JPH05311425A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH05311425A JPH05311425A JP11905892A JP11905892A JPH05311425A JP H05311425 A JPH05311425 A JP H05311425A JP 11905892 A JP11905892 A JP 11905892A JP 11905892 A JP11905892 A JP 11905892A JP H05311425 A JPH05311425 A JP H05311425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- introducing
- substrate
- gas introduction
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反応性スパッタリングにおいて、基板の全面
にわたって均一な組成、従って均一な特性の薄膜を形成
する。 【構成】 スパッタリングを行わせるための真空容器１
内へガスを導入するためのガス導入管３に設けられたガ
ス導入穴５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄの大きさが、その設け
られている位置によって変えられている。
にわたって均一な組成、従って均一な特性の薄膜を形成
する。 【構成】 スパッタリングを行わせるための真空容器１
内へガスを導入するためのガス導入管３に設けられたガ
ス導入穴５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄの大きさが、その設け
られている位置によって変えられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置、
特にスパッタ装置に関するものである。
特にスパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング法による薄膜形成装置は
真空容器中にＡｒなどのガスを導入し、減圧雰囲気中で
放電を起こし、ターゲット材をスパッタし、スパッタさ
れたターゲット構成物質を基板に堆積して薄膜を形成す
る装置である。
真空容器中にＡｒなどのガスを導入し、減圧雰囲気中で
放電を起こし、ターゲット材をスパッタし、スパッタさ
れたターゲット構成物質を基板に堆積して薄膜を形成す
る装置である。
【０００３】反応性スパッタリングは容器内にターゲッ
ト材と反応させたいガスをわずかに導入し、Ａｒと混合
させてスパッタを行い、ターゲットから離脱した物質が
基板に堆積する前にガスと反応させ、反応生成物を基板
上に堆積させる方法である。
ト材と反応させたいガスをわずかに導入し、Ａｒと混合
させてスパッタを行い、ターゲットから離脱した物質が
基板に堆積する前にガスと反応させ、反応生成物を基板
上に堆積させる方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ターゲットおよび基板
をその内部に設置し、スパッタリングを行わせるための
真空容器にはガス導入口と排気口が設置されている。従
来のこの種の装置ではガス導入口と排気口の位置関係に
より容器内にガスの一方向の流れができている。そのた
め、反応性スパッタリングを行うと、この流れの方向に
対応して基板上の堆積物の組成が変化し、従って基板上
に形成された膜の特性は均一でなく、片流れと呼ばれる
分布を生じてしまう。
をその内部に設置し、スパッタリングを行わせるための
真空容器にはガス導入口と排気口が設置されている。従
来のこの種の装置ではガス導入口と排気口の位置関係に
より容器内にガスの一方向の流れができている。そのた
め、反応性スパッタリングを行うと、この流れの方向に
対応して基板上の堆積物の組成が変化し、従って基板上
に形成された膜の特性は均一でなく、片流れと呼ばれる
分布を生じてしまう。
【０００５】本発明は、このような従来の問題を解決
し、反応性スパッタリングにおいて基板の全面にわたっ
て均一な組成、従って均一な特性の薄膜を形成すること
のできる装置を提供することを目的とする。
し、反応性スパッタリングにおいて基板の全面にわたっ
て均一な組成、従って均一な特性の薄膜を形成すること
のできる装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、スパッタリングを行わせるため
の真空容器内へガスを導入するためのガス導入管に設け
られたガス導入穴の大きさが、その設けられている位置
によって変えられている。
に、本発明においては、スパッタリングを行わせるため
の真空容器内へガスを導入するためのガス導入管に設け
られたガス導入穴の大きさが、その設けられている位置
によって変えられている。
【０００７】
【作用】位置によって大きさの異なるガス導入穴を有す
るガス導入管を使用し、導入管に開けられた導入穴の大
きさを装置にあわせて調整することにより、容器内のタ
ーゲットと基板間のガスの流れに方向性をもたせないよ
うにすることが可能となる。これにより反応性スパッタ
リングを行った場合、スパッタターゲットからの物質と
ガスとの反応がガスの流れに大きな影響を受けなくな
り、均一に反応するようになる。よって基板に堆積した
堆積物の組成も均一になり特性の片流れ分布が緩和され
る。
るガス導入管を使用し、導入管に開けられた導入穴の大
きさを装置にあわせて調整することにより、容器内のタ
ーゲットと基板間のガスの流れに方向性をもたせないよ
うにすることが可能となる。これにより反応性スパッタ
リングを行った場合、スパッタターゲットからの物質と
ガスとの反応がガスの流れに大きな影響を受けなくな
り、均一に反応するようになる。よって基板に堆積した
堆積物の組成も均一になり特性の片流れ分布が緩和され
る。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】図１は本発明によるスパッタ装置の実施例
を説明するための上面図である。排気口２を有する真空
容器１内にガス導入管３が設置されている。反応性ガス
はＡｒとともに導入口４からガス導入管３に導入され、
ガス導入穴５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄから真空容器１内に
導入され、図示を省略したターゲットからスパッタされ
たターゲット構成物質と反応し、図示を省略した基板上
に堆積する。真空容器１内は排気口２より排気され、一
定の減圧条件に保たれる。
を説明するための上面図である。排気口２を有する真空
容器１内にガス導入管３が設置されている。反応性ガス
はＡｒとともに導入口４からガス導入管３に導入され、
ガス導入穴５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄから真空容器１内に
導入され、図示を省略したターゲットからスパッタされ
たターゲット構成物質と反応し、図示を省略した基板上
に堆積する。真空容器１内は排気口２より排気され、一
定の減圧条件に保たれる。
【００１０】本発明においては、ガス導入管３に設けら
れている複数のガス導入穴の直径あるいは大きさを変化
させている。図２はガス導入穴を説明するために、ガス
導入管３を仮りに直線状に延長したものとして示したも
のである。図１および図２に示すように、ガス導入穴の
直径はそれが設けられた位置によって変化している。本
実施例においては、ガスの流れの上流から下流に向っ
て、またはガス真空容器内にガスが導入される位置が排
気口に近づくに従って、順次、ガス導入穴の直径を大き
くしてある。さらに本実施例においては、ガス導入管３
は真空容器に沿ってコ字状に形成されている。このよう
にガス導入穴の大きさをその位置によって調整すること
によって、真空容器１内の全域にわたって同一流量の反
応ガスを供給することができる。また、ガスは特定の一
方向に沿って流れることがない。従って真空容器内の位
置にかかわらずターゲットからスパッタされた物質とガ
スとの反応が均一に生じ、基板に堆積した膜の組成は均
一であり、その特性にいわゆる片流れ分布は生じない。
れている複数のガス導入穴の直径あるいは大きさを変化
させている。図２はガス導入穴を説明するために、ガス
導入管３を仮りに直線状に延長したものとして示したも
のである。図１および図２に示すように、ガス導入穴の
直径はそれが設けられた位置によって変化している。本
実施例においては、ガスの流れの上流から下流に向っ
て、またはガス真空容器内にガスが導入される位置が排
気口に近づくに従って、順次、ガス導入穴の直径を大き
くしてある。さらに本実施例においては、ガス導入管３
は真空容器に沿ってコ字状に形成されている。このよう
にガス導入穴の大きさをその位置によって調整すること
によって、真空容器１内の全域にわたって同一流量の反
応ガスを供給することができる。また、ガスは特定の一
方向に沿って流れることがない。従って真空容器内の位
置にかかわらずターゲットからスパッタされた物質とガ
スとの反応が均一に生じ、基板に堆積した膜の組成は均
一であり、その特性にいわゆる片流れ分布は生じない。
【００１１】図１，図２に示した装置は本発明の一例に
すぎず、真空容器の形状、導入管の形状によりガス導入
穴の位置、大きさがかわり各装置に最適化されたものが
用いられることはいうまでもない。
すぎず、真空容器の形状、導入管の形状によりガス導入
穴の位置、大きさがかわり各装置に最適化されたものが
用いられることはいうまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればガ
ス導入管の位置によりガス導入穴の大きさが異なるた
め、各位置での反応ガスの導入量が変えられる。これに
より各真空容器の形状に適合させてガス導入穴の位置、
大きさを決めることにより、容器内のガスの状態を均一
にすることができる。このようにして容器内のガスの状
態を均一化することにより反応性スパッタリングを行っ
た場合、堆積する反応物質の膜質も均一になり特性に片
流れ分布が現れない。
ス導入管の位置によりガス導入穴の大きさが異なるた
め、各位置での反応ガスの導入量が変えられる。これに
より各真空容器の形状に適合させてガス導入穴の位置、
大きさを決めることにより、容器内のガスの状態を均一
にすることができる。このようにして容器内のガスの状
態を均一化することにより反応性スパッタリングを行っ
た場合、堆積する反応物質の膜質も均一になり特性に片
流れ分布が現れない。
【図１】本発明によるスパッタ装置の実施例を説明する
模式的上面図である。
模式的上面図である。
【図２】本発明によるガス導入管を説明する模式的側面
図である。
図である。
１ 真空容器 ２ 排気口 ３ ガス導入管 ４ 導入口 ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ ガス導入穴
Claims (1)
- 【請求項１】 反応性スパッタリングにより基板上に薄
膜を形成する半導体装置の製造装置において、スパッタ
リングを行わせる真空容器内へガスを導入するためのガ
ス導入管に設けられたガス導入穴が、該ガス導入穴が設
けられている位置によって異なる大きさを有することを
特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905892A JPH05311425A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11905892A JPH05311425A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311425A true JPH05311425A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14751866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11905892A Pending JPH05311425A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05311425A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10212575A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
| US7141145B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-11-28 | Seagate Technology Llc | Gas injection for uniform composition reactively sputter-deposited thin films |
| WO2009066390A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| JP2009266909A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
| US20120024693A1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-02-02 | White John M | Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes |
| JP2013163841A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Jtekt Corp | 炭素膜成膜装置および炭素膜成膜方法 |
| US8663432B2 (en) | 2008-02-13 | 2014-03-04 | Shibaura Mechatronics Corporation | Magnetron sputtering apparatus and magnetron sputtering method |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP11905892A patent/JPH05311425A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10212575A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Sony Corp | スパッタリング装置 |
| US7141145B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-11-28 | Seagate Technology Llc | Gas injection for uniform composition reactively sputter-deposited thin films |
| US20120024693A1 (en) * | 2006-04-06 | 2012-02-02 | White John M | Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes |
| US8574411B2 (en) * | 2006-04-06 | 2013-11-05 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputtering chamber with gas distribution tubes |
| WO2009066390A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| US8663432B2 (en) | 2008-02-13 | 2014-03-04 | Shibaura Mechatronics Corporation | Magnetron sputtering apparatus and magnetron sputtering method |
| JP2009266909A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Lintec Corp | シート貼付装置及び貼付方法 |
| JP2013163841A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Jtekt Corp | 炭素膜成膜装置および炭素膜成膜方法 |
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