TWI837962B - 反射型空白光罩及反射型光罩 - Google Patents
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Abstract
本揭示的目的在於提供一種反射型空白光罩及反射型光罩，其最大限度地活用相位移效應，具有高轉印性(特別是解析度)。本揭示的一態樣之反射型空白光罩(100)的特徵為具備：基板(11)；形成在基板(11)上的具有多層膜構造的反射EUV光的反射層(12)；形成在反射層(12)上並保護反射層(12)的保護層(13)；和形成在保護層(13)上的吸收EUV光的吸收層(14)，吸收層(14)具有在200度以上280度以下的範圍內的相位差。
Description
本揭示係關於反射型空白光罩及反射型光罩。
於半導體裝置的製程中，隨著半導體裝置的微細化，對光微影技術的微細化的要求提高。光微影法中的轉印圖案的最小顯影尺寸係大幅取決於曝光光源的波長，波長越短，越能縮小最小解析尺寸。因此，尖端半導體裝置的製程中的曝光光源正從習知的波長193nm的ArF準分子雷射光逐漸取代成波長13.5nm的EUV(Extreme Ultraviolet)。
由於幾乎所有的物質都對EUV具有高光吸收性，不能使用習知的利用光之透射的折射光學系統，因此曝光機的光學系統構件不是透鏡，而是成為鏡子。光罩也從習知的透射型變成反射型的EUV光罩。由於不能將朝向EUV光罩的入射光和反射光設計在同軸上，因此EUV微影法通常採用以下的手法：將光軸從EUV光罩的垂直方向傾斜6°地入射EUV光，將以負6°的角度反射的反射光照射於半導體基板。但是，由於使光軸傾斜，因此存在有入射EUV光罩的EUV光造成EUV光罩的圖案(吸收層圖案)的陰影，因而轉印性能惡化的問題。今後，為了進行進一步的微細化，改善轉印性能成為課題。
現有的EUV光罩係使用膜厚60～90nm之以鉭(Ta)為主要成分的膜作為光吸收層。在以此EUV光罩進行圖案轉印的曝光的情況下，依據入射方向與遮罩圖案的面對方向的關係，會有在成為遮罩圖案的陰影的邊緣部分引起對比度降低之虞。伴隨於此，會產生半導體基板上的轉印圖案之線緣粗度(line edge roughness)增加、線寬無法形成為目標尺寸等的問題，轉印性能惡化。
對於此課題，有人提出了：在吸收層使用消光係數k高的材料以抑制EUV反射率的手法[例如，參照專利文獻1]、使用相位移效應的手法[例如，參照專利文獻2]。
在反射型相位移遮罩方面，通過吸收層而消光的反射光係與在開口部被反射的光具有相位差。這種反射型相位移遮罩係與透射型相位移遮罩相同，藉由使用相位移效應，而能夠提高晶圓上的光學圖像的對比度，並使轉印圖案的解析度提高。
例如，專利文獻2中記載的使用相位移效應的反射型遮罩，係將相位差的最適值設為170～190度。這是包含習知的透射型的相位移遮罩的相位差的最適值的180度在內之值。
但是，在反射型遮罩的情況下，由於EUV光係傾斜地入射，因此反射光的一部分通過吸收層圖案的邊緣部分。照射在邊緣部分的反射光，係相位會與圖案中心部的反射光不一致，因此吸收層的最適相位差係與180度不同的。即，本案發明人發現了反射型遮罩中的吸收層的最適相位差係與習知的設計思想所使用的「180度」不同的值。
由此，習知技術的反射型的相位移遮罩並不能充分地活用(利用)相位移效應，其轉印性(特別是解析度)是不足的。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018/159785號
[專利文獻2]日本專利第6287099號
[發明欲解決之課題]
本揭示的目的在於提供一種反射型空白光罩及反射型光罩，其最大限度地活用相位移效應，具有高轉印性(特別是解析度)。
[用以解決課題之手段]
本發明係為了解決上述課題所完成的發明，本發明的一態樣之反射型空白光罩係一種反射型空白光罩，其特徵為具備：基板；形成在前述基板上的具有多層膜構造的反射EUV光的反射層；形成在前述反射層上並保護該反射層的保護層；和形成在前述保護層上的吸收EUV光的吸收層，前述吸收層具有在200度以上280度以下的範圍內的相位差。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以具有在215度以上270度以下的範圍內的相位差。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以具有在230度以上260度以下的範圍內的相位差。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以是對EUV光的折射率n小於0.93。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以是對EUV光的折射率n小於0.92。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以是由包含Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以是對EUV光的反射率係在2%以上20%以下的範圍內。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以是由包含Pt、Au、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
此外，本發明的一態樣之反射型空白光罩中的前述吸收層可以是由包含Mo、W、Nb、Hg、Fe、Ta、V、Bi、Ti、Zr、Hf、C、B、Be、及Al當中的至少一種以上的元素的材料構成。
本發明的一態樣之反射型光罩係一種反射型光罩，其特徵為具備：基板；形成在前述基板上的具有多層膜構造的反射EUV光的反射層；形成在前述反射層上，保護該反射層的保護層；和形成在前述保護層上並形成有圖案的吸收EUV光的吸收圖案層，前述吸收圖案層具有在200度以上280度以下的範圍內的相位差。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以具有在215度以上270度以下的範圍內的相位差。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以具有在230度以上260度以下的範圍內的相位差。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以是對EUV光的折射率n小於0.93。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以是對EUV光的折射率n小於0.92。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以是由包含Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以是對EUV光的反射率係在2%以上20%以下的範圍內。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以是由包含Pt、Au、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
此外，本發明的一態樣之反射型光罩中的前述吸收圖案層可以是由包含Mo、W、Nb、Hg、Fe、Ta、V、Bi、Ti、Zr、Hf、C、B、Be、及Al當中的至少一種以上的元素的材料構成。
[發明之效果]
依據本揭示的一態樣之反射型空白光罩及反射型光罩，便可得到充分的相位移效應，可以提高晶圓轉印性能(特別是解析度)。
[用以實施發明的形態]
針對本揭示的一實施形態，一邊參照圖式一邊進行說明。
此處，圖式所示的構成係示意的構成，厚度和平面尺寸的關係、各層的厚度的比率等係與實物不同的。此外，以下所示的實施形態係例示用以將本揭示的技術思想具體化之構成的實施形態，本揭示的技術思想係構成構件的材質、形狀、構造等不限於下述者。本揭示的技術思想能夠在申請專利範圍所記載的請求項規定之技術範圍內施加各種改變。
(反射型空白光罩及反射型光罩的構成)
圖1係顯示本發明的實施形態之反射型空白光罩100的概略剖面圖。如圖1所示，本發明的實施形態之反射型空白光罩100具備：基板11；形成在基板11上的反射層12；形成在反射層12上的保護層13；和形成在保護層13上的吸收層14。此外，圖2係顯示本發明的實施形態之反射型光罩200的概略剖面圖。此處，圖2所示的本發明的實施形態之反射型光罩200係將圖1所示的本發明的實施形態之反射型空白光罩100的吸收層14進行圖案化而形成。以下，針對各層詳細地進行說明。
(基板)
本發明的實施形態之基板11，例如，能夠使用平坦的Si基板、合成石英基板等。此外，基板11能夠使用添加了鈦的低熱膨脹玻璃，但本實施形態不限於它們，只要為熱膨脹率小的材料即可。
此外，如後述的圖4所示，能夠在基板11之沒有形成反射層12的面形成背面導電膜15。背面導電膜15係在將反射型光罩200設置於曝光機時利用靜電吸盤(electrostatic chuck)的原理進行固定用的膜。
(反射層)
本發明的實施形態之反射層12，只要為反射曝光光線的EUV光(極紫外光)者即可，可以是由對EUV光的折射率差異大的材料的組合所形成之多層反射膜(即，具有多層膜構造的EUV光反射膜)。包含多層反射膜的反射層12，例如，可以是藉由將Mo(鉬)和Si(矽)、或Mo(鉬)和Be(鈹)這種組合的層重複積層40周期左右來形成者。
(保護層)
本發明的實施形態之保護層13，係在藉由蝕刻來形成吸收圖案層14a之際，作為防止對反射層12造成損傷的蝕刻阻擋物發揮功能的層。又，依反射層12的材質、蝕刻條件，即使沒有保護層13也無妨。保護層13係以對在形成吸收層14的圖案之際所進行的乾式蝕刻具有耐性的材質形成。例如，保護層13的材料可以是釕(Ru)。
(吸收層及吸收圖案層)
如圖1所示，吸收層14為形成在保護層13上的層，且為吸收曝光光線的EUV光的層。此外，吸收層14係形成進行轉印用的微細圖案的吸收圖案層(轉印圖案)14a的層。即，藉由將反射型空白光罩100的吸收層14的一部分除去，即藉由將吸收層14進行圖案化，來形成圖2所示的反射型光罩200的吸收圖案(吸收圖案層14a)。
在形成有吸收層14(吸收圖案層14a)的部分，係吸收EUV光並使一部分的光反射。另一方面，在圖案的開口部(沒有吸收層14的部分)，EUV光係透過保護層13而由反射層12反射。來自形成有吸收層14的部分的反射光，係與來自開口部的反射光形成所要的相位差。
一般而言，吸收層14的反射率及與圖案化的結果所產生的開口部的相位差，係只要決定好反射型空白光罩及反射型光罩之各層的光學常數(折射率n、消光係數k)和膜厚、所使用之光的波長，便可被唯一地確定，能夠依光學理論而由計算求出(詳情例如參照應用物理工學選書3，吉田貞史「薄膜」，培風館，1990)。即，本實施形態中的「相位差」意指吸收層14的反射光的相位、和反射層12的(在開口部的)反射光的相位之差。
又，在本實施形態中，上述反射率、及用於算出上述相位差的折射率n、及消光係數k的各值，係使用利用EUV光的實測值。
使用反射型光罩200進行晶圓轉印之際的晶圓圖案的NILS(歸一化空間圖像對數斜率)係取決於反射型光罩200的相位差。圖9係如下的圖表：將吸收層14(吸收圖案層14a)設為使用銠(Rh)和鋁(Al)的混合材料的單層膜，在數值孔徑NA為0.33的曝光條件下，以膜厚38nm、41nm、47nm、54nm四個水準求出在將晶圓上的19nm的孔圖案曝光的情況下的NILS(歸一化空間圖像對數斜率)。因為Rh係折射率n=0.875、消光係數k=0.03，Al係折射率n=1.03、消光係數k=0.03，因此在改變RhAl的組成時，折射率在0.875＜n＜1.03的範圍內變化，消光係數大約為k=0.03而是一定的。此外，在相同膜厚下進行比較的情況下，在改變RhAl的組成時，即在改變折射率n時，相位差會變化。又，在圖9中，係橫軸採用相位差，顯示與NILS的關係。
NILS(歸一化空間圖像對數斜率)，係以
NILS=w×dln(I)/dx．．．式(1)
所求出的對比度的值，成為使用反射型光罩200形成晶圓圖案之際的晶圓圖案的解析度的指標。此處，「w」表示線寬，「I」表示能量潛像的強度。又，NILS的值越大，意指轉印圖案的解析度越高。
如圖9所示，相位差與NILS有關，在相位差從230度起至260度附近，NILS成為最大。
此外，如圖9所示，在膜厚為54nm、且以RhAl所形成的吸收圖案層14a的相位差為180度的情況下的NILS的值係2.49。
相對於此，在相位差為200度的情況下的NILS的值係2.60，在相位差為280度的情況下的NILS的值係2.60，與相位差為180度的情況相比，其值都變高約5%。
此外，在相位差為215度的情況下的NILS的值係2.68，在相位差為270度的情況下的NILS的值係2.67，與相位差為180度的情況相比，其值都變高約7%。
此外，在相位差為230度的情況下的NILS的值係2.72，在相位差為260度的情況下的NILS的值係2.71，與相位差為180度的情況相比，其值都變高約9%。
再者，在相位差為240度的情況下NILS成為最大，其值為2.74，與相位差為180度的情況相比，其值變高約10%。
由此，相較於相位差為180度的情況，若相位差在200度以上280度以下的範圍內，則NILS提高5%以上，若相位差在215度以上270度以下的範圍內，則NILS提高7%以上，若相位差在230度以上260度以下的範圍內，則NILS提高9%以上。
此外，如圖9所示，在吸收圖案層14a的膜厚為47nm、相位差為240度的情況下的NILS的值係2.76，與相位差為180度的情況相比，其值變高約12%。
此外，如圖9所示，在吸收圖案層14a的膜厚為41nm、相位差為240度的情況下的NILS的值係2.78，與相位差為180度的情況相比，其值變高約13%。
此外，如圖9所示，在吸收圖案層14a的膜厚為38nm、相位差為240度的情況下的NILS的值係2.71，與相位差為180度的情況相比，其值變高約31%。
由此可知，為了使解析度提高，吸收層14的相位差較佳為在200度以上280度以下的範圍內，更佳為在215度以上270度以下的範圍內，最佳為在230度以上260度以下的範圍內。
在EUV微影法中，EUV光係傾斜地入射，被反射層12反射，但因吸收層14(吸收圖案層14a)妨礙光路的陰影效應，而有對晶圓(半導體基板)上的轉印性能惡化的情形。已知此轉印性能的惡化能夠藉由使吸收EUV光的吸收層14的厚度變薄來減少。
吸收層14的膜厚較佳為60nm以下。在吸收層14的膜厚為60nm以下的情況下，與習知的Ta系吸收膜相比，能夠充分地減少陰影效應，使轉印性能提高。
圖10係以模擬算出在吸收層14對EUV光的折射率n為0.90、0.91、0.92、0.93、0.94的情況下之吸收層14的膜厚和相位差之關係的圖表。
如圖10所示，吸收層14對EUV光的折射率n越小，則越能使為了得到所要的相位差所需的膜厚變薄。在吸收層14對EUV光的折射率n為0.93的情況下，為了得到230～260度的相位差所需的最低膜厚為60nm，是與習知的Ta系吸收膜的膜厚相同的程度。因此，若吸收層14對EUV光的折射率n小於0.93，便能夠使膜厚變得比60nm薄，因而是較佳的。此外，若吸收層14對EUV光的折射率n小於0.92，則為了得到230～260度的相位差所需的最低膜厚成為50nm以下，因而是更佳的。
圖3係顯示各金屬材料對EUV光的波長13.5nm的光學常數的圖表。圖3的圖表的橫軸表示折射率n，縱軸表示消光係數k。由圖3可知，Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、Re係各自的折射率n小於0.93，因此能夠藉由使用這些材料群來減少陰影效應。又，以下權宜地將上述的「Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、Re」定義為「第1材料群」。
吸收層14的材料，只要包含第1材料群的元素，則亦可以是混合物。若為混合物，便能夠藉由改變組成來控制吸收層14的光學常數(折射率n、消光係數k)，而能夠得到所要的相位差和反射率。即，吸收層14，若是以包含Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成，便是較佳的。
吸收層14的材料，除了上述的第1材料群外，還可以進一步包含錫(Sn)、銦(In)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鈮(Nb)、鈦(Ti)當中的至少一種。若為Sn、In、Ta的氧化物、氮化物或者是氮氧化物，則由於其為高熔點，因此能夠期待耐熱性的進一步改善和既有蝕刻裝置的加工性提高。此外，若為Al、Nb、Ti，便能夠期待因形成鈍化被膜而進一步改善耐清洗性。
此處，在權宜地將上述的「Sn、In、Ta、Al、Nb、Ti」定義為「第2材料群」的情況下，吸收層14，能夠僅以第1材料群的元素構成，也能夠以第1材料群的元素、和第2材料群的元素構成。此外，吸收層14，能夠以第1材料群的元素、和第2材料群的元素以外的其他元素構成，也能夠以第1材料群的元素、第2材料群的元素、和第2材料群的元素以外的其他元素構成。又，在吸收層14係以第1材料群的元素和第2材料群的元素構成的情況下，若第1材料群的元素的含有率為吸收層14整體元素的70原子%以上，便是較佳的，若為80原子%以上，便是更佳的，若為90原子%以上，便是再更佳的。
吸收層14的材料，若是以包含Pt、Au、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成，便是較佳的。Pt、Au、Ir、及Re係在上述的第1材料群當中能夠期待既有蝕刻裝置的加工性提高的材料，且為對在清潔EUV曝光裝置之際所使用的氫自由基的耐性高的材料。另外，由於折射率n小於0.92，因此能夠期待陰影效應的減少。又，以下權宜地將上述的「Pt、Au、Ir、Re」定義為「第3材料群」。
吸收層14的材料，除了上述的第3材料群外，還可以進一步包含Mo、W、Nb、Hg、Fe、Ta、V、Bi、Ti、Zr、Hf、C、B、Be、及Al當中的至少一種。此處，將「Mo、W、Nb、Hg、Fe、Ta、V、Bi、Ti、Zr、Hf、C、B、Be、Al」定義為「第4材料群」。若包含第4材料群，便能夠期待既有蝕刻裝置的加工性提高、氫自由基耐性提高。
吸收層14，能夠僅以第3材料群的元素構成，也能夠以第3材料群的元素、和第4材料群的元素構成。此外，吸收層14，能夠以第3材料群的元素、和第4材料群的元素以外的其他元素構成，也能夠以第3材料群的元素、第4材料群的元素、和第4材料群的元素以外的其他元素構成。又，在吸收層14係以第3材料群的元素和第4材料群的元素構成的情況下，若第3材料群的元素的含有率為吸收層14整體元素的20原子%以上，便是較佳的。
為了得到充分的相位移效應，吸收層14的反射率，以絕對反射率而言，較佳為1%以上30%以下，更佳為2%以上20%以下。此處，所謂的「絕對反射率」係指以在實際試料反射的光量相對於直接測定來自光源之光的光量的比率所計算的值。即，意指將入射光的強度設為100%時的反射率。又，在本實施形態中使用「絕對反射率」的用語，係為了與意指多層反射層(反射層12)的反射率(約66%)和吸收層14的反射率之比的「相對反射率」有所區別。由此，本實施形態中的「絕對反射率」係與「相對反射率」不同的概念。
此外，在吸收層14上，可以具備硬遮罩層。硬遮罩層可使用Cr系膜或Si系膜等的對乾式蝕刻具有耐性的材料。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細地說明本揭示，但實施例對本揭示不構成任何限定。
＜實施例1＞
使用具有低熱膨脹性的合成石英基板作為圖4所示的基板。在該基板上，積層40片以矽(Si)和鉬(Mo)為一對的積層膜而形成作為多層反射膜。多層反射膜的膜厚設為280nm。
接著，使用釕(Ru)，以膜厚成為3.5nm的方式將覆蓋層(保護層)成膜在多層反射膜上。藉此，在基板上形成了具有多層反射膜及覆蓋層的反射部。
以膜厚成為47nm的方式將包含銠(Rh)和鋁(Al)的吸收層成膜在覆蓋層上。以XPS(X射線光電子分光法)測定吸收層中的銠(Rh)和鋁(Al)的原子數比率，結果是66：34。此外，得知以XRD(X射線繞射裝置)測定吸收層的結晶性，結果看到些微結晶性，但仍為非晶質。
接著，使用氮化鉻(CrN)，以成為100nm的厚度的方式將背面導電膜成膜在基板的沒有形成多層反射膜之側。作成反射型空白光罩100。
各膜向基板上的成膜係使用多靶濺鍍(multi-target sputtering)裝置。各膜的膜厚係以濺鍍時間控制。
接著，針對反射型光罩200的製作方法，使用圖5至圖8進行說明。如圖5所示，以旋轉塗布將正型化學增幅型阻劑(SEBP9012：信越化學公司製)以120nm的膜厚塗布在反射型空白光罩100的吸收層14上，在110℃下烘烤10分鐘，形成阻劑膜16。
接著，利用電子束描繪機(JBX3030：日本電子公司製)來對阻劑膜16描繪既定的圖案。
之後，進行110℃、10分鐘的預烘烤處理，接著使用噴灑顯影機(SFG3000：Sigmameltec公司製)進行顯影處理。藉此，如圖6所示，形成阻劑圖案16a。
接著，以阻劑圖案16a為蝕刻遮罩，藉由以氯系氣體為主體的乾式蝕刻來進行吸收層14的圖案化。藉此，如圖7所示，在吸收層14形成吸收圖案(吸收圖案層)14a。
接著，進行阻劑圖案16a的剝離，製作圖8所示的本實施例的反射型光罩200。
在本實施例中，形成在吸收層14的吸收圖案14a，係在轉印評價用的反射型光罩200上，設為76nm的孔圖案。
針對依上述方式形成的實施例1，使用波長13.5nm的EUV光，測定(實測)吸收層的折射率、消光係數。其結果，實施例1的吸收層的折射率n、消光係數k分別為n=0.924、k=0.03。
又，針對以下的各實施例及各比較例，也與實施例1的情況同樣地使用波長13.5nm的EUV光，測定(實測)吸收層的折射率、消光係數。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.4%，相位差為205度。
＜實施例2＞
以原子數比率計為Rh：Al=70：30的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例2的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例2的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.919、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.7%，相位差為220度。
＜實施例3＞
以原子數比率計為Rh：Al=75：25的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例3的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例3的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.912、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為4.3%，相位差為240度。
＜實施例4＞
以原子數比率計為Rh：Al=82：18的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例4的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例4的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.902、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為5.3%，相位差為265度。
＜實施例5＞
以原子數比率計為Rh：Al=86：14的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例5的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例5的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.896、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為5.9%，相位差為275度。
＜實施例6＞
以原子數比率計為Rh：Al=67：33的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚54nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例6的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例6的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.923、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.6%，相位差為240度。
＜實施例7＞
以原子數比率計為Rh：Al=84：16的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚41nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例7的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例7的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.899、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為4.4%，相位差為240度。
＜實施例8＞
以原子數比率計為Rh：Al=98：2的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚38nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例8的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例8的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.878、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為9.2%，相位差為240度。
＜實施例9＞
將吸收層的材料變更為銠(Rh)，以成為膜厚33nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例9的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例9的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.875、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為11.0%，相位差為240度。
＜實施例10＞
將吸收層的材料變更為釕(Ru)和鈮(Nb)以85：15的原子數比率成為均質的混合材料(RuNb)，以成為膜厚44nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例10的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例10的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.895、k=0.015。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為17.0%，相位差為240度。
＜實施例11＞
將吸收層的材料變更為釕(Ru)和鋁(Al)以59：41的原子數比率成為均質的混合材料(RuAl)，以成為膜厚72nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例11的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例11的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.940、k=0.023。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.7%，相位差為240度。
＜實施例12＞
將吸收層的材料變更為氧化錫(SnO)和釕(Ru)以20：80的原子數比率成為均質的混合材料(SnRuO)，以成為膜厚42nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例12的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例12的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.896、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.1%，相位差為240度。
＜實施例13＞
將吸收層的SnRuO的膜厚變更為39nm來成膜。除此之外係以與實施例12同樣的方法製作實施例13的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例13的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.896、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為8.9%，相位差為225度。
＜實施例14＞
將吸收層的材料變更為氧化銦(InO)和釕(Ru)以15：85的原子數比率成為均質的混合材料(InRuO)，以成為膜厚42nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例14的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例14的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.895、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.3%，相位差為240度。
＜實施例15＞
將吸收層的InRuO的膜厚變更為39nm來成膜。除此之外係以與實施例14同樣的方法製作實施例15的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例15的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.895、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為9.3%，相位差為225度。
＜實施例16＞
將吸收層的材料變更為鉭(Ta)和鈦(Ti)以60：40的原子數比率成為均質的混合材料(TaTi)，以成為膜厚78nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例16的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例16的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.947、k=0.030。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為1.2%，相位差為212度。
＜實施例17＞
將吸收層的材料變更為鈦(Ti)，以成為膜厚80nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例17的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例17的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.952、k=0.014。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為6.5%，相位差為212度。
＜實施例18＞
將吸收層的材料變更為鉬(Mo)和鈀(Pd)以40：60的原子數比率成為均質的混合材料(MoPd)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例18的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例18的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.896、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為6.6%，相位差為235度。
＜實施例19＞
將吸收層的材料變更為鉑(Pt)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例19的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例19的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.890、k=0.06。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為1.3%，相位差為243度。
＜實施例20＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鉑(Pt)以75：25的原子數比率成為均質的混合材料(IrPt)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例20的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例20的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.902、k=0.049。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為234度。
＜實施例21＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和金(Au)以40：60的原子數比率成為均質的混合材料(IrAu)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例21的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例21的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.901、k=0.049。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為234度。
＜實施例22＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鉑(Pt)以75：25的原子數比率成為均質的混合材料(RePt)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例22的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例22的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.909、k=0.045。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為240度。
＜實施例23＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和金(Au)以40：60的原子數比率成為均質的混合材料(ReAu)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例23的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例23的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.905、k=0.047。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.8%，相位差為227度。
＜實施例24＞
將吸收層的材料變更為鉑(Pt)和鉬(Mo)以20：80的原子數比率成為均質的混合材料(PtMo)，以成為膜厚48nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例24的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例24的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.918、k=0.017。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為7.8%，相位差為213度。
＜實施例25＞
將吸收層的材料變更為鉑(Pt)和鉬(Mo)以80：20的原子數比率成為均質的混合材料(PtMo)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例25的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例25的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.898、k=0.049。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為234度。
＜實施例26＞
將吸收層的材料變更為鉑(Pt)和鈮(Nb)以35：65的原子數比率成為均質的混合材料(PtNb)，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例26的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例26的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.919、k=0.024。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為6%，相位差為214度。
＜實施例27＞
將吸收層的材料變更為鉑(Pt)和鈮(Nb)以80：20的原子數比率成為均質的混合材料(PtNb)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例27的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例27的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.900、k=0.049。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為234度。
＜實施例28＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鉬(Mo)以25：75的原子數比率成為均質的混合材料(AuMo)，以成為膜厚49nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例28的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例28的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.918、k=0.018。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為7.6%，相位差為209度。
＜實施例29＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鉬(Mo)以95：5的原子數比率成為均質的混合材料(AuMo)，以成為膜厚39nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例29的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例29的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.900、k=0.050。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.7%，相位差為228度。
＜實施例30＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鈮(Nb)以45：55的原子數比率成為均質的混合材料(AuNb)，以成為膜厚48nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例30的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例30的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.918、k=0.026。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為4.5%，相位差為213度。
＜實施例31＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鈮(Nb)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(AuNb)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例31的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例31的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.903、k=0.047。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為234度。
＜實施例32＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鈦(Ti)以65：35的原子數比率成為均質的混合材料(AuTi)，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例32的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例32的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.918、k=0.039。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為1.3%，相位差為225度。
＜實施例33＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鈦(Ti)以85：15的原子數比率成為均質的混合材料(AuTi)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例33的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例33的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.907、k=0.046。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為240度。
＜實施例34＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鋯(Zr)以70：30的原子數比率成為均質的混合材料(AuZr)，以成為膜厚51nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例34的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例34的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.917、k=0.038。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.1%，相位差為218度。
＜實施例35＞
將吸收層的材料變更為金(Au)和鋯(Zr)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(AuZr)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例35的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例35的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.905、k=0.047。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.5%，相位差為248度。
＜實施例36＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鉬(Mo)以30：70的原子數比率成為均質的混合材料(IrMo)，以成為膜厚49nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例36的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例36的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.918、k=0.018。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為7.6%，相位差為209度。
＜實施例37＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鉬(Mo)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(IrMo)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例37的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例37的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.907、k=0.041。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.7%，相位差為227度。
＜實施例38＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鎢(W)以50：50的原子數比率成為均質的混合材料(IrW)，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例38的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例38的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.919、k=0.039。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為1.3%，相位差為225度。
＜實施例39＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鎢(W)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(IrW)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例39的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例39的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.908、k=0.044。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為240度。
＜實施例40＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鈮(Nb)以50：50的原子數比率成為均質的混合材料(IrNb)，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例40的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例40的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.920、k=0.025。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為6%，相位差為214度。
＜實施例41＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鈮(Nb)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(IrNb)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例41的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例41的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.908、k=0.041。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.1%，相位差為237度。
＜實施例42＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鉭(Ta)以85：15的原子數比率成為均質的混合材料(IrTa)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例42的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例42的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.911、k=0.044。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.8%，相位差為219度。
＜實施例43＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和鉭(Ta)以95：5的原子數比率成為均質的混合材料(IrTa)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例43的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例43的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.907、k=0.045。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.5%，相位差為248度。
＜實施例44＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和釩(V)以65：35的原子數比率成為均質的混合材料(IrV)，以成為膜厚45nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例44的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例44的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.918、k=0.038。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.4%，相位差為201度。
＜實施例45＞
將吸收層的材料變更為銥(Ir)和釩(V)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(IrV)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例45的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例45的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.909、k=0.043。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.2%，相位差為240度。
＜實施例46＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鉬(Mo)以45：55的原子數比率成為均質的混合材料(ReMo)，以成為膜厚48nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例46的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例46的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.920、k=0.021。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為7.8%，相位差為213度。
＜實施例47＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鉬(Mo)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(ReMo)，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例47的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例47的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.916、k=0.037。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.5%，相位差為234度。
＜實施例48＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鎢(W)以75：25的原子數比率成為均質的混合材料(ReW)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例48的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例48的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.920、k=0.038。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.4%，相位差為216度。
＜實施例49＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鎢(W)以95：5的原子數比率成為均質的混合材料(ReW)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例49的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例49的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.916、k=0.040。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.8%，相位差為227度。
＜實施例50＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鈮(Nb)以75：25的原子數比率成為均質的混合材料(ReNb)，以成為膜厚48nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例50的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例50的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.920、k=0.031。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為2.5%，相位差為213度。
＜實施例51＞
將吸收層的材料變更為錸(Re)和鈮(Nb)以90：10的原子數比率成為均質的混合材料(ReNb)，以成為膜厚46nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作實施例51的反射型光罩。
依上述方式形成的實施例51的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.917、k=0.037。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為4%，相位差為224度。
＜比較例1＞
在比較例1中，使用具備習知的以鉭(Ta)為主要材料的既有膜的光罩。在比較例1中，使用氮化鉭(TaN)以成為膜厚58nm的方式形成吸收層，使用氧化鉭(TaO)以成為膜厚2nm的方式形成最表層來製作反射型光罩。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作比較例1的反射型光罩。
依上述方式形成的比較例1的吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為1.3%，相位差為160度。
＜比較例2＞
將吸收層的材料變更為銠(Rh)和鋁(Al)以60：40的原子數比率成為均質的混合材料(RhAl)，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作比較例2的反射型光罩。
依上述方式形成的比較例2的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.932、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為3.1%，相位差為180度。
＜比較例3＞
以原子數比率計為Rh：Al=89：11的方式變更吸收層的材料的RhAl的組成，以成為膜厚47nm的方式成膜。除此之外係以與實施例1同樣的方法製作比較例3的反射型光罩。
依上述方式形成的比較例3的吸收層的波長13.5nm處的折射率n、消光係數k分別為n=0.892、k=0.03。
此外，上述吸收層的波長13.5nm處的絕對反射率為6.3%，相位差為285度。
＜評價＞
針對在上述的實施例1～51、比較例1～3所得到的反射型光罩，用以下的方法進行轉印性能的評價。轉印性能係利用晶圓曝光評價來確認。此外，解析度係利用NILS(Normalized Image Log-Slope：歸一化空間圖像對數斜率)值來進行評價。
使用EUV曝光裝置(NXE3300B：ASML公司製)，將在各實施例、比較例製作的反射型光罩的吸收圖案轉印曝光在塗布了EUV正型化學增幅型阻劑的半導體晶圓上。此時，曝光量係以孔圖案轉印成按照設計的19nm的方式進行調節。之後，藉由電子束尺寸測定機，實施所轉印的阻劑圖案的觀察及線寬測定，確認解析度，用以下的「◎」、「○」、「△」、「×」的4階段進行評價。
＜評價基準＞
◎：NILS值大於2.73的情況
○：NILS值為2.48以上、2.73以下的情況
△：NILS值為2.40以上、小於2.48的情況
×：NILS值小於2.40的情況
將以上的評價結果顯示於表1。
又，對於NILS值，若為「○」以上的評價，則轉印性能沒有問題，因此設為合格。
[表1]
| 材料(組成) | 膜厚(nm) | n | k | 相位差(度) | 反射率(%) | NILS | 評價 | |
| 實施例1 | RhAl(Al34%) | 47 | 0.924 | 0.03 | 205 | 3.4 | 2.66 | ○ |
| 實施例2 | RhAl(Al30%) | 47 | 0.919 | 0.03 | 220 | 3.7 | 2.73 | ○ |
| 實施例3 | RhAl(Al25%) | 47 | 0.912 | 0.03 | 240 | 4.3 | 2.76 | ◎ |
| 實施例4 | RhAl(Al18%) | 47 | 0.902 | 0.03 | 265 | 5.3 | 2.67 | ○ |
| 實施例5 | RhAl(Al14%) | 47 | 0.896 | 0.03 | 275 | 5.9 | 2.56 | ○ |
| 實施例6 | RhAl(Al33%) | 54 | 0.923 | 0.03 | 240 | 2.6 | 2.74 | ◎ |
| 實施例7 | RhAl(Al16%) | 41 | 0.899 | 0.03 | 240 | 4.4 | 2.78 | ◎ |
| 實施例8 | RhAl(Al2%) | 38 | 0.878 | 0.03 | 240 | 9.2 | 2.71 | ○ |
| 實施例9 | Rh | 33 | 0.875 | 0.03 | 240 | 11.0 | 2.53 | ○ |
| 實施例10 | RuNb(Nb15%) | 44 | 0.895 | 0.015 | 240 | 17.0 | 2.48 | ○ |
| 實施例11 | RuAl(Al41%) | 73 | 0.940 | 0.023 | 240 | 3.7 | 2.73 | ○ |
| 實施例12 | SnRuO(Ru80%) | 42 | 0.896 | 0.03 | 240 | 3.1 | 2.78 | ◎ |
| 實施例13 | SnRuO(Ru80%) | 39 | 0.896 | 0.03 | 225 | 8.9 | 2.65 | ○ |
| 實施例14 | InRuO(Ru85%) | 42 | 0.895 | 0.03 | 240 | 3.3 | 2.78 | ◎ |
| 實施例15 | InRuO(Ru85%) | 39 | 0.895 | 0.03 | 225 | 9.3 | 2.64 | ○ |
| 實施例16 | TaTi(Ti40%) | 78 | 0.947 | 0.030 | 212 | 1.2 | 2.48 | ○ |
| 實施例17 | Ti | 80 | 0.952 | 0.014 | 212 | 6.5 | 2.56 | ○ |
| 實施例18 | MoPd(Pd60%) | 45 | 0.896 | 0.030 | 235 | 6.6 | 2.76 | ◎ |
| 實施例19 | Pt | 45 | 0.890 | 0.060 | 243 | 1.3 | 2.72 | ○ |
| 實施例20 | IrPt(Pt25%) | 45 | 0.902 | 0.049 | 234 | 2.2 | 2.74 | ◎ |
| 實施例21 | IrAu(Au60%) | 45 | 0.901 | 0.049 | 234 | 2.2 | 2.74 | ◎ |
| 實施例22 | RePt(Pt25%) | 46 | 0.909 | 0.045 | 240 | 2.2 | 2.75 | ◎ |
| 實施例23 | ReAu(Au60%) | 45 | 0.905 | 0.047 | 227 | 2.8 | 2.74 | ◎ |
| 實施例24 | PtMo(Mo80%) | 48 | 0.918 | 0.017 | 213 | 7.8 | 2.65 | ○ |
| 實施例25 | PtMo(Mo20%) | 45 | 0.898 | 0.049 | 234 | 2.2 | 2.74 | ◎ |
| 實施例26 | PtNb(Nb65%) | 47 | 0.919 | 0.024 | 214 | 6.0 | 2.68 | ○ |
| 實施例27 | PtNb(Nb20%) | 45 | 0.900 | 0.049 | 234 | 2.2 | 2.74 | ◎ |
| 實施例28 | AuMo(Mo75%) | 49 | 0.918 | 0.018 | 209 | 7.6 | 2.63 | ○ |
| 實施例29 | AuMo(Mo5%) | 39 | 0.900 | 0.050 | 228 | 2.7 | 2.75 | ◎ |
| 實施例30 | AuNb(Nb55%) | 48 | 0.918 | 0.026 | 213 | 4.5 | 2.71 | ○ |
| 實施例31 | AuNb(Nb10%) | 45 | 0.903 | 0.047 | 234 | 2.2 | 2.74 | ◎ |
| 實施例32 | AuTi(Ti35%) | 47 | 0.918 | 0.039 | 225 | 1.3 | 2.69 | ○ |
| 實施例33 | AuTi(Ti15%) | 46 | 0.907 | 0.046 | 240 | 2.2 | 2.75 | ◎ |
| 實施例34 | AuZr(Zr30%) | 51 | 0.917 | 0.038 | 218 | 2.1 | 2.67 | ○ |
| 實施例35 | AuZr(Zr10%) | 46 | 0.905 | 0.047 | 248 | 2.5 | 2.74 | ◎ |
| 實施例36 | IrMo(Mo70%) | 49 | 0.918 | 0.018 | 209 | 7.6 | 2.63 | ○ |
| 實施例37 | IrMo(Mo10%) | 45 | 0.907 | 0.041 | 227 | 3.7 | 2.74 | ◎ |
| 實施例38 | IrW(W50%) | 47 | 0.919 | 0.039 | 225 | 1.3 | 2.69 | ○ |
| 實施例39 | IrW(W10%) | 46 | 0.908 | 0.044 | 240 | 2.2 | 2.75 | ◎ |
| 實施例40 | IrNb(Nb50%) | 47 | 0.920 | 0.025 | 214 | 6.0 | 2.68 | ○ |
| 實施例41 | IrNb(Nb10%) | 46 | 0.908 | 0.041 | 237 | 3.1 | 2.76 | ◎ |
| 實施例42 | IrTa(Ta15%) | 45 | 0.911 | 0.044 | 219 | 2.8 | 2.71 | ○ |
| 實施例43 | IrTa(Ta5%) | 46 | 0.907 | 0.045 | 248 | 2.5 | 2.74 | ◎ |
| 實施例44 | IrV(V35%) | 45 | 0.918 | 0.038 | 201 | 3.4 | 2.60 | ○ |
| 實施例45 | IrV(V10%) | 46 | 0.909 | 0.043 | 240 | 2.2 | 2.75 | ◎ |
| 實施例46 | ReMo(Mo55%) | 48 | 0.920 | 0.021 | 213 | 7.8 | 2.65 | ○ |
| 實施例47 | ReMo(Mo10%) | 47 | 0.916 | 0.037 | 234 | 2.5 | 2.75 | ◎ |
| 實施例48 | ReW(W25%) | 46 | 0.920 | 0.038 | 216 | 2.4 | 2.71 | ○ |
| 實施例49 | ReW(W5%) | 46 | 0.916 | 0.040 | 227 | 2.8 | 2.74 | ◎ |
| 實施例50 | ReNb(Nb25%) | 48 | 0.920 | 0.031 | 213 | 2.5 | 2.70 | ○ |
| 實施例51 | ReNb(Nb10%) | 46 | 0.917 | 0.037 | 224 | 4.0 | 2.74 | ◎ |
| 比較例1 | TaN+TaO | 60 | 0.950 | 0.03 | 160 | 1.3 | 2.37 | × |
| 比較例2 | RhAl(Al40%) | 47 | 0.932 | 0.03 | 180 | 3.1 | 2.47 | △ |
| 比較例3 | RhAl(Al11%) | 47 | 0.892 | 0.03 | 285 | 6.3 | 2.47 | △ |
表1中，顯示實施例1～51、比較例1～3的評價結果。
具備習知的膜厚60nm之鉭(Ta)系吸收層的比較例1的相位差為160度，NILS為2.37。得知在如實施例1～51般吸收圖案層的相位差為200度以上280度以下的情況下，與比較例1相比，係NILS較大，解析度提高。
此外，得知相位差為200度以上280度以下的實施例1～51，與相位差為180度的比較例2、相位差為285度的比較例3相比，也是NILS較大，解析度提高。
以下，針對使用表1及圖9所示的圖表來比較各實施例及各比較例的NILS的結果，詳細地進行說明。
如圖9及表1的實施例1～5、比較例2、3所示，膜厚為47nm且以RhAl所形成之吸收圖案層14a的相位差為180度的比較例2之NILS的值為2.47。相對於此，相位差為205度的實施例1之NILS的值為2.66，與相位差為180度的情況(比較例2)相比，其值變高約7%。
此外，相位差為220度的實施例2之NILS的值為2.73，與相位差為180度的情況(比較例2)相比，其值變高約10%。
此外，相位差為240度的實施例3之NILS的值為2.76，與相位差為180度的情況(比較例2)相比，其值變高約12%。
此外，相位差為265度的實施例4之NILS的值為2.67，與相位差為180度的情況(比較例2)相比，其值變高約8%。
此外，相位差為275度的實施例5之NILS的值為2.56，與相位差為180度的情況(比較例2)相比，其值變高約4%。
另一方面，相位差為285度的比較例3之NILS的值為2.46，與相位差為180度的情況(比較例2)相比，為幾乎相同的值。
此外，如圖9及表1的實施例6所示，在吸收圖案層14a的膜厚為54nm的情況下，相位差為240度的實施例6之NILS的值為2.74，與相同膜厚且相位差為180度的情況相比，其值變高約10%。
此外，如圖9及表1的實施例7所示，在吸收圖案層14a的膜厚為41nm的情況下，相位差為240度的實施例7之NILS的值為2.78，與相同膜厚且相位差為180度的情況相比，其值變高約13%。
此外，如圖9及表1的實施例8所示，在吸收圖案層14a的膜厚為38nm的情況下，相位差為240度的實施例8之NILS的值為2.71，與相同膜厚且相位差為180度的情況相比，其值變高約31%。
由此可知，為了使解析度提高，相位差較佳為在200度以上280度以下的範圍內，更佳為在215度以上270度以下的範圍內，最佳為在230度以上260度以下的範圍內。
即，反射型遮罩中的吸收層的合適相位差的範圍，係與目前的設計思想所使用的「170度以上190度以下的範圍內」差異甚大，而為「200度以上280度以下的範圍內」。
由膜厚為33nm的銠(Rh)所形成，且相位差為240度的實施例9的NILS係2.53，由膜厚為44nm的以原子數比率成為85：15的方式含有釕(Ru)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為240度的實施例10的NILS係2.48。
實施例6～10，係顯示反射率分別為2.6%、4.4%、9.2%、11.0%、17.0%而互異的情況，但不論反射率如何，在所有的情況下都可得到比各比較例更佳的轉印性。由此可知，若為在2%以上20%以下的範圍內的反射率，便可得到充分的相位移效應，解析度提高。
由膜厚為72nm的以原子數比率成為59：41的方式含有釕(Ru)和鋁(Al)的材料所形成，且相位差為240度的實施例11的NILS係2.73。實施例11係折射率n高達0.94，因此膜厚比比較例1的習知膜的60nm還厚，無法減少陰影效應，但藉由相位移效應而NILS佳。
由膜厚為42nm的以原子數比率成為20：80的方式含有氧化錫(SnO)和釕(Ru)的材料所形成，且相位差為240度的實施例12的NILS係2.78，由膜厚為39nm的以原子數比率成為20：80的方式含有氧化錫(SnO)和釕(Ru)的材料所形成，且相位差為225度的實施例13的NILS係2.65，由膜厚為42nm的以原子數比率成為15：85的方式含有氧化銦(InO)和釕(Ru)的材料所形成，且相位差為240度的實施例14的NILS係2.78，由膜厚為39nm的以原子數比率成為15：85的方式含有氧化銦(InO)和釕(Ru)的材料所形成，且相位差為225度的實施例15的NILS係2.64。
由此，即使是在以加工性優異的包含錫(Sn)、銦(In)的材料形成吸收層14(吸收圖案層14a)的情況下，亦可得到相位移效應，解析度提高。
由膜厚為78nm的以原子數比率成為60：40的方式含有鉭(Ta)和鈦(Ti)的材料所形成，且相位差為212度的實施例16的NILS係2.48，由膜厚80nm的鈦(Ti)所形成，且相位差為212度的實施例17的NILS係2.56。實施例16及17係折射率n分別為相對較高的0.947、0.952，因此膜厚比比較例1的習知膜的60nm還厚，無法減少陰影效應，但藉由相位移效應而NILS佳。此外，實施例16及17的反射率分別為1.2%、6.5%，反射率在2%以上20%以下的範圍內的實施例17係NILS更佳。
由膜厚為45nm的以原子數比率成為40：60的方式含有鉬(Mo)和鈀(Pd)的材料所形成，且相位差為235度的實施例18的NILS係2.76，由膜厚45nm的鉑(Pt)所形成，且相位差為243度的實施例19的NILS係2.72。實施例18及19都藉由相位移效應而NILS佳。此外，實施例18及19的反射率分別為6.6%、1.3%，反射率在2%以上20%以下的範圍內的實施例18係NILS更佳。
由膜厚為45nm的以原子數比率成為75：25的方式含有銥(Ir)和鉑(Pt)的材料所形成，且相位差為234度的實施例20的NILS係2.74，由膜厚為45nm的以原子數比率成為40：60的方式含有銥(Ir)和金(Au)的材料所形成，且相位差為234度的實施例21的NILS係2.74，由膜厚為46nm的以原子數比率成為75：25的方式含有錸(Re)和鉑(Pt)的材料所形成，且相位差為240度的實施例22的NILS係2.75，由膜厚為45nm的以原子數比率成為40：60的方式含有錸(Re)和金(Au)的材料所形成，且相位差為227度的實施例23的NILS係2.74。
由此，即使是在形成僅以折射率n小且加工性和氫耐性優異的第3材料群的元素所構成的吸收層14(吸收圖案層14a)的情況下，亦可得到相位移效應，解析度提高。
由膜厚為48nm的以原子數比率成為20：80的方式含有鉑(Pt)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為213度的實施例24的NILS係2.65，由膜厚為45nm的以原子數比率成為80：20的方式含有鉑(Pt)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為234度的實施例25的NILS係2.74。
此外，由膜厚為47nm的以原子數比率成為35：65的方式含有鉑(Pt)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為214度的實施例26的NILS係2.68，由膜厚為45nm的以原子數比率成為80：20的方式含有鉑(Pt)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為234度的實施例27的NILS係2.74。
此外，由膜厚為49nm的以原子數比率成為25：75的方式含有金(Au)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為209度的實施例28的NILS係2.63，由膜厚為39nm的以原子數比率成為95：5的方式含有金(Au)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為228度的實施例29的NILS係2.75。
此外，由膜厚為48nm的以原子數比率成為45：55的方式含有金(Au)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為213度的實施例30的NILS係2.71，由膜厚為45nm的以原子數比率成為90：10的方式含有金(Au)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為234度的實施例31的NILS係2.74。
此外，由膜厚為47nm的以原子數比率成為65：35的方式含有金(Au)和鈦(Ti)的材料所形成，且相位差為225度的實施例32的NILS係2.69，由膜厚為46nm的以原子數比率成為85：15的方式含有金(Au)和鈦(Ti)的材料所形成，且相位差為240度的實施例33的NILS係2.75。
此外，由膜厚為51nm的以原子數比率成為70：30的方式含有金(Au)和鋯(Zr)的材料所形成，且相位差為218度的實施例34的NILS係2.67，由膜厚為46nm的以原子數比率成為90：10的方式含有金(Au)和鋯(Zr)的材料所形成，且相位差為248度的實施例35的NILS係2.74。
此外，由膜厚為49nm的以原子數比率成為30：70的方式含有銥(Ir)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為209度的實施例36的NILS係2.63，由膜厚為45nm的以原子數比率成為90：10的方式含有銥(Ir)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為227度的實施例37的NILS係2.74。
此外，由膜厚為47nm的以原子數比率成為50：50的方式含有銥(Ir)和鎢(W)的材料所形成，且相位差為225度的實施例38的NILS係2.69，由膜厚為46nm的以原子數比率成為90：10的方式含有銥(Ir)和鎢(W)的材料所形成，且相位差為240度的實施例39的NILS係2.75。
此外，由膜厚為47nm的以原子數比率成為50：50的方式含有銥(Ir)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為214度的實施例40的NILS係2.68，由膜厚為46nm的以原子數比率成為90：10的方式含有銥(Ir)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為237度的實施例41的NILS係2.76。
此外，由膜厚為45nm的以原子數比率成為85：15的方式含有銥(Ir)和鉭(Ta)的材料所形成，且相位差為219度的實施例42的NILS係2.71，由膜厚為46nm的以原子數比率成為95：5的方式含有銥(Ir)和鉭(Ta)的材料所形成，且相位差為248度的實施例43的NILS係2.74。
此外，由膜厚為45nm的以原子數比率成為65：35的方式含有銥(Ir)和釩(V)的材料所形成，且相位差為201度的實施例44的NILS係2.6，由膜厚為46nm的以原子數比率成為90：10的方式含有銥(Ir)和釩(V)的材料所形成，且相位差為240度的實施例45的NILS係2.75。
此外，由膜厚為48nm的以原子數比率成為45：55的方式含有錸(Re)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為213度的實施例46的NILS係2.65，由膜厚為47nm的以原子數比率成為90：10的方式含有錸(Re)和鉬(Mo)的材料所形成，且相位差為234度的實施例47的NILS係2.75。
此外，由膜厚為46nm的以原子數比率成為75：25的方式含有錸(Re)和鎢(W)的材料所形成，且相位差為216度的實施例48的NILS係2.71，由膜厚為46nm的以原子數比率成為95：5的方式含有錸(Re)和鎢(W)的材料所形成，且相位差為227度的實施例49的NILS係2.74。
此外，由膜厚為48nm的以原子數比率成為75：25的方式含有錸(Re)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為213度的實施例50的NILS係2.7，由膜厚為46nm的以原子數比率成為90：10的方式含有錸(Re)和鈮(Nb)的材料所形成，且相位差為224度的實施例51的NILS係2.74。
由此，即使是在以除了折射率n小的第3材料群的元素外，還包含加工性和氫耐性優異的第4材料群的元素的材料形成吸收層14(吸收圖案層14a)的情況下，亦可得到相位移效應，解析度提高。此外，在第3材料群的元素的含有率為吸收層14整體元素的20原子%以上的情況下，NILS佳。此外，在吸收層14所含的第3材料群的元素和第4材料群的元素之組合相同的情況下，第3材料群的元素的含有率越多，NILS越佳。
又，本揭示的反射型空白光罩及反射型光罩不限於上述的實施形態及實施例，可以在無損發明之特徵的範圍內進行各種變更。
[產業上利用之可能性]
本發明的反射型空白光罩及反射型光罩，能夠合適地使用在半導體積體電路等的製造步驟中，以藉由EUV曝光來形成微細的圖案。
11:基板
12:反射層
13:保護層
14:吸收層
14a:吸收圖案(吸收圖案層)
15:背面導電膜
16:阻劑膜
16a:阻劑圖案
100:反射型空白光罩
200:反射型光罩
圖1係顯示本實施形態之反射型空白光罩的構造的剖面圖。
圖2係顯示本實施形態之反射型光罩的構造的剖面圖。
圖3係顯示在EUV光的波長下的各金屬材料的光學常數的圖表(graph)。
圖4係顯示本發明的實施例之反射型空白光罩的構造的概略剖面圖。
圖5係顯示本發明的實施例之反射型光罩的製造步驟的概略剖面圖。
圖6係顯示本發明的實施例之反射型光罩的製造步驟的概略剖面圖。
圖7係顯示本發明的實施例之反射型光罩的製造步驟的概略剖面圖。
圖8係顯示本發明的實施例之反射型光罩的構造的概略剖面圖。
圖9係顯示本發明的實施例之反射型光罩的NILS的圖表。
圖10係顯示本發明的實施例之反射型光罩的相位差的圖表。
11:基板
12:反射層
13:保護層
14:吸收層
100:反射型空白光罩
Claims (16)
- 一種反射型空白光罩，其特徵為具備：基板；形成在該基板上的具有多層膜構造的反射EUV光的反射層；形成在該反射層上並保護該反射層的保護層；和形成在該保護層上的吸收EUV光的吸收層，該吸收層具有在200度以上280度以下的範圍內的相位差，且對EUV光的折射率n小於0.93。
- 如請求項1的反射型空白光罩，其中該吸收層具有在215度以上270度以下的範圍內的相位差。
- 如請求項1的反射型空白光罩，其中該吸收層具有在230度以上260度以下的範圍內的相位差。
- 如請求項1至3中任一項的反射型空白光罩，其中該吸收層係對EUV光的折射率n小於0.92。
- 如請求項1至3中任一項的反射型空白光罩，其中該吸收層係由包含Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
- 如請求項1至3中任一項的反射型空白光罩，其中該吸收層係對EUV光的反射率在2%以上20%以下的範圍內。
- 如請求項1至3中任一項的反射型空白光罩，其中該吸收層係由包含Pt、Au、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
- 如請求項1至3中任一項的反射型空白光罩，其中該吸收層進一步包含Mo、W、Nb、Hg、Fe、Ta、V、Bi、Ti、Zr、Hf、C、B、Be、及Al當中的至少一種以上的元素。
- 一種反射型光罩，其特徵為具備：基板；形成在該基板上的具有多層膜構造的反射EUV光的反射層；形成在該反射層上並保護該反射層的保護層；和形成在該保護層上並形成有圖案的吸收EUV光的吸收圖案層，該吸收圖案層具有在200度以上280度以下的範圍內的相位差，且對EUV光的折射率n小於0.93。
- 如請求項9的反射型光罩，其中該吸收圖案層具有在215度以上270度以下的範圍內的相位差。
- 如請求項9的反射型光罩，其中該吸收圖案層具有在230度以上260度以下的範圍內的相位差。
- 如請求項9至11中任一項的反射型光罩，其中該吸收圖案層係對EUV光的折射率n小於0.92。
- 如請求項9至11中任一項的反射型光罩，其中該吸收圖案層係由包含Ru、Rh、Mo、Pd、Ag、Pt、Au、Os、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
- 如請求項9至11中任一項的反射型光罩，其中該吸收圖案層係對EUV光的反射率在2%以上20% 以下的範圍內。
- 如請求項9至11中任一項的反射型光罩，其中該吸收圖案層係由包含Pt、Au、Ir、及Re當中的至少一種以上的元素的材料構成。
- 如請求項9至11中任一項的反射型光罩，其中該吸收圖案層進一步包含Mo、W、Nb、Hg、Fe、Ta、V、Bi、Ti、Zr、Hf、C、B、Be、及Al當中的至少一種以上的元素。
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