CN112981316A - 相移反位膜掩模基版的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，制作方法包括步骤：提供透明基板；在透明基板上沉积相移反位膜；在相移反位膜上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜；相移反位膜、遮光膜及防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现相移反位膜、遮光膜及防反射膜的沉积。本发明可以精细地控制钼硅及铬沉积量及控制靶材溅射出来的颗粒数，从而大大提高相移反位膜、遮光膜及防反射膜的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜的透过率及产生180度相移变化。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种相移反位膜掩模基版的制作方法。
背景技术
半导体和平板显示器制造过程中为形成精细的线路图案，通常使用光掩模版和光刻技术形成母模。该光掩模版是在掩模基版上形成精细的线路图案。该掩模基版是在石英基板上形成多层铬薄膜以及在多层铬膜上涂有光刻胶后形成掩模基版的制造。近几年来随着半导体集成电路的高度集成化和设计的细微化，形成图型的光掩膜版路线也趋向高精度、精细化的方向。
为了在半导体集成电路中形成更精细的图案，需要高的图案分辨率(resolution)，提高分辨率可以采用缩短光源波长和放大镜头口径的方法。提高分辨率时光源的波长会以g-line(436nm)、i-line(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)逐渐缩短，相对镜头的口径会以0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9的逐渐变大。
光源的波长缩短和镜头口径放大的方式会提高图案分辨率，但是镜头的焦点难聚焦的问题会使分辨率具有局限性。所以相移反位膜掩模(Phase Shift Photomask)比二元掩膜(Binary Photomask)具有更高的分辨率使用在更高要求的半导体光刻工艺中。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，用于解决现有技术中溅射均匀性较差及异常放电导致的颗粒增加的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，所述制作方法包括步骤：提供透明基板；在所述透明基板上沉积相移反位膜；在所述相移反位膜上沉积遮光膜；在所述遮光膜上沉积防反射膜；所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜的沉积。
可选地，在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。
可选地，所述相移反位膜包括氮硅化钼膜，其透过率介于0～50％，相移角为175度～185度。
可选地，所述氮硅化钼膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对钼硅靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述透明基板上形成透过率均匀的相移反位膜。
可选地，形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。
可选地，形成所述氮硅化钼膜的方法包括磁控溅射工艺，其真空度为1～5mTorr，电力功率为0.5～2KW，所形成的氮硅化钼膜的透过率为0～30％。
可选地，所述遮光膜包括氮化铬膜，所述遮光膜形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述相移反位膜上形成遮光膜。
可选地，形成所述遮光膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。
可选地，所述防反射膜包括氮氧化铬膜，所述氮氧化铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体，以在所述遮光膜上形成防反射膜。
可选地，形成所述氮氧化铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的一氧化氮。
可选地，所述防反射膜包括碳氮氧铬膜，所述碳氮氧铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体及二氧化碳，以在所述遮光膜上形成防反射膜。
可选地，形成所述碳氮氧铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气、1～50sccm的一氧化氮及1～10sccm的二氧化碳。
可选地，所述相移反位膜的相移均匀度小于0.5％，透过率均匀度小于1.5％。
如上所述，本发明的相移反位膜掩模基版的制作方法，具有以下有益效果：
本发明提供了一种使用小分子量的氦气作为放电气体的相移反位膜掩模基版的制作方法，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，小分子量的氦气的加入相当于降低了等离子体密度，氦气与氩气共同轰击靶材，可以精细地控制钼硅及铬沉积量，从而大大提高相移反位膜、遮光膜及防反射膜的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜的透过率及产生180度相移变化。另一方面，氦气与氩气共同轰击靶材，小分子量的氦气的加入相当于降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒数，提高相移反位膜掩模基版的制造良率。
附图说明
图1～图5显示为本发明实施例的相移反位膜掩模基版的制作方法各步骤所呈现的结构示意图。
图6显示为本发明实施例在透明基板上形成透过率0～50％的相移反位膜的相移光掩模版光学特性图。
图7显示为比对本发明实施例的相移反位膜掩膜板和二元掩膜分辨率差异图。
图8显示为本发明实施例在透明基板上形成的相移反位膜掩模基版的测量点示意图。
图9～图10显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜(MoSiN)的相移及透过率的测量图表。
图11～图12显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜(MoSiN)的相移及透过率的测量图表。
图13显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜(MoSiN)的颗粒的测量图表。
图14显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜(MoSiN)的颗粒的测量图表。
元件标号说明
101 透明基板
102 相移反位膜
103 遮光膜
104 防反射膜
105 光刻胶
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
形成相移反位膜薄膜需要物理气相溅射(Physical Vapor Deposition，PVD)方式中的溅射(Sputtering)工艺。溅射工艺是真空腔体(Vacuum Chamber)内溅射靶材(Sputtering Target)以硅化钼(MoSi)靶加上微量惰性气体：氩气(Ar)和活性气体：氮气(N2)、氧气(O2)、二氧化碳(CO2)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(N2O)、甲烷(CH4)等混合气体，施加电压力内形成等离子体(Plasma)进行溅射。
相移反位膜是通过氩气(Ar)和氮气(N2)形成的氮硅化钼(MoSiN)薄膜，氩气(Ar)和一氧化氮(NO)加上二氧化氮(N2O)形成氮氧硅化钼(MoSiON)薄膜，氩气(Ar)和二氧化碳(CO2)加上氮气(N2)形成碳氮氧硅化钼(MoSiCON)薄膜，氩气(Ar)和甲烷(CH4)加上氮气(N2)形成碳氮硅化钼(MoSiCN)薄膜。
相移反位膜薄膜的光学特性不仅随光源的波长长度而变化，而且还会有钼硅靶材的混合条件和溅射气体种类等薄膜的光学特性决定掩模基板内均匀的厚度和180度相移及透射率的变化。
在这种情况下，通过用Ar气对硅化钼(MoSi)进行轰击来将硅化钼材料沉积在基板上，该Ar气体是在硅化钼(MoSi)靶中具有足够能量的惰性气体，由于引入到真空室中的氩气(Ar)的与反应气体N2、O2、CH4、CO2、N2O、NO流量非常低，因此在等离子体中使用了具有大分子量的惰性气体，例如氩气(Ar)，由于趋向于增加等离子体密度和反应性气体的不均匀分布，因此难以精细地控制从其沉积的金属硅化物的沉积量。另外，当为了解决不均匀的薄膜厚度问题而增加氩(Ar)和反应性气体的增加引入量时，等离子体导致的钼化物靶的温度进一步升高，从而导致更频繁地发生电弧的问题。发生这种情况，并且限制氩气(Ar)和反应气体的流量以最大程度地减少异常放电导致颗粒增加，导致相变掩模基版和光掩模的质量差，因此很难形成均匀薄膜。
为了解决此类问题，溅射工艺时需加上分子量少的氦气(He)当放电气体。氩气和氦气分别作为主辅气体利用溅射设备的高输出电压解决基板均匀溅射及异常放电导致的颗粒问题。
如图1～图5所示，本实施例提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，所述制作方法包括步骤：
如图1所示，首先进行步骤1)，提供透明基板101。在本实施例中，所述透明基板101为透光适应基板，所述透光石英基板相对于光刻曝光光线具有80％以上的透射率，例如，所述透光石英基板相对于光刻曝光光线具有90％的透射率。
如图2所示，然后进行步骤2)，在所述透明基板101上沉积相移反位膜102。
如图3所示，接着进行步骤3)，在所述相移反位膜102上沉积遮光膜103。
如图4所示，然后进行步骤4)，在所述遮光膜103上沉积防反射膜104。
如图5所示，最后进行步骤5)，在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜104上涂覆光刻胶105的步骤。
在上述步骤2)、步骤3)及步骤4)中，所述相移反位膜102、所述遮光膜103及所述防反射膜104通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜102、所述遮光膜103及所述防反射膜104的沉积。
例如，在上述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于5％至95％之间，所述氦气的体积比介于5％至95％之间，例如，在一具体地的溅射沉积过程中，选用5～80sccm的氩气及5～80sccm的氦气共同对靶材进行轰击。为了进一步改进薄膜沉积的厚度均匀性，在本实施例中，所述溅射沉积工艺中，所述氩气的体积比介于50％至80％之间，所述氦气的体积比介于20％至50％之间。例如，在一个具体实施过程中，所述氩气的体积比为55％，所述氦气的体积比为45％；在另一具体实施过程中，所述氩气的体积比为65％，所述氦气的体积比为35％。本发明提供了一种使用小分子量的氦气作为放电气体的相移反位膜102掩模基版的制作方法，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，小分子量的氦气的加入相当于降低了等离子体密度，氦气与氩气共同轰击靶材，可以精细地控制钼硅及铬沉积量，从而大大提高相移反位膜102、遮光膜103及防反射膜104的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜102的透过率及产生180度相移变化。另一方面，氦气与氩气共同轰击靶材，小分子量的氦气的加入相当于降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒数，提高相移反位膜102掩模基版的制造良率。
在上述步骤2)中，所述相移反位膜102包括氮硅化钼膜，其透过率介于0～50％，相移角为175度～185度，优选地，所述相移角为180度。所述氮硅化钼膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对钼硅靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述透明基板101上形成透过率均匀的相移反位膜102。形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。优选地，形成所述氮硅化钼膜的方法包括磁控溅射工艺，其真空度为1～5mTorr，电力功率为0.5～2KW，所形成的氮硅化钼膜的透过率为0～30％。在一具体实施例中，形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括60sccm的氩气、20sccm的氦气及20sccm的氮气，真空度为2mTorr，电力功率为1.5KW。
在上述步骤3)中，所述遮光膜103包括氮化铬膜，所述遮光膜103形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述相移反位膜102上形成遮光膜103。优选地，形成所述遮光膜103时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。在一具体实施例中，形成所述遮光膜103时使用的混合气体包括：60sccm的氩气、20sccm的氦气及20sccm的氮气。
在上述步骤4)中，例如，所述防反射膜104可以为氮氧化铬膜，所述氮氧化铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体，以在所述遮光膜103上形成防反射膜104。优选地，形成所述氮氧化铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的一氧化氮。在一具体的实施例中，形成所述氮氧化铬膜时使用的混合气体包括：60sccm的氩气、20sccm的氦气及30sccm的一氧化氮。
又如，所述防反射膜104也可以为碳氮氧铬膜，所述碳氮氧铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体及二氧化碳，以在所述遮光膜103上形成防反射膜104。优选地，形成所述碳氮氧铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气、1～50sccm的一氧化氮及1～10sccm的二氧化碳。在一具体的实施例中，形成所述碳氮氧铬膜时使用的混合气体包括：60sccm的氩气、20sccm的氦气、20sccm的一氧化氮及5sccm的二氧化碳。
在本实施例中，依据上述方法获得的所述相移反位膜102的相移均匀度小于0.5％，透过率均匀度小于1.5％。
图6是本发明在透明基板101上形成透过率0～50％的相移反位膜102的相移光掩模版光学特性图。相移反位膜102的光学特性是根据光源波长的长度不同，膜的折射率和透过率也相应会不同，在测得膜的折射率和透过率之后，180度相移反位膜102的厚度(d)计算公式如下：
计算公式1：
其中，d代表产生180度相移差的相移反位膜102的厚度，λ代表透过光的波长长度，n代表相移反位膜102的折射率。由上述计算公式1可以看出，相移反位膜102的折射率(n)越大，180度相移反位膜102所需的薄膜厚度就会减小，有利于形成细微均匀的线路图案，相移反位膜102产生180度相移需要的厚度(d)，透过率是5～50％。
计算公式2：
其中，T代表相移反位膜102的透过率，d代表产生180度相移差的相移反位膜102薄膜厚度，λ代表透过光的波长长度，k代表相移反位膜102的吸收系数。
从计算公式1和计算公式2可以看出，当相移反位膜102的透过率和折射率根据使用的光源波长长度而改变时，相移反位膜102也会对应发生改变，从而形成所需求的更精准地透射率及180度相移的相移反位膜102。
图7是比对相移反位膜102掩膜板和二元掩膜分辨率差异图。如图7所示，相移反位光掩模版的透射光和非透射的光之间的相移差反位180度，本发明与二元掩模相比，图案分辨率高，可以形成精细的图案。
图8显示为本发明在透明基板101上形成的相移反位膜102掩模基版的测量点示意图。依据图8的测量点，图9～图10显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的相移及透过率的测量图表，图11～图12显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的相移及透过率的测量图表，由图12及图10对比可知，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的相移度均匀差范围为1.70度，均匀差百分比为0.47％，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的相移度误差范围为3.30度，误差百分比为0.91％有明显的改善。同时，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的透过率均匀差百分比为1.48％，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的透过率均匀差百分比为2.76％有明显的改善。
依据图8的测量点对5片掩模基板进行统计测量图13显示为仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的颗粒的测量图表，图14显示为导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的颗粒的测量图表，由图13及图14对比可知，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的颗粒(大于0.2μm的颗粒)平均数量为2.2，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的的颗粒(大于0.2μm的颗粒)平均数量为7有明显的改善，并且，本发明的采用导入惰性气体氩气(Ar)和氦气(He)的组合方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的较大颗粒(大于1μm的颗粒)平均数量为0.2，相比于仅用惰性气体氩气(Ar)的方法沉积相移反位膜102(MoSiN)的的较大颗粒(大于1μm的颗粒)平均数量为0.4有明显的减少，同时，本发明的总颗粒平均数量5.2比仅用惰性气体氩气(Ar)的方法的总颗粒平均数量13.6也大大减少。可见，本发明可以有效降低来自靶材的颗粒尺寸及数量。
如上所述，本发明的相移反位膜102掩模基版的制作方法，具有以下有益效果：
本发明提供了一种使用小分子量的氦气作为放电气体的相移反位膜102掩模基版的制作方法，通过将部分大分子量的氩气替换为小分子量的氦气对靶材进行轰击，一方面，小分子量的氦气的加入相当于降低了等离子体密度，氦气与氩气共同轰击靶材，可以精细地控制钼硅及铬沉积量，从而大大提高相移反位膜102、遮光膜103及防反射膜104的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜102的透过率及180度相移产生变化。另一方面，氦气与氩气共同轰击靶材，小分子量的氦气的加入相当于降低了轰击能量，可以避免靶材温度过高而产生异常放电的情况，从而控制靶材溅射出来的颗粒数，提高相移反位膜102掩模基版的制造良率。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (13)
1.一种相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
提供透明基板；
在所述透明基板上沉积相移反位膜；
在所述相移反位膜上沉积遮光膜；
在所述遮光膜上沉积防反射膜；
所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜的沉积。
2.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。
3.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述相移反位膜包括氮硅化钼膜，其透过率介于0～50％，相移角为175度～185度。
4.根据权利要求3所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述氮硅化钼膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对钼硅靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述透明基板上形成透过率均匀的相移反位膜。
5.根据权利要求4所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。
6.根据权利要求5所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮硅化钼膜的方法包括磁控溅射工艺，其真空度为1～5mTorr，电力功率为0.5～2KW，所形成的氮硅化钼膜的透过率为0～30％。
7.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述遮光膜包括氮化铬膜，所述遮光膜形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述相移反位膜上形成遮光膜。
8.根据权利要求7所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述遮光膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。
9.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述防反射膜包括氮氧化铬膜，所述氮氧化铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体，以在所述遮光膜上形成防反射膜。
10.根据权利要求9所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮氧化铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的一氧化氮。
11.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述防反射膜包括碳氮氧铬膜，所述碳氮氧铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体及二氧化碳，以在所述遮光膜上形成防反射膜。
12.根据权利要求11所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述碳氮氧铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气、1～50sccm的一氧化氮及1～10sccm的二氧化碳。
13.根据权利要求1～12任意一项所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述相移反位膜的相移均匀度小于0.5％，透过率均匀度小于1.5％。
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