CN102369588B - 反射型光掩模及反射型光掩模基板 - Google Patents

Abstract

目的在于提供一种能够降低投影效应的反射型光掩模及反射型光掩模基板，所述投影效应会导致EUV光的转印精度的劣化现象。本发明是一种反射型光掩模，用于通过反射EUV光来照射反射光，其特征在于，具有：基板，高反射部，其形成在所述基板上，低反射部，其形成在所述高反射部之上，且被刻画了图案；被刻画了图案的所述低反射部至少层叠一层以上；被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层。

Description

反射型光掩模及反射型光掩模基板

技术领域

本发明涉及反射型光掩模及反射型光掩模基板(blank)。

本申请基于2009年4月2日在日本申请的日本专利申请2009-089939号以及2009年9月16日在日本申请的日本专利申请2009-214348号主张优先权，并在这里引用上述专利申请的内容。

背景技术

近年来，提出了使用超紫外光(Extreme Ultra Violet，下方略称为“EUV”。)的曝光方法。在EUV曝光中，由于波长短，因而物质的折射率几乎接近真空中的值，材料之间的光吸收之差也小。因此，在EUV波长区域中采用反射光学系统，而不能采用以往的透过型的折射光学系统，并且，光掩模采用反射型光掩模。

到目前为止开发出来的一般的反射型光掩模采用如下结构，该结构是指，在Si晶片或玻璃基板上，将多层反射膜以及用于保护多层反射膜的保护膜作为高反射部，在该高反射部上形成吸收膜及缓冲膜的图案来作为低反射部的结果，该多层反射膜是指，在Si晶片或玻璃基板上例如层叠40对左右的例如由Mo和Si构成的双层膜而成的多层反射膜，并在该高反射部上形成吸收膜及缓冲膜的图案来作为低反射部的结果。该缓冲膜是指，在对吸收膜进行干式蚀刻，或者，利用离子束或激光来进行缺陷修正时，发挥减轻保护膜及多层反射膜的损伤的作用的膜，在对吸收膜进行缺陷修正之后，在该缓冲膜上刻画图案。

在如上所述的反射型光掩模中，对于用于吸收EUV光的低反射部，一般而言，为了确保进行图案缺陷检查时的对比度，将该低反射部设计成，针对缺陷检查光即远紫外线(Deep Ultra Violet，下方略称为“DUV”)，而实现低反射率的低反射部。作为用于设计成低反射率的方法，使用所谓利用薄膜干涉的防止反射(Anti Reflection，下方略称为“AR”。)效果，因此，在低反射部的最上层，形成针对DUV光透明的膜来作为AR膜。

这样，低反射部大多具有从远离基板的一侧依次层叠以下膜等各种膜的层叠结构，这些膜是：用于针对DUV光而实现低反射率的AR膜；用于吸收EUV光的吸收膜；用于减轻保护膜及多层反射膜损伤的缓冲膜。

另外，保护膜对EUV光具有透明性的同时，对干式蚀刻吸收膜具有高抗腐蚀性，进而，在如利用损伤小的电子束进行对吸收膜的缺陷修正那样的情况下，保护膜能够兼做缓冲膜发挥作用。将这样的保护膜称为兼用膜。

以往，作为用于使用EUV光的曝光方法的反射型光掩模的吸收膜，形成以Ta或Cr为主成分的层(参照专利文献1)。

不限定于EUV曝光，在基于投影曝光来实现转印曝光时，光掩模所要求的光学特性第一就是掩模对比度(mask contrast)。一般而言，在透过型掩模中，将透过了透明基板部的透过光强度作为T，将透过了包括遮光膜的图案部的透过光强度作为To时，利用下述公式(1)来评估掩模对比度。

OD＝-log(To/T) (1)

在这里，OD被称为光学密度(Optical density)，表示遮光膜的遮光性的程度。

在反射型光掩模中，也能够与上述同样地评估掩模对比度，但由于是反射型光掩模，因而将来自高反射部的反射光强度作为Rm，并将来自包括吸收膜的低反射部的反射光强度作为Ra时，与透过型掩模同样地，利用下述公式(2)来评估掩模对比度。

OD＝-log(Ra/Rm) (2)

一般而言，为了进行良好的EUV转印，OD至少需要在1.5以上。

由于EUV曝光是反射曝光，因而从稍微倾斜的(一般是6°左右)方向使入射光向反射型光掩模入射，而不是垂直入射，从而成为反射光。此时，由于从倾斜方向入射EUV光，因而产生被刻画了图案的低反射部的图案的影子。因此，基于入射方向和图案的配置方向，在由反射光形成的晶片上的转印抗蚀剂图案上产生从与本来的位置的之间的偏移，从而导致劣化图案位置精度劣化。将该现象称为投影效应(Shadowing Effect)，且抑制投影效应成为了EUV曝光的课题。

为了抑制投影效应，需要使影子的长度变小，为此只要使图案的高度尽量变小即可。即，优选地，以使低反射部尽量薄的方式形成该低反射部。

即使使得低反射部变薄，也会为了确保掩模对比度(OD＞1.5)，使用对EUV光的吸收性大的材料是重要的。

另外，不限定于反射型光掩模，一般而言，由于在其制作工序或在转印曝光的使用期间，反复将光掩模置于使用了酸性或碱性等的清洗液中，因而构成掩模的薄膜需要对这些清洗液具有足够的抗腐蚀性。另外，希望被刻画图案的薄膜具有能够形成精细图案的足够的蚀刻适应性(蚀刻速度(etchrate))。

根据以上的阐述，对于反射型光掩模，要求具有高的EUV光吸收性，使得以尽量薄的图案部的膜厚来确保所需的掩模对比度(OD＞1.5)的同时，要求将清洗液抗腐蚀性高且由易于蚀刻的材料构成的层设在低反射部。然而，还未提出满足这些条件的最佳膜材料。

另一方面，提出了利用移相掩模的提高分辨率技术。移相掩模是指，通过使掩模图案的透过部形成为与相邻的透过部不同的物质或形状，来对透过这些透过部的光赋予180度的相位差的掩模。因此，在两个透过部之间的区域，具有180度相位差的这些透过衍射光在两个透过部之间的区域相互抵消，由此光强度变得极小，从而提高掩模对比度，并且，其在结果，在上放大了转印时的焦点深度的同时，提高了转印精度。另外，原理上相位差是180度为最好，但实质上只要是175度～185度左右就能够得到提高分辨率效果。

作为移相掩模的一种的半色调式掩模(half-tone mask)，使用对曝光用光的半透过型的薄膜(下面下方称为半色调膜)来作为构成掩模图案的材料，并且，是如下的移相掩模，该移相掩模是指，通过使透过率衰减至数％左右(一般是基板透过光的4％～15％左右)为止的同时，对其赋予与一般的基板透过光形成175度～185度左右的相位差，来提高图案蚀刻部的分辨率，从而提高转印精度的移相掩模。

在这里，对衰减型半色调式移相掩膜掩模的透过率的恰当的范围，进行说明。对于以往的准分子激光器用的衰减型半色调式掩模，希望半色调膜对曝光波长即紫外线的透过率一般满足4％～15％这样的光学条件。就该理由来说，首先，若在曝光波长中的半色调膜的透过率在4％以下，则透过了相邻的透过图案部的光的衍射光在重叠时抵消效果变小。相反，若透过率在15％以上，则根据不同的曝光条件会超过抗蚀剂的分辨率极限(resolutionlimit)， 由此在透过了光的半色调膜的区域会形成剩余冗余的图案。

EUV曝光使用反射光学系统，且NA(开口数数值孔径)小并且的基础上波长短，因而作为特有的课题来说，容易受到镜面或掩模的表面凹凸的影响，从而导致难以高精度地对作为目标的微细线宽进行解像(分辨)。因此，为了能够将在以往的准分子激光器曝光等中使用的半色调式掩模的原理，应用于利用反射光学系统的EUV曝光中，提出了即使将吸收膜作为衰减膜半色调膜也能发挥功能的半色调式的反射型光掩模(例如，参照专利文献2)。

即使在反射型光掩模中，基于移相效果的提高分辨率的原理也与上述相同样，因而可考虑为仅通过将上述的“透过率”替换成“反射率”，该恰当的值为几乎与上述相同样。即，希望低反射区域相对于高反射区域的低反射区域的反射率在4％～15％。

另外，使用半色调式光掩模，在原理上是能够在光刻法中提高分辨性的有效的手段。但是，一般而言，由于对半色调式光掩模最佳的透过率或反射率取决于曝光条件或转印的图案，因而难以将其决定为恒定值。

根据以上的阐述，对于来自被刻画了图案的低反射部的反射光相对于来自高反射部的反射光而具有175度～185度的相位差的半色调式的反射型光掩模，也希望是具有4％～15％左右的反射率的选择性的广度(自由度)的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-237174号公报，

专利文献2：日本特开2006-228766号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的在于，提供一种能够满足反射型光掩模所要求的各种条件(OD、相位差、反射率、清洗液抗腐蚀性等)的同时，能够降低导致EUV光的转印精度的劣化现象的投影效应的反射型光掩模及反射型光掩模基板。

用于解决问题的手段

本发明者为了通过解决上述问题来提高EUV曝光的转印精度，对用于低反射部的材料反复进行研究的结果，做出了本发明。

本发明的一实施方式的反射型光掩模，用于通过反射EUV光来将反射光照射到转印用样本上，该反射型光掩模具有：基板，高反射部，其形成在所述基板上，低反射部，其形成在所述高反射部之上，且被刻画了图案；被刻画了图案的所述低反射部至少层叠了一层以上；被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层。

另外，含有Sn和氧的所述层也可以是非晶态(非晶体)。

另外，含有Sn和氧的所述层也可以是氧相对于Sn的原子数比(O/Sn)在1.0以上1.5以下之间的层。

另外，被刻画了图案的所述低反射部的膜厚也可以在25nm以上45nm以下。

另外，来自被刻画了图案的所述低反射部的反射光，也可以相对于来自所述高反射部的反射光而具有175度～185度的相位差。

另外，也可以采用如下结构，这些结构是：被刻画了图案的所述低反射部至少层叠二层以上；被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层；被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Ru的层。

另外，所述含有Ru的层也可以是含有Ru和氧的层。

另外，被刻画了图案的所述低反射部针对波长为从190nm到260nm的紫外线的反射率也可以在15％以下。

另外，被刻画了图案的所述低反射部的最上层也可以为含有Sn和氧的所述层。

另外，被刻画了图案的所述低反射部的最上层也可以为含有Si和氮的层。

另外，被刻画了图案的所述低反射部的最上层也可以为含有Si和氧的层。

本发明的一实施方式的反射型光掩模基板，用于形成反射型光掩模，其特征在于，该反射型光掩模基板具有：基板，高反射部层，其形成在所述基板上，低反射部层，其层叠在所述高反射部层之上；所述低反射部层至少层叠一层以上，所述低反射部层的至少一层是含有Sn和氧的层。

发明效果

由于低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层，因而本发明能够使低反射部比以往更薄，且能够降低投影效应。

图1是表示各种材料对波长为13.5nm附近的光的折射率和消光系数的图。

图2是将Ta和SnO（氧化亚锡）作为吸收膜时计算出针对它们的膜厚的OD（光学密度）值的特性图。

图3是本发明的第二至第五实施方式所涉及的表示各种材料的折射率和消光系数的表，该表是用于计算各种材料对波长为13.5nm、199nm及257nm的光的反射率的表。

图4的（a）部分及（b）部分是示出了本发明的第二实施方式的反射型光掩模所涉及的吸收膜材料相对于折射率和消光系数的反射率的计算结果的特性图。

图5是示出了本发明的第二实施方式的反射型光掩模的光谱反射率的测定结果的特性图。

图6是示出了针对SnO膜厚来计算本发明的第二实施方式的反射型光掩模的反射率的计算结果的特性图。

图7的（a）部分～（d）部分是示出了针对SnO膜厚计算本发明的第三实施方式的反射型光掩模的反射率的计算结果的特性图。

图8的（a）部分及（b）部分示出了针对氮化硅膜厚计算本发明的第四实施方式的反射型光掩模的反射率的计算结果的特性图。

图9的（a）部分～（d）部分示出了针对氮化硅膜厚计算本发明的第五实施方式的反射型光掩模的反射率的计算结果的特性图。

图10是表示各种吸收膜材料的卤化物的沸点的表。

图11是示出了本发明的第一实施方式的反射型光掩模基板的结构的剖视示意图。

图12是示出了本发明的第一实施方式的反射型光掩模的结构的剖视示意图。

图13是示出了本发明的第二实施方式的反射型光掩模基板的结构的剖视示意图。

图14是示出了本发明的第二实施方式的反射型光掩模的结构的剖视示意图。

图15是示出了本发明的第三实施方式的反射型光掩模基板的结构的剖视示意图。

图16是示出了本发明的第三实施方式的反射型光掩模的结构的剖视示意图。

图17是示出了本发明的第四实施方式的反射型光掩模基板的结构的剖视示意图。

图18是示出了本发明的第四实施方式的反射型光掩模的结构的剖视示意图。

图19是示出了反射型光掩模及反射型光掩模基板的材料针对波长为13.5nm的光的折射率和消光系数的特性图。

图20是表示半色调式(half-tone)的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图21是表示包括本发明的反射型光掩模及反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的折射率和消光系数的表，该表用于计算该反射型光掩模及改反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率及相位差。

图22是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图23是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图24是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图25是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图26是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图27是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型 光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图28是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图29是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图30是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图31是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图32是示出了本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图33是表示本发明的半色调式的反射型光掩模及半色调式的反射型光掩模基板对波长为13.5nm光的反射率和相位差的计算结果的特性图。

图34是示出了本发明的EUV半色调式掩模基板的每个制造工序的光谱反射率的测定结果的图。

图35是示出了利用X射线光电子光谱对本发明的实施例的SnO膜的构成比进行分析的结果的特性图。

图36是示出了利用X射线衍射法对本发明的实施例的SnO膜的晶体结构进行分析的结果的特性图。

具体实施方式

下方，基于含有Sn和氧的层的特性，对本发明所提出的将含有Sn(锡)和氧的层用在低反射部上的有效性进行说明。此外，在本申请的说明书中的“含有Sn和氧”是指，Sn和氧所占的构成比在90％以上的情况。

如上所述，为了降低投影效应，需要使图案部即低反射部的膜厚变小，为此首先有效的方法是使用对EUV光(超紫外线)吸收性大的吸收膜。图1表示在EUV曝光波长(13.5nm附近)中分布各材料的光学常数的各种文献值，横轴是折射率：n，纵轴是消光系数：k。在这里，根据光学理论的观点，越是消光系数大的膜，对EUV光的吸收性就越大。

如图1那样，虽然有几个吸收性比以往作为主要吸收膜材料使用的Ta 或Cr大的膜，但能够同时满足如下要求的材料则稀少，该要求是指，作为掩模材料所需的关于对酸性/碱性清洗液的抗腐蚀性、干式蚀刻适应性及微粒特性的要求。在图1的材料中，对于Sn来说，若是Sn单质，则熔点是在金属材料中也是特别低的230℃附近，因此从热稳定性的观点出发不优选Sn单质。

然而，若成为氧化物来作为氧化锡(S_nO₂)的形式，则熔点变为1000℃以上，且热膨胀系数仍然是一般的金属氧化物的程度，比一般的金属单质更小而稳定。

因此，实际上制作SnO膜，若要测定针对EUV波长(13.5nm)的光学常数，则可得到如下的值，折射率＝0.936、消光系数＝0.0721。这些值是与图1所示出的SnO的值接近的值。

基于上述EUV波长(13.5nm)的SnO膜的光学常数，来计算出利用SnO吸收膜时的EUV波长(13.5nm)的OD，并将计算出的该OD与以往的主要吸收膜即Ta膜进行比较，则如图2所示。在该计算中，假设了SnO膜或Ta膜是单层，且在这些膜下方存在厚度为2.5nm的Ru兼用膜，进而在该Ru兼用膜下方存在40对由Si和Mo构成的多层反射膜。根据图2可知，为了得到OD＞1.5，Ta膜至少需要47nm厚度以上，相对于此，SnO膜则只需约24nm即可，因此可知就该SnO膜作为能够降低膜厚的吸收膜来说是有效的。另外，图3的第一列示出计算OD时所使用对波长为13.5nm光的光学常数。

在图2的计算中，对使用兼用膜的层结构进行了计算，而不是对使用缓冲膜的层结构进行计算，但使用FIB(Focused Ion Beam：聚焦离子束)进行缺陷修正时一般使用缓冲膜。但是，缓冲膜较薄，一般是10nm左右，对EUV光的吸收性与Ta或Cr系列的膜是相同的程度，或在其以下。因此，对于具有缓冲膜的结构，SnO膜作为能够降低吸收膜厚的吸收膜来说，有效性不变。

接着，使用椭圆偏振仪(Ellipse meter)，对作为典型缺陷检查波长的199nm及257nm时的SnO膜的光学常数进行测定的结果，可得到在下述(3)以及(4)示出的值。

199nm：折射率＝1.87 消光系数＝0.617……(3)

257nm：折射率＝2.19 消光系数＝0.341……(4)

在这里，与前述同样地，在多层反射膜(40对Si和Mo)之上具有厚度 为2.5nm的Ru兼用膜的结构，在该结构上粘贴在图2中求出的厚度为24nm的吸收膜(暂时假设为X)时，将X的折射率作为横轴，将消光系数作为纵轴，从而在图4中示出了针对检查波长的反射率＝10％和5％的等高线的计算结果。图4的(a)部分是波长为199nm的情况，图4的(b)部分是波长为257nm的情况。若在图4中标明在上述的(3)、(4)中求出的结果，则如图所示，可知在X是SnO时，对199nm的(光的)反射率是约10％，对257nm(光的)的反射率在5％以下。即，可知在该结构中，即使不使用AR膜，SnO膜至少在24nm附近也变为足够的低反射状态，从而能够确保检查波长中的对比度。此外，图3的第二、三列示出了在计算中所使用的针对波长为199nm及257nm光的光学常数。

在图5中示出了实际测定出的光谱反射率。在图5中示出了第一、第二阶段的光谱反射率，该第一阶段是指，形成SnO膜之前，即，在多层反射膜(用ML表示40对的Si和Mo)之上，形成厚度为2.5nm的Ru兼用膜的阶段；该第二阶段是指，在该第一阶段后，形成了20nm、25nm的SnO膜的阶段。可知，这样在形成SnO膜之后，在波长为199nm及257nm时为低反射状态，因此基于前述计算的推论是妥当的。

在图6中示出了使用Si兼用膜(11nm厚)来代替图5中的兼用膜的情况，示出了针对SnO膜厚的波长为199nm和257nm光的反射率的计算结果。在该情况下，也可知在SnO膜厚为20nm～25nm厚度附近，即使不使用AR膜，也会实现足够的低反射，因此能够确保在检查波长中的对比度。

另外，在为了进行FIB修正而使用缓冲膜的情况下，也能够实现基于SnO膜的低反射。图7是在SnO膜和Si保护膜或Ru保护膜之间使用了TaN或CrN的缓冲膜时的反射率的计算结果。可知，这样到SnO膜厚30nm附近为止为都为低反射(大体上15％以下)，因此SnO膜的低反射有效。此外，图3的第二、三列示出了在计算中使用的针对波长为199nm及257nm光的TaN、CrN等的光学常数。

但是，在图4中虽然标出金属单质即Sn的光学常数，但这样一来，Sn远离成为低反射状态的光学常数的区域。随着Sn被氧化，光学常数会从Sn的分布点向SnO的分布点移动。即，也要考虑以下的情况：氧化度小的情况；氧化度足够，但为了改变OD值而想要在前述的24nm附近改变膜厚来使用 的情况；因为某些情况而不想使SnO膜在最上层的情况。此时，也可以在SnO膜上另行使用AR膜。

在图8及图9中示出了将最上层的AR膜作为氮化硅膜而不是兼做SnO吸收膜时的，波长为199nm和257nm光对氮化硅膜厚的反射率的计算结果。可知这样通过将数nm厚的氮化硅膜作为SnO膜上的AR膜，会实现足够的低反射，从而能够确保在检查波长中的对比度。图8示出了没有缓冲膜的情况，图9则示出了有缓冲膜的情况。

接着，就薄膜材料的干式蚀刻气体来说，一般使用氟系或氯系的氯系气体，但能够通过对被干式蚀刻的材料的卤化物的沸点进行比较，来估计干式蚀刻的容易性。即，沸点越低，蚀刻生成物就越易于气化，从而易于排气。图10是对以往的吸收膜材料即Ta、Cr和本发明实施方式的Sn的卤化物的沸点进行归纳的图(详细内容参照“CRC Handbook ofChemistry and Physics，78th.Edition”)。这样，对于Ta能够使用氟系或氯系来进行干式蚀刻，对于Cr能够使用塩素+氧系来进行干式蚀刻，对于Sn能够使用氯系来进行干式蚀刻。

另外，使用溅射法在石英基板上形成SnO膜，并在一般的清洗液即APM(NH₃∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶20，室温)及SPM(H₂SO₄∶H₂O₂＝3∶1，100℃)中浸渍30分钟，由此根据光谱透过率的变化来评估了SnO膜的清洗液抗腐蚀性。其结果，在APM的情况和SPM的情况下，光谱透过率都几乎没发生变化，由此可知SnO膜有足够的清洗液抗腐蚀性。

如上所述，使低反射部的至少一层是含有Sn和氧的层，由此能够使低反射部比以往薄(具体而言，低反射部整体为25nm以上45nm以下程度的厚度)，能够降低投影效应。

下面，对本发明的反射型光掩模进行说明。在本发明的反射型光掩模的实施方式中，对同一结构要素标注同一附图标记，并在实施方式中省略重复的说明。

(第一实施方式)

如图11所示，本发明的第一实施方式的反射型光掩模基板10具有：基板1；多层反射膜2，形成在基板1上，且具有高反射性；保护膜3，形成在多层反射膜2上，用于保护多层反射膜2；缓冲膜4，形成在该保护膜3上； 吸收膜5a、5b，形成在该缓冲膜4上，具有低反射性，且具有多层结构。在这里，上层吸收膜5b由以Sn和氧为主要元素的膜构成。另外，如上所述，在掩模制造工序中，能够使下层吸收膜5a发挥缓冲膜4的功能。

就本发明的第一实施方式的基板1来说，能够使用硅基板、石英、添加了钛的低热膨胀玻璃等，但优选使用热膨胀率小的材料。

就本发明的第一实施方式的多层反射膜2来说，只要能够反射作为曝光用光使用的EUV光即可。例如，能够使用通过交替形成Mo膜和Si膜而成的层叠体。此时，若具体地例举规格的一例，则多层反射膜2是如下结构，层叠40对的Mo膜和Si膜，且每层的膜厚为，Mo膜为2.8nm，Si膜为4.2nm。

就本发明的第一实施方式的保护膜3来说，只要能够保护多层反射膜2且对EUV光具有透明性即可。例如，可以使用Si膜等。此时，若具体地例举规格的一例，则是厚度为11nm的Si膜。

就本发明的第一实施方式的缓冲膜4来说，由对干式蚀刻具有抗腐蚀性的材质形成，该干式蚀刻是在形成吸收膜5a、5b的图案时进行的，更具体而言，只要能够在蚀刻下层吸收膜5a时发挥防止对保护膜3的损伤的蚀刻阻止膜的功能即可。例如，也可以由CrN膜等形成。此外，如上所述，在掩模制造工序中，能够使下层吸收膜5a发挥缓冲膜4的功能。

接着，如图12所示，本发明的第一实施方式的反射型光掩模20具有：基板1；多层反射膜2，形成在基板1上，且具有高反射性；保护膜3，形成在多层反射膜2上，用于保护多层反射膜2；缓冲膜图案4’，选择性地形成在保护膜3上；下层吸收膜图案5a’，选择性地形成在缓冲膜图案4’上；上层吸收膜图案5b’，选择性地形成在下层吸收膜图案5a’上。在这里，上层吸收膜图案5b’由以Sn和氧为主要元素的膜构成。在这里，在掩模制造工序中，也能够使下层吸收膜5a发挥缓冲膜4的功能。

另外，对于构成上层吸收膜图案5b’的以Sn和氧为主要元素的膜，为了能够使用远紫外线(DUV)光对其进行缺陷检查，优选地，由能够对DUV光产生AR效果的膜质及厚度构成。更优选地，使构成上层吸收膜图案5b’的以Sn和氧为主要元素的膜，对波长为从190nm至260nm的紫外线的消光系数在1.0以下。

另外，对于构成上层吸收膜图案5b’的以Sn和氧为主要元素的膜，优选 地，使氧相对于Sn的原子数比(O/Sn)在从1.0到1.5之间。这是因为，在从1.0到1.5的范围内，能够发挥含有Sn的吸收膜的优点的同时，对波长为从190nm到260nm的紫外线的消光系数容易成为1.0以下。

另外，优选地，构成上层吸收膜图案5b’的以Sn和氧为主要元素的膜是非晶态(非晶体)。这是因为，在非晶态结构中晶粒尺寸小，因而表面平滑性良好，并且能够成为机械强度、清洗液抗腐蚀性均良好的膜。另外，由于SnO的化学计量(Stoichiometry)比是O/Sn＝2/1，因而在前述的O/Sn＝1.0～1.5这样的原子数比中，易于得到非晶态结构。

进而优选地，使低反射部对波长为从190nm到260nm的紫外线的反射率在15％以下。

(第二实施方式)

如图13所示，本发明的第二实施方式的反射型光掩模基板30具有：基板1；多层反射膜2，形成在基板1上，且具有高反射性；保护膜3，形成在多层反射膜2上，用于保护多层反射膜2；缓冲膜4，形成在该保护膜3上；吸收膜5a，5b，5c，形成在该缓冲膜4上，具有低反射性，且具有多层结构。在这里，吸收膜5b由以Sn和氧为主要元素的膜构成。另外，此时在掩模制造工序中，也能够使下层吸收膜5a发挥缓冲膜4的功能。

就本发明的第二实施方式的基板1来说，能够使用硅基板、石英、添加了钛的低热膨胀玻璃等，但优选使用热膨胀率小的材料。

就本发明的第二实施方式的多层反射膜2来说，只要能够反射作为曝光用光来使用的EUV光即可。例如，能够使用通过交替形成Mo膜和Si膜而成的层叠体。此时，若具体地例举规格的一例，则多层反射膜2是如下结构，层叠40对的Mo膜和Si膜，且每层的膜厚是，Mo膜为2.8nm，Si膜为4.2nm。

就本发明的第二实施方式的保护膜3来说，只要能够保护多层反射膜2即可。例如，可以使用Si膜等。此时，若具体地例举规格的一例，则是厚度为11nm的Si膜。

就本发明的第二实施方式的缓冲膜4来说，由对干式蚀刻具有抗腐蚀性的材质形成，该干式蚀刻是在形成吸收膜5a、5b的图案时进行的，更具体而言，只要能够在蚀刻下层吸收膜5a时发挥防止对保护膜3的损伤的蚀刻阻止膜的功能即可。例如，也可以由CrN膜等形成。此外，如上所述，在掩模制 造工序中，能够使下层吸收膜5a发挥缓冲膜4的功能。

接着，如图14所示，本发明的第二实施方式的反射型光掩模40具有：基板1；多层反射膜2，形成在基板1上，且具有高反射性；保护膜3，形成在多层反射膜2上，用于保护多层反射膜2；缓冲膜图案4’，选择性地形成在保护膜3上；下层吸收膜图案5a’，选择性地形成在缓冲膜图案4’上；上层吸收膜图案5b’，选择性地形成在下层吸收膜图案5a’上；防止反射用吸收膜图案5c’，选择性地形成在上层吸收膜图案5b’上。在这里，在掩模制造工序中，也能够使下层吸收膜5a发挥缓冲膜4的功能。

在这里，上层吸收膜图案5b’由以Sn和氧为主要元素的膜构成，防止反射用吸收膜图案5c’由以Si和氮为主要元素的膜构成，或由以Si和氧为主要元素的膜构成。优选地，由上层吸收膜图案5b’、下层吸收膜图案5a’及防止反射用吸收膜图案5c’构成的低反射部，对波长为从190nm到260nm的紫外线的反射率在15％以下。

(第三实施方式)

在图15中示出的本发明第三实施方式的反射型光掩模基板50用于说明兼用膜34，其中，该反射型光掩模基板50与在图1中示出的本发明第一实施方式的反射型光掩模基板10之间的不同点就在于该兼用膜34。此外，除了兼用膜34以外的说明内容与第一实施方式重复，因而省略其说明。

兼用膜34设在下层吸收膜5a和多层反射膜2之间，该兼用膜34能够发挥在第一实施方式中示出的用于保护多层反射膜2的保护膜3和缓冲膜4双方的作用。就这样的兼用膜34的材料来说，例如能够使用Si膜或氮化硅膜，但在本发明中并不限定于此。

接着，在图16中示出的本发明第三实施方式的反射型光掩模60中，兼用膜34设在下层吸收膜图案5a’和多层反射膜2之间，其中，该反射型光掩模60与在第一实施方式中示出的反射型光掩模20之间的不同点就在于该兼用膜34。对每个材料的说明内容与第一实施方式相重复，因而省略其说明。

(第四实施方式)

在图17中示出的本发明的第四实施方式的反射型光掩模基板70用于说明兼用膜34，其中，该反射型光掩模基板70与在图13中示出的本发明第二实施方式的反射型光掩模基板30之间的不同点就在于该兼用膜34。此外， 除了兼用膜34以外的说明内容与第二实施方式相重复，因而省略其说明。

兼用膜34设在下层吸收膜5a和多层反射膜2之间，该兼用膜34能够发挥在第二实施方式中示出的用于保护多层反射膜2的保护膜3和缓冲膜4双方的作用。就这样的兼用膜34的材料来说，例如能够使用Si膜或氮化硅膜，但在本发明中并不限定于此。

接着，在图18中示出的本发明第四实施方式的反射型光掩模80中，兼用膜34设在下层吸收膜图案5a’和多层反射膜2之间，其中，该反射型光掩模80与在第二实施方式中示出的反射型光掩模40之间的不同点就在于该兼用膜34。对每个材料的说明内容与第二实施方式相重复，因而省略其说明。

下面，对本发明的第一、第二、第三及第四实施方式的半色调式的反射型光掩模进行说明。首先，低反射光8相对于高反射光7而具有175度～185度的相位差。进而，下层吸收膜图案5a’(在基板的状态下是下层吸收膜5a)由以Ru为主要元素的膜构成，或者由以Ru和氧为主要元素的膜构成。在这里，“主要”是指，“主要元素”的总计所占的构成比在90％以上的情况。

在图16、图18中存在下层吸收膜图案5a’和上层吸收膜图案5b’的情况下，以及在图12、图14中存在缓冲膜图案4’的情况下，除了吸收膜图案之外，缓冲膜图案4’也作为使EUV入射光6衰减的膜来发挥功能。另外，同时也作为在高反射光7和低反射光8之间产生相位差的膜来发挥功能。另外，图12、图16中的上层吸收膜图案5b’以及在图14、图18中的防止反射用吸收膜的图案5c’，作为对检查用DUV光的AR膜来发挥功能。

接着，对本发明的第一、第二、第三及第四实施方式所规定的下层吸收膜5a、上层吸收膜5b、防止反射用吸收膜5c的构成元素的选择方法进行说明。此外，将下层吸收膜5a及上层吸收膜5b统称为“吸收膜”。

在半色调式的反射型光掩模中，为了得到最佳的反射率即4％～15％，需要使用比特定吸收膜更具有透明性的吸收膜(半色调膜)，该特定吸收膜是指，以往的二元反射型光掩模中的吸收膜，具有代表性的有TaN、TaSi、TaBN。若仅仅是提高透明性，则只要使吸收膜的膜厚变薄即可，但若膜厚变薄，则难以得到与高反射光之间的175度～185度的相位差。为了即使变薄也确保相位差，需要尽量使用对曝光波长的折射率小(从真空部＝1到远)的膜材料。

图19示出了对EUV曝光波长(13.5nm)的各材料的光学常数，是将横 轴作为折射率：n，将纵轴作为消光系数：k来标明的图。就透明性高且折射率小的材料来说，代表性的有Mo，但Mo对清洗液等药液的抗腐蚀性弱，另外，能够通过将Mo作为多层反射膜2的材料使用，可知由于透明性过高，因此就单质来说不适合于吸收膜材料。

由于Ru是对EUV波长的折射率小的材料，且对酸性或碱性的清洗液的抗腐蚀性高，因而Ru是能够成为反射型光掩模的半色调膜材料的候选材料。另外，由于折射率小，所以可使能够得到相位差180°的膜厚相应地变薄，但因膜厚变薄而透明性也相应地提高，因此与作为半色调掩模的最佳的值相比，反射率变得过高。

因此，为了将对反射型光掩模的EUV光的反射率减小至作为半色调掩模的最佳值，可考虑组合Ru系膜与作为通常吸收膜使用的Ta系膜或Cr系膜。以往，Ta系薄膜作为等倍X射线掩模来使用，Cr系薄膜作为透过型光掩模材料来使用，且药液抗腐蚀性也没问题，因此，从对掩模生产线的适应性的观点来说也是最佳的。

在这里，在图20中示出了如下内容：将Ru系膜作为上层吸收膜，将Ta系膜或Cr系膜作为下层吸收膜(根据不同的工序而成为缓冲膜)，并使用由氮化硅膜构成的防止反射用吸收膜和由Si膜或Ru膜构成的兼用膜(根据不同的工序而成为保护膜)，此时的相位差成为180°的膜厚的组合以及计算此时的反射率(对高反射部的相对反射率)的计算结果。

在图21中示出了在计算中用到的材料针对EUV曝光中的典型波长13.5nm的光学常数。其中，TaSi是在Ta中添加数％左右的Si的膜。

一般而言，防止反射用吸收膜5c可考虑TaSiO膜等，但在这里，从成膜的难易度(能够将Si作为靶材，并使用基于Ar和N2的混合气体的溅射法来成膜)的观点出发，采用了氮化硅膜。对于防止反射用吸收膜5c的膜厚，采用了将该反射用吸收膜5c分别与上层吸收膜5b及下层吸收膜5a层叠时，对缺陷检查波长257nm和199nm能够实现低反射的膜厚(大体上16nm)。

在图20的计算中，构成多层反射膜2的Mo和Si的膜厚分别采用了2.8nm、4.2nm，多层反射膜采用了40对的Mo/Si。另外，作为兼用膜(根据不同的工序而成为保护膜)来使用的情况的Si膜、相同情况的Ru膜的膜厚，分别采用了在以往的二元反射型光掩模中使用的11nm、2.5nm。

通过图20可知，在各结构的反射型光掩模中，通过适当地变更各层的膜厚，能够制作具有与曝光条件相对应的恰当的反射率且相位差在180度附近的半色调式的反射型光掩模。

然而，根据图20可知，在Ru膜和Ta系膜或Cr系膜的组合中，成为图案的部分的总计膜厚不能在50nm以下。其与当前流行的反射型光掩模相比，不能说是特别薄的膜厚，因此，为了降低基于投影效应的图案的位置偏移，则希望进一步进行薄膜化。

因此，从图22至图32中示出了如下内容：将比Ta系膜或Cr系膜的EUV光吸收性更大的SnO膜和Ru相组合，对上层吸收膜使用SnO，对下层吸收膜中使用Ru系膜，示出此时的相位差成为180°的膜厚组合，以及对此时的反射率(对高反射部的相对反射率)的计算结果。另外，在从图22至图32中，ML表示多层反射膜(Multi-Layer)。在图21中示出了在计算中用到的SnO膜对EUV曝光的典型波长13.5nm的光学常数的测定结果。在图33中示出了归纳了从图22至图32的结果的表。另外，在图33中，根据不同的制造工序，下层吸收膜成为缓冲膜，另外，保护膜成为兼用膜，但作为最终的掩模的方式来说是相同的。

在这里，对从图22至图32的计算中的防止反射用吸收膜的有无和膜厚进行说明。图34示出了在本发明的EUV半色调式掩模基板的制造工序的过程中测定光谱反射率的测定结果。分别示出了以下的状态下的光谱反射率，这些状态是：粘贴至40对的多层反射膜(ML)和11nm厚度的Si保护膜的状态，在其上形成了20nm厚度的Ru膜和15nm厚度的SnO膜的状态，进而在其上形成了6nm厚度的氮化硅膜的状态。在缺陷检查中使用从190nm至260nm的波长的紫外线是有利的，但根据图34可知，由于本来吸收膜即SnO膜只在该紫外线区域具有相当好的透明性，因此在粘贴至SnO膜为止的阶段，已经具有了良好的低反射率。进而，若形成6nm的氮化硅膜，则反射率的底部值(bottom value)稍微向波长较长的一侧移动，但在检查波长区域内依然停留在低反射率范围内。这样，为了实现检查波长中的低反射率，无需一定在SnO膜上形成防止反射用吸收膜，但为了调整反射率，或者作为上层的吸收膜的保护膜来说，在SnO膜上形成防止反射用吸收膜是有用的。

如上所述，由于SnO膜的相对的透明性高，因而就SnO膜上的AR膜来 说，将氮化硅膜或氧化硅膜作为透明性比SnO膜高的膜是有利的。另外，一般而言，由于与氮化硅膜相比，氧化硅膜的折射率更小且透明性更高，因而就透明性更高的(氧化度高的)SnO膜的AR膜来说，氧化硅膜比氮化硅膜更为有利。

实施例

下面，例举实施例，说明以半色调式的反射型光掩模及反射型光掩模基板作为本发明的反射型光掩模的一例。

<第一实施例>

<反射型光掩模基板的制造>

首先，使用离子束溅射法，在低热膨胀玻璃基板上形成由Mo(2.8nm厚)和Si(4.2nm厚)构成的40对的多层反射膜，并使用磁控溅射法，在该多层反射膜上形成由Si构成的11nm厚度的保护膜，再对其进行了作为高反射部的EUV反射率测定。

接着，使用使Ar气体放电的磁控溅射法，将Ru作为靶材，在保护膜上形成了19.5nm厚度的Ru膜。

接着，使用在Ar气体中添加了氧气的磁控溅射法，将Sn作为靶材，在Ru膜上形成了14.7nm厚度的SnO膜。

接着，使用在Ar气体中添加了氮的磁控溅射法，将Si作为靶材，在SnO膜上形成了4nm厚度的氮化硅膜，以作为防止反射用吸收膜。

如上所述，制作了本发明的半色调式的反射型光掩模基板。

对如上述那样制作的半色调式的反射型光掩模基板，进行了低反射部(半色调部)的EUV反射率测定，其结果，对高反射部约为6.0％，是作为半色调式掩模的最佳的反射率。另外，进行了光谱反射率的测定，结果在用于缺陷检查的190nm～260nm的波长范围内是10％以下，实现了足够的低反射。

<对第一实施例的反射型光掩模基板的SnO膜的评估>

对在特定溅射条件下形成的SnO膜，使用XPS(X射线光电子光谱法)分析了构成比，并使用XRD(X射线衍射)分析了晶体结构，该特定溅射条件是指，与在上述的<反射型光掩模基板的制造>中形成SnO膜时的溅射条件相同的溅射条件。分别在图35、图36中示出了结果。关于构成比是 可确认在本发明的范围内。另外，在XRD中，在衍射角25～35度出现 了峰值圈(halo peak)，可确认是非晶态结构。

<反射型光掩模的制造>

首先，在上述的半色调式的反射型光掩模基板上，在氮化硅膜上涂敷电子束抗蚀剂，并通过电子束描画法形成了抗蚀剂图案。将该抗蚀剂图案作为掩模，通过以氟气和氯系气体为主体的干式蚀刻，在氮化硅膜和SnO膜上刻画了图案。

接着，对电子束抗蚀剂进行剥离，并对氮化硅膜及SnO膜图案进行了缺陷检查和基于离子束的缺陷修正。

接着，通过以氧气为主体的干式蚀刻，在Ru膜上刻画了图案。在该蚀刻处理中，最上层即氮化硅膜暴露在蚀刻气体中，但由于氮化硅膜本来就对氧气的抗腐蚀性高，因而光谱反射率的变化小，在0.2％以下，因此对氮化硅膜的损伤不会成为劣化问题。

接着，通过进行基于SPM清洗液(H₂SO₄+H₂O₂，约80℃)及APM清洗液(NH₄OH+H₂O₂+H₂O，室温)的清洗，由此制作了本发明的半色调式的反射型光掩模。

在清洗液中浸渍的前后，对光谱反射率进行了测定，结果是在190nm～260nm的范围内几乎未发生变化，因此氮化硅膜的抗腐蚀性良好。

使用上述的半色调式的反射型光掩模，对EUV反射率进行了测定，结果，高反射部的反射率是65％，另外，低反射部的反射率是6.1％，与在掩模基板状态下的反射率相比，停留在了上升0.1％的程度，实用上并无问题。另外，在清洗前后使用电子束显微镜对图案线宽进行了测定，结果是其变化在装置的测定精度以内，并不成为劣化问题。

如以上的详细说明那样，确认了通过使低反射部的至少一层为以Sn和氧为主要的材料，能够得到极薄的膜厚且清洗抗腐蚀性优良的半色调式的反射型光掩模。

<第二实施例>

<反射型光掩模基板的制造>

首先，使用离子束溅射法，在由低热膨胀玻璃构成的基板上形成由Mo(2.8nm厚)和Si(4.2nm厚)构成的40对的多层反射膜，并使用磁控溅射法，在该多层反射膜上形成由Si构成的11nm厚度的保护膜，再对其进行了 作为高反射部EUV反射率测定。

接着，使用使Ar气体放电的磁控溅射法，将Ru作为靶材，在兼用膜上形成了21.5nm厚度的Ru膜。

接着，使用在Ar气体中添加了氧气的磁控溅射法，将Sn作为靶材，在Ru膜上形成了17nm厚度的SnO膜。由此，制作了本发明的半色调式的反射型光掩模。

针对如上述那样制作的半色调式的反射型光掩模基板，进行了低反射部(半色调部)的EUV反射率测定，结果，对高反射部约为5.7％，是作为半色调式掩模的最佳的反射率。另外，进行了光谱反射率的测定，结果，在用于缺陷检查的190nm～260nm的波长范围内是10％以下，实现了足够的低反射。

<反射型光掩模的制造>

首先，在由<第二实施例>制造的反射型光掩模基板的SnO膜上，涂敷电子束抗蚀剂，并通过电子束描画法形成了抗蚀剂图案。将该抗蚀剂图案作为掩模，通过以氯系气体为主体的干式蚀刻，在SnO膜上刻画了图案，接下来通过以氧气为主体的干式蚀刻，在Ru膜上刻画了图案。此时，在对后者的蚀刻过程中，掩模即抗蚀剂图案消失，SnO膜暴露在蚀刻气体中，但由于SnO膜本来就对氧气的抗腐蚀性高，因而光谱反射率的变化小，在0.1％以下，因此不会对SnO膜产生损伤。

接着，对SnO膜及Ru膜图案进行了缺陷检查和基于电子束的缺陷修正之后，利用SPM清洗液(H₂SO₄+H₂O₂，约80℃)及APM清洗液(NH₄OH+H₂O₂+H₂O，室温)进行了清洗。如上所述，制作了本发明的半色调式的反射型光掩模。

在清洗液中浸渍的前后，进行了光谱反射率的测定，结果，在190nm～260nm范围内，对SPM是0.2％以内的变化，对APM则是0.1％以内的变化，因此在实用上SnO膜的抗腐蚀性没有问题。

使用上述的本发明的半色调式的反射型光掩模，进行了EUV反射率的测定，结果高反射部的反射率是65％，另外，低反射部的反射率是5.8％，与在掩模基板状态下的反射率相比，停留在了上升0.1％的程度，实用上并无问题。另外，在清洗前后使用电子束显微镜对图案线宽进行了测定，结果其变 化在装置的测定精度以内，因此并不成为劣化问题。

如以上的详细说明那样，确认了通过使低反射部的至少一层为以Ru或RuO为主要的材料，并使其他层中的至少一层为以Sn和氧为主要的材料，能够得到如下的半色调式的反射型光掩模：该半色调式的反射型光掩模的膜厚极薄，清洗抗腐蚀性优良，并且，仅通过变更膜厚的组合就能够广泛选择反射率。

<第三实施例>

下面，对使用了本发明的半色调式的反射型光掩模的图案转印方法进行说明。

首先，在表面形成了被加工层的基板上设置光掩蚀剂层之后，选择性地照射经由本发明的半色调式的反射型光掩模反射的超紫外光。

接着，在显影工序中除去不需要的部分的光掩蚀剂层，在基板上形成蚀刻抗蚀剂层的图案之后，将该蚀刻抗蚀剂层的图案作为掩模，对被加工层进行蚀刻処理，并通过除去蚀刻抗蚀剂层的图案，能够在基板上转印出忠实于形成在半色调式的反射型光掩模上的光掩模图案的图案。

工业上的可用性

本发明能够期待使用在要求使用EUV(Extreme Ultra Violet：超紫外光)曝光的精细加工的广泛领域。特别能够期待在半导体集成电路等的制造工序中，作为在使用EUV曝光进行超精细电路图案转印时所使用的反射型光掩模来使用。

附图标记的说明

1……基板

2……多层反射膜

3……保护膜

4……缓冲膜

4’……缓冲膜图案

5a……下层吸收膜

5b……上层吸收膜

5c……防止反射用吸收膜

5a’……下层吸收膜图案

5b’……上层吸收膜图案

5c’……防止反射用吸收膜图案

6……入射光

7……高反射光

8……低反射光

34……兼用于保护膜和缓冲膜的兼用膜

10……光掩模基板

20……反射型光掩模

30……反射型光掩模基板

40……反射型光掩模

50……反射型光掩模基板

60……反射型光掩模

70……反射型光掩模基板

80……反射型光掩模

Claims (9)

1.一种反射型光掩模，用于通过反射EUV光来将反射光照射到转印用样本上，其特征在于，

该反射型光掩模具有：

基板，

高反射部，其形成在所述基板上，

低反射部，其形成在所述高反射部之上，且被刻画了图案；

被刻画了图案的所述低反射部至少层叠有一层以上；

被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是SnO膜，

被刻画了图案的所述低反射部的膜厚在25nm以上45nm以下，

所述SnO膜，是非晶态的物质即非晶体其氧相对于Sn的原子数比O/Sn在1.0以上1.5以下。

2.根据权利要求1记载的反射型光掩模，其特征在于，来自被刻画了图案的所述低反射部的反射光与来自所述高反射部的反射光之间的相位差为175度～185度。

3.根据权利要求2记载的反射型光掩模，其特征在于，

被刻画了图案的所述低反射部至少层叠有二层以上；

被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是SnO膜；

被刻画了图案的所述低反射部的至少一层是含有Ru的层。

4.根据权利要求3记载的反射型光掩模，其特征在于，所述含有Ru的层是含有Ru和氧的层。

5.根据权利要求1至4中的任一项记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部对波长为190nm到260nm的紫外线的反射率在15％以下。

6.根据权利要求5记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的最上层为所述SnO膜。

7.根据权利要求5记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的最上层为含有Si和氮的层。

8.根据权利要求5记载的反射型光掩模，其特征在于，被刻画了图案的所述低反射部的最上层为含有Si和氧的层。

9.一种反射型光掩模基板，用于形成反射型光掩模，其特征在于，

该反射型光掩模基板具有：

基板，

高反射部层，其形成在所述基板上，

低反射部层，其层叠在所述高反射部层之上；

所述低反射部层至少层叠有一层以上，

所述低反射部层的至少一层是SnO膜，

被刻画了图案的所述低反射部的膜厚在25nm以上45nm以下，

所述SnO膜，是非晶态的物质即非晶体，其氧相对于Sn的原子数比O/Sn在1.0以上1.5以下。