年、磁気増幅器を組込んだスイッチング電源が広
く用いられている。

この磁気増幅器を構成する主要部は可飽和リアクトルで
あり、角形磁化特性に優れた磁心材料が必要とされてい
る。また、上述したように近年の電子機器の小型軽量化
、高性能化の要求に伴って、スイッチング７ハ諒にも小
型軽量化が強く要望されており、これを実現するために
スイッチング周波数をより高周波化することが求められ
ている。そこで、ｒｉＪ飽和飽和リアクトモル１■１成
する磁心材料には、高周波域において損失が少ないこと
が強く望まれている。

しかし、従来から使用されているＰａ−Ｎｉ　桔品質合
金からなるセンデルタ（商品名）等は、２０ｋｌｌｚ以
上の高周波域においてはうず電流損が著しく１曽大し、
高周波域での使用に適合するものではない。

また、高周波域で低鉄損、高角形比か得られるアモルフ
ァス合金を用いたものにおいても、Ｍｌｌｚ域では鉄損
か僧人するため、夫用的には２００〜５００ｋｌｌＺ起
度に限られている。

これに対して、一般に金属４４料では板厚を薄くするこ
とにより鉄損を抑え、高周波特性を改みてきることが知
られており、アモルファス合金においてもｊν°さを低
減することが検村されている。しかし、アモルファス合
金薄帯は、通常、ｑｔクロール法を用いた液体急冷法に
より作製されているが、Ｃｏ基アモルファス合金では、
真空中においてス１１０−ル法にて約６μ膓までの板厚
の低減が行われているが（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｌ＋ｙｓ、
８４８０５０等参照）、これ以下にすることは実質上不
可能であると思われていた。しかも、このような薄帯で
は、板厚を薄くすることによって、気泡の巻込み等に起
因するピンホールが比較的多く　７７６’、　しており
、高周波化を含めた尖角性の面で問題があった。そして
、Ｍｌｌｚ域のスイッチング周波数を安定して実現する
ためには、ざらに板厚を薄くすることが強く望まれてい
たにも拘らず、現実には不可能であるという考えが支配
的であった。

一方、最近、アモルファス合金とほぼ同等の軟磁気特性
をもつＰｃ基超微細粘晶＾合金が報貴されている（ＩＥ
ＰＯＰｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｎｏ　０２７１（ｉ５７
、ＪａｐａｎｅｓｅＰａｔｅｎｔ　Ｐｕｂｌｉｃａｔｉ
ｏｎ　Ｎｏ　０３−３２０５０４等委照）。この合金は
、Ｐｃ−８ｉ−Ｂ系合金等にＣｕとＮｂ５Ｗ　、Ｔａ。

Ｚｒ、　Ｉｌｌ’ＳＴｉ、Ｎｏ等の　ＩＰｌ！とを添加
し、−Ｑアモルファス合金と同様の７’−’ｊ　４ｊＦ
として形成した後、その結晶化温度以上の温度域で熱処
狸することによって、微細な結晶粒をｔｌｉ出させたも
のである。

このようなＰｅＭ超微細粘昂合金においても、す、アモ
ルファス化した合金薄４１シを結晶化させるため、板厚
を薄くして高周波特性を改善するためには、ピンホール
等の少ない良好なアモルファス７”：１７・３）を作製
しなければならない。しかし、上述したように現状のｌ
ｌｉロール法″、ダによる４逍技術では、充分に高周波
化に対応しうるちのは得られていない。さらに、このＰ
ｃＪ！超微細結晶合金においては、微細粘品拉を析出さ
せているため、Ａ￥　４：）が脆化しており、コアメイ
キング専の製造プロセス上火は専の欠点が発生しやすい
という４逍歩留り上致命的問題があり、この点から脆性
を改溌することか強く望まれている。

（発明が解決しようとする隷題） 上述したように各種磁心ハ】の磁性（イ料には、尚透罎
串、低鉄損が高周波域（〜Ｍｌｌｚ域）まで要求されて
おり、これらは機器の高効弔、矩形軽量化、また磁心の
矩形化、高性能化などにつながる。

そして、アモルファス合金ｊ’、ｆｊ　、：ｊ；におい
ては、これらの要求を満足させるために、ｌｌｌ’ｌ’
ｉ’：を極めて、専くすることが強くをまれでいる。ま
た、ＦｃＭ超微細結晶合金Ｍ　’ｉｔＦにおいては、軟
磁気特性の改善のために板Ｊｖ、を極めて〆専くするこ
とと、脆化現象を改ぷすることとが強く望まれている。

本発明は、上述したような課題に対処するためになされ
たもので、上記磁気特性を満足し、ピンホール等の少な
い良好な状態を維持した板厚が極めて薄いアモルファス
合金薄帯を得ることができる製造方法を提供することを
目的としている。また、上記磁気特性を満足し、ピンホ
ール等の少ない良好な状態を維持しつつ板厚が非常に浦
＜、かつ脆化を改善したＦｃ基超微細拮晶音金薄・ｌｊ
Ｆを得ることができる製造方法を提供することを目的と
している。

また、本発明の他の目的は、尚透磁率、低鉄損が尚周波
域（〜Ｍｌｌｚ域）まで達成可能な極ｔ％Ｉ７のアモル
ファス合金薄シ１）を提供することである。また、１Ω
１透磁率、低鉄損が畠周波域（〜Ｍｌｌｚ域）まで達成
ｉ＋Ｊ能で、かつ耐脆化性を改みした極薄のＰｃＪＪ超
微細結晶軟磁性合金〆専・：；２を提供することである
。

さらに、本発明の他の目的は、上記磁気特性を満星する
ことかＩｌｌ能な、ピンホール等の少ない良好な状態を
ＭＬｉ！７　Ｌかつ板厚か極めて薄い軟磁性会金薄・訃
を得ることができる軟磁性合金薄帯製造装置を提供する
ことである。

［発明の構成コ （課題を解訣するための手段） 上記１］的を達成するために、本発明の第１の軟磁性合
金極薄薄・：１シの製造方法は、合金溶湯をノズルより
回転冷却体の表面に１・ｌ出し、超急冷することによっ
てアモルファス合金薄・：；ンを製造するに際し、前記
回転冷却体をＰａＪ！９金またはＣｕＪＩ！、合金て（
＋１１２成し、前記ノズルの先端形状を矩形とするとＪ
ｌ、に、前記回転冷却体の周方向に対して平行な方向に
位置する短辺を０．０７　ｍｍ〜０．１３＋ｎｍの範囲
とし、かつ前記ノズルと回転冷却体との間隔を０，０５
１〜０．２０＋ｎｍの範囲とし、前記＋１．！１転冷却
体を周速２０〜５０ｍ／ｓｅｃの範囲で回転させつつ、
　ＩＸＬＯ−’１”ｏｒｒ￥）、Ｔ′の減圧雰囲気ドで
前記ノズルから前記合金溶湯を０．０１５〜０．０２５
ｋｇ／　ｃ！のｎ−を出仕で前記１ｉＩｌ転伶却体に対
して射出す、下記の式を満足している。

そして、上記製造方法を採用することによって得られる
ｃｏ裁アモルファス含金薄・：１シは、板厚か高周波化
に対応した４、８μｍ未満であ、下記の式を満足してい
る。

ここで、用いるＣｏ基アモルファス合金は、一般式’　
　（ＣｏＩ−ａ　Ａａ　）＋００−ｂ　ｘｂ　　”””
　（１）（式中、ＡはＦｏＳＮｉ、　Ｍｎｓ　Ｃｒｓ　
ＭＯ％　Ｗ　ＳＶ　％　Ｎｂ。

Ｔａ、　ＴｌＳ７．ｒｓ　ｌＩｒ５Ｃｕおよび白金族元
系からなる群から選ばれた少なくとも　１種の元素を、
ＸはＳｌ、１３、ＰおよびＣからなる群から選ばれた少
なくとも　１種の元素を表し、ａおよびｂは、下記の式
を満足する数である。

０≦ａ≦　０．５（ただし、ＨとしてＰｃ５Ｎ＋を除く
場合は、Ｏ≦ａ≦　０．３である。） １０ａｔ％≦ｂ≦３５ａｔ％。以下同じ。）て実質的に
示されるものである。

また、本発明の第２の軟磁性合金極へグ薄・：１丁の製
造ノｊ注は、合金溶湯をノズルより回転冷却体の表面に
身・を出し、超急冷することによってＦｅ基軟磁性合金
薄）１２を製造するに際し、前１；己ノズルの先端形状
を矩形とすると共に、前記回転冷却体の周方向にχ・ｌ
して平行な方向に位置する短辺を０．２ｍｍ以下とし、
かつ前記ノズルとＩ′ｉ１１転冷却体との間隔を０゜２
１１１ｍ以ドとし、前記回転冷却体を周速２０ｍ／ｓｅ
ｃ以上で回転させつつ、ｌ　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ以ド
の減圧雰１！１１　ｘｔドまたはｆｉＯＴｏｒｒ以ドの
Ｉｌｃ雰凹気ドで、前記ノズルから前記合金溶湯を０．
０３　ｋｇ／ｃｍ２’以下の射出江で前記回転冷却体に
対して射出してｈ４　Ａ’７の薄帯を形成した後、得ら
れた薄帯に使用した合金の桔情化温度以上の温度で熱処
理を施し、起微細結晶拉を（ｎ出させることにより、Ｐ
Ｏ柩超微細粘晶合金薄引シを製造す、下記の式を満足し
ている。

そして、上記製追Ｊｉ法を採用することによって得られ
るＰｃ基超微細粘晶軟磁性合金薄帯は、例えば粒径１０
００Å以下の微細結晶粒を１−Ｊ゛シ、かつ１ｌＺＩ’
？が高周波化に対応した１１０ｌ１以下であ、下記の式
を満足している。

上記ＰｅＪＪ軟磁性軟磁性合金金作製する際に用いる合
金組成は、 一般式： ％式％ （） （式中、ＥはＣｕおよびＡｕから選ばれた少なくとも（
式中、ＥはＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素お
よび希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも　１
種の元素を、」はＭｎ、＾１、Ｇａｂ　（＋ｃｓＩｎ、
　Ｓｎおよび白金族元素からなる鮮から選ばれた少なく
とも　ｌの元素を、ＺはＣ，ＮおよびＰからなる８１か
ら選ばれた少なくとも　ｌＦ、ｒｆの元素を表し、ｃ、
Ｉ’、ｇ、ｈｓｉおよびｊは、下記の式を満足する数で
ある。ただし、下記式中の全ての数字はａｔ％を示す。

０．１≦ｅ≦　８ ｏ、ｉ≦ｆ′５ｔ。

０５ｇ５１０ １２≦ｈ≦２５ ３≦　ｉ　≦　１２ ０≦ｊ　≦１Ｏ １５≦ｈ＋ｉ＋ｊ　≦３０゜以下同じ。）で実質的に承
されるものである。

（作　用） 上述した手段のうち、第１の極薄の軟磁性合金〆装帯の
製造方法にしたがって各製造条件を制御することにより
、板淳４．８μｍ未満のＣｏ基アモルファス合金薄帯が
得られる。このように、Ｃｏ基アモルファス合金薄引）
の板厚を極めて薄くすることによって、高周波領域での
軟磁気特性、例えば透磁率や鉄損が良好となる。

また、第２の極薄の軟磁性合金薄４１ツの製造方法にし
たがって各製造条件を制御することにより、板厚１０μ
ｍ以下のＰｅ基超微細拮晶合金薄借が得られる。このよ
うに、Ｆｅ褪超微細結晶合金薄帯の板厚を極めて薄くす
ることによって、高周波領域での軟磁気特性、例えば透
磁率や鉄損が良好となると共に、板厚を薄くすることに
よって脆性も改迅・される。

（大施例） 以下、丈施例を参照して本発明をさらに詳細に説明する
。

まず、前述した本発明の第１の極薄の軟磁性合金薄・：
１）の製造方法の詳細を説明する。第１図は、本発明の
軟磁性０金薄帯の製造方法を適用した軟磁性会食薄帯製
造装置の構成を示す図である。

同図において、１０はガス供給系１２と俳気系１４とが
配設された真空チャンバであり、この真空チャンバ１０
内には、所定の温度に冷却ｎＪ能でかつ所定の周速に制
Ｈｉ’Ｉ能な冷却ロール２０と、原料溶融容器３（）と
から主として構成されるｌｌｉロール装置４０が配設さ
れている。

上記原料溶融容器３０の下部には、冷却ロール２０の周
面２２に対して開口されたノズル３２が設置されている
。このノズル３２の開一部形状は、第２図に示すように
短形状とされており、その短辺が冷却ロール２０の周方
向に対して下行に位置するよう配置されている。ノズル
３２の開目部における長辺ａと短辺すは、使用原Ｉ４に
よって設定されるものである。また、ノズル３２は、虹
３図に示すように、冷却ロール２０の周面２２と所定の
間隔Ｃが形成されるように配置されている。このノズル
３２と冷却ロール２０の周面２２との間隔Ｃは、使用原
料によって変更可能とされている。

なお、溶鍛金属の冷却ロール２０に対するＵ・ｌ出角は
、９０″に限られるものではない。

また、原料溶融容器３０の外周には、誘導相−１臭コイ
ル３４か設置されており、これにより世人された原料が
溶融され、ノズル３２から冷却ロール２０の周１ｊ２２
上に射出される。

上記）１．ｘ成の軟磁性含金極薄帯製逍装置を用いて、
極薄のＣｏＪ＆アモルファス合金薄帯を製造するには、
まず原料溶融容器３０内に、前述した 一般式’　　（ＣＯＩ−ａ　Ａａ　）１００−ｂ　ｘｂ
　　’・・・・−（１）て示されるＣｏｕ合金組成の原
料組成物を投入し溶融する。

ここで、上２　（１）式中、Ａは熱安疋性向上、磁気特
性の改逃にＨ効な元素である。ＡがＭ　ｎ　ｓ　Ｆ　ｃ
、Ｎｉ、　ｅｒ、ＭＯ％　Ｗ　％　Ｖ　、　Ｎｂ、　１
’ａ、Ｔ　ｉ　ｓ　Ｚ　ｒ　ＳＩＩ　１％　Ｌ　ｕおよ
び白金族元素から選ばれる場へは、ｉｌか０．３を超え
るとキュリー温度か低下し大川的ではない。

ただし、Ａがｒ’ｅＳＮｉの場合、ａか０．５を超える
と磁気特性の改すが見られなくなる。また、Ｘはアモル
ファス化に必須な元素であり、１０原子％米満あるいは
３５原子％を超えるとアモルファス化し難くなる。

さらに、ＩＩＪ飽和リアクトル、ノイズフィルタ、メイ
ントランス、磁気ヘッド“、９の特に優れた。′、：；
周波特性を飲水される鳩へは、 一般式： ％式％） （） （式中、１、はＰｃおよびＭｎから選ばれた少なくとも
ＩｆＩの元素を、ＭはＴｉｓ　Ｖ　、　Ｃｒｓ　Ｎ’Ｓ
Ｃｕ、　Ｚｒ５Ｎｂ。

Ｍｏ、　ＩＩＬ　Ｔａ、　Ｗおよび白金族元素からなる
Ｊｉｌから選ばれた少なくとも　１ｔ１１！の元素を表
し、ｍ、１％０およびｐは、下記の式を満足する数であ
る。

０．０３≦印≦　０，１５ ０≦ｎ≦　０．　ｔ。

２０　ａ　Ｌ％　≦０　≦３５ａ（％ ０．２≦ｂ　≦　１．０゜　） て示される合金組成を用いることか奸ましい。特に、上
記（ＩＩＩ）式中のＨとして、Ｌｒｓ　ＭＯＳＷから選
ばれた少なくとも　１種を用いることか１．“古・：１
）の極ｌ専化に対して効果的である。

次に、真空チャンバ１０内を１０’Ｔｏｒｒ以下の減圧
雰囲気とした後、溶融した含金組成物をノズル３２から
周速２０〜５０ｍ／ｓｅｃに制御された冷却ロル２０の
川向２２上に射出江０．０１５〜０．０２５ｋｇ／ｄで
ｉＩｔ出し、溶融全屈を超急冷してＣｏＪ＆アモルファ
ス含企八ｊ・：へシ４０を？１声る。

ここで、溶−金属の射出１１ｔの雰囲気を１０−’　Ｔ
ｏｒｒ以下の減圧雰囲気としたのは、１０”’Ｔｏｒｒ
よりａ（真空（恕＜）になると、ピンホールの極めて少
ない４．８μｍよ満のアモルファス合金薄、：ｊ７４　
Ｑがｉりられ難くなるためである。また、冷却ロール２
０の周速が２０ｍ／ｓｅｃ未満ては、４．８μｍ未満の
Ａ（ｊ　、：ｊＦか得られに（＜≦０ｍ／ｓｅｅを超え
ると薄帯の作製途中で切れる恐れか１９１まり、長尺な
ＬＷｊ　’＋ｉＦかｉすられ難いためである。特に、幅
５ｎｖ以上の池（１シを作製する場合には、２０〜４０
Ｉｌｌ／ｓｅｃとすることが好ましく、さらに２０〜３
５ｍ／ｓｅｃの範囲が好ましい。さらに、廂融金属の１
．Ｉ出仕が０．０１５）；ｇ／　ｃｄ未満では肘用しな
いことがしばしばあり、００２５ｋｇ／ｃｆを超えると
　４，８μｍ未満のＡ・：１）が７ｊｌられ難くなるた
めである。

また、冷却ロール２０はＰｃ基合金、奸ましくはＣｒ含
含有Ｆｃ金合金問えば工具鋼によって形成されたものを
使用する。これによってｌ環帯の表面・ｌ’滑性が向上
し、良（ｌＦな地汚のｌ環帯か得られる。

ノズル３２先端のスリット形状における長辺ａは、得ら
れる薄帯の幅を決定するものであり、２　ｍ　ｍ以上で
あれば特に制眼はない。また短辺すは、Ａ’ｊ　’：ｊ
Ｆの阪ｊソ゛を決める重要な１直であり、　０．０７…
ｍ〜０　、　Ｉ　３Ｉｌ１ｍの範囲内から選択される。

短辺すか０．０７１１１ｉ未満では溶融全屈が極めて射
出されにくくなり、０．１３＋ａｍを超えると　４．ｌ
ｌ！ｚ＋ｎＪ、：満のｒ’！’ｊ　’：’ｌ（を作製す
ることはできない。奸ましい範囲としては、０．０８ｍ
＋ｎ　〜０．１２ｍｍである。

また、ノズル３２先端と冷却ロー／！、　２０との間隔
Ｃは、０．０５ｍｍ　〜０．２０ｍｍの範囲とする。こ
れは、この間隔Ｃか０．０５ｍａ＋未満ては左面性の良
好なｉ’ｉ　・＋ｉシがｉＵられ難く、０．２０ｍｍを
起えると　４．８μｍ米満の蒲：；シかｉＩｔられ雉い
ためである。

以上の条件を満足させて病）独金１ｒｒを超急冷するこ
とにより、４．８μｍ米満のＣｏＭアモルファスａ金〆
“・し・：ｊＦ　４０か１１？られる。

ここで、ＣｏＭアモルファスａ企ｒ’ｉ’ｊ・：；；の
ｌ１ｇ＋’／を４．８μｍ米満に規定したのは、この範
囲で特にＭｌｌｚ域等の高周波舶載での磁気特性か良＆
＋′−となるためである。

そして、このようにしてｉｊｌられたＣ（＞ｕアモルフ
ァス合金ｐ＋、（ｆ　、：ｔ′１を巻回じたり、あるい
は　１層または曳故層情Ｉｔｓして所定形扶に成形した
後、桔品化温度以下てキューリー温度以上の温度範囲に
よる歪取り、！臭処ＰＩＩを行い、冷却することによっ
て、所望の商用波化に！１１応した磁性コア、（ｉＩｔ
えば可飽ｆｕリアクトル、スパイクノイズａ（減用超小
１１ニイングクタンス素了、零…女流器、磁気ヘッド′
、ｉに通した巻回コアあるいは枯層コア（磁性コア）が
ｒＩられる。また、このような磁性コアを使用した磁気
部品と他の電Ｆ　Ｗ’Ｂ　１ｌｉ６とを組合せることに
よって、スイッチング電源のような電子装置が得られる
。

なお、上記熱処理後の冷却速度は、０．５℃八へｎ〜水
中急冷の範囲であれば良く、好ましくは１〜ｂ 磁場中あるいは磁場中熱処理（薄４ｊｒ軸方向、幅方向
、板厚方向、回転磁場熱処理）をさらに追加してもよい
。これらの熱処理における雰凹気は特に問わず、Ｎ２．
１ｒ７ｐの不活性ガス、真空中、１１２等の還元雰囲気
中、大気中等のいずれでも良い。

次に、Ｃｏ基アモルファス合金薄・：；ツの具体的な製
造例について説明する。

実施例１ ［（Ｃｏ　　　　　Ｐｃ　　　　　）　　　　Ｎｏ　　
コ　　　（Ｓｉ　　　　　Ｂ　　　　　　）０．９５　
０．０５　９５　５７５　　０．５　０．５　２５で示
される合金組成物を調合し、これを原料溶融容器に投入
して溶融した。

なお、用いたノズルの形状は、ＩＯＪａｇ＋Ｘ　Ｏ，１
０ｍｍ（ａＸｂ）のスリット形状とし、ノズルと冷却ロ
ールとの間隔ＣはＯ，ｌｎ＋ＩＩｌとした。また、冷却
ロールの相貫はＰｃを用いた。

次いで、真空チャンバ内を５ｘ　１０’　Ｔｏｒｒまで
真空排気した後、溶融した合金組成物をノズルから周速
３３Ｉｌ／ｓｅｃに制御された冷却ロールの内向上に圧
力０．０２　ｋｇ／　ｃｄで剃出し、溶融金属を超急冷
してｃｏ話アモルファス薄・：）シを得た。

得られた薄帯は、表面性の良好な板厚４，７μｍ、幅１
０国讃の長尺極薄のアモルファス薄・：１２であった。

このようにして？１）た長尺極薄のＣｏＭアモルファス
薄、ｌｉＦを巷間した後、桔品化温度以下の温度による
最適急処裡を施し、初透磁率の周波数特性および高周波
鉄損を１１１１１走した。

第４図には、励磁界２ＩＩＩＯｅての初透磁率の周波数
特性を示す。なお、本発明との比較として、同一組成の
板厚１５μｍのＣａ１ｌｓアモルファス合金薄、：Ｖを
用いたものの粘果も示しである。

同図より明らかなように、透磁率は１００　ｋ　Ｉｆ　
ｚ以上でＩＭＩ￥の効果が顕苫に現れ、この丈施例によ
って作製した板１１／４．７μｍのＣｏ）にアモルファ
ス合金薄帯は、ＩＭＨｚおよび１０ＭＨｚそれぞれにお
いて比較例に比べて高透磁率を示し、高周波域でも良好
な透磁率を示すことが分る。

また、鉄損は１ＭｔｌｚにおいてｌｋＧの励磁振幅の条
件下で板厚１５μｍ材に比べ約半減していた。さらに、
角形比は５００ｋｌｌｚ以上でほぼ１００％となってお
り、可飽和リアクトル′ニアにＨ効であることが判明し
た。

丈施例２ 禎１表に示す合金組成物を出発原料としてそれぞれ用い
、各作製条件を第１表に示す条件とする以外は、丈施例
１と回様にしてそれぞれＣＯ埜アモルファス合金＃ｊ・
：１シを作製した。

なお、表中の各比較例は、丈施例と同一組成のものを作
製条件のうち、いずれかを本発明の範囲外として作製し
たものである。

（以ド余白） 第１表から明らかなように、作製条件のいずれか１つで
も本発明の条件範囲を外れると、板厚４．８μｍ未満の
ピンホールλ９の少ない長打な極、専のＣｏ基アモルフ
ァス会金、専・：；２を得ることができないことか分る
。

実施例３ ［（Ｇｏ　　　　Ｉ’ｃ）　　　Ｃｒｌ　　　（Ｓｉ　
　　　［３）０．９５　　０．０５　　９５　　５７５
　　　　０．５　　　０．５　　　２５て示される合金
組成物を用いて、実施例１における各作製条件を抽々食
化させる以外は、同士ｌにして薄帯を作製し、板厚３．
０μｍから１０００μｍまでの種々のｊ９さのＣｏｄア
モルファス合金薄帯を作製した。なお、薄・；；２の幅
は５ＩＩＩＩ１１とした。

次いで、１１？られた各アモルファス合金薄帯をＭｇＯ
で絶李承した後、外径１２ｍｍｘ内径８ｎ＋ｍの形状に
巻回した後、結晶化温度以下でキューリー温度以上の温
度で熱処理し、この後、３℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却
して磁心をそれぞれ作製した。

このようにして青た各磁心のＩＭＩＩｚから５　Ｍ　Ｉ
Ｉ　ｚでの鉄損を磁気特性５・１価装置を用いてａｐｌ
定した。その桔東を第５図にボす。なお、４Ｐ１定哨の
磁束密度は１ｋＧとした。

同図より明らかなように、板厚の低減と」１．に鉄損は
低減しており、板厚４，８μｍ未満のものの１゛−２旧
１ｚにおける鉄損は、曵用の板厚２０μｍのＣｏｕアモ
ルファス合金と比較すると、ｌｋＧの動作磁束密度の場
合１’＝５００ｋｌｌｚの値（３Ｗ／ｃｅ　）より小さ
くなっており、高周波域での使用にχ・１し極めて内°
効であることか分る。

次に、前述した本発明の第２のｔ！！！ｉ薄のＰｅａ超
微細拮晶軟磁性合金薄帯の製造）ｊｌ大の詳細を説明す
る。なお、薄・：１）を４逍する際に用いる装置は、第
１図に示した製造装置と同＋、１のｈＹｉ成のものを採
用し、各条件のみを女史するものとする。

まず、原料溶融容器３０内に、前述した一般式： ％式％ （） で示されるＰｃ基合金組成の原料組成物を段太し溶融す
る。

ここで、上記（ｎ）式のＥ（ＣｕまたはＡｕ）は、耐食
性を高、め、桔品拉の粗大化を防ぐと共に、鉄損や透ｒ
１！！７．牛などの軟磁気特性を改善するのに白°効な
元素である。特にＩ３ｃ　ｃ相の低温での析出にＨ効で
ある。この瓜があまり少ないと上記したような効果が得
られず、また、あまり多いと逆に磁気特性の劣化を生し
る。そのため、１ミの金白゛工は０．１〜８原子％の範
囲が適している。好ましい範囲は０．１〜５原子％であ
る。

ＧＣＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｉａ族元素および希
土類元素から選ばれた少なくとも　１種の元素）は、結
晶粒径の均一化にａ効であると共に、磁歪および磁気異
方法を低減させ、軟磁気特性の数基・および温度変化に
対する磁気特性の改善にａ効な元素であり、ＩＥ　（Ｉ
ＭＩえばＣｕ）との東金添加によりｂｅｅ相をより広い
７品度範囲で安定化させることができる。この瓜かあま
り少ないと上記効果が得られず、また、あまり多いと４
這過程において非桔品質化かなされず、さらに飽和磁束
密度か代くなる。そのため、Ｇの３６−足は０．１〜同
原子９ｏの範囲が適している。さらにｌ’ｆましい範囲
は　１〜８原子％である。

なお、Ｅにおける各元素の効果は、上記効果と共にそれ
ぞれ、ｒＶａＶａ族元素適磁気特性を？１？るための熱
処理条件の拡大、Ｖａ族元素は耐脆化性の向上および切
断等の加］二性の向上、Ｖｌ　ａ族元素は耐食性の向上
および＆ｄｕ性の向上にｈ効である。

この中で特に、ｉ’ａ、　Ｎｂ、　Ｗ　、　Ｎｏは軟磁
気特性の改冴、■は耐脆化性と共に＆　＋ｆｊ性の向上
の効果がＷｒｉ　８であり、（ｌｆましいものである。

Ｊ（Ｍｎ、Ａ１、Ｇａｓ　Ｇｃ、　Ｉｎ、Ｓｎおよび白
金族元素から選ばれた少なくとも　１柚の元素）は、軟
磁気特性の改Ｓあるいは耐食性の改すに＋ｉ効な元素で
ある。しかし、その量が余り多いと飽和磁束密度が低下
するため、ＩＯ原−ｒ　０６以下とする。この中て、特
にＡ１は結晶粒の微ｆ４Ｉｉ化、磁気特性の改ぶおよび
ｂｅｅ…の安定、Ｇｅはｂｅｅ…の安定、白金族元素は
耐食性の改善にａ効な元素である。

Ｓｉおよび１３は、製這時における含金の非拮晶化を助
成する元素であり、結晶化温度の改みかでき、磁気特性
向上のための熱処理にχ・１して（−Ｔ効な元累である
。特にＳｉは微細１把見拉の主成分であるｌ’ｅに固溶
し、磁歪、磁気５“に方法の低減に寄！ｊ、する。その
足が１２原丁・％未満ては軟磁気特性の改ａか顕εでな
く、２５原子９乙を超えると超急冷効果が小さく、Ｉｔ
　ｍレベルの比較的組人な結晶粒が析出し、良好な軟磁
気特性は得られない。さらに、Ｓｉは現＋１１洛ｒを構
成する必須元素であり、この規ｔｌ＋Ｊ　１８　’ｊ’
−の山塊のために１２〜２２原子％が特に好ましい。ま
た■は、３原子％未満では比較的↑■大な結晶粒が析出
して良好な特性がｉ′？られす、１２原子９６を超える
と熱処理により　１３化含物が析出しやすくなり、軟磁
気特性を劣化させるため好ましくない。

また、他の非晶質化元素としてＺ（Ｃ，Ｎ５Ｐ）を１０
原ｆ９０以ドの範囲で含んでいても良い。

なお、Ｓｉとｎおよび他の非晶質化元素との合計是はＩ
５〜３ａ原子％の範囲が打ましく、またＳｉ／Ｂ≧１が
優れた軟磁気特性を得るのに好ましい。

特に、Ｓ＋＝を１３〜２１原〕′−９３にすることによ
り磁走λＳユ０が？すられ、樹脂モールドによる磁気、
特性の劣化かなくなり、所期の優れた軟磁気特性をＧ効
に発揮させることがｉｒＪ能となる。

なお、上記Ｐｃ基基磁磁性合金おいて、０、Ｓ等の通常
のＰｃ系含全にも含まれているような不可避的な不純物
を微量含んでいても、本発明の効果を損うものではない
。

次に、真空チャンバ１０内をＩＯ’Ｔｏｒｒ以下の減圧
雰四気またはＧＯＴｏｒｒ以下のＩｌｅ雰囲気とした後
、溶融した合金組成物をノズル３２から周速２０ｍ／ｓ
ｅｃ以上に制御された冷却ロール２０の周面２２上に１
１１出Ｊｆ０．０３　ｋｇ／ｃｍ２以ドでＩ・Ｉ出し、
溶融金属を急冷してアモルファス趨・：：Ｆ　４０を得
る。

ここで、減江ドあるいは不活性ガス雰四気をそれぞれ１
Ｏ−２Ｔｏｒｒ以下、ＧＱ１’ｏｒｒ以ドとしたのは、
特に　１　≦＋ｏｎ＋以上の咄広薄・：；２を作製する
際に薄くて衷心性にすぐれピンホールのないものか得ら
れるからであり、この範囲外では幅方向にうねり（同市
）が坐じたり、ピンホールが多かったり、また板厚１０
μｍ以ドの薄帯が得られなかったりする。また、ロール
周速は２Ｏｎ＋／ｓｅｃ以上であれば良いか、薄シ１７
の製造性の点から５０ｍ／ｓｅｃ以下とすることが打ま
しい。さらに、溶融金仝の射出江は０．０３ｋｇ／ｃ…
２以ドであれば良く、杆ましくは０．０２５ｋｇ／　ｃ
ｍ’以ドであり、さらに奸ましくは０．０２　ｋｇ／ｃ
Ｉ１１２以下であるが、０．００１ｋｇ／　ｃｍ２朱満
では溶融金属の射出かしにくい。

また、冷却ロール２０はＣｕ話金合金真鍮））が打まし
いか、板厚が８μｍ以下の場合はＩ’ｃＪＪ含金でも良
い。これらによって薄・：１）の表面平滑性が向上し、
長打へ極薄）１ンがｉＨ；られる。

ノズル３２先端のスリット形状における長辺ａは、ｒｔ
られる薄−１１２の幅を決定するものであり、２１以上
であれば特に制限はない。また短辺すは薄・：１シの板
厚を決める重要な値であり、０．２ｍｍ以下が好ましく
、さらに０．４５　ｍｍ以下が極薄薄帯作製に対して好
ましい。ただし、溶融金属の１１１出性を、に°慮して
０．Ｏ７ｌｌ１ｍ以上とすることが打ましい。

また、ノズル３２先端と冷却ロール２０との間隔Ｃは、
Ｑ、２ａｖ以ドとする。これは、この間隔Ｃが０．２０
１１ＩＩ１１を超えると極めて薄い・：１シが得られ難
いためである。なお、余りこの間隔Ｃが狭すぎると薄帯
の表面性が低下するため、０．０５ｍｍ以上とすること
が好ましい。

以上の条件を満足させて溶融金属を超急冷することによ
り、１０μｍ以下のアモルファス状の、Ｉ、ｌｉ　、ｌ
ｌ）４０がまず得られる。

この後、得られたアモルファス状の薄帯に対し、このア
モルファス合金の結晶化温度以上の適当な温度で、３０
分〜ｌ　５１１４ｊ間熱処狸することにより、粒径１ｏ
ｏｏＡ以ドの超微細桔＾＾粒が析出して磁気特性が向上
する。またさらに熱処理として、磁場中熱処理（薄帯軸
方向、幅）ｊ向、板厚方向、回転磁場熱処理）を追加し
てもよい。これらの熱処理における雰凹気は特に１１１
０）ず、Ｎ２　、Ａｒ等の不活性ガス、真空中、１１２
等の還元雰凹気中、人気中）のいずれでも良い。

このようにして得られるＰｃ２Ｊｃ微細話品音金薄１；
２中の粒径１０００λ以下の微細結晶粒は、面積比で２
５〜９５９６の範囲で７Ｊ：（＋’、させることか奸ま
しい。微細結晶粒の面積比があまり少ないと、すなわち
非晶質…かあまり多いと、鉄損か大きく、透６ｉ！７．
弔がＵ（＜、磁歪が大きくなる。また、逆にその瓜があ
まり多いと、磁気特性を劣化させる。合金中の微細桔＾
晶拉のより奸ましい存（ｒ化としては、面積比で４０〜
９０％の範囲であり、この範囲において特に安定して軟
磁気特性をｒ）ることかできる。

ＦＱ払超微細拮晶含金薄・：１シの仮Ｓ＝を１０Ｉｚｍ
以下に規定したのは、この範囲でＭＩＩＺ域″≦゛の、
Ｑ＋周波領域での磁気特性が良好となると共に、耐脆化
性が改に−されるためである。特に、仮摩を８μｍ以下
とすることによって、耐脆化性が大幅に改みされる。

また、磁性コアを作製する際には、得られたアモルファ
ス状の、＋、Ｖ　、：ｉｒ、を巻１ｔ−！Ｊ　したり、
あるいは　１層または複数肋枯１□□□して所定形状に
成形した後、上記熱処理を行うことによって、あるいは
ｒめ帖処狸した薄・：１；を積層することによって、所
望の高周波化に対応した答同コアや積層コア、例えば可
飽和リアクトル、スパイクノイズｆＩｔ減用超矩形イン
ダクタンス素子、零相変流器、磁気ヘッド可に適した磁
性コアか得られる。また、このような磁性コアを使用し
た磁気部品と他の′１−シ子部品とを組合せることによ
って、スイッチングｌハ諒のようなＸｔｒ装置か得られ
る。

次に、ＰｃＭ超微細拮晶合金ｌ’＊１７帯の具体的な製
逍例について説明する。

実施例４ ＦＯ７２ＬｕＩＶ　ｓ　Ｓｔ　ｔ３１１　ｇて・」；さ
れる合金組成物をｌ−Ｊ！Ｉ　ｎし、これをＩｔｉ’、
　ＩＩ溶融容器に投入して溶融した なお、用いたノズルの形状は≦．２ｍｍＸ　Ｏ，１５ｍ
ｍ（ａ　Ｘ　ｂ）のスリブＩ・形状とし、ノズルと冷却
ロルとの間隔Ｃは０．１５　ｍｍとした。また、冷Ｌｌ
ｌロルの材質はＣｕ音仝を用いた。

次いて、真空チャンバ内を５ｘ　１ｏ−５Ｔｏｒ＋・ま
て真空排気した後、溶融した合金組成物をノズルから周
速４２ＩＩｌ／ｓｅｅに制御された冷却ロールの周面上
に江力Ｃｆ、（１２５ｋｇ／ｃ＋／でη、！出し、ｌ容
融金屈をｊｉｉ急冷して趨・：；シを得た。

得られた薄帯は、ＮｌＸ５１１ｍ　、　ｔｌｎｌＶ、　
７．８μｍで、アモルファス状のちのであった。

次に、ｖＨられたＬｌ、！７４ｉｒを外径１２ｍｍＸ内
径８Ｉのトロイダル状のコアに成形し、このコアにχ、
ｔして５７０℃で２時間、１ｌ１２雰囲′Ａ（中で貼込
Ｊｊｐを施した。

得られたコアの鉄損および初透磁率の周波数特性をＵ関
数１；１、ＬＣＲメータを用いて測定した。

第６図には、励磁外２ｍ０ｅでの初透磁率の周波数特性
を示す。なお、本発明との比較として、同一組成の板厚
１８μｍのＦｅ基超微細粘晶含金〆°専シ；シを用いた
ものの結果も示しである。

同図より明らかなように、ｉ！磁率は同０ｋｌｌｚ以上
て仮摩の効果が顕者に現れていることか分る。

一方、鉄損は、ド記の第２表に示す通りであり、ｈ　ｉ
’、’ｊ化の効果か明らかに認め、られる。

第２表 また、上記実施例４と比較例４のＰｅＪＪ超微細ｉｌ！
１品合企、Ｈ，ｙ　、＋ｊＦにり・１して↑Ｊ’曲げｉ
人騒を１１った。、ム（験〕Ｊ゛ｔ１；は、２枚の板間
に熱処Ｐｌ後のＦｃ拙超微細フ１１品合金、＋、Ｖ　、
：ｊｒ、を心間させて配置し、板の間隔を伏くすること
によって砿咄させ、岐ｊカシた際の２枚の阪の間隔をｅ
として、ド記の式より求めた。

−ｔ ｔ−ｔ （式中、ｔは　　重量　　　の式にＪ、Ｖ＜！ｆｉ量法
か密度×長さ０幅 ら求めた薄帯の・ｌく均板厚である。）ｉすられた値は
、実施例４の１゛じ払紐微細れ５見ａ金薄・：臣かε−
５ＸＩＯ’で、比較例４かε−２ＸＩＯ−’であった。

このことから、極ｌ専化するこちによって脱化が改みさ
れることが明らかである。とはｌＸｌ０’以上、打まし
くは３Ｘ　１０　”以上がよい。

実施例５ 昂３表に示す＾仝組成物を出発原ｔ］としてそれぞれ用
い、各作製条件を第′３表に示す’１　（’ｌ”とする
以外は、実施例４と同様にしてそれぞれアモルファスｌ
導帯を作製し、次いで実施例４と同（ｌにコアを作製し
た後、凸処狸を施した。

このようにした？すた各Ｐｃ基超超微細結晶合金’＋ｌ
ｉ　、’ｉ＞の・１え均＆Ｉす、鉄損、透磁率および上
記εでノ」ミした脆性値をａｌｌ＋定した。それらの結
果も合せて第３表に示す。

（以ド余白） 第３表から明らかなように、本発明の作製条件内でまず
アモルファス状態の薄・：ｉ）を作製し、次いで熱処理
することによって、板厚１０μ−以下のピンホール等の
少ない良好な極薄のＰｃＪＪ、超微細結晶合金薄４ｉ）
を得ることができることが分る。そして、それらは畠周
波域において低鉄損、高透磁率を満足するものであるこ
とが明らかである。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、板厚４．８μｍ未
満の健全なＣｏ基アモルファス合金薄帯あるいは板Ｊｖ
−＋Ｏμ−以下の健全なＦｅ話超超微細結晶合金薄帯得
られる。そして、これらは高周波領域での軟磁気特性、
例えば透磁率や鉄損が優れているため、例えばノイズフ
ィルター、可飽和リアクトル、スパイクノイズ低減用起
生形インダクタンス素子、トランス、各種チョークコイ
ル、零相女流器、磁気ヘッド′：９・に用いられる高周
波域で優れた軟磁気特性が要求される磁性材料を択供す
ることが可能となる。

また、ＰｃＭ超微細結晶合金薄帯にあっては、板厚を１
０μｍ以下とすることによって、脆化現象も改善される
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例で使用した軟磁性合金薄帯製
造装置の一構成例を模式的に示す図、第２図はそのノズ
ル形状を示すｆ面図、第３図はノズルと回転冷却体との
位置関係を示す図、第４図は本発明の一実施例で作製し
たＣｏ＝Ｍアモルファス合金薄帯の初透磁率の周波数特
性を従来例と比較して示すグラフ、第５図は本発明の他
の実施例で作製したＣｏ基アモルファス合金薄帯の種々
の周波数に対する鉄損と薄４；）の板厚との関係を示す
グラフ、第６図は本発明の他の実施例で作製したＦｅ基
超超微細結晶合金薄帯初透磁率の周波数特性を従来例と
比較して示すグラフである。 １０・・・・・・真空チャンバ、２０・・・・・・冷却
ロール、３０・・・・・・原料溶融容器、３２・・・・
・・ノズル、３４・・・・・・誘導加熱コイル、４０・
・・・・・単ロール機溝。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）合金溶湯をノズルより回転冷却体の表面に射出し
   、超急冷することによってアモルファス合金薄帯を製造
   するに際し、 前記回転冷却体をＦｅ基合金またはＣｕ基合金で構成し
   、 前記ノズルの先端形状を矩形とすると共に、前記回転冷
   却体の周方向に対して平行な方向に位置する短辺を０．
   ０７ｍｍ〜０．１３ｍｍの範囲とし、かつ前記ノズルと
   回転冷却体との間隔を０．０５ｍｍ〜０．２０ｍｍの範
   囲とし、 前記回転冷却体を周速２０〜５０ｍ／ｓｅｃの範囲で回
   転させつつ、１×１０＾−＾４Ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲
   気下で前記ノズルから前記合金溶湯を０．０１５〜０．
   ０２５ｋｇ／ｃｍ＾２の射出圧で前記回転冷却体に対し
   て射出することを特徴とする極薄の軟磁性合金薄帯の製
   造方法。 （２）請求項１記載の極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法
   において、 板厚４．８μｍ未満のアモルファス合金薄帯を製造する
   ことを特徴とする極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法。 （３）請求項１または２記載の極薄の軟磁性合金薄帯の
   製造方法において、 製造するアモルファス合金薄帯の合金組成が、一般式；
   （Ｃｏ＿１＿−＿ａＡ＿ａ）＿１＿０＿０＿−＿ｂＸ＿
   ｂ（式中、ＡはＦｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ
   、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕおよび白金族元
   素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を、Ｘ
   はＳｉ、Ｂ、ＰおよびＣからなる群から選ばれた少なく
   とも１種の元素を表し、ａおよびｂは、下記の式を満足
   する数である。 ０≦ａ≦０．５（ただし、ＭとしてＦｅ、Ｎｉを除く場
   合は、０≦ａ≦０．３である。） １０ａｔ％≦ｂ≦３５ａｔ％。） で実質的に示されることを特徴とする軟磁性合金薄帯の
   製造方法。 （４）請求項１ないし３のいずれか１項記載の極薄の軟
   磁性合金薄帯の製造方法において、 得られたアモルファス合金薄帯を巻回または積層した後
   、使用した合金の結晶化温度以下でキューリー温度以上
   の温度範囲によって熱処理を施すことを特徴とする極薄
   の軟磁性合金薄帯の製造方法。 （５）一般式：（Ｃｏ＿１＿−＿ａＡ＿ａ）＿１＿０＿
   ０＿−＿ｂＸ＿ｂ（式中、ＡはＦｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ
   、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｕ
   および白金族元素からなる群から選ばれた少なくとも１
   種の元素を、ＸはＳｉ、Ｂ、ＰおよびＣからなる群から
   選ばれた少なくとも１種の元素を表し、ａおよびｂは、
   下記の式を満足する数である。 ０≦ａ≦０．５（ただし、ＭとしてＦｅ、Ｎｉを除く場
   合は、０≦ａ≦０．３である。） １０ａｔ％≦ｂ≦３５ａｔ％。） で実質的に示されるアモルファス合金からなり、かつ板
   厚が４．８μｍ未満であることを特徴とする極薄の軟磁
   性合金薄帯。 （６）請求項５記載の極薄の軟磁性合金薄帯を巻回して
   なることを特徴とする磁性コア。 （７）請求項５記載の極薄の軟磁性合金薄帯を一層また
   は複数層積層してなることを特徴とする磁性コア。 （８）請求項６または７記載の磁性コアを有する磁気部
   品と、電子部品とを組合せて構成したことを特徴とする
   電子装置。 （９）合金溶湯をノズルより回転冷却体の表面に射出し
   、超急冷することによってＦｅ基軟磁性合金薄帯を製造
   するに際し、 前記ノズルの先端形状を矩形とすると共に、前記回転冷
   却体の周方向に対して平行な方向に位置する短辺を０．
   ２ｍｍ以下とし、かつ前記ノズルと回転冷却体との間隔
   を０．２ｍｍ以下とし、 前記回転冷却体を周速２０ｍ／ｓｅｃ以上で回転させつ
   つ、１×１０＾−＾２Ｔｏｒｒ以下の減圧雰囲気下また
   は６０Ｔｏｒｒ以下のＨｅ雰囲気下で、前記ノズルから
   前記合金溶湯を０．０３ｋｇ／ｃｍ＾２以下の射出圧で
   前記回転冷却体に対して射出して極薄の薄帯を形成した
   後、得られた薄帯に使用した合金の結晶化温度以上の温
   度で熱処理を施し、超微細結晶粒を析出させることによ
   り、Ｆｅ基超微細結晶合金薄帯を製造することを特徴と
   する極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法。 （１０）請求項９記載の極薄の軟磁性合金薄帯の製造方
   法において、 回転冷却体をＦｅ基合金またはＣｕ基合金で構成するこ
   とを特徴とする極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法。 （１１）請求項１０記載の極薄の軟磁性合金薄帯の製造
   方法において、 板厚１０μｍ以下のＦｅ基超微細結晶合金薄帯を製造す
   ることを特徴とする極薄の軟磁性合金薄帯の製造方法。 （１２）請求項９ないし１１のいずれか１項記載の極薄
   の軟磁性合金薄帯の製造方法において、製造するＦｅ基
   軟磁性合金薄帯の合金組成が、一般式： Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｅ＿−＿ｆ＿−＿ｇ＿−＿ｈ＿
   −＿ｉ＿−＿ｊＥ＿ｅＧ＿ｆＪ＿ｇＳｉ＿ｈＢ＿ｉＺ＿
   ｊ（式中、ＥはＣｕおよびＡｕから選ばれた少なくとも
   １種の元素を、ＧはIVａ族元素、Ｖａ族元素、VIａ族元
   素および希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも
   １種の元素を、ＪはＭｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓ
   ｎおよび白金族元素からなる群から選ばれた少なくとも
   １種の元素を、ＺはＣ、ＮおよびＰからなる群から選ば
   れた少なくとも１種の元素を表し、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ
   およびｊは、下記の式を満足する数である。ただし、下
   記式中の全ての数字はａｔ％を示す。 ０．１≦ｅ≦８ ０．１≦ｆ≦１０ ０≦ｇ≦１０ １２≦ｈ≦２５ ３≦ｉ≦１２ ０≦ｊ≦１０ １５≦ｈ＋ｉ＋ｊ≦３０。） で実質的に示されることを特徴とする極薄の軟磁性合金
   薄帯の製造方法。 （１３）一般式： Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿ｅ＿−＿ｆ＿−＿ｇ＿−＿ｈ＿
   −＿ｉ＿−＿ｊＥ＿ｅＧ＿ｆＪ＿ｇＳｉ＿ｈＢ＿ｉＺ＿
   ｊ（式中、ＥはＣｕおよびＡｕから選ばれた少なくとも
   １種の元素を、ＧはIVａ族元素、Ｖａ族元素、VIａ族元
   素および希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも
   １種の元素を、ＪはＭｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓ
   ｎおよび白金族元素からなる群から選ばれた少なくとも
   １種の元素を、ＺはＣ、ＮおよびＰからなる群から選ば
   れた少なくとも１種の元素を表し、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ
   およびｊは、下記の式を満足する数である。ただし、下
   記式中の全ての数字はａｔ％を示す。 ０．１≦ｅ≦８ ０．１≦ｆ≦１０ ０≦ｇ≦１０ １２≦ｈ≦２５ ３≦ｊ≦１２ ０≦ｊ≦１０ １５≦ｈ＋ｉ＋ｊ≦３０。） で実質的に示されるＦｅ基軟磁性合金からなり、かつ板
   厚が１０μｍ以下で、超微細結晶粒を有することを特徴
   とする極薄のＦｅ基超微細結晶軟磁性合金薄帯。 （１４）請求項１３記載の極薄のＦｅ基超微細結晶軟磁
   性合金薄帯において、 粒径１０００Å以下の超微細結晶粒を面積比で２５％〜
   ９５％の範囲で含有していることを特徴とする極薄のＦ
   ｅ基超微細結晶軟磁性合金薄帯。 （１５）請求項１３または１４記載の極薄のＦｅ基超微
   細結晶軟磁性合金薄帯において、 ε＝ｔ／（ｌ−ｔ） （式中、ｌは薄帯を２枚の板間に湾曲させて配置し、前
   記２枚の板の間隔を狭くすることによって前記薄帯を破
   壊させ、この際の２枚の板の間隔を示す。また、ｔは重
   量法から求めた薄帯の平均板厚である。） で表されるＦｅ基超微細結晶軟磁性合金薄帯の折曲げ試
   験特性値εが、１×１０＾−＾３以上であることを特徴
   とするＦｅ基超微細結晶軟磁性合金薄帯。 （１６）請求項１３記載の極薄のＦｅ基超微細結晶軟磁
   性合金薄帯を巻回してなることを特徴とする磁性コア。 （１７）請求項１３記載の極薄のＦｅ基超微細結晶軟磁
   性合金薄帯を一層または複数層積層してなることを特徴
   とする磁性コア。 （１８）請求項１６または１７記載の磁性コアを有する
   磁気部品と、電子部品とを組合せて構成したことを特徴
   とする電子装置。 （１９）所定の温度に冷却可能でかつ所定の周速に制御
   可能な回転冷却体と、 前記回転冷却体の周面に対して開口していると共に開口
   部形状が矩形とされたノズルが下部に設置され、かつ加
   熱手段を有する原料溶融容器と、前記回転冷却体および
   原料溶融容器を収容し、所定の減圧雰囲気に排気可能な
   真空チャンバとを具備することを特徴とする軟磁性合金
   薄帯製造装置。