JP2024069789A - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク - Google Patents
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、高い転写性（特に解像性）を有し、且つ水素ラジカル耐性を十分に有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０は、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスク２０を作製するための反射型フォトマスクブランク１０であって、基板１と、基板１上に形成された多層膜を含む反射層２と、反射層２の上に形成された吸収層４と、を有し、吸収層４は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、吸収層４は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、吸収層４の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されている。【選択図】図１
Description
本発明は、紫外領域の光を光源としたリソグラフィで使用する反射型フォトマスク及びこれを作製するための反射型フォトマスクブランクに関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおける転写パターンの最小解像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、露光光源は、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）領域の光に置き換わってきている。
ＥＵＶ領域の光は、ほとんどの物質で高い割合で吸収されるため、従来の光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材もレンズではなく、反射型（ミラー）となる。このため、反射型フォトマスク（ＥＵＶマスク）への入射光と反射型フォトマスク（ＥＵＶマスク）で反射した反射光とが同軸上に設計できない問題があり、通常、ＥＵＶリソグラフィでは、光軸をＥＵＶマスクの垂直方向から６度傾けて入射し、マイナス６度の角度で反射する反射光を半導体基板に導く手法が採用されている。
ＥＵＶ領域の光は、ほとんどの物質で高い割合で吸収されるため、従来の光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材もレンズではなく、反射型（ミラー）となる。このため、反射型フォトマスク（ＥＵＶマスク）への入射光と反射型フォトマスク（ＥＵＶマスク）で反射した反射光とが同軸上に設計できない問題があり、通常、ＥＵＶリソグラフィでは、光軸をＥＵＶマスクの垂直方向から６度傾けて入射し、マイナス６度の角度で反射する反射光を半導体基板に導く手法が採用されている。
このように、ＥＵＶリソグラフィではミラーを介し光軸を傾斜することから、ＥＵＶマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶマスクのマスクパターン（パターン化された光吸収層）の影をつくる、いわゆる「射影効果（シャドウイング効果）」と呼ばれる問題が発生することがある。
現在のＥＵＶマスクブランクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスクでパターン転写の露光を行った場合、ＥＵＶ光の入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化することがある。
現在のＥＵＶマスクブランクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスクでパターン転写の露光を行った場合、ＥＵＶ光の入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化することがある。
この課題に対し、吸収層に消衰係数ｋが高い材料を用いてＥＵＶ反射率を抑える手法[例えば、特許文献１を参照]や、位相シフト効果を用いた手法[例えば、特許文献２を参照]が提案されている。
反射型位相シフトマスクでは、吸収層を通り減光した反射光は、吸収層が形成されていない開口部で反射される光と位相差を持つ。このような反射型位相シフトマスクは、透過型位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果を用いることにより、ウェハ上の光学像のコントラストが向上し、転写パターンの解像性を向上させることができる。
例えば、特許文献２に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差の最適値を１７５～１８５度としている。これは従来の透過型位相シフトマスクの位相差の最適値である１８０度を含んだ値である。
反射型位相シフトマスクでは、吸収層を通り減光した反射光は、吸収層が形成されていない開口部で反射される光と位相差を持つ。このような反射型位相シフトマスクは、透過型位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果を用いることにより、ウェハ上の光学像のコントラストが向上し、転写パターンの解像性を向上させることができる。
例えば、特許文献２に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差の最適値を１７５～１８５度としている。これは従来の透過型位相シフトマスクの位相差の最適値である１８０度を含んだ値である。
しかし、反射型位相シフトマスクの場合、ＥＵＶ光が傾いて入射するため、反射光の一部は吸収層パターン（パターン化された吸収層）のエッジ部分を通る。エッジ部分に当たった反射光はパターン中心部の反射光と位相がずれてしまうため、吸収層の最適な位相差は１８０度と異なる。
また、特許文献３に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクブランクは、反射率と、コントラストを向上させる位相差とから、位相シフト層の膜厚や材料組成の組み合わせを限定している。これにより、特許文献３に記載の技術であれば、位相シフト層を膜厚６０ｎｍ以下に薄膜化し、シャドウイング効果を低減しつつ位相シフト効果が得られる。
また、特許文献３に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクブランクは、反射率と、コントラストを向上させる位相差とから、位相シフト層の膜厚や材料組成の組み合わせを限定している。これにより、特許文献３に記載の技術であれば、位相シフト層を膜厚６０ｎｍ以下に薄膜化し、シャドウイング効果を低減しつつ位相シフト効果が得られる。
しかし、特許文献３では、材料と、目的とする反射率・位相とから位相シフト層の膜厚を導出しており、その膜厚が従来よりも薄いことを主張しているが、実際の転写性については言及されていない。仮に、ＮｉやＣｏなど、ＥＵＶ光の吸収が大きい材料で位相シフト層を構成した場合、従来膜より膜厚が薄くても、斜入射されたＥＵＶ光の強い妨げとなり、転写性は向上しない場合がある。
このように、従来技術に係る反射型の位相シフトマスクでは、位相シフト効果を十分に活用（利用）できておらず、その転写性（特に解像性）は十分でなかった。
更に、ＥＵＶ露光装置では、コンタミ（不純物の混入）によるチャンバー内の汚染を防ぐため、水素ラジカルによるクリーニングが行われる。つまり、反射型位相シフトマスクは、水素ラジカル還元に対して耐性を有する材料を用いて形成する必要がある。
このように、従来技術に係る反射型の位相シフトマスクでは、位相シフト効果を十分に活用（利用）できておらず、その転写性（特に解像性）は十分でなかった。
更に、ＥＵＶ露光装置では、コンタミ（不純物の混入）によるチャンバー内の汚染を防ぐため、水素ラジカルによるクリーニングが行われる。つまり、反射型位相シフトマスクは、水素ラジカル還元に対して耐性を有する材料を用いて形成する必要がある。
しかし、反射型位相シフトマスクの中には水素ラジカル耐性が低い材料もあり、水素ラジカル耐性が低い材料により形成された反射型位相シフトマスクは長期間の使用に耐えられないという問題があった。
本開示は、ＥＵＶ光を吸収する吸収制御膜と、位相を制御する位相制御膜とを組み合わせた吸収層を形成することにより、位相シフト効果を最大限に活用し、高い転写性（特に解像性）を有し、且つ水素ラジカル耐性を十分に有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
より具体的には、本発明は、吸収層に消衰係数ｋの大きい吸収制御膜と、屈折率の小さな位相制御膜とを設けることで吸収層の薄膜化を可能にし、且つ吸収制御膜及び位相制御膜の各膜の組み合わせやそれぞれの膜厚を変更することで所望の位相差を有し、更に水素ラジカル耐性を付与することで、転写性の向上を可能にする反射型フォトマスク及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクを提供することを目的とする。
より具体的には、本発明は、吸収層に消衰係数ｋの大きい吸収制御膜と、屈折率の小さな位相制御膜とを設けることで吸収層の薄膜化を可能にし、且つ吸収制御膜及び位相制御膜の各膜の組み合わせやそれぞれの膜厚を変更することで所望の位相差を有し、更に水素ラジカル耐性を付与することで、転写性の向上を可能にする反射型フォトマスク及びそれを作製するための反射型フォトマスクブランクを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクは、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、基板と、前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有し、前記吸収層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、前記吸収層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、前記吸収層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されている。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であってもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であってもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクにおける反射層と吸収層との間にキャッピング層が形成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、前記反射層の上に形成された吸収パターン層と、を有し、前記吸収パターン層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、前記吸収パターン層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、前記吸収パターン層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されている。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、前記反射層の上に形成された吸収パターン層と、を有し、前記吸収パターン層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、前記吸収パターン層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、前記吸収パターン層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されている。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収パターン層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収パターン層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であってもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収パターン層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であってもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける反射層と吸収パターン層との間にキャッピング層が形成されていてもよい。
本発明の一態様によれば、高い転写性（特に解像性）を有し、且つ水素ラジカル耐性を十分に有する反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することができる。より詳しくは、本発明の一態様によれば、極端紫外領域の波長の光を光源としたパターニングにおいて十分な位相シフト効果が得られ、ウェハ転写性能（特に解像性）を向上することが可能になり、射影効果を抑制または軽減でき、且つ水素ラジカル環境下でも使用可能な反射型フォトマスクが期待できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定は本発明の必須要件ではない。
また、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
また、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
図１は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０の構造を示す概略断面図である。また、図２は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２０の構造を示す概略断面図である。ここで、図２に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２０は、図１に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０の吸収層４をパターニングして形成したものである。
（全体構造）
図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成された反射層２と、反射層２の上に形成されたキャッピング層３と、キャッピング層３の上に形成された吸収層４とを備え、吸収層４は、互いに機能が異なる少なくとも２層以上で構成されている。図１には、互いに機能が異なる二層で構成された吸収層４が例示されており、そのうちの一層を吸収層４ａ（下層４ａ）とし、吸収層４ａの上に形成された他の層を吸収層４ｂ（上層４ｂ）としている。
（全体構造）
図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成された反射層２と、反射層２の上に形成されたキャッピング層３と、キャッピング層３の上に形成された吸収層４とを備え、吸収層４は、互いに機能が異なる少なくとも２層以上で構成されている。図１には、互いに機能が異なる二層で構成された吸収層４が例示されており、そのうちの一層を吸収層４ａ（下層４ａ）とし、吸収層４ａの上に形成された他の層を吸収層４ｂ（上層４ｂ）としている。
なお、吸収層４ａ、４ｂは、吸収制御膜、位相制御膜のどちらかであり、どちらが上層、下層でもよい。つまり、本実施形態では、吸収層４ａ（下層４ａ）を吸収制御膜とし、吸収層４ｂ（上層４ｂ）を位相制御膜としてもよいし、吸収層４ａ（下層４ａ）を位相制御膜とし、吸収層４ｂ（上層４ｂ）を吸収制御膜としてもよい。
また、吸収制御膜及び位相制御膜の少なくとも一方を構成する成分のうち、少なくとも一成分は、表層側から基板１側に向かって段階的に変化する傾斜構造でもよい、即ち濃度勾配を有していてもよい。
（基板）
本発明の実施形態に係る基板１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本発明はこれらに限定されるものではない。
（反射層）
本発明の実施形態に係る反射層２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであればよく、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜であってもよい。多層反射膜を含む反射層２は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）、またはＭｏ（モリブデン）とＢｅ（ベリリウム）といった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成したものであってもよい。
（キャッピング層）
本発明の実施形態に係るキャッピング層３は、吸収層４に転写パターン（マスクパターン）を形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されており、吸収層４をエッチングする際に、反射層２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。キャッピング層３は、例えば、Ｒｕ（ルテニウム）で形成されている。ここで、反射層２の材質やエッチング条件により、キャッピング層３は形成されていなくてもかまわない。また、図示しないが、基板１の反射層２を形成していない面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型フォトマスク２０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
（吸収層）
図１に示すように、吸収層４は、保護層であるキャッピング層３上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。また、吸収層４は、転写するための微細パターンである吸収パターン層４ｃを形成する層である。つまり、反射型フォトマスクブランク１０の吸収層４の一部を除去することにより、即ち吸収層４をパターニングすることにより、図２に示す反射型フォトマスク２０の吸収パターン層４ｃが形成される。
また、吸収制御膜及び位相制御膜の少なくとも一方を構成する成分のうち、少なくとも一成分は、表層側から基板１側に向かって段階的に変化する傾斜構造でもよい、即ち濃度勾配を有していてもよい。
（基板）
本発明の実施形態に係る基板１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本発明はこれらに限定されるものではない。
（反射層）
本発明の実施形態に係る反射層２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであればよく、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜であってもよい。多層反射膜を含む反射層２は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）、またはＭｏ（モリブデン）とＢｅ（ベリリウム）といった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成したものであってもよい。
（キャッピング層）
本発明の実施形態に係るキャッピング層３は、吸収層４に転写パターン（マスクパターン）を形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されており、吸収層４をエッチングする際に、反射層２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。キャッピング層３は、例えば、Ｒｕ（ルテニウム）で形成されている。ここで、反射層２の材質やエッチング条件により、キャッピング層３は形成されていなくてもかまわない。また、図示しないが、基板１の反射層２を形成していない面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型フォトマスク２０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
（吸収層）
図１に示すように、吸収層４は、保護層であるキャッピング層３上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。また、吸収層４は、転写するための微細パターンである吸収パターン層４ｃを形成する層である。つまり、反射型フォトマスクブランク１０の吸収層４の一部を除去することにより、即ち吸収層４をパターニングすることにより、図２に示す反射型フォトマスク２０の吸収パターン層４ｃが形成される。
吸収パターン層４ｃでは、ＥＵＶ光がパターン開口部を通り吸収層４を経由せずに入射、及び反射をする際、その反射光は保護層であるキャッピング層３及び反射層２の影響を受けて、元の入射光と位相を変化させる。一方、ＥＵＶ光が吸収層４を経由して入射、及び（あるいは）反射をする際、その反射光は保護層であるキャッピング層３及び反射層２の影響に加え、吸収層４の影響を受けて元の入射光と位相を変化させる。即ち、ＥＵＶ光が吸収層４を経由して生じた反射光は、パターン開口部のみを経由して生じた反射光との間で、吸収層４の膜特性に基づく所望の位相差を生じる。
一般に、吸収層４の、反射率及びパターニングした結果生じる開口部との位相差は、反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの各層の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と膜厚、使用する光の波長が決まれば、一意に定まり、光学理論により計算で求めることができる（詳細は、例えば、応用物理工学選書３、吉田貞史「薄膜」、培風館、１９９０を参照）。つまり、本実施形態における「位相差」とは、吸収層４の反射光の位相と、反射層２の（開口部での）反射光の位相と、の差を意味する。なお、本実施形態では、上記反射率及び上記位相差の算出に用いた屈折率ｎ及び消衰係数ｋの各値は、ＥＵＶ光を用いた実測値を用いた。
一般に、吸収層４の、反射率及びパターニングした結果生じる開口部との位相差は、反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの各層の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と膜厚、使用する光の波長が決まれば、一意に定まり、光学理論により計算で求めることができる（詳細は、例えば、応用物理工学選書３、吉田貞史「薄膜」、培風館、１９９０を参照）。つまり、本実施形態における「位相差」とは、吸収層４の反射光の位相と、反射層２の（開口部での）反射光の位相と、の差を意味する。なお、本実施形態では、上記反射率及び上記位相差の算出に用いた屈折率ｎ及び消衰係数ｋの各値は、ＥＵＶ光を用いた実測値を用いた。
ＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、
ＮＩＬＳ＝ｗ×ｄｌｎ（Ｉ）／ｄｘ ・・・式（１）
で求められるコントラストの値であり、反射型フォトマスク２０を用いてウェハパターンを形成した際のウェハパターンの解像性の指標になる。ここで「ｗ」は線幅を表し、「Ｉ」はエネルギー潜像の強度を表す。なお、ＮＩＬＳの値が大きい程、転写パターンの解像性が高いことを意味する。
反射型フォトマスク２０を用いてウェハ転写した際のウェハパターンのＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、反射型フォトマスク２０の位相差に依存する。図３は、吸収制御膜（下層４ａ）を、消衰係数ｋが０．０６６である錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）を合計で８５原子％含み、且つタンタル（Ｔａ）を１５原子％含む混合材料で成膜し、吸収制御膜（下層４ａ）の上に屈折率ｎが０．８９であるルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層４ｂ）を成膜した２層構造の吸収層４について、開口数ＮＡが０．３３の露光条件で、ウェハ上の１９ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳを、吸収制御膜（下層４ａ）と位相制御膜（上層４ｂ）の総膜厚が４２ｎｍ、４３ｎｍ、４４ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍとなる５水準で示した図である。なお、吸収制御膜（下層４ａ）及び位相制御膜（上層４ｂ）は、膜厚をそれぞれ０～２６ｎｍ、０～４７ｎｍまで変化させることで意図的に位相差が異なる条件を作った。
ＮＩＬＳ＝ｗ×ｄｌｎ（Ｉ）／ｄｘ ・・・式（１）
で求められるコントラストの値であり、反射型フォトマスク２０を用いてウェハパターンを形成した際のウェハパターンの解像性の指標になる。ここで「ｗ」は線幅を表し、「Ｉ」はエネルギー潜像の強度を表す。なお、ＮＩＬＳの値が大きい程、転写パターンの解像性が高いことを意味する。
反射型フォトマスク２０を用いてウェハ転写した際のウェハパターンのＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、反射型フォトマスク２０の位相差に依存する。図３は、吸収制御膜（下層４ａ）を、消衰係数ｋが０．０６６である錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）を合計で８５原子％含み、且つタンタル（Ｔａ）を１５原子％含む混合材料で成膜し、吸収制御膜（下層４ａ）の上に屈折率ｎが０．８９であるルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層４ｂ）を成膜した２層構造の吸収層４について、開口数ＮＡが０．３３の露光条件で、ウェハ上の１９ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳを、吸収制御膜（下層４ａ）と位相制御膜（上層４ｂ）の総膜厚が４２ｎｍ、４３ｎｍ、４４ｎｍ、４５ｎｍ、４６ｎｍとなる５水準で示した図である。なお、吸収制御膜（下層４ａ）及び位相制御膜（上層４ｂ）は、膜厚をそれぞれ０～２６ｎｍ、０～４７ｎｍまで変化させることで意図的に位相差が異なる条件を作った。
図３より、吸収制御膜（下層４ａ）と位相制御膜（上層４ｂ）の総膜厚が４２ｎｍ～４６ｎｍの範囲内であれば、その総膜厚に依存することなく、位相差が２１６度から２６１度近傍の範囲内でＮＩＬＳの値は最大になることが分かる。
また、図３より、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合、ＮＩＬＳの値は２．４３であることが分かる。
これに対し、位相差が１８８度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５０であり、位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約２％高くなっている。
また、図３より、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合、ＮＩＬＳの値は２．４３であることが分かる。
これに対し、位相差が１８８度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５０であり、位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約２％高くなっている。
また、位相差が２６８度である場合、膜厚４６ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５０であり、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約２％高くなっている。
また、位相差が２０２度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．６０であり、位相差が２６５度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．６０であり、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約６％高くなっている。
また、位相差が２１６度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．７０であり、位相差が２６１度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．７０であり、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約１１％高くなっている。
また、位相差が２０２度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．６０であり、位相差が２６５度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．６０であり、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約６％高くなっている。
また、位相差が２１６度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．７０であり、位相差が２６１度である場合、膜厚４３ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．７０であり、膜厚４３ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約１１％高くなっている。
また、図３に示すように、膜厚４４ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合、ＮＩＬＳの値は２．４０であることが分かる。
これに対し、位相差が１８８度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．４７であり、位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約２％高くなっている。
また、位相差が２０２度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５８であり、位相差が２６５度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５８であり、膜厚４４ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約６％高くなっている。
これに対し、位相差が１８８度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．４７であり、位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約２％高くなっている。
また、位相差が２０２度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５８であり、位相差が２６５度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．５８であり、膜厚４４ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約６％高くなっている。
また、位相差が２１６度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．７８であり、膜厚４４ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約１５％高くなっており、位相差が２６１度である場合、膜厚４４ｎｍにおいてＮＩＬＳの値は２．６６であり、膜厚４４ｎｍにおいて位相差が１８０度である場合に比べてＮＩＬＳの値は約１１％高くなっている。
このように位相差が１８０度である場合よりも、位相差が１８８度以上２６８度以下の範囲内であれば２％以上、位相差が２０２度以上２６５度以下の範囲内であれば６％以上、位相差が２１６度以上２６１度以下の範囲内であれば１１％以上、ＮＩＬＳの値が向上し得る。
このように位相差が１８０度である場合よりも、位相差が１８８度以上２６８度以下の範囲内であれば２％以上、位相差が２０２度以上２６５度以下の範囲内であれば６％以上、位相差が２１６度以上２６１度以下の範囲内であれば１１％以上、ＮＩＬＳの値が向上し得る。
これらのことから、解像性を向上させるためには、吸収層４の位相差は、１８８度以上２６８度以下の範囲内が好ましく、２０２度以上２６５度以下の範囲内がさらに好ましく、２１６度以上２６１度以下の範囲内が最も好ましいことが分かる。
ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は斜めに入射し、反射層２で反射されるが、吸収パターン（転写パターン）が形成された吸収層４が光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４の厚さを薄くすることで低減できる。
吸収層４の膜厚は、６０ｎｍ以下であることが好ましい。吸収層４の膜厚が６０ｎｍ以下である場合、従来のＴａ系吸収層よりも膜厚が薄くなるため、射影効果を低減し、転写性能を向上させることができる。
ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は斜めに入射し、反射層２で反射されるが、吸収パターン（転写パターン）が形成された吸収層４が光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４の厚さを薄くすることで低減できる。
吸収層４の膜厚は、６０ｎｍ以下であることが好ましい。吸収層４の膜厚が６０ｎｍ以下である場合、従来のＴａ系吸収層よりも膜厚が薄くなるため、射影効果を低減し、転写性能を向上させることができる。
図４は、各金属材料のＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍに対する光学定数を示すグラフである。図４の横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。従来の吸収層の主材料であるタンタル（Ｔａ）の膜厚は、６０～９０ｎｍである。そのため、吸収層４の膜厚を６０ｎｍ以下とすることができれば、従来の反射型フォトマスクに比べて、転写性能を向上させることができる。本実施形態の吸収層４の膜厚は、５０ｎｍ以下であると好ましく、４０ｎｍ以下であるとさらに好ましい。なお、本実施形態の吸収層４において、その下限値は特に制限されないが、２０ｎｍ以上であると好ましく、２５ｎｍ以上であるとさらに好ましい。
吸収制御膜（下層４ａ）を薄膜化するには、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料として、既存のＴａ膜が有する消衰係数ｋ（０．０４１）よりも消衰係数ｋが大きい材料（高消衰係数材料）を用いることが必要である。
上記のような消衰係数ｋを満たす材料としては、図４に示すように、例えば、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、テルル（Ｔｅ）がある。しかしながら、これらの金属材料の一部は、元素のハロゲン化物の揮発性が低くドライエッチング性が悪いという問題を有している。このため、これらの金属材料で形成された吸収層を備える反射型フォトマスクブランクを作製したとしても、この吸収層に吸収パターンをパターニングできず、その結果、この反射型フォトマスクブランクを反射型フォトマスクに加工が出来ないという問題が生じる。あるいは、これらの金属材料の融点が低いために反射型フォトマスク作製時やＥＵＶ露光時の熱に耐えられず、実用性に乏しい反射型フォトマスクとなってしまうという問題が生じる。
上記のような消衰係数ｋを満たす材料としては、図４に示すように、例えば、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、テルル（Ｔｅ）がある。しかしながら、これらの金属材料の一部は、元素のハロゲン化物の揮発性が低くドライエッチング性が悪いという問題を有している。このため、これらの金属材料で形成された吸収層を備える反射型フォトマスクブランクを作製したとしても、この吸収層に吸収パターンをパターニングできず、その結果、この反射型フォトマスクブランクを反射型フォトマスクに加工が出来ないという問題が生じる。あるいは、これらの金属材料の融点が低いために反射型フォトマスク作製時やＥＵＶ露光時の熱に耐えられず、実用性に乏しい反射型フォトマスクとなってしまうという問題が生じる。
上述の欠点を回避するため、本実施形態の反射型フォトマスクブランク１０または本実施形態の反射型フォトマスク２０の吸収制御膜（下層４ａ）は、錫（Ｓｎ）及び酸素（Ｏ）を含む材料で形成されたものとする。Ｓｎ単体では、融点が２３０℃付近であり、反射型フォトマスク作製時やＥＵＶ露光時の熱の温度よりも低く、熱的安定性に問題があるが、酸化錫（ＳｎＯ２）にすることで、それぞれの融点を大幅に高くできる。実際に反応性スパッタリングにより酸化錫（ＳｎＯ２）膜を複数作製し、熱分析装置によりその融点を測定したところ、融点が１６３０℃と単体より高く、露光環境下で必要とされる熱耐性を有すると考えられる。
また、反射型フォトマスク２０は、水素ラジカル環境下に曝されるため、水素ラジカル耐性の高い光吸収材料でなければ、反射型フォトマスク２０は長期の使用に耐えられない。本実施形態においては、マイクロ波プラズマを使って、電力１ｋＷで水素圧力が０．３６ミリバール（ｍｂａｒ）以下の水素ラジカル環境下で、膜減り速さ０．０１ｎｍ／ｓ以下の材料を、水素ラジカル耐性の高い材料とする。
錫（Ｓｎ）は単体では水素ラジカルへの耐性が低いことが知られているが、酸素を追加することによって水素ラジカル耐性が高くなる。更にタンタル（Ｔａ）を混合することで耐性が大幅に上昇し、上述水素ラジカル耐性の基準を満たすことが可能となる。これは、水素ラジカルへの耐性を有するタンタル（Ｔａ）を混ぜることによって強度が高まり、化合物としての安定性の向上に寄与するためと考えられる。
錫（Ｓｎ）は単体では水素ラジカルへの耐性が低いことが知られているが、酸素を追加することによって水素ラジカル耐性が高くなる。更にタンタル（Ｔａ）を混合することで耐性が大幅に上昇し、上述水素ラジカル耐性の基準を満たすことが可能となる。これは、水素ラジカルへの耐性を有するタンタル（Ｔａ）を混ぜることによって強度が高まり、化合物としての安定性の向上に寄与するためと考えられる。
吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料は、錫（Ｓｎ）及び酸素（Ｏ）を合計で７０原子％以上含有することが好ましい。更に、吸収制御膜（下層４ａ）にはタンタル（Ｔａ）が５原子％以上２０原子％以下の範囲内で添加されていることが好ましい。つまり、吸収層４は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上９５原子％未満の範囲内で含有し、且つタンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることが好ましい。これは、吸収層４に錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）以外の成分が含まれていると、ＥＵＶ光吸収性が低下する可能性があるものの、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）以外の成分が３０原子％未満であれば、ＥＵＶ光吸収性の低下はごく僅かであり、ＥＵＶマスクの吸収層４としての性能の低下はほとんどないためである。更に、酸化錫（ＳｎＯ２）は、塩素系ガスを用いたドライエッチングが可能であるため、反射型フォトマスクブランクを反射型フォトマスクに加工することが出来るものの、タンタル（Ｔａ）を混合させることによって加工性が低下する。吸収制御膜（下層４ａ）に混合されるタンタル（Ｔａ）が５原子％以上２０原子％であれば、ドライエッチングによる加工性の低下はごく僅かであり、水素ラジカル耐性も向上する。
なお、タンタル（Ｔａ）の含有量が５原子％未満であると水素ラジカル耐性の向上が得られない。また、タンタル（Ｔａ）の含有量が２０原子％を超えるとドライエッチングによる加工性が低下し、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が大きくなることでウェハ転写性に悪影響を与えることが予想される。更に、タンタル（Ｔａ）の含有量が２０原子％を超えると波長１９０～２６０ｎｍのＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光におけるコントラストが低下するため、検査性が悪くなる。したがって、タンタル（Ｔａ）の含有量は５原子％以上２０原子％以下であることが好ましく、８原子％以上１５原子％以下であることがより好ましい。
吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料の上記組成比は、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）による分析結果に基づき算出しており、分析手法によっては含有量が変動する可能性がある。例えば、タンタル（Ｔａ）の含有量がＲＢＳ分析で５原子％～２０原子％の材料を、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて分析した結果、４原子％～１３原子％となってもよい。更に、例えば、タンタル（Ｔａ）の含有量がＲＢＳ分析で５原子％～２０原子％の材料を、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）を用いて分析した結果、８原子％～３４原子％となってもよい。
前述の通り、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料は、錫（Ｓｎ）及び酸素（Ｏ）を合計で７０原子％以上含有し、且つタンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有することが好ましいが、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）以外の材料として、例えば、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうちいずれか１種が混合されていてもよい。つまり、吸収層４は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）以外に、Ｐｔ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｆ、Ｎ、Ｃ、及びＨのうち少なくとも１種類の元素をさらに含有していてもよい。即ち、吸収層４は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）以外に、Ｐｔ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｆ、Ｎ、Ｃ、及びＨのうち少なくとも１種類の元素を、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する全原子数に対して２５原子％未満であれば、さらに含有していてもよい。
前述の通り、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料は、錫（Ｓｎ）及び酸素（Ｏ）を合計で７０原子％以上含有し、且つタンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有することが好ましいが、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）以外の材料として、例えば、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうちいずれか１種が混合されていてもよい。つまり、吸収層４は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）以外に、Ｐｔ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｆ、Ｎ、Ｃ、及びＨのうち少なくとも１種類の元素をさらに含有していてもよい。即ち、吸収層４は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）以外に、Ｐｔ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｂ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｆ、Ｎ、Ｃ、及びＨのうち少なくとも１種類の元素を、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する全原子数に対して２５原子％未満であれば、さらに含有していてもよい。
例えば、吸収制御膜（下層４ａ）にＰｔ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｐｄ、またはＮｉを混合することで、ＥＵＶ光に対する高吸収性を確保しながら、吸収層４に導電性を付与することが可能となる。このため、電子線を用いたマスクパターン検査において、チャージアップを抑制可能な為、検査性を高くすることが可能となる。
また、吸収制御膜（下層４ａ）にＮやＨｆ、あるいはＺｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｂ、またはＦを混合した場合、膜質をよりアモルファスにすることが可能となる。このため、ドライエッチング後の吸収層パターン（マスクパターン）のラフネスや面内寸法均一性、あるいは転写像の面内均一性を向上させることが可能となる。
また、吸収制御膜（下層４ａ）にＮやＨｆ、あるいはＺｒ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｂ、またはＦを混合した場合、膜質をよりアモルファスにすることが可能となる。このため、ドライエッチング後の吸収層パターン（マスクパターン）のラフネスや面内寸法均一性、あるいは転写像の面内均一性を向上させることが可能となる。
また、吸収制御膜（下層４ａ）にＴｉ、Ｗ、またはＳｉを混合した場合、吸収層４（吸収パターン層４ｃ）の洗浄に対する耐性を高めることが可能となる。
本実施形態では、吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚は、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内であれば好ましく、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であればより好ましく、３ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましい。吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚が上記数値範囲内であれば、ＥＵＶ光の吸収率を容易に調整することができる。
図５は、吸収制御膜（下層４ａ）を１ｎｍ未満で成膜し、その上に消衰係数ｋが０．０３、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９０、０．９１、０．９２、０．９３、０．９４の各位相制御膜（上層４ｂ）を成膜した際の吸収層４の膜厚と、位相差との関係をシミュレーションで算出したグラフである。なお、上述した「吸収層４の膜厚」とは、吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚が位相制御膜（上層４ｂ）の厚さに比べて無視できる程度に薄いため、実質的に位相制御膜（上層４ｂ）自体の厚さを意味する。
本実施形態では、吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚は、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内であれば好ましく、３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の範囲内であればより好ましく、３ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましい。吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚が上記数値範囲内であれば、ＥＵＶ光の吸収率を容易に調整することができる。
図５は、吸収制御膜（下層４ａ）を１ｎｍ未満で成膜し、その上に消衰係数ｋが０．０３、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９０、０．９１、０．９２、０．９３、０．９４の各位相制御膜（上層４ｂ）を成膜した際の吸収層４の膜厚と、位相差との関係をシミュレーションで算出したグラフである。なお、上述した「吸収層４の膜厚」とは、吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚が位相制御膜（上層４ｂ）の厚さに比べて無視できる程度に薄いため、実質的に位相制御膜（上層４ｂ）自体の厚さを意味する。
図５に示すように、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎが小さければ小さいほど、所望の位相差を得るための膜厚を薄くすることができる。
このように、射影効果の低減には、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料の消衰係数ｋを大きくすることによる吸収制御膜（下層４ａ）の薄膜化の他に、位相制御膜（上層４ｂ）を構成する材料の屈折率ｎを小さくすることによる位相制御膜（上層４ｂ）の薄膜化も有効である。
図５に示すように、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎが０．９３の場合、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を得るための吸収層４の最低膜厚は約６０ｎｍであり、従来のＴａ系吸収層の膜厚と同程度である。そのため、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎは０．９３より小さければ、吸収層４の膜厚を６０ｎｍより薄くすることができるため好ましい。また、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎが０．９２より小さければ、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を得るための吸収層４の最低膜厚が５０ｎｍ以下になるため、さらに好ましい。
このように、射影効果の低減には、吸収制御膜（下層４ａ）を構成する材料の消衰係数ｋを大きくすることによる吸収制御膜（下層４ａ）の薄膜化の他に、位相制御膜（上層４ｂ）を構成する材料の屈折率ｎを小さくすることによる位相制御膜（上層４ｂ）の薄膜化も有効である。
図５に示すように、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎが０．９３の場合、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を得るための吸収層４の最低膜厚は約６０ｎｍであり、従来のＴａ系吸収層の膜厚と同程度である。そのため、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎは０．９３より小さければ、吸収層４の膜厚を６０ｎｍより薄くすることができるため好ましい。また、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎが０．９２より小さければ、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を得るための吸収層４の最低膜厚が５０ｎｍ以下になるため、さらに好ましい。
ただし、吸収制御膜（下層４ａ）の膜厚によっては、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎが０．９４より小さい場合、吸収層４の膜厚が６０ｎｍ以下で２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を得ることが可能である。
したがって、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎは０．９４より小さいことが好ましく、０．９３よりも小さいことがより好ましく、０．９２より小さいことがさらに好ましい。
本実施形態では、位相制御膜（上層４ｂ）の膜厚は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であれば好ましく、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内であればより好ましく、１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましい。位相制御膜（上層４ｂ）の膜厚が上記数値範囲内であれば、位相差を容易に制御（調整）することができる。
したがって、吸収層４を構成する位相制御膜（上層４ｂ）の屈折率ｎは０．９４より小さいことが好ましく、０．９３よりも小さいことがより好ましく、０．９２より小さいことがさらに好ましい。
本実施形態では、位相制御膜（上層４ｂ）の膜厚は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内であれば好ましく、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内であればより好ましく、１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましい。位相制御膜（上層４ｂ）の膜厚が上記数値範囲内であれば、位相差を容易に制御（調整）することができる。
位相制御膜（上層４ｂ）を構成する材料に、屈折率ｎが０．９４より小さな低屈折率材料を用いることで、位相制御膜（上層４ｂ）は十分に薄膜化し、射影効果の低減が可能となる。具体的には、屈折率ｎが０．９４より小さい材料としては、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、コバルト（Ｃｏ）などが挙げられ、屈折率ｎが０．９３より小さい材料としては、モリブデン（Ｍｏ）などが挙げられ、屈折率ｎが０．９２より小さい材料としては、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）などが挙げられる。位相制御膜（上層４ｂ）を構成する材料は、これらの元素のうち、少なくとも１種以上を含んだ材料とすることが望ましい。
なお、位相制御膜（上層４ｂ）を構成する材料は、屈折率ｎが０．９４より小さければ、上述した低屈折率材料以外が混合されていてもよい。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、または水素（Ｈ）が混合されていてもよい。
例えば、位相制御膜（上層４ｂ）にＮやＨｆ、あるいはＡｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｂ、またはＦを混合した場合、膜質をよりアモルファスにすることが可能となる。このため、ドライエッチング後の吸収層パターン（マスクパターン）のラフネスや面内寸法均一性、あるいは転写像の面内均一性を向上させることが可能となる。
例えば、位相制御膜（上層４ｂ）にＮやＨｆ、あるいはＡｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｂ、またはＦを混合した場合、膜質をよりアモルファスにすることが可能となる。このため、ドライエッチング後の吸収層パターン（マスクパターン）のラフネスや面内寸法均一性、あるいは転写像の面内均一性を向上させることが可能となる。
また、位相制御膜（上層４ｂ）にＳｉ、Ｔａ、またはＯを混合した場合、吸収層４（吸収パターン層４ｃ）の洗浄に対する耐性を高めることが可能となる。
以上、吸収層４に含有可能な材料の効果の一例を記述したが、各材料の効果は上記の例に限定されず、複数に該当してもよい。
なお、位相制御膜（上層４ｂ）の構成する材料全体のうち、上述した低屈折率材料が５０質量％以上含まれていれば好ましく、７０質量％以上含まれていればより好ましく、９０質量％以上含まれていればさらに好ましい。低屈折率材料の含有量が上記数値範囲内であれば、位相制御膜（上層４ｂ）として確実に機能し、水素ラジカルへの耐性も十分に有する。
以上、吸収層４に含有可能な材料の効果の一例を記述したが、各材料の効果は上記の例に限定されず、複数に該当してもよい。
なお、位相制御膜（上層４ｂ）の構成する材料全体のうち、上述した低屈折率材料が５０質量％以上含まれていれば好ましく、７０質量％以上含まれていればより好ましく、９０質量％以上含まれていればさらに好ましい。低屈折率材料の含有量が上記数値範囲内であれば、位相制御膜（上層４ｂ）として確実に機能し、水素ラジカルへの耐性も十分に有する。
また、十分な位相シフト効果（十分な解像性）を得るためには、吸収層４の反射率は絶対反射率で２０％以下が好ましく、１５％以下であるとさらに好ましい。なお、本実施形態の吸収層４において、その下限値は特に制限されないが、１％以上が好ましく、２％以上であるとさらに好ましい。ここで、「絶対反射率」とは、光源からの光を直接測定した光の量に対する実試料で反射した光の量の比率で計算された値をいう。つまり、入射光の強度を１００％としたときの反射率を意味する。なお、本実施形態において「絶対反射率」の用語を用いたのは、多層反射膜（反射層２）の反射率（約６６％）と吸収層４の反射率との比を意味する「相対反射率」と区別するためである。このように、本実施形態における「絶対反射率」は、「相対反射率」とは異なる概念である。
また、吸収層４の上には、ハードマスク層を備えていても良い。ハードマスク層には、Ｃｒ系膜またはＳｉ系膜など、ドライエッチングに耐性がある材料が用いられる。
以上のように、本実施形態では、下層４ａを吸収制御膜とし、上層４ｂを位相制御膜とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上述したように、本実施形態において吸収制御膜と位相制御膜とはその積層順を問わないため、下層４ａを位相制御膜とし、上層４ｂを吸収制御膜とした場合であっても上述した効果を得ることができる。
以下、本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの実施例について説明する。
以上のように、本実施形態では、下層４ａを吸収制御膜とし、上層４ｂを位相制御膜とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上述したように、本実施形態において吸収制御膜と位相制御膜とはその積層順を問わないため、下層４ａを位相制御膜とし、上層４ｂを吸収制御膜とした場合であっても上述した効果を得ることができる。
以下、本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの実施例について説明する。
［実施例１］
最初に、反射型フォトマスクブランク１００の作製方法について図６を用いて説明する。
まず、図６に示すように、低熱膨張特性を有する合成石英の基板１１の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された反射層１２を形成する。反射層１２の膜厚は２８０ｎｍとした。
最初に、反射型フォトマスクブランク１００の作製方法について図６を用いて説明する。
まず、図６に示すように、低熱膨張特性を有する合成石英の基板１１の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された反射層１２を形成する。反射層１２の膜厚は２８０ｎｍとした。
次に、反射層１２上に、中間膜としてルテニウム（Ｒｕ）で形成されたキャッピング層１３を、膜厚が３．５ｎｍになるように成膜した。
次に、キャッピング層１３の上に、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）を含む吸収制御膜（下層１４ａ）を膜厚１４ｎｍになるように成膜した。錫（Ｓｎ）の価数は、ＸＡＦＳ（エックス線吸収微細構造）で測定したところ、３．７であった。また、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）を用いて組成分析を行ったところ、吸収制御膜（下層１４ａ）における錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量は８５原子％、また、タンタル（Ｔａ）の含有量は１５原子％であった。
次に、キャッピング層１３の上に、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とタンタル（Ｔａ）を含む吸収制御膜（下層１４ａ）を膜厚１４ｎｍになるように成膜した。錫（Ｓｎ）の価数は、ＸＡＦＳ（エックス線吸収微細構造）で測定したところ、３．７であった。また、ラザフォード後方散乱分析法（ＲＢＳ）を用いて組成分析を行ったところ、吸収制御膜（下層１４ａ）における錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量は８５原子％、また、タンタル（Ｔａ）の含有量は１５原子％であった。
次に、吸収制御膜（下層１４ａ）の上に、ルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚１９ｎｍになるように成膜した。
また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、僅かに結晶性が見られるものの、アモルファスであった。
次に、基板１１の反射層１２が形成されていない側の面に窒化クロム（ＣｒＮ）で形成された裏面導電膜１５を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射型フォトマスクブランク１００を作成した。
基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、スパッタリング装置を用いた。また、各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。吸収制御膜（下層１４ａ）は、反応性スパッタリング法により、スパッタリング中にチャンバーに導入する酸素の量を制御することで、錫（Ｓｎ）の価数が３．７となるように成膜した。
また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、僅かに結晶性が見られるものの、アモルファスであった。
次に、基板１１の反射層１２が形成されていない側の面に窒化クロム（ＣｒＮ）で形成された裏面導電膜１５を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射型フォトマスクブランク１００を作成した。
基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、スパッタリング装置を用いた。また、各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。吸収制御膜（下層１４ａ）は、反応性スパッタリング法により、スパッタリング中にチャンバーに導入する酸素の量を制御することで、錫（Ｓｎ）の価数が３．７となるように成膜した。
次に、反射型フォトマスク２００の作製方法について図７から図１０を用いて説明する。
まず、図７に示すように、反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで塗布し、１１０℃で１０分ベークし、レジスト膜１６を形成した。
次に、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってレジスト膜１６に所定のパターンを描画した。その後、１１０℃、１０分間のプリベーク処理を行い、次いでスプレー現像機（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）を用いて現像処理をした。これにより、図８に示すように、レジストパターン１６ａを形成した。
まず、図７に示すように、反射型フォトマスクブランク１００の吸収層１４の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで塗布し、１１０℃で１０分ベークし、レジスト膜１６を形成した。
次に、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってレジスト膜１６に所定のパターンを描画した。その後、１１０℃、１０分間のプリベーク処理を行い、次いでスプレー現像機（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）を用いて現像処理をした。これにより、図８に示すように、レジストパターン１６ａを形成した。
次に、レジストパターン１６ａをエッチングマスクとして、Ｒｕで形成された位相制御膜（上層１４ｂ）はフッ素系ガス、ＳｎＯで形成された吸収制御膜（下層１４ａ）は塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより、吸収層１４のパターニングを行った。これにより、図９に示すように、吸収パターンを備えた吸収層１４（吸収パターン層１４ｃ）を形成した。
次に、レジストパターン１６ａの剥離を行い、図１０に示す本実施例に係る反射型フォトマスク２００を作製した。
なお、本実施例において、吸収パターンを備えた吸収層１４（吸収パターン層１４ｃ）は、転写評価用の反射型フォトマスク２００上で、７６ｎｍのホールパターンとした。
なお、実施例１の吸収層１４について、屈折率ｎ及び消衰係数ｋ、並びに反射率を、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定した。その結果、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．８％であり、位相差は１９３度であった。
次に、レジストパターン１６ａの剥離を行い、図１０に示す本実施例に係る反射型フォトマスク２００を作製した。
なお、本実施例において、吸収パターンを備えた吸収層１４（吸収パターン層１４ｃ）は、転写評価用の反射型フォトマスク２００上で、７６ｎｍのホールパターンとした。
なお、実施例１の吸収層１４について、屈折率ｎ及び消衰係数ｋ、並びに反射率を、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定した。その結果、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．８％であり、位相差は１９３度であった。
［実施例２］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２９ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．６％であり、位相差は２０８度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２９ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．６％であり、位相差は２０８度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例３］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１４ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例３の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．５％であり、位相差は２２８度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１４ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例３の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．５％であり、位相差は２２８度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例４］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１１ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にニオブ（Ｎｂ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４４ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例４の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（下層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９３４、消衰係数ｋが０．００５に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．７％であり、位相差は１９９度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１１ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にニオブ（Ｎｂ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４４ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例４の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（下層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９３４、消衰係数ｋが０．００５に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は６．７％であり、位相差は１９９度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例５］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１５ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にニオブ（Ｎｂ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例５の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９３４、消衰係数ｋが０．００５に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．２％であり、位相差は２１０度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１５ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にニオブ（Ｎｂ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例５の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９３４、消衰係数ｋが０．００５に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．２％であり、位相差は２１０度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例６］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３６ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にチタン（Ｔｉ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１６ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例６の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９５２、消衰係数ｋが０．０１４に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は１９０度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例６の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３６ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にチタン（Ｔｉ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１６ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例６の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９５２、消衰係数ｋが０．０１４に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は１９０度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例６の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例７］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３０ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にチタン（Ｔｉ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が２３ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例７の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９５２、消衰係数ｋが０．０１４に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．１％であり、位相差は２０４度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例７の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３０ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にチタン（Ｔｉ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が２３ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例７の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９５２、消衰係数ｋが０．０１４に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．１％であり、位相差は２０４度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例７の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例８］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が５ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例８の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１１．６％であり、位相差は２５５度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例８の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が５ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４０ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例８の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１１．６％であり、位相差は２５５度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例８の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例９］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１２ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３９ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例９の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．３％であり、位相差は２６８度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例９の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１２ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３９ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例９の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は３．３％であり、位相差は２６８度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例９の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例１０］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２３ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にモリブデン（Ｍｏ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が２４ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１０の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９２３、消衰係数ｋが０．００６に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２１５度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１０の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２３ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にモリブデン（Ｍｏ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が２４ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１０の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９２３、消衰係数ｋが０．００６に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２１５度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１０の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例１１］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８０原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の２０原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４３ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１１の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２９、消衰係数ｋが０．０６５に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１１．９％であり、位相差は２５９度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１１の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８０原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の２０原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が４３ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１１の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２９、消衰係数ｋが０．０６５に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１１．９％であり、位相差は２５９度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１１の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例１２］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の９５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３６ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が９ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２６、消衰係数ｋが０．０６９に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２１１度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の９５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３６ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が９ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２６、消衰係数ｋが０．０６９に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．１％であり、位相差は２１１度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例１３］
キャッピング層１３の上に、ルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（下層１４ａ）を膜厚が４０ｎｍになるように成膜した。位相制御膜（下層１４ａ）の上に、吸収制御膜（上層１４ｂ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（上層１４ｂ）の膜厚が４ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１３の吸収層１４は、吸収制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１３．３％であり、位相差は２５６度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
キャッピング層１３の上に、ルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（下層１４ａ）を膜厚が４０ｎｍになるように成膜した。位相制御膜（下層１４ａ）の上に、吸収制御膜（上層１４ｂ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（上層１４ｂ）の膜厚が４ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１３の吸収層１４は、吸収制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１３．３％であり、位相差は２５６度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例１４］
キャッピング層１３の上に、ルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（下層１４ａ）を膜厚が２６ｎｍになるように成膜した。位相制御膜（下層１４ａ）の上に、吸収制御膜（上層１４ｂ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（上層１４ｂ）の膜厚が１３ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１４の吸収層１４は、吸収制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は７．２％であり、位相差は２２６度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
キャッピング層１３の上に、ルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（下層１４ａ）を膜厚が２６ｎｍになるように成膜した。位相制御膜（下層１４ａ）の上に、吸収制御膜（上層１４ｂ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（上層１４ｂ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（上層１４ｂ）の膜厚が１３ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１４の吸収層１４は、吸収制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は７．２％であり、位相差は２２６度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［実施例１５］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８０原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように、また、タングステン（Ｗ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２０ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１９ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６５に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．４％であり、位相差は２０７度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１５の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８０原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように、また、タングステン（Ｗ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２０ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１９ｎｍになるように成膜した。
なお、実施例１２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６５に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は５．４％であり、位相差は２０７度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、実施例１５の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［比較例１］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１００原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１９ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が２０ｎｍになるように成膜した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１００原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が１９ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が２０ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例１の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２５、消衰係数ｋが０．０７０に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は４．７％であり、位相差は２０６度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［比較例２］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２６ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１８ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．９％であり、位相差は１８４度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［比較例２］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が２６ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が１８ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は２．９％であり、位相差は１８４度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［比較例３］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が８ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３９ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は８．４％であり、位相差は２８１度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が８ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３９ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は８．４％であり、位相差は２８１度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［比較例４］
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３２ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３３ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は０．３％であり、位相差は２３３度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
吸収制御膜（下層１４ａ）の組成が、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）の合計含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の８５原子％となるように、また、タンタル（Ｔａ）の含有量が吸収制御膜（下層１４ａ）の１５原子％となるように成膜した。また、吸収制御膜（下層１４ａ）の膜厚が３２ｎｍになるように成膜した。吸収制御膜（下層１４ａ）の上にルテニウム（Ｒｕ）からなる位相制御膜（上層１４ｂ）を膜厚が３３ｎｍになるように成膜した。
なお、比較例２の吸収層１４は、吸収制御膜（下層１４ａ）の屈折率ｎが０．９２８、消衰係数ｋが０．０６６に、位相制御膜（上層１４ｂ）の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は０．３％であり、位相差は２３３度であった。
なお、吸収層１４以外は、実施例１と同様の方法で、比較例４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製し、吸収層１４の分析も実施例１と同様の方法で実施した。
［参考］
前述の実施例及び比較例とは別に、従来のタンタル（Ｔａ）系吸収層を有する反射型フォトマスクも参考例として比較した。反射型フォトマスクブランクは、前述の実施例及び比較例と同様に、低熱膨張特性を有する合成石英の基板上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された反射層と、膜厚３．５ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）キャッピング層１３とを有し、キャッピング層１３上に形成された吸収層１４は、膜厚５８ｎｍのＴａＮ上に膜厚２ｎｍのＴａＯを成膜したものである。また、前述の実施例及び比較例と同様に、吸収層１４がパターニングされたものを評価に用いた。
なお、ＴａＮの屈折率ｎが０．９５３、消衰係数ｋが０．０４４に、ＴａＯの屈折率ｎが０．９０、消衰係数ｋが０．０２７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は１６０度であった。
前述の実施例及び比較例とは別に、従来のタンタル（Ｔａ）系吸収層を有する反射型フォトマスクも参考例として比較した。反射型フォトマスクブランクは、前述の実施例及び比較例と同様に、低熱膨張特性を有する合成石英の基板上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された反射層と、膜厚３．５ｎｍのルテニウム（Ｒｕ）キャッピング層１３とを有し、キャッピング層１３上に形成された吸収層１４は、膜厚５８ｎｍのＴａＮ上に膜厚２ｎｍのＴａＯを成膜したものである。また、前述の実施例及び比較例と同様に、吸収層１４がパターニングされたものを評価に用いた。
なお、ＴａＮの屈折率ｎが０．９５３、消衰係数ｋが０．０４４に、ＴａＯの屈折率ｎが０．９０、消衰係数ｋが０．０２７に、それぞれ作製されていることが分かった。また、吸収層１４の波長１３．５ｎｍにおける絶対反射率は１．３％であり、位相差は１６０度であった。
［評価］
上述した実施例１～１５、比較例１～４、及び参考例で得られた反射型フォトマスクについて、以下の方法で転写性能及び水素ラジカル耐性の評価を行った。なお、転写性能はウェハ露光評価により確認した。また、ウェハ露光評価は、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ Ｉｍａｇｅ Ｌｏｇ－Ｓｌｏｐｅ：規格化空間像対数傾斜）値により、その解像性を評価した。
［ウェハ露光評価］
ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、各実施例、各比較例、及び参考例で作製した反射型フォトマスク２００の吸収パターンを転写露光した。このとき、露光量は、ホールパターンが設計通りの１９ｎｍに転写するように調節した。その後、電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性を確認し、以下の「◎」、「○」、「×」の３段階で評価した。
＜評価基準＞
◎：ＮＩＬＳ値が２．７０以上である場合
○：ＮＩＬＳ値が２．５０以上であり、２．７０未満である場合
×：ＮＩＬＳ値が２．５０未満である場合
以上の評価結果を表１に示す。
なお、ＮＩＬＳ値については、「○」以上の評価であれば、転写性能に問題はないため、合格とした。
〔水素ラジカル耐性〕
２．４５ＧＨｚのＭＷＰ（Ｍｉｃｒｏ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ：マイクロ波プラズマ）を使って、電力１ｋＷで水素圧力が０．３６ミリバール（ｍｂａｒ）以下の水素ラジカル環境下に、各実施例、各比較例、及び参考例で作製した反射型フォトマスク２００を設置した。
水素ラジカル処理後での膜厚変化Δｄ（Δｄ＝処理前の膜厚－処理後の膜厚）を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて確認し、以下の「◎」、「〇」、「×」の３段階で評価した。なお、測定は線幅２００ｎｍＬＳパターンで行った。
上述した実施例１～１５、比較例１～４、及び参考例で得られた反射型フォトマスクについて、以下の方法で転写性能及び水素ラジカル耐性の評価を行った。なお、転写性能はウェハ露光評価により確認した。また、ウェハ露光評価は、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ Ｉｍａｇｅ Ｌｏｇ－Ｓｌｏｐｅ：規格化空間像対数傾斜）値により、その解像性を評価した。
［ウェハ露光評価］
ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、各実施例、各比較例、及び参考例で作製した反射型フォトマスク２００の吸収パターンを転写露光した。このとき、露光量は、ホールパターンが設計通りの１９ｎｍに転写するように調節した。その後、電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性を確認し、以下の「◎」、「○」、「×」の３段階で評価した。
＜評価基準＞
◎：ＮＩＬＳ値が２．７０以上である場合
○：ＮＩＬＳ値が２．５０以上であり、２．７０未満である場合
×：ＮＩＬＳ値が２．５０未満である場合
以上の評価結果を表１に示す。
なお、ＮＩＬＳ値については、「○」以上の評価であれば、転写性能に問題はないため、合格とした。
〔水素ラジカル耐性〕
２．４５ＧＨｚのＭＷＰ（Ｍｉｃｒｏ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ：マイクロ波プラズマ）を使って、電力１ｋＷで水素圧力が０．３６ミリバール（ｍｂａｒ）以下の水素ラジカル環境下に、各実施例、各比較例、及び参考例で作製した反射型フォトマスク２００を設置した。
水素ラジカル処理後での膜厚変化Δｄ（Δｄ＝処理前の膜厚－処理後の膜厚）を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて確認し、以下の「◎」、「〇」、「×」の３段階で評価した。なお、測定は線幅２００ｎｍＬＳパターンで行った。
＜評価基準＞
◎：Δｄ≦１ｎｍであった場合
○：１ｎｍ＜Δｄ≦１．５ｎｍであった場合
×：１．５ｎｍ＜Δｄであった場合
以上の評価結果を表１に示す。
なお、水素ラジカル耐性評価については、「○」以上の評価であれば、十分に耐性があるため、合格とした。
◎：Δｄ≦１ｎｍであった場合
○：１ｎｍ＜Δｄ≦１．５ｎｍであった場合
×：１．５ｎｍ＜Δｄであった場合
以上の評価結果を表１に示す。
なお、水素ラジカル耐性評価については、「○」以上の評価であれば、十分に耐性があるため、合格とした。
表１において、各実施例及び各比較例におけるＮＩＬＳ値の比較結果を示す。前述の評価基準は、既存のタンタル（Ｔａ）マスクを用いた場合と比較したときに十分にＮＩＬＳ値が高いかを基準としている。
従来の膜厚６０ｎｍのタンタル（Ｔａ）系吸収パターンを備えた反射型フォトマスクを用いた場合のＮＩＬＳ値は２．３７であった。これに対し実施例１のＮＩＬＳ値は２．５１であり、実施例２のＮＩＬＳ値は２．６８であり、実施例３のＮＩＬＳ値は２．７７であり、実施例４のＮＩＬＳ値は２．５４であり、実施例５のＮＩＬＳ値は２．６８であり、実施例６のＮＩＬＳ値は２．５７であり、実施例７のＮＩＬＳ値は２．６４であり、実施例８のＮＩＬＳ値は２．６０であり、実施例９のＮＩＬＳ値は２．７２であり、実施例１０のＮＩＬＳ値は２．７０であり、実施例１１のＮＩＬＳ値は２．５９であり、実施例１２のＮＩＬＳ値は２．６７であり、実施例１３のＮＩＬＳ値は２．５１であり、実施例１４のＮＩＬＳ値は２．６９であり、実施例１５のＮＩＬＳ値は２．５９であった。また比較例においても、比較例１のＮＩＬＳ値は２．６１と「合格」の基準を満たした。
従来の膜厚６０ｎｍのタンタル（Ｔａ）系吸収パターンを備えた反射型フォトマスクを用いた場合のＮＩＬＳ値は２．３７であった。これに対し実施例１のＮＩＬＳ値は２．５１であり、実施例２のＮＩＬＳ値は２．６８であり、実施例３のＮＩＬＳ値は２．７７であり、実施例４のＮＩＬＳ値は２．５４であり、実施例５のＮＩＬＳ値は２．６８であり、実施例６のＮＩＬＳ値は２．５７であり、実施例７のＮＩＬＳ値は２．６４であり、実施例８のＮＩＬＳ値は２．６０であり、実施例９のＮＩＬＳ値は２．７２であり、実施例１０のＮＩＬＳ値は２．７０であり、実施例１１のＮＩＬＳ値は２．５９であり、実施例１２のＮＩＬＳ値は２．６７であり、実施例１３のＮＩＬＳ値は２．５１であり、実施例１４のＮＩＬＳ値は２．６９であり、実施例１５のＮＩＬＳ値は２．５９であった。また比較例においても、比較例１のＮＩＬＳ値は２．６１と「合格」の基準を満たした。
これに対し、比較例２のＮＩＬＳ値は２．３８であり、比較例３のＮＩＬＳ値は２．４４であり、比較例４のＮＩＬＳ値は２．３８と、基準値２．５０を満たさなかったため「不合格」とした。
表１において、各実施例及び各比較例の水素ラジカル耐性の結果を示す。比較例１以外の実施例及び比較例、即ち実施例１～１５及び比較例２～４の反射型フォトマスク２００については、「合格」の基準を満たし、比較例１は「不合格」であった。
表１において、ＮＩＬＳ値と水素ラジカル耐性の総合的評価を示す。波長１３．５ｎｍの光を光源としたパターニングにおいて十分な位相シフト効果が得られ、ウェハ転写性能（特に解像性）を向上することが可能になり、射影効果を抑制または軽減でき、且つ水素ラジカル耐性を有する反射型フォトマスク２００については、「判定」の欄に「○」と記した。一方、射影効果を十分に抑制または軽減できなかった、あるいは解像性を十分に向上することができなかった、又は水素ラジカル耐性を有さない反射型フォトマスク２００については、「判定」の欄に「×」と記した。
表１において、各実施例及び各比較例の水素ラジカル耐性の結果を示す。比較例１以外の実施例及び比較例、即ち実施例１～１５及び比較例２～４の反射型フォトマスク２００については、「合格」の基準を満たし、比較例１は「不合格」であった。
表１において、ＮＩＬＳ値と水素ラジカル耐性の総合的評価を示す。波長１３．５ｎｍの光を光源としたパターニングにおいて十分な位相シフト効果が得られ、ウェハ転写性能（特に解像性）を向上することが可能になり、射影効果を抑制または軽減でき、且つ水素ラジカル耐性を有する反射型フォトマスク２００については、「判定」の欄に「○」と記した。一方、射影効果を十分に抑制または軽減できなかった、あるいは解像性を十分に向上することができなかった、又は水素ラジカル耐性を有さない反射型フォトマスク２００については、「判定」の欄に「×」と記した。
これにより、吸収層１４が吸収制御膜と位相制御膜の少なくとも２層以上の積層構造からなり、位相差が１８８度以上２６８度以下度であり、総膜厚が６０ｎｍ以下であり、吸収制御膜が錫（Ｓｎ）と酸素（〇）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成された反射型フォトマスクであれば、解像性、水素ラジカル耐性が共に良好であることから、射影効果を低減でき、長寿命であり、且つ転写性能が高くなるという結果となった。
なお、本開示の反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲において種々の変更が可能である。
なお、本開示の反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲において種々の変更が可能である。
また、例えば、本発明は以下のような構成を取ることができる。
（１）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収層と、を有し、
前記吸収層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、
前記吸収層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、
前記吸収層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、
前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
（２）
前記吸収層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスクブランク。
（３）
前記吸収層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスクブランク。
（４）
前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（１）
極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収層と、を有し、
前記吸収層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、
前記吸収層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、
前記吸収層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、
前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
（２）
前記吸収層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスクブランク。
（３）
前記吸収層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスクブランク。
（４）
前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（５）
前記位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さいことを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（６）
前記位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（７）
前記吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有することを特徴とする上記（１）から（６）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（８）
前記反射層と前記吸収層との間にキャッピング層が形成されていることを特徴とする上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
前記位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さいことを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（６）
前記位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（７）
前記吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有することを特徴とする上記（１）から（６）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（８）
前記反射層と前記吸収層との間にキャッピング層が形成されていることを特徴とする上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
（９）
基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収パターン層と、を有し、
前記吸収パターン層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、
前記吸収パターン層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、
前記吸収パターン層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、
前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることを特徴とする反射型フォトマスク。
（１０）
前記吸収パターン層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（９）に記載の反射型フォトマスク。
（１１）
前記吸収パターン層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（９）に記載の反射型フォトマスク。
（１２）
前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であることを特徴とする上記（９）から（１１）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収パターン層と、を有し、
前記吸収パターン層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、
前記吸収パターン層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、
前記吸収パターン層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、
前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることを特徴とする反射型フォトマスク。
（１０）
前記吸収パターン層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（９）に記載の反射型フォトマスク。
（１１）
前記吸収パターン層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（９）に記載の反射型フォトマスク。
（１２）
前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であることを特徴とする上記（９）から（１１）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１３）
前記位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さいことを特徴とする上記（９）から（１２）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１４）
前記位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（９）から（１３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１５）
前記吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有することを特徴とする上記（９）から（１４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１６）
前記反射層と前記吸収パターン層との間にキャッピング層が形成されていることを特徴とする上記（９）から（１５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
前記位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さいことを特徴とする上記（９）から（１２）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１４）
前記位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（９）から（１３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１５）
前記吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有することを特徴とする上記（９）から（１４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１６）
前記反射層と前記吸収パターン層との間にキャッピング層が形成されていることを特徴とする上記（９）から（１５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
本発明に係る反射型フォトマスクは、半導体集積回路などの製造工程において、ＥＵＶ露光によって微細なパターンを形成するために好適に用いることができる。
１…基板
２…反射層
３…キャッピング層
４…吸収層
４ａ…下層
４ｂ…上層
４ｃ…吸収パターン層
１０…反射型フォトマスクブランク
２０…反射型フォトマスク
１１…基板
１２…反射層
１３…キャッピング層
１４…吸収層
１４ａ…下層
１４ｂ…上層
１４ｃ…吸収パターン層
１５…裏面導電膜
１６…レジスト膜
１６ａ…レジストパターン
１００…反射型フォトマスクブランク
２００…反射型フォトマスク
２…反射層
３…キャッピング層
４…吸収層
４ａ…下層
４ｂ…上層
４ｃ…吸収パターン層
１０…反射型フォトマスクブランク
２０…反射型フォトマスク
１１…基板
１２…反射層
１３…キャッピング層
１４…吸収層
１４ａ…下層
１４ｂ…上層
１４ｃ…吸収パターン層
１５…裏面導電膜
１６…レジスト膜
１６ａ…レジストパターン
１００…反射型フォトマスクブランク
２００…反射型フォトマスク
Claims (16)
- 極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収層と、を有し、
前記吸収層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、
前記吸収層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、
前記吸収層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、
前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 - 前記吸収層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記吸収層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記吸収層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さいことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 前記反射層と前記吸収層との間にキャッピング層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 基板と、
前記基板上に形成された多層膜を含む反射層と、
前記反射層の上に形成された吸収パターン層と、を有し、
前記吸収パターン層は、吸収制御膜と位相制御膜とが積層された積層構造体であり、
前記吸収パターン層は、１８８度以上２６８度以下の範囲内の位相差を有し、
前記吸収パターン層の総膜厚は、６０ｎｍ以下であり、
前記吸収制御膜は、錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で７０原子％以上含有し、且つ、タンタル（Ｔａ）を５原子％以上２０原子％以下の範囲内で含有する材料で形成されていることを特徴とする反射型フォトマスク。 - 前記吸収パターン層は、２０２度以上２６５度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
- 前記吸収パターン層は、２１６度以上２６１度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
- 前記吸収パターン層は、ＥＵＶ光に対する反射率が２０％以下であることを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
- 前記位相制御膜は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９４より小さいことを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
- 前記位相制御膜は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
- 前記吸収制御膜は、白金（Ｐｔ）、テルル（Ｔｅ）、インジウム（Ｉｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、及び水素（Ｈ）のうち少なくとも１種類の元素をさらに含有することを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
- 前記反射層と前記吸収パターン層との間にキャッピング層が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の反射型フォトマスク。
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