JP2024091002A - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、位相シフト効果を最大限に活用し、高い転写性（特にコントラスト）を有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】本開示の一態様に係る反射型フォトマスクブランク１００は、基板１１と、基板１１上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層１２と、反射層１２上に形成され、反射層１２を保護する保護層１３と、保護層１３上に形成され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４と、を備え、吸収層１４のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下であることを特徴とする。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）
【選択図】 図１

Description

本開示は、反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクに関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおける転写パターンの最小現像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、先端の半導体デバイスの製造プロセスにおける露光光源は、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）に置き換わってきている。

ほとんどの物質がＥＵＶに対して高い光吸収性をもつため、従来の光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材はレンズではなく、ミラーとなる。そのため、フォトマスクも従来の透過型から反射型のＥＵＶフォトマスクとなる。また、ＥＵＶフォトマスクへの入射光とＥＵＶフォトマスクで反射した反射光とが同軸上に設計できないことから、通常、ＥＵＶリソグラフィでは光軸をＥＵＶフォトマスクの垂直方向から６°傾けてＥＵＶ光を入射し、マイナス６°の角度で反射する反射光を半導体基板に照射する手法が採用されている。
しかし、光軸を傾斜させることから、ＥＵＶフォトマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶフォトマスクのパターン（吸収層に形成された転写パターン、所謂吸収層パターン）の影を作ることにより、転写性能が悪化する問題が発生し得る。このように、今後、更なる微細化を行う為には、転写性能の改善が課題となる。

現在のＥＵＶフォトマスクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このＥＵＶフォトマスクでパターン転写の露光を行った場合、入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化する場合もある。

この課題に対し、吸収層に消衰係数ｋが高い材料を用いてＥＵＶ反射率を抑える手法[例えば、特許文献１を参照]や、位相シフト効果を用いた手法[例えば、特許文献２を参照]が提案されている。

反射型位相シフトマスクでは、吸収層を通り減光した反射光は、吸収層が形成されていない開口部で反射される光と位相差を持つ。このような反射型位相シフトマスクは、透過型位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果を用いることにより、ウェハ上の光学像のコントラストが向上し、転写パターンの解像性を向上させることができる。

例えば、特許文献２に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差の最適値を１７０～１９０度としている。また、特許文献３に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差の最適値を１７５～１８５度としている。これは従来の透過型位相シフトマスクの位相差の最適値である１８０度を含んだ値である。

しかし、反射型位相シフトマスクの場合、ＥＵＶ光が傾いて入射するため、反射光の一部は吸収層パターンのエッジ部分を通る。エッジ部分に当たった反射光はパターン中心部の反射光と位相がずれてしまうため、吸収層の最適な位相差は１８０度と異なり、より大きくなる。
このように、従来技術に係る反射型の位相シフトマスクでは、位相シフト効果を十分に活用できておらず、その転写性（特にコントラスト）は十分でなかった。

なお、特許文献３に記載の技術では、ＥＵＶマスクの吸収層の屈折率ｎは０．９３５～０．９６３の範囲が好ましいとしているが、これは位相差をその最適値である１８０度としたときの値であり、より大きな位相差の場合、最適な屈折率ｎは０．９３５以下となる。

国際公開第２０１８／１５９７８５号 特許第６２８７０９９号 特開２０２１－１７４００３号

本開示は、位相シフト効果を最大限に活用し、シャドーイング解消および高い転写性（特にコントラスト）を有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。

本発明は上記課題を解決するために成されたものであって、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクは、基板と、前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、前記保護層上に形成され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を備え、前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下である。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（２）を満たしてもよい。
０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の膜厚であってもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２以下であってもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されていてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｒｈ、及びＰｄのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されていてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されていてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含んでいてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクは、開口数ＮＡが０．３３以上である露光機で使用される反射型フォトマスクを作製するために用いられてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、前記保護層上に形成され、パターンが形成されているＥＵＶ光を吸収する吸収パターン層と、を備え、前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下である。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数kは、下記式（２）を満たしてもよい。
０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の膜厚であってもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２以下であってもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されていてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｒｈ、及びＰｄのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されていてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されていてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含んでいてもよい。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、開口数ＮＡが０．３３以上である露光機で使用されてもよい。

本開示の一態様に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであれば、十分な位相シフト効果が得られ、シャドーイングを低減し、ウェハ転写性能（特にコントラスト）を向上することが可能になる。

本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクのＮＩＬＳを示すグラフである。 ＥＵＶ光の波長における各金属材料の光学定数を示すグラフである。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの吸収層の光学定数を示すグラフである。

本開示の一実施形態について図面を参照しつつ説明する。
ここで、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

（反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの構成）
図１は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１００の構成を示す概略断面図である。図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１００は、基板１１と、基板１１上に形成された反射層１２と、反射層１２の上に形成された保護層１３と、保護層１３の上に形成された吸収層１４と、を備えている。また、図２は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２００の構成を示す概略断面図である。ここで、図２に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２００は、図１に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４をパターニングして形成されている。以下、各層について詳細に説明する。

（基板）
本発明の実施形態に係る基板１１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
また、後述する図５に示すように、基板１１の反射層１２を形成していない面に裏面導電膜１５を形成することができる。裏面導電膜１５は、反射型フォトマスク２００を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。

（反射層）
本発明の実施形態に係る反射層１２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであればよく、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜（つまり、多層膜構造を有するＥＵＶ光反射膜）であってもよい。多層反射膜を含む反射層１２は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）、またはＭｏ（モリブデン）とＢｅ（ベリリウム）といった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成したものであってもよい。

（保護層）
図２を参照して、本発明の実施形態に係る保護層１３は、吸収パターン層１４ａを吸収層１４のエッチングにより形成する際に、反射層１２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能する層である。なお、反射層１２の材質やエッチング条件によっては、保護層１３は設けなくてもかまわない。
保護層１３は、吸収層１４のパターン形成の際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されていればよい。そのため、例えば、保護層１３の材料はルテニウム（Ｒｕ）であってもよい。

（吸収層及び吸収パターン層）
図１に示すように、吸収層１４は、保護層１３上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。また、吸収層１４は、転写するための微細パターンである吸収パターン層（転写パターン）１４ａ（図２参照）を形成する層である。つまり、反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４の一部を除去することにより、即ち吸収層１４をパターニングすることにより、図２に示す反射型フォトマスク２００の吸収パターン（吸収パターン層１４ａ）が形成される。

吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）が形成されている部分では、ＥＵＶ光を吸収して一部の光を反射させる。一方、パターンの開口部（吸収層１４がない部分）では、ＥＵＶ光は保護層１３を介して反射層１２で反射する。吸収層１４が形成されている部分からの反射光は、開口部からの反射光と所望の位相差を形成する。

解像性を向上させるためには、吸収層１４の位相差は、２００度以上２８０度以下の範囲内が好ましく、２１５度以上２７０度以下の範囲内がさらに好ましく、２３０度以上２６０度以下の範囲内が最も好ましい。

また、十分な位相シフト効果を得るためには、吸収層１４の反射率は、絶対反射率で１％以上３０％以下が好ましく、２％以上２０％以下がさらに好ましい。ここで、「絶対反射率」とは、光源からの光を直接測定した光の量に対する実試料で反射した光の量の比率で計算された値をいう。つまり、入射光の強度を１００％としたときの反射率を意味する。なお、本実施形態において「絶対反射率」の用語を用いたのは、多層反射膜（反射層１２）の反射率（約６６％）と吸収層１４の反射率との比を意味する「相対反射率」と区別するためである。このように、本実施形態における「絶対反射率」は、「相対反射率」とは異なる概念である。

一般に、吸収層１４の、反射率及びパターニングした結果生じる開口部との位相差は、反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの各層の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と膜厚、使用する光の波長が決まれば、一意に定まり、光学理論により計算で求めることができる（詳細は、例えば、応用物理工学選書３、吉田貞史「薄膜」、培風館、１９９０を参照）。つまり、本実施形態における「位相差」とは、吸収層１４の反射光の位相と、反射層１２の（開口部での）反射光の位相と、の差を意味する。
なお、本実施形態では、上記反射率及び上記位相差の算出に用いた屈折率ｎ及び消衰係数ｋの各値は、ＥＵＶ光を用いた実測値を用いた。

ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は、反射型フォトマスクに対して斜めに入射され、反射層１２で反射されるが、吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）が光路の妨げとなる射影効果（シャドーイング）により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４の厚さを薄くすることで低減できることが知られている。

吸収層１４の膜厚は、６０ｎｍ以下であることが好ましく、５５ｎｍ以下であることがさらに好ましく、５０ｎｍ以下であることが最も好ましい。吸収層１４の膜厚が５５ｎｍ以下である場合、従来のＴａ系吸収膜と比較して十分に射影効果を低減し、転写性能を向上させることができ、５０ｎｍ以下である場合さらに射影効果を低減し、転写性能を大幅に向上させることができる。つまり、吸収層１４の膜厚が５５ｎｍ超であると、射影効果の影響が大きくなる場合がある。
なお、吸収層１４の膜厚において、その下限値は特に制限されないが、２０ｎｍ以上であると好ましく、２５ｎｍ以上であるとさらに好ましい。吸収層１４の膜厚が２０ｎｍ未満であると、吸収層として機能しにくい場合がある。

吸収層１４の膜厚を薄くするとともに十分な位相シフト効果を得るためには、吸収層１４を適正な位相差・反射率に設定する必要があり、そのためには屈折率ｎ、消衰係数ｋの両方を適正な値にする必要がある。本発明者は鋭意検討した結果、α＝ｋ／（１－ｎ）で規定される値（以下、便宜的に「α」を「光学パラメータ」とも称する）が転写性に影響するということを新たに見出した。また、従来知られていなかった、高ＮＡ（開口数）において、転写性が向上する光学パラメータαの数値範囲を新たに見出した。
以下、高ＮＡ（開口数）における転写性について、簡単に説明する。

解像寸法は、レイリーの式ＣＤ＝ｋ１・λ／ＮＡで表されるように、ＮＡの値に反比例する。ここで、ＣＤは解像寸法、ｋ１は比例係数、λは露光波長、ＮＡは開口数をそれぞれ示す。現時点で使われている露光機のＮＡは０．３３であるが、解像寸法をより微細にするためにはレイリーの式よりＮＡを大きくすることが必要であり、次世代の露光機としてはＮＡ：０．５５が有力候補となっている。
しかしながら、従来技術に係る文献には高ＮＡでの転写性について記載されたものは極めて少ない。例えば、特許文献２に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差・反射率の評価は行っていたが、マスクパターンの転写性能(特に次世代向け露光機で使用されるＮＡ：０．５５)については評価しておらず、使用する材料、膜厚等によってはシャドーイング等の問題により、次世代露光機(ＮＡ：０．５５)で良好な転写性能が得られない可能性がある。

このような状況において、本発明者は、上述のように高ＮＡにおいて転写性能の高い吸収層の屈折率ｎ、消衰係数kの関係式を見出した。
つまり、本開示の一態様に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであれば、十分な位相シフト効果が得られ、且つ高ＮＡ（開口数）のウェハ露光をした場合であっても、シャドーイングを低減し、ウェハ転写性能（特にコントラスト）を向上することが可能になる。そのため、本実施形態に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであれば、マスクパターンの更なる微細化が可能となる。

このように、本実施形態に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであれば、特に次世代の高ＮＡ露光で良好なウェハ転写性能が得られるＥＵＶマスクを提供することができる。具体的には、本実施形態に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、開口数ＮＡが０．３３以上である露光機でも使用可能な反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであって、下記式（１）～（２）を満たすものである。また、下記式（３）を満たせば、さらに好ましい。
α＝ｋ／（１－ｎ）
０．１２≦α≦０．６ ・・・式（１）
ｎ≦０．９３５ ・・・式（２）
０．２≦α≦０．５ ・・・式（３）

露光機の開口数ＮＡは、上述のように０．３３以上であれば好ましく、０．５５以上であればより好ましい。
なお、汎用性の高い露光機を使用する場合には、その開口数ＮＡは、０．３３以上０．５５以下の範囲内が好ましく、０．５５が最も好ましい。
開口数ＮＡが上記数値範囲内であれば、ウェハ転写性能（特にコントラスト）をより向上させることが可能になる。

なお、本実施形態において、屈折率ｎの下限値は特に制限されないが、材料入手の容易さから０．８７以上であれば問題がない。

反射型フォトマスク２００を用いてウェハ転写した際のウェハパターンのＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、反射型フォトマスク２００の光学パラメータαの値に依存する。図３は、吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）の屈折率ｎ、消衰係数ｋを変化させ、ＮＡ（開口数）が０．５５の露光条件で、ウェハ上の１１ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）をシミュレーションによって求めた結果である。本シミュレーションでは、屈折率ｎは０．８８、０．８９、０．９１、０．９２５の４水準とし、各屈折率ｎの水準で消衰係数ｋを変化させることにより光学パラメータαを変化させている。また各ｎｋにおいて、位相シフト効果が十分となる反射率２％以上であり、射影効果を低減できる膜厚５５ｎｍ以下となる条件でＮＩＬＳが最大となる最適な膜厚に設定している。

ＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、
ＮＩＬＳ＝ｗ×ｄｌｎ（Ｉ）／ｄｘ ・・・式（１）
で求められるコントラストの値であり、反射型フォトマスク２００を用いてウェハパターンを形成した際のウェハパターンの解像性の指標になる。ここで「ｗ」は線幅を表し、「Ｉ」はエネルギー潜像の強度を表す。なお、ＮＩＬＳの値が大きい程、転写パターンのコントラストが高くなり解像性が高くなる。

図３に示すように、ＮＩＬＳは光学パラメータαに依存する。光学パラメータαが０．１２以上０．６以下の範囲内であれば既存のＴａ系材料よりもＮＩＬＳが向上するため好ましい。また、光学パラメータαが０．２以上０．５以下の範囲内であればＮＩＬＳが最大値に達するため、さらに好ましい。

図４は、各金属材料のＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍに対する光学定数を示すグラフである。図４のグラフの横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。図４に示すように、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのそれぞれは、屈折率ｎが０．９３より小さいため、吸収層１４の材料として、これらの材料群を用いることにより射影効果を低減できることが分かる。なお、上述した「Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ」を、以下便宜的に「第１の材料群」と定義する。

吸収層１４の材料は、第１の材料群の元素を含んでいれば混合物であってもよい。混合物であれば、組成を変えることによって吸収層１４の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を制御することができ、所望の位相差と反射率を得ることができる。つまり、吸収層１４は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料で構成されていれば好ましい。

吸収層１４の材料は、Ｒｈ及びＰｄの少なくとも一方を含むことがより好ましい。ＲｈとＰｄは、第１の材料群の中でも特に屈折率ｎが小さく、さらに光学パラメータαが０．２以上０．５以下の範囲にあるため、これらの材料を含んでいれば吸収層１４を所望の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）にすることが容易となる。なお、上述した「Ｒｈ、Ｐｄ」を、以下便宜的に「第２の材料群」と定義する。

吸収層１４の材料は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類以上の元素を含む材料で構成されていれば好ましい。Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅは、上述した第１の材料群の中でも既存エッチング装置での加工性向上が期待できる材料であり、かつ、ＥＵＶ露光装置のクリーニングの際に用いられる水素ラジカルに対する耐性が高い材料である。さらに屈折率ｎが０．９２よりも小さいため、射影効果の低減が期待できる。なお、上述した「Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｅ」を、以下便宜的に「第３の材料群」と定義する。

吸収層１４の材料は、上述した第１の材料群、第２の材料群、または、第３の材料群に加えて、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含んでいてもよい。ここで、「Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、Ａｌ」を「第４の材料群」と定義する。吸収層１４に第４の材料群が含まれていれば、既存エッチング装置での加工性向上、水素ラジカル耐性の向上が期待できる。

吸収層１４は、第１の材料群の元素のみで構成されていてもよいし、第２の材料群の元素のみで構成されていてもよいし、第３の材料群の元素のみで構成されていてもよい。また、第２の材料群と第３の材料群の元素とで構成されていてもよい。また、第１、第２、または第３の材料群の元素と、第４の材料群の元素とで構成されていてもよい。また、他の材料を含んでいてもよい。

吸収層１４を単一の材料（素材）で形成してもよいが、その場合には加工性や水素ラジカル耐性において優れているとは言えない場合がある。上記のように吸収層１４を異なる材料群から選択された２つ以上の材料から形成することで加工性や水素ラジカル耐性にも優れた吸収層を形成することができる。

また、吸収層１４の上には、ハードマスク層（図示せず）を備えていてもよい。ハードマスク層には、Ｃｒ系膜またはＳｉ系膜など、ドライエッチングに耐性がある材料が用いられる。

［実施例］
以下、本開示を実施例によりさらに詳しく説明するが、本開示は実施例により何ら限定されるものではない。

＜実施例１＞
図５に示す基板１１として、低熱膨張性を有する合成石英基板を用いた。その基板１１の上に、多層反射膜（反射層）１２としてシリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜を４０枚（層）積層して形成した。多層反射膜１２の膜厚は２８０ｎｍとした。
次に、多層反射膜１２上に、ルテニウム（Ｒｕ）を用いて膜厚が３．５ｎｍになるようにキャッピング層（保護層）１３を成膜した。これにより、基板１１上には多層反射膜１２及びキャッピング層１３を有する反射部が形成された。
キャッピング層１３の上に、パラジウム（Ｐｄ）と銀（Ａｇ）とを含む吸収層１４を膜厚が３９ｎｍになるように成膜した。吸収層１４におけるパラジウム（Ｐｄ）と銀（Ａｇ）との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７８：２２であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
次に、基板１１の多層反射膜１２が形成されていない側に、窒化クロム（ＣｒＮ）を用いて１００ｎｍの厚さとなるように裏面導電膜１５を成膜した。反射型フォトマスクブランク１００を作成した。

基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。

次に、反射型フォトマスク２００の作製方法について、図６から図９を用いて説明する。図６に示すように、反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで塗布し、１１０℃で１０分ベークし、レジスト膜１６を形成した。
次に、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってレジスト膜１６に所定のパターンを描画した。
その後、１１０℃、１０分間のプリベーク処理を行い、次いでスプレー現像機（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）を用いて現像処理をした。これにより図７に示すように、レジストパターン１６ａを形成した。

次に、レジストパターン１６ａをエッチングマスクとして、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより、吸収層１４のパターニングを行った。これにより、図８に示すように、吸収層１４に吸収パターン（吸収パターン層）１４ａを形成した。
次に、レジストパターン１６ａの剥離を行い、図９に示す、本実施例による反射型フォトマスク２００を作製した。
本実施例において、吸収層１４に形成した吸収パターン１４ａは、ＮＡ（開口数）０．５５のアナモルフィック照明の露光機で１１ｎｍのホールパターンに転写されるように設計した。すなわち、吸収パターン１４ａは、反射型フォトマスク２００上で、ｘ方向４４ｎｍ、ｙ方向８８ｎｍのホールパターンとした。

上記のように形成した反射型フォトマスク２００のホールパターンの寸法をＳＥＭにより測長すると設計通りの寸法であった。
上記のように形成した実施例１について、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて、吸収層１４の屈折率ｎ、消衰係数ｋを測定（実測）した。その結果、実施例１の吸収層１４の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８８、ｋ＝０．０５５であった。よって、光学パラメータα（＝ｋ/（１－ｎ））の値は０．４５８であった。
なお、以降の各実施例及び各比較例についても実施例１の場合と同様に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いて、吸収層１４の屈折率ｎ、消衰係数ｋを測定（実測）した。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．８％であり、位相差は２５９度であった。

＜実施例２＞
吸収層１４の材料をパラジウム（Ｐｄ）に変更し、膜厚３４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８７５、ｋ＝０．０４５であった。よって、光学パラメータαの値は０．３６０であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．３％であり、位相差は２５６度であった。

＜実施例３＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）に変更し、膜厚３５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８７５、ｋ＝０．０３であった。よって、光学パラメータαの値は０．２４０であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．０％であり、位相差は２４５度であった。

＜実施例４＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）とルテニウム（Ｒｕ）が５７：４３の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｈＲｕ）に変更し、膜厚４４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８８、ｋ＝０．０２５であった。よって、光学パラメータαの値は０．２０８であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．７％であり、位相差は２７５度であった。

＜実施例５＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）と銀（Ａｇ）が８９：１１の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＡｇ）に変更し、膜厚４４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例５の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８８５、ｋ＝０．０２５であった。よって、光学パラメータαの値は０．２１７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．４％であり、位相差は２６２度であった。

＜実施例６＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）と銀（Ａｇ）が５２：４８の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＡｇ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例６の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例６の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９、ｋ＝０．０５であった。よって、光学パラメータαの値は０．４５５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．３％であり、位相差は２７５度であった。

＜実施例７＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）と錫（Ｓｎ）が８６：１４の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＳｎ）に変更し、膜厚４２ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例７の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例７の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９５、ｋ＝０．０２５であった。よって、光学パラメータαの値は０．２３８であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．５％であり、位相差は２４３度であった。

＜実施例８＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）と錫（Ｓｎ）が６０：４０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＳｎ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例８の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例８の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１、ｋ＝０．０４であった。よって、光学パラメータαの値は０．４４４であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．３％であり、位相差は２６８度であった。

＜実施例９＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）と銀（Ａｇ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＡｇ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例９の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例９の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１５、ｋ＝０．０２５であった。よって、光学転写パラメータαの値は０．２９４であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．４％であり、位相差は２６５度であった。

＜実施例１０＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）とインジウム（Ｉｎ）が８６：１４の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＩｎ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１０の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１０の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２５、ｋ＝０．０２であった。よって、光学パラメータαの値は０．２６７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．８％であり、位相差は２２７度であった。

＜実施例１１＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）とインジウム（Ｉｎ）が６８：３２の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＩｎ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１１の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１１の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２５、ｋ＝０．０３５であった。よって、光学パラメータαの値は０．４６７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．３％であり、位相差は２３１度であった。

＜実施例１２＞
吸収層１４の材料であるＰｄＡｇの組成を原子数比率でＰｄ：Ａｇ＝４８：５２となるように変更し、膜厚３２ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１２の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１２の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８８５、ｋ＝０．０６５であった。よって、光学パラメータαの値は０．５６５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．４％であり、位相差は２２３度であった。

＜実施例１３＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）に変更し、膜厚４３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１３の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１３の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８８５、ｋ＝０．０１７であった。よって、光学パラメータαの値は０．１４８であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１４％であり、位相差は２６８度であった。

＜実施例１４＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）とモリブデン（Ｍｏ）が８４：１６の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＭｏ）に変更し、膜厚４３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１４の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１４の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９、ｋ＝０．０１５であった。よって、光学パラメータαの値は０．１３６であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１４．２％であり、位相差は２５４度であった。

＜実施例１５＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）とインジウム（Ｉｎ）が９１：９の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＩｎ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１５の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１５の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２５、ｋ＝０．０１４９であった。よって、光学パラメータαの値は０．１９９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１０．６％であり、位相差は２２７度であった。

＜実施例１６＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）とインジウム（Ｉｎ）が６０：４０の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＩｎ）に変更し、膜厚５２ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１６の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１６の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２５、ｋ＝０．０４であった。よって、光学パラメータαの値は０．５３３であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は２１９度であった。

＜実施例１７＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）と錫（Ｓｎ）が５３：４７の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＳｎ）に変更し、膜厚４５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１７の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１７の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１５、ｋ＝０．０４５であった。よって、光学パラメータαの値は０．５２９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．６％であり、位相差は２１３度であった。

＜実施例１８＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）と銀（Ａｇ）が４３：５７の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＡｇ）に変更し、膜厚３９ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１８の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１８の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０５、ｋ＝０．０５であった。よって、光学パラメータαの値は０．５２６であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．３％であり、位相差は２２１度であった。

＜実施例１９＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）と白金（Ｐｔ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＰｔ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１９の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例１９の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０２、ｋ＝０．０４９であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９６であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．０％であり、位相差は２６１度であった。

＜実施例２０＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）と金（Ａｕ）が４０：６０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＡｕ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２０の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２０の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０１、ｋ＝０．０４９であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．０％であり、位相差は２６１度であった。

＜実施例２１＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）と白金（Ｐｔ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＰｔ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２１の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２１の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０９、ｋ＝０．０４５であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９６であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２４２度であった。

＜実施例２２＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）と金（Ａｕ）が４０：６０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＡｕ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２２の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２２の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０５、ｋ＝０．０４７であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．４％であり、位相差は２５０度であった。

＜実施例２３＞
吸収層１４の材料を白金（Ｐｔ）とモリブデン（Ｍｏ）が２０：８０の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＭｏ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２３の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２３の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０１７であった。よって、光学パラメータαの値は０．２０４であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．０％であり、位相差は２４５度であった。

＜実施例２４＞
吸収層１４の材料を白金（Ｐｔ）とモリブデン（Ｍｏ）が８０：２０の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＭｏ）に変更し、膜厚４０ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２４の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２４の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９８、ｋ＝０．０４９であった。よって、光学パラメータαの値は０．４８４であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．４％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例２５＞
吸収層１４の材料を白金（Ｐｔ）とニオブ（Ｎｂ）が３５：６５の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＮｂ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２５の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２５の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１９、ｋ＝０．０２４であった。よって、光学パラメータαの値は０．３００であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．２％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例２６＞
吸収層１４の材料を白金（Ｐｔ）とニオブ（Ｎｂ）が８０：２０の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｔＮｂ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２６の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２６の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９００、ｋ＝０．０４９であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９２であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．０％であり、位相差は２６１度であった。

＜実施例２７＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とモリブデン（Ｍｏ）が２５：７５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＭｏ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２７の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２７の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０１８であった。よって、光学パラメータαの値は０．２１３であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．０％であり、位相差は２４５度であった。

＜実施例２８＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とモリブデン（Ｍｏ）が９５：５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＭｏ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２８の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２８の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９００、ｋ＝０．０５０であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９８であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．０％であり、位相差は２６１度であった。

＜実施例２９＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とニオブ（Ｎｂ）が４５：５５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＮｂ）に変更し、膜厚５４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２９の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例２９の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０２６であった。よって、光学パラメータαの値は０．３２０であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．６％であり、位相差は２４６度であった。

＜実施例３０＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とニオブ（Ｎｂ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＮｂ）に変更し、膜厚４０ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３０の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３０の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０３、ｋ＝０．０４７であった。よって、光学パラメータαの値は０．４８５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．４％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例３１＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）が６５：３５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＴｉ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３１の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３１の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０３９であった。よって、光学パラメータαの値は０．４６９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．８％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例３２＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とチタン（Ｔｉ）が８５：１５の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＴｉ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３２の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３２の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０７、ｋ＝０．０４６であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９８であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．４％であり、位相差は２５０度であった。

＜実施例３３＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とジルコニウム（Ｚｒ）が７０：３０の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＺｒ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３３の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３３の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１７、ｋ＝０．０３８であった。よって、光学パラメータαの値は０．４５３であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２５８度であった。

＜実施例３４＞
吸収層１４の材料を金（Ａｕ）とジルコニウム（Ｚｒ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＡｕＺｒ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３４の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３４の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０５、ｋ＝０．０４７であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．４％であり、位相差は２５０度であった。

＜実施例３５＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とモリブデン（Ｍｏ）が３０：７０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＭｏ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３５の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３５の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０１８であった。よって、光学パラメータαの値は０．２１７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．０％であり、位相差は２４５度であった。

＜実施例３６＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とモリブデン（Ｍｏ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＭｏ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３６の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３６の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０７、ｋ＝０．０４１であった。よって、光学パラメータαの値は０．４４１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．３％であり、位相差は２４８度であった。

＜実施例３７＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタングステン（Ｗ）が５０：５０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＷ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３７の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３７の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１９、ｋ＝０．０３９であった。よって、光学パラメータαの値は０．４８１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．８％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例３８＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタングステン（Ｗ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＷ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３８の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３８の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０８、ｋ＝０．０４４であった。よって、光学パラメータαの値は０．４７５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２４２度であった。

＜実施例３９＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とニオブ（Ｎｂ）が５０：５０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＮｂ）に変更し、膜厚５４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３９の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例３９の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０２５であった。よって、光学パラメータαの値は０．３１１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．６％であり、位相差は２４６度であった。

＜実施例４０＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とニオブ（Ｎｂ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＮｂ）に変更し、膜厚４７ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４０の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４０の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０８、ｋ＝０．０４１であった。よって、光学パラメータαの値は０．４４５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．８％であり、位相差は２５２度であった。

＜実施例４１＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタンタル（Ｔａ）が８５：１５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＴａ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４１の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４１の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１１、ｋ＝０．０４４であった。よって、光学パラメータαの値は０．４９７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２４２度であった。

＜実施例４２＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とタンタル（Ｔａ）が９５：５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＴａ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４２の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４２の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０７、ｋ＝０．０４５であった。よって、光学パラメータαの値は０．４８１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．４％であり、位相差は２５０度であった。

＜実施例４３＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とバナジウム（Ｖ）が６５：３５の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＶ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４３の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４３の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１８、ｋ＝０．０３８であった。よって、光学パラメータαの値は０．４６５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．８％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例４４＞
吸収層１４の材料をイリジウム（Ｉｒ）とバナジウム（Ｖ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＩｒＶ）に変更し、膜厚４６ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４４の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４４の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９０９、ｋ＝０．０４３であった。よって、光学パラメータαの値は０．４７１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２４２度であった。

＜実施例４５＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）とモリブデン（Ｍｏ）が４５：５５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＭｏ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４５の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４５の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０２１であった。よって、光学パラメータαの値は０．２６６であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．０％であり、位相差は２４５度であった。

＜実施例４６＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）とモリブデン（Ｍｏ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＭｏ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４６の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４６の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１６、ｋ＝０．０３７であった。よって、光学パラメータαの値は０．４３５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．０％であり、位相差は２５５度であった。

＜実施例４７＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＷ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４７の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４７の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０３８であった。よって、光学パラメータαの値は０．４７５であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．８％であり、位相差は２４７度であった。

＜実施例４８＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）とタングステン（Ｗ）が９５：５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＷ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４８の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４８の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１６、ｋ＝０．０４０であった。よって、光学パラメータαの値は０．４７１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２５８度であった。

＜実施例４９＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）とニオブ（Ｎｂ）が７５：２５の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＮｂ）に変更し、膜厚５４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４９の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例４９の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２０、ｋ＝０．０３１であった。よって、光学パラメータαの値は０．３８９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．７％であり、位相差は２５０度であった。

＜実施例５０＞
吸収層１４の材料をレニウム（Ｒｅ）とニオブ（Ｎｂ）が９０：１０の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｅＮｂ）に変更し、膜厚５３ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５０の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した実施例５０の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１７、ｋ＝０．０３７であった。よって、光学パラメータαの値は０．４３９であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．０％であり、位相差は２５５度であった。

＜比較例１＞
比較例１では、従来のタンタル（Ｔａ）を主材料とした既存膜を備えたフォトマスクを用いた。比較例１では、窒化タンタル（ＴａＮ）を用いて膜厚５８ｎｍになるよう吸収層を形成し、酸化タンタル（ＴａＯ）を用いて膜厚２ｎｍになるよう最表層を形成して反射型フォトマスクを作製した。それ以外は、実施例１と同様の方法で比較例１の反射型フォトマスクを作製した。
上記のように形成した比較例１のＴａＮ吸収層の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９５、ｋ＝０．０３１であった。よって、光学パラメータαの値は０．６２であった。
上記のように形成した比較例１の吸収層の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は１６０度であった。

＜比較例２＞
吸収層１４の材料をパラジウム（Ｐｄ）と銀（Ａｇ）が３１：６９の原子数比率で均質となる混合材料（ＰｄＡｇ）に変更し、膜厚２５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した比較例２の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．８９、ｋ＝０．０７であった。よって、光学パラメータαの値は０．６３６であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．２％であり、位相差は１７８度であった。

＜比較例３＞
吸収層１４の材料をルテニウム（Ｒｕ）とモリブデン（Ｍｏ）が３９：６１の原子数比率で均質となる混合材料（ＲｕＭｏ）に変更し、膜厚５１ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例３の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した比較例３の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９１、ｋ＝０．０１であった。よって、光学パラメータαの値は０．１１１であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２４％であり、位相差は２４２度であった。

＜比較例４＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）と銀（Ａｇ）が２１：７９の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＡｇ）に変更し、膜厚３１ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例４の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した比較例４の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９、ｋ＝０．０６５であった。よって、光学パラメータαの値は０．６５０であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．７％であり、位相差は１８２度であった。

＜比較例５＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）に変更し、膜厚５５ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例５の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した比較例５の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９２５、ｋ＝０．００５であった。よって、光学パラメータαの値は０．０６７であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３４％であり、位相差は２２７度であった。

＜比較例６＞
吸収層１４の材料をモリブデン（Ｍｏ）とインジウム（Ｉｎ）が５２：４８の原子数比率で均質となる混合材料（ＭｏＩｎ）に変更し、膜厚４４ｎｍになるように成膜した。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例６の反射型フォトマスク２００を作製した。
上記のように形成した比較例６の吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋは、それぞれｎ＝０．９３、ｋ＝０．０４５であった。よって、光学パラメータαの値は０．６４３であった。
また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．６％であり、位相差は１７０度であった。

＜評価＞
上述した実施例１～５０、比較例１～６で得られた反射型フォトマスクについて、以下の方法で転写性能の評価を行った。また、コントラストは、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ Ｉｍａｇｅ Ｌｏｇ－Ｓｌｏｐｅ：規格化空間像対数傾斜）値により評価した。

ウェハ転写シミュレーションソフト（Ｓ－Ｌｉｔｈｏ ＥＵＶ：シノプシス社製）を用いて評価を行った。反射型フォトマスクの吸収層の屈折率ｎ、消衰係数ｋ、膜厚を、各実施例・比較例で作成した通りの値に設定した。パターン形状についても各実施例・比較例で作成した通り、マスクスケールでｘ方向４４ｎｍ、ｙ方向８８ｎｍのホールパターンとした。照明条件は、ＮＡ０．５５のアナモルフィック照明であり、照明形状はクエーサーとした。露光量は、ホールパターンがウェハ上で設計通りのｘ方向１１ｎｍ、ｙ方向１１ｎｍに転写するように設定し、ウェハ転写した際の空間像を用いてＮＩＬＳの計算を行った。
以下の「◎」、「○」、「△」、「×」の４段階で評価した。
＜評価基準＞
コントラスト
◎：ＮＩＬＳ値が２．７より大きい場合
○：ＮＩＬＳ値が２．５以上であり、２．７以下である場合
△：ＮＩＬＳ値が２．３５より大きく２．５より小さい場合
×：ＮＩＬＳ値が２．３５以下である場合
以上の評価結果を表１～３に示す。

なお、ＮＩＬＳ値については、「○」以上の評価であれば、転写性能に問題はないため、合格とした。

表１～３に、実施例１～５０、比較例１～６の評価結果を示す。

従来の膜厚６０ｎｍのタンタル（Ｔａ）系吸収層を備えた比較例１の光学パラメータαは０．６２、屈折率ｎは０．９５であり、ＮＩＬＳは２．３５であった。実施例１～５０のように吸収パターン層１４ａの光学パラメータαが０．１２以上０．６以下であり、屈折率ｎが０．９３５以下である場合には、比較例１と比べてＮＩＬＳの値が大きく、コントラストが向上することが分かった。
また、光学パラメータαが０．６より大きい比較例２、４、６や、光学パラメータαが０．１２より小さい比較例３、５と比べても、光学パラメータαが０．１２以上０．６以下である実施例１～５０はＮＩＬＳが大きくコントラストが向上することが分かった。

以下、表１～３及び、図１０に示すグラフを用いて、各実施例及び各比較例のＮＩＬＳを比較した結果について、詳細に説明する。図１０は各実施例および各比較例の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と転写性能の評価を図示したグラフである。図１０中の４本の直線は上からそれぞれ光学パラメータαが０．６、０．５、０．２、０．１２を示している。

図１０及び表１に示すように、光学パラメータαが０．４５８であり、屈折率ｎが０．８８である実施例１のＮＩＬＳの値は２．７５であり、従来のタンタル（Ｔａ）系吸収層を備えた比較例１に比べてその値（ＮＩＬＳの値）は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．３６０であり、屈折率ｎが０．８７５である実施例２のＮＩＬＳの値は２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２４０であり、屈折率ｎが０．８７５である実施例３のＮＩＬＳの値は２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２０８であり、屈折率ｎが０．８８である実施例４のＮＩＬＳの値は２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２１７であり、屈折率ｎが０．８８５である実施例５のＮＩＬＳの値は２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４４５であり、屈折率ｎが０．８９である実施例６のＮＩＬＳの値は２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２３８であり、屈折率ｎが０．８９５である実施例７のＮＩＬＳの値は２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４４４であり、屈折率ｎが０．９１である実施例８のＮＩＬＳの値は２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２９４であり、屈折率ｎが０．９１５である実施例９のＮＩＬＳの値は２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。

実施例１～９が示すように、光学パラメータαが０．２以上０．５以下であり、かつ屈折率ｎが０．９２以下である場合、ＮＩＬＳが２．７以上となり、比較例１に比べてその値は１５％以上向上する。

図１０及び表１に示すように、光学パラメータαが０．２６７であり、屈折率ｎが０．９２５である実施例１０のＮＩＬＳの値は２．６２であり、比較例１に比べてその値は約１２％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４６７であり、屈折率ｎが０．９２５である実施例１１のＮＩＬＳの値は２．６６であり、比較例１に比べてその値は約１３％高くなっている。

実施例１０及び１１が示すように、光学パラメータαが０．２以上０．５以下であり、かつ屈折率ｎが０．９２より大きく０．９３５以下である場合、ＮＩＬＳが２．６以上となり、比較例１に比べてその値は１０％以上向上する。

図１０及び表１に示すように、光学パラメータαが０．５６５であり、屈折率ｎが０．８８５である実施例１２のＮＩＬＳの値は２．６７であり、比較例１に比べてその値は約１４％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．１４８であり、屈折率ｎが０．８８５である実施例１３のＮＩＬＳの値は２．５６であり、比較例１に比べてその値は約９％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．１３６であり、屈折率ｎが０．８９である実施例１４のＮＩＬＳの値は２．５８であり、比較例１に比べてその値は約１０％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．１９９であり、屈折率ｎが０．９２５である実施例１５のＮＩＬＳの値は２．５０であり、比較例１に比べてその値は約７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．５３３であり、屈折率ｎが０．９２５である実施例１６のＮＩＬＳの値は２．５８であり、比較例１に比べてその値は約１０％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．５２９であり、屈折率ｎが０．９１５である実施例１７のＮＩＬＳの値は２．５６であり、比較例１に比べてその値は約９％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．５２６であり、屈折率ｎが０．９０５である実施例１８のＮＩＬＳの値は２．６６であり、比較例１に比べてその値は約１３％高くなっている。

実施例１２～１８に示すように、光学パラメータαが０．１２以上０．６２以下であり、かつ屈折率ｎが０．９３５以下である場合、ＮＩＬＳが２．５以上となり、比較例１に比べてその値は７％以上向上する。

表２に示すように、光学パラメータαが０．４９６であり、屈折率ｎが０．９０２である実施例１９のＮＩＬＳは２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９９であり、屈折率ｎが０．９０１である実施例２０のＮＩＬＳは２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９６であり、屈折率ｎが０．９０９である実施例２１のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９９であり、屈折率ｎが０．９０５である実施例２２のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。

実施例１９～２２に示すように、屈折率ｎが小さく、かつ加工性と水素耐性に優れた第３の材料群のみの元素で構成された吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を形成した場合も、比較例１に比べてＮＩＬＳが高くなっている。また、吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を形成する第３の材料群の元素の組み合わせが変わっても、光学パラメータαが０．２以上０．５以下であり、かつ屈折率ｎが０．９２以下である場合、ＮＩＬＳが２．７以上となり、比較例１に比べてその値は１５％以上向上する。

表２に示すように、光学パラメータαが０．２０４であり、屈折率ｎが０．９１８である実施例２３のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４８４であり、屈折率ｎが０．８９８である実施例２４のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．３００であり、屈折率ｎが０．９１９である実施例２５のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９２であり、屈折率ｎが０．９００である実施例２６のＮＩＬＳは２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２１３であり、屈折率ｎが０．９１８である実施例２７のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。

また、光学パラメータαが０．４９８であり、屈折率ｎが０．９００である実施例２８のＮＩＬＳは２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．３２０であり、屈折率ｎが０．９１８である実施例２９のＮＩＬＳは２．７２であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４８５であり、屈折率ｎが０．９０３である実施例３０のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４６９であり、屈折率ｎが０．９１８である実施例３１のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９８であり、屈折率ｎが０．９０７である実施例３２のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。

また、光学パラメータαが０．４５３であり、屈折率ｎが０．９１７である実施例３３のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９７であり、屈折率ｎが０．９０５である実施例３４のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２１７であり、屈折率ｎが０．９１８である実施例３５のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４４１であり、屈折率ｎが０．９０７である実施例３６のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４８１であり、屈折率ｎが０．９１９である実施例３７のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。

また、表３に示すように、光学パラメータαが０．４７５であり、屈折率ｎが０．９０８である実施例３８のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．３１１であり、屈折率ｎが０．９２０である実施例３９のＮＩＬＳは２．７２であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４４５であり、屈折率ｎが０．９０８である実施例４０のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４９７であり、屈折率ｎが０．９１１である実施例４１のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４８１であり、屈折率ｎが０．９０７である実施例４２のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。

また、光学パラメータαが０．４６５であり、屈折率ｎが０．９１８である実施例４３のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４７１であり、屈折率ｎが０．９０９である実施例４４のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．２６６であり、屈折率ｎが０．９２０である実施例４５のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４３５であり、屈折率ｎが０．９１６である実施例４６のＮＩＬＳは２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４７５であり、屈折率ｎが０．９２０である実施例４７のＮＩＬＳは２．７１であり、比較例１に比べてその値は約１５％高くなっている。

また、光学パラメータαが０．４７１であり、屈折率ｎが０．９１６である実施例４８のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．３８９であり、屈折率ｎが０．９２０である実施例４９のＮＩＬＳは２．７３であり、比較例１に比べてその値は約１６％高くなっている。
また、光学パラメータαが０．４３９であり、屈折率ｎが０．９１７である実施例５０のＮＩＬＳは２．７４であり、比較例１に比べてその値は約１７％高くなっている。

実施例２３～５０に示すように、屈折率ｎが小さい第３の材料群の元素に加えて、加工性と水素耐性に優れた第４の材料群の元素を含んだ材料で吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）を形成した場合も、比較例１に比べてＮＩＬＳが高くなっている。また、第３の材料群の元素と第４の材料群の元素との組み合わせや組成が変わっても、光学パラメータαが０．２以上０．５以下であり、かつ屈折率ｎが０．９２以下である場合、ＮＩＬＳが２．７以上となり、比較例１に比べてその値は１５％以上向上する。

図１０及び表３に示すように、光学パラメータαが０．６３６であり、屈折率ｎが０．８９である比較例２のＮＩＬＳの値は２．４９であった。
また、光学パラメータαが０．１１１であり、屈折率ｎが０．９１である比較例３のＮＩＬＳの値は２．４１であった。
また、光学パラメータαが０．６５０であり、屈折率ｎが０．９である比較例４のＮＩＬＳの値は２．４１であった。

比較例２～４に示すように、光学パラメータαが０．１２より小さい、または光学パラメータαが０．６２より大きい場合、ＮＩＬＳは２．５よりも小さく、既存材料の比較例１と比べてＮＩＬＳの向上量は６％未満にとどまった。

図１０及び表３に示すように、光学パラメータαが０．０６７であり、屈折率ｎが０．９２５である比較例５のＮＩＬＳの値は１．９０であった。
また、光学パラメータαが０．６４３であり、屈折率ｎが０．９３である比較例６のＮＩＬＳの値は２．２９であった。

比較例５及び６に示すように、光学パラメータαが０．１２より小さい、または光学パラメータαが０．６２より大きい値であり、屈折率ｎが０．９２より大きい場合、ＮＩＬＳは既存材料の比較例１に比べて同等以下に悪化した。

以上のように、基板１１と、基板１１上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する多層反射膜（反射層）１２と、多層反射膜１２上に形成され、多層反射膜１２を保護するキャッピング層（保護層）１３と、キャッピング層１３上に形成され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）と、を備え、吸収層１４（吸収パターン層１４ａ）のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋが下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００であれば、既存材料で形成された反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクである比較例１と比べてＮＩＬＳの値が大きく、コントラストが向上する。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）

さらに、下記式（２）を満たす反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００であれば、既存材料で形成された反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクである比較例１と比べてＮＩＬＳの値がさらに大きく、コントラストが向上する。
０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）

なお、本開示の反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲において種々の変更が可能である。

また、例えば、本発明は以下のような構成を取ることができる。
（１）
基板と、
前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
前記保護層上に形成され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を備え、
前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）
（２）
前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（２）を満たすことを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスクブランク。
０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）
（３）
前記吸収層は、２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の膜厚であることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の反射型フォトマスクブランク。
（４）
前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２以下であることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。

（５）
前記吸収層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（６）
前記吸収層は、Ｒｈ、及びＰｄのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（７）
前記吸収層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（８）
前記吸収層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする上記（５）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。

（９）
開口数ＮＡが０．３３以上０．５５以下の範囲内である露光機で使用される反射型フォトマスクを作製するために用いられることを特徴とする上記（１）から（８）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（１０）
基板と、
前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
前記保護層上に形成され、パターンが形成されているＥＵＶ光を吸収する吸収パターン層と、を備え、
前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下であることを特徴とする反射型フォトマスク。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）
（１１）
前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（２）を満たすことを特徴とする上記（１０）に記載の反射型フォトマスク。
０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）
（１２）
前記吸収パターン層は、２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の膜厚であることを特徴とする上記（１０）または（１１）に記載の反射型フォトマスク。

（１３）
前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２以下であることを特徴とする上記（１０）から（１２）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１４）
前記吸収パターン層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１０）から（１３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１５）
前記吸収パターン層は、Ｒｈ、及びＰｄのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１０）から（１３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１６）
前記吸収パターン層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１０）から（１３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。

（１７）
前記吸収パターン層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする上記（１０）から（１６）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１８）
開口数ＮＡが０．３３以上０．５５以下の範囲内である露光機で使用されることを特徴とする上記（１０）から（１７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１９）
基板と、
前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
前記保護層上に形成され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を備えた反射型フォトマスクブランクにおける前記吸収層を構成する材料の選択方法であって、
前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋが下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下となるように前記吸収層を構成する材料の選択することを特徴とする吸収層を構成する材料の選択方法。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）
（２０）
基板と、
前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
前記保護層上に形成され、パターンが形成されているＥＵＶ光を吸収する吸収パターン層と、を備えた反射型フォトマスクにおける前記吸収パターン層を構成する材料の選択方法であって、
前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋが下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下となるように前記吸収パターン層を構成する材料の選択することを特徴とする吸収パターン層を構成する材料の選択方法。
０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）

本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、半導体集積回路などの製造工程において、ＥＵＶ露光によって微細なパターンを形成するために好適に用いることができる。

１１…基板
１２…反射層（多層反射膜）
１３…保護層（キャッピング層）
１４…吸収層
１４ａ…吸収パターン（吸収パターン層）
１５…裏面導電膜
１６…レジスト膜
１６ａ…レジストパターン
１００…反射型フォトマスクブランク
２００…反射型フォトマスク

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
   前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
   前記保護層上に形成され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を備え、
   前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下であることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
   ０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）
2. 前記吸収層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（２）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
   ０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）
3. 前記吸収層は、２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の膜厚であることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
4. 前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
5. 前記吸収層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
6. 前記吸収層は、Ｒｈ、及びＰｄのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
7. 前記吸収層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
8. 前記吸収層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の反射型フォトマスクブランク。
9. 開口数ＮＡが０．３３以上である露光機で使用される反射型フォトマスクを作製するために用いられることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
10. 基板と、
    前記基板上に形成され、多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射層と、
    前記反射層上に形成され、該反射層を保護する保護層と、
    前記保護層上に形成され、パターンが形成されているＥＵＶ光を吸収する吸収パターン層と、を備え、
    前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（１）を満たし、且つＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３５以下であることを特徴とする反射型フォトマスク。
    ０．１２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．６ ・・・式（１）
11. 前記吸収パターン層のＥＵＶ光に対する屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、下記式（２）を満たすことを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
    ０．２≦ｋ／（１－ｎ）≦０．５ ・・・式（２）
12. 前記吸収パターン層は、２５ｎｍ以上５５ｎｍ以下の膜厚であることを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
13. 前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２以下であることを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
14. 前記吸収パターン層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
15. 前記吸収パターン層は、Ｒｈ、及びＰｄのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
16. 前記吸収パターン層は、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１０に記載の反射型フォトマスク。
17. 前記吸収パターン層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｈｇ、Ｆｅ、Ｔａ、Ｖ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｂ、Ｂｅ、及びＡｌのうち少なくとも１種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の反射型フォトマスク。
18. 開口数ＮＡが０．３３以上である露光機で使用されることを特徴とする請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。

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