JP2013068934A - マスクブランク、転写用マスク、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板の主表面に薄膜が形成されてなるマスクブランクにおいて、前記薄膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板の主表面と前記薄膜との間に、前記ガラス基板から薄膜へ水素が侵入することを抑制する侵入抑制膜を備えることを特徴とするマスクブランクである。
【選択図】図1
Description
ガラス基板の主表面に薄膜が形成されてなるマスクブランクにおいて、前記薄膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板の主表面と前記薄膜との間に、前記ガラス基板から薄膜へ水素が侵入することを抑制する侵入抑制膜を備えることを特徴とするマスクブランクである。
前記侵入抑制膜が、タンタルおよび酸素を含有する材料からなることを特徴とする構成1に記載のマスクブランクである。
前記侵入抑制膜が、酸素を50原子%以上含有することを特徴とする構成2に記載のマスクブランクである。
前記侵入抑制膜が、ガラス基板の薄膜が形成される側の主表面に接して形成されることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランクである。
前記ガラス基板の薄膜が形成される側の主表面の表面粗さが、Rqで0.2nm以下であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランクである。
前記薄膜が、タンタルおよび窒素を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランクである。
酸素を60原子%以上含有する高酸化層が、前記薄膜の表層に形成されていることを特徴とする構成6に記載のマスクブランクである。
前記薄膜が、ガラス基板側から下層と上層とが積層する構造を有し、前記下層が、タンタルおよび窒素を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記上層が、タンタルおよび酸素を含有する材料からなることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランクである。
酸素を60原子%以上含有する高酸化層が、前記上層の表層に形成されていることを特徴とする構成8に記載のマスクブランクである。
本発明は、構成1から9のいずれかに記載のマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されることを特徴とする転写用マスクである。
本発明は、構成10に記載の転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法である。
本発明者は、ガラス基板に成膜直後のタンタルを含有する薄膜が、時間の経過とともに、圧縮応力が増大する原因について鋭意研究を行った。まず、成膜後のマスクブランクの保管方法に原因がないかを確認するため、種々の保管ケースおよび保管方法で検証したが、いずれの場合も、マスクブランクの主表面の平坦度が悪化しており、明確な相関性は得られなかった。次に、主表面の平坦度が凸形状の方向に悪化したマスクブランクに対して、ホットプレートを用いて加熱処理を行ってみた。加熱処理の条件は、200℃で5分程度とした。この加熱処理を行うと、一時的には主表面の凸形状が多少良好な方向に変化した。しかし、加熱処理後、時間が経過するとマスクブランクの主表面の平坦度が再び悪化していき、根本的な解決には至らないことがわかった。
(実施例1)
[実施例1のマスクブランクの製造]
従来から使用されている製造方法(スート法)で製造された合成石英インゴットに対し、1000℃以上で2時間以上、加熱処理を行った。次に、加熱処理後の合成石英インゴットから、縦・横の寸法が、約152mm×152mmで、厚さが6.85mmの合成石英からなるガラス基板を切り出し、面取面を適宜形成した。
次に、上述のようにして得られた実施例1のマスクブランクを用いて、以下の手順で実施例1の転写用マスクを作製した。
作製した転写用マスクセットを用い、ArFエキシマレーザーを露光光とする露光装置を用い、ダブルパターニング技術を適用し、半導体デバイス上のレジスト膜に22nmノードの微細パターンを露光転写した。露光後の半導体デバイス上のレジスト膜に所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして、下層膜をドライエッチングし、回路パターンを形成した。半導体デバイスに形成した回路パターンを確認したところ、重ね合わせ精度不足に起因する回路パターンの配線短絡および断線はなかった。
[比較例1のマスクブランクの製造]
実施例1と同様の合成石英からなるガラス基板を用い、同様の手順で研磨および洗浄を行って、洗浄後のガラス基板を準備した。この洗浄後のガラス基板に、侵入抑制層(TaO層)6を成膜しなかったこと以外は実施例1と同様の成膜条件で、TaN層(下層)2およびTaO層(上層)3からなる遮光膜30を成膜した。成膜直後の段階で、遮光膜30を備えるマスクブランクに対して、基板主表面上の遮光膜30の表面における平坦度を平坦度測定装置UltraFLAT 200M(Corning TOROPEL社製)で測定した。また、同条件で製造したマスクブランクに対して、HFS/RBS分析を行った結果、TaN膜中の水素含有量は検出下限値以下であった。
上述の比較例1のマスクブランクと同条件で、ガラス基板1の主表面に接してTaN層2とTaO層3との積層構造の遮光膜30を形成し、比較例1のマスクブランクを得た。得られたマスクブランクを用いて、実施例1と同様の手順で比較例1の転写用マスクを作製した。作製した比較例1の転写用マスクに対し、マスクブランクに対して行ったのと同条件(炉内の気体を窒素に置換し、加熱温度300℃、1時間の加熱処理)で加速試験を行った。なお、加速試験の前後で、転写用マスクの面内所定部分におけるパターン幅およびスペース幅をそれぞれ測定した。加速試験の前後における、パターン幅およびスペース幅の変動幅は、いずれも大きく、少なくとも22nmノード用のダブルパターニング技術が適用される転写用マスクでは明らかに許容範囲外であった。このため、同様の手順で、ダブルパターニング技術を用いて22nmノードの微細なパターンを2つの比較的疎な転写パターンに分割したもののうちのもう一方の転写パターンを有する転写用マスクを作製して転写用マスクセットを作製したとしても、重ね合わせ精度が低く、ダブルパターニング用の転写用マスクセットとしては使用できないことは明らかである。
[比較例2のマスクブランクの製造]
実施例1と同様の合成石英からなるガラス基板を用い、同様の手順で研磨および洗浄を行って、洗浄後のガラス基板を準備した。次に、洗浄後のガラス基板をDCマグネトロンスパッタ装置に導入した。まず、スパッタ装置内に、Xeと、N2と、O2との混合ガスを導入し、タンタルターゲットを用いたスパッタリング法で、ガラス基板の表面に膜厚43nmのTaON層(下層)2を成膜した。次に、実施例1と同様に、スパッタ装置内のガスを、Arと、O2との混合ガスに入れ替え、同じくタンタルターゲットを用いたスパッタリング法で、膜厚6nmのTaO層(上層)3を成膜し、比較例2のマスクブランクを得た。
上述の比較例2のマスクブランクと同条件で、ガラス基板1の主表面に接してTaON層(下層)2およびTaO層(上層)3の積層構造の遮光膜30を形成し、比較例2のマスクブランクを得た。得られたマスクブランクを用いて、実施例1と同様の手順で比較例2の転写用マスクを作製した。作製した比較例2の転写用マスクに対し、マスクブランクに対して行ったのと同条件(炉内の気体を窒素に置換し、加熱温度300℃、1時間の加熱処理)で加速試験を行った。なお、加速試験の前後で、転写用マスクの面内所定部分におけるパターン幅およびスペース幅をそれぞれ測定した。加速試験の前後における、パターン幅およびスペース幅の変動幅は、いずれも大きく、少なくとも22nmノード用のダブルパターニング技術が適用される転写用マスクでは明らかに許容範囲外であった。このため、同様の手順で、ダブルパターニング技術を用いて22nmノードの微細なパターンを2つの比較的疎な転写パターンに分割したもののうちのもう一方の転写パターンを有する転写用マスクを作製して転写用マスクセットを作製したとしても、重ね合わせ精度が低く、ダブルパターニング用の転写用マスクセットとしては使用できないことは明らかである。
[実施例2のマスクブランクの製造]
実施例1と同様の合成石英からなるガラス基板を用い、同様の手順で研磨および洗浄を行って、洗浄後のガラス基板1を準備した。次に、洗浄後のガラス基板1を、Si(ケイ素)ターゲットを備えるDCマグネトロンスパッタ装置に導入し、スパッタ装置内にArと、NOとの混合ガスを導入し、Siターゲットを用いたスパッタリング法で、ガラス基板1の表面に接して膜厚30nmの侵入抑制層(SiON層)6を成膜した。次に、侵入抑制膜6を成膜したガラス基板1を、タンタルターゲットを備えるスパッタ装置内に導入し、実施例1と同様に、Xeと、N2との混合ガスを導入し、タンタルターゲットを用いたスパッタリング法で、侵入抑制層6の表面に膜厚43nmのTaN層(下層)2を成膜した。次に、スパッタ装置内のガスを、Arと、O2との混合ガスに入れ替え、同じくタンタルターゲットを用いたスパッタリング法で、膜厚6nmのTaO層(上層)3を成膜し、実施例2のマスクブランクを得た。
次に、上述のようにして得られた実施例2のマスクブランクを用いて、SiONからなる侵入抑制層6をパターニングしないことを除き、実施例1と同様の手順によって、実施例2の転写用マスク(バイナリマスク)を作製した。SiONは、ArFエキシマレーザーに対する透過率が高い材料であるため、作製後の転写用マスクにおいて、透光部に侵入抑制層6が残存していても、パターン転写特性に与える影響は小さい。作製した実施例2の転写用マスクを、転写用マスクを保管するための枚葉保管ケース(粘着テープを使用せずに密閉保管が可能)に収納し、180日間の長期保管を行った。なお、長期保管の前後で、転写用マスクの面内所定部分におけるパターン幅およびスペース幅をそれぞれ測定した。長期保管の前後における、パターン幅およびスペース幅の変動幅は、いずれも許容範囲内であった。同様の手順で、この実施例2のマスクブランクを用い、ダブルパターニング技術を用いて22nmノードの微細なパターンを2つの比較的疎な転写パターンに分割したもののうちのもう一方の転写パターンを有する転写用マスクを作製した。以上の手順により、2枚の転写用マスクを用いてダブルパターニング技術で露光転写することで22nmノードの微細なパターンを転写対象物に転写可能な転写用マスクセットを得た。
作製した転写用マスクセットを用い、ArFエキシマレーザーを露光光とする露光装置を用い、ダブルパターニング技術を適用し、半導体デバイス上のレジスト膜に22nmノードの微細パターンを露光転写した。露光後の半導体デバイス上のレジスト膜に所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして、下層膜をドライエッチングし、回路パターンを形成した。半導体デバイスに形成した回路パターンを確認したところ、重ね合わせ精度不足に起因する回路パターンの配線短絡および断線はなかった。
2 下層(TaN層)
2a 下層パターン
3 上層(TaO層)
3a 上層パターン
5 レジスト膜
6 侵入抑制層
30 遮光膜
30a 遮光部(遮光膜パターン)
30b 透光部
71 主表面
72 側面
73 面取面
Claims (11)
- ガラス基板の主表面に薄膜が形成されてなるマスクブランクにおいて、
前記薄膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、
前記ガラス基板の主表面と前記薄膜との間に、前記ガラス基板から薄膜へ水素が侵入することを抑制する侵入抑制膜を備えることを特徴とするマスクブランク。 - 前記侵入抑制膜が、タンタルおよび酸素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。
- 前記侵入抑制膜が、酸素を50原子%以上含有することを特徴とする請求項2に記載のマスクブランク。
- 前記侵入抑制膜が、ガラス基板の薄膜が形成される側の主表面に接して形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記ガラス基板の薄膜が形成される側の主表面の表面粗さが、Rqで0.2nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記薄膜が、タンタルおよび窒素を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 酸素を60原子%以上含有する高酸化層が、前記薄膜の表層に形成されていることを特徴とする請求項6に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜が、ガラス基板側から下層と上層とが積層する構造を有し、前記下層が、タンタルおよび窒素を含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記上層が、タンタルおよび酸素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 酸素を60原子%以上含有する高酸化層が、前記上層の表層に形成されていることを特徴とする請求項8に記載のマスクブランク。
- 請求項1から9のいずれかに記載のマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されることを特徴とする転写用マスク。
- 請求項10に記載の転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021209865A1 (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | Rasirc, Inc. | Suppression of hydrogen degradation |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6066802B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-01-25 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
KR101823276B1 (ko) | 2013-09-24 | 2018-01-29 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
JP6545795B2 (ja) * | 2015-05-15 | 2019-07-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
DE102018115594A1 (de) * | 2018-06-28 | 2020-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement mit druckverspannter schicht und verfahren zur herstellung des halbleiterbauelements mit druckverspannter schicht |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161856A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask |
JPS6280655A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
JPS62234163A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Arubatsuku Seimaku Kk | フオトマスクおよびその製造方法 |
JPS63285932A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-22 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 安定なチッ化ホウ素を用いたx線リソグラフィーによるデバイス製造方法,そのマスク構造及びデバイス製造システム |
JPH0334310A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Shimadzu Corp | X線用マスクブランクの製造方法 |
JP2004026586A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Tosoh Corp | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2005284213A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
JP2009230112A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法 |
JP2010003775A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
JP2010192503A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
JP2010211064A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
JP2010225928A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Panasonic Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2011035104A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2013225662A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-10-31 | Hoya Corp | Euvリソグラフィー用多層反射膜付き基板及びeuvリソグラフィー用反射型マスクブランク、並びにeuvリソグラフィー用反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI348590B (en) * | 2004-03-31 | 2011-09-11 | Shinetsu Chemical Co | Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method |
JP4407815B2 (ja) | 2004-09-10 | 2010-02-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP4958200B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2012-06-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスク |
WO2011068033A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2012
- 2012-07-26 JP JP2012165471A patent/JP5997530B2/ja active Active
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- 2012-09-06 US US13/605,125 patent/US8846274B2/en active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161856A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Photomask |
JPS6280655A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
JPS62234163A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Arubatsuku Seimaku Kk | フオトマスクおよびその製造方法 |
JPS63285932A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-22 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 安定なチッ化ホウ素を用いたx線リソグラフィーによるデバイス製造方法,そのマスク構造及びデバイス製造システム |
JPH0334310A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Shimadzu Corp | X線用マスクブランクの製造方法 |
JP2004026586A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Tosoh Corp | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2005284213A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
JP2009230112A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-10-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法 |
JP2010003775A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
JP2010192503A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法 |
JP2010211064A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
JP2010225928A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Panasonic Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2011035104A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2013225662A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-10-31 | Hoya Corp | Euvリソグラフィー用多層反射膜付き基板及びeuvリソグラフィー用反射型マスクブランク、並びにeuvリソグラフィー用反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021209865A1 (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | Rasirc, Inc. | Suppression of hydrogen degradation |
US11359292B2 (en) | 2020-04-14 | 2022-06-14 | Rasirc, Inc. | Suppression of hydrogen degradation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101925644B1 (ko) | 2018-12-05 |
KR20130027440A (ko) | 2013-03-15 |
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