JP7217620B2 - マスクブランクスおよびマスク - Google Patents
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Description
本発明はマスクブランクスおよびマスクに関し、特に大面積のマスクブランクスおよびマスクに用いて好適な技術に関する。
液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のＦＰＤ（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ，フラットパネルディスプレイ）用の基板は複数のマスクを用いることで製造されている。
ＦＰＤの製造等に用いられる大板用のフォトマスクは、特許文献１，２に記載されるように、ガラス基板上にクロム等の金属を含む遮光層などを成膜したマスクブランクスにパターニングプロセスを施すことで、所望のパターンが形成されたバイナリマスクとして形成される。
ＦＰＤの製造等に用いられる大板用のフォトマスクにおいては、ウェットエッチング加工によってパターン形成がおこなわれる。
ＦＰＤの製造等に用いられる大板用のフォトマスクにおいては、ウェットエッチング加工によってパターン形成がおこなわれる。
近年、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイのいずれにおいてもパネルの高精細化が大きく進行しており、それに伴いフォトマスクの微細化も進展している。フォトマスクの微細化には微細パターンを形成する必要がある。微細パターンを作成するには、パターンの際のコントラストを上げるため、より高い光学濃度のマスクを用いる必要がある。
また、露光の際にマスクを通した透過光に対して反射光が大きいと露光転写されるパターンの精度が低下するという問題が発生してしまう。
なお、表面に反射防止層と遮光層とが形成された構造のマスクにおいて、表面の反射率は、反射防止層と遮光層との屈折率差、および、これらの膜厚によって規定される。
なお、表面に反射防止層と遮光層とが形成された構造のマスクにおいて、表面の反射率は、反射防止層と遮光層との屈折率差、および、これらの膜厚によって規定される。
上記の問題に対する対策として、近年、光学濃度が従来のＯＤ５で、反射率が５％以下の光学仕様を満たすマスクが高精細のフラットパネルディスプレイ用のマスクとして求められている。つまり、高精細のフラットパネルディスプレイ用のマスクとしては、光学濃度が大きく、反射率の低いマスクが求められている。
しかし、マスクとして上記のような光学仕様を満たすマスクブランクスを用いてマスクを作成すると、パターンの断面形状が悪化することで様々な問題が発生することがわかった。
具体的には、微細パターンの形状悪化の問題である。
フラットディスプレイ用のマスクとしては、耐薬特性に優れて、ウェットエッチング加工の容易なクロムニウムが通常使われる。
クロムニウムを用いて反射防止層を形成するためには、反射率を低減するために、クロムニウムからなる反射防止層中の酸素濃度を高めて、遮光層よりも屈折率を低下させる必要がある。通常クロムニウムをウェットエッチングする際には、硝酸セリウム第２アンモニウムを含むウェットエッチング液を用いられる。
クロムニウムを用いて反射防止層を形成するためには、反射率を低減するために、クロムニウムからなる反射防止層中の酸素濃度を高めて、遮光層よりも屈折率を低下させる必要がある。通常クロムニウムをウェットエッチングする際には、硝酸セリウム第２アンモニウムを含むウェットエッチング液を用いられる。
しかしながら、クロムニウム膜中の酸素濃度を高くすると、エッチングレートが低下する。この結果、遮光層と反射防止層とのあいだで、エッチングレートが大きく異なってしまう。また光学濃度を高くするためには遮光層の膜厚も厚くなる。
このため、上記のような光学仕様を満たすマスクでは、膜厚方向で中央部のみ大きくエッチングされた断面形状になってしまうことが判明した。
つまり、従来の技術では、上記のような光学仕様を満たして、断面形状の良好なマスクを製造することができないという問題があった。
つまり、従来の技術では、上記のような光学仕様を満たして、断面形状の良好なマスクを製造することができないという問題があった。
さらに、マスクにおける反射光については、マスクパターン側とマスク基板側の両側ともに反射光を低減することが望ましく、そのためマスクの表裏面となる両側に反射防止層を設けることがある。この場合、上記したように、より一層、パターン形状が悪化してしまうという問題があった。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、以下の目的を達成しようとするものである。
１．より高い光学濃度のマスクを実現すること。
２．より反射率の低いマスクを実現すること。
３．微細パターンの形状悪化を防止すること。
４．上記の目的を同時に実現すること。
１．より高い光学濃度のマスクを実現すること。
２．より反射率の低いマスクを実現すること。
３．微細パターンの形状悪化を防止すること。
４．上記の目的を同時に実現すること。
本発明のマスクブランクスは、
透明基板と、
前記透明基板の上に形成された反射防止層と、
前記反射防止層の上に形成されクロムを主成分とする遮光層と、
前記遮光層に接して形成されクロムを主成分とする反射防止層と、
前記遮光層よりもエッチングレートが低減されて前記反射防止層と厚さ方向に接しない位置で前記遮光層を厚さ方向に分割するエッチングレート低減層と、
を有し、
露光光の波長λが３６５ｎｍ～４３６ｎｍの範囲で使用され、
ＯＤ値が５よりも高く、反射率が５％よりも低く設定され、
前記エッチングレート低減層が、前記遮光層の厚さ方向に一層または二層設けられて前記遮光層よりも高い酸素濃度とされるとともに前記遮光層よりも高い炭素濃度とされ、
前記反射防止層と接している前記遮光層において、前記エッチングレート低減層までの膜厚が、前記波長λが４０５ｎｍの場合に、前記波長λに対してλ＊２０／４０５ｎｍ以上に設定され、
前記エッチングレート低減層によって厚さ方向に分割された前記遮光層の分割数に応じて、前記遮光層の側面から奥に向けた前記透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を削減する、
ことにより上記課題を解決した。
本発明のマスクブランクスは、
前記遮光層の酸素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の酸素濃度に比べて高くなるように設定されるとともに、
前記遮光層の炭素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の炭素濃度に比べて高くなるように設定され、
前記遮光層の側面から奥に向けた前記透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、前記エッチングレート低減層によって分割されて前記透明基板との距離である厚さ方向の位置が異なる前記遮光層でそれぞれ均等化する、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記エッチングレート低減層の組成が、酸素濃度が２０％以上、炭素濃度は３０％以上である、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記遮光層が、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いて形成され、
厚さ方向に分割された前記遮光層の合計膜厚は１００ｎｍ以上である、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記反射防止層の膜厚が、前記波長λが４０５ｎｍの場合に、前記波長λに対してλ＊２５／４０５～λ＊３０／４０５、または、λ＊９５／４０５～λ＊１００／４０５の範囲に設定される
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記透明基板との距離が異なる複数層の前記エッチングレート低減層では、
前記透明基板との距離に応じた前記エッチングレート低減層の膜厚が、前記反射防止層から前記透明基板に向けて増加される、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記反射防止層の酸素濃度は５０％以上である、
ことができる。
本発明のマスクは、上記のいずれかに記載されたマスクブランクスを用いて製造されたことができる。
透明基板と、
前記透明基板の上に形成された反射防止層と、
前記反射防止層の上に形成されクロムを主成分とする遮光層と、
前記遮光層に接して形成されクロムを主成分とする反射防止層と、
前記遮光層よりもエッチングレートが低減されて前記反射防止層と厚さ方向に接しない位置で前記遮光層を厚さ方向に分割するエッチングレート低減層と、
を有し、
露光光の波長λが３６５ｎｍ～４３６ｎｍの範囲で使用され、
ＯＤ値が５よりも高く、反射率が５％よりも低く設定され、
前記エッチングレート低減層が、前記遮光層の厚さ方向に一層または二層設けられて前記遮光層よりも高い酸素濃度とされるとともに前記遮光層よりも高い炭素濃度とされ、
前記反射防止層と接している前記遮光層において、前記エッチングレート低減層までの膜厚が、前記波長λが４０５ｎｍの場合に、前記波長λに対してλ＊２０／４０５ｎｍ以上に設定され、
前記エッチングレート低減層によって厚さ方向に分割された前記遮光層の分割数に応じて、前記遮光層の側面から奥に向けた前記透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を削減する、
ことにより上記課題を解決した。
本発明のマスクブランクスは、
前記遮光層の酸素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の酸素濃度に比べて高くなるように設定されるとともに、
前記遮光層の炭素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の炭素濃度に比べて高くなるように設定され、
前記遮光層の側面から奥に向けた前記透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、前記エッチングレート低減層によって分割されて前記透明基板との距離である厚さ方向の位置が異なる前記遮光層でそれぞれ均等化する、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記エッチングレート低減層の組成が、酸素濃度が２０％以上、炭素濃度は３０％以上である、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記遮光層が、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いて形成され、
厚さ方向に分割された前記遮光層の合計膜厚は１００ｎｍ以上である、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記反射防止層の膜厚が、前記波長λが４０５ｎｍの場合に、前記波長λに対してλ＊２５／４０５～λ＊３０／４０５、または、λ＊９５／４０５～λ＊１００／４０５の範囲に設定される
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記透明基板との距離が異なる複数層の前記エッチングレート低減層では、
前記透明基板との距離に応じた前記エッチングレート低減層の膜厚が、前記反射防止層から前記透明基板に向けて増加される、
ことができる。
本発明のマスクブランクスは、
前記反射防止層の酸素濃度は５０％以上である、
ことができる。
本発明のマスクは、上記のいずれかに記載されたマスクブランクスを用いて製造されたことができる。
本発明のマスクブランクスは、透明基板と、
該透明基板に形成されクロムを主成分とする遮光層と、
前記遮光層に接して形成されクロムを主成分とする反射防止層と、
を有し、
前記遮光層が、前記反射防止層と厚さ方向に接しない位置に、エッチングレートを前記遮光層よりも低減したエッチングレート低減層を有する。
言い換えると、厚さ方向で遮光層の途中位置に設けられたエッチングレート低減層によって、遮光層そのものが厚さ方向に分断されている。
該透明基板に形成されクロムを主成分とする遮光層と、
前記遮光層に接して形成されクロムを主成分とする反射防止層と、
を有し、
前記遮光層が、前記反射防止層と厚さ方向に接しない位置に、エッチングレートを前記遮光層よりも低減したエッチングレート低減層を有する。
言い換えると、厚さ方向で遮光層の途中位置に設けられたエッチングレート低減層によって、遮光層そのものが厚さ方向に分断されている。
これにより、マスクとしての所望の光学仕様を満たすことが可能なマスクブランクスを実現することができる。この光学仕様は、反射防止層と遮光層との界面付近の構造、および、反射防止層と遮光層との膜厚、組成を設定することで、初期に設定された所望の状態を維持することが重要である。
また、マスクとしての所望の光学仕様とは、マスク使用時となる露光工程において必要な所定波長λを有する露光光に対して、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持することを意味する。
また、マスクとしての所望の光学仕様とは、マスク使用時となる露光工程において必要な所定波長λを有する露光光に対して、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持することを意味する。
また、この光学仕様を満たした状態で、従来はできなかった、パターン形成における形状悪化を防止することが可能となる。
このパターン形成における形状悪化とは、エッチング後に、遮光層の側面に凹部が形成されてしまい、パターンの線幅等が所定の瀬運法を維持しないようなことを意味する。
このパターン形成における形状悪化とは、エッチング後に、遮光層の側面に凹部が形成されてしまい、パターンの線幅等が所定の瀬運法を維持しないようなことを意味する。
ここで、パターン形成における形状悪化は、反射防止層と遮光層とでパターン形成におけるウェットエッチングのエッチングレートが異なることに起因する。
しかし、上記の光学仕様を満たすために、反射防止層と遮光層とのエッチングレートの差を解消することは、従来の技術で、できなかったものである。
しかし、上記の光学仕様を満たすために、反射防止層と遮光層とのエッチングレートの差を解消することは、従来の技術で、できなかったものである。
つまり、本発明においては、エッチング後のパターン形状が悪化してしまうことを防止して、露光光に対して、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持することができる。
また、ＦＰＤ分野では、マスク使用時となる露光工程において、露光光の波長λとしてｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０３ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）からなる複合波長を用いた露光にてパターン形成が行われている。
さらに、本発明においては、露光光の波長としてｉ線、ｈ線、ｇ線からなる複合波長を用いた場合に対して、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持するとともに、マスクにおけるエッチング後のパターン形状悪化を防止することができる。あるいは、これらのｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれか単波長からなる露光光を用いた場合に対しても、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持して、マスクにおけるエッチング後のパターン形状悪化を防止することができる。
本発明のマスクブランクスは、前記エッチングレート低減層が、前記遮光層の厚さ方向に一層または複数層設けられる。
これにより、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持して、マスクにおけるエッチング後のパターン形状悪化を防止することができる。特に、エッチングレート低減層のエッチングレートが、遮光層のエッチングレートより小さく設定されることで、パターン形成時のウェットエッチングにおいて、遮光層が側面から大きくエッチングされてしまうことを防止できる。
これにより、光学濃度ＯＤの値と反射率の値とを所望の状態に維持して、マスクにおけるエッチング後のパターン形状悪化を防止することができる。特に、エッチングレート低減層のエッチングレートが、遮光層のエッチングレートより小さく設定されることで、パターン形成時のウェットエッチングにおいて、遮光層が側面から大きくエッチングされてしまうことを防止できる。
これは、遮光層が、反射防止層に続けてエッチングされる際に、一つの遮光層の深さ（厚さ）方向寸法が小さくなることで、エッチングレートの小さな部分が縮小されて、遮光層の側面方奥行き方向（透明基板の表面と並行な方向）に向かうエッチング量が抑制されることによる。
さらに、光学的には、遮光層に対応したエッチングレート低減層は、遮光層に対してエッチングされずに残るため、透明基板の面垂直方向視した際に、遮光層に対応するエッチングレート低減層が、反射防止層と略同一の輪郭形状としてパターン形成をおこなうことができる。
言い換えると、複数設けられたエッチングレート低減層によって厚さ方向に分断された遮光層が、それぞれエッチングレート低減層と遮光層との界面付近で、パターン形成時のウェットエッチングによって、遮光層が側面から大きくエッチングされてしまうことを防止できる。
なお、エッチングレート低減層のエッチングレートが、反射防止層のエッチングレートと同程度かそれより小さく設定されることができる。
なお、エッチングレート低減層は、一層または二層または三層として遮光層内に設けることが可能である。このエッチングレート低減層の層数、つまり、遮光層の分断数は、パターン形成における露光光の波長から設定することができる。
本発明のマスクブランクスは、前記エッチングレート低減層が、前記遮光層の厚さ方向の中央部に設けられる。
これにより、反射防止層と遮光層との界面付近の構造、および、反射防止層と遮光層との膜厚、組成によって設定される光学仕様が、初期に設定された所望の状態を維持することできる。
ここで、厚さ方向の中央部とは、反射防止層側と接する遮光層の膜厚が、反射率を所定値とするために必要な範囲を維持するとともに、エッチングレート低減層が、遮光層を除いて反射防止層を含む他の層と接していないことを意味する。
これにより、反射防止層と遮光層との界面付近の構造、および、反射防止層と遮光層との膜厚、組成によって設定される光学仕様が、初期に設定された所望の状態を維持することできる。
ここで、厚さ方向の中央部とは、反射防止層側と接する遮光層の膜厚が、反射率を所定値とするために必要な範囲を維持するとともに、エッチングレート低減層が、遮光層を除いて反射防止層を含む他の層と接していないことを意味する。
さらに、これにより、遮光層において、反射防止層に対する反対側に設けられた他の層との間で設定される光学仕様に影響を及ぼすことなく、エッチング後のパターン形状悪化を防止することができる。特に、遮光層の両側に反射防止層を設けた構成の場合、両方の反射防止層との間で設定される反射率を上記の仕様として、形状悪化を防止することができる。
本発明のマスクブランクスは、前記エッチングレート低減層が、前記遮光層よりも高い酸素濃度とされる。
これにより、エッチングレート低減層が、遮光層よりも低いエッチングレートを有することが可能である。
これにより、エッチングレート低減層が、遮光層よりも低いエッチングレートを有することが可能である。
また、本発明のマスクブランクスにおいて、前記エッチングレート低減層が、前記遮光層よりも高い炭素濃度とされる。
これにより、高い酸素濃度とされたエッチングレート低減層が、さらに低いエッチングレートを有することが可能である。
さらに、高い炭素濃度により、エッチングレートを更に低下させることができる。
これにより、高い酸素濃度とされたエッチングレート低減層が、さらに低いエッチングレートを有することが可能である。
さらに、高い炭素濃度により、エッチングレートを更に低下させることができる。
本発明のマスクブランクスは、前記遮光層の酸素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の酸素濃度に比べて高くなるように設定される。
これにより、エッチングされる順番が早い遮光層のほうが、エッチングされる順番が遅い遮光層に比べて、低いエッチングレートを有することができる。つまり、エッチングされる時間の長い反射防止層に近い位置の遮光層のほうが、エッチングされる時間の短い遮光層に比べて、低いエッチングレートを有することができる。
これにより、エッチングされる順番が早い遮光層のほうが、エッチングされる順番が遅い遮光層に比べて、低いエッチングレートを有することができる。つまり、エッチングされる時間の長い反射防止層に近い位置の遮光層のほうが、エッチングされる時間の短い遮光層に比べて、低いエッチングレートを有することができる。
したがって、透明基板に近い側の遮光層に比べて、透明基板に対して遠い側の遮光層に、おいて、遮光層の側面から奥に向けて、つまり、透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を削減することができる。
これにより、透明基板に対して異なる厚さ方向の位置、つまり、透明基板との距離が異なる遮光層で、遮光層の側面から奥に向けて、つまり、透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、それぞれ均等化することが可能となる。これにより、エッチング後のパターン形状悪化をより一層防止することができる。
これにより、透明基板に対して異なる厚さ方向の位置、つまり、透明基板との距離が異なる遮光層で、遮光層の側面から奥に向けて、つまり、透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、それぞれ均等化することが可能となる。これにより、エッチング後のパターン形状悪化をより一層防止することができる。
また、本発明のマスクブランクスは、前記遮光層の炭素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の炭素濃度に比べて高くなるように設定される。
これにより、透明基板に対して異なる厚さ方向の位置、つまり、透明基板との距離が異なる遮光層で、それぞれ酸素濃度を所定の状態に設定された遮光層におけるエッチングレートを、さらに低下する等、厚さ方向位置に対応して、エッチングレートに対する設定をそれぞれおこなうことが可能とある。
さらに、厚さ方向位置に対応して、炭素濃度を段階的に設定することにより、遮光層における深さ方向でのエッチングレートを制御することができる。
これにより、透明基板に対して異なる厚さ方向の位置、つまり、透明基板との距離が異なる遮光層で、遮光層の側面から奥に向けて、つまり、透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、それぞれ均等化することが可能となる。これにより、エッチング後のパターン形状悪化をより一層防止することができる。
これにより、透明基板に対して異なる厚さ方向の位置、つまり、透明基板との距離が異なる遮光層で、それぞれ酸素濃度を所定の状態に設定された遮光層におけるエッチングレートを、さらに低下する等、厚さ方向位置に対応して、エッチングレートに対する設定をそれぞれおこなうことが可能とある。
さらに、厚さ方向位置に対応して、炭素濃度を段階的に設定することにより、遮光層における深さ方向でのエッチングレートを制御することができる。
これにより、透明基板に対して異なる厚さ方向の位置、つまり、透明基板との距離が異なる遮光層で、遮光層の側面から奥に向けて、つまり、透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、それぞれ均等化することが可能となる。これにより、エッチング後のパターン形状悪化をより一層防止することができる。
本発明のマスクブランクスは、露光光の波長λが３６５ｎｍ～４３６ｎｍの範囲で使用され、
ＯＤ値が５よりも高く、反射率が５％よりも低く設定される。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを製造可能なマスクブランクスを提供することができる。
ＯＤ値が５よりも高く、反射率が５％よりも低く設定される。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを製造可能なマスクブランクスを提供することができる。
本発明のマスクブランクスは、前記反射防止層と接している前記遮光層において、前記エッチングレート低減層までの膜厚が、前記波長λに対してλ＊２０／４０５以上に設定される。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを製造可能なマスクブランクスを提供することができる。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを製造可能なマスクブランクスを提供することができる。
本発明のマスクブランクスは、前記反射防止層の膜厚が、前記波長λに対してλ＊２５／４０５～λ＊３０／４０５、または、λ＊９５／４０５～λ＊１００／４０５の範囲に設定される。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを製造可能なマスクブランクスを提供することができる。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを製造可能なマスクブランクスを提供することができる。
本発明のマスクは、上記のいずれかに記載されたマスクブランクスを用いて製造される。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを提供することができる。
このような光学仕様を満たすことにより、高精細のＦＰＤ製造等に用いて好適なマスクを提供することができる。
本発明によれば、必要な光学仕様を満たしつつ、パターン形成時における形状悪化を来さないマスクブランクスを提供することができるという効果を奏することが可能となる。
以下、本発明に係るマスクブランクスおよびマスクの第１実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す斜視図であり、図において、符号ＭＢは、マスクブランクスである。
図１は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す斜視図であり、図において、符号ＭＢは、マスクブランクスである。
本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、例えば、露光光の波長が３６５ｎｍ～４３６ｎｍの範囲で使用されるマスクに供されるものである。本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、図１に示すように、透明基板（ガラス基板）Ｓと、この透明基板Ｓの上に形成された遮光層１１Ｂと、遮光層１１Ｂの上に形成されたエッチングレート低減層１２と、エッチングレート低減層１２の上に形成された遮光層１１Ａと、遮光層１１Ａの上に形成された反射防止層１３と、で構成される。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂが、エッチングレート低減層１２によって、厚さ方向に分断されている。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂが、エッチングレート低減層１２によって、厚さ方向に分断されている。
透明基板Ｓとしては、透明性および光学的等方性に優れた材料が用いられ、例えば、石英ガラス基板を用いることができる。透明基板Ｓの大きさは特に制限されず、当該マスクを用いて露光する基板（例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイなどのＦＰＤ用基板、半導体基板）に応じて適宜選定される。本実施形態では、径寸法１００ｍｍ程度の基板や、一辺５０～１００ｍｍ程度から、一辺３００ｍｍ以上の矩形基板に適用可能であり、更に、縦４５０ｍｍ、横５５０ｍｍ、厚み８ｍｍの石英基板や、最大辺寸法１０００ｍｍ以上で、厚み１０ｍｍ以上の基板も用いることができる。
また、透明基板Ｓの表面を研磨することで、透明基板Ｓのフラットネスを低減するようにしてもよい。透明基板Ｓのフラットネスは、例えば、２０μｍ以下とすることができる。これにより、マスクの焦点深度が深くなり、微細かつ高精度なパターン形成に大きく貢献することが可能となる。さらにフラットネスは１０μｍ以下と、小さい方が良好である。
遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂは、Ｃｒ（クロム）を主成分とするものであり、具体的には、Ｃｒ単体、並びにＣｒの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物および酸化炭化窒化物から選択される１つで構成することができ、また、これらの中から選択される２種以上を積層して構成することもできる。
遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂは、Ｃｒ（クロム）を含有するものであり、Ｏ（酸素）および／またはＣ（炭素）を含むことができる。さらに、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂは、Ｎ（窒素）を含むことができる。
遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂは、Ｃｒ（クロム）を含有するものであり、Ｏ（酸素）および／またはＣ（炭素）を含むことができる。さらに、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂは、Ｎ（窒素）を含むことができる。
遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂは、ほぼ同じ組成とされるが、後述する光学特性を満たしていれば、多少異なる組成とすることもできる。
具体的には、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂにおいては、酸素濃度を膜厚方向で変化させて、ガラス基板Ｓ側から反射防止層１３側に向けて、酸素濃度を増加させる。つまり、遮光層１１Ｂの酸素濃度よりも遮光層１１Ａの酸素濃度が高く設定される。
さらに、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂにおいては、炭素濃度を膜厚方向で変化させて、ガラス基板Ｓ側から反射防止層１３側に向けて、炭素濃度を増加させる。つまり、遮光層１１Ｂの炭素濃度よりも遮光層１１Ａの炭素濃度が高く設定される。
遮光層１１Ａ，１１Ｂは、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いて形成される。この際に光学濃度を高めるために遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの合計膜厚は１００ｎｍ以上の膜厚であることが望ましい。
反射防止層１３は、厚さ方向における遮光層１１Ａ，１１Ｂと同様にＣｒ（クロム）を含む。さらに、反射防止層１３は、Ｏ（酸素）を含有するクロム酸化膜とされる。また、反射防止層１３は、Ｃ（炭素）および／またはＮ（窒素）を含有することができる。反射防止層１３の膜厚は、露光工程においてマスクとして用いられる際の露光波長（波長領域は３６５～４３６ｎｍ）、および、露光波長に規定される必要な光学濃度、反射率等により設定される。
反射防止層１３としては、反射防止層１３の屈折率と遮光層１１Ａの屈折率との差を大きくすることで反射率を低減することが可能となる。
このため、反射防止層１３として用いられる酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜において、波長３６５～４３６ｎｍにおける屈折率が２．５以下、消衰係数が１．０以下であることが望ましい。
このため、反射防止層１３として用いられる酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜において、波長３６５～４３６ｎｍにおける屈折率が２．５以下、消衰係数が１．０以下であることが望ましい。
あるいは、反射防止層１３は、厚み２５ｎｍ程度より大きく設定されることができる。また、反射防止層１３の膜厚は１５～４０ｎｍであることが望ましい。
同時に、反射防止層１３の反射率を５％程度より小さく設定するために、酸素含有率も所定範囲とされることが必要である。具体的には、酸素含有率が３０ａｔｍ％程度、あるいはそれ以上の酸素含有率となるように設定される。さらに、反射防止層１３として用いられるクロムニウム膜に含まれる酸素濃度は５０％以上であることが望ましい。
エッチングレート低減層１２は、厚さ方向における遮光層１１Ａ，１１Ｂと同様にＣｒ（クロム）を含む。さらに、反射防止層１３は、遮光層１１Ａ，１１Ｂよりも低いエッチングレートとなるように、Ｏ（酸素）を含有するクロム酸化膜とされる。また、反射防止層１３は、Ｃ（炭素）および／またはＮ（窒素）を含有することができる。エッチングレート低減層１２は、反射防止層１３と同程度のエッチングレートとなるか、あるいは、反射防止層１３よりもやや低い程度のエッチングレートとなるように、酸素濃度、炭素濃度が設定されている。
エッチングレート低減層１２は、反射防止層１３と同様の膜とすることができる。つまり、エッチングレート低減層１２は、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜とすることができる。
エッチングレート低減層１２は、厚さ方向において、透明基板Ｓと遮光層１１Ａとの界面、および、遮光層１１Ｂと反射防止層１３との界面の中央位置に配置される。
本実施形態のマスクブランクスＭＢは、例えばＦＰＤ用ガラス基板に対するパターニング用マスクであるマスク（フォトマスク）Ｍを製造する際に適用することができる。
本実施形態のマスクブランクスＭＢは、反射率が５％より小さく設定されており、光学濃度ＯＤの値が５よりも高くなるように設定されている。これにより、マスク（フォトマスク）Ｍを製造する際に、複合反射を防止するとともに、同時に、必要な光学仕様（光学特性）を満たし、高精細なマスクを製造することが可能となる。
なお、本実施形態のマスクブランクスＭＢは、上記の光学仕様（光学特性）を満たしており、後述するエッチング特性を維持していれば、これ以外の特性は限定されない。
なお、本実施形態のマスクブランクスＭＢは、上記の光学仕様（光学特性）を満たしており、後述するエッチング特性を維持していれば、これ以外の特性は限定されない。
図２は、本実施形態におけるマスクブランクスから製造されるマスクを示す断面図である。
本実施形態のマスク（フォトマスク）Ｍは、図２に示すように、マスクブランクスＭＢにおいて、ガラス基板（透明基板）Ｓの露出した透過領域と、遮光層１１Ａからパターン形成された遮光パターン１１Ａａ、エッチングレート低減層１２からパターン形成されたエッチングレート低減パターン１２ａ、遮光層１１Ｂからパターン形成された遮光パターン１１Ｂａ、反射防止層１３からパターン形成された反射防止パターン１３ａ、がガラス基板（透明基板）Ｓに積層されている遮光領域と、を有する。
本実施形態のマスク（フォトマスク）Ｍは、図２に示すように、マスクブランクスＭＢにおいて、ガラス基板（透明基板）Ｓの露出した透過領域と、遮光層１１Ａからパターン形成された遮光パターン１１Ａａ、エッチングレート低減層１２からパターン形成されたエッチングレート低減パターン１２ａ、遮光層１１Ｂからパターン形成された遮光パターン１１Ｂａ、反射防止層１３からパターン形成された反射防止パターン１３ａ、がガラス基板（透明基板）Ｓに積層されている遮光領域と、を有する。
このマスク（フォトマスク）Ｍにおいて、遮光領域は、露光工程の処理において、遮光パターン１１Ａａ，１１Ｂａによって、照射光（露光光）を透過しないことが可能な領域とされる。
本実施形態のマスク（フォトマスク）Ｍによれば、露光処理において、波長領域の光、特にｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）を含む複合波長を露光光として用いることができる。これにより、露光と現像をおこなって有機樹脂の形状を制御して、適切な形状のスペーサーや開口部を形成することが可能になる。また、パターン精度が大幅に向上し、微細かつ高精度なパターン形成が可能となる。
このマスク（フォトマスク）Ｍによれば、上記波長領域の露光光を用いることでパターン精度の向上を図ることができ、微細かつ高精度なパターン形成が可能となる。これにより、高精細・高画質のフラットパネルディスプレイ等を製造することができる。
以下、本実施形態のマスクブランクスＭＢの製造方法について説明する。
本実施形態におけるマスクブランクスＭＢは、図３または図４に示す製造装置により製造される。
図３に示す製造装置Ｓ１０は、インターバック式のスパッタリング装置とされ、ロード・アンロード室Ｓ１１と、ロード・アンロード室Ｓ１１に密閉手段Ｓ１３を介して接続された成膜室（真空処理室）Ｓ１２とを有するものとされる。
ロード・アンロード室Ｓ１１には、外部から搬入されたガラス基板Ｓを成膜室Ｓ１２へと搬送するか成膜室Ｓ１２を外部へと搬送する搬送手段Ｓ１１ａと、この室内を粗真空引きするロータリーポンプ等の排気手段Ｓ１１ｂが設けられる。
成膜室Ｓ１２には、基板保持手段Ｓ１２ａと、成膜材料を供給する手段として、ターゲットＳ１２ｂを有するカソード電極（バッキングプレート）Ｓ１２ｃと、バッキングプレートＳ１２ｃに負電位のスパッタ電圧を印加する電源Ｓ１２ｄと、この室内にガスを導入するガス導入手段Ｓ１２ｅと、成膜室Ｓ１２の内部を高真空引きするターボ分子ポンプ等の高真空排気手段Ｓ１２ｆと、が設けられている。
基板保持手段Ｓ１２ａは、搬送手段Ｓ１１ａによって搬送されてきたガラス基板Ｓを受け取り、成膜中にターゲットＳ１２ｂと対向するようにガラス基板Ｓを保持するとともに、ガラス基板Ｓをロード・アンロード室Ｓ１１からの搬入およびロード・アンロード室Ｓ１１へ搬出可能とされている。
ターゲットＳ１２ｂは、ガラス基板Ｓに成膜するために必要な組成を有する材料からなる。
ターゲットＳ１２ｂは、ガラス基板Ｓに成膜するために必要な組成を有する材料からなる。
図３に示す製造装置Ｓ１０においては、ロード・アンロード室Ｓ１１から搬入したガラス基板Ｓに対して、成膜室（真空処理室）Ｓ１２においてスパッタリング成膜をおこなった後、ロード・アンロード室Ｓ１１から成膜の終了したガラス基板Ｓを外部に搬出する。
成膜工程においては、ガス導入手段Ｓ１２ｅから成膜室Ｓ１２にスパッタガスと反応ガスとを供給し、外部の電源からバッキングプレート（カソード電極）Ｓ１２ｃにスパッタ電圧を印加する。また、マグネトロン磁気回路によりターゲットＳ１２ｂ上に所定の磁場を形成してもよい。成膜室Ｓ１２内でプラズマにより励起されたスパッタガスのイオンが、カソード電極Ｓ１２ｃのターゲットＳ１２ｂに衝突して成膜材料の粒子を飛び出させる。そして、飛び出した粒子と反応ガスとが結合した後、ガラス基板Ｓに付着することにより、ガラス基板Ｓの表面に所定の膜が形成される。
この際、遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とで、必要な組成を有するターゲットＳ１２ｂに交換することができる。
このとき、遮光層１１ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とで、ガス導入手段Ｓ１２ｅから異なる量の、酸素含有ガス、炭素含有ガスなどの必要な成膜ガスを供給するとともに、その分圧を制御するように切り替えて、その組成を設定した範囲内にする。
あるいは、本実施形態のマスクブランクスＭＢ製造においては、遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とにおいて、ターゲットＳ１２ｂを交換しないこともできる。
さらに、これら遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とに加え、他の膜を積層することもできる。この場合には、対応するターゲット、ガス等のスパッタ条件としてスパッタリングにより成膜するか、他の成膜方法によって該当膜を積層して、本実施形態のマスクブランクスＭＢを製造する。
また、図４に示す製造装置Ｓ２０は、インライン式のスパッタリング装置とされ、ロード室Ｓ２１と、ロード室Ｓ２１に密閉手段Ｓ２３を介して接続された成膜室（真空処理室）Ｓ２２と、成膜室Ｓ２２に密閉手段Ｓ２４を介して接続されたアンロード室Ｓ２５と、を有するものとされる。
ロード室Ｓ２１には、外部から搬入されたガラス基板Ｓを成膜室Ｓ２２へと搬送する搬送手段Ｓ２１ａと、この室内を粗真空引きするロータリーポンプ等の排気手段Ｓ２１ｂが設けられる。
成膜室Ｓ２２には、基板保持手段Ｓ２２ａと、成膜材料を供給する手段として、ターゲットＳ２２ｂを有するカソード電極（バッキングプレート）Ｓ２２ｃと、バッキングプレートＳ２２ｃに負電位のスパッタ電圧を印加する電源Ｓ２２ｄと、この室内にガスを導入するガス導入手段Ｓ２２ｅと、成膜室Ｓ２２の内部を高真空引きするターボ分子ポンプ等の高真空排気手段Ｓ２２ｆと、が設けられている。
基板保持手段Ｓ２２ａは、搬送手段Ｓ２１ａによって搬送されてきたガラス基板Ｓを受け取り、成膜中にターゲットＳ２２ｂと対向するようにガラス基板Ｓを保持するとともに、ガラス基板Ｓをロード室Ｓ２１からの搬入およびアンロード室Ｓ２５へ搬出可能とされている。
ターゲットＳ２２ｂは、ガラス基板Ｓに成膜するために必要な組成を有する材料からなる。
ターゲットＳ２２ｂは、ガラス基板Ｓに成膜するために必要な組成を有する材料からなる。
アンロード室Ｓ２５には、成膜室Ｓ２２から搬入されたガラス基板Ｓを外部へと搬送する搬送手段Ｓ２５ａと、この室内を粗真空引きするロータリーポンプ等の排気手段Ｓ２５ｂが設けられる。
図４に示す製造装置Ｓ２０においては、ロード室Ｓ２１から搬入したガラス基板Ｓに対して、成膜室（真空処理室）Ｓ２２においてスパッタリング成膜をおこなった後、アンロード室Ｓ２５から成膜の終了したガラス基板Ｓを外部に搬出する。
成膜工程においては、ガス導入手段Ｓ２２ｅから成膜室Ｓ２２にスパッタガスと反応ガスとを供給し、外部の電源からバッキングプレート（カソード電極）Ｓ２２ｃにスパッタ電圧を印加する。また、マグネトロン磁気回路によりターゲットＳ２２ｂ上に所定の磁場を形成してもよい。成膜室Ｓ２２内でプラズマにより励起されたスパッタガスのイオンが、カソード電極Ｓ２２ｃのターゲットＳ２２ｂに衝突して成膜材料の粒子を飛び出させる。そして、飛び出した粒子と反応ガスとが結合した後、ガラス基板Ｓに付着することにより、ガラス基板Ｓの表面に所定の膜が形成される。
この際、遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とで、必要な組成を有するターゲットＳ２２ｂに交換することができる。
このとき、遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とで、ガス導入手段Ｓ１２ｅから異なる量の、酸素含有ガス、炭素含有ガスなどの必要な成膜ガスを供給するとともに、その分圧を制御するように切り替えて、その組成を設定した範囲内にする。
あるいは、本実施形態のマスクブランクスＭＢ製造においては、遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とにおいて、ターゲットＳ２２ｂを交換しないこともできる。
さらに、これら遮光層１１Ｂの成膜と、エッチングレート低減層１２の成膜と、遮光層１１Ａの成膜と、反射防止層１３の成膜とに加え、他の膜を積層する場合には、対応するターゲット、ガス等のスパッタ条件としてスパッタリングにより成膜するか、他の成膜方法によって該当膜を積層して、本実施形態のマスクブランクスＭＢを製造する。
上記の製造装置Ｓ１０または製造装置Ｓ２０においては、まず、ガラス基板Ｓ上に、ＤＣスパッタリング法などを用いて、Ｃｒを主成分とする遮光層１１Ｂ、Ｃｒを主成分とするエッチングレート低減層１２、Ｃｒを主成分とする遮光層１１Ａ、Ｃｒを主成分とする反射防止層１３を順に成膜する。
このとき、成膜条件として、クロムをターゲットとしたＤＣスパッタリングにより、スパッタリングガスとして、アルゴン、窒素（Ｎ２）などを含む状態で、スパッタリングをおこなうことができる。
このとき、成膜条件として、クロムをターゲットとしたＤＣスパッタリングにより、スパッタリングガスとして、アルゴン、窒素（Ｎ２）などを含む状態で、スパッタリングをおこなうことができる。
遮光層１１Ｂの成膜においては、Ｃｒを主成分とするターゲットＳ１２ｂまたはターゲットＳ２２ｂを用い、酸素、炭素を含有するガス雰囲気（成膜雰囲気）とするとともに、上述した光学仕様（光学特性）となるように、雰囲気ガス中の酸素濃度、炭素濃度を設定する。具体的には、上述したマスクブランクスＭＢとしての光学濃度ＯＤ値および反射率を実現するように、酸素含有ガスおよび炭素含有ガスのガス流量を設定する。
エッチングレート低減層１２の成膜においては、Ｃｒを主成分とするターゲットＳ１２ｂまたはターゲットＳ２２ｂを用い、酸素、炭素を含有するガス雰囲気（成膜雰囲気）とするとともに、上述した光学仕様（光学特性）となるように、雰囲気ガス中の酸素濃度、炭素濃度を設定する。具体的には、後述するエッチングレートを実現するように、酸素含有ガスおよび炭素含有ガスのガス流量を設定する。
ここで、炭素含有ガスとしては、ＣＯ２（二酸化炭素）、ＣＨ4（メタン）、Ｃ２Ｈ６（エタン）、ＣＯ（一酸化炭素）等を挙げることができる。酸素含有ガスとしては、ＣＯ２（二酸化炭素）、Ｏ２（酸素）、Ｎ２Ｏ（一酸化二窒素）、ＮＯ（一酸化窒素）等を挙げることができる。
ここで、炭素含有ガスとしては、ＣＯ２（二酸化炭素）、ＣＨ4（メタン）、Ｃ２Ｈ６（エタン）、ＣＯ（一酸化炭素）等を挙げることができる。酸素含有ガスとしては、ＣＯ２（二酸化炭素）、Ｏ２（酸素）、Ｎ２Ｏ（一酸化二窒素）、ＮＯ（一酸化窒素）等を挙げることができる。
このとき、遮光層１１Ｂとエッチングレート低減層１２との成膜の間で、成膜を一時中断する、または、断続的に成膜するとともに、酸素濃度および炭素濃度を切り替えて、低酸素濃度領域となる遮光層１１Ｂと高酸素領域となるエッチングレート低減層１２との界面を形成することができる。
あるいは、遮光層１１Ｂとエッチングレート低減層１２との成膜を連続的におこなうとともに、酸素濃度、炭素濃度を徐々に増加するように変化させて、低酸素領域である遮光層１１Ｂから高酸素領域であるエッチングレート低減層１２へと傾斜濃度を有するように形成することができる。
なお、遮光層１１Ｂ、および、エッチングレート低減層１２の成膜においては、それぞれの層で要求される光学特性に応じて、必要な組成のターゲットＳ１２ｂまたはターゲットＳ２２ｂを用い、雰囲気ガスの種類・成膜条件を選択することが好ましい。
また、遮光層１１Ａの成膜においては、Ｃｒを主成分とするターゲットＳ１２ｂまたはターゲットＳ２２ｂを用いい、酸素、炭素を含有するガス雰囲気（成膜雰囲気）とするとともに、上述した光学仕様（光学特性）となるように、雰囲気ガス中の酸素濃度、炭素濃度を設定する。具体的には、上述したマスクブランクスＭＢとしての光学濃度ＯＤ値および反射率を実現するように、酸素含有ガスおよび炭素含有ガスのガス流量を設定する。
このとき、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ａとの成膜の間で、成膜を一時中断することができる。または、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ａとの成膜の間で、断続的に成膜するとともに、酸素濃度および炭素濃度を切り替えることができる。これにより、高酸素領域となるエッチングレート低減層１２と低酸素濃度領域となる遮光層１１Ａとの界面を形成することができる。
あるいは、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ａとの成膜を連続的におこなうとともに、酸素濃度、炭素濃度を徐々に低減するように変化させて、高酸素領域であるエッチングレート低減層１２から低酸素領域である遮光層１１Ａへと傾斜濃度を有するように形成することができる。
なお、エッチングレート低減層１２、および、遮光層１１Ａの成膜においては、それぞれの層で要求される光学特性に応じて、必要な組成のターゲットＳ１２ｂまたはターゲットＳ２２ｂを用い、雰囲気ガスの種類・成膜条件を選択することが好ましい。
また、反射防止層１３の成膜においては、Ｃｒを主成分とするターゲットＳ１２ｂまたはターゲットＳ２２ｂを用いい、酸素、炭素を含有するガス雰囲気（成膜雰囲気）とするとともに、上述した光学仕様（光学特性）となるように、雰囲気ガス中の酸素濃度、炭素濃度を設定する。具体的には、上述したマスクブランクスＭＢとしての光学濃度ＯＤ値および反射率を実現するように、酸素含有ガスおよび炭素含有ガスのガス流量を設定する。
このとき、遮光層１１Ａと反射防止層１３との成膜の間で、成膜を一時中断する、または、断続的に成膜するとともに、酸素濃度および炭素濃度を切り替えて、低酸素濃度領域となる遮光層１１Ａと高酸素領域となる反射防止層１３との界面を形成することができる。
以下、このように製造された本実施形態のマスクブランクスＭＢからマスクＭを製造する方法について説明する。
マスクブランクスＭＢは、図１に示すように、遮光層１１Ｂとエッチングレート低減層１２と遮光層１１Ａと反射防止層１３とがその全面に成膜されている。
次に、マスクブランクスＭＢの最上層である反射防止層１３の上にフォトレジスト層を形成する。
フォトレジスト層は、ポジ型でもよいしネガ型でもよいが、たとえば、ポジ型とすることができる。フォトレジスト層としては、液状レジストが用いられる。
フォトレジスト層は、ポジ型でもよいしネガ型でもよいが、たとえば、ポジ型とすることができる。フォトレジスト層としては、液状レジストが用いられる。
続いて、フォトレジスト層を露光するとともに現像することで、反射防止層１３の上にレジストパターンが形成される。レジストパターンは、反射防止層１３、遮光層１１Ａ、エッチングレート低減層１２、遮光層１１Ｂのエッチングマスクとして機能し、反射防止層１３、遮光層１１Ａ、エッチングレート低減層１２、遮光層１１Ｂを除去する透過領域のエッチングパターンに応じて適宜形状が定められる。
一例として、レジストパターンは、透過領域においては、形成する遮光パターン１１Ｂａ、エッチングレート低減パターン１２ａ、遮光パターン１１Ａａ、反射防止パターン１３ａの開口幅寸法に対応した開口幅を有する形状に設定される。
一例として、レジストパターンは、透過領域においては、形成する遮光パターン１１Ｂａ、エッチングレート低減パターン１２ａ、遮光パターン１１Ａａ、反射防止パターン１３ａの開口幅寸法に対応した開口幅を有する形状に設定される。
次いで、このレジストパターン越しに所定のエッチング液（エッチャント）を用いて反射防止層１３、遮光層１１Ａ、エッチングレート低減層１２、遮光層１１Ｂをウェットエッチングする工程を開始する。
エッチング液としては、いずれもＣｒを含有する反射防止層１３、遮光層１１Ａ、エッチングレート低減層１２、遮光層１１Ｂに対応して、硝酸セリウム第２アンモニウムを含むエッチング液を用いることができる。例えば、エッチング液として、硝酸や過塩素酸等の酸を含有する硝酸セリウム第２アンモニウムを用いることが好ましい。
ここで、ウェットエッチングは、透過領域となるレジストパターンの開口部分において、マスクブランクスの表面側（上側、あるいは、外側）から進行する。
つまり、まず、反射防止層１３がウェットエッチングされる。次いで、遮光層１１Ａ、エッチングレート低減層１２、遮光層１１Ｂという積層された順番と逆順でウェットエッチングされる。
したがって、その層自身よりも低い（ガラス基板Ｓに近い）位置にある層に対するエッチングが進行する間、当該層には、エッチング液が当接してエッチングが進行することになる。
したがって、その層自身よりも低い（ガラス基板Ｓに近い）位置にある層に対するエッチングが進行する間、当該層には、エッチング液が当接してエッチングが進行することになる。
ここで、反射防止層１３とエッチングレート低減層１２とは、酸素濃度、炭素濃度が高くエッチングレートが低い状態であるのに対し、遮光層１１Ｂと遮光層１１Ａは、酸素濃度、炭素濃度が低くエッチングレートが高い状態である。
特に、遮光層１１Ａは、エッチングレート低減層１２および遮光層１１Ｂに対して、ガラス基板Ｓから遠い位置にある。つまり、エッチングレート低減層１２および遮光層１１Ｂは、遮光層１１Ａに比べて下側（ガラス基板Ｓに近い）位置にある。
したがって、遮光層１１Ａの厚さ方向のエッチングが終了し、所定の幅寸法にまでエッチングが進行した後も、エッチングレート低減層１２および遮光層１１Ｂに対するエッチングが進行する。このため、エッチングレート低減層１２および遮光層１１Ｂに対するエッチングが進行する間中、遮光層１１Ａには、エッチング液が当接してエッチングが進行する。
したがって、遮光層１１Ａの厚さ方向のエッチングが終了し、所定の幅寸法にまでエッチングが進行した後も、エッチングレート低減層１２および遮光層１１Ｂに対するエッチングが進行する。このため、エッチングレート低減層１２および遮光層１１Ｂに対するエッチングが進行する間中、遮光層１１Ａには、エッチング液が当接してエッチングが進行する。
この状態でも、幅方向のエッチング量、つまり、図２に矢印ｓｓで示す奥行き方向のエッチング量が、所定値以上にならないように、本実施形態では、遮光層１１Ａとエッチングレート低減層１２との組成比、および、膜厚が設定されている。
具体的には、エッチングレート低減層１２が、遮光層１１Ａ，１１Ｂよりも酸素濃度、炭素濃度が高くエッチングレートが低い状態とされて、遮光層１１Ａとエッチングレート低減層１２との界面付近において、遮光層１１Ａが奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
図１２は、遮光層が一層として形成されたマスクの例を示す断面図である。
ここで、図１２に示すように、遮光層１１が一層として形成された場合を考える。エッチングレート低減層１２は設けられていない。遮光層１１の膜厚は、遮光層１１Ａ，１１Ｂの合計された膜厚に等しく設定される。なお、マスクとしての光学仕様（光学特性）は、図１に示すマスクブランクスＭＢ、あるいは、図２に示すマスクＭと同等となるように、膜厚、組成が設定されている。
ここで、図１２に示すように、遮光層１１が一層として形成された場合を考える。エッチングレート低減層１２は設けられていない。遮光層１１の膜厚は、遮光層１１Ａ，１１Ｂの合計された膜厚に等しく設定される。なお、マスクとしての光学仕様（光学特性）は、図１に示すマスクブランクスＭＢ、あるいは、図２に示すマスクＭと同等となるように、膜厚、組成が設定されている。
この場合、図１２に示すように、一層である遮光層１１では、ウェットエッチングされた際に、透過領域の側面部分が、奥行き方向ｓｓに過剰にエッチングされてしまい、遮光層１１の側面部分に凹部Ｘが形成されて形成されてしまう。この状態が、パターン形状の悪化の発生した状態である。
これに対して、本実施形態のマスクブランクスＭＢあるいは、マスクＭにおいては、エッチングレート低減層１２が、遮光層１１Ａ，１１Ｂよりも酸素濃度、炭素濃度が高くエッチングレートが低い状態、つまり、反射防止層１３とほぼ同じエッチングレートを有する状態とされている。これにより、遮光層１１Ａ，１１Ｂの合計厚さにおける中央位置で、奥行き方向ｓｓにおけるエッチングレート低減層１２のエッチング量は、反射防止層１３のエッチング量とほぼ同じとなる。
また、遮光層１１Ａ，１１Ｂとして厚さ方向に分断されており、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの間に、エッチングレート低減層１２が設けられていることで、遮光層１１Ａにおける奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
同様に、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ｂとの界面付近において、遮光層１１Ｂが奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
同様に、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ｂとの界面付近において、遮光層１１Ｂが奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
同時に、図１２に示した一層の遮光層１１とされた場合に比べて、遮光層１１Ａ，１１Ｂが厚さ方向に分断され、これらの遮光層１１Ａ，１１Ｂの間に、エッチングレート低減層１２が設けられていることで、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの厚さ方向寸法が小さくなる。これにより、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂにおける奥行き方向ｓｓのエッチング量をそれぞれ抑制することができる。
特に、遮光層１１Ａが、厚さ方向寸法を小さく設定されるとともに、遮光層１１Ｂよりも酸素濃度、炭素濃度が多少高く設定されて、遮光層１１Ｂよりエッチングレートが多少低い状態として設定されている。これにより、エッチング液に曝される時間が遮光層１１Ｂより長い遮光層１１Ａにおいて、奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。つまり、遮光層１１Ａにおける奥行き方向ｓｓにおける凹部Ｘの寸法と、遮光層１１Ｂにおける奥行き方向ｓｓにおける凹部Ｘの寸法と、がほぼ同じ値に設定することができる。これにより、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの厚さ方向の位置による形状の差を低減することができる。
これらにより、図１２に示すように、遮光層１１Ａ，１１Ｂが合計された膜厚で連続している場合に比べて、奥行き方向ｓｓに形成される凹部Ｘの影響を削減して、透過領域におけるパターンの側面となる部分を垂直に近い形状に形成することがきる。
次いで、エッチング液を洗浄してウェットエッチングを終了した後、レジストパターンを除去する。レジストパターンの除去には、公知のレジスト剥離液を用いることができるため、ここでは詳細な説明を省略する。
以上により、本実施形態のマスクＭを製造することができる。
以上により、本実施形態のマスクＭを製造することができる。
本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、上述したように、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ，１１Ｂにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。
特に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２を遮光層１１Ａと遮光層１１Ｂとの間に設けることによって、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ａとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。同様に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２によって、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ｂとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。
また、遮光層１１Ａと遮光層１１Ｂとがエッチングレート低減層１２によって分割されているため、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの膜厚寸法を小さくすることができ、奥行き方向ｓｓに向かう突出形状を抑制することが可能になる。
この結果、遮光層１１Ａ，１１Ｂの過剰なエッチングを抑制することができる。したがって、各パターン１３ａ，１１Ａａ，１２ａ，１１Ｂａの形状が所望の状態からずれてしまうことを防止できる。
この結果、遮光層１１Ａ，１１Ｂの過剰なエッチングを抑制することができる。したがって、各パターン１３ａ，１１Ａａ，１２ａ，１１Ｂａの形状が所望の状態からずれてしまうことを防止できる。
さらに、遮光層１１Ａ，１１Ｂの炭素濃度を膜厚方向で変化させて、ガラス基板Ｓ側から反射防止層１３側に向けて、カーボン濃度を増加させることで、パターンの断面形状をさらに改善することが可能となる。
これにより、高精細のＦＰＤ製造に用いて好適なマスクＭを提供することが可能となる。
これにより、高精細のＦＰＤ製造に用いて好適なマスクＭを提供することが可能となる。
特に、本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢでは、マスクＭの光学仕様（光学特性）として、低反射率、高光学濃度を維持・実現することが可能となる。
しかも、これらの光学仕様（光学特性）および、パターン形状の維持のために、ガス流量を設定するだけで、上記のマスクブランクスＭＢ、マスクＭを実現することができる。
しかも、これらの光学仕様（光学特性）および、パターン形状の維持のために、ガス流量を設定するだけで、上記のマスクブランクスＭＢ、マスクＭを実現することができる。
また、本実施形態にかかるマスクＭでは、露光光の波長としてｉ線、ｈ線、ｇ線からなる複合波長を用いた場合に対して、光学濃度ＯＤの値５．０以上と、反射率５％以下の値と、の状態を維持することができる。
さらに、本実施形態にかかるマスクＭでは、露光光として波長４３６ｎｍを用いた場合に対して、光学濃度ＯＤの値５．０以上と、の反射率５％以下の値と、の状態を維持することができる。
さらに、本実施形態にかかるマスクＭでは、露光光として波長４３６ｎｍを用いた場合に対して、光学濃度ＯＤの値５．０以上と、の反射率５％以下の値と、の状態を維持することができる。
ここで、本実施形態にかかるマスクＭでは、適応される露光光の波長の範囲に対して、その一部で、上記の光学仕様（光学特性）を維持する。好ましくは、この適応される露光光の波長の範囲において、中程であるｈ線に対応する露光光に対して、上記の光学仕様（光学特性）を維持する。
あるいは、光学濃度と反射率の値を必要に応じて調整することができる。
あるいは、光学濃度と反射率の値を必要に応じて調整することができる。
本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢの反射防止層１３、遮光層１１Ａ、エッチングレート低減層１２、遮光層１１Ｂにおいては、マスクＭを使用した露光工程時に、波長４０５ｎｍの透過光に対する光学仕様（光学特性）が上述した範囲となるように設定されることができる。
図５は、本実施形態におけるマスクブランクスにおける遮光層（低酸素濃度Ｃｒ膜）厚と、反射率との関係を示すグラフである。図６は、本実施形態におけるマスクブランクス
における反射防止層（高酸素濃度Ｃｒ膜）厚と、反射率との関係を示すグラフである。
ここで、本実施形態のマスクブランクスＭＢにおける反射率は、図５に示すように、遮光層１１Ａの厚さによって変動する。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、遮光層１１Ａの厚さを２０ｎｍ以上に設定することが必要である。ここで、図５における反射率の測定波長は４０５ｎｍである。
における反射防止層（高酸素濃度Ｃｒ膜）厚と、反射率との関係を示すグラフである。
ここで、本実施形態のマスクブランクスＭＢにおける反射率は、図５に示すように、遮光層１１Ａの厚さによって変動する。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、遮光層１１Ａの厚さを２０ｎｍ以上に設定することが必要である。ここで、図５における反射率の測定波長は４０５ｎｍである。
ここで、遮光層１１Ａ，遮光層１１Ｂの厚さに対して、エッチングレート低減層１２の膜厚は、露光の際に用いられる光の波長により適宜変更することが望ましい。その結果、露光に用いられる光の干渉効果の影響を低減することができる。
また、本実施形態のマスクブランクスＭＢにおける反射率は、図６に示すように、反射防止層１３の厚さによって変動する。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、反射防止層１３の厚さを規定することが必要である。図６における遮光層１１Ａの膜厚は５０ｎｍであり、反射率の測定波長は４０５ｎｍである。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、反射防止層１３の厚さが２７ｎｍ付近となるように設定することが必要である。
また、本実施形態のマスクブランクスＭＢにおけるエッチングレート低減層１２の組成は、エッチングレートを反射防止層１３に近くするために、酸素濃度が２０％以上、炭素濃度は３０％以上であることが望ましい。
以下、本発明に係るマスクブランクス、マスクの第２実施形態を、図面に基づいて説明する。
図７は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、エッチングレート低減層の層数に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
図７は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、エッチングレート低減層の層数に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、図７に示すように、透明基板（ガラス基板）Ｓと、この透明基板Ｓの上に形成された遮光層１１Ｃと、遮光層１１Ｃの上に形成されたエッチングレート低減層１２Ｂと、エッチングレート低減層１２Ｂの上に形成された遮光層１１Ｂと、遮光層１１Ｂの上に形成されたエッチングレート低減層１２Ａと、エッチングレート低減層１２Ａの上に形成された遮光層１１Ａと、遮光層１１Ａの上に形成された反射防止層１３と、で構成される。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって、厚さ方向に３つに分断されている。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって、厚さ方向に３つに分断されている。
遮光層１１Ａ、遮光層１１Ｂ、遮光層１１Ｃは、ほぼ同じ組成とされるが、後述する光学特性を満たしていれば、多少異なる組成とすることもできる。
具体的には、遮光層１１Ａ、遮光層１１Ｂ、遮光層１１Ｃにおいては、酸素濃度を膜厚方向で変化させて、ガラス基板Ｓ側から反射防止層１３側に向けて、酸素濃度を増加させる。つまり、遮光層１１Ｃの酸素濃度よりも遮光層１１Ｂの酸素濃度が高く設定され、遮光層１１Ｂの酸素濃度よりも遮光層１１Ａの酸素濃度が高く設定される。
さらに、遮光層１１Ａ、遮光層１１Ｂ、遮光層１１Ｃにおいては、炭素濃度を膜厚方向で変化させて、ガラス基板Ｓ側から反射防止層１３側に向けて、炭素濃度を増加させる。つまり、遮光層１１Ｃの炭素濃度よりも遮光層１１Ｂの炭素濃度が高く設定され、遮光層１１Ｂの炭素濃度よりも遮光層１１Ａの炭素濃度が高く設定される。
遮光層１１Ａ、遮光層１１Ｂ、遮光層１１Ｃは、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いて形成される。この際に光学濃度を高めるために遮光層１１Ａ、遮光層１１Ｂ、遮光層１１Ｃの合計膜厚は１００ｎｍ以上の膜厚であることが望ましい。
エッチングレート低減層１２Ａおよびエッチングレート低減層１２Ｂは、いずれも反射防止層１３と同様の膜とすることができる。つまり、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂは、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜とすることができる。
エッチングレート低減層１２Ａおよびエッチングレート低減層１２Ｂは、厚さ方向において、透明基板Ｓと遮光層１１Ａとの界面、および、遮光層１１Ｃと反射防止層１３との界面に対して三分の一となる位置にそれぞれ配置される。
エッチングレート低減層１２Ａおよびエッチングレート低減層１２Ｂは、等しい厚さとされることもできる。
あるいは、エッチングレート低減層１２Ａおよびエッチングレート低減層１２Ｂは、膜厚の寸法を膜厚方向で変化させて、反射防止層１３側からガラス基板Ｓ側に向けて、膜厚を増加させることもできる。
あるいは、エッチングレート低減層１２Ａおよびエッチングレート低減層１２Ｂは、膜厚の寸法を膜厚方向で変化させて、反射防止層１３側からガラス基板Ｓ側に向けて、膜厚を増加させることもできる。
本実施形態のマスクブランクスＭＢは、第１実施形態と同様に、反射率が５％より小さく設定されており、光学濃度ＯＤの値が５よりも高くなるように設定されている。これにより、マスク（フォトマスク）Ｍを製造する際に、複合反射を防止するとともに、同時に、必要な光学仕様（光学特性）を満たし、高精細なマスクを製造することが可能となる。
なお、本実施形態のマスクブランクスＭＢは、第１実施形態と同様に、上記の光学仕様（光学特性）を満たしており、後述するエッチング特性を維持していれば、これ以外の特性は限定されない。
なお、本実施形態のマスクブランクスＭＢは、第１実施形態と同様に、上記の光学仕様（光学特性）を満たしており、後述するエッチング特性を維持していれば、これ以外の特性は限定されない。
なお、上記の反射率を満たすために、遮光層１１Ａおよび反射防止層１３は、第１実施形態と同様の膜厚、組成とすることが必要である。
本実施形態においても、マスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ～１１Ｃにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。特に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂを遮光層１１Ａ～１１Ｃの間に設けることによって、反射防止層１３と遮光層１１Ａとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。この結果、遮光層１１Ａ，１１Ｂの過剰なエッチングを抑制することができる。したがって、各パターン１３ａ，１１Ａａ，１２ａ，１１Ｂａの形状が所望の状態からずれてしまうことを防止できる。
本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、上述したように、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ～１１Ｃにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。
特に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂを遮光層１１Ａ～１１Ｃの間に設けることによって、エッチングレート低減層１２Ａと遮光層１１Ａとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。同様に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２Ａによって、エッチングレート低減層１２Ａと遮光層１１Ｂとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。
同様に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２Ｂによって、エッチングレート低減層１２Ｂと遮光層１１Ｂとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。同様に、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２Ｂによって、エッチングレート低減層１２Ｂと遮光層１１Ｃとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。
また、遮光層１１Ａ～１１Ｃがエッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって分割されているため、遮光層１１Ａ～１１Ｃにおいてそれぞれの膜厚寸法をさらに小さくすることができ、奥行き方向ｓｓに向かう突出形状を抑制することが可能になる。
この結果、遮光層１１Ａ～１１Ｃの過剰なエッチングをさらに抑制することができる。したがって、パターン形状の悪化をより一層防止することができる。
この結果、遮光層１１Ａ～１１Ｃの過剰なエッチングをさらに抑制することができる。したがって、パターン形状の悪化をより一層防止することができる。
さらに、遮光層１１Ａ～１１Ｃの炭素濃度を膜厚方向で変化させて、ガラス基板Ｓ側から反射防止層側に向けて、カーボン濃度を増加させることで、パターンの断面形状をさらに改善することが可能となる。
これにより、高精細のＦＰＤ製造に用いて、さらに好適なマスクＭを提供することが可能となる。
これにより、高精細のＦＰＤ製造に用いて、さらに好適なマスクＭを提供することが可能となる。
本実施形態においては、上述した実施形態と同等の効果を奏することができる。
以下、本発明に係るマスクブランクス、マスクの第３実施形態を、図面に基づいて説明する。
図８は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、積層順に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
図８は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第１実施形態と異なるのは、積層順に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、図８に示すように、透明基板（ガラス基板）Ｓと、この透明基板Ｓの上に形成された反射防止層１３と、反射防止層１３の上に形成された遮光層１１Ｂと、遮光層１１Ｂの上に形成されたエッチングレート低減層１２と、エッチングレート低減層１２の上に形成された遮光層１１Ａと、で構成される。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂが、エッチングレート低減層１２によって、厚さ方向に分断されている。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂが、エッチングレート低減層１２によって、厚さ方向に分断されている。
本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、上述したように、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ，１１Ｂにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。
なお、本実施形態における反射率は、ガラス基板Ｓを透過した光に対して所定値に設定することができる。
なお、本実施形態における反射率は、ガラス基板Ｓを透過した光に対して所定値に設定することができる。
この状態で、高酸素濃度のエッチングレート低減層１２を遮光層１１Ａと遮光層１１Ｂとの間に設けることによって、反射防止層１３と遮光層１１Ａとの界面近傍での方向ＳＳに向かう突出形状を抑制することが可能になる。この結果、遮光層１１Ａ，１１Ｂの過剰なエッチングを抑制することができる。したがって、パターン形状の悪化を防止することができる。
本実施形態においては、上述した実施形態と同等の効果を奏することができる。
以下、本発明に係るマスクブランクス、マスクの第４実施形態を、図面に基づいて説明する。
図９は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第２実施形態と異なるのは、積層順に関する点であり、これ以外の上述した第２実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
図９は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第２実施形態と異なるのは、積層順に関する点であり、これ以外の上述した第２実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、図９に示すように、透明基板（ガラス基板）Ｓと、この透明基板Ｓの上に形成された反射防止層１３と、反射防止層１３との上に形成された遮光層１１Ｃと、遮光層１１Ｃの上に形成されたエッチングレート低減層１２Ｂと、エッチングレート低減層１２Ｂの上に形成された遮光層１１Ｂと、遮光層１１Ｂの上に形成されたエッチングレート低減層１２Ａと、エッチングレート低減層１２Ａの上に形成された遮光層１１Ａと、で構成される。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって、厚さ方向に３つに分断されている。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、遮光層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって、厚さ方向に３つに分断されている。
本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、上述したように、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ～１１Ｃにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。
なお、本実施形態における反射率は、ガラス基板Ｓを透過した光に対して所定値に設定することができる。
なお、本実施形態における反射率は、ガラス基板Ｓを透過した光に対して所定値に設定することができる。
本実施形態においては、上述した実施形態と同等の効果を奏することができる。
以下、本発明に係るマスクブランクス、マスクの第５実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１０は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第２実施形態と異なるのは、反射防止層の層数に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
図１０は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第２実施形態と異なるのは、反射防止層の層数に関する点であり、これ以外の上述した第１実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、図１０に示すように、透明基板（ガラス基板）Ｓと、この透明基板Ｓの上に形成された反射防止層１３Ｂと、反射防止層１３Ｂの上に形成された遮光層１１Ｂと、遮光層１１Ｂの上に形成されたエッチングレート低減層１２と、エッチングレート低減層１２の上に形成された遮光層１１Ａと、遮光層１１Ａの上に形成された反射防止層１３Ａと、で構成される。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、両面に反射防止層１３Ａ，１３Ｂが形成されて、その間の遮光層１１Ａ，１１Ｂが、エッチングレート低減層１２によって、厚さ方向に分断されている。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、両面に反射防止層１３Ａ，１３Ｂが形成されて、その間の遮光層１１Ａ，１１Ｂが、エッチングレート低減層１２によって、厚さ方向に分断されている。
反射防止層１３は、厚さ方向における遮光層１１Ａ，１１Ｂと同様にＣｒ（クロム）を含む。さらに、反射防止層１３は、Ｏ（酸素）を含有するクロム酸化膜とされる。また、反射防止層１３は、Ｃ（炭素）および／またはＮ（窒素）を含有することができる。反射防止層１３の膜厚は、露光工程においてマスクとして用いられる際の露光波長（波長領域は３６５～４３６ｎｍ）、および、露光波長に規定される必要な光学濃度、反射率等により設定される。
反射防止層１３Ｂとしては、反射防止層１３Ａと同等の層構成とされている。
また、反射防止層１３Ｂとしては、反射防止層１３Ｂの屈折率と遮光層１１Ｂの屈折率との差を大きくすることで反射率を低減することが可能となる。
このため、反射防止層１３Ｂとして用いられる酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜において、波長３６５～４３６ｎｍにおける屈折率が２．５以下、消衰係数が１．０以下であることが望ましい。
また、反射防止層１３Ｂとしては、反射防止層１３Ｂの屈折率と遮光層１１Ｂの屈折率との差を大きくすることで反射率を低減することが可能となる。
このため、反射防止層１３Ｂとして用いられる酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜において、波長３６５～４３６ｎｍにおける屈折率が２．５以下、消衰係数が１．０以下であることが望ましい。
あるいは、反射防止層１３Ｂは、厚み２５ｎｍ程度より大きく設定されることができる。また、反射防止層１３Ｂの膜厚は１５～４０ｎｍであることが望ましい。
同時に、反射防止層１３Ｂの反射率を５％程度より小さく設定するために、酸素含有率も所定範囲とされることが必要である。具体的には、酸素含有率が３０ａｔｍ％程度、あるいはそれ以上の酸素含有率となるように設定される。さらに、反射防止層１３Ｂとして用いられるクロムニウム膜に含まれる酸素濃度は５０％以上であることが望ましい。
低酸素濃度領域となる遮光層１１Ｂと高酸素領域となる反射防止層１３Ｂとにおいては、これらの界面を形成するように成膜される。
ここで、本実施形態のマスクブランクスＭＢにおける反射率は、図５に示した第1実施形態と同様に、遮光層１１Ｂの厚さによって変動する。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、遮光層１１Ｂの厚さを２０ｎｍ以上に設定することが必要である。ここで、ガラス基板Ｓ側からの反射率の測定波長は、図５と同様に４０５ｎｍである。
また、本実施形態のマスクブランクスＭＢにおける反射率は、図６に示した第1実施形態と同様に、反射防止層１３Ｂの厚さによって変動する。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、反射防止層１３Ｂの厚さを規定することが必要である。図６に示した第1実施形態と同様に、遮光層１１Ｂの膜厚は５０ｎｍであり、反射率の測定波長は４０５ｎｍである。したがって、５％程度以下となる低反射率を実現するためには、反射防止層１３Ｂの厚さが２７ｎｍ付近となるように設定することが必要である。
本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ，１１Ｂにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。
図１３は、反射防止層が両面に設けられ、遮光層が一層として形成されたマスクの例を示す断面図である。
ここで、図１２に示した例と同様に、図１３に示すように、遮光層１１が一層として形成された場合を考える。
ここで、図１２に示した例と同様に、図１３に示すように、遮光層１１が一層として形成された場合を考える。
この場合、図１３に示すように、一層である遮光層１１では、ウェットエッチングされた際に、透過領域の側面部分が、奥行き方向ｓｓに過剰にエッチングされてしまい、遮光層１１の側面部分に凹部Ｘが形成されて形成されてしまう。この状態が、パターン形状の悪化の発生した状態である。
これに対して、本実施形態のマスクブランクスＭＢあるいは、マスクＭにおいては、エッチングレート低減層１２が、遮光層１１Ａ，１１Ｂよりも酸素濃度、炭素濃度が高くエッチングレートが低い状態、つまり、反射防止層１３Ａ，１３Ｂとほぼ同じエッチングレートを有する状態とされている。これにより、遮光層１１Ａ，１１Ｂの合計厚さにおける中央位置で、奥行き方向ｓｓにおけるエッチングレート低減層１２のエッチング量は、反射防止層１３のエッチング量とほぼ同じとなる。
また、遮光層１１Ａ，１１Ｂとして厚さ方向に分断されており、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの間に、エッチングレート低減層１２が設けられていることで、遮光層１１Ａにおける奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
同様に、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ｂとの界面付近において、遮光層１１Ｂが奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
同様に、エッチングレート低減層１２と遮光層１１Ｂとの界面付近において、遮光層１１Ｂが奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。
同時に、図１３に示した一層の遮光層１１とされた場合に比べて、遮光層１１Ａ，１１Ｂが厚さ方向に分断され、これらの遮光層１１Ａ，１１Ｂの間に、エッチングレート低減層１２が設けられていることで、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの厚さ方向寸法が小さくなる。これにより、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂにおける奥行き方向ｓｓのエッチング量をそれぞれ抑制することができる。
特に、遮光層１１Ａが、厚さ方向寸法を小さく設定されるとともに、遮光層１１Ｂよりも酸素濃度、炭素濃度が多少高く設定されて、遮光層１１Ｂよりエッチングレートが多少低い状態として設定されている。これにより、エッチング液に曝される時間が遮光層１１Ｂより長い遮光層１１Ａにおいて、奥行き方向ｓｓのエッチング量を抑制することができる。つまり、遮光層１１Ａにおける奥行き方向ｓｓにおける凹部Ｘの寸法と、遮光層１１Ｂにおける奥行き方向ｓｓにおける凹部Ｘの寸法と、がほぼ同じ値に設定することができる。これにより、遮光層１１Ａおよび遮光層１１Ｂの厚さ方向の位置による形状の差を低減することができる。
これらにより、図１３に示すように、遮光層１１Ａ，１１Ｂが合計された膜厚で連続している場合に比べて、奥行き方向ｓｓに形成される凹部Ｘの影響を削減して、透過領域におけるパターンの側面となる部分を垂直に近い形状に形成することがきる。
なお、本実施形態における反射率は、反射防止層１３Ａ側から照射された光と、ガラス基板Ｓを透過した光とに対して、いずれも所定値に設定することができる。つまり、本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、両面反射率を５％程度以下に設定することができる。
本実施形態においては、上述した実施形態と同等の効果を奏することができる。
以下、本発明に係るマスクブランクス、マスクの第６実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１１は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第５実施形態と異なるのは、反射防止層の層数に関する点であり、これ以外の上述した第５実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
図１１は、本実施形態におけるマスクブランクスを示す断面図であり、本実施形態において、上述した第５実施形態と異なるのは、反射防止層の層数に関する点であり、これ以外の上述した第５実施形態と対応する構成には同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、図１１に示すように、透明基板（ガラス基板）Ｓと、この透明基板Ｓの上に形成された反射防止層１３Ｂと、反射防止層１３Ｂと、反射防止層１３Ｂの上に形成された遮光層１１Ｃと、遮光層１１Ｃの上に形成されたエッチングレート低減層１２Ｂと、エッチングレート低減層１２Ｂの上に形成された遮光層１１Ｂと、遮光層１１Ｂの上に形成されたエッチングレート低減層１２Ａと、エッチングレート低減層１２Ａの上に形成された遮光層１１Ａと、遮光層１１Ａの上に形成された反射防止層１３Ａと、で構成される。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、両面に反射防止層１３Ａ，１３Ｂが形成されて、その間の遮光層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって、厚さ方向に３つに分断されている。
つまり、本実施形態に係るマスクブランクスＭＢは、両面に反射防止層１３Ａ，１３Ｂが形成されて、その間の遮光層１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃが、エッチングレート低減層１２Ａ，１２Ｂによって、厚さ方向に３つに分断されている。
本実施形態においても、マスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、所望の光学仕様（光学特性）を満たした状態で、遮光層１１Ａ～１１Ｃにおける凹部Ｘが大きく形成されることがない。
また、本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、両面反射率を５％程度以下に設定することができる。
また、本実施形態にかかるマスクブランクスＭＢから製造されたマスクＭは、両面反射率を５％程度以下に設定することができる。
本実施形態においては、上述した実施形態と同等の効果を奏することができる。
以下、本発明にかかる実施例を説明する。
＜実験例１＞
まず、実験例１として、図１３に示したマスクに対応して、両面に反射防止層を設け、遮光層が複数層に分断されていないマスクブランクスを製造した。
まず、実験例１として、図１３に示したマスクに対応して、両面に反射防止層を設け、遮光層が複数層に分断されていないマスクブランクスを製造した。
まず、マスクを形成するためのガラス基板上に、ガラス裏面からの反射率を低減するために反射防止層を形成する。この際に形成する反射防止層はクロムニウム、酸素、窒素、炭素等を含有する膜であることが望ましい。反射防止層としてはクロムニウム、酸素、窒素、炭素の組成と膜厚を制御することで所望の反射率を有する反射防止層を形成することが可能である。
ＦＰＤの露光工程に用いられる光の波長領域は３６５～４３６ｎｍであるので、この領域の波長における反射率を低減することが求められる。反射防止層としては、反射防止層の屈折率と遮光層の屈折率との差を大きくすることで反射率を低減することが可能となる。
そのため、反射防止層として用いられる酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜の波長３６５～４３６ｎｍにおける屈折率は２．５以下であり、消衰係数は１．０以下であることが望ましい。また、反射防止層の膜厚は１５～４０ｎｍであることが望ましい。反射防止層として用いられるクロムニウム膜に含まれる酸素濃度は５０％以上であることが望ましい。
その後、遮光層を酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いて形成する。この際に光学濃度を高めるために遮光層の膜厚は１００ｎｍ以上の膜厚であることが望ましい。
その後、先に記載した酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いた反射防止層と同様の膜を遮光層の上に形成する。
このとき、ＯＤ値を５程度に設定した。
その後、先に記載した酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いた反射防止層と同様の膜を遮光層の上に形成する。
このとき、ＯＤ値を５程度に設定した。
このようにして形成したマスクブランクスを用いて、マスクを形成する。
＜実験例２＞
次に、実験例２として、図１０に示すように、両面に反射防止層を設け、遮光層が二層に分断されたマスクブランクスを製造した。
このように、遮光層を３層化して酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を１層形成したマスクブランクスを用いて、マスクを形成する。
次に、実験例２として、図１０に示すように、両面に反射防止層を設け、遮光層が二層に分断されたマスクブランクスを製造した。
このように、遮光層を３層化して酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を１層形成したマスクブランクスを用いて、マスクを形成する。
＜実験例３＞
さらに、実験例３として、図１１に示すように、両面に反射防止層を設け、遮光層が３層に分断されたマスクブランクスを製造した。
このように、遮光層を５層化して酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を２層形成したマスクブランクスを用いて、マスクを形成する。
さらに、実験例３として、図１１に示すように、両面に反射防止層を設け、遮光層が３層に分断されたマスクブランクスを製造した。
このように、遮光層を５層化して酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を２層形成したマスクブランクスを用いて、マスクを形成する。
上記の実験例１～３について、マスクブランクスにおけるＯＤ値、および、反射率を測定した。その結果を表１に示す。
表において、膜面反射率は、最上位置に積層された反射防止層１３Ａ側での反射率測定、ガラス面反射率は、ガラス基板Ｓを透過した際の反射率の測定結果を示している。
この結果から、実験例１～３のマスクでは、いずれも、反射率と光学濃度については、所望の特性を満たすことが可能なことがわかる。
この結果から、実験例１～３のマスクでは、いずれも、反射率と光学濃度については、所望の特性を満たすことが可能なことがわかる。
上記の実験例１～３について、マスクにおける断面を撮影した。その結果を図１４～図１６に示す。図１４～図１６において、いずれも、ＳＥＭ映像である。
実験例１のマスクでは、マスクの断面形状が、図１４に示すように、遮光層の部分が大きくエッチングされた形状になってしまう。
これは、ウェットエッチングの際のエッチングレートが反射防止層と遮光層で大きく異なるために生じる。
これは、ウェットエッチングの際のエッチングレートが反射防止層と遮光層で大きく異なるために生じる。
実験例２のマスクでは、図１５に示すように、遮光層中に酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を１層形成することでマスクの断面形状が改善できていることがわかる。
これは酸素濃度と炭素濃度を高めることで、この領域（エッチングレート低減層）のエッチングレートを低減することが可能であり、従来問題となっていた膜厚中央部の過剰なエッチングを抑制することができるためである。
これは酸素濃度と炭素濃度を高めることで、この領域（エッチングレート低減層）のエッチングレートを低減することが可能であり、従来問題となっていた膜厚中央部の過剰なエッチングを抑制することができるためである。
実験例３のマスクでは、図１６に示すように、遮光層中に酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を２層形成することでマスクの断面形状が、さらに改善できていることがわかる。
これは酸素濃度と炭素濃度を高めることで、この領域（エッチングレート低減層）のエッチングレートを低減することが可能であり、従来問題となっていた膜厚中央部の過剰なエッチングを、よりいっそう抑制することができるためである。
これは酸素濃度と炭素濃度を高めることで、この領域（エッチングレート低減層）のエッチングレートを低減することが可能であり、従来問題となっていた膜厚中央部の過剰なエッチングを、よりいっそう抑制することができるためである。
また、これらの実験例１～３について、組成分析をおこなった。その結果を図１７～図１９に示す。
ここでは、組成分析はオージェ電子分光法を用いて行った。図１７～図１９において、いずれも、縦軸は、各組成の濃度（ａｔｍ％）、横軸は、表面からの距離（深さ）を意味するスパッタリング時間である。なお、図１７～図１９において、左がスパッタリングを開始した表面側、右がガラス基板側を示している。
ここでは、組成分析はオージェ電子分光法を用いて行った。図１７～図１９において、いずれも、縦軸は、各組成の濃度（ａｔｍ％）、横軸は、表面からの距離（深さ）を意味するスパッタリング時間である。なお、図１７～図１９において、左がスパッタリングを開始した表面側、右がガラス基板側を示している。
実験例１のマスクブランクスでは、図１７に示すように、厚さ方向の表面側に酸素濃度の高い反射防止層が形成され、厚さ方向の中央位置にＣｒ濃度が高い遮光層が形成され、厚さ方向で右側にまた酸素濃度の高い反射防止層が形成されていることがわかる。
実験例２のマスクブランクスでは、図１８に示すように、厚さ方向の表面側に酸素濃度の高い反射防止層が形成され、厚さ方向の中央位置にＣｒ濃度が高い遮光層が形成され、厚さ方向で右側にまた酸素濃度の高い反射防止層が形成されていることがわかる。
また、実験例２のマスクブランクスでは、図１８に示すように、膜厚中央部に酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）が形成されているおり、遮光層を３層に分割したことが確認できる。
さらに、実験例２のマスクブランクスでは、図１８に示すように、遮光層において、ガラス基板側から表面側に向けて、酸素濃度、および炭素濃度がいずれもエッチングレート低減層を挟んで段階的に増加するように形成されていることがわかる。
また、実験例２のマスクブランクスでは、図１８に示すように、膜厚中央部に酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）が形成されているおり、遮光層を３層に分割したことが確認できる。
さらに、実験例２のマスクブランクスでは、図１８に示すように、遮光層において、ガラス基板側から表面側に向けて、酸素濃度、および炭素濃度がいずれもエッチングレート低減層を挟んで段階的に増加するように形成されていることがわかる。
実験例３のマスクブランクスでは、図１９に示すように、厚さ方向の表面側に酸素濃度の高い反射防止層が形成され、厚さ方向の中央位置にＣｒ濃度が高い遮光層が形成され、厚さ方向で右側にまた酸素濃度の高い反射防止層が形成されていることがわかる。
また、実験例３のマスクブランクスでは、図１９に示すように、２層目と４層目に酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）が形成されているおり、遮光層を５層に分割したことが確認できる。
さらに、実験例３のマスクブランクスでは、図１９に示すように、遮光層において、ガラス基板側から表面側に向けて、酸素濃度、および炭素濃度がいずれもエッチングレート低減層を挟んで段階的に増加するように形成されていることがわかる。
また、実験例３のマスクブランクスでは、図１９に示すように、２層目と４層目に酸素濃度と炭素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）が形成されているおり、遮光層を５層に分割したことが確認できる。
さらに、実験例３のマスクブランクスでは、図１９に示すように、遮光層において、ガラス基板側から表面側に向けて、酸素濃度、および炭素濃度がいずれもエッチングレート低減層を挟んで段階的に増加するように形成されていることがわかる。
これらの結果から、遮光層中に酸素濃度の高い領域（エッチングレート低減層）を形成することで、パターン形状悪化の問題を解決できることを見出した。
本発明においては、図１６，図１９に示すように、遮光層を５層に分割した構成を例示したが、遮光層の分割数は７以下とすることが好ましい。ここで、エッチングレート低減層を３層形成することは可能であるが、遮光層の分割数は５以下、つまり、エッチングレート低減層を２層形成する構成とすることがより好ましい。これは、光路長から要請される遮光層の膜厚に対して、分割数が多くなりすぎると、各層を良好に形成することが難しくなるからである。
本発明の活用例として、高精細フラットパネルディスプレイ用のマスクブランクスおよびマスクを挙げることができる。
Ｍ…マスク（フォトマスク）
ＭＢ…マスクブランクス
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…遮光層
１１Ａａ，１１Ｂａ…遮光パターン
１２，１２Ａ，１２Ｂ…エッチングレート低減層
１３，１３Ａ，１３Ｂ…反射防止層
Ｓ…ガラス基板（透明基板）
Ｘ…凹部
ＭＢ…マスクブランクス
１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ…遮光層
１１Ａａ，１１Ｂａ…遮光パターン
１２，１２Ａ，１２Ｂ…エッチングレート低減層
１３，１３Ａ，１３Ｂ…反射防止層
Ｓ…ガラス基板（透明基板）
Ｘ…凹部
Claims (8)
- 透明基板と、
前記透明基板の上に形成された反射防止層と、
前記反射防止層の上に形成されクロムを主成分とする遮光層と、
前記遮光層に接して形成されクロムを主成分とする反射防止層と、
前記遮光層よりもエッチングレートが低減されて前記反射防止層と厚さ方向に接しない位置で前記遮光層を厚さ方向に分割するエッチングレート低減層と、
を有し、
露光光の波長λが３６５ｎｍ～４３６ｎｍの範囲で使用され、
ＯＤ値が５よりも高く、反射率が５％よりも低く設定され、
前記エッチングレート低減層が、前記遮光層の厚さ方向に一層または二層設けられて前記遮光層よりも高い酸素濃度とされるとともに前記遮光層よりも高い炭素濃度とされ、
前記反射防止層と接している前記遮光層において、前記エッチングレート低減層までの膜厚が、前記波長λが４０５ｎｍの場合に、前記波長λに対してλ＊２０／４０５ｎｍ以上に設定され、
前記エッチングレート低減層によって厚さ方向に分割された前記遮光層の分割数に応じて、前記遮光層の側面から奥に向けた前記透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を削減する、
ことを特徴とするマスクブランクス。 - 前記遮光層の酸素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の酸素濃度に比べて高くなるように設定されるとともに、
前記遮光層の炭素濃度が、膜厚方向の前記透明基板側に接する前記エッチングレート低減層よりも、さらに、前記透明基板側に位置する前記遮光層の炭素濃度に比べて高くなるように設定され、
前記遮光層の側面から奥に向けた前記透明基板の表面と平行な方向に対するエッチング量を、前記エッチングレート低減層によって分割されて前記透明基板との距離である厚さ方向の位置が異なる前記遮光層でそれぞれ均等化する、
ことを特徴とする請求項１記載のマスクブランクス。 - 前記エッチングレート低減層の組成が、酸素濃度が２０％以上、炭素濃度は３０％以上である、
ことを特徴とする請求項１または２記載のマスクブランクス。 - 前記遮光層が、酸素と窒素と炭素を含有するクロムニウム膜を用いて形成され、
厚さ方向に分割された前記遮光層の合計膜厚は１００ｎｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか記載のマスクブランクス。 - 前記反射防止層の膜厚が、前記波長λが４０５ｎｍの場合に、前記波長λに対してλ＊２５／４０５～λ＊３０／４０５、または、λ＊９５／４０５～λ＊１００／４０５の範囲に設定されることを特徴とする請求項１から４のいずれか記載のマスクブランクス。
- 前記透明基板との距離が異なる複数層の前記エッチングレート低減層では、
前記透明基板との距離に応じた前記エッチングレート低減層の膜厚が、前記反射防止層から前記透明基板に向けて増加される、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか記載のマスクブランクス。 - 前記反射防止層の酸素濃度は５０％以上である、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか記載のマスクブランクス。 - 請求項１から７のいずれかに記載されたマスクブランクスを用いて製造されたことを特徴とするマスク。
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