CN113005410A - 掩模基版的制造方法及制造设备 - Google Patents

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CN113005410A CN202110174815.1A CN202110174815A CN113005410A CN 113005410 A CN113005410 A CN 113005410A CN 202110174815 A CN202110174815 A CN 202110174815A CN 113005410 A CN113005410 A CN 113005410A
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Abstract

本发明提供一种掩模基版的制造方法及制造设备，制造方法包括：提供透光石英基板；在透光石英基板上沉积包括氮化铬(CrN)的遮光膜；在遮光膜上沉积包括氮氧化铬(CrON)的防反射膜；遮光膜及防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现遮光膜与防反射膜的沉积。本发明通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，氦气与氩气共同管轰击靶材，可以精细地控制铬的沉积量，从而大大提高遮光膜及防反射膜的厚度均匀度。另一方面，降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒数。

Description

掩模基版的制造方法及制造设备
技术领域
本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种掩模基版的制造方法及制造设备。
背景技术
半导体和平板显示器制造过程中为形成精细的线路图案，通常使用光掩模版和光刻技术形成母模。该光掩模版是在掩模基版上形成精细的线路图案。该掩模基版是在石英基板上形成多层铬薄膜以及在多层铬膜上涂有光刻胶后形成掩模基版的制造。
通常铬多层薄膜由遮光薄膜和减少反射薄膜，或者具有相同效果的两种以上的薄膜或连续的多层薄膜构成，该多层薄膜是利用物理气相沉积(PVD)方法。它是通过溅射沉积法沉积的，并且常规的溅射方法是在真空腔体内使用铬(Cr)靶作为靶材，并使用惰性气体氩(Ar)作为放电气体，采用氮气(N2)、氧气(O2)作为反应气体。
在常规方法中，通过用氩气对铬靶施加轰击将铬材料沉积在基板上，该氩气是对铬靶具有足够能量的惰性气体。该方法称为溅射，是通过在典型的铬靶材和要在其上沉积该材料的基板之间的空间中形成气体等离子体来实现的。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种掩模基版的制造方法及制造设备，用于解决现有技术中薄膜沉积厚度均匀度较低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种掩模基版的制造方法，所述制造方法包括：提供透光石英基板；在所述透光石英基板上沉积包括氮化铬的遮光膜；在所述遮光膜上沉积包括氮氧化铬的防反射膜；所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述遮光膜与防反射膜的沉积。
可选地，在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。
可选地，所述透光石英基板相对于光刻曝光光线具有80％以上的透射率。
可选地，所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于5％至95％之间，所述氦气的体积比介于5％至95％之间。
可选地，所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于50％至80％之间，所述氦气的体积比介于20％至50％之间。
可选地，所述溅射沉积工艺中的压力介于0.5mTorr至10mTorr之间。
可选地，所述溅射沉积工艺使用至少包含氮N2(CH4可选择性使用)的反应性气体进行所述包括氮化铬的遮光膜的沉积。
可选地，所述溅射沉积工艺使用至少包含氮及氧的反应性气体(N2,O2,NO,N2O,CH4,CO2可选择性使用)进行所述包括氮氧化铬的防反射膜的沉积。
可选地，所述靶材包括铬靶材，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对所述铬靶材进行轰击，以提高所述遮光膜及防反射膜的厚度均匀度。
可选地，通过所述溅射沉积工艺沉积的所述遮光膜及防反射膜的反射率均匀度小于3％。
可选地，所述透光石英基板上膜层通过连续沉积膜层结构工艺沉积，包括具有1-3层或更多层的膜结构。
本发明还提供一种掩模基版的制造设备，用于实现如上任意一项所述的掩模基版的制造方法，所述制造设备包括：装载室、用于执行溅射过程的工艺室以及位于装载室与工艺室之间、相邻两工艺室之间、及位于工艺室之后的缓冲室，所述装载室、缓冲室及工艺室在空间上相互连接；所述装载室包括真空泵和位于所述装载室与缓冲室之间的闸阀；所述工艺室包括阴极单元，靶材和第一气体给入单元，所述第一气体给入单元包括第一惰性气体给入部和第一反应性气体给入部，所述第一惰性气体给入部提供氩气和氦气；所述缓冲室包括真空泵和第二气体给入单元，所述第二气体给入单元包括第二惰性气体给入部和第二反应性气体给入部，所述第二惰性气体给入部提供氩气。
可选地，所述制造设备包括在空间上依次连接的第一缓冲室、第一工艺室、第二缓冲室、第二工艺室及第三缓冲室，所述第一工艺室用于沉积包括氮化铬的遮光膜，所述第二工艺室用于沉积包括氮氧化铬的防反射膜。
如上所述，本发明的掩模基版的制造方法及制造设备，具有以下有益效果：
本发明提供了一种使用小分子量的氦气作为放电气体的沉积方法，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，小分子量的氦气的加入相当于降低了等离子体密度，氦气与氩气共同管轰击靶材，可以精细地控制铬的沉积量，从而大大提高遮光膜及防反射膜的厚度均匀度。另一方面，氦气与氩气共同管轰击靶材，小分子量的氦气的加入相当于降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒数，进一步保证遮光膜及防反射膜的厚度均匀度。
附图说明
图1～图4显示为本发明实施例的掩模基版的制造方法各步骤所呈现的结构示意图。
图5显示为本发明实施例的掩模基版的制造设备的结构示意图。
图6显示为4片石英基板放在同一个卡板的同一沉积工艺中形成的掩模基版的测量点示意图。
图7～图8显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的反射均匀性的测量图表。
图9～图10显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的反射均匀性的测量图表。
图11显示为8个卡板上32片石英基板在同一沉积工艺中形成的掩模基版的测量点示意图。
图12～图13显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的颗粒的测量图表。
图14～图15显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的颗粒的测量图表。
元件标号说明
101 透光石英基板
102 遮光膜
103 防反射膜
104 光刻胶膜/层
20 装载室
201 真空泵
202 闸阀
21 第一缓冲室
211 真空泵
212 第二惰性气体给入部
213 第二反应性气体给入部
22 第一工艺室
221 阴极单元
222 第一惰性气体给入部
223 第一反应性气体给入部
224 靶材
23 第二缓冲室
231 真空泵
232 第二惰性气体给入部
233 第二反应性气体给入部
24 第二工艺室
241 阴极单元
242 第一惰性气体给入部
243 第一反应性气体给入部
244 靶材
25 第三缓冲室
251 真空泵
252 第二惰性气体给入部
253 第二反应性气体给入部
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
在一种溅射沉积工艺中，使用具有高分子量的惰性气体例如氩气(Ar)作为放电气体。由于具有高分子量的气体趋于增加等离子体密度，因此难以精细地控制铬(Cr)的沉积量。另外，由于氩气的轰击会将铬靶加热至高温，会引起微小的电弧，使不同大小的颗粒沉积在铬多层薄膜上，从而导致掩模基版和光掩模版的缺陷使质量下降。
然而，由于真空腔体内给入少量的氩气以及用作反应气体的N2，O2，CO2,CH4，NO和N2O等非常小的流量，所以根据真空排气结构，氩气和反应气体的分布是不均匀的。因此，存在从其沉积的多层铬薄膜的厚度和组成不均匀的问题。
若为了解决上述不均匀性问题，增加氩气和反应性气体的给入量时，等离子体所致的铬靶的温度进一步升高，从而异常放电变得更加频繁。
若为了使异常放电最小化，限制了氩气和反应气体的流量，又会在形成均匀的薄膜和控制颗粒方面存在问题。
基于以上所述，如图1～图4所示，本实施例提供一种掩模基版的制造方法，所述制造方法包括：
如图1所示，首先进行步骤1)，提供透光石英基板101。在本实施例中，所述透光石英基板101相对于光刻曝光光线具有80％以上的透射率，例如，所述透光石英基板101相对于光刻曝光光线具有90％的透射率。
如图2所示，然后进行步骤2)，在所述透光石英基板101上沉积包括氮化铬(CrN)的遮光膜102。
如图3所示，接着进行步骤3)，在所述遮光膜102上沉积包括氮氧化铬(CrON)的防反射膜103；
在上述步骤2)及步骤3)中，所述遮光膜102及所述防反射膜103通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述遮光膜102与防反射膜103的沉积。
所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于5％至95％之间，所述氦气的体积比介于5％至95％之间。为了进一步改进薄膜沉积的厚度均匀性，在本实施例中，所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于50％至80％之间，所述氦气的体积比介于20％至50％之间。例如，在一个具体实施过程中，所述氩气的体积比为55％，所述氦气的体积比为45％；在另一具体实施过程中，所述氩气的体积比为65％，所述氦气的体积比为35％。在本实施例中所述靶材包括铬靶材，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对所述铬靶材进行轰击，以提高所述遮光膜102及防反射膜103的厚度均匀度。进一步地，在上述步骤2)中，所述溅射沉积工艺使用至少包含氮的反应性气体，例如N2，也可以选择性使用部分CH4，进行所述包括氮化铬的遮光膜102的沉积。在上述步骤3)中，所述溅射沉积工艺使用至少包含氮及氧的反应性气体，例如，可选择性使用氮气(N2),氧气(O2),一氧化氮(NO),一氧化二氮(N2O),甲烷(CH4),二氧化碳(CO2)进行所述包括氮氧化铬的防反射膜103的沉积。
为了进一步提高沉积薄膜的品质，在本实施例中，所述溅射沉积工艺中的压力介于0.5mTorr至10mTorr之间。
进一步地，上述透光石英基板101上膜层通过连续沉积膜层结构工艺沉积，其可以包括具有1-3层或更多层的膜结构。
通过上述将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对所述铬靶材进行轰击的溅射沉积工艺，本实施例可以使得沉积的所述遮光膜102及防反射膜103的反射率均匀度小于3％。
如图4所示，在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括步骤4)，在防反射膜103上涂覆光刻胶膜/层104。
如上所述，本发明提供了一种使用小分子量的氦气作为放电气体的沉积方法，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，小分子量的氦气的加入相当于降低了等离子体密度，氦气与氩气共同管轰击靶材，可以精细地控制铬的沉积量，从而大大提高遮光膜102及防反射膜103的厚度均匀度。另一方面，氦气与氩气共同管轰击靶材，小分子量的氦气的加入相当于降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒均匀度，进一步保证遮光膜102及防反射膜103的厚度均匀度。
本实施例还提供一种掩模基版的制造设备，用于实现如上所述的掩模基版的制造方法，所述制造设备包括：装载室20、用于执行溅射过程的工艺室以及位于装载室20与工艺室之间、相邻两工艺室之间、及位于工艺室之后的缓冲室，所述装载室20、缓冲室及工艺室在空间上相互连接；所述装载室20包括真空泵和位于所述装载室20与缓冲室之间的闸阀；所述工艺室包括阴极单元，靶材和第一气体给入单元，所述第一气体给入单元包括第一惰性气体给入部和第一反应性气体给入部，所述第一惰性气体给入部提供氩气和氦气；所述缓冲室包括真空泵和第二气体给入单元，所述第二气体给入单元包括第二惰性气体给入部和第二反应性气体给入部，所述第二惰性气体给入部提供氩气。
图5显示为本发明的掩模基版的制造设备的截面图。以下参照图1～图4的掩模基版的制造方法进行描述。
如图5所示，所述制造设备包括在空间上依次连接的第一缓冲室21、第一工艺室22、第二缓冲室23、第二工艺室24及第三缓冲室25，所述第一工艺室22用于沉积包括氮化铬的遮光膜102，所述第二工艺室24用于沉积包括氮氧化铬的防反射膜103。
装载室20用于装载起始的透光石英基板101，其包括闸阀和用于抽真空的真空泵。本实施例的装载室20的真空泵由用于低真空排气的干式泵和用于高真空排气的冷凝泵构成。
第一工艺室22及第二工艺室24分别至少包括阴极单元221、241，靶材224、244和第一气体给入单元。所述第一气体给入单元包括第一惰性气体给入部222、242和第一反应性气体给入部223、243，所述第一惰性气体给入部提供氩气(Ar)和氦气(He)，第一反应气体给入部提供可选择性使用的氮气(N2),氧气(O2),一氧化氮(NO),一氧化二氮(N2O),甲烷(CH4),二氧化碳(CO2)，在本实施例中，所述第一反应气体给入部提供具体提供氮气(N2)及氧气(O2)甲烷(CH4)及二氧化碳(CO2)。第一惰性气体给入部和第一反应性气体给入部连接并配置有相应的MFC(质量流量控制器)。靶材为纯度为99.99％以上的铬靶，其设置于阴极单元上。
第一缓冲室21、第二缓冲室23及第三缓冲室25分别至少包括真空泵211、231、251和第二气体给入单元。在本实施方式中，缓冲室的真空泵与工艺室设置为共用，该真空泵包括用于低真空排气的干式泵和用于高真空排气的涡轮分子泵。第二气体给入单元包括第二惰性气体给入部212、232、252和第二反应性气体给入部213、233、253，所述第二惰性气体给入部提供氩气，第二反应性气体给入部提供如氮气(N2)、氧气(O2)、甲烷(CH4)、二氧化碳(CO2)等气体，第二惰性气体给入部和第二反应性气体给入部均连接并配置有相应的MFC(质量流量控制器)。
首先，对第一缓冲室21、第一工艺室22、第二缓冲室23、第二工艺室24及第三缓冲室25充分排气在0.01Pa-0.05Pa之间以保持足够的高真空度，并且将装载室20设置为大气压。
然后，在透光石英基板101上沉积遮光薄膜。
如图1和图2所示，准备透光石英基板101。在该实施例中，选用合成石英用作透光石英基板101，当然，实际上可以使用任何用于掩模基版的透光石英基板101，例如精密抛光的苏打玻璃。
然后，在将透光石英基板101放入装载室20之后，操作真空泵201以将排出压力在0.01Pa～0.05Pa之间。然后，在充分地将装载排空之后，打开闸阀，并且将透光石英基板101移动到第一缓冲室21。此时，氩气(Ar)的气体为50～80SCCM，氮气(N2)的气体为5～20SCCM，分别流过第一缓冲室21的第二气体给入单元212、213。然后，氩气(Ar)20～80SCCM(每分钟标准立方厘米)和氦气(He)20～80SCCM流经第一工艺室22的第一惰性气体给入部222，接着，氮气(N2)5～20SCCM流经第一反应性气体给入部223，接续向靶材224施加电压以形成等离子体。
此时，适当地调节安装在涡轮分子泵的入口处的节流阀，使得第一工艺室22的处理压力为0.1～0.5Pa。然后，将透光石英基板101移动到第一工艺室22，透光石英基板101通过溅射工艺在第一工艺室22中形成包括氮化铬(CrN)的遮光膜102。氮化铬(CrN)的遮光膜102沉积完成后，将透光石英基板101移动到第二缓冲室23，氮化铬(CrN)的遮光膜102在所述第二缓冲室23中实现更加致密化。此时，流入第二缓冲室23的第二气体给入单元232、233的氩气(Ar)的流量设置为5～50SCCM，氮气(N2)的流量为50～80SCCM。
然后，沉积防反射膜103。此时，流过第二工艺室24的第一惰性气体给入部242的氩气(Ar)流量设置为5～50SCCM和氦气(He)流量设置为5～50SCCM，第一反应性气体给入部243的氮气(N2)流量设置为50～80SCCM，氧气(O2)的流量设置为1～5SCCM。之后，向靶材244施加电压以形成等离子体。此时，适当地调节安装在涡轮分子泵的入口处的节流阀，以使第二工艺室24的处理压力在0.1～0.5Pa，并且第三缓冲室25的第二气体给入单元252、253的氩气(Ar)流量设置为5～50SCCM和氮气(N2)流量设置为50～80SCCM，以及氧气(O2)的流量设置为1～5SCCM。然后，将其上沉积有遮光膜102的透光石英基板101移动到第二工艺室24，其上沉积有遮光膜102的透光石英基板101在第二工艺室24沉积包括氮氧化铬的防反射膜103。沉积防反射膜103之后，通过移动到第三缓冲室25来完成沉积工艺，所述防反射膜103在第三缓冲室25中实现更加致密化，然后，可以依据实际需求涂上光刻胶膜/层104，以完成本发明的掩模基版的制造。
根据本实施方法，如图6～图15所示，本实施例对仅用惰性气体氩气(Ar)的方法对CrN/CrON膜的反射均匀性和颗粒进行了测量，同时再用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法对CrN/CrON膜的反射均匀性及颗粒进行了测量，最后进行了比较与分析。
图6显示4片石英基板放在同一个卡板的同一沉积工艺中形成的掩模基版的测量点示意图。依据图6的测量点，图7～图8显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的反射均匀性的测量图表，图9～图10显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的反射均匀性的测量图表，由图8及图10对比可知，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的反射均匀性均小于3％，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的反射均匀性(4.57％)有明显的改善。
图11显示为8个卡板上32片石英基板在同一沉积工艺中形成的掩模基版的测量点示意图。依据图11的测量点，图12～图13显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的颗粒的测量图表，图14～图15显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的颗粒的测量图表，由图8及图10对比可知，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的颗粒(大于0.2μm的颗粒)平均数量为9.13，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的的颗粒(大于0.2μm的颗粒)平均数量为19.8有明显的改善，并且，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积CrN/CrON膜的较大颗粒(大于1μm的颗粒)平均数量为1.59，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积CrN/CrON膜的的较大颗粒(大于1μm的颗粒)平均数量为4.25有明显的减少，可见，本发明可以有效降低来自靶材的颗粒尺寸，可大大提高颗粒均匀度。
如上所述，本发明的掩模基版的制造方法及制造设备，具有以下有益效果：
本发明提供了一种使用小分子量的氦气作为放电气体的沉积方法，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，小分子量的氦气的加入相当于降低了等离子体密度，氦气与氩气共同管轰击靶材，可以精细地控制铬的沉积量，从而大大提高遮光膜102及防反射膜103的厚度均匀度。另一方面，氦气与氩气共同管轰击靶材，小分子量的氦气的加入相当于降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒均匀度，进一步保证遮光膜102及防反射膜103的厚度均匀度。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (13)

1.一种掩模基版的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供透光石英基板；
在所述透光石英基板上沉积包括氮化铬的遮光膜；
在所述遮光膜上沉积包括氮氧化铬的防反射膜；
所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述遮光膜与防反射膜的沉积。
2.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。
3.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述透光石英基板相对于光刻曝光光线具有80％以上的透射率。
4.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于5％至95％之间，所述氦气的体积比介于5％至95％之间。
5.根据权利要求4所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于50％至80％之间，所述氦气的体积比介于20％至50％之间。
6.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述溅射沉积工艺中的压力介于0.5mTorr至10mTorr之间。
7.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述溅射沉积工艺使用至少包含氮的反应性气体进行所述包括氮化铬的遮光膜的沉积。
8.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述溅射沉积工艺使用至少包含氮及氧的反应性气体进行所述包括氮氧化铬的防反射膜的沉积。
9.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：所述靶材包括铬靶材，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对所述铬靶材进行轰击，以提高所述遮光膜及防反射膜的厚度均匀度。
10.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于：通过所述溅射沉积工艺沉积的所述遮光膜及防反射膜的反射率均匀度小于3％。
11.根据权利要求1所述的掩模基版的制造方法，其特征在于，所述透光石英基板上膜层通过连续沉积膜层结构工艺沉积，包括具有1-3层或更多层的膜结构。
12.一种掩模基版的制造设备，用于实现如权利要求1～11任意一项所述的掩模基版的制造方法，其特征在于，所述制造设备包括：
装载室、用于执行溅射过程的工艺室以及位于装载室与工艺室之间、相邻两工艺室之间、及位于工艺室之后的缓冲室，所述装载室、缓冲室及工艺室在空间上相互连接；
所述装载室包括真空泵和位于所述装载室与缓冲室之间的闸阀；
所述工艺室包括阴极单元，靶材和第一气体给入单元，所述第一气体给入单元包括第一惰性气体给入部和第一反应性气体给入部，所述第一惰性气体给入部提供氩气和氦气；
所述缓冲室包括真空泵和第二气体给入单元，所述第二气体给入单元包括第二惰性气体给入部和第二反应性气体给入部，所述第二惰性气体给入部提供氩气。
13.根据权利要求12所述的掩模基版的制造设备，其特征在于：所述制造设备包括在空间上依次连接的第一缓冲室、第一工艺室、第二缓冲室、第二工艺室及第三缓冲室，所述第一工艺室用于沉积包括氮化铬的遮光膜，所述第二工艺室用于沉积包括氮氧化铬的防反射膜。
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