JP2022011843A - 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、極端紫外領域の波長の光を光源としたパターニング転写用の反射型フォトマスクの射影効果を抑制または軽減し、且つ水素ラジカルへの耐性が高い反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成されて入射した光を反射する反射部６と、反射部６上に形成されて入射した光を吸収する低反射部７と、を備え、低反射部７は、吸収層４と最表層５とから構成され、吸収層４の少なくとも１層は、酸化インジウムを含み、最表層５は、タンタル、アルミニウム、ケイ素、パラジウム、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、クロム、白金、イットリウム、ニッケル、鉛、チタン、ガリウム、及びビスマス、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、紫外領域の光を光源としたリソグラフィで使用する反射型フォトマスク及びこれを作製するための反射型フォトマスクブランクに関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおける転写パターンの最小解像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、露光光源は、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外線）領域の光に置き換わってきている。

ＥＵＶ領域の光は、ほとんどの物質で高い割合で吸収されるため、ＥＵＶ露光用のフォトマスク（ＥＵＶマスク）としては、反射型のフォトマスクが使用される（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、ガラス基板上にモリブデン（Ｍｏ）層及びシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層した多層膜からなる反射層を形成し、その上にタンタル（Ｔａ）を主成分とする光吸収層を形成し、この光吸収層にパターンを形成することで得られたＥＵＶフォトマスクが開示されている。

また、ＥＵＶリソグラフィは、前記のように、光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材もレンズではなく、反射型（ミラー）となる。このため、反射型フォトマスク（ＥＵＶマスク）への入射光と反射光とが同軸上に設計できない問題があり、通常、ＥＵＶリソグラフィでは、光軸をＥＵＶマスクの垂直方向から６度傾けて入射し、マイナス６度の角度で反射する反射光を半導体基板に導く手法が採用されている。

このように、ＥＵＶリソグラフィではミラーを介し光軸を傾斜させることから、ＥＵＶマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶマスクのマスクパターン（パターン化された光吸収層）の影をつくる、いわゆる「射影効果」と呼ばれる問題が発生することが知られている。

現在のＥＵＶマスクブランクでは、光吸収層として膜厚６０ｎｍ～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このマスクブランクを用いて作製したＥＵＶマスクでパターン転写の露光を行った場合、ＥＵＶ光の入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化することがある。

そこで、光吸収層をタンタル（Ｔａ）からＥＵＶ光に対する吸収性（消衰係数）が高い材料への変更や、タンタル（Ｔａ）に吸収性の高い材料を加えた反射型フォトマスクブランクが検討されている。例えば、特許文献２では、光吸収層を、Ｔａを主成分として５０原子％（ａｔ％）以上含み、さらにＴｅ、Ｓｂ、Ｐｔ、Ｉ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｗ、Ｒｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｏ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｇａ及びＡｌから選ばれた少なくとも一種の元素を含む材料で構成した反射型フォトマスクブランクが記載されている。

さらに、ミラーは、ＥＵＶ発生による副生成物（例えばＳｎ）や炭素などによって汚染されることが知られている。汚染物質がミラーに蓄積することにより、ミラー表面の反射率が減少し、リソグラフィ装置のスループットが低下することがある。この問題に対し、特許文献３では、装置内に水素ラジカルを生成することで、水素ラジカルと汚染物質とを反応させて、ミラーからこの汚染物質を除去する方法が開示されている。

しかしながら、特許文献２に記載の反射型フォトマスクブランクでは、光吸収層が水素ラジカルに対する耐性（水素ラジカル耐性）を有することについては検討されていない。そのため、ＥＵＶ露光装置への導入によって光吸収層に形成された転写パターン（マスクパターン）を安定的に維持できず、結果として転写性が悪化する可能性がある。

特開２０１１－１７６１６２号公報 特開２００７－２７３６７８号公報 特開２０１１－５３０８２３号公報

そこで、本発明は、極端紫外領域の波長の光を光源としたパターニング転写用の反射型フォトマスクの射影効果を抑制または軽減し、且つ水素ラジカルへの耐性が高い反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランクは、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、基板と、前記基板上に形成されて入射した光を反射する反射部と、前記反射部上に形成されて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、前記低反射部は、吸収層と最表層とから構成される少なくとも２層以上の積層構造体であり、前記低反射部の吸収層の少なくとも１層は、酸化インジウムを含み、前記低反射部の最表層は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含むことを特徴とする。

また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクであって、基板と、前記基板上に形成されて入射した光を反射する反射部と、前記反射部上に形成されて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、前記低反射部は、吸収層と最表層とから構成される少なくとも２層以上の積層構造体であり、前記低反射部の吸収層の少なくとも１層は、酸化インジウムを含み、前記低反射部の最表層は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含むことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、極端紫外領域の波長の光を光源としたパターニングにおいて半導体基板への転写性能が向上し、水素ラジカル環境下でも使用可能な反射型フォトマスクが期待できる。つまり、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクであれば、極端紫外領域の波長の光を光源としたパターニング転写用の反射型フォトマスクの射影効果を抑制または軽減し、且つ水素ラジカルへの耐性を有する。

本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。 ＥＵＶ光の波長における屈折率ｎと消衰係数ｋを示すマップである。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。 本発明の実施例に係る転写評価用の線幅６４ｎｍＬＳパターンを示す概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定は本発明の必須要件ではない。

図１は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０の構造を示す概略断面図である。また、図２は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２０の構造を示す概略断面図である。ここで、図２に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２０は、図１に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０の低反射部７をパターニングして形成したものである。

（全体構造）
図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成された反射層２と、反射層２の上に形成されたキャッピング層３を備えている。これにより、基板１上には反射層２及びキャッピング層３を有する反射部６が形成されている。反射部６上に低反射部７を備え、低反射部７は少なくとも二層以上で構成され、そのうちの一層を吸収層４とし、吸収層４の上に最表層５を備えている。

（基板）
本発明の実施形態に係る基板１には、例えば、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本発明はこれらに限定されるものではない。

（反射層）
本発明の実施形態に係る反射層２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するものであればよく、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜であってもよい。多層反射膜としては、例えば、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）、またはＭｏ（モリブデン）とＢｅ（ベリリウム）といった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成したものであってもよい。

（キャッピング層）
本発明の実施形態に係るキャッピング層３は、吸収層４に転写パターン（マスクパターン）を形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されており、吸収層４をエッチングする際に、反射層２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。キャッピング層３は、例えば、Ｒｕ（ルテニウム）で形成されている。ここで、反射層２の材質やエッチング条件により、キャッピング層３は形成されていなくてもかまわない。また、図示しないが、基板１の反射層２を形成していない面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型フォトマスク２０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。

（吸収層）
図２に示すように、反射型フォトマスクブランク１０の吸収層４の一部を除去することにより、即ち吸収層４をパターニングすることにより、反射型フォトマスク２０の吸収パターン（低吸収部パターン）７ａが形成される。ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は斜めに入射し、反射部６で反射されるが、吸収パターン７ａが光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４の厚さを薄くすることで低減される。吸収層４の厚さを薄くするためには、従来の材料よりＥＵＶ光に対し吸収性の高い材料、つまり波長１３．５ｎｍに対する消衰係数ｋの高い材料を適用することが好ましい。

図３は、一部の金属材料のＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍに対する光学定数を示すグラフである。図３の横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。従来の吸収層４の主材料であるタンタル（Ｔａ）の消衰係数ｋは０．０４１である。それより大きい消衰係数ｋを有する材料であれば、従来に比べて吸収層４の厚さを薄くすることが可能である。
上記のような消衰係数ｋを満たす材料としては、図３に示すように、例えば、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、テルル（Ｔｅ）がある。

反射部６からの反射光の強度をＲｍとし、低反射部７からの反射光の強度をＲａとし、反射部６と低反射部７の光強度のコントラストを表す指標である光学濃度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）値は、以下の式（１）で規定される。
ＯＤ＝－ｌｏｇ（Ｒａ／Ｒｍ） ・・・式（１）
ＯＤ値は大きいほうがコントラストは良く、高い転写性が得られる。パターン転写にはＯＤ＞１が必要であるが、上記従来との比較により、ＯＤ値は１．５以上であると、更に好ましい。

従来のＥＵＶ反射型フォトマスクの吸収層４には、上述のようにＴａを主成分とする化合物材料が適用されてきた。この場合、ＯＤ値で１以上を得るには、吸収層４の膜厚は４０ｎｍ以上必要であり、ＯＤ値で２以上を得るには、吸収層４の膜厚は７０ｎｍ以上必要であった。Ｔａの消衰係数ｋは０．０４１だが、消衰係数ｋが０．０６以上のインジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とを含む材料を吸収層４に適用することで、少なくともＯＤ値が１以上であれば吸収層４の膜厚を１７ｎｍまで薄膜化することが可能であり、ＯＤ値が２以上であれば吸収層４の膜厚を４５ｎｍ以下にすることが可能である。ただし、吸収層４の膜厚が４５ｎｍを超えると、従来のＴａを主成分とした化合物材料で形成された膜厚６０ｎｍの吸収層４と射影効果が同程度となってしまう。

そのため、本発明の実施形態に係る吸収層４は、インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とを含む材料を主成分とし、膜厚は１７ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることが好ましい。つまり、吸収層４の膜厚が１７ｎｍ以上４５ｎｍ以下の範囲内であると、Ｔａを主成分とした化合物材料で形成された従来の吸収層４に比べて、射影効果を十分に低減することができ、転写性能が向上する。
また、上述した「主成分」とは、吸収層全体の原子数に対して５０原子％以上含んでいる成分をいう。

更に、微細なパターンを転写するためには、反射部６と低反射部７から反射した光の強度のコントラストは高い方が望ましい。よって、吸収層４のＯＤ値は１．５以上であることが、より好ましい。
吸収層４を形成するためのインジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を含む材料は、１：１から１：１．５の間にあることが好ましい。つまり、吸収層４における、インジウム（Ｉｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｉｎ）は、１以上１．５以下であることが好ましい。なお、この範囲は原子数比が１未満であると熱耐性の低下が進行し、原子数比１．５であると化学量論比が最大であることに基づく。

なお、図１及び図２には単層の吸収層４を示したが、本実施形態に係る吸収層４はこれに限定されるものではない。本実施形態に係る吸収層４は、例えば、１層以上の吸収層、即ち複層の吸収層であってもよい。つまり、本実施形態に係る吸収層４は、複数層に分割されていてもよく、その場合であっても、各吸収層４の膜厚を合計した総膜厚は、１７ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることが好ましい。

また、吸収層４を構成する材料は、インジウム（Ｉｎ）及び酸素（Ｏ）を合計で５０原子％以上含有することが好ましい。これは、吸収層４にインジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）以外の成分が含まれていると、ＥＵＶ光吸収性が低下する可能性があるものの、インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）以外の成分が５０原子％未満であれば、ＥＵＶ光吸収性の低下はごく僅かであり、ＥＵＶマスクの吸収層４としての性能の低下はほとんどないためである。

吸収層４は、キャッピング層３上に形成されるが、インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）以外の材料として、例えば、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、バリウム（Ｂａ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、ヒ素（Ａｓ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、及びラジウム（Ｒａ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物から選ばれる少なくとも１種を５０原子％未満で含有する材料で構成されていてもよい。

吸収層４を構成する材料は、例えば、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ロジウム（Ｒｈ）、バリウム（Ｂａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）などを含有することで、ラフネス、面内寸法均一性、転写像の面内均一性が向上し、十分にアモルファスである材料とすることができる。

また、吸収層４を構成する材料は、例えば、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎi）、テルル（Ｔｅ）、錫（Ｓｎ）などを含有することで、消衰係数ｋが従来の主材料であるタンタル（Ｔａ）より大きい材料とすることができる。
また、吸収層４を構成する材料は、例えば、タンタル（Ｔａ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、イットリウム（Ｙ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）などを含有することで、水素ラジカルとの反応が生じにくく、より水素ラジカル耐性のある材料とすることができる。

また、吸収層４を構成する材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などを含有することで、マスク洗浄に一般に使用されるＳＰＭやＡＰＭのような薬液に対し反応性が低く、より洗浄耐性のある材料とすることができる。
また、吸収層４を構成する材料は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化タンタル（ＴａＯ）などを含有することで、波長１９０ｎｍ～２６０ｎｍの光吸収が高く検査光のコントラスト向上性のある材料とすることができる。

また、吸収層４を構成する材料は、例えば、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）などを含有することで、１３．５ｎｍの波長に対する屈折率ｎが０．９５未満であり位相シフト性を向上する材料とすることができる。
以上、吸収層４に含有可能な材料の効果の一例を記述したが、各材料の効果は上記の例に限定されず、複数に該当してもよい。

また、反射型フォトマスク２０は、水素ラジカル環境下に曝されるため、水素ラジカル耐性の高い光吸収材料でなければ、長期の使用に耐えられない。本実施形態においては、０．３６ミリバール（ｍｂａｒ）以下の真空中で、電力１ｋｗのマイクロ波プラズマを使い水素プラズマを発生させ、水素ラジカルリッチな環境下において、膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ以下の材料を、水素ラジカル耐性の高い材料とする。
ｎｋ値の組み合わせを満たす材料のうち、インジウム（Ｉｎ）単体では水素ラジカルへの耐性が低いことが知られている。

なお、表１に示す膜減り速さの評価試験では、膜減り速さの測定を複数回繰り返し、その全てにおいて膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ以下であった場合を「○」と評価し、水素ラジカル処理開始直後で数ｎｍの膜減りがあったものの、その後膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ以下であった場合を「△」と評価し、その全てにおいて膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ超であった場合を「×」と評価した。
また、上記原子数比（Ｏ／Ｉｎ比）は、膜厚１μｍに成膜された材料をＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分析）で測定した結果である。

上記評価結果を表１に示す。

Ｏ／Ｉｎ比が１．０のときは膜減り速さが大きく、Ｏ／Ｉｎ比が１．５のときはわずかながら膜減りが生じた。

（最表層）
水素ラジカル耐性向上のためには耐性の高い材料を最表層に設けることが有効である。最表層５は、水素ラジカル耐性を低下させないために、水素ラジカル耐性のある材料を少なくとも８０原子％以上含有する材料で形成されることが望ましい。そのため、最表層５は、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含む材料を少なくとも８０原子％以上含有する材料で構成されることが望ましい。なお、最表層５を構成する材料は、上述した材料以外の材料を含んでいてもよい。

低反射部７は、その膜厚が吸収層４と最表層５とを合わせた膜厚となるため、射影効果が増大する懸念がある。そのため、吸収層４と最表層５の各層の層厚の合計は６０ｎｍ以下であることが望ましい。また、十分に水素ラジカル耐性を持つ材料で最表層５を形成する場合、安定した膜厚分布を得るために、最表層５の膜厚は１ｎｍ以上が好ましい。
吸収層４を酸化インジウム（Ｏ/Ｉｎ＝１．５）とし、最表層５を酸化タンタル（ＴａＯ）として、最表層５の各層厚における膜減り速さの評価試験を実施した。なお、本評価の評価基準は、表１に示した膜減り速さの評価試験における評価基準と同じである。

上記結果を表２に示す。

表２に示すように、酸化タンタル（ＴａＯ）の膜厚が１ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍの時、いずれも膜減りが生じなかった。

最表層５は、吸収層４上に形成されるが、エッチング後の吸収パターン７ａのラフネスや面内寸法均一性、転写像の面内均一性のため、膜質は十分にアモルファスであることが好まれる。そのため、最表層５を構成する材料は、例えば、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、銀（Ａｇ）、バリウム（Ｂａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、及びラジウム（Ｒａ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物から選ばれる少なくとも１種の元素を組成比２０％未満で含有する材料でもよい。

以下、本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの実施例について説明する。

［実施例１］
図４に示すように、低熱膨張特性を有する合成石英の基板１１の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）を一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された多層反射膜１２を形成する。多層反射膜１２の膜厚は２８０ｎｍであった。
次に、多層反射膜１２上に、中間膜としてルテニウム（Ｒｕ）で形成されたキャッピング層１３を、膜厚が２．５ｎｍになるように成膜した。これにより、基板１１上には多層反射膜１２及びキャッピング層１３を有する反射部１７が形成されている。
次に、キャッピング層１３の上に、吸収層１４を酸化インジウムとゲルマニウムとが３０：７０の比率で均質となる材料で、その膜厚が４７ｎｍになるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．５であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、アモルファスであることがわかった。

次に、吸収層１４上に、酸化タンタルで形成される最表層１５をその膜厚が２ｎｍになるよう成膜した。これにより、反射部１７上には吸収層１４及び最表層１５を有する低反射部１８が形成されている。
次に、基板１１の多層反射膜１２が形成されていない側に窒化クロムで形成された裏面導電膜１６を１００ｎｍの厚さで成膜し、実施例１の反射型フォトマスクブランク１００を作製した。
基板１１上へのそれぞれの膜の成膜には、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。

次に、反射型フォトマスク２００の作製方法について図５から図９を用いて説明する。
図５に示すように、反射型フォトマスクブランク１００に備えられた低反射部１８の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで成膜し、１１０℃で１０分間ベークし、レジスト膜１９を形成した。
次いで、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってポジ型化学増幅型レジストで形成されたレジスト膜１９に所定のパターンを描画した。その後、１１０℃、１０分間ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、図６に示すように、レジストパターン１９ａを形成した。

次に、レジストパターン１９ａをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを主体としたドライエッチングにより、最表層１５のパターニングを行い、図７に示すように最表層１５に最表層パターンを形成した。
次に、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより吸収層１４のパターニングを行い、吸収パターンを形成した。これにより、図８に示すように低反射部パターン１８ａを形成した。
次に、残ったレジストパターン１９ａの剥離を行い、図９に示すように本実施例による反射型フォトマスク２００を作製した。

次に、本実施例による反射型フォトマスク２００を、８０℃の硫酸に１０分間浸漬し、その後アンモニアと過酸化水素水と水を１：１：２０の割合で混合した洗浄液を満たした洗浄槽に、５００Ｗのメガソニックを用いて１０分間浸漬し、１０分間流水し、洗浄を行った。その後、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で膜厚を測定し、成膜時の膜厚と比較したが、膜厚に変化は見られなかった。
本実施例において、低反射部１８に形成した低反射部パターン１８ａは、転写評価用の反射型フォトマスク２００上で、線幅６４ｎｍＬＳ（ラインアンドスペース）パターン、ＡＦＭを用いた吸収層１４の膜厚測定用の線幅２００ｎｍＬＳパターン、ＥＵＶ反射率測定用の４ｍｍ角の低反射部除去部を含んでいる。線幅６４ｎｍＬＳパターンは、ＥＵＶの斜め照射による射影効果の影響が見えやすくなるように、図１０に示すようにｘ方向とｙ方向それぞれに設計した。

［実施例２］
吸収層１４を酸化インジウムとゲルマニウムが５０：５０の比率で均質となる材料で形成し、その膜厚が４７ｎｍになるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．５であった。
次に、吸収層１４上に、酸化タンタルで形成される最表層１５をその膜厚が２ｎｍになるよう成膜した。その結果、低反射部１８の膜厚は合計で４９ｎｍとなった。なお、吸収層１４及び最表層１５の各成膜以外は、実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。

［実施例３］
吸収層１４を酸化インジウムとゲルマニウムが５０：５０の比率で均質となる材料で形成し、その膜厚が３３ｎｍになるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．５であった。
次に、吸収層１４上に、酸化タンタルで形成される最表層１５をその膜厚が２ｎｍになるよう成膜した。その結果、低反射部１８の膜厚は合計で３５ｎｍとなった。なお、吸収層１４及び最表層１５の各成膜以外は、実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。

［実施例４］
吸収層１４を酸化インジウムで形成し、その膜厚が２６ｎｍになるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．５であった。
次に、吸収層１４上に、酸化タンタルで形成される最表層１５をその膜厚が２ｎｍになるよう成膜した。その結果、低反射部１８の膜厚は合計で２８ｎｍとなった。なお、吸収層１４及び最表層１５の各成膜以外は、実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。

［実施例５］
吸収層１４を酸化インジウムで形成し、その膜厚が２６ｎｍになるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．５であった。
次に、吸収層１４上に、ビスマス（Ｂｉ）で形成される最表層１５をその膜厚が２ｎｍになるよう成膜した。その結果、低反射部１８の膜厚は合計で２８ｎｍとなった。なお、吸収層１４及び最表層１５の各成膜以外は、実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。

［比較例１］
吸収層１４を酸化インジウムで形成し、その膜厚が２６ｎｍになるよう成膜した。インジウムと酸素の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１：１．５であった。また、最表層１５は形成しなかった。なお、それ以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。

［比較例２］
吸収層１４を窒化タンタルで形成し、その膜厚が５８ｎｍになるよう成膜した。また、最表層１５は酸化タンタルで形成し、その膜厚が２ｎｍになるよう成膜した。本比較例は、従来のタンタルを主成分とした既存膜の反射型フォトマスクを想定したものである。なお、吸収層１４及び最表層１５の各成膜以外は、実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスクブランク１００及び反射型フォトマスク２００を作製した。
前述の実施例及び比較例において作製した反射型フォトマスク２００の反射層領域の反射率Ｒｍと低反射部領域の反射率ＲａとをＥＵＶ光による反射率測定装置で測定した。反射率Ｒｍの測定は４ｍｍ角の吸収層除去部で行った。その測定結果から、上述した式（１）を用いてＯＤ値を算出した。

（水素ラジカル耐性）
マイクロ波プラズマを使って、電力１ｋＷで水素圧力が０．３６ミリバール（ｍｂａｒ）以下の水素ラジカル環境下に、実施例及び比較例で作製した反射型フォトマスク２００を設置した。水素ラジカル処理後での吸収層４の膜厚変化を、ＡＦＭを用いて確認した。測定は線幅２００ｎｍＬＳパターンで行った。
この時、水素ラジカル耐性は膜減り速度が０．１ｎｍ／ｓ以下であった場合を「○」と評価し、特に優れていたものは「◎」とした。また、水素ラジカル処理開始直後で数ｎｍの膜減りがあったものの、その後膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ以下であった場合を「△」と評価し、その全てにおいて膜減り速さが０．１ｎｍ／ｓ超であった場合を「×」と評価した。なお、本実施例において、「○」以上の評価であれば、使用上何ら問題はないため、合格とした。

（ウェハ露光評価）
ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、実施例及び比較例で作製した反射型フォトマスク２００の低反射部パターン１８ａを転写露光した。このとき、露光量は、図１０のｘ方向のＬＳパターンが設計通りに転写するように調節した。その後、電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性の確認を行った。
このとき、ＨＶ－バイアスは既存膜の７．３ｎｍを「△」、７．３ｎｍ未満であれば「○」、４．５ｎｍ以下であれば「◎」とし、ＯＤ値は１．５以上であれば「○」、２以上であれば「◎」とした。なお、ＨＶ－バイアスについては、「△」以上の評価であれば、使用上何ら問題はないため、合格とした。また、ＯＤ値については、「○」以上の評価であれば、使用上何ら問題はないため、合格とした。

これらの評価結果を表３に示した。

表３において、比較例２では、吸収層１４が窒化タンタルで膜厚５８ｎｍ、最表層１５が酸化タンタルで膜厚２ｎｍの、Ｔａ系既存膜におけるマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。比較例２の反射型フォトマスク２００のとき、ＯＤ値は１．５４でパターン転写可能なコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアス（水平－垂直寸法差）は７．３ｎｍとなり、解像するがシャドウイング効果の影響が大きく、転写性の低い結果となった。

表３において、実施例１では、吸収層１４が酸化インジウムとゲルマニウムからなる材料（混合比３０：７０）で膜厚４７ｎｍ、最表層１５が酸化タンタルで膜厚２ｎｍのフォトマスクにおけるマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。実施例１の反射型フォトマスク２００のとき、水素ラジカルに対して膜厚変化は見られず、良好な結果になった。ＯＤ値は１．７３でパターン転写可能なコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアスは５．３ｎｍとなり、比較例２と比べて優れたパターン転写性が得られた。

表３において、実施例２では、吸収層１４が酸化インジウムとゲルマニウムからなる材料（混合比５０：５０）で膜厚４７ｎｍ、最表層１５が酸化タンタルで膜厚２ｎｍのフォトマスクにおけるマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。実施例２の反射型フォトマスク２００のとき、水素ラジカルに対して膜厚変化は見られず、良好な結果になった。ＯＤ値は２．３３で実施例１よりも高いコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアスは７．０ｎｍとなり、比較例２と比べて、シャドウイングの効果を低減してパターン転写性を改善できる結果であるが、実施例１と比べるとその性能はやや劣る。

表３において、実施例３では、吸収層１４が酸化インジウムとゲルマニウムからなる材料（混合比５０：５０）で膜厚３３ｎｍ、最表層１５が酸化タンタルで膜厚２ｎｍのフォトマスクにおけるマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。実施例３の反射型フォトマスク２００のとき、水素ラジカルに対して膜厚変化は見られず、良好な結果になった。ＯＤ値は１．５５でパターン転写可能なコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアスは４．１ｎｍとなり、比較例２と比べて、シャドウイングの効果を低減してパターン転写性を大きく改善できる結果であり、実施例２と比べて、より薄膜にしたほうがＯＤ値、Ｈ－Ｖバイアスのいずれも改善することが分かった。

表３において、実施例４では、吸収層１４が酸化インジウムで膜厚２６ｎｍ、最表層１５が酸化タンタルで膜厚２ｎｍのフォトマスクにおけるマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。実施例４の反射型フォトマスク２００のとき、水素ラジカルに対して膜厚変化は見られなかった。ＯＤ値は１．７７でありパターン転写可能なコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアスは４．６ｎｍとなり、比較例２と比べて、シャドウイングの効果を低減してパターン転写性を大きく改善できる結果となった。

表３において、実施例５では、吸収層１４が酸化インジウムで膜厚２６ｎｍ、最表層１５がビスマス（Ｂｉ）で膜厚２ｎｍのフォトマスクにおけるマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。実施例５の反射型フォトマスク２００のとき、水素ラジカルに対して膜厚変化は見られなかった。ＯＤ値は１．７７でありパターン転写可能なコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアスは４．６ｎｍとなり、比較例２と比べて、シャドウイングの効果を低減してパターン転写性を大きく改善できる結果となった。

表３において、比較例１では、吸収層１４が酸化インジウム（Ｏ／Ｉｎ＝１．５）で膜厚２６ｎｍ、最表層１５を形成しなかった場合のマスク特性とウェハ上のレジストパターン寸法とを示している。比較例１の反射型フォトマスク２００のとき、ＯＤ値は１．７７で十分なコントラストが得られた。ＥＵＶ光によるパターニングの結果、Ｈ－Ｖバイアスは４．６ｎｍとなり、高い転写性が得られた。しかし、水素ラジカル耐性評価の結果、水素ラジカル処理開始直後で１ｎｍの膜減りがあり、その後膜減りは観測されなかった。

実施例１～５と既存膜（比較例２）とを比較すると、実施例１～５の各反射型フォトマスク２００の水素ラジカル耐性は、既存膜を用いた反射型フォトマスクと同等またはそれ以上であり、パターン転写性は向上することができた。また、比較例１との対比から、吸収層１４だけで低反射部１８を形成するよりも、水素ラジカル耐性のある材料を主材料として最表層１５を形成した低反射部１８の方が、水素ラジカル耐性が高くなることが明らかとなった。
また、表３に示した実施例１～５と比較例１～２のいずれの反射型フォトマスク２００においても、洗浄処理の前後で膜厚に変化はなく、洗浄耐性があるという結果となった。

これにより、高いｋ値を有する材料などで構成された吸収層１４に、水素ラジカル耐性のある材料などで構成された最表層１５を形成した反射型フォトマスク２００は、転写性、照射耐性に優れており、射影効果を低減し、且つ長寿命で転写性能の高いフォトマスクである結果となった。つまり、高いｋ値を有する材料を含んで形成された吸収層１４上に、水素ラジカル耐性のある材料を含んで形成された最表層１５を備えた反射型フォトマスク２００であれば、射影効果を抑制または軽減し、且つ水素ラジカルに対する耐性を備える。

本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクは、半導体集積回路などの製造工程において、ＥＵＶ露光によって微細なパターンを形成するために好適に用いることができる。

１・・・・・基板
２・・・・・反射層
３・・・・・キャッピング層
４・・・・・吸収層
５・・・・・最表層
６・・・・・反射部
７・・・・・低反射部
７ａ・・・・低反射部パターン（吸収パターン）
１０・・・・反射型フォトマスクブランク
２０・・・・反射型フォトマスク
１１・・・・基板
１２・・・・多層反射膜
１３・・・・キャッピング層
１４・・・・吸収層
１５・・・・最表層
１６・・・・裏面導電膜
１７・・・・反射部
１８・・・・低反射部
１８ａ・・・低反射部パターン
１９・・・・レジスト膜
１９ａ・・・レジストパターン
１００・・・反射型フォトマスクブランク
２００・・・反射型フォトマスク

Claims (10)

1. 極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクを作製するための反射型フォトマスクブランクであって、
   基板と、
   前記基板上に形成されて入射した光を反射する反射部と、
   前記反射部上に形成されて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、
   前記低反射部は、吸収層と最表層とから構成される少なくとも２層以上の積層構造体であり、
   前記低反射部の吸収層の少なくとも１層は、酸化インジウムを含み、
   前記低反射部の最表層は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含むことを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
2. 前記吸収層は、インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で５０原子％以上含有する材料で形成され、
   インジウム（Ｉｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｉｎ）は、１以上１．５以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスクブランク。
3. 前記吸収層は、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、バリウム（Ｂａ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び錫（Ｓｎ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型フォトマスクブランク。
4. 前記低反射部は、その膜厚が６０ｎｍ以下であり、
   前記吸収層は、複数層に分割された場合であっても、各層の合計膜厚が１７ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、
   前記最表層は、その膜厚が１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
5. 前記最表層は、遷移元素、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の反射型フォトマスクブランク。
6. 極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクであって、
   基板と、
   前記基板上に形成されて入射した光を反射する反射部と、
   前記反射部上に形成されて入射した光を吸収する低反射部と、を備え、
   前記低反射部は、吸収層と最表層とから構成される少なくとも２層以上の積層構造体であり、
   前記低反射部の吸収層の少なくとも１層は、酸化インジウムを含み、
   前記低反射部の最表層は、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含むことを特徴とする反射型フォトマスク。
7. 前記吸収層は、インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とを合計で５０原子％以上含有する材料で形成され、
   インジウム（Ｉｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｉｎ）は、１以上１．５以下であることを特徴とする請求項６に記載の反射型フォトマスク。
8. 前記吸収層は、ベリリウム（Ｂｅ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、バリウム（Ｂａ）、イリジウム（Ｉｒ）、金（Ａｕ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、イットリウム（Ｙ）、ニッケル（Ｎi）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、テルル（Ｔｅ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及び錫（Ｓｎ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上をさらに含むことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の反射型フォトマスク。
9. 前記低反射部は、その膜厚が６０ｎｍ以下であり、
   前記吸収層は、複数層に分割された場合であっても、各層の合計膜厚が１７ｎｍ以上４５ｎｍ以下であり、
   前記最表層は、その膜厚が１ｎｍ以上であることを特徴とする請求項６から請求項８の何れか１項に記載の反射型フォトマスク。
10. 前記最表層は、遷移元素、及びビスマス（Ｂｉ）、並びにその酸化物、窒化物、弗化物、ホウ化物、酸窒化物、酸ホウ化物、及び酸窒化ホウ化物の何れか１つ以上を含むことを特徴とする請求項６から請求項９の何れか１項に記載の反射型フォトマスク。

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