WO2021230297A1

WO2021230297A1 - 反射型マスクブランク及び反射型マスク

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Publication number: WO2021230297A1
Application number: PCT/JP2021/018089
Authority: WO
Inventors: 顯二郎市川; 歩美合田; 秀亮中野
Original assignee: 凸版印刷株式会社
Priority date: 2020-05-14
Filing date: 2021-05-12
Publication date: 2021-11-18
Also published as: CN115485617A; KR20220167385A; EP4152093A1; JP2021179549A; US20230176467A1; TW202201115A

Abstract

ＥＵＶマスクの吸収膜として高吸収性材料を使用した場合であっても、微細な吸収膜パターンが形成されており、従って射影効果を軽減することができ、且つ電子線修正エッチングを可能とする反射型マスク、及びそれを作製するための反射型マスクブランクを提供する。本実施形態に係る反射型マスクブランク（１０）は、基板（１）と、基板（１）上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する多層反射膜（２）と、多層反射膜（２）上に形成された多層反射膜（２）を保護するキャッピング層（３）と、キャッピング層（３）上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜（４）と、を有し、吸収膜（４）は、酸化錫（ＳｎＯ）及び酸化インジウム（ＩｎＯ）の少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含む。

Description

反射型マスクブランク及び反射型マスク

　本発明は、反射型マスクブランク及び反射型マスクに関する。

　半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおいては、転写パターンの最小解像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光光源から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）露光光源に置き換わってきている。

　ＥＵＶ光は波長が短いので、ほとんどの物質が高い光吸収性を持つ。このため、ＥＵＶ用のフォトマスク（ＥＵＶマスク）は、従来の透過型マスクと異なり、反射型マスクである（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。特許文献１には、ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型露光マスクにおいて、下地基板上に２種類以上の材料層を周期的に積層させた多層膜を形成し、多層膜上に、窒化物を含む金属膜からなるパターン、または窒化金属膜と金属膜の積層構造からなるマスクパターンを形成することが開示されている。また、特許文献２では、多層反射膜上に吸収膜として、イオン注入をされた元素を含む金属膜からなるパターンを形成する反射型ＥＵＶマスクが開示されている。

　また、ＥＵＶリソグラフィは、上述の通り光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材はレンズではなく、ミラーとなる。このため、ＥＵＶフォトマスクへの入射光と反射光が同軸上に設計できない問題があり、通常、ＥＵＶリソグラフィでは光軸をＥＵＶフォトマスクの垂直方向から６度傾けてＥＵＶ光を入射し、マイナス６度の角度で反射する反射光を半導体基板に照射する手法が採用されている。
　このように、ＥＵＶリソグラフィは、光軸を傾斜させることから、ＥＵＶフォトマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶフォトマスクのパターン（吸収膜パターン）の影を作ることにより、転写性能が悪化する、いわゆる「射影効果」と呼ばれる問題が発生することがある。

　この問題に対し、特許文献２では、吸収膜に消衰係数ｋが高い材料をイオン注入することで、ＥＵＶ光に対する吸収を高くし、ＥＵＶ反射率を抑えることで従来よりも薄い吸収体層の膜厚（６０ｎｍ以下）が可能となり射影効果を低減できる方法が開示されている。
　透過型フォトマスクにおける遮光膜のパターニングには、微細化の進展に伴い、ドライエッチングを用いることが一般化しており、ＥＵＶマスクにおける吸収膜のパターニングにもドライエッチングが適用される。しかしながら、一般に、特許文献２で用いられるＥＵＶに対する消衰係数ｋが高い材料は、ドライエッチングレートの低い材料である。そのため、吸収膜の加工性が悪く、エッチングマスクとなるレジストも厚くする必要があり、結果として高吸収性材料による微細な吸収膜パターンを形成することが難しいという問題があった。

　また、フォトマスク作製工程の欠陥修正工程において電子線修正エッチングをする際、消衰係数ｋが高い材料はエッチングレートが極めて遅く、欠陥の修正が困難な材料であることが大きな問題となる場合がある。

特開２００４－６７９８号公報特開２０１５－７３０１３号公報

　本発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ＥＵＶマスクの吸収膜として高吸収性材料を使用した場合であっても、微細な吸収膜パターンが形成されており、従って射影効果を軽減することができ、且つ電子線修正エッチングを可能とする反射型マスク、及びそれを作製するための反射型マスクブランクを提供することにある。

　上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射膜と、前記反射膜上に形成された該反射膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、を有する反射型マスクブランクであって、前記吸収膜は、酸化錫及び酸化インジウムの少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含むことを特徴とする反射型マスクブランクである。

　また、本発明の一形態に係る反射型マスクは、基板と、前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射膜と、前記反射膜上に形成された該反射膜を保護する保護膜と、前記保護膜上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、を有し、前記吸収膜は、酸化錫及び酸化インジウムの少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含むことを特徴とする反射型マスクである。

　本発明の一態様に係る反射型マスク、及びそれを作製するための反射型マスクブランクによれば、ＥＵＶ光吸収率が高く、ドライエッチング可能な吸収膜を使用するため、従来よりも薄いレジスト膜厚が使えるようになり、微細な高吸収膜パターンを形成することが可能となる。その結果、射影効果を軽減することができ、ウェハ上で線幅誤差やパターンの位置ずれを低減することが可能となる。また、電子線修正エッチングが可能となる。
　このように、本発明の一態様に係る反射型マスク、及びそれを作製するための反射型マスクブランクであれば、ＥＵＶマスクの吸収膜として高吸収性材料を使用した場合であっても、微細な吸収膜パターンが形成されており、従って射影効果を軽減することができ、且つ電子線修正エッチングを可能とする反射型マスク、及びそれを作製するための反射型マスクブランクを提供することができる。

本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。ＥＵＶ光の波長における各金属の光学定数を示すグラフである。本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクのＥＵＶ光における反射率のシミュレーション結果を示すグラフである。本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランクのＥＵＶ光の波長におけるＯＤ値のシミュレーション結果を示すグラフである。酸化錫からなる単層吸収膜を電子線修正エッチングした後のサイドエッチングを示す概略断面図である。本発明の実施例に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの修正工程を示す概略断面図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明に係る反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの各構成について説明する。
（全体構造）
　図１は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク（反射型マスクブランク）１０の構造を示す概略断面図である。また、図２は、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク（反射型マスク）２０の構造を示す概略断面図である。ここで、図２に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスク２０は、図１に示す本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０の吸収膜４をパターニングして形成されたものである。
　図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０は、基板１上に多層反射膜（反射膜）２、多層反射膜２上にキャッピング層（保護層）３を備えている。これにより、基板１上には多層反射膜２及びキャッピング層３が形成されている。キャッピング層３上に吸収膜４を備え、吸収膜４は少なくとも一層以上で構成されている。

（基板）
　本発明の実施形態に係る基板１には、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１には、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができるが、熱膨張率の小さい材料であれば、本発明ではこれらに限定されるものではない。
（多層反射膜）
　本発明の実施形態に係る多層反射膜２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するもので、ＥＵＶ光に対する屈折率の大きく異なる材料の組み合わせによる多層反射膜から構成されている。例えば、多層反射膜２は、Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）、またはＭｏ（モリブデン）とＢｅ（ベリリウム）といった組み合わせの層を４０周期程度繰り返し積層することにより形成することができる。

（キャッピング層）
　本発明の実施形態に係るキャッピング層３は、吸収膜４のパターン形成の際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されて、吸収膜パターンをエッチングする際に、多層反射膜２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。ここで、多層反射膜２の材質やエッチング条件により、キャッピング層３はなくてもかまわない。また、図示しないが、基板１上の多層反射膜２を形成していない面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型フォトマスク２０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。

　図２に示すように、反射型フォトマスクブランク１０の吸収膜４の一部を除去することにより、即ち吸収膜４をパターニングすることにより、反射型フォトマスク２０の吸収パターン（吸収膜パターン１４ａ）が形成される。ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は斜めに入射し、反射膜１２で反射されるが、吸収膜パターン１４ａが光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜パターン１４ａの厚さを薄くすることで低減される。吸収膜パターン１４ａの厚さを薄くするためには、従来の材料よりＥＵＶ光に対す吸収性の高い材料、つまり波長１３．５ｎｍに対する消衰係数ｋの高い材料を適用することが好ましい。

　図３は、各金属材料のＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍに対する光学定数を示すグラフである。図３の横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。従来の吸収膜４の主材料であるタンタル（Ｔａ）の消衰係数ｋは０．０４１である。それより大きい消衰係数ｋを有する化合物材料であれば、従来に比べて吸収膜４の厚さを薄くすることが可能である。消衰係数ｋが０．０６以上である材料を主成分として使用すれば、吸収膜４の厚さを十分に薄くすることが可能であり、射影効果を低減できる。

　上記のような光学定数（ｎｋ値）の組み合わせを満たす材料としては、図３に示すように、例えば、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、テルル（Ｔｅ）など存在し、それらの消衰係数ｋは０．０７から０．０８の範囲内にある。上記材料であれば、その消衰係数ｋを、従来の吸収膜材料であるタンタル（Ｔａ）の消衰係数０．０４１に対して約２倍と大幅に大きくできるため、高い光吸収性が得られる。しかしながら、これらの高吸収性材料は、ドライエッチング性が悪い（換言すると、これらの元素のハロゲン化物の揮発性が低い）ためにマスクに加工が困難である、あるいはその融点が低いためにマスク作製時やＥＵＶ露光時の熱に耐えられず、マスクとしての実用性に乏しいものがほとんどである。

　そのような欠点を回避するため、本実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０の吸収膜４及び反射型フォトマスク２０の吸収膜パターン１４ａは、酸化錫（ＳｎＯ）膜または酸化インジウム（ＩｎＯ）膜で形成されている。錫（Ｓｎ）単体またはインジウム（Ｉｎ）単体では、それぞれの融点が２３０℃付近、１６０℃付近と低く、熱的安定性に問題があるが、酸化錫（ＳｎＯ）膜または酸化インジウム（ＩｎＯ）膜にすることで、それぞれの融点を大幅に高くできる。実際に反応性スパッタリングにより酸化錫（ＳｎＯ）膜を複数作製し、熱分析装置によりその融点を測定したところ、酸化錫（ＳｎＯ）膜は１６３０℃、酸化インジウム（ＩｎＯ）膜は１９１０℃とそれぞれの単体より融点が高いことが分かった。

　また、酸化錫（ＳｎＯ）膜や酸化インジウム（ＩｎＯ）膜は化学的に安定であるため、ドライエッチングする際に一般的に用いられるフッ素系ガス(例えば、ＣＦ_４ガスやＳＦ_６ガスなどのフッ素を含むエッチングガス）または塩素系ガス（例えば、Ｃｌ_２ガスやＨＣｌガスなどの塩素を含むエッチングガス）によりエッチングされにくい傾向がある。この場合、ドライエッチングレートが低いため、吸収膜４上に形成されるレジストも厚くする必要があり、結果として微細な吸収膜パターン１４ａを形成することが難しくなる傾向がある。

　これに対し、酸化錫（ＳｎＯ）膜または酸化インジウム（ＩｎＯ）膜に、フッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい特性を有する材料をそれぞれ混合することで、フッ素系ガスまたは塩素系ガスを使用したときのエッチングレートが改善可能となる。これにより吸収膜４上のレジスト膜厚を薄くすることができ、結果として高吸収性材料による微細な吸収膜パターン１４ａを形成する難度を下げることができる。
　一般に、ドライエッチングは、プラズマ中で導入ガスが電子と衝突し、活性ラジカルや種々の形に解離した反応性イオンが発生してエッチングを引き起こすが、エッチング表面に低沸点の揮発性生成物を形成するほどエッチングされやすい。そして、その指標となるのは、被エッチング材料と導入ガスとによる反応生成物の沸点や蒸気圧である。すなわち、沸点が低い反応生成物ほど気化して蒸気圧は高くなり排気されやすい。

　反射型フォトマスクブランク１０の吸収膜４のエッチングにおいて、上述した「エッチングされやすい」、「エッチングされにくい」の定義について、以下説明する。
　塩素系ガスに対してエッチングされやすい場合とは、エッチングによって生成する少なくとも一種の塩素系化合物の沸点が２５０℃以下であることを意味し、塩素系ガスに対してエッチングされにくい場合とは、エッチングによって生成する化学量論的にとり得る形態の塩化物の沸点が３００℃以上であることを意味する。なお、フッ素系ガスに対しても同様である。

　本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０に備わる吸収膜４及び反射型フォトマスク２０に備わる吸収膜パターン１４ａは、フッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい混合材料を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜または酸化インジウム（ＩｎＯ）膜であって、酸化錫（ＳｎＯ）または酸化インジウム（ＩｎＯ）に対する上記混合材料の原子数比が０％超４５％以下の範囲内の膜である。すなわち、酸化錫（ＳｎＯ）または酸化インジウム（ＩｎＯ）の原子数比が５０％より多く、１００％未満の膜である。この範囲の化合物材料であれば、ＥＵＶ光に対する光学定数である屈折率はほとんど変化しない。また、消衰係数ｋは原子数比によって変化するが、吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）について、膜厚４５ｎｍ以下、ＥＵＶ反射率３％以下を達成することができる。これにより、フッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい混合材料を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜または酸化インジウム（ＩｎＯ）膜は、既存の吸収膜の形成材料であるタンタル（Ｔａ）より高い光吸収性が得られる。

　実際に、酸化錫（ＳｎＯ）の含有量が５０％より多く、１００％未満の範囲であって、各々の金属の含有量を変化させたシリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜サンプルを複数作製し、ＥＵＶ光波長（１３．５ｎｍ）における反射率を測定すると、既存のタンタル（Ｔａ）吸収膜の膜厚（６０ｎｍ程度）のよりも薄い膜厚でＥＵＶ反射率３％以下を達成することができている。
　つまり、本実施形態に係る反射型マスクブランク１０は、基板１と、基板１上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射膜２と、反射膜２上に形成された反射膜２を保護するキャッピング層３と、キャッピング層３上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜４と、を有し、吸収膜４は、酸化錫（ＳｎＯ）及び酸化インジウム（ＩｎＯ）の少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含んでいる。

　また、本実施形態に係る反射型マスク２０は、基板１１と、基板１１上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射膜１２と、反射膜１２上に形成された反射膜１２を保護するキャッピング層１３と、キャッピング層１３上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜パターン１４ａと、を有し、吸収膜パターン１４ａは、酸化錫（ＳｎＯ）及び酸化インジウム（ＩｎＯ）の少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含んでいる。

　吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）に混合する材料は、上記エッチングプロセスを実現するため、フッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料、即ちフッ素系化合物または塩素系化合物の沸点が低い物質を用いることが望ましい。つまり、吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）に混合する材料としては、フッ素化または塩素化させた状態において、その沸点がより低くなるような物質を選択することが望ましい。

　表1に、本実施形態に係る反射型フォトマスク２０の吸収材（主成分）として好適な錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、及び混合する材料として好適な金属のハロゲン系化合物の沸点を示した。表１の数値は各種文献（ＣＲＣ　Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｏｈｙｓｉｃｓ，　９７ｔｈ　Ｅｄｉｔｉｏｎ　（２０１６）など）及びウェブサイトで見られる値をまとめたものである。表１に示すようにフッ素系ガスにエッチングされやすい混合材料としては珪素、アンチモン、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ゲルマニウム、ヒ素、バナジウム、セレン、モリブデン、タンタルが望ましい。塩素系ガスにエッチングされやすい混合材料としては珪素、クロム、ゲルマニウム、ヒ素、バナジウム、チタン、タンタル、アルミニウムなどが望ましい。また、これらの混合材料の酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいは窒化ホウ素化物を用いてもよい。また、エッチングガスとしてフッ素系ガス及び塩素系ガスの混合ガスを用いてもよく、反応促進のために酸素ガスや水素ガス等の非ハロゲン系のガスを含んでいてもよい。

　ＥＵＶ露光に限らず、投影露光による転写を実現するうえで、フォトマスクに要求される光学特性は、第一にマスクコントラストである。通常、透過型マスクにおいて、マスクコントラストは、透明基板部を透過した透過率をＴ０、遮光膜を含むパターン部を透過した透過率をＴとするとき、下記（１）式で評価される。
　　ＯＤ＝－ｌｏｇ（Ｔ／Ｔ０）　・・・　（１）
　ここで、ＯＤは光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄｅｎｓｉｔｙ）と呼ばれ、遮光膜の遮光性の程度を表す。
　ＥＵＶマスクにおいても、マスクコントラストは同様に評価でき、多層反射膜１２と保護膜１３とからなる高反射部による反射率をＲ０、吸収膜パターン１４ａを含む低反射部からの反射率をＲとすると（図２参照）、透過型マスクと同様に、下記（２）式で評価される。
　　ＯＤ＝－ｌｏｇ（Ｒ／Ｒ０）　・・・　（２）

　反射型フォトマスクブランク１０及び反射型フォトマスク２０において、一般に、ＯＤ値は高いほど好ましい。図４に示すＥＵＶ光反射率及び図５に示すＯＤ値は、各々吸収膜４の下には厚さ２．５ｎｍのＲｕによるキャッピング層（保護層）３、さらにその下にはＳｉとＭｏを一対とする積層膜を複数（例えば４０対）積層させた多層反射膜２、その下に平坦な合成石英基板（基板１）、さらにその合成石英基板の裏面には窒化クロム（ＣｒＮ）からなる裏面導電膜が存在する反射型フォトマスクブランク１０に対して、各層の光学定数（屈折率、消衰係数）及び膜厚を用いて計算されている。つまり、ＯＤ値は、図１に示す反射型フォトマスクブランク１０及び図２に示す反射型フォトマスク２０のそれぞれの基板１の裏面に裏面導電膜が設けられた構成に基づいて計算されている。しかしながら、本実施形態に係る反射型フォトマスクブランク１０及び反射型フォトマスク２０の多層反射膜２、１２、キャッピング層３、１３、裏面導電膜及び基板１、１１の材料や膜厚は、これらに限定されるものではない。

　図４から分かるように、タンタル（Ｔａ）膜に対して、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は、例えば同じ膜厚の場合、ＥＵＶ光反射率を大幅に低くできる。また、タンタル（Ｔａ）膜に対して、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は、同じ反射率の場合に膜厚を大幅に低減できる。このようにタンタル（Ｔａ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は、ＥＵＶ光の波長における高吸収膜を構成する構成要素として有効である。
　図５から分かるように、１以上のＯＤ値を得るためには、タンタル（Ｔａ）膜は少なくとも約４０ｎｍの膜厚が必要であるのに対して、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は約１８ｎｍの膜厚でよい。このように、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は、ＯＤ値という観点からも、タンタル（Ｔａ）膜と比較して、吸収膜４の全体の厚さを低減できる構成要素として有効であることが分かる。

　また、２以上のＯＤ値を得るためには、タンタル（Ｔａ）膜は少なくとも約７０ｎｍの膜厚が必要であるのに対して、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は３３ｎｍの膜厚でよい。このように、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜は、２以上のＯＤ値においても、タンタル（Ｔａ）膜と比較して、吸収膜４の全体の厚さを低減できる構成要素として有効であることが分かる。従来の吸収膜では、７０ｎｍ（ＯＤ値が２）程度の膜厚のタンタル（Ｔａ）膜が標準的に用いられている。
　このように、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜を吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）として用いることで、反射型フォトマスクブランク１０及び反射型フォトマスク２０の基本性能を示すＯＤ値を維持したまま、吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）を薄くすることが可能になる。

　次に、射影効果の影響を評価するために、タンタル（Ｔａ）膜とシリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜のそれぞれで、膜厚を変更したときに、ＨＶバイアス値がどのように変化するかをシミュレーションにより比較した。ＨＶバイアス値は、マスクパターンの向きに依存した転写パターンの線幅差、つまり、水平（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ：Ｈ）方向の線幅と垂直（Ｖｅｒｔｉｃａｌ：Ｖ）方向の線幅との差のことである。Ｈ方向の線幅は、入射光と反射光が作る面（以下、「入射面」と称する場合がある）に直交する線状パターンの線幅を示し、Ｖ方向の線幅は、入射面に平行な線状パターンの線幅を示している。つまり、Ｈ方向の線幅は、入射面に平行な方向の長さであり、Ｖ方向の線幅は、入射面に直交する方向の長さである。

　射影効果により影響を受けるのは、Ｈ方向の線幅であり、転写パターンのエッジ部のコントラスト低下やＨ方向の線幅の減少が生じる。射影効果の影響を受けたパターンは、転写後の線幅が所望の線幅よりも小さくなる。一方、Ｖ方向の線幅は、射影効果の影響をほとんど受けない。このため、入射面に垂直な方向の転写パターンの線幅と入射面に平行な方向の転写パターンの線幅とで、線幅差（ＨＶバイアス）が生じる。
　ここで、既存のタンタル（Ｔａ）膜（膜厚６０ｎｍ）及びシリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜（膜厚２６ｎｍ）のそれぞれのＨＶバイアス値を比較したところ、表２に示すように、ＨＶバイアス値は、タンタル（Ｔａ）膜では７．３ｎｍと非常に大きいが、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜では４．０ｎｍと大幅に低減でき、改善されている。このように、本実施形態の反射型フォトマスクブランク１０及び反射型フォトマスク２０では、吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）の形成材料にシリコン（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜を用いることで、射影効果の影響（ＨＶバイアス）を大幅に低減できることが分かる。

　前述の通り、熱的耐性を持たせるために吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）に使用される材料は、単体よりは酸化物であることが望ましい。熱的耐性を持たせるためには確実に単体と酸素が結合している状態であることが必要である。つまり、本実施形態の吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）に使用される酸化錫（ＳｎＯ）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）膜としては、錫（Ｓｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｓｎ）が１．５以上２．５以下の間にある酸化錫（ＳｎＯ）膜、インジウム（Ｉｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｉｎ）が１．０以上２．０以下の間にある酸化インジウム（ＩｎＯ）膜であることが好ましい。

　図６は吸収膜１４を形成する主成分（形成材料）として酸化錫（ＳｎＯ）を選択し、反射型フォトマスク２０を作製した際の電子線修正エッチング処理後の吸収膜パターン１４ａを示す概略断面図である。
　電子線修正エッチングは、例えばフッ素系ガス（ＸｅＦ_２）のようなエッチングガスを供給しつつ、被エッチング箇所に電子線を照射することにより、フッ素のエッチャントの反応性を促進して酸化錫（ＳｎＯ）をエッチングする。しかし、酸化錫（ＳｎＯ）はフッ素系ガスに対するエッチング耐性が強く、エッチングに極めて長い時間が掛かるため、図６の１４ｂに示すようなサイドエッチングＢＳと呼ばれるエッチング方向とは垂直なダメージが発生することがある。サイドエッチングＢＳが大きいと電子線修正エッチングした箇所の線幅が大きくずれるため、エッチングガスに対するエッチング耐性が強く、エッチングに極めて長い時間が掛かることは、修正に失敗する原因の一つとなる。

　そこで、フッ素系ガスに対してエッチングがされやすい材料、即ちフッ素系化合物の沸点が２５０℃以下である材料を含有する酸化錫（ＳｎＯ）を吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）として使用することで、修正エッチングレートが改善し、サイドエッチングＢＳを２ｎｍ以下に抑制することができるため、電子線修正エッチングの成功率を向上することが可能である。従って、フッ素系ガスによって修正サイドエッチングＢＳが２ｎｍ以下である場合、修正エッチングレートが速い材料と言える。酸化インジウム（ＩｎＯ）を４（吸収膜パターン１４ａ）として使用した場合についても同様である。

　また、フッ素系ガスによる電子線修正エッチングで下地の保護膜１３がエッチングされてしまう場合、塩素系ガス（ＮＯＣl）による電子線修正エッチングが可能である。酸化インジウム（ＩｎＯ）は塩素系ガスに対してエッチングされにくいため、同様にサイドエッチングＢＳが発生してしまうことがある。その場合、塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料、即ち塩素系化合物の沸点が２５０℃以下である材料を含有する酸化インジウム（ＩｎＯ）を吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）として使用することで、修正エッチングレートが改善し、サイドエッチングＢＳを抑制することができるため、電子線修正エッチングの成功率を向上することが可能である。

　吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）に混合する材料は、上記エッチングプロセスを実現するため、フッ素系ガスまたは塩素系ガスにより電子線修正エッチングが可能である材料、即ちフッ素系化合物または塩素系化合物の沸点が２５０℃以下であることが望ましい。具体的には、表１に示すようにフッ素系ガスにエッチングされやすい混合材料としては珪素、アンチモン、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ゲルマニウム、ヒ素、バナジウム、セレン、モリブデン、タンタルが望ましい。塩素系ガスにエッチングされやすい混合材料としては珪素、クロム、ゲルマニウム、ヒ素、バナジウム、チタン、タンタル、アルミニウムなどが望ましい。また、これらの混合材料の酸化物、窒化物、酸窒化物、あるいは窒化ホウ素化物を用いてもよい。また、エッチングガスとしてフッ素系ガスと塩素系ガスの混合ガスを用いてもよい。

　このように、本実施形態に係る吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）は、電子線修正時における修正エッチングレートが、酸化錫（ＳｎＯ）及び酸化インジウム（ＩｎＯ）の少なくとも一種のみで構成された吸収膜（吸収膜パターン）の電子線修正時における修正エッチングレートに比べて、速い材料を含んでいる。ここで、「電子線修正時における修正エッチングレートが速い材料」とは、上述した「フッ素系ガスまたは塩素系ガスにより電子線修正エッチングが可能である材料」を意味する。

　また、上述した混合材料を用いることによりマスク洗浄に一般に使用されるＳＰＭ（硫酸過水）やＡＰＭ（アンモニア・過酸化水素水混合液）のような薬液に対する耐性が低下し、吸収膜表面が荒れ、反射率に悪影響を及ぼすなどの弊害が生じる場合、吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）の上に洗浄耐性のある層を１～５ｎｍ程度設けてもよい。別の方法としてはマスク表面に露出している吸収膜４（吸収膜パターン１４ａ）、あるいはキャッピング層３、１３を覆うように、洗浄耐性のある被覆膜を設けてもよい。
　洗浄耐性のある層または被覆膜に使用される材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、ＴａＯ、ＴａＮ、ＴａＢＮ、ＣｒＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＯ、ＴｉＯ_２などの化合物を少なくとも一つ含んだ材料が挙げられる。

［実施例１］
　以下、本発明に係る反射型フォトマスクブランクおよびフォトマスクについて図と表を用いて実施例を説明する。
　図７に示すように、低熱膨張特性を有する合成石英の基板１１の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）を一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された多層反射膜１２を形成した。多層反射膜１２の膜厚は２８０ｎｍとした。
　次に、多層反射膜１２上に、中間膜としてルテニウム（Ｒｕ）で形成されたキャッピング層１３を、その膜厚が２．５ｎｍになるように成膜した。これにより、基板１１上には多層反射膜１２及びキャッピング層１３を有する反射部が形成されている。キャッピング層１３の上に、酸化錫（ＳｎＯ）と珪素（Ｓｉ）とで形成された吸収膜１４をその膜厚が２６ｎｍになるよう成膜した。錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）、珪素（Ｓｉ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ３１．７：６３．３：５．０であった。また、ＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることがわかった。

　次に、基板１１の多層反射膜１２が形成されていない側に窒化クロム（ＣｒＮ）で形成された裏面導電膜１５を１００ｎｍの厚さで成膜し、反射型フォトマスクブランク１００を作製した。
　基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。
　上記の珪素（Ｓｉ）を含む酸化錫（ＳｎＯ）膜について、反射層領域の反射率Ｒ０と、吸収膜領域の反射率Ｒを、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定した。その測定結果から、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が０．０８％、ＯＤ値が２．９に作製できていることが分かった。

　次に、反射型フォトマスク２００の作製方法について図８から図１０を用いて説明する。
　図８に示すように、反射型フォトマスクブランク１００に備えられた吸収膜１４の上に、ポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで成膜し、１１０℃で１０分間ベークし、レジスト膜１６を形成した。
　次いで、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってポジ型化学増幅型レジストで形成されたレジスト膜１６に所定のパターンを描画した。その後、１１０℃、１０分間ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、図９に示すように、レジストパターン１６ａを形成した。

　次に、図９に示すようにレジストパターン１６ａをエッチングマスクとして、塩素系ガスとフッ素系との混合ガスを主体としたドライエッチングにより吸収膜１４のパターニングを行い、吸収膜パターン１４ａを形成した。ここで、レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）の計算を行い、既存の酸化錫（ＳｎＯ）１００％の膜または酸化インジウム（ＩｎＯ）１００％の膜に対して、選択比が向上している場合を「〇」、選択比が悪化している場合を「×」とした。比較対象は主成分の膜と同一の膜である。
　表２に示すように本ブランクのレジスト選択比は酸化錫（ＳｎＯ）１００％の膜と比較して向上していることがわかった。

　次に、図１０に示すように残存したレジストパターン１６ａの剥離を行い、吸収膜パターン１４aを形成し、実施例１の反射型フォトマスク２００を作製した。実施例１において、低反射層として機能する吸収膜１４で形成された吸収膜パターン１４ａは、線幅６４ｎｍＬＳ（ラインアンドスペース）パターンとした。この線幅６４ｎｍＬＳパターンは、ＥＵＶ照射による射影効果の影響が見えやすくなるように、ｘ方向とｙ方向にそれぞれ設計した。

　ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、後述する各実施例及び後述する各比較例で作製した反射型フォトマスク２００の吸収膜パターン１４ａを転写露光した。このとき、露光量は、ｘ方向のＬＳパターンが設計通りに転写するように調節した。電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性とＨＶバイアスの確認を行った。より詳しくは、実施例１では、ｙ方向のＬＳパターンが適切に転写され、既存のタンタル（Ｔａ）マスクを用いた場合と比較したときのＨＶバイアスの大小で評価した。つまり、ｘ方向のＬＳパターンが設計通りに転写するように調節した状態で、ｙ方向のＬＳパターンが設計通りに転写され、ＨＶバイアスが既存のタンタル（Ｔａ）マスクを用いた場合よりも小さい場合を「合格」とし、設計通りに転写されない場合（ｙ方向のＬＳパターンが解像しない場合）、あるいはＨＶバイアスが既存のタンタル（Ｔａ）マスクを用いた場合よりも大きいを「不合格」とした。表２に示すように、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、１２．０ｎｍ、ＨＶバイアスが４．０ｎｍであった。つまり、実施例１の反射型フォトマスク２００は、使用上問題のないパターン転写性を備えていた。

　なお、上述した「既存のタンタル（Ｔａ）マスク」については、表２において「参考例」として記載した。
　図１１に反射型フォトマスク２００における吸収膜パターン１４ａの一部を拡大した図を示す。ここでは、レジストパターン１６ａを用いてドライエッチング処理により、形成した吸収膜パターン１４ａに対して電子線修正エッチングを行う際の具体的な手法について解説する。まず、最表層である吸収膜パターン１４ａに対して電子線修正機（ＭｅＲｉＴ　ＭＧ４５：ＣａｒｌＺｅｉｓｓ社製）を用いて、フッ素系ガスと酸素とを混合したガス雰囲気にて電子線を照射し電子線修正エッチングを行った。この時のフッ素ガス流量は温度にて制御されるコールドトラップ技術を用いた。その温度はフッ素が－２６℃（以降、制御温度とする）、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳはＳＥＭ（ＬＷＭ９０４５：ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）にて線幅を計測し、１ｎｍ未満であることを確認した。

　なお、表２の「判定」の欄には、既存のタンタル（Ｔａ）マスクと比較して、ＯＤ値及び転写性の両観点において優位性を見いだせた場合には「〇」を、ＯＤ値及び転写性の少なくとも一方の観点において優位性を見いだせなかった場合には「△」を、ＯＤ値及び転写性の少なくとも一方の観点において劣っていた場合には「×」を記載した。

［実施例２］
　吸収膜１４を酸化錫（ＳｎＯ）と珪素（Ｓｉ）で形成し、その膜厚が４５ｎｍになるよう成膜した。錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）と珪素（Ｓｉ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１６．７：３３．３：５０．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化錫（ＳｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が１．８％、ＯＤ値が１．６に作製できていることが分かった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、１０．７ｎｍ、ＨＶバイアスが５．３ｎｍであった。つまり、実施例２の反射型フォトマスク２００は、使用上問題のないパターン転写性を備えていた。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

［比較例１］
　吸収膜１４を酸化錫（ＳｎＯ）と珪素（Ｓｉ）で形成し、その膜厚が４５ｎｍになるよう成膜した。錫（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）と珪素（Ｓｉ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１０．０：２０．０：７０．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化錫（ＳｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が５．１％、ＯＤ値が１．１に作製できていることが分かった。つまり、既存のタンタル（Ｔａ）マスクよりＥＵＶ光反射率が高くなってしまった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、１２．９ｎｍ、ＨＶバイアスが３．１ｎｍであった。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

［実施例３］
　吸収膜１４を酸化インジウム（ＩｎＯ）とモリブデン（Ｍｏ）で形成し、その膜厚が２７ｎｍになるよう成膜した。インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とモリブデン（Ｍｏ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ３８．０：５７．０：５．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化インジウム（ＩｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が１．０％、ＯＤ値が１．８に作製できていることが分かった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、１１．５ｎｍ、ＨＶバイアスが４．５ｎｍであった。つまり、実施例３の反射型フォトマスク２００は、使用上問題のないパターン転写性を備えていた。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

［実施例４］
　吸収膜１４を酸化インジウム（ＩｎＯ）とモリブデン（Ｍｏ）で形成し、その膜厚が３４ｎｍになるよう成膜した。インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とモリブデン（Ｍｏ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ２４．０：３６．０：４０．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化インジウム（ＩｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が２．３％、ＯＤ値が１．４に作製できていることが分かった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、１１．０ｎｍ、ＨＶバイアスが５．０ｎｍであった。つまり、実施例４の反射型フォトマスク２００は、使用上問題のないパターン転写性を備えていた。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

［比較例２］
　吸収膜１４を酸化インジウム（ＩｎＯ）とモリブデン（Ｍｏ）で形成し、その膜厚が４２ｎｍになるよう成膜した。インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とモリブデン（Ｍｏ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ２４．０：３６．０：４０．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化インジウム（ＩｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が１．０％、ＯＤ値が１．８に作製できていることが分かった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、７．０ｎｍ、ＨＶバイアスが９．０ｎｍであった。つまり、比較例３の反射型フォトマスク２００は、既存のタンタル（Ｔａ）マスクよりパターン転写性が悪く、優位性は見いだせなかった。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

［比較例３］
　吸収膜１４を酸化インジウム（ＩｎＯ）とモリブデン（Ｍｏ）で形成し、その膜厚が５０ｎｍになるよう成膜した。インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とモリブデン（Ｍｏ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ２４．０：３６．０：４０．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化インジウム（ＩｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が０．７％、ＯＤ値が２.０に作製できていることが分かった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、解像しなかった。つまり、比較例４の反射型フォトマスク２００は、既存のタンタル（Ｔａ）マスクよりパターン転写性が悪く、優位性は見いだせなかった。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

［比較例４］
　吸収膜１４を酸化インジウム（ＩｎＯ）とモリブデン（Ｍｏ）で形成し、その膜厚が４５ｎｍになるよう成膜した。インジウム（Ｉｎ）と酸素（Ｏ）とモリブデン（Ｍｏ）の原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ１６．０：２４．０：６０．０であった。その他の膜の形成方法とマスク作製方法は実施例１と同様である。レジスト膜１６に対するエッチング選択比（レジスト選択比）を計算したところ、酸化インジウム（ＩｎＯ）１００％の膜よりよいことが分かった。

　また、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定を行うとともに、マスク特性であるＯＤ値を計算した結果、表２に示すように、ＥＵＶ反射率が６．６％、ＯＤ値が１．０に作製できていることが分かった。つまり、既存のタンタル（Ｔａ）マスクよりＥＵＶ光反射率が高くなってしまった。
　ＥＵＶ露光による転写性評価では、ｙ方向のＬＳパターン寸法は設計値１６．０ｎｍに対して、６．４ｎｍ、ＨＶバイアスが９．６ｎｍであった。つまり、比較例５の反射型フォトマスク２００は、既存のタンタル（Ｔａ）マスクよりパターン転写性が悪く、優位性は見いだせなかった。
　電子線エッチング修正では、フッ素ガス流量の制御温度を－２０℃とし、酸素が－４３℃であった。その際のサイドエッチングＢＳは１ｎｍ未満であることを確認した。

　本発明に係る反射型フォトマスクは、半導体集積回路などの製造工程において、ＥＵＶ露光によって微細なパターンを形成するために好適に用いることができる。

１…基板
２…多層反射膜
３…キャッピング層
４…吸収膜
１０…反射型フォトマスクブランク（反射型マスクブランク）
１１…基板
１２…多層反射膜
１３…キャッピング層
１４…吸収膜
１４ａ…吸収膜パターン
１４ｂ…吸収膜パターンにおける電子線修正エッチング箇所
１５…裏面導電膜
１６…レジスト膜
１６ａ…レジストパターン
ＢＳ…サイドエッチング
２０…反射型フォトマスク（反射型マスク）
１００…反射型フォトマスクブランク（反射型マスクブランク）
２００…反射型フォトマスク（反射型マスク）

Claims

　基板と、
　前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射膜と、
　前記反射膜上に形成された該反射膜を保護する保護膜と、
　前記保護膜上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、を有する反射型マスクブランクであって、
　前記吸収膜は、酸化錫及び酸化インジウムの少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含むことを特徴とする反射型マスクブランク。
　前記フッ素系ガスに対してエッチングされやすい材料は、珪素、アンチモン、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ゲルマニウム、バナジウム、セレン、モリブデン、及びタンタル、並びにそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、及び窒化ホウ素化物からなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
　前記塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料は、珪素、クロム、ゲルマニウム、バナジウム、チタン、タンタル、及びアルミニウム、並びにそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、及び窒化ホウ素化物からなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
　前記吸収膜の膜厚は、４５ｎｍ以下であり、
　ＯＤ値（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄｅｎｓｉｔｙ：光学濃度）は、１．０以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
　前記吸収膜における、錫（Ｓｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｓｎ）は、１.５以上２．５以下の範囲内であり、
　前記吸収膜における、インジウム（Ｉｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｉｎ）は、１．０以上２．０以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
　前記吸収膜は、電子線修正時における修正エッチングレートが、酸化錫及び酸化インジウムの少なくとも一種のみで構成された吸収膜の電子線修正時における修正エッチングレートに比べて、速い材料を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
　基板と、
　前記基板上に形成された多層膜構造を有するＥＵＶ光を反射する反射膜と、
　前記反射膜上に形成された該反射膜を保護する保護膜と、
　前記保護膜上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、を有し、
　前記吸収膜は、酸化錫及び酸化インジウムの少なくとも一方を構成する元素を５０原子％以上含み、且つフッ素系ガスまたは塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料を含むことを特徴とする反射型マスク。
　前記フッ素系ガスに対してエッチングされやすい材料は、珪素、アンチモン、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ゲルマニウム、バナジウム、セレン、モリブデン、及びタンタル、並びにそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、及び窒化ホウ素化物からなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項７に記載の反射型マスク。
　前記塩素系ガスに対してエッチングされやすい材料は、珪素、クロム、ゲルマニウム、バナジウム、チタン、タンタル、及びアルミニウム、並びにそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、及び窒化ホウ素化物からなる群より選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項７に記載の反射型マスク。
　前記吸収膜の膜厚は、４５ｎｍ以下であり、
　ＯＤ値（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄｅｎｓｉｔｙ：光学濃度）は、１．０以上であることを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の反射型マスク。
　前記吸収膜における、錫（Ｓｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｓｎ）は、１.５以上２．５以下の範囲内であり、
　前記吸収膜における、インジウム（Ｉｎ）に対する酸素（Ｏ）の原子数比（Ｏ／Ｉｎ）は、１．０以上２．０以下の範囲内であることを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の反射型マスク。
　前記吸収膜は、電子線修正時における修正エッチングレートが、酸化錫及び酸化インジウムの少なくとも一種のみで構成された吸収膜の電子線修正時における修正エッチングレートに比べて、速い材料を含むことを特徴とする請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の反射型マスク。