JPS6090336A - クロムマスクブランクの製造方法 - Google Patents
クロムマスクブランクの製造方法Info
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- JPS6090336A JPS6090336A JP58198574A JP19857483A JPS6090336A JP S6090336 A JPS6090336 A JP S6090336A JP 58198574 A JP58198574 A JP 58198574A JP 19857483 A JP19857483 A JP 19857483A JP S6090336 A JPS6090336 A JP S6090336A
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- metallic chromium
- transparent substrate
- sputtering
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路の製造に用いるフォトマスク
やレチクルマスクのためのブランク板の製造方法に関す
る。
やレチクルマスクのためのブランク板の製造方法に関す
る。
石英や低膨張ガラス、通常ガラスを材質とする透明基板
に、金属クロムの遮光性薄膜を形成して、クロムマスク
ブランクとなし、このブランクに対して光や電子ビーム
を用いたフォトファブリケーション技術とエツチング技
術を用いて遮光性薄膜を所望形状にパターン化し、フォ
トマスクやレチクルマスクとする。言うまでもなく、フ
ォトマスクやレチクルマスクは、半導体集積回路と同様
ザブミクロンオーダーの精確なパターン精度が要求され
るから、そのブランクと言えど、ピンホール欠陥やパタ
ーン欠落事故のないものが厳しく要求される。
に、金属クロムの遮光性薄膜を形成して、クロムマスク
ブランクとなし、このブランクに対して光や電子ビーム
を用いたフォトファブリケーション技術とエツチング技
術を用いて遮光性薄膜を所望形状にパターン化し、フォ
トマスクやレチクルマスクとする。言うまでもなく、フ
ォトマスクやレチクルマスクは、半導体集積回路と同様
ザブミクロンオーダーの精確なパターン精度が要求され
るから、そのブランクと言えど、ピンホール欠陥やパタ
ーン欠落事故のないものが厳しく要求される。
通常、金属クロムを透明基板に成膜するプロセスは、真
空蒸着法にせよスパッタリングにせよ、アルゴン等の不
活性ガス単独の雰囲気下で行なわれる。しかし、このよ
うにして生成される遮光性薄膜は、物理的強度、特に透
明基板に対する接着強度に劣り、製造プロセスやマスク
使用中にパターンの欠落事故を招きがちであった。
空蒸着法にせよスパッタリングにせよ、アルゴン等の不
活性ガス単独の雰囲気下で行なわれる。しかし、このよ
うにして生成される遮光性薄膜は、物理的強度、特に透
明基板に対する接着強度に劣り、製造プロセスやマスク
使用中にパターンの欠落事故を招きがちであった。
また、成膜時にアルゴンガスのみならず、少量の酸素ガ
スも添加することにより、透明基板に対する薄膜の接着
強度を若干向上できることも見い出されているが３、こ
れとても、充分ではなく、アルゴンガス単独によるクロ
ム助膜と同様、しばしハパターンの欠洛月４故を起こし
ていた。
スも添加することにより、透明基板に対する薄膜の接着
強度を若干向上できることも見い出されているが３、こ
れとても、充分ではなく、アルゴンガス単独によるクロ
ム助膜と同様、しばしハパターンの欠洛月４故を起こし
ていた。
本発明は、以上のような欠点を解消すべく鋭意検討した
結果、完成したものであって、具体的には、透明基板の
１４面に、金属クロムを主成分とする遮光性薄膜を形成
してなるクロムマスクブランクの製造方法において、前
記透明基板に薄膜を蒸着形成する手段として、金属クロ
ムをターゲットとし、窒素ガスを体積比で１０〜２０パ
ーセント含有するアルゴンガス雰囲気中で行なうスパッ
タリング法を用いることを特徴とする。
結果、完成したものであって、具体的には、透明基板の
１４面に、金属クロムを主成分とする遮光性薄膜を形成
してなるクロムマスクブランクの製造方法において、前
記透明基板に薄膜を蒸着形成する手段として、金属クロ
ムをターゲットとし、窒素ガスを体積比で１０〜２０パ
ーセント含有するアルゴンガス雰囲気中で行なうスパッ
タリング法を用いることを特徴とする。
以下に本発明の詳細な説明すると、スパッタリング法と
しては、二極スパッター、高周波スパッター、プラズマ
スパッターなどの種々の方式が採用できるが、特に均一
な膜特性を得られるということでは平行平板型のスパッ
ター装置を用いるのが良い。このようなスパッタリング
装置内を１０’ｆ：ｏｒｒオーダーの高真空とし、装置
内に流量計を用いるなどして、アルゴンガスと窒素ガス
を導入する。ガスを導入した直後の装置内の気圧は、ス
パッタ一方式によっても異なるが、ｌＸ１Ｏ−〜５ｘ１
０ Ｔｏｒｒ、好ましくは１〜５Ｘ１０−３Ｔｏ ｒｒ
程度に設置すると良い。この時、注意すべきことは、装
置内に導入されるガス全量［対する窒素ガスの分量であ
って、窒素ガスは、導入されるガスの全体積に対して１
０〜２０パーセントを占めるのが適当である。
しては、二極スパッター、高周波スパッター、プラズマ
スパッターなどの種々の方式が採用できるが、特に均一
な膜特性を得られるということでは平行平板型のスパッ
ター装置を用いるのが良い。このようなスパッタリング
装置内を１０’ｆ：ｏｒｒオーダーの高真空とし、装置
内に流量計を用いるなどして、アルゴンガスと窒素ガス
を導入する。ガスを導入した直後の装置内の気圧は、ス
パッタ一方式によっても異なるが、ｌＸ１Ｏ−〜５ｘ１
０ Ｔｏｒｒ、好ましくは１〜５Ｘ１０−３Ｔｏ ｒｒ
程度に設置すると良い。この時、注意すべきことは、装
置内に導入されるガス全量［対する窒素ガスの分量であ
って、窒素ガスは、導入されるガスの全体積に対して１
０〜２０パーセントを占めるのが適当である。
第１図に、装置内に導入されるガス全量に対する窒素ガ
スの含有量を横軸にとり、縦軸に得られたクロムマスク
ブランクの膜強度（接着強度）の変化を示す。なお、膜
７強度は、Ｉ−ＩＥＩＤＯＮ式引掻試験機にて測定した
値であり、遮光性薄膜が耐えられる最大荷重の値が示さ
れている。図から理解されるように、窒素ガスを１０パ
ーセント含有させた時点から膜強度が急激に上昇し、１
５パーセントで最高点に達し、以下は窒素ガスを４０パ
ーセントまで増量しても、この最高値を維持する。
スの含有量を横軸にとり、縦軸に得られたクロムマスク
ブランクの膜強度（接着強度）の変化を示す。なお、膜
７強度は、Ｉ−ＩＥＩＤＯＮ式引掻試験機にて測定した
値であり、遮光性薄膜が耐えられる最大荷重の値が示さ
れている。図から理解されるように、窒素ガスを１０パ
ーセント含有させた時点から膜強度が急激に上昇し、１
５パーセントで最高点に達し、以下は窒素ガスを４０パ
ーセントまで増量しても、この最高値を維持する。
本発明において、窒素ガスの含有量を２０パーセント以
下とした理由は、それ以上加えても膜強度が上昇しない
ということもあるが、その他の理由として、窒素ガス分
量が２０パーセントを超えると、遮光性薄膜の光学濃度
の低下が起こるという理由があげられる。第２図に示す
ように、窒素ガス分量が２０パーセントを超えると、光
学濃度（０，Ｄ、）が減少することが明瞭である。（な
お、第２図の値は、遮光性薄膜の膜厚が９００１のとき
の値である。）付言すれば、窒素ガス２０パーセント以
上では、シースルー（Ｓｅｅ ｔｈｒｏｕｇｂ）性のあ
るＷ７膜が得られると言える。
下とした理由は、それ以上加えても膜強度が上昇しない
ということもあるが、その他の理由として、窒素ガス分
量が２０パーセントを超えると、遮光性薄膜の光学濃度
の低下が起こるという理由があげられる。第２図に示す
ように、窒素ガス分量が２０パーセントを超えると、光
学濃度（０，Ｄ、）が減少することが明瞭である。（な
お、第２図の値は、遮光性薄膜の膜厚が９００１のとき
の値である。）付言すれば、窒素ガス２０パーセント以
上では、シースルー（Ｓｅｅ ｔｈｒｏｕｇｂ）性のあ
るＷ７膜が得られると言える。
以下に本発明の一実施例を述べる。
平行平板型のスパッタリング装置内を６×１０Ｔｏｒｒ
まで排気し、流量計を用いて、アルゴンガスと窒素ガス
を装置内に導入した。この際、窒素ガスの導入量は、全
ガス量に対して、１０パーセント、１５パーセントおよ
び２０パーセントと、５パーセントきざみに導入して、
装置内の気圧を１〜！ｌ’Ｘ１０ Ｔｏｒｒに設定した
。
まで排気し、流量計を用いて、アルゴンガスと窒素ガス
を装置内に導入した。この際、窒素ガスの導入量は、全
ガス量に対して、１０パーセント、１５パーセントおよ
び２０パーセントと、５パーセントきざみに導入して、
装置内の気圧を１〜！ｌ’Ｘ１０ Ｔｏｒｒに設定した
。
なお、金属クロムターゲットと対向して置かれる透明基
盤として、硼硅酸塩基の低膨張高力ラス板を用いた。
盤として、硼硅酸塩基の低膨張高力ラス板を用いた。
以上のような条件で、スパッタ時間を１０〜１５分間と
し、膜厚９００〜１０００Ｘの遮光性クロム薄膜を形成
し、得られたクロムマスクブランクの遮光性薄膜の膜強
度と光学濃度を測定したところ、図面の第１図および第
２図と全（同様の結果が得られ、膜特性は安定していた
。
し、膜厚９００〜１０００Ｘの遮光性クロム薄膜を形成
し、得られたクロムマスクブランクの遮光性薄膜の膜強
度と光学濃度を測定したところ、図面の第１図および第
２図と全（同様の結果が得られ、膜特性は安定していた
。
本発明は以上のようなマスクブランクの製造方法であり
、本発明によれば、遮光性薄膜として機械的強度の高い
ものが得られ、故にマスク製造工程中やマスク使用中に
薄膜パターンの欠落するなどの事故が皆無に近い状態と
なった。そのほか、本発明のマスクブランクは、ピンホ
ール等の欠陥が稀少であり、しかも硝酸第二セリウム・
アンモニウム系のエツチング液に対する腐食特性が良好
であるので、マスク製造工程により精度の高いフォトマ
スクもしくはレチクルマスクとすることができる。以上
のように、本発明のクロムマスクブランクの製造方法は
、実用性に富むマスクを提供できる方法であり、極めて
優れている。
、本発明によれば、遮光性薄膜として機械的強度の高い
ものが得られ、故にマスク製造工程中やマスク使用中に
薄膜パターンの欠落するなどの事故が皆無に近い状態と
なった。そのほか、本発明のマスクブランクは、ピンホ
ール等の欠陥が稀少であり、しかも硝酸第二セリウム・
アンモニウム系のエツチング液に対する腐食特性が良好
であるので、マスク製造工程により精度の高いフォトマ
スクもしくはレチクルマスクとすることができる。以上
のように、本発明のクロムマスクブランクの製造方法は
、実用性に富むマスクを提供できる方法であり、極めて
優れている。
第１図は、本発明のクロムマスクブランクの製造方法に
おいて、窒素ガス含有率に対する膜強度の変化を示すグ
ラフ図であり、第２図は、同じく窒素ガス含有率に対す
る膜の光学濃度の変化を示すグラフ図である。 特許出願人 凸版印刷株式会社
おいて、窒素ガス含有率に対する膜強度の変化を示すグ
ラフ図であり、第２図は、同じく窒素ガス含有率に対す
る膜の光学濃度の変化を示すグラフ図である。 特許出願人 凸版印刷株式会社
Claims (1)
- （１） 透明基板の片面に、金属クロムを主成分とする
遮光性薄膜を形成してなるクロムマスクブランクの製造
方法において、前記透明基板に薄膜を蒸着形成する手段
として、金属クロムをターゲットとし、窒素ガスを体積
比で１０〜２０パーセント含有するアルゴンガス雰囲気
中で行なうスパッタリング法を用いることを特徴とする
クロムマスクブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198574A JPS6090336A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | クロムマスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198574A JPS6090336A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | クロムマスクブランクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090336A true JPS6090336A (ja) | 1985-05-21 |
| JPH041339B2 JPH041339B2 (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=16393437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58198574A Granted JPS6090336A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | クロムマスクブランクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090336A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP58198574A patent/JPS6090336A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041339B2 (ja) | 1992-01-10 |
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