JPH041339B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH041339B2 JPH041339B2 JP19857483A JP19857483A JPH041339B2 JP H041339 B2 JPH041339 B2 JP H041339B2 JP 19857483 A JP19857483 A JP 19857483A JP 19857483 A JP19857483 A JP 19857483A JP H041339 B2 JPH041339 B2 JP H041339B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- chromium
- light
- nitrogen gas
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路の製造に用いるフオ
トマスクやレチクルマスクのためのブランク板の
製造方法に関する。
トマスクやレチクルマスクのためのブランク板の
製造方法に関する。
石英や低膨張ガラス、通常ガラスを材質とする
透明基板に、金属クロムの遮光性薄膜を形成し
て、クロムマスクブランクとなし、このブランク
に対して光や電子ビームを用いたフオトフアブリ
ケーシヨン技術とエツチング技術を用いて遮光性
薄膜を所望形状にパターン化し、フオトマスクや
レチクルマスクとする。言うまでもなく、フオト
マスクやレチクルマスクは、半導体集積回路と同
様サブミクロンオーダーの精確なパターン精度が
要求されるから、そのブランクと言えど、ピンホ
ール欠陥やパターン欠落事故のないものが厳しく
要求される。
透明基板に、金属クロムの遮光性薄膜を形成し
て、クロムマスクブランクとなし、このブランク
に対して光や電子ビームを用いたフオトフアブリ
ケーシヨン技術とエツチング技術を用いて遮光性
薄膜を所望形状にパターン化し、フオトマスクや
レチクルマスクとする。言うまでもなく、フオト
マスクやレチクルマスクは、半導体集積回路と同
様サブミクロンオーダーの精確なパターン精度が
要求されるから、そのブランクと言えど、ピンホ
ール欠陥やパターン欠落事故のないものが厳しく
要求される。
通常、金属クロムを透明基板に成膜するプロセ
スは、真空蒸着法にせよスパツタリングにせよ、
アルゴン等の不活性ガス単独の雰囲気下で行なわ
れる。しかし、このようにして生成される遮光性
薄膜は、物理的強度、特に透明基板に対する接着
強度に劣り、製造プロセスやマスク使用中にパタ
ーンの欠落事故を招きがちであつた。
スは、真空蒸着法にせよスパツタリングにせよ、
アルゴン等の不活性ガス単独の雰囲気下で行なわ
れる。しかし、このようにして生成される遮光性
薄膜は、物理的強度、特に透明基板に対する接着
強度に劣り、製造プロセスやマスク使用中にパタ
ーンの欠落事故を招きがちであつた。
また、成膜時にアルゴンガスのみならず、少量
の酸素ガスも添加することにより、透明基板に対
する薄膜の接着強度を若干向上できることも見い
出されているが、これとても、充分ではなく、ア
ルゴンガス単独によるクロム薄膜と同様、しばし
ばパターンの欠落事故を起こしていた。
の酸素ガスも添加することにより、透明基板に対
する薄膜の接着強度を若干向上できることも見い
出されているが、これとても、充分ではなく、ア
ルゴンガス単独によるクロム薄膜と同様、しばし
ばパターンの欠落事故を起こしていた。
本発明は、以上のような欠点を解消すべく鋭意
検討した結果、完成したものであつて、具体的に
は、透明基板の片面に、金属クロムを主成分とす
る遮光性薄膜を形成してなるクロムマスクブラン
クの製造方法において、前記透明基板に薄膜を蒸
着形成する手段として、金属クロムをターゲツト
とし、窒素ガスを体積比で10〜20パーセント含有
するアルゴンガス雰囲気中で行なうスパツタリン
グ法を用いることを特徴とする。
検討した結果、完成したものであつて、具体的に
は、透明基板の片面に、金属クロムを主成分とす
る遮光性薄膜を形成してなるクロムマスクブラン
クの製造方法において、前記透明基板に薄膜を蒸
着形成する手段として、金属クロムをターゲツト
とし、窒素ガスを体積比で10〜20パーセント含有
するアルゴンガス雰囲気中で行なうスパツタリン
グ法を用いることを特徴とする。
以下に本発明を詳細に説明すると、スパツタリ
ング法としては、二極スパツター、高周波スパツ
ター、プラズマスパツターなどの種々の方式が採
用できるが、特に均一な膜特性を得られるという
ことでは平行平板型のスパツター装置を用いるの
が良い。このようなスパツタリング装置内を
10-6Torrオーダーの高真空とし、装置内に流量
計を用いるなどして、アルゴンガスと窒素ガスを
導入する。ガスを導入した直後の装置内の気圧
は、スパツター方式によつても異なるが、１×
10-2〜５×10-4Torr、好ましくは１〜３×
10-3Torr程度に設置すると良い。この時、注意
すべきことは、装置内に導入されるガス全量に対
する窒素ガスの分量であつて、窒素ガスは、導入
されるガスの全体積に対して10〜20パーセントを
占めるのが適当である。
ング法としては、二極スパツター、高周波スパツ
ター、プラズマスパツターなどの種々の方式が採
用できるが、特に均一な膜特性を得られるという
ことでは平行平板型のスパツター装置を用いるの
が良い。このようなスパツタリング装置内を
10-6Torrオーダーの高真空とし、装置内に流量
計を用いるなどして、アルゴンガスと窒素ガスを
導入する。ガスを導入した直後の装置内の気圧
は、スパツター方式によつても異なるが、１×
10-2〜５×10-4Torr、好ましくは１〜３×
10-3Torr程度に設置すると良い。この時、注意
すべきことは、装置内に導入されるガス全量に対
する窒素ガスの分量であつて、窒素ガスは、導入
されるガスの全体積に対して10〜20パーセントを
占めるのが適当である。
第１図に、装置内に導入されるガス全量に対す
る窒素ガスの含有量を横軸にとり、縦軸に得られ
たクロムマスクブランクの膜強度（接着強度）の
変化を示す。なお、膜強度は、HEIDON式引掻
試験機にて測定した値であり、遮光性薄膜が耐え
られる最大荷重の値が示されている。図から理解
されるように、窒素ガスを10パーセント含有させ
た時点から膜強度が急激に上昇し、15パーセント
で最高点に達し、以下は窒素ガスを40パーセント
まで増量しても、この最高値を維持する。本発明
において、窒素ガスの含有量を20パーセント以下
とした理由は、それ以上加えても膜強度が上昇し
ないということもあるが、その他の理由として、
窒素ガス分量が20パーセントを超えると、遮光性
薄膜の光学濃度の低下が起こるという理由があげ
られる。第２図に示すように、窒素ガス分量が20
パーセントを超えると、光学濃度（O.D.）が減
少することが明瞭である。（なお、第２図の値は、
遮光性薄膜の膜厚が900〓のときの値である。）付
言すれば、窒素ガス20パーセント以上では、シー
スルー（See through）性のある薄膜が得られる
と言える。
る窒素ガスの含有量を横軸にとり、縦軸に得られ
たクロムマスクブランクの膜強度（接着強度）の
変化を示す。なお、膜強度は、HEIDON式引掻
試験機にて測定した値であり、遮光性薄膜が耐え
られる最大荷重の値が示されている。図から理解
されるように、窒素ガスを10パーセント含有させ
た時点から膜強度が急激に上昇し、15パーセント
で最高点に達し、以下は窒素ガスを40パーセント
まで増量しても、この最高値を維持する。本発明
において、窒素ガスの含有量を20パーセント以下
とした理由は、それ以上加えても膜強度が上昇し
ないということもあるが、その他の理由として、
窒素ガス分量が20パーセントを超えると、遮光性
薄膜の光学濃度の低下が起こるという理由があげ
られる。第２図に示すように、窒素ガス分量が20
パーセントを超えると、光学濃度（O.D.）が減
少することが明瞭である。（なお、第２図の値は、
遮光性薄膜の膜厚が900〓のときの値である。）付
言すれば、窒素ガス20パーセント以上では、シー
スルー（See through）性のある薄膜が得られる
と言える。
以下に本発明の一実施例を述べる。
平行平板型のスパツタリング装置内を６×
10-6Torrまで排気し、流量計を用いて、アルゴ
ンガスと窒素ガスを装置内に導入した。この際、
窒素ガスの導入量は、全ガス量に対して、10パー
セント、15パーセントおよび20パーセントと、５
パーセントきざみに導入して、装置内の気圧を１
〜３×10-3Torrに設定した。
10-6Torrまで排気し、流量計を用いて、アルゴ
ンガスと窒素ガスを装置内に導入した。この際、
窒素ガスの導入量は、全ガス量に対して、10パー
セント、15パーセントおよび20パーセントと、５
パーセントきざみに導入して、装置内の気圧を１
〜３×10-3Torrに設定した。
なお、金属クロムターゲツトと対向して置かれ
る透明基板として、硼硅酸塩系の低膨張率ガラス
板を用いた。
る透明基板として、硼硅酸塩系の低膨張率ガラス
板を用いた。
以上のような条件で、スパツタ時間を10〜15分
間とし、膜厚900〜1000Åの遮光性クロム薄膜を
形成し、得られたクロムマスクブランクの遮光性
薄膜の膜強度と光学濃度を測定したところ、図面
の第１図および第２図と全く同様の結果が得ら
れ、膜特性は安定していた。
間とし、膜厚900〜1000Åの遮光性クロム薄膜を
形成し、得られたクロムマスクブランクの遮光性
薄膜の膜強度と光学濃度を測定したところ、図面
の第１図および第２図と全く同様の結果が得ら
れ、膜特性は安定していた。
本発明は以上のようなマスクブランクの製造方
法であり、本発明によれば、遮光性薄膜として機
械的強度の高いものが得られ、故にマスク製造工
程中やマスク使用中に薄膜パターンの欠落するな
どの事故が皆無に近い状態となつた。そのほか、
本発明のマスクブランクは、ピンホール等の欠陥
が稀少であり、しかも硝酸第二セリウム・アンモ
ニウム系のエツチング液に対する腐食特性が良好
であるので、マスク製造工程により精度の高いフ
オトマスクもしくはレチクルマスクとすることが
できる。以上のように、本発明のクロムマスクブ
ランクの製造方法は、実用性に富むマスクを提供
できる方法であり、極めて優れている。
法であり、本発明によれば、遮光性薄膜として機
械的強度の高いものが得られ、故にマスク製造工
程中やマスク使用中に薄膜パターンの欠落するな
どの事故が皆無に近い状態となつた。そのほか、
本発明のマスクブランクは、ピンホール等の欠陥
が稀少であり、しかも硝酸第二セリウム・アンモ
ニウム系のエツチング液に対する腐食特性が良好
であるので、マスク製造工程により精度の高いフ
オトマスクもしくはレチクルマスクとすることが
できる。以上のように、本発明のクロムマスクブ
ランクの製造方法は、実用性に富むマスクを提供
できる方法であり、極めて優れている。
第１図は、本発明のクロムマスクブランクの製
造方法において、窒素ガス含有率に対する膜強度
の変化を示すグラフ図であり、第２図は、同じく
窒素ガス含有率に対する膜の光学濃度の変化を示
すグラフ図である。
造方法において、窒素ガス含有率に対する膜強度
の変化を示すグラフ図であり、第２図は、同じく
窒素ガス含有率に対する膜の光学濃度の変化を示
すグラフ図である。
Claims (1)
- １ 透明基板の片面に、金属クロムを主成分とす
る遮光性薄膜を形成してなるクロムマスクブラン
クの製造方法において、前記透明基板に薄膜を蒸
着形成する手段として、金属クロムをターゲツト
とし、窒素ガスを体積比で10〜20パーセント含有
するアルゴンガス雰囲気中で行なうスパツタリン
グ法を用いることを特徴とする遮光性クロムマス
クブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198574A JPS6090336A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | クロムマスクブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58198574A JPS6090336A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | クロムマスクブランクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090336A JPS6090336A (ja) | 1985-05-21 |
| JPH041339B2 true JPH041339B2 (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=16393437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58198574A Granted JPS6090336A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | クロムマスクブランクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090336A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP58198574A patent/JPS6090336A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140874A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Toppan Printing Co Ltd | |
| JPS54153790A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Fujitsu Ltd | Chromium oxide layer formation |
| JPS57147634A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Hoya Corp | Photomask blank |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6090336A (ja) | 1985-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4722878A (en) | Photomask material | |
| US4363846A (en) | Photomask and photomask blank | |
| EP1220034B1 (en) | Photomask blank and photomask | |
| FR2542882B1 (fr) | Masque de lithographie a rayons x et procede de fabrication de celui-ci | |
| US4522842A (en) | Boron nitride X-ray masks with controlled stress | |
| JPH04246649A (ja) | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォト マスク及びその製造方法 | |
| EP0054736B1 (en) | Photomask and photomask blank | |
| JPH041339B2 (ja) | ||
| US4661426A (en) | Process for manufacturing metal silicide photomask | |
| JPS60184672A (ja) | クロム化合物層の製造方法 | |
| JPS6237384B2 (ja) | ||
| JPH03116147A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPH0695362A (ja) | フォトマスクブランク | |
| JPS5987458A (ja) | フオトマスク原板の製造方法 | |
| JP2595127B2 (ja) | 金属酸化物膜の形成方法及びフォトマスク原板の製造方法 | |
| JPS6033557A (ja) | 電子線露光用マスク素材の製造方法 | |
| JP2699518B2 (ja) | フオトマスクおよびフオトマスクブランク | |
| JPS61232457A (ja) | 改良されたフオトマスクブランク及びフオトマスク | |
| JPS6217744B2 (ja) | ||
| JPS6046372A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0366656B2 (ja) | ||
| JPH07103460B2 (ja) | ＳｉＣとＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼よりなる複合膜の製造方法およびＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法 | |
| JPS59168635A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0430576B2 (ja) | ||
| JPH0735921A (ja) | 光学フィルター |