JPS6217744B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6217744B2 JPS6217744B2 JP3243581A JP3243581A JPS6217744B2 JP S6217744 B2 JPS6217744 B2 JP S6217744B2 JP 3243581 A JP3243581 A JP 3243581A JP 3243581 A JP3243581 A JP 3243581A JP S6217744 B2 JPS6217744 B2 JP S6217744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wavelength
- photomask blank
- photomask
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、微細なパターンをウエハー上に転写
する時に用いるフオトマスクのアライメントを容
易にするフオトマスクブランクに関するものであ
る。 一般に、アライメントマークはフオトマスクの
透明基板を通して見ることができる。半導体集積
回路の高密度化にともなつて、レジストは解像度
の問題からネガタイプからポジタイプに変わる傾
向にある。それにともなつて、フオトマスクも白
地の多いものから黒地（表面をクロムコートした
ハードマスクブランクを用いた時のフオトマスク
の場合はクロムの残つている面積）の多いものに
変つてきたので、アライメントマークが見えなく
なつてきた。 この問題を解決するため、紫外光での透過率を
低くし、可視光での透過を高くした透明基板上に
シリコン系や酸化鉄系の膜を塗布したフオトマス
クブランクがある。 しかしながら、従来のシリコン系又は酸化鉄系
の膜を塗布したフオトマスクブランクでは、膜の
膜厚を150Å以上にしなければ、前述した要求に
応えることができず、シヤープなパターンを切る
ことができないという欠点がある。また、膜自
身、レジスト剥離液に侵されやすいという欠点も
ある。更に、従来のフオトマスクブランクではエ
ツチングタイムがばらついて寸法の制御が十分に
できない、ピンホールや表面の汚れによる欠陥が
多い等の理由から現在の要求を十分に満たしてい
ない。ハードマスクブランクの大多数をしめてい
るクロム系のものと異なるためエツチング工程等
が異なり通常の工程での処理ができない欠点があ
つた。 本発明の目的は前述した欠点を除去し、且つ、
容易にアライメントでき、通常のエツチング工程
を適用できるフオトマスクブランクを提供するこ
とである。 本発明のより具体的な目的は紫外光での透過率
が低く、可視光での透過率が高いフオトマスクブ
ランクを提供することである。 本発明の他の目的はシリコン系や酸化鉄系の膜
に比して薄い膜を有するフオトマスクブランクを
提供することである。 本発明によれば、真空蒸着法、スパツタ法、イ
オンプレーテイング法を用いて、透明基板上に、
クロムの窒化物を塗布したフオトマスクブランク
が得られる。 以下に実施例により詳細に説明する。 マグネトロンスパツター装置によりICフオト
マスク用ガラス基板上にAr＋N2雰囲気中で種々
の条件でスパツターしたところ表の如き結果を得
た。
する時に用いるフオトマスクのアライメントを容
易にするフオトマスクブランクに関するものであ
る。 一般に、アライメントマークはフオトマスクの
透明基板を通して見ることができる。半導体集積
回路の高密度化にともなつて、レジストは解像度
の問題からネガタイプからポジタイプに変わる傾
向にある。それにともなつて、フオトマスクも白
地の多いものから黒地（表面をクロムコートした
ハードマスクブランクを用いた時のフオトマスク
の場合はクロムの残つている面積）の多いものに
変つてきたので、アライメントマークが見えなく
なつてきた。 この問題を解決するため、紫外光での透過率を
低くし、可視光での透過を高くした透明基板上に
シリコン系や酸化鉄系の膜を塗布したフオトマス
クブランクがある。 しかしながら、従来のシリコン系又は酸化鉄系
の膜を塗布したフオトマスクブランクでは、膜の
膜厚を150Å以上にしなければ、前述した要求に
応えることができず、シヤープなパターンを切る
ことができないという欠点がある。また、膜自
身、レジスト剥離液に侵されやすいという欠点も
ある。更に、従来のフオトマスクブランクではエ
ツチングタイムがばらついて寸法の制御が十分に
できない、ピンホールや表面の汚れによる欠陥が
多い等の理由から現在の要求を十分に満たしてい
ない。ハードマスクブランクの大多数をしめてい
るクロム系のものと異なるためエツチング工程等
が異なり通常の工程での処理ができない欠点があ
つた。 本発明の目的は前述した欠点を除去し、且つ、
容易にアライメントでき、通常のエツチング工程
を適用できるフオトマスクブランクを提供するこ
とである。 本発明のより具体的な目的は紫外光での透過率
が低く、可視光での透過率が高いフオトマスクブ
ランクを提供することである。 本発明の他の目的はシリコン系や酸化鉄系の膜
に比して薄い膜を有するフオトマスクブランクを
提供することである。 本発明によれば、真空蒸着法、スパツタ法、イ
オンプレーテイング法を用いて、透明基板上に、
クロムの窒化物を塗布したフオトマスクブランク
が得られる。 以下に実施例により詳細に説明する。 マグネトロンスパツター装置によりICフオト
マスク用ガラス基板上にAr＋N2雰囲気中で種々
の条件でスパツターしたところ表の如き結果を得
た。
【表】
上述したことからも明らかな通り、膜厚が600
Å程度と薄くても十分な透過率比が得られてい
る。尚、実験によれば、300Å程度でも1.2前後の
透過率比が得られ、フオトマスクブランクとして
利用可能であることが確認された。 実施例(1)〜(2)で作つたブランクを硝酸第２セリ
ウムアンモン41.3ｇ、過塩素酸10.5mlにイオン交
換水を加えて1000mlにしたエツチング液でエツチ
ングしたところ20〜30秒でいずれのものもエツチ
ングされ、パターンも1000倍の顕微鏡で観察して
欠陥のない、非常にきれいなものであつた。また
実施例(1)のものを平行平板型プラズマエツチング
マシンでCCl4／O2＝50／50、全圧0.4Torr、電力
100Wでドライエツチしたところ、１分20秒でエ
ツチアウトされ、パターンも非常にきれいであつ
た。 以上のように、Ar＋N2雰囲気中でクロムをス
パツターすると、クロムの窒化物からなる膜がで
き、この膜が、波長405nｍの光の透過率に対す
る波長550nｍの透過率が1.2〜3.04倍であること
から、紫外線では十分な遮光性を示し、可視光で
は光を透過する。すなわち、可視光を用いて容易
にアライメントができ、且つ、紫外光での露光が
可能なフオトマスクブランクを構成できる。ま
た、このクロムの窒化物からなる膜は通常のクロ
ム系のエツチング液に対して均一なエツチング特
性を示し、さらに、その膜厚が300Å〜730Åであ
ることから、非常にシヤープなパターンが得られ
た。 また実施例ではマグネトロンスパツター法で説
明したが、通常の直流、交流のスパツター法、イ
オンプレーテイング法、蒸着法によつても同様の
効果が得られる。また窒素ガス雰囲気、アンモニ
アガス雰囲気、アンモニアガスと不活性ガスとの
混合雰囲気中で、膜生成を行なつても同様の効果
が得られる。 以上のように本発明によればクロム系の膜でフ
オトマスクブランクを作つたため、Ｃ／Ｄコント
ロールの容易な、耐酸性のある、欠陥の少ないブ
ランクができ、超LSI用に十分使用できるものが
得られる効果がある。
Å程度と薄くても十分な透過率比が得られてい
る。尚、実験によれば、300Å程度でも1.2前後の
透過率比が得られ、フオトマスクブランクとして
利用可能であることが確認された。 実施例(1)〜(2)で作つたブランクを硝酸第２セリ
ウムアンモン41.3ｇ、過塩素酸10.5mlにイオン交
換水を加えて1000mlにしたエツチング液でエツチ
ングしたところ20〜30秒でいずれのものもエツチ
ングされ、パターンも1000倍の顕微鏡で観察して
欠陥のない、非常にきれいなものであつた。また
実施例(1)のものを平行平板型プラズマエツチング
マシンでCCl4／O2＝50／50、全圧0.4Torr、電力
100Wでドライエツチしたところ、１分20秒でエ
ツチアウトされ、パターンも非常にきれいであつ
た。 以上のように、Ar＋N2雰囲気中でクロムをス
パツターすると、クロムの窒化物からなる膜がで
き、この膜が、波長405nｍの光の透過率に対す
る波長550nｍの透過率が1.2〜3.04倍であること
から、紫外線では十分な遮光性を示し、可視光で
は光を透過する。すなわち、可視光を用いて容易
にアライメントができ、且つ、紫外光での露光が
可能なフオトマスクブランクを構成できる。ま
た、このクロムの窒化物からなる膜は通常のクロ
ム系のエツチング液に対して均一なエツチング特
性を示し、さらに、その膜厚が300Å〜730Åであ
ることから、非常にシヤープなパターンが得られ
た。 また実施例ではマグネトロンスパツター法で説
明したが、通常の直流、交流のスパツター法、イ
オンプレーテイング法、蒸着法によつても同様の
効果が得られる。また窒素ガス雰囲気、アンモニ
アガス雰囲気、アンモニアガスと不活性ガスとの
混合雰囲気中で、膜生成を行なつても同様の効果
が得られる。 以上のように本発明によればクロム系の膜でフ
オトマスクブランクを作つたため、Ｃ／Ｄコント
ロールの容易な、耐酸性のある、欠陥の少ないブ
ランクができ、超LSI用に十分使用できるものが
得られる効果がある。
Claims (1)
- １ 透明基板と、窒素を含む雰囲気中で、真空蒸
着法、スパツタリング法、及びイオンプレーテイ
ング法のいずれかにより前記透明基板上に形成さ
れた、クロムの窒化物からなる膜とを有し、前記
膜の膜厚が300Å〜730Åであり、かつ、波長
405nｍの光の透過率に対する波長550nｍの光の
透過率が1.2〜3.04倍であることを特徴とするフ
オトマスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243581A JPS57147634A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Photomask blank |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243581A JPS57147634A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Photomask blank |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57147634A JPS57147634A (en) | 1982-09-11 |
| JPS6217744B2 true JPS6217744B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=12358867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243581A Granted JPS57147634A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Photomask blank |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57147634A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831336A (ja) * | 1981-08-19 | 1983-02-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | ホトマスク素材 |
| JPS6090336A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-21 | Toppan Printing Co Ltd | クロムマスクブランクの製造方法 |
| JPS60154254A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-13 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JPS61272746A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd |
-
1981
- 1981-03-09 JP JP3243581A patent/JPS57147634A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57147634A (en) | 1982-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4363846A (en) | Photomask and photomask blank | |
| JPS6363896B2 (ja) | ||
| JPS6232782B2 (ja) | ||
| EP0073136B1 (en) | Photomask material | |
| KR20170113083A (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| WO2002021210A1 (fr) | Photomasque a decalage de phase pour similigravure et ebauche de photomasque a decalage de phase pour similigravure | |
| US6989219B2 (en) | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks | |
| US4374912A (en) | Photomask and photomask blank | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| JPS6251461B2 (ja) | ||
| JPH08123010A (ja) | 位相シフトマスクおよびそれに用いるマスクブランク | |
| EP0054736B1 (en) | Photomask and photomask blank | |
| US4783371A (en) | Photomask material | |
| JPH05297570A (ja) | フォトマスクブランクの製造方法 | |
| JPS6217744B2 (ja) | ||
| JPH11125896A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスク | |
| JPH07209849A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス | |
| JPS6251460B2 (ja) | ||
| JPS61240243A (ja) | フオトマスクブランクおよびフオトマスク | |
| JPS6227386B2 (ja) | ||
| JPS61198156A (ja) | 改良されたフオトマスクブランク | |
| JPS646449B2 (ja) | ||
| JPS5990853A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JP3664332B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPH04371955A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク |