TW202314368A - 反射型空白光罩及反射型光罩 - Google Patents

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市川顯二郎
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Abstract

本發明提供一種反射型空白光罩及反射型光罩，其抑制或減輕以極紫外區域之波長的光為光源之圖案化轉印用的反射型光罩之陰影效應，且具有氫自由基耐性。本實施形態的反射型空白光罩(10)依序具備基板(1)、反射部(5)、和低反射部(4)，低反射部(4)具備多層反射膜(2)和覆蓋層(3)，低反射部(4)包含高消光係數材料、Ta、和由Ti、Nb、W及Mo構成的材料群組之中的至少一種，且包含高於50at%的高消光係數材料，低反射部(4)中之由Ti、Nb、W及Mo構成的材料群組之中的至少一種之含有率為Ta的含有率以下，低反射部(4)的合計膜厚為45nm以下，低反射部(4)的OD值為1.0以上。

Description

反射型空白光罩及反射型光罩
本發明係關於在以紫外區域的光為光源的微影法中使用的反射型光罩、及用於製作其的反射型空白光罩。
於半導體裝置的製程中，隨著半導體裝置的微細化，對光微影技術的微細化的要求提高。光微影法中的轉印圖案的最小解像尺寸大幅取決於曝光光源的波長，波長越短就越能縮小最小解像尺寸。因此，曝光光源正在從以往的波長193nm的ArF準分子雷射光轉換成波長13.5nm的EUV(Extreme Ultra Violet：極紫外線)區域的光。
EUV區域的光會被幾乎所有的物質高比率地吸收，因此就EUV曝光用的光罩(EUV遮罩)而言，係使用反射型的光罩(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1中揭示一種EUV光罩，其係藉由在玻璃基板上形成由交替積層有鉬(Mo)層及矽(Si)層的多層膜構成之反射層，在其上形成以鉭(Ta)為主要成分之吸收層，在此吸收層形成圖案而得到。
此外，EUV微影法係如前所述，不能使用利用光的透射的折射光學系統，因此曝光機的光學系統構件亦非透鏡，而是反射型(鏡子)。因此，有朝向反射型光罩(EUV遮罩)的入射光和反射光無法設計在同軸上的問題，通常在EUV微影法係採用將光軸從EUV遮罩的垂直方向傾斜6度地入射，且將以負6度的角度反射的反射光導向半導體基板的手法：。
已知：由於如此地，在EUV微影法係透過鏡子而使光軸傾斜，因此會發生入射EUV遮罩的EUV光造成EUV遮罩的遮罩圖案(經圖案化的吸收層)的陰影之被稱為所謂的「陰影效應」的問題。
在現有的EUV空白遮罩，係使用膜厚60nm～90nm之以鉭(Ta)為主要成分的膜作為吸收層。以使用此空白遮罩而製作的EUV遮罩來進行圖案轉印的曝光之情況，會因著EUV光的入射方向與遮罩圖案的朝向的關係，而有在成為遮罩圖案的陰影之邊緣部分引起對比度降低之虞。伴隨於此，而有會發生半導體基板上的轉印圖案之線緣粗度(line edge roughness)的增加、或線寬無法形成為目標尺寸等的問題，轉印性能惡化之情形。
於是，檢討如下的反射型空白光罩：將吸收層從鉭(Ta)變更為對EUV光的吸收性(消光係數)高的材料、或對鉭(Ta)加入吸收性高的材料。例如，專利文獻2中記載一種反射型空白光罩，其係以包含50原子%(at%)以上之鉭(Ta)作為主要成分，且進一步包含選自碲(Te)、銻(Sb)、鉑(Pt)、碘(I)、鉍(Bi)、銥(Ir)、鋨(Os)、鎢(W)、錸(Re)、錫(Sn)、銦(In)、釙(Po)、鐵(Fe)、金(Au)、汞(Hg)、鎵(Ga)及鋁(Al)的至少一種元素之材料構成吸收層。
另外，已知鏡子會被EUV產生的副產物(例如錫(Sn))、碳(C)等污染。因污染物質累積在鏡子上，而會有鏡子表面的反射率減少，微影裝置的產能(throughput)降低的情形。針對此問題，專利文獻3中揭示在裝置內生成氫自由基以使氫自由基與污染物質進行反應，而從鏡子除去此污染物質之方法。
然而，專利文獻2中記載的反射型空白光罩並未提及對氫自由基的耐性。因此，藉由往EUV曝光裝置的導入而在吸收層形成的轉印圖案(遮罩圖案)無法穩定地維持，而結果會有轉印性惡化的可能性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2011-176162號公報 [專利文獻2]日本特開2007-273678號公報 [專利文獻3]日本特開2011-530823號公報
[發明欲解決之課題]
因此，本發明之目的在於提供一種反射型空白光罩及反射型光罩，其抑制或減輕以極紫外區域之波長的光為光源之圖案化轉印用的反射型光罩之陰影效應，且具有氫自由基耐性。更具體而言，本發明之目的在於提供一種反射型光罩、及用於製作其的反射型空白光罩，其藉由對光吸收層賦予氫自由基耐性來減少轉印性惡化的可能性。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明之一態樣的反射型空白光罩，係用以製作以極紫外線為光源之圖案轉印用的反射型光罩的反射型空白光罩，具備基板、形成在前述基板上而將入射的光反射的反射部、和形成在前述反射部上而將入射的光吸收的低反射部；前述反射部具備多層反射膜、和覆蓋層；前述低反射部包含為對EUV光的消光係數大於0.041之材料的高消光係數材料、鉭(Ta)、和由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種，且包含高於50at%的前述高消光係數材料；前述低反射部中之前述由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率為前述鉭(Ta)的含有率以下；前述低反射部的合計膜厚為45nm以下；前述低反射部的OD值(Optical Density：光學濃度)為1.0以上。
為了解決上述課題，本發明之一態樣的反射型光罩，係以極紫外線為光源之圖案轉印用的反射型光罩，具備基板、形成在前述基板上而將入射的光反射的反射部、和形成在前述反射部上而將入射的光吸收的低反射部；前述反射部具備多層反射膜、和覆蓋層；前述低反射部包含為對EUV光的消光係數大於0.041之材料的高消光係數材料、鉭(Ta)、和由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種，且包含高於50at%的前述高消光係數材料；前述低反射部中之前述由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率為前述鉭(Ta)的含有率以下，前述低反射部的合計膜厚為45nm以下，前述低反射部的OD值(Optical Density：光學濃度)為1.0以上。 [發明之效果]
若根據本發明之一態樣，則在以極紫外區域之波長的光為光源之圖案化中對半導體基板的轉印性能提高，在光罩之製造時、以及使用時可期待對外部環境的耐性。即，若為本發明之一態樣的反射型空白光罩及反射型光罩，則可抑制或減輕以極紫外區域之波長的光為光源之圖案化轉印用的反射型光罩之陰影效應，且具有氫自由基耐性。
[用以實施發明的形態]
以下，針對本發明之實施形態，一邊參照圖式一邊進行說明，但本發明不限於以下所示的實施形態。在以下所示的實施形態中，為了實施本發明而進行技術上較佳的限定，但此限定並非本發明的必要條件。 圖1係顯示本發明之實施形態的反射型空白光罩10之結構的概略剖面圖。此外，圖2係顯示本發明之實施形態的反射型光罩20之結構的概略剖面圖。此處，圖2所示的本發明之實施形態的反射型光罩20，係將圖1所示的本發明之實施形態的反射型空白光罩10的低反射部4進行圖案化而形成。
(整體結構) 如圖1所示，本發明之實施形態的反射型空白光罩10具備：基板1、形成在基板1上的多層反射膜2、和形成在多層反射膜2上的覆蓋層3。藉此，而在基板1上形成有具有多層反射膜2及覆蓋層3的反射部5，在反射部5上具備低反射部4。
(基板) 於本發明之實施形態的基板1，可使用例如平坦的矽(Si)基板、合成石英基板等。此外，於基板1可使用添加了鈦(Ti)的低熱膨脹玻璃，但若為熱膨脹率小的材料，則本發明不限於此等。
(多層反射膜) 本發明之實施形態的多層反射膜2，若是反射為曝光光的EUV光(極紫外光)者即可，可以是由對EUV光的折射率大不相同的材料之組合所形成的多層反射膜。就多層反射膜2而言，可以是例如藉由將鉬(Mo)和矽(Si)、或鉬(Mo)和鈹(Be)等組合之層重複積層40周期左右而形成者。
(覆蓋層) 本發明之實施形態的覆蓋層3，係以對於在低反射部4形成轉印圖案(遮罩圖案)之際所進行的乾式蝕刻具有耐性之材質形成，在蝕刻低反射部4之際，作為防止對多層反射膜2造成損傷的蝕刻阻擋物而發揮功能。覆蓋層3，係例如以Ru(釕)形成。此處，依多層反射膜2的材質、蝕刻條件，而即使沒有形成覆蓋層3也無妨。此外，雖未圖示，但可在基板1之沒有形成多層反射膜2的面形成背面導電膜。背面導電膜係用以在將反射型光罩20設置於曝光機時利用靜電吸盤(chuck)的原理來固定的膜。
(低反射部) 如圖2所示，藉由將反射型空白光罩10的低反射部4的一部分除去，即藉由將低反射部4進行圖案化，而形成反射型光罩20的低反射部圖案4a。在EUV微影法中，EUV光係傾斜地入射，在反射部5被反射，但因低反射部圖案4a成為光路之妨礙的陰影效應，而有對晶圓(半導體基板)上的轉印性能惡化的情形。此轉印性能的惡化可藉由使吸收EUV光的低反射部4的厚度變薄來減少。為了使低反射部4的厚度變薄，較佳為應用對EUV光的吸收性比以往的材料高的材料，即對波長13.5nm的消光係數k高的材料。
圖3係顯示一部分金屬材料對EUV光的波長13.5nm的光學常數的圖表(graph)。圖3的橫軸表示折射率n，縱軸表示消光係數k。以往的低反射部4的主要材料的鉭(Ta)的消光係數k為0.041。若為具有大於其消光係數k之材料，則可使低反射部4的厚度變得比以前薄。 就滿足如上述的消光係數k之材料而言，如圖3所示，係有例如銀(Ag)、鉑(Pt)、銦(In)、鈷(Co)、錫(Sn)、鎳(Ni)、碲(Te)。
將來自反射部5的反射光的強度設為Rm，將來自低反射部4的反射光的強度設為Ra，表示反射部5和低反射部4的光強度的對比度的指標的光學濃度(OD：Optical Density)值係由以下的式(1)規定。 OD=-log(Ra/Rm)…(式1) OD值較大者對比度較佳，可得到高轉印性。對於圖案轉印來說必須是OD＞1，但依與上述現有者的比較，OD值若為1.5以上，則為更佳。
於以往的EUV反射型光罩的低反射部4，係如上所述，應用以Ta為主要成分的化合物材料。在此情況，要得到1以上的OD值，則低反射部4的膜厚必須是40nm以上，要得到2以上的OD值，則低反射部4的膜厚必須是70nm以上。鉭(Ta)的消光係數k為0.041，在以消光係數k大於0.041之材料為主要成分的情況，與主要成分使用鉭(Ta)的情況相比而可以實現低反射部4的薄膜化，但尤其是錫(Sn)和銦(In)的各氧化物，由於可以進行利用氯系氣體的蝕刻加工而為理想的低反射部4的候補材料。
例如，藉由將消光係數k為0.06以上之包含錫(Sn)和氧(O)的材料、或者是包含銦(In)和氧(O)的材料應用於低反射部4，而至少若OD值為1以上，則可以將低反射部4的膜厚薄膜化至17nm為止，若OD值為2以上，則可以使低反射部4的膜厚成為45nm以下。但是，若低反射部4的膜厚超過45nm，則陰影效應會成為與以往以Ta為主要成分的化合物材料所形成的膜厚60nm的低反射部4同等程度。
因此，本發明之實施形態中的低反射部4的特徵在於包含高於50at%的消光係數k大於0.041之材料(以下，也稱為高消光係數材料)，其膜厚為45nm以下。即，若低反射部4的膜厚在45nm以下的範圍內，則與以鉭(Ta)為主要成分的化合物材料所形成的以往的低反射部4相比，能夠充分地減少陰影效應，轉印性能提高。此外，上述的高消光係數材料的含量，若相對於整體低反射部4的原子數而為55at%以上則較佳，若為60at%以上則更佳。 此外，上述的「主要成分」係指包含相對於整體低反射部4的原子數為50at%以上的成分。
另外，為了轉印微細的圖案，而從反射部5和低反射部4反射的光的強度的對比度期望是較高者。由此，低反射部4的OD值更佳為1.5以上。 又，高消光係數材料之中包含錫(Sn)和氧(O)的材料、或者是包含銦(In)和氧(O)的材料，由於對氯系氣體的蝕刻加工性優異且高熔點，因此具有所謂曝光的耐熱性高之特徵。 此外，高消光係數材料之中包含錫(Sn)和氧(O)的材料，係具有所謂清洗耐性也優異之特徵。
此外，反射型光罩20由於曝露於氫自由基環境下，因此若構成低反射部4的材料並非氫自由基耐性高的光吸收材料，則反射型光罩20禁不起長期使用。在本實施形態中，係將使用微波電漿而在電力1kW、氫壓力為0.36毫巴(mbar)以下的氫自由基環境下，膜減少速度為0.1nm/s以下的材料或以該材料所形成的層，設為氫自由基耐性高的材料或層。
然而，高消光係數材料中存在氫自由基耐性低的材料，例如在僅使用氧化錫作為構成低反射部4的材料的情況，或例如在使用錫(Sn)和氧(O)的原子數比為1：2以下(即，錫(Sn)和氧(O)的原子數比(O/Sn)小於0.5)之材料的情況，確認了氫自由基耐性不佳。 又，上述原子數比係以EDX(能量分散型X線分析)測定成膜為膜厚1nm之材料的結果。
此處，後述之包含鉭(Ta)，且包含由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組(以下，也稱為添加合金材料)之中的至少一種之材料，係滿足作為提高低反射部4的氫自由基耐性之材料的條件。
鉭(Ta)係有助於提升氫自由基耐性的材料，包含上述之添加合金材料的材料係藉由與鉭(Ta)組合而整體材料的機械強度會提高，有助於提高作為化合物的穩定性的材料。 此處，若相對於整體低反射部4的原子數，鉭(Ta)的含量為10at%以上，且添加合金材料的含量係相對於鉭(Ta)的原子數而為2.5at%以上，則上述的氫自由基耐性試驗中的低反射部4的膜減少速度成為0.1nm/s以下。藉此，而確認了上述組成的材料為氫自由基耐性高的材料。
此外，上述的鉭(Ta)的含量若相對於整體低反射部4的原子數而為15at%以上則為較佳，若為20at%以上則為更佳。鉭(Ta)的含量若相對於整體低反射部4的原子數而小於50at%，則高消光係數材料的轉印性的影響變大，因而較佳。此外，鉭(Ta)的含量若相對於整體低反射部4的原子數而小於40at%，則高消光係數材料的轉印性的影響進一步變大，因而更佳，若小於35at%，則進一步較佳。
此外，上述的添加合金材料的含量若相對於鉭(Ta)的原子數而為2.5at%以上，則能夠賦予優異的氫自由基耐性，因而較佳，若為5.0at%以上則進一步較佳。又，添加合金材料的含量若相對於鉭(Ta)的原子數而為15at%以下則為較佳，若為10at%以下，則對低反射部4的光學常數的影響變微量，進一步較佳。
如上所述，本實施形態的低反射部4含有為對EUV光的消光係數大於0.041之材料的高消光係數材料、鉭(Ta)、和包含由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種的添加合金材料，且包含相對於構成低反射部4的總原子數為高於50at%的高消光係數材料，低反射部4中的添加合金材料的含有率為鉭(Ta)的含有率以下，低反射部4的合計膜厚為45nm以下，低反射部4的OD值為1.0以上。
若為這樣的構成，則能夠提供：對低反射部4賦予優異的氫自由基耐性而低反射部4的耐久性提升，減少轉印性的惡化的反射型光罩20；及用以製作其的反射型空白光罩10。 此外，低反射部4中的添加合金材料的含有率若相對於鉭(Ta)的總原子數而為2.5at%以上則為較佳，若為5at%以上則為更佳。 又，低反射部4中之鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)、或鉬(Mo)的含有率，係相對於鉭(Ta)的總原子數而為2.5at%以上，且可為低反射部4中之鉭(Ta)的含有率以下。
又，構成低反射部4的材料，係能夠藉由含有例如鈹(Be)、鈣(Ca)、鈧(Sc)、釩(V)、錳(Mn)、鐵(Fe)、銅(Cu)、鍺(Ge)、砷(As)、鍶(Sr)、鎝(Tc)、銠(Rh)、鋇(Ba)、鎢(W)、錸(Re)、鋨(Os)、金(Au)等，而作成粗度、面內尺寸均勻性、轉印像的面內均勻性提升，為充分非晶質的材料。
此外，構成低反射部4的材料，係能夠藉由含有例如鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、矽(Si)、鋯(Zr)、釩(V)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、釔(Y)、鉛(Pb)、鎵(Ga)等，而作成難以發生與氫自由基的反應，更有氫自由基耐性的材料。又，上述的材料的各含量，若在相對於整體低反射部4的原子數為1at%以上10at%以下的範圍內則為較佳，若在2at%以上5at%以下的範圍內則為進一步較佳。
此外，構成低反射部4的材料，係能夠藉由含有例如鉭(Ta)、鈮(Nb)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、釩(V)、鉿(Hf)等，而如圖4所示，以覆蓋低反射部4的露出的表面的方式形成如具有氫自由基耐性的氧化皮膜6。又，上述的材料的各含量，若在相對於整體低反射部4的原子數為1at%以上10at%以下的範圍內則為較佳，若在2at%以上5at%以下的範圍內則為更佳。
此外，構成低反射部4的材料，係能夠藉由含有例如銠(Rh)、鈮(Nb)、鉑(Pt)、鈦(Ti)、鈀(Pd)等，而作成對清洗遮罩一般所使用的如SPM、APM的藥液反應性低，更有清洗耐性的材料。 此外，構成低反射部4的材料，係能夠藉由含有例如氮化矽(SiN)、氧化鉭(TaO)等，而作成波長190nm～260nm的光吸收高，有檢查光的對比度提升性的材料。
此外，構成低反射部4的材料，係能夠藉由含有例如，鈷(Co)、釕(Ru)、銥(Ir)、金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鉬(Mo)等，而作成對13.5nm的波長的折射率n小於0.95，提升相位移性的材料。 以上，記述了低反射部4中可以含有的材料的效果之一例，但各材料的效果不限於上述的例子，可符合複數個。
此外，反射型光罩20，係如上所述，曝露於氫自由基環境下，因此若構成低反射部4的材料不是氫自由基耐性高的材料，則禁不起長期使用。在本實施形態中，將如下的材料設為氫自由基耐性高的材料：在0.36毫巴(mbar)以下的真空中，使用電力1kW的微波電漿使氫電漿產生，在富含氫自由基的環境下，膜減少速度為0.1nm/s以下。
又，表1所示的「氫自由基耐性」(膜減少速度的評價試驗的結果)，係重複進行複數次膜減少速度的測定，將在全部的測定中膜減少速度為0.1nm/s以下的情況評價為「○」，將雖然在氫自由基處理剛開始不久後有數nm的膜減少，但之後膜減少速度為0.1nm/s以下的情況評價為「△」，將在全部的測定中膜減少速度超過0.1nm/s的情況評價為「×」。
以下，針對本發明之反射型空白光罩及反射型光罩的實施例進行說明。 [實施例1] 如圖5所示，在具有低熱膨脹特性的合成石英的基板11上，形成積層40片以矽(Si)和鉬(Mo)為一對的積層膜所形成的多層反射膜12。多層反射膜12的膜厚為280nm。 接著，在多層反射膜12上，作為中間膜而將以釕(Ru)所形成的覆蓋層13以膜厚成為2.5nm的方式成膜。藉此，而在基板11上形成有具有多層反射膜12及覆蓋層13的反射部16。
接著，在覆蓋層13上，以氧化銀(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以54：45：1的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為35nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，而在反射部16上形成有低反射部14。
接著，在基板11的沒有形成多層反射膜12的側的面，將以氮化鉻所形成的背面導電膜15以100nm的厚度成膜，製作實施例1的反射型空白光罩100。 各膜向基板11上的成膜係使用多元濺鍍裝置。各膜的膜厚係以濺鍍時間控制。
接著，針對反射型光罩200的製作方法，使用圖6至圖9進行說明。 如圖6所示，在反射型空白光罩100所具備的低反射部14上，將正型化學增幅型阻劑(SEBP9012：信越化學公司製)以旋轉塗布機成膜為120nm的膜厚，在110℃下烘烤10分鐘，形成阻劑膜17。 接著，利用電子線描繪機(JBX3030：日本電子公司製)而對以正型化學增幅型阻劑所形成的阻劑膜17描繪既定的圖案。之後，施加110℃、10分鐘的烘烤處理，接著進行噴灑顯影(SFG3000：Sigmameltec公司製)。藉此，如圖7所示，形成阻劑圖案17a。
接著，藉由以氯系氣體為主體的乾式蝕刻而進行低反射部14的圖案化，形成低反射部圖案。藉此，如圖8所示，形成低反射部圖案14a。 接著，進行殘留的阻劑圖案17a的剝離，如圖9所示，製作本實施例的反射型光罩200。 接著，將本實施例的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波(megasonic)浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗。之後，以AFM(原子間力顯微鏡)測定膜厚，與成膜時的膜厚進行比較，但在膜厚看不到變化。由此結果得知，本實施例的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在本實施例中，形成在低反射部14的低反射部圖案14a，係在轉印評價用的反射型光罩200上包含：線寬64nmLS(線條和間隔(line-and-space))圖案、使用AFM的低反射部14的膜厚測定用的線寬200nmLS圖案、EUV反射率測定用的4mm見方的低反射部除去部。線寬64nmLS圖案係為了可容易看到由EUV的斜向照射所產生的陰影效應的影響，而如圖10所示，分別設計在x方向和y方向上。
[實施例2] 以氧化銀(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以53.9：44：2.1的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為35nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例2的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例3] 以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以53.9：44：2.1的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為35nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例3的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例4] 以氧化銀(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為26nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例4的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例5] 以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料，將低反射部14成膜以其膜厚成為26nm的方式。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例5的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例6] 以氧化銦(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為26nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例6的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例7] 以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鈦(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為26nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例7的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例8] 以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鈮(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為26nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例8的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[實施例9] 以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鉬(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為26nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作實施例9的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[比較例1] 以氧化銀(高消光係數材料)和鉭以55：45的比率成為均質的材料，將低反射部14以其膜厚成為35nm的方式成膜。此時的組成比係基於利用拉塞福背向散射分析法(RBS)的分析結果算出。此外，以XRD(X線繞射裝置)測定低反射部14的結晶性，結果得知為非晶質。藉此，在反射部16上形成有低反射部14。又，除了低反射部14外，係以與實施例1同樣的方法，製作比較例1的反射型空白光罩100及反射型光罩200。
[比較例2] 如圖11所示，以氮化鉭形成吸收層241，以其膜厚成為58nm的方式成膜。此外，最表層242係以氧化鉭形成，以其膜厚成為2nm的方式成膜。藉此，在反射部16上形成有具有吸收層241及最表層242的低反射部24。本比較例係設想以往的以鉭為主要成分的既有膜的反射型光罩的比較例。 但是，氮化鉭和氧化鉭係以上層下層分開，並非組成連續地變化的膜。 又，除了吸收層241、最表層242的成膜外，係以與實施例1同樣的方法，製作圖11及圖12所示的比較例2的反射型空白光罩101及具備低反射部圖案24a的反射型光罩201。
以基於EUV光的反射率測定裝置，分別測定在前述的實施例及比較例中製作的反射型光罩的反射部區域的反射率Rm、和低反射部區域的反射率Ra。反射率Rm的測定係在4mm見方的低反射部除去部進行。由其測定結果，使用上述的式(1)算出OD值。
(晶圓曝光評價) 使用EUV曝光裝置(NXE3300B：ASML公司製)，將在實施例及比較例製作的反射型光罩的低反射部圖案14a、24a轉印曝光在塗布了EUV正型化學增幅型阻劑的半導體晶圓上。此時，曝光量係以圖10的x方向的LS圖案按設計轉印的方式進行調節。之後，藉由電子線尺寸測定機，實施所轉印的阻劑圖案的觀察及線寬測定，進行解像性的確認。 此時，HV-偏差係將既有膜的6.1nm設為「△」，若小於6.1nm則設為「○」，若為4.5nm以下則設為「◎」，OD值係若為1.5以上則設為「○」，若為1.6以上則設為「◎」。又，關於HV-偏差，若為「△」以上的評價，則使用上沒有任何問題，因此設為合格。此外，關於OD值，若為「○」以上的評價，則使用上沒有任何問題，因此設為合格。 將此等之評價結果顯示於表1。
[表1]
  吸收層 吸收層的上部層 低反射部 晶圓上的阻劑圖案 氫自由基 耐性 清洗耐性 判定
材料 膜厚 材料 膜厚 合計膜厚 OD值 圖案轉印性
實施例1 AgO:54% Ta:45% W:1% 35nm - - 35nm ◎(2.5) ○ (HV偏差5.7nm) △ 有 △
實施例2 AgO:53.9% Ta:44% W:2.1% 35nm - - 35nm ◎(2.4) ○ (HV偏差5.6nm) ○ 有 ○
實施例3 SnO:53.9% Ta:44% W:2.1% 35nm - - 35nm ◎(1.7) ○ (HV偏差4.6nm) ○ 有 ○
實施例4 AgO:78% Ta:20% W:2% 26nm - - 26nm ◎(1.6) ◎ (HV偏差3.8nm) ○ 有 ○
實施例5 SnO:78% Ta:20% W:2% 26nm - - 26nm ◎(1.7) ◎ (HV偏差3.0nm) ○ 有 ○
實施例6 InO:78% Ta:20% W:2% 26nm - - 26nm ◎(1.7) ◎ (HV偏差3.0nm) ○ 有 ○
實施例7 SnO:78% Ta:20% Ti:2% 26nm - - 26nm ◎(1.7) ◎ (HV偏差3.0nm) ○ 有 ○
實施例8 SnO:78% Ta:20% Nb:2% 26nm - - 26nm ◎(1.7) ◎ (HV偏差3.0nm) ○ 有 ○
實施例9 SnO:78% Ta:20% Mo:2% 26nm - - 26nm ◎(1.7) ◎ (HV偏差3.0nm) ○ 有 ○
比較例1 AgO:55% Ta:45% 35nm - - 35nm ◎(2.4) ○ (HV偏差5.7nm) × 有 ×
比較例2 TaN(既有) 58nm TaO(既有) 2nm 60nm ○(1.5) △ (HV偏差6.1nm) ○ 有 △
在表1中，比較例2顯示：吸收層241以氮化鉭構成且其膜厚為58nm，最表層242以氧化鉭構成且其膜厚為2nm之Ta系既有膜的光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。比較例2的反射型光罩201之時，基於氫自由基耐性評價的膜減少速度為0.1nm/s以下。OD值為1.5而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差(水平-垂直尺寸差)為6.1nm，會解像但陰影效應的影響大，為轉印性低的結果。
又，將比較例2的反射型光罩201浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，比較例2的反射型光罩201具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例1顯示：低反射部14係以氧化銀(高消光係數)、鉭和鎢(添加合金材料)以54：45：1的比率成為均質的材料構成且其膜厚為35nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例1的反射型光罩200之時，雖然在氫自由基處理剛開始不久後有1nm的膜減少，但之後觀測不到膜減少。OD值為2.5而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為5.7nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例1的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例1的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例2顯示：低反射部14係以氧化銀(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以53.9：44：2.1的比率成為均質的材料構成且其膜厚為35nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例2的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為2.4而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為5.6nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例2的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例2的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例3顯示：低反射部14係以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以53.9：44：2.1的比率成為均質的材料構成且其膜厚為35nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例3的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.7而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為4.6nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例3的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例3的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例4顯示：低反射部14係以氧化銀(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料構成且其膜厚為26nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例4的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.6而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為3.8nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例4的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例4的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例5顯示：低反射部14係以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料構成且其膜厚為26nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例5的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.7而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為3.0nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例5的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例5的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例6顯示：低反射部14係以氧化銦(高消光係數材料)、鉭和鎢(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料構成且其膜厚為26nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例6的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.7而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為3.0nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例6的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例6的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例7顯示：低反射部14係以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鈦(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料構成且其膜厚為26nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例7的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.7而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為3.0nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例7的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例7的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例8顯示：低反射部14係以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鈮(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料構成且其膜厚為26nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例8的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.7而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為3.0nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例8的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例8的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，實施例9顯示：低反射部14係以氧化錫(高消光係數材料)、鉭和鉬(添加合金材料)以78：20：2的比率成為均質的材料構成且其膜厚為26nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。實施例9的反射型光罩200之時，觀測不到基於氫自由基耐性評價的膜減少，得到優異的氫自由基耐性。OD值為1.7而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為3.0nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將實施例9的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，實施例9的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
在表1中，比較例1顯示：低反射部14係以氧化銀(高消光係數材料)和鉭以55：45的比率成為均質的材料構成且其膜厚為35nm之光罩的晶圓上的阻劑圖案尺寸和遮罩特性。比較例1的反射型光罩200之時，基於氫自由基耐性評價的膜減少速度為0.11nm/s。OD值為2.4而得到可進行圖案轉印的對比度。基於EUV光的圖案化的結果，H-V偏差為5.7nm，得到比比較例2優異的圖案轉印性。
又，將比較例1的反射型光罩200浸漬在80℃的硫酸10分鐘，之後，在充滿以1：1：20的比例混合氨、過氧化氫和水的清洗液的清洗槽，使用500W的兆聲波浸漬10分鐘，流水10分鐘，進行清洗後，與成膜時的膜厚進行比較，在膜厚看不到變化。由此結果得知，比較例1的反射型光罩200具備優異的清洗耐性。
若比較實施例1和既有膜(比較例2)，則可知：實施例1的反射型光罩的氫自由基耐性稍微不如使用既有膜的反射型光罩，但實施例1的反射型光罩的圖案轉印性比使用既有膜的反射型光罩優異。又，實施例1的反射型光罩，由於與既有膜的反射型光罩相比，氫自由基耐性稍差，圖案轉印性優異，因此將判定結果標記為「△」而作為「合格」處理。
若比較實施例2～9和既有膜(比較例2)，則可知：實施例2～9的各反射型光罩的氫自由基耐性與使用既有膜的反射型光罩同等，實施例2～9的各反射型光罩的圖案轉印性比使用既有膜的反射型光罩優異。又，實施例2～9的各反射型光罩由於氫自由基耐性和圖案轉印性兩者都比既有膜(比較例4)的反射型光罩優異，因此將判定結果標記為「○」而作為「合格」處理。 比較例1的反射型光罩由於氫自由基耐性明顯比既有膜(比較例2)的反射型光罩差，因此將判定結果標記為「×」而作為「不合格」處理。
藉此，若為如下的反射型光罩200，則成為所謂圖案轉印性、氫自由基耐性良好，能夠減少陰影效應，壽命長且轉印性能變高之結果，該反射型光罩200係低反射部包含高於50at%的為對EUV光的消光係數大於0.041之材料的高消光係數材料，且包含鉭(Ta)，且包含由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)、鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種，其含有率(添加合金材料的含有率)為低反射部14所含的鉭(Ta)的含有率以下，膜厚為45nm以下，OD值為1.0以上。即，能夠確認可得到轉印性能更優異的反射型光罩200。換言之，可說是確認了：藉由使用上述實施形態的反射型空白光罩100，而能夠製作能夠抑制或減輕以極紫外區域之波長的光為光源之圖案化轉印用的反射型光罩之陰影效應，且具有優異的氫自由基耐性的反射型光罩200。 [產業上利用之可能性]
本發明之反射型空白光罩及反射型光罩，由於能夠在半導體積體電路等的製造步驟中，藉由EUV曝光來形成微細的圖案，因此適合使用。
1:基板 2:多層反射膜 3:覆蓋層 4:低反射部 4a:低反射部圖案 5:反射部 6:氧化皮膜 6a:氧化皮膜圖案 10:反射型空白光罩 11:基板 12:多層反射膜 13:覆蓋層 14:低反射部 14a:低反射部圖案 15:背面導電膜 16:反射部 17:阻劑膜 17a:阻劑圖案 20:反射型光罩 24:低反射部 24a:低反射部圖案 100:反射型空白光罩 101:反射型空白光罩 200:反射型光罩 201:反射型光罩 241:吸收層 242:最表層
圖1係顯示本發明之實施形態的反射型空白光罩之結構的概略剖面圖。 圖2係顯示本發明之實施形態的反射型光罩之結構的概略剖面圖。 圖3係顯示在EUV光的波長下的折射率n和消光係數k的圖譜(map)。 圖4係顯示本發明之實施形態的變形例的反射型光罩之結構的概略剖面圖。 圖5係顯示本發明之實施例的反射型空白光罩之結構的概略剖面圖。 圖6係顯示本發明之實施例的反射型光罩的製造步驟的概略剖面圖。 圖7係顯示本發明之實施例的反射型光罩的製造步驟的概略剖面圖。 圖8係顯示本發明之實施例的反射型光罩的製造步驟的概略剖面圖。 圖9係顯示本發明之實施例的反射型光罩之結構的概略剖面圖。 圖10係顯示本發明之實施例的反射型光罩之設計圖案的形狀的概略平面圖。 圖11係顯示本發明之比較例的反射型空白光罩之結構的概略剖面圖。 圖12係顯示本發明之比較例的反射型光罩之結構的概略剖面圖。
1:基板
2:多層反射膜
3:覆蓋層
4:低反射部
5:反射部
10:反射型空白光罩

Claims (10)

  1. 一種反射型空白光罩，係用以製作以極紫外線為光源之圖案轉印用的反射型光罩的反射型空白光罩，其特徵為具備 基板、 形成在該基板上而將入射的光反射的反射部、和 形成在該反射部上而將入射的光吸收的低反射部； 該反射部具備多層反射膜、和覆蓋層； 該低反射部包含為對EUV光的消光係數大於0.041之材料的高消光係數材料、鉭(Ta)、和由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種，且包含高於50at%的該高消光係數材料； 該低反射部中之該由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率為該鉭(Ta)的含有率以下； 該低反射部的合計膜厚為45nm以下； 該低反射部的OD值(Optical Density：光學濃度)為1.0以上。
  2. 如請求項1之反射型空白光罩，其中該低反射部中之該由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率，係相對於該鉭(Ta)的總原子數而為2.5at%以上。
  3. 如請求項1之反射型空白光罩，其中該低反射部中之該由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率，係相對於該鉭(Ta)的總原子數而為5at%以上。
  4. 如請求項1之反射型空白光罩，其中該低反射部中之該鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)、或鉬(Mo)的含有率，係相對於該鉭(Ta)的總原子數而為2.5at%以上，且為該鉭(Ta)的含有率以下。
  5. 如請求項2至4中任一項之反射型空白光罩，其中該低反射部包含下述材料的至少一種作為該高消光係數材料：包含錫(Sn)和氧(O)的材料、及包含銦(In)和氧(O)的材料。
  6. 一種反射型光罩，係以極紫外線為光源之圖案轉印用的反射型光罩，其特徵為具備 基板、 形成在該基板上而將入射的光反射的反射部、和 形成在該反射部上而將入射的光吸收的低反射部； 該反射部具備多層反射膜、和覆蓋層； 該低反射部包含為對EUV光的消光係數大於0.041之材料的高消光係數材料、鉭(Ta)、和由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種，且包含高於50at%的該高消光係數材料； 該低反射部中之該由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率為該鉭(Ta)的含有率以下； 該低反射部的合計膜厚為45nm以下； 該低反射部的OD值(Optical Density：光學濃度)為1.0以上。
  7. 如請求項6之反射型光罩，其中該低反射部中之該由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率，係相對於該鉭(Ta)的總原子數而為2.5at%以上。
  8. 如請求項6之反射型光罩，其中該低反射部中之該由鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)及鉬(Mo)構成的材料群組之中的至少一種之含有率，係相對於該鉭(Ta)的總原子數而為5at%以上。
  9. 如請求項6之反射型光罩，其中該低反射部中之該鈦(Ti)、鈮(Nb)、鎢(W)、或鉬(Mo)的含有率，係相對於該鉭(Ta)的總原子數而為2.5at%以上，且為該鉭(Ta)的含有率以下。
  10. 如請求項7至9中任一項之反射型光罩，其中該低反射部包含下述材料的至少一種作為該高消光係數材料：包含錫(Sn)和氧(O)的材料、及包含銦(In)和氧(O)的材料。
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