TW417187B - Photomask blank, photomask, method for manufacturing photomask blank and photomask, and method for forming fine patterns - Google Patents

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經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 Α7 _Β7_五、發明說明（1 ) [技術領域] 本發明係關於在半導體積體電路裝置等之製造過程中細 微加工之際被用作光蝕刻法掩模之光蝕掩模，此光蝕掩横 之素材即光蝕掩横坯件，暨光蝕掩横之製造方法及光蝕掩 模坯件之製造方法者。 [背景技術] 目前在製造半導體稹體電路裝置之際，在配線及其他之 領域之形成步驟中應用光蝕刻技術。為在光蝕刻處理中被 用作曝光原版之光蝕掩模坯件，已知下述光蝕掩模坯件： 即具有一種在透明基板上形成有鉻<Cr)遮光膜之基本結構 之光蝕掩模坯件；或為了防止瞜光光媒所引起之遮光膜表 面上之反射*在該基本結構上積層有氧氮化珞（CrOH)膜等 之反射防止膜，因此具有複數層構造之光蝕掩模坯件。 在製造上述光蝕掩横坯件之場合，採用一種將透明基板 導人一配置有濺鍍標的物之真空室内而藉反懕性濺鍍法使 遮光膜形成於透明基板上之方法。在此種成瞑方法中，為 了提高光飩掩棋坯件之生產性，i"考慮的是，在提高濺鍍 電力之下施行成膜。但在提高濺鍍電力時，雖然成膜速度 (即堆積速度）會增加，但在標的物中有不純物存在之場合 ，所形成薄膜中之產生粒子之頻度則會增加，而有可能降 低良率（收獲率）。 於是，本荼發明人在利用高良率來提高生產性為目的之 下，關於為了降低成膜速度（即堆積速度）而降低濺鍍電力 之方法做過研究。但由此確定，若簞純為濺鍍條件，僅著 ： ： ^---------^---------線 (請先閲讀背面之注意事項Γκ寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS)Α4規格（210 X 297公釐） —4 —* 2 /IV 明說 明發五 Α7Β7 題 問 之 述 下 如 生 發 近 新 則 低 降 之 力 電 鍍 濺 率 功 於 艰 成 形 之 膜 薄 之 用 成 構 件 坯 模 掩 蝕 光 使 實 ί- 述 下 。 認 實確 I Ρ i- cm 之 薄產 之 * 上拉 板拖 基相 明互 透粒 於晶 積與 堆粒 常晶 通於 , 由 時 ’ 低之 降陲 自 . 各大 5變 速 膜 成 ( 晶 度之 速膜 會 y ΠΚ 粒 不薄 ί 系 定鉻 確在 未其 尚尤 前 ’ 目者 在再 理 。 機度 之速 力積 IIQl··'^-4^ 應 推 膜之 生膜 產於 。 因 力起 應其 膜想 之推 大可 很亦 生過 造 構 層 rc在 /C題 ΓΗ問 Γ-Ν 之 力 應 膜 如該 有， 具 合 ' 塌 如之 例 } (¢件 件坯 坯模 橫掩 掩蝕 蝕光 光之 之構 成結 構之 所ON 膜cr rr 夕 此 ο 明 査 被 實 ί 之 重 崖 嚴 加 更 得 變 層 成 ， 形合 於場 對之 力膜 應薄 膜系 ' 鉻 知在 得其 果尤 結。 之響 査影 調 之 考大 研很 等 有 cr人亦 之明料 大發材 最案膜 厚本之 膜攞膜 根 薄該 ------：---.-----裝--- (請先W讀背面之注意事項C寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 應力問題在鉻含碳之碳化鉻瞑或在鉻含氧之氧化鉻膜變得 更加嚴重之事實被確認。 在經過一連串製造過程所製成之包含具有如上逑膜應力 之薄膜而成之光蝕掩模坯件暨由光蝕掩模坯件之圖型化（ 形成圖型，Μ下皆同）所得之光蝕掩横中，會產生拉應力 ，而發生基板之翹曲。從而*若由此種光蝕掩模坯件製造 光蝕掩模，其圖型化之精度則無法達到所設計之程度，而 有可能生產不良品。即，在半導體積體電路裝置之製造上 ，配線設計很重要，若使用此種光蝕掩横將圈型轉印於半 導體晶片等之類*依照設計之圖型則不會形成於半導體晶 片（或同類）上，而成為電路動作不良之原因，因此，此種 光蝕掩橫無法被使用而成為不良品。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 5 - 五、發明說明（3 ) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於是，本案發明人關於光蝕掩模坯件之製造方法，可免 除如上述依照低電力濺鍍法之成膜條件下所形成之薄膜之 膜應力之問題者，做過研究。 構成光蝕掩模坯件之薄膜之膜質係根據濺鍍電力條件Μ 外之下述锻鍍條件所決定*因此本案發明人翮於各參數施 行研討及實驗。 首先，關於濺鍍用之氣體之壓力施行研討。此時，為濺 鍍條件，僅著眼於氣體壓力，而將其他參數設定為一定之 數值，Μ施行研討及實驗。 第11圈展示一特性圖，其表示*在透明基板上形成有 CrH/CrC/CrOK之光蝕掩摸坯件中，形成CrC時之氣體壓力 與起因於膜應力之基板翹曲度之變化量之闞係。在此，將 基板翹曲度之變化量設定為平坦度變化量，而將此平坦度 變化童設定為，在透明基板之平坦度當作初期值之下，該 初期值之平坦度與透明基板上形成薄瞑時之平坦度之差值 。平坦度變化量之符號為一（負）之場合表示拉應力變化， 而+(正）之場合表示壓締應力變化。又按，平坦度係利用 TR0PEL公司製品AS8010所測定者。依照該特性圖得知，氣 體壓力低者變化量小，氣體壓力高者變化量大（膜應力變 大即，根據此項研究結果確認下述事實：若提高氣體 壓力，堆積速度則變得太低，致使平坦度變化量變大（膜 應力變大），因此不合適*另若降低氣體壓力，成膜安定 性則會惡化，因此不合適。 其次，關於構成混合氣體之氣體種類施行研究。為濺鍍 ----^----1-----裝--------訂---------線 <請先閲讀背面之注意事項ί寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 r 417 187 A7 _B7_五、發明說明（4 ) 條件，使電力及氣題壓力均未變化*而僅著眼於氣體成分 之場合，設定其他參数為一定數值，而迆行實驗及研討。 一般而言，在控制膜應力之目的下，採取一種使反應性 氣體混合於惰性氣體中Μ作為濺鍍用之氣體之方法。本案 發明人等首先著眼於反應性氣體，例如為反應性氣體採用 氮氣Κ施行濺鍍。由其结果得知，氮氣虽太多時，由於異 常放電而產生粒子。從而確認，在反應性氣體氮氣導入之 際，由於導入摄有一限度*有必要使混合氣體之成分比率 (惰性氣體量與反應性氣體量之比率）適量化。例如，在遮 光膜（C「C)上形成反射防止膜（CrOH)而得到之光蝕掩模坯 件被使用於低波長（例如3S5nai)用途之情祝，在光學特性 之闞係上》有必要使C r 0 N膜之膜厚變小（變薄）。為了使 CrON膜之膜厚變小，減少其用作反應性氣體之一氧化氮 (NO)氣體之導入量，因此，由於CrON膜中之氮原子之數目 減少，而產生膜應力。另一方面，在形成上述CrOK膜時， 反之將用作反應性氣體之一氧化氮（H0)氣體之導入量增加得 太多之場合，受到氮原子之影響，而在濺鍍時發生異常放 電，由於上述粒子之問題，造成瞑質惡化之問題。從而確 認*即使可將用作反應性氣體之一氧化氮（NO)氣體之導入 量予Μ最適化，亦在専入量與膜質之關係上難於作出最適 之濺鍍條件。 如此，針對膜應力，在使成膜條件之各參數即氣體壓力 、氣體滾量比，以及濺鍍電力等有變化之下成膜之場合* 關於所形成之膜之光學特性之變化或膜質之變化等，非常 ------^---------裝--- (請先閲讀背面之注意事項C寫本頁) 訂· 線 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 7 4 7 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) 難於控制光學特性及膜質之兩特性。於是，施行下述官試 :即在降低濺鍍電力之條件下，為構成上述混合氣體之氣 體之種類，探求控制性良好之惰性氣體*藉W達成上述目 的° 本發明乃鑑於上述問題所創案者，其目的在於提供由變 更混合氣體之構成即可具有低膜應力之薄膜又顯示良好之 膜質及高1 率而有可能大量生產之光蝕掩模坯件及光蝕 掩横暨製造光蝕掩横坯件之方法及製造光蝕掩模之方法。 [發明之揭示] 被用作解決上述問題之手段之第一之發明為一種光蝕掩 模坯件*係在透明基板上形成有至少具有遮光功能之薄膜 之光蝕掩横坯件中有下述特擞：在上述薄膜含有氦者。 第二之發明為一種光蝕撩模坯件•係&透明基板 上形成 有至少具有遮光功能之薄糢之光蝕掩横坯件中有下述特徴 :上述薄膜為由被配置於導入有氣氛氣體之真空室内之濺 鍍檷的物經過濺鍍所形成之物，且 上述薄膜為按氣氛氣艚中氦氣所佔之含量比率為30〜 90UW堆積百分比計算）及堆稹速度在0.5nm /秒鐘〜6ηπι/ 秒鐘之範國内之條件成膜之物者。 第三之發明為涉及第一或第二之發明之光蝕掩横坯件， 其特激為，上述薄膦為可選擇含有碳及/或氧之膜者。 第四之發明為涉及第三之發明之光蝕掩模坯件，其特激 為，上述薄膜為積層膜包括含有碳之遮光膜及含有氧之反 射防止膜者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------^-----裝— (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) ts. -·線. 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 8 Α7 Γ 417187 ___Β7_ 五、發明說明（6 ) 第五之發明為涉及第四之發明之光蝕掩模坯件’其特激 為，上述薄膜為從薄膜表面側注透明基板側連顦減少氧並 且連續增加碳者。 第六之發明為涉及第四或第五之發明之光蝕掩模坯件， 其特徵為，碳含量為0〜25at«，氧含量為0〜70atS!者。 第七之發明為涉及第一至第六之發明中任一發明之光蝕 掩模坯件，其特激為，在上述薄膜又含有氮者。 第八之發明為涉及第一至第t之發明中任一發明之光蝕 掩模坯件，其特激為，上述薄膜之晶粒大小為1〜7nra者。 第九之發明為涉及第一至第八之發明中任一發明之光蝕 掩模坯件，其特擞為，在上述透明基板與上述薄膜之間形 成有氮化膜，此項氮化膜含有與上述薄膜所含之金牖材料 相同之金屬材料及氮者。 第十之發明為涉及第九之發明之光蝕掩棋坯件，其特徵 為，上述薄膜為從薄膜表面往透明基板方面連續減少氧且 連續增加碳，上述氮化膜之氮含量相對多於上述薄膜之氮 含量之同時，上述氮化膜中皤著氮量之增加，減少上述金 靥fi者。 第十一之發明為涉及第一至第十之發明中任一發明之光 蝕掩模坯件，其特戡為，上述薄膜為含鉻之膜者。 第十二之發明為涉及第一至第十一之發明中任一發明之 光蝕掩模坯件，其特戡為，上述透明基板為由石英玻璃所 構成者。 第十三之發明為一種光蝕掩模，其特激為，由形成於涉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----,---'!1-裝---II 訂---- -----線 (請先閱讀背面之注意事Λ<寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 417187 A7 _B7_五、發明說明（7 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及第一至第十二之發明中任一發明之光蝕掩模坯件之透明 基板上之上逑薄膜經過圖型化*或上述薄膜及上述氮化_ 經遇圖型化，而形成有掩模圖型者。 第十四之發明為一種製造光蝕掩橫坯件之方法，係將濺 鍍標的物配置於専入有氣氛氣體之真空室内而利用濺鍍这ft 透明基板 上形成至少具有遮光功能之薄膜Μ製造光蝕掩 模坯件之方法中有下逑特徴： 預先求出氣氛氣體之氦氣含量與上述薄膜之膜應力之相 瞄鼸係， Μ上述薄膜之膜應力可容許由上述薄膜經過圖型化時所 得之掩模圃型達成所指定之圈型位置精度之方式從上述相 翮關係求出氦氣含量，而在具有該氦氣含量之氣氛氣體中 施行上述薄膜之濺鍍成膜者。 第十五之發明為一棰製造光蝕掩模坯件之方法，係將濺 鍍欏的物配置於導λ有氣氛氣體 之真空室內而利用濺鍍法 在透明基板上形成至少具有遮光功能之薄膜Κ製造光蝕掩 撗坯件之方法中有下逑特激： 上述薄膜為在0.5t)B/秒鐘〜6ηηι/秒鐘之堆積速度下所彤 成，且 上述氣氛氣體為含有氦氣者。 第十六之發明為一棰製造光蝕掩模坯件之方法，係將濺 鍍標的物配置於導入有氣氛氣體之真空室内而利用濺鍍法 在透明基板上形成至少具有遮光功能之薄膜Μ製造光蝕掩 模坯件之方法中有下述特徵： illl — τί---裝！ — ！1 訂！I -線 (請先閱讀背面之注意事寫本頁》 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 1 了 ' . 7 α7 ___Β7___ 五、發明說明（8 ) 上述薄膜為在950〜3000W之濺鍍電力下所形成’且 上述氣氛氣體為含有氦氣者。 第十七之發明為涉及第十四發明至第十六發明中任一發 明之製造光蝕掩模坯件之方法*其特徵為，上述氣氛氣體 中氦氣所佔之含量比率為30〜90%(體積）者。 第十八之發明為涉及第十七發明之製造光蝕掩模坯件之 方法，其特徴為，上述氣氛氣體中氦氣所佔之含量比率為 40〜65¾ (賭積）者。 第十九之發明為涉及第十四發明至第十八發明中任一發 明之製造光蝕掩模坯件之方法，其特徵為，上述薄膜為可 選擇含有碳及/或氧之膜者。 第二十之發明為涉及第十九發明之製造光蝕掩模坯件之 方法*其特激為•上述薄膜為積層膜包括含有碳之遮光膜 及含有氧之反射防止膜*且上述遮光膜及/或反射防止膜 為在含有氦氣之氣氛氣體中濺鍍成膜者。 第二十一之發明為涉及第十四至第二十之發明中任一發 明之製造光蝕掩模坯件之方法，其特激為，在上述透明基 板與上逑薄膜之間形成有氮化膜，此項氮化膜含有與上述 薄膜所含之金靨相同之金臑及氮者。 第二十二之發明為涉及第十四至第二十一之發明中任一 發明之製造光蝕掩模坯件之方法*其特徴為*藉串聯式濺 鍍法形成上述薄膜及上述氮化膜者。 第二十三之發明為涉及第十四至第二十二之發明中任一 發明之製造光蝕掩横坯件之方法，其特徵為，上述薄膜為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 ------I——「-----裝· __ (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) .- -線· 417187 A7 B7 ^^經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 五、發明說明（9 ) 含鉻之膜者。 第二十四之發明為涉及第十四至第二十三之發明中任一 發明之製造光蝕掩模坯件之方法，其特徼為，上述透明基 板為由石英玻璃所構成者。 第二十五之發明為一種製造光蝕掩模之方法，其特微為 ，將依照第十四至第二十四之發明中任一發明有關之製造 方法所得到之光蝕掩橫坯件之上述透明基板上所形成之膜 予以選擇除去，而形成掩模圖型者。 第二十六之發明為一種形成细微圖型之方法，係在基板 上利用光蝕刻法形成细微圃型之方法中有下述特徵：為拖 行细微圖型之轉印之際使用之掩模，採用涉及第十三之發 明之光蝕掩橫者。 [圖式之簡單說明] 第1圖為本發明實施例1之光蝕掩模坯件之斷面圆，第2 圏為本發明茛施例1之光蝕掩模之撕面圖*第3圃為依照順 序展示本發明簧施例1之光蝕掩横坯件之製造過程（a)〜 (c)之圓*第4圖為依照顓序展示本發明實_例1之光蝕掩 模之製造過程（a)〜（c)之圖，第5圖為一特性圖展示本發 明之製造方法經過實施之場合之氦含量與基板翘曲度（平 坦度變化量）之關係|第6圖為實施本發明製造方法之串聯 式連嫌濺鍍裝置之概略結構圖，第7圖為關於實施例1之光 蝕掩模坯件1展示He之升溫脫離氣體分析結果之圖（溫度-質量圖第8圖為本發明實施例2之光蝕掩横坯件之斷面 圖，第9圖為本發明實施例2之光蝕掩模之斷面圖，第10圖 本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 12 I---Ί I !,--------------^ . ------! <請先閲績背面之注意事寫本頁) ， 經濟部暫慧財1局貝工消费合作社印製 Γ 417187 A7 _B7_ 五、發明說明（10 ) 為展示將本發明實腌例2之光蝕掩模坯件之膜組成藉歐皆 (Auger·)電子分先法予Μ測定之结果之圖，而第11圖為H 習知光蝕掩模坯件之CrC膜形成時之氣體壓力與基板翹曲 度（平坦度變化量）之關係之圖。 [實施發明之最佳形戆] (實施例1) 第1圃為涉及實施例1之光蝕掩模坯件之斷面團，第2圖 為實施例1之光蝕掩模之斷面圖。 在第1圖所示之涉及實施例1之光蝕掩模坯件1中，為透 明基板2使用一種在兩主表面及端面均經遇精密磨光之5时 X 5时X G. 0 9时之石英玻璃基板。再者*在上述透明基板2 上形成有被用作第一遮光膜3之氮化鉻（CrN)膜〔Cr: S0原 子；Ϊ，20原子X(K下稱為” a t ίΤ > _厚：1 5 0《〕，被用 作第二遮光膜4之碳化鉻（CrC)膜（Cr: 94at!K，C: 6at«， 膜厚：600¾) *以及被被用作反射防止膜5之氧氮化鉻 (CrOH) P (Cr ： 30at* - 0 ί 45at!C - K ： 25at« * Μ ϋ ·· 25 0Α )〇 在此*反射防止膜5(CrON瞑）之表面反射率取決於反射 防止膜5中之氧及氮之含量，而藉膜厚之適當調査之手段 予K控制。又按，一般在表面反射率之控制上，Μ反射率 對膜厚之依存性可在嗶光光線之波長附近減少之方式選擇 組成。 再者，第2圖所示之光蝕掩模1〗係由第1圖之光蝕掩模坯 件1經過蝕刻處理所形成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 13 --------1------裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事窝本頁) i ·. 4 ! 7八… A7 __B7_ 五、發明說明（11 ) 其次，關於光蝕掩模坯件1之製造上之特徵及藉此得到 之光蝕掩模坯件之效果，加以說明。 第3圖及第4圖均為模擬性斷面圖，其中第3圖被用K說 明實施例1之光蝕掩模坯件之製造方法，而第4圖被用Μ說 明實施例1之光蝕掩模之製造方法。 在此，使用一種由石英基板在其兩主表面及端面均經過 精密磨光而得到之5时Χ5吋x〇.09时之為透明基板2之同 時，使用鉻檷的物，而在氧氣與氮氣之混合氣體氣氛（Ar :80vol.S：，Nz: 20vol.S!，壓力：0.3Pa)中施行反懕性濺 鍍，藉此，如第3ffl(a)所示，形成膜厚15〇A之CrH膜K作 為第一遮光膜3。所得到之CrN膜之氮含量為20atS：。 在此，為上述透明基板1*除了使用石英以外，亦可使 用螢石、各種玻瑰（例如鐮石灰玻璃、矽酸鋁玻璃、矽酸 硼鋁玻璃等）、氟化鈣、氟化鎂、矽等。 為透明基板*尤其以曝光光媒之紫外域波長吸收較少之 石英玻璃較佳，不過一般而言，與其他之玻璃（醮石灰玻 璃或矽酸砸鋁玻璃）相較，石英玻璃可能由於其與鉻膜在 熱膨脹係數上之差異或晶種之差異而顯示其膜應力較大。 從而，本發明適於其與石英玻璃基板（適於光蝕掩模用之 玻璃基板）之組合。 其次，如第3圈（b)所示，使用鉻檷的物，在一由氬氣、 甲烷、以及氦氣所組成之混合氣體氣氛（Ar: 30vol.S；， CH4: 10vol.»；，He: 60vol.S!，壓力：〇.3Pa，濺鍍電力 1650W，堆積速度：3.4n m/秒鐘）中施行反應性濺鍍，藉此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） ----·---^------裝--- 請先閱讀背面之注意事寫本頁： -.線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 4 m β r A7 _B7_ 五、發明說明（12 ) ，形成膜厚600¾之CrC膜Μ作為第二遮光膜4。又按*上述 光蝕掩模坯件之CrC膜中之碳含虽經測定结果為6at%*而 蝕刻速率為0.3ηιπ /秒鐘下，Msec代表秒鐘再者， CrC膜之晶體粒徑藉一透射式電子顯微鏡（TEM)測定結果得 知，該粒徑為1〜7nm。 本發明之製造光蝕掩模坯件之方法係使惰性氣體之氦氣 被含於混合氣體中Μ作為其一成分*藉此解決上述問題者 。又按，第3圖（b)中之圖示内容為關於設定混合氣體之He 含量為60vol.之例子，至於上逑混合氣體中之各氣體之 混合比率乃根據莨驗結果予Κ詳逑於後面。 然後，在上述CrC膜上，使用鉻標的物，茌氬氣與一氧 化氮之混合氣體氣氛（Ar: 80vol,；K，N0: 20voI.SK，壓力 :0.3Pa)中施行反應性濺鍍，藉此，如第3臛（c)所示*與 CrC膜之成膜連績地形成膜厚250¾之CrOl(膜Μ作為反射防 止膜5，而施行超音波洗滌後，得到光蝕掩模坯件1。 又按 > 上述光蝕掩模坯件之CrON膜中之氧及氮之含量經 测定結果，氧為45aU，而氮為25atS5。將如此製成之光蝕 掩模坯件之光學特性*使用市面上所售之裝置予K測定結 果，各自在365n U波長下得到光學濃度3.0* Μ及表面反射 率12¾。再者*所有之膜皆未具膜缺陷而顯示膜質良好。 再者，最後所得之光蝕掩模坯件，具有CrN/CrC/OON瞑 者，其層電阻經測定結果為25Ω/口 Μ下*即得到良好之 導雷性。此顯示*在電子暍光之際βΟΟΗ 膜與光刻膠之 間難於發生電荷之蓄積。 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱_) ~ 15 - --— I;----；------裝 i — II---訂111----* 線 (請先閲讀背面之注意事^^^寫本頁) ， 五、發明說明（13 ) (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 再者*使用一升溫脫離氣體分析裝置（TDS)(”電子科學” 公司製品EHD-tfA1000)M分析光蝕掩模坯件1之He含量。在 此，升溫脫離氣體分析法為一種將試料規剷加熱之場合之 脫雛氣體之組成利用質譜分析器（質譜儀）予Μ鑑定之分析 方法。 在此次分析上之具體加熱方法中，可將真空糸統外之紅 外燈之光藉由高透明性熔融石英所製之桿予Μ導人測定室 内，而將不透明石英所製之試科台載置於該桿之上端上。 從所得到之上逑光蝕掩模坯件中切出ΙΟπιιβ平方之試料而將 此試料載置於升溫脫離氣體分析裝置之不透明石荚所製之 試料台上•而莉用從下芳導入之紅外線來加熱試料。試料 溫度係利用與薄膜表面接觸之熱電偶來施行測定者。又按 ，此時，翮於設定真空度為〜4X10—7 Pa，升溫速度為 10〜60t) /分鐘，而使室溫變化至850七時之質量數U/e) = 4(He)之氣體脫離動態，用質譜分析器施行測定。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 第7圖為翮於光蝕掩模坯件1展示He之升溫脫離氣體分析 結果之圖（溫度-質虽圖），乃示對於試料溫度之質量數 (m/e)=4之脫離變化。在此*溫度-質量圖（熱譜）係在横軸 設有溫度之刻度且在縱軸設有特定質量數（在此，指4(He) )之輸出之刻度者。在第7圖中*橫軸表示試料溫度，而横 軸以任選之強度表示藉質譜分析器所测定之質量數U/e) = 4之脫離最。 由Μ上之結果得知*在光蝕掩模坯件1觀察到質量數 U/e)=4(He)之脫離，而確認其膜中含有氦（He)之事實。 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 一 1 6 - 41 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 五、發明說明（U ) 又按，此項氦之脫離最好能從光刻膠膜之烘焙溫度Μ上 之溫度開始，該項烘焙係在形成掩模圖型時施行者*具體 而言，氮之脫離溫度Μ 250ΌΜ上較佳。 再者|Μ與上述評價方法相同之方法測定平坦度變化量 之結果，得到-1 . 4 « π即變化小之數值*而確認其膜應力 小之事實。 如此，在彤成碳化鉻膜之際*施行濺鍍之情況，使混合 氣體含有氨氣時•形成CrC膜之粒子之直徑則變小至1〜7 n m之程度*可得到未產生膜應力之良好薄膜，而可得到平 坦度變化量小之光蝕掩模坯件。此項機理在目前尚未確定 ，不過可推想的是，· C r C膜之晶體雖然细微化，但並未成 為非晶形物質*而由於與C「C粒子之結合無關之氦（He)原 子進入其内，在妨礙Cr之晶體生長之下，使CrC膜生長下 去所致ΰ 其次，如第4圖（a)所示，將光刻膠6塗於上述被用作反 射防止膜5之CrOM膜上，而利用圖型曝光及顯像手段，如 第4圖（b)所示，形成光刻膠圖型。又按，CrOK不僅具有反 射防止功能，亦具有氧化防止功能*因此其耐久性良好· 而顯示關於光掩模坯件所需要之良好特性。從而*其與 後步驟所用之_刻膠之密合性良好，可在上述圖型化之際 ，實施一種安定之高精度圖型化處理。 繼之，在上述圖型化之後*使一由純水加入硝酸鈽（IV) 二銨165g及濃度70¾之過氛酸42ml而成為全容積1000ml之 蝕刻液保持1 9〜2 0 TC之溫度*藉此蝕刻疲施加濕式蝕刻處 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 17 ---I .1----ΓΙ —---- I----- - 訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事寫本頁) A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（15 ) 理，而在上述光刻膠圃型為掩橫之下，如第4_(C)所示， 使C r Ο N膜圖型化。 依此濕式蝕刻方式*連續_行〇01(膜之圖型化* CrC膜 之圖型化，Μ及CrH膜之圖型化|而利用氧電漿或硫酸依 照平常之方法剝離上述光刻膠後，如第4圖（d)所示，得到 一具有所指定之圖型之光蝕掩模11。所得到之該光蝕掩模 11中之掩模圖型之位置精度經測定结果，與設計值並無差 異，即棰良好。 茲關於本發明使用之混合氣體中之氦氣含量加Μ說明。 首先，在上述實施例1中，在形成CrN膜時，由於混合有Μ 膜成分存在之氮*晶體粒徑變得细微而膜厚亦小，其膜應 力不成問題，因此使混合氣體未含氨氣，而控制被用作反 應性氣體之氮氣時，如上所述得到良質薄膜。其次，關於 CrC膜，在基板上形成膜之場合，由於Cr及C顯示拉應力變 化，為混合氣體使用一種不僅含有Ar，亦含有HeBOvol,% 之混合氣體。再者，關於OON膜，言為0 及0(氧）之膜同 樣有顯示拉應力變化之傾向，但由於含有氮並且膜厚較小 *設定其混合氣體未含H e。 第5圖展示CrC膜彤成時之混合氣艟之He含量與起因於應 力之基板翹曲度之變化量（平坦度變化量）之關係之特性圖 。若為了確保濺鍍之控制性而增加H e時，其放電則會變得 不安定，因此有必要使混合氣體之He含量止於90ν〇1.3ί之 程度。再者，將混合氣體之He含量設定為40〜65vol.S：之 程度之情況，實際得到在氣體壓力之關係上高品質之膜質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 18 I---.11 — ^--- ---裝 ----!| 訂-------線 (請先閱讀背面之注意事寫本頁) / A7 417187 _B7_ 五、發明說明（16 ) 。再者，此時之薄膜之堆積速度為約4nm/sec，且透明基 板上之成膜所引起之平坦度變化量為約即該變 化量很小。 此外，即使在設定混合氣體之He含虽為40vo 1 . 之程度 之情況，亦由於調整濺鍍電力而得到良好之膜。再者，將 混合氣體之He含量設定為30vo丨.¾之程度時，平坦度變化 量則變為約-1 . 8 ϋ ίο >但在使用此光蝕掩模坯件之下所製 成之光蝕掩模中，掩模圖型之圖型位置精度仍在Μ良品可 辨別之範圍内。又按，基於掩模圖型之圖型位置精度之觀 點上，較佳的是*將平坦度變化量設定為- 下。 又按，顢於混合氣體中之H e Μ外之氣體成分，最好能先 考慮蝕刻速率之後，依照膜質調整含量。在勘酌此等各點 之下，最好能將混合氣體之He含量設定為30〜90vol.S：， K 40〜65vol.$較佳。 再者，在未示於特性圖上之實驗中，使濺鍍功率（濺鍍 電力）進一步降低，且將薄膜之堆積速度設定為〇,5nin/sec ，而製成一光触掩横坯件時，未產生過任何成為間題之膜 應力*而以此光蝕掩橫坯件及使用此光蝕掩模坯件所製成 之光蝕掩模而言*圖型位置精度亦良好，均在良品之範圍 内。反之，在提高濺鍍功率（濺鍍電力）之下*將薄膜之堆 積速度設定為約6nm/sec Μ製成一光蝕掩模坯件之場合亦 同樣，在薄膜内並未發現尤其成為問題之粒子之存在，該 光蝕掩模坯件及使用該光蝕掩模坯件所製成之光蝕掩模均 在良品之範圍内。又按，此時所設定之濺鍍氣體壓力為 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公&") - 19 - --11.---'I----* 裝--------訂-------—線 (諳先閲讀背面之注意事¥^^4:寫本頁) ， 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _____B7_ 五、發明說明（17 ) 〇·2〜0.6Pa，濺鍍電力為950〜3000W◊較佳的是，在膜應 力、膜缺陷之關係上，濺鍍電力最好能為1 200〜2000 W。 再者，瞄於在上述濺鍍條件之下所製成之實胞例1之光 蝕掩模坯件，使用一升溫脫離氣艄分析裝置（TDS)施行分 析時，在該坯件中觀測到（a/e)=4(He)之脫離，而顯示其 膜中含有氮（He)之事實，另於使混合氣體之氦氣含董按8〇 vol,»：、60v〇l.S、40voI.S；變化之場合，测定（n/e)=4之相 對強度比之結果，確認（《/e) =4之相對強度（氦）與混合氣 體之He含量成正比地增加之事實。根據此項结果，調整混 合氣體之He含量即可調節由湄鍍成膜所得之膜之He含量。 又按，上逑相葑強度偽設定為，第7圃之溫度-質量圏所示 之積分強度比除以試料面積比所得之數值（在此場合，將 He氣體含童為80v〇l.!K時之相對強度當作1)者。 如此，由於至少在形成CrC膜之際將He氣髖導入氣氛氣 體中，可抑制膜應力之同時，不會受到來自標的物之不純 物之不良影轚，得Μ在確保高良率之下得到膜質良好之 光蝕掩模坯件。再者，即使Κ約250〜Π〇〇〖程度之膜厚形 成CrC膜，或以約200〜300纟程度之臢厚形成CrOK膜，亦未 特別產生膜懕力*而得到良好之光蝕掩模坯件及使用此光 蝕掩模坯件所製成之良好之光蝕掩模。再者，不在C r C 膜之形成，办在CrON 膜之形成時有可能藉He氣體之導入手 段來抑制膜懕力◊在此場合可得到具有更良好之膜質之光 蝕掩模坯件。 (實施例2) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20 --— ΙΊΙΙΤ·! — — · ^^ !!1 訂-!· (請先Μ讀背面之注意事寫本頁> ,

r 41 7 1ST A7 B7 五、發明說明（18 ) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 在實 下依照 例子， 真空室 批式， 在光 使用串 掩模坯 高大量 合。在 串聯式 板上各 行輸送 於在同 為了翮 特有之 速度與 高輸送 中容易 降低托 須降低 之降低 用串聯 質而可 施例1中，關於特別對於濺鍍裝置未予限定之情況 有可能應用於一般濺鍍裝置之反應性濺鍍法成膜之 做過說明。即，實施例1有可能應用於，例如，在 内配置濺鍍標的物*而依照反應性濺鍍法且依照分 在各反應室内拘#類逐一進行成膜之方法。 蝕掩模坯件之製造中，為了提高生產性，最近開始 聯式連績濺塗裝置。於是可考！t *在本發明之光触 件之製造方法中，在實規高良率之同時進一步提 生產性為目的之下，使用串聯式連缅濺塗裝置之場 第S圖展示簡化之串聯式連鑛濺鍍裝置之概略圖。 連鑛濺鍍装置係在被裝載於托板上之數片之透明基 別連績施行裝膜之裝置*乃 * ―邊進行一連串之裝膜者 一室内（同一真空度）豳行複 於此等膜得到良好膜質，重 製造條件之設定。在串聯式 生產效率之翮係有連鎖性， 速度，則在用K輸送其把持 產生粒子*而使良率降低 板之輸送速度之下施行濺鍍 堆積速度來施行成膜，其结 ，亦導致膜懕力之產生。在 式連鑛濺鍍裝置之下製造一 達成高 I 率且有可能大量 在一個真空室内一邊施 。從而 > 在此場合，由 數種之膜之漉鍍成膜* 要的是，串聯式濺鍍法 濺鍍法中，基板之輸送 若為考慮生產效率而提 基板之托板之輸送機構 。另由於此項理由，在 之場合* 一般而言，必 果*不僅造成生產效率 實施例2中，關於在應 顯示低膜應力及良好膜 生產之光蝕掩模坯件及 (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 21 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _B7_五、發明說明（19 ) 光蝕掩模之製造方法加以說明。 為實施例2之方法*關於可用作一種適應大量生產化之 成膜方法之串聯式連缅濺鍍法上應用實施例1之技術之製 造方法加K說明。即，實施例2之串聯式連績濺鍍裝置與 普通之濺鍍裝置不同的是，前者將複数之標的物配置於Ar 等之惰性氣體氣氛中，而一邊將透明基板連續按所指定之 輸送速度輪送於濺鍍標的物之間，一邊使複數種之膜連壤 成膜於透明基板上。 第8圖為涉及實施例2之光蝕掩模坯件之斷面圖，第9圖 為涉及實施例2之光蝕掩模之撕面圖。 在涉及第8圖所示實施例之先蝕掩模坯件11中，為透明 基板12使用一種在兩主表面及端面均經過精密磨光而得到 之5吋X5时x〇.09时之石英破璃基板。再者*在上述透明 基板12上形成有由含有鉻及氮之氮化鉻所構成之第一遮光 膜13 (膜厚：150¾)，由含有鉻及碳之碳化鉻所構成之第二 遮光膜14(膜厚：600〗）* K及由含有鉻及氧及氮之氧氮化 鉻所構成之反射防止膜15(膜厚：25〇1)。再者，第9圖所 示之光蝕掩模21係由第8覼之光蝕掩模坯件經過蝕刻而形 成圖型所得者。 其次，關於實施例2之本發明之光蝕掩模坯件及光蝕掩 模之製造方法加以說明。將由兩主表面及端面均經過精密 磨光之5时X5时x〇.09时之石英玻璃所構成之透明基板2 安裝於基板保持器（托板）*而予以裝人如第6圖所示之串 聯式濺鍍裝置。簡化圖示後之此項串聯式濺鍍裝置為如第 I I 11 Ί I--：------裂----I---訂 *---- ----線 (請先閲讀背面之注意事寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -22 - A7 B7 417187 五、發明說明（20 ) 6圖所示*由導人室21、濺鍍室（真空室）22、K及取出室 23之三室所構成。此等各室各別被隔板隔開。再者，其構 成為，可將裝載於托板上之透明基板2沿著圖中之箭頭所 示之方向予以輸送。以下，循著托板之輸送方向說明各室 之结構。 導入室21為被用Μ施行空氣之抽出，以使内部環境彤成 真空之室。在其次之濺鍛室22中•形成遮光膜，例如作為 第一遮光膜13之含有鉻及氮之氮化路（CrN)*及作為第二 遮光膜14之含有鉻及碳之碳化鉻（CrC)，以及形成反射防 止膜15，例如含有鉻及氧及氮之氧氮化鉻（CrOH)。亦即， 實施第3圖所示之成膜步驟。在濺鍍室22肉設有Cr基底之 複數標的物（未圖示），被用K形成此等第一、第二遮光膜 及反射防止膜，而在各標的物附近設有複數之闕，被用於 氣氛氣體之導入。最後之取出室23乃與導入室21—樣，被 用以施行空氣之抽出，Μ使内部環境形成真空。 在使用如上所述之串聯式連續濺鍍裝置Κ製造光蝕掩模 坯件之場合，苜先將裝載有石英坡璃所製之透明基板2之 托板予Κ導入該導人室21。然後，使導入室21由大氣狀態 變為真空狀態，繼之將托板蓮入濺鍍室22內。 在此濺鍍室22内，將裝載於托板上之透明基板2按25cm/ 分鐘之速度予K輸送*而在第一槱的物藉第一閥將針與^2 之混合氣體（Ar: 80vol,S!，20vo丨.¾)導入，首先依反 應性濺鍍法形成一具有膜厚150$之氮化鉻（CrN)膜Μ作為 第一遮光膜13〔參照第3圖U)〕。繼之*在第二標的物藉 本紙張尺度適用争國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---1---1!---· ----- I I ^ ---------- <請先閱讀背面之注意事寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 23 A7 417187 _B7_ 五、發明說明（21 ) (請先閱讀背面之注意事寫本頁) 第二閥將Ar、CH4、以及He之混合氣體（Ar: 3 0voi.%* CFU :10vol.%，He: 60vol.$)導入，而依反應性濺鍍法形成 一具有膜厚60〇1之碳化鉻（CrN)膜Μ作為第二遮光膜14 [ 參照第3圖（b)〕。其次，在第三標的物藉第三閥將Ar與NO 之混合氣體（Ar: 80vol.S!，NO: 20vol.30導人*而依反_應 性濺鍍法形成一具有膜厚250〗之氧氣化铬（CrON)膜以作為 反射防止膜15〔參照第3圖（c)]。如此連鑛肜成三層瞑。 又按，所設定之成膜時之濶鍍室22内之壓力為0.3Pa*第 二遮光膜用之濺鍍電力為1650W，而上逑第二遮光膜之堆 積速度為3.4njB/sec。 其後，將托板移送於真空抽氣之取出室內。繼之，用隔 板使濺鍍室22與取出室23完全隔開後，使取出室23恢復大 氣壓狀態。藉此，得到形成有膜之光蝕掩模坯件。又按* 托板之被導入濺鍍室之操作係在導入室21内之真空狀態達 到與濺鍍室22内之真空狀態同等時，依次連續進行者，Μ 使濺鍍室22内經常形成複數托板被導入之狀態。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 將如此製成之光蝕掩横坯件之光學特性，使用市面上所 售之裝置予W測定結果*各自在365nm波長下得到光學澹 度3.0* Μ及表面反射率12¾。再者•托板並未產生粒子* 亦未具膜缺陷而顯示膜質良好。 再者，其層電胆經測定结果為25Ω/口以下，即得到良 好之導電性。 再者，所得到之該光蝕掩模坯件之膜組成分析之結果被 示於第10圖中。第10圖之瞑組成分析係藉歐皆（Auger)電 -24 - 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 41718 A7 B7 五、發明說明（22 ) <請先閱讀背面之注意事寫本頁) 子分光法（AES)測定者。第10圖之膜組成分析結果表示， 將除去He含量（由於歐皆電子分光法未檢測出He含量）後之 其他元素（Cr·、0、N、C、Si)之合計量當作lOOatS；時之相 對含量。由第10圖之依照歐皆電子分光法之測定結果可知 ，利用串聯式濺鍍法所形成之光蝕掩橫坯件11中，構成該 坯件之各膜各別在組成上連縝變化。 具體而 言浪射防止膜及第二遮光膜均屬於一種從薄膜 表面側注透明基板側之方向連續減少氧含量且連續增加碳 含量之膜*而兩膜均含有氮。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 含氧之主要目的在於控制表面反射率，而為了得到所想 要之充學特倥，適當調節氣含量。Μ具有反射防让功能為 目的之氧含量最好能予Μ設定為0〜70at3i*且將膜之平均 值設定為10〜60at3i。再者，含碳之主要目的在於控制蝕 刻速度，而Μ製成掩模時之圖型形狀可成為所指定之形狀 之方式適當調節碳含量。較佳之碳含量最好能予Μ設定為 0〜25at%，且將膜之平均值設定為0.2〜20aU。含氮之主 要目的在於控制蝕刻速度。一般而言*與路一起含有氧或 碳時，其蝕刻速度則會降低*因此在提高蝕刻速度為目的 之下含有氮。至於其含量，Μ製成掩模時之圖型形狀可成 為所指定之形狀之方式適當調節氮含量。較佳之氮含量最 好能予以設定為0〜45at3i，且將膜之平均值設定為10〜35 a 13S 0 再者，第一遮光膜（氮化膜）之氣含量相對多於上逑反射 防止膜及第二遮光膜之各氮含量之同時，其氮含量有連Μ 25 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 ί 417 187 Α7 _Β7_ 五、發明說明（23 ) 性之變化。 第一遮光膜含氮之目的在於防止圖型化時之膜缺陷（黑 缺陷）以及提高其與透明基板之密合性。由於其氮含量相 對多於反射防止膜及第二遮光膜之各氮含量*蝕刻速度被 提高*因此可防止蝕刻所引起之膜之硬化（黑缺陷又由 於成為緻密之膜，可防止膜之剝離。其氮含量最好能予Μ 設定為0〜65at35，且將膜之平均值設定為5〜60at%。再者 ，第一遮光膜除了含氮之外，亦可Μ含有若干量之碳、氧。 再者*使上述元素（Cr、0、N、C)連績變化時，光蝕掩 模之圖型新面形狀則不會在各膜形成段差，而形成光滑之 圖型。 在構成上對於獲得此等光學特性及所指定之圖型形狀為 目的之蝕刻速度之控制性加Μ考慮之下，使依照本發明之 光蝕掩模坯件構成為，在反射防止膜及第二遮光膜中|從 薄膜表面側往透明基板側之方向連績減少氧含量且連鑕增 加碳含量*而在第一遮光膜（氮化膜）中，氮含量相對多於 上述反射防止膜及第二遮光膜之各氮含童之同時，其氮含 量有連鑛性之變化。 再者，與上述簧施例1 一樣，將光蝕掩横坯件11利用一 升溫脫離氣體分析裝置（TDS)予Μ分析之結果，與上述一 樣觀測到質量數U/e)=4(He)之脫離，而確認其膜中含有 氨（He)之事實。 再者，以與上述評價方法相同之方法測定平坦度變化量 之結果*得到-0 . 7 5 w m之數值，即變化量小，而確認膜應 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 26 II---ΊΙ — J--1--· ----I--^ > -------- (請先閱讀背面之注意事項f寫本頁：> 41718 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明（24 ) 力小之事實。再者，在利用與實施形態1相同之方法所製 成之光蝕掩模中，掩模圖型之位置精度亦極良好。 又由於利用串聯式濺鍍法形成其組成連績變化之膜*光 蝕掩横之各圖型之斷面亦在各膜未具段差，而得到光滑且 垂直之圖型。 如此，在透明基板上形成膜之情況，在形成一含有在膜 應力上顯示拉應力變化之鉻及碳之碳化鉻膜，Μ及彤成一 含有絡及氧之氧化鉻膜之際，尤其在形成一具有較大膜厚 之碳化玆CCrC) 膜之際*由於將He氣體導入氣氛氣體中， 可抑制膜應力之同時|關於在碳化鉻膜上連缅肜成之含氣 之氧氮化鉻（C r 0 Η )膜，亦得到未產生膜應力之膜。又由於 進一步應用串聯式連壤濺鍍法，得Μ在維持大量生產性之 下得到膜質良好之光蝕掩模坯件。 (比較例1〜2 ) 在上述實腌例1及實施例2中，除了將第二遮光膜形成用 之混合氣體改為Ar與C1K之混合氣體（Ar: 90vol.5K，CH4: 10vol.SO之外，均Μ與實胞例1及實施例2相同之方法製造 光蝕掩模坯件及光蝕掩模。其結果，光蝕掩模坯件之平坦 度變化量各別為-2.8w®，即均超過-2.0ϋΒ之 數值，而顯示光蝕掩椹之圖型精度惡劣。再者*與實胞例 1 一樣，關於比較例1之光蝕掩椹坯件，利用一升溫脫離氣 體分析裝置（TDS)來觀測m/e = 4 (He)之脫離，結果如第7圖 所示*未檢測出氦。 (實施例3) -- - -- _ 〇 7"""_ ----：----„------裝--------訂---------線 (請先聞讀背面之注意事SfOi寫本頁) 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 f 417187 _B7 五、發明說明（25 ) 其次，揭示一應用於具有遮光功能及相移功能之光蝕掩 横坯件（相移掩模坯件）之例子。在5吋5吋X 0.09吋之石 英玻璃基板上*在氬氣、氧氣、以及氦氣所組成之氣氛氣 體中施行以鉻為標的物之濺鍍處理* Μ形成一具有膜厚 1350@且含有氧45atX之氧化鉻膜，而製得i線（波長：365 n m)用之相移掩模坯件。所得到之相移掩模坯件之透光率 及折射率恶刎定結果*各別為7¾，2,35。再者，以與上述評 價方法相同之方法測定平坦度變化量之結果，得到-U 5 « m之數值，即變化量小，而確認膜應力小之事實。依照 使用CCI 4+0 z混合氣體之乾式蝕刻法，得到一具有所指定 圖型之相移掩模。又按*其相移量經測定結果為約180° 。再者，其圖型位置精度與設計值並無差異，即為良好之 精度。 再者，使用上述實施例1〜3之光蝕掩模及相移掩模，Μ 對半導餚晶片等之被轉印體施加曝光•顯像處理之結果* 得Μ在被轉印體形成良好之细微圖型。 Μ上，舉出較佳之例子來說明本發明，但未受限於此， 其為形成於透明基板上之膜（如遮光膜、反射防止膜等）， 亦可以使用Cr單獨之材料，或使用言有C r 之同時含有碳、 氧、氮、氟中之至少一元累之材料。 再者，在實施例1及2中，亦可Μ省略第一遮光膜即CrH 膜。在此場合，膜之構成形式變為CrC瞑/CrON膜。 再者，亦可K在相移掩模（如濃淡點式相移掩横等）之相 移圖型之上或下面，依照本發明之方法形成至少具有遮光 紙張尺度適用中國國家標‘（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ~ 28 - -----Ί —--7--I--裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之ii意事項£寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 417187 A7 B7 五、發明說明（26) 功能之薄膜。 再者，為薄膜之材料，雖然已舉出主要含鉻之膜*但並 未受限於此*主要能引起拉應力〔前述之平坦度變化量之 符號為-(負）者〕，則任何材料均可。例如，可舉出主要 由含有過渡金靥（Ti、Hi、Cu、Mo、Ta、等）之材料所構 成之材料。 [產業上之可利用性] 本發明可被利用以得到在1C(半導體稹體電路）或LSI(高 密度積體電路）之製造過程上作為钿微圖型轉印用之掩模 使用之光蝕掩模及此光蝕掩模之素材即光蝕掩模坯件。尤 其是*為了形成细微之掩模圖型而成膜於透明基板上之薄 膜，其不會產生足Μ引起對透明基板有害之翹曲之程度之 應力，並且其膜質良好，有可能Μ高良 率得到可大量生 產之光蝕掩横坯件及光蝕掩模。 (請先閱讀背面之注意事項^^寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 [元件 編號 之 說 明 ] 2 透 明 基 板 3 第 -^' 遮 光 膜 4 第 二 遮 光 膜 5 反 射 防 止 膜 6 光 刻 膠 12 透 明 基 板 13 第 一 遮 光 膜 14 第 二 遮 光 膜 15 反 射 防 止 膜 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ί iM 7 :〆 A7 B7 五、發明說明（27) 21 導入室 22 濺鍍室 23 取出室 ----:----；------裝--------訂---------線 <請先Μ讀背面之注意事^\.„,4寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 30

Claims (1)

1. 4 1 7 1 a 7 篮 88.12. - 9 ^ ίί I i ^ / D8 修正本 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁： 1. 一種光蝕掩模坯件，係在透明基板上形成有至少具有 遮光功能之薄膜之光蝕掩模坯件中有下述特激•在上述薄 膜含有氦者。 2. —種光蝕掩模坯件*係在透明基板上形成有至少具有 遮光功能之薄膜之光蝕掩模坯件中有下述特徵： 上逑薄膜為由被配置於導入有氣氛氣體之真空室內之濺 鍍槱的物經過濺鍍所彤成之锪·且 上述薄膜為按氣氛氣體中氪氣所佔之含量比率為30〜90 堆積百分比計算）及堆積速度在0.5ϋΐη/秒鐘〜6ηΐπ/秒 鐘之範圍内之條件成膜之物者。 3. 如甲請專利範圍第1項之光蝕掩模坯件，其中該項薄 膜為可選擇含有碳及/或氧之膜者。 4. 如申請專利範圍第2項之光蝕掩模坯件，其中該項薄 瞑為可選擇含有碳及/或氧之膜者。 5. 如申譆專利範圍第3項之光蝕掩橫坯件，其中該項薄 _為潰層膜包括含有碳之遮光膜及含有氧之反射防止膜者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 6. 如申請專利範圍第4項之光蝕掩模坯件，其中該項薄 膜為稹層膜包括含有碳之遮光膜及含有氧之反射防止膜者。 7. 如申請專利範圍第5項之光蝕掩模坯件*其中該項薄 膜為從薄膜表面側往透明基板側連鑛減少氣並且連績增加 碳者。 8. 如申請專利範圍第6項之光蝕掩模坯件，其中該項薄 膜為從薄膜表面側往透明基板側連續減少氧並且連續增加 碳者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） DS 六、申請專利範圍 9. 如申請專利範圍第5項之光蝕掩模坯件，在其中，碳 含量為0〜25aU，氧含量為0〜70atS!者。 請先閱讀背面之注意事項再i^本頁： 10. 如申請專利範圍第6項之光蝕掩模坯件，在其中，碳 含量為0〜25atSJ*氧含量為0〜70at%者。 11. 如申請專利範圍第3項之光蝕掩模坯件，其中在該項 薄膜又含有氮者。 12. 如申請專利範画第4項之光蝕掩模坯件，其中在該項 薄膜又含有氮者。 13. 如申請專利範圍第1或2項之光蝕掩模坯件，其中該 項薄膜之晶粒大小為1〜7 n b者。 14. 如申請專利範圍第11項之光蝕掩模坯件，其中在該 透明基板與該項薄膜之間形成有氮化膜，此項氮化膜含有 與上述薄膜所含之金靨材料相同之金羼材料及氮者。 15. 如申請專利範圍第12項之光蝕掩模坯件，其中在該 透明基板與該項薄膜之間形成有氮化瞑•此項氮化膜含有 與上逑薄膜所含之金屬材料相同之金屬材料及氮者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16. 如申請專利範圍第14或15項之光蝕掩模坯件》其中 該項薄膜為從薄膜表面往透明基板方面連續減少氧且連鑛 增加碳，該項氮化膜之氮含童相對多於上述薄膜之氮含置 之同時，該項氮化膜中陳著氮量之增加，減少該金靨最者。 17. 如申請專利範圃第1至12、14及15項中任一項之光蝕 掩模坯件，其中該項薄膜為含鉻之膜者。 18. 如申請專利範圍第1或2項之光蝕掩模坯件，其中該 透明基板為由石英玻璃所構成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） -2- 417187 、申請專利範圍 模 掩 蝕 光 種 為 激 特 其 成 形 由 範 利 專 請 如 至 Ί* 第 圍 之 項 1 任 中 項 5 11 及 4 之 件 坯 模 掩 蝕 氮 項 該 及 膜 薄 項 該。 或者 , 型 化圖 型模 圖掩 過有 經成 膜形 薄而 項， 該化 之型 上圖 板過 基經 明膜 透化 製 -ί» 種 掩 独 光 造 氣具 有少 入至 専成 於形 置上 内 私室 件 坯空 頃真 之 撞 Moon 氣 氛 法 方 之 配 物 的 標 鍍 m 將 係 膜 薄 之 能 功 光 遮 有 板方 基之 明件 透坯 在模 法掩 鍍蝕 激光 用造 利製 而 K 相 之 力 應 膜 之 膜 薄 述 上 與 量 含 氣 氦 之 體 : 氣 激氛 特氣 述出 下求 有先 中預 法 所相 時述 化上 型從 圖式 過方 經之 膜度 薄精 逑置 上位 由型 許圖 容之 ΒΤ定 力指 應所 膜成 之達 膜型 薄圖 , 述模 係上掩 RIK之 0 得 中 體 氣 氛 氣 之 量 含 氣 氪 該 有 具。 在者 而膜 ) 成 量鍍 含濺 氣之 氦膜 出薄 求述 係上 關行 醆施 法 方 之 件 坯 模 掩 蝕 光 造 躲 CHE 種 配 物 的 標 鍍 濺 將 板方 基之 明件 透坯 在模 法掩 鍍蝕 灘光 用造 利 製 :v 而Μ 内膜 室薄 空之 真能 之功 髋光 氣遮 氛有 氣具 有少 入至 導成 於形 置上 'I I------------ 1 ί /V ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> —線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 徵在 特為 述膜 下薄 有述 中上 法 鐘 秒 形 所 下 度 遴 積 堆 之 鐘 秒 氨 有 含 為 體 氣 氛 氣 且述 ， 上 成 配 物 的 標 鍍 濺 將 係 法 方 ο t 之 者件 氣Μ 模 掩 蝕 光 造 製 llwt: 種 板方 基之 明件 透 坯 在模 法掩 锻蝕 濺光 用造 利製 而M 内膜 室薄 空 之 真能 之功 體光 氣遮 氛有 氣具 有少 入至 導成 於形 置上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -3- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 t 'Ύ ^ i A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 法中有下述特激： 上述薄膜為在950〜3 000W之濺鍍電力下所形成，且 上述氣氛氣體為含有氦氣者。 23. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之方法，其中 該氣氛氣體中氦氣所佔之含量比率為30〜90Π體積）者。 24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該氣氛氣體中 氦氣所佔之含量比率為40〜65¾(體積）者。 25. 如申請專利範圍第20項之方法*其中該項薄膜為可 選揮含有碳及/或氣之膜者。 2δ.如申請專利範圃第21項之方法，其中該項薄膜為可 選擇含有碳及/或氧之膜者。 27. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該項薄膜為可 選擇含有碳及/或氧之膜者。 28. 如申請專利範圍第25至27項中任一項之方法，其中 該項薄膜為積層膜包括含有碳之遮光膜及含有氧之反射防 止膜，且上述遮光膜及/或反射防止膜為在含有氦氣之氣 氛氣體中濺鍍成膜者。 29. 如申請專利範圃第25至27項中任一項之方法，其中 在該透明基板與該項薄膜之間形成有氮化膜，此項氮化膜 含有與上述薄瞑所含之金屬相同之金靥及氮者。 30. 如申請專利範圍第20至22及25至27項中任一項之方 法，其中藉串聯式濺鍍法形成該項薄膜或/及該項氮化膜 者0 31. 如申請專利範圍第28項之方法*其中藉串聯式溅鍍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 -------------裝 ----- - 訂--------線 /1 , 『 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁- -4- 417187 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 法形成該項薄膜或/及該項氮化膜者。 3 2.如申譆專利範圃第29項之方法，其中藉串聯式濺鍍 法形成該項薄膜或/及該項氮化膜者。 33. 如申請專利範圍第20至22及25至27項中任一項之方 法，其中該項薄膜為含鉻之膜者。 34. 如申請專利範圍第20至22項中任一項之方法，其中 該透明基板為由石英玻璃所構成者。 35. —種製造光蝕掩模之方法，其特激為*將由申請專 利範圍第20至22及25至27項中任一項之方法所得到之光触 掩模坯件之該透明基板上所形成之膜予K選擇除去，而形 成掩模_型者。 36. —種形成细微圖型之方法，係在基板上利用光蝕刻 法形成细微圖型之方法中有下述特激：為施行细微圖型之 轉印之際所用之掩模，採用如申請專利範圈第19項之光蝕 掩模者。 — IlllilllI — — — · I I I 1 I I I — — — — — /V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） -5-