KR20080104267A - 반사형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 반사형포토마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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KR20080104267A
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타다시 마츠오
고이치로 가나야마
신페이 다무라
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도판 인사츠 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에서 반사형 포토마스크 블랭크 (10)은 기판 (1), 기판 (1) 상에 형성되고, 노광광을 반사하는 다층 반사막 (2), 다층 반사막 (2) 상에 형성되고, 다층 반사막 (2)를 보호하는 보호막 (3), 보호막 (3) 상에서 노광광을 흡수하는 흡수체층 (5), 및 흡수체층 (5)와 보호막 (3) 사이에 형성되고, 흡수체층 (5)의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 완충막 (4)를 구비하며, 이 때 보호막 (3)은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 이루어진다.
기판, 노광광, 다층 반사막, 보호막, 흡수체층, 노광 전사 패턴 형성, 완충막, 반사형 포토마스크 블랭크, 겸용막

Description

반사형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 반사형 포토마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법{REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, REFLECTIVE PHOTOMASK AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 포토 리소그래피법에 있어서, 반도체 장치 제조 등에 이용되는 반사형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 반사형 포토마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.　 특히, 연 X선 영역의 극단자외광, 즉 EUV(Extreme Ultra Violet)광을 사용한 포토 리소그래피법에 관한 것이다.　
본원은 2006년 3월 30일에 일본국에 출원된 일본 특허 출원 제2006-93304호, 및 2006년 9월 15일에 일본국에 출원된 일본 특허 출원 제2006-251160호에 대하여 우선권을 주장하며, 그 내용을 여기에 원용한다.　
종래, 반도체 소자 제조에 있어서, 포토 리소그래피법에 의해서 Si 기판 상에 필요한 패턴 전사를 할 때에는, 광원으로서 램프 광원(파장 365 nm)이나 엑시머 레이저 광원(KrF: 파장 248 nm, ArF: 파장 193 nm)이 사용되었다. 최근의 반도체 소자의 고집적화에 따라, Si 기판 상에 필요한 패턴 전사의 미세화가 가속화하고 있고, 특히, 100 nm 이하의 미세 가공이 가능한 새로운 포토 리소그래피법의 확립이 시급히 요구되고 있다.　 이 때문에, 현재는, 보다 단파장역의 엑시머 레이저광 인 F2 레이저광(파장 157 nm)에 의한 포토 리소그래피법의 개발이 진행되고 있다.　 그러나, 통상적으로 노광광의 파장의 절반의 크기가 실질적인 해상 한계이기 때문에, F2 레이저광을 사용했다고 해도 70 nm 정도의 가공이 한계가 된다.　 따라서, F2 레이저광보다 1자릿수 이상이나 짧은 파장을 갖는 EUV광(파장 13.5 nm)을 광원으로 하는 포토 리소그래피법의 개발이 요망되고 있다.　
EUV광을 사용한 EUV 리소그래피법에서는, 반사 광학계에 의한 노광이 이용된다.　 이것은 EUV광의 파장 영역에서의 물질의 굴절률이 1보다 약간 작은 정도이고, 종래의 노광원에서 이용되는 굴절 광학계를 사용할 수 없는 것에 의한다. 또한, 종래 패턴 전사에는 투과형 포토마스크가 사용되었지만, EUV광의 파장역에서는 대부분의 물질이 높은 광흡수성을 갖기 때문에, 반사형 포토마스크가 사용된다.　
이러한 EUV 리소그래피법에 있어서의 반사형 포토마스크로서는, 기판 상에, EUV광을 반사할 수 있는 다층 반사막과, 다층 반사막 상에 형성되고 EUV광의 흡수율이 높은 재질의 흡수체층으로 구성된 반사형 포토마스크 블랭크를 사용한 것이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 보다 상세하게는, 다층 반사막은 EUV광의 파장에 대한 굴절률이 서로 크게 다른 2종 이상의 재료층을 주기적으로 적층시킨 구조로 되어있다.　 또한, 흡수체층은 질화 탄탈을 포함하는 막과, 탄탈을 포함하는 막의 적층 구조로 되어있다.　 그리고, 이 흡수체층을 소정의 패턴으로 에칭함으로써 EUV광이 소정의 패턴으로 다층 반사막에서 반사되어, Si 기판 상에 패턴 전사를 가능하게 한다.　
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-237174호 공보
<발명의 개시>
<발명이 해결하고자 하는 과제>
그러나, 특허 문헌 1의 반사형 포토마스크 블랭크에서는, 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 의해서 흡수체층 아래의 다층 반사막의 표면 부분에 손상이 생기게 되고, 이에 따라 반사율이 저하되게 되는 문제가 있었다.　
<과제를 해결하기 위한 수단>
본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 반사율 저하를 방지하는 것이 가능한 반사형 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법, 또한 이러한 반사형 포토마스크 블랭크에 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 수단을 제안하고 있다.　
본 발명의 반사형 포토마스크 블랭크는, 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 상기 다층 반사막 상에 형성되고, 상기 다층 반사막을 보호하는 보호막, 상기 보호막 상에서 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층, 및 상기 흡수체층과 상기 보호막 사이에 형성되고, 상기 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 완충막을 구비하며, 이 때 상기 보호막은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 이루어진다.
또한, 본 발명은 기판 상에 다층 반사막을 형성하는 다층 반사막 형성 공정, 상기 다층 반사막 상에, 불활성 가스 분위기, 또는 불활성 가스와 산소 또는 질소 중의 하나 이상을 포함하는 혼합 가스 분위기에서, ZrSi 합금, Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행하거나, 또는 C를 포함하는 화합물을 원료 가스로 하는 CVD를 행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정, 상기 보호막 상에, 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 재질로 형성된 것을 타겟으로 한 스퍼터링을 행하여 완충막을 형성하는 완충막 형성 공정, 및 상기 완충막 상에 흡수체층을 형성하는 흡수체층 형성 공정을 구비하는, 기판, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 및 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층을 구비한 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 관한 것이다.
이들 발명에 관한 반사형 포토마스크 블랭크에 따르면, 흡수체층에 에칭함으로써 노광 전사 패턴을 형성한 경우에, 흡수체층 아래에 형성된 에칭에 내성을 갖는 완충막이 에칭스토퍼로서 기능한다.　 이 때문에, 에칭에 의한 손상이 하층까지 도달하는 것을 막을 수 있다.　 또한, 노출된 완충막이 에칭에 의해서 제거될 때에, Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 형성된 보호막이 에칭스토퍼로서 기능한다.　 이 때문에, 에칭에 의한 손상이 다층 반사막에 도달하는 것을 막을 수 있어, 다층 반사막의 반사율의 저하를 막을 수 있다.　
또한, 상기 반사형 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 보호막과 상기 완충막은, 상기 보호막 및 상기 완충막을 겸한 단층의 겸용막으로서 형성되어 있고, 상기 겸용막은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 이루어진 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명의 반사형 포토마스크 블랭크는 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 상기 다층 반사막의 상측에 형성되고, 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층, 및 상기 다층 반사막과 상기 흡수체층 사이에 형성되고, 상기 다층 반사막을 보호하고, 상기 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 단층의 겸용막을 구비하며, 이 때 상기 겸용막은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 이루어진다.
또한, 본 발명은 기판 상에 다층 반사막을 형성하는 다층 반사막 형성 공정, 상기 다층 반사막 상에, 불활성 가스 분위기, 또는 불활성 가스와 산소 또는 질소 중의 하나 이상을 포함하는 혼합 가스 분위기에서, ZrSi 합금, Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행하거나, 또는 C를 포함하는 화합물을 원료 가스로 하는 CVD를 행하여 겸용막을 형성하는 겸용막 형성 공정, 및 상기 겸용막 상에 흡수체층을 형성하는 흡수체층 형성 공정을 구비하는, 기판, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 및 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층을 구비한 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 관한 것이다.
이들 발명에 관한 반사형 포토마스크 블랭크에 따르면, 겸용막이 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 형성됨으로써, 흡수체층을 에칭할 때의 다층 반사막의 손상을 막을 수 있다.　 또한, 단층의 막으로 할 수 있기 때문에, 성막 공정의 간략화, 박막화를 도모할 수 있다.　
또한, 상기 겸용막은 EUV광에 대한 투명성을 갖기 때문에, 겸용막을 구비한 상태에도 다층막 반사율의 저하에 실용상 영향을 주지 않는다.　 이 때문에, 흡수체층을 패터닝한 후, 겸용막을 제거할 필요는 없다.　 이에 따라, 완충막을 박리, 및 완충막 박리 후의 흡수층의 패턴의 검사 및 수정을 행하는 공정을 생략할 수 있다는 효과를 발휘한다.　 이 때, 완충막을 생략하는 구성이 되기 때문에, 흡수체층에만 패턴이 형성된다.　 이 때문에, 패턴을 형성하는 부위를 얇게 할 수 있다.　 반사형 포토마스크에 있어서, EUV광은 각도를 갖고 입사되고 반사된다.　 이 때문에, 패턴이 형성되는 부위가 얇아질수록, 패턴은 정밀도 좋게 전사되게 된다.　
또한, 상기 겸용막을 구비한 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 겸용막이 복수층 설치된 것이 보다 바람직하다.
또한, 본 발명은 기판 상에 다층 반사막을 형성하는 다층 반사막 형성 공정, 상기 다층 반사막 상에 불활성 가스 분위기, 또는 불활성 가스와 산소 또는 질소 중의 하나 이상을 포함하는 혼합 가스 분위기에서, ZrSi 합금, Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행하거나, 또는 C를 포함하는 화합물을 원료 가스로 하는 CVD를 행하여 형성되는 겸용막을 복수 적층하는 겸용막 형성 공정, 및 상기 겸용막 상에 흡수체층을 형성하는 흡수체층 형성 공정을 구비하는, 기판, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 및 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층을 구비한 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 관한 것이다.
이들 발명에 관한 반사형 포토마스크 블랭크에 따르면, 복수층의 겸용막을 갖는 포토마스크 블랭크로 함으로써, 겸용막에 요구되는 내성과 투과성에 대하여 유연하게 대응할 수 있다.　 예를 들면, 흡수막 바로 아래의 층에는 에칭 내성과 수정 내성이 높은 재료에 의한 층을 형성하고, 그 하층에 EUV광의 투과율이 높은 재료에 의한 층을 형성함으로써, 흡수체층 패터닝시 및 패턴 수정시의 다층 반사막에 대한 에칭 손상을 방지하여, 반사 영역의 반사율 저하를 억제하는 특성을 얻을 수 있다.
또한, 상기 반사형 포토마스크 블랭크에 있어서, 상기 겸용막은 상기 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 에칭 레이트가 상기 흡수체층에 대하여 1/20 이하인 것이 보다 바람직하다.　
본 발명에 따른 반사형 포토마스크 블랭크에 따르면, 겸용막의 에칭 레이트가 흡수체층의 에칭 레이트의 1/20 이하임으로써 흡수체층을 에칭할 때의 겸용막의 손상을 최소한으로 하고, 그리하여, 그 하층의 다층 반사막의 손상을 막을 수 있다.　
또한, 상기 반사형 포토마스크 블랭크에 있어서, 복수층 설치된 상기 겸용막 내 최상층은, 상기 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 에칭 레이트가 상기 흡수체층에 대하여 1/20 이하인 것이 보다 바람직하다고 되어 있다.　
본 발명에 따른 반사형 포토마스크 블랭크에 따르면, 겸용막 내 최상층의 에칭 레이트가 흡수체층의 에칭 레이트의 1/20 이하이므로, 흡수체층을 에칭할 때의 겸용막의 최상층의 손상을 최소한으로 하고, 그리하여, 그 하층의 겸용막의 하층 부분 및 다층 반사막의 손상을 막을 수 있다.　
또한, 본 발명의 반사형 포토마스크는 상기 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성한 것을 특징으로 한다.　
또한, 본 발명의 반사형 포토마스크는 상기 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성하였다.　
본 발명에 따른 반사형 포토마스크에 따르면, 흡수체층이 에칭된 부분에 양호한 반사율의 반사 영역이 형성되어 있다.　 이 때문에, 노광광을 조사함으로써, 이 반사 영역과 흡수체층에 의해서 양호한 콘트라스트를 갖고 패턴 전사를 행할 수 있다.　
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 반사형 포토마스크에 상기 노광광으로서 극단자외광을 조사하고, 상기 반사형 포토마스크의 상기 다층 반사막에서 반사된 반사광을 반도체 기판 상에 설치된 레지스트층에 노광함으로써, 상기 레지스트층에 상기 반사형 포토마스크의 상기 흡수체층의 패턴을 전사하는 전사 공정을 구비한다.　
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 따르면, 전사 공정에서, 상기 반사형 포토마스크에 극단자외광을 조사하고 패턴 전사를 함으로써 70 nm 이하의 미세한 가공이 가능하다.　
<발명의 효과>
본 발명의 반사형 포토마스크 블랭크 및 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법에 따르면, 완충막 및 보호막을 구비함으로써, 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때에 반사율 저하를 방지하는 것이 가능하다.　
또한, 본 발명의 반사형 포토마스크에 따르면, 다층 반사막의 손상을 막아 양호한 반사율을 얻을 수 있으므로, 양호한 콘트라스트를 갖는 패턴 전사를 가능하게 한다.　
또한, 본 발명의 반사형 포토마스크에 따르면, 보호막 및 완충막을 겸한 겸용막을 구비함으로써, 완충막을 박리, 및 완충막 박리 후의 흡수층의 패턴의 검사 및 수정을 행하는 공정을 생략할 수 있다는 효과를 발휘한다.　
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 따르면, 이러한 반사형 포토마스크를 사용한 전사 공정에서 패턴 전사를 행함으로써, 노광광인 극단자외광의 파장에 대응한 70 nm 이하의 미세 가공이 실시된 반도체 장치의 제조가 가능해진다.　
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크의 단면도이다.　
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태의 반사형 포토마스크의 제조 공정의 설명도이다.　
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태의 반사형 포토마스크의 단면도이다.　
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크의 단면도이다.　
도 5는 본 발명의 제2 실시 형태의 반사형 포토마스크의 단면도이다.　
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태의 반사형 포토마스크에 있어서, ZrSi, ZrSiO의 각 화합물을 겸용막으로서 단층으로 사용했을 때의, 막두께의 변화에 대한 EUV광의 반사율을 도시하는 시뮬레이션 결과이다.　
도 7은 본 발명의 제3 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크의 단면도이다.　
도 8은 본 발명의 제3 실시 형태의 반사형 포토마스크의 단면도이다.　
도 9는 횡축을 EUV광(13.5 nm)에 대한 굴절률, 종축을 EUV광(13.5 nm)에 대한 감쇠 계수로 하고, 각 재료에 관해서 플롯한 그래프이다.　
도 10은 본 발명의 제3 실시 형태의 반사형 포토마스크에 있어서, 겸용막 하층으로서 ZrSi를 3.0, 4.0, 5.0 nm로 3 종류 성막하고, 그 위에 겸용막 상층으로서 ZrSiO를 성막할 때의 막두께를 변화시켰을 때의 EUV광의 반사율을 도시하는 시뮬레이션 결과이다.　
<부호의 설명>
1: 기판
2: 다층 반사막
3: 보호막
4: 완충막
4a: 노출된 영역의 완충막
4b: 완충막 패턴
44: 노출된 영역의 완충막의 표면
5: 흡수체층
5a: 흡수체층 패턴
6: 레지스트층
6a: 레지스트 패턴
31: 겸용막
31a: 겸용막 상층
31b: 겸용막 하층
311, 312: 흡수체층이 제거되어 노출된 반사 영역
33: 노출된 반사 영역
10, 20, 50: 반사형 포토마스크 블랭크
30, 40, 60: 반사형 포토마스크
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
(제1 실시 형태)
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 실시 형태를 도시하고 있다.　 도 1에 도시된 바와 같이, 이 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크 (10)은 기판 (1)과, 기판 (1) 상에 형성된 다층 반사막 (2)와, 다층 반사막 (2) 상에 형성된 보호막 (3)과, 보호막 (3) 상에 형성된 완충막 (4)와, 완충막 (4) 상에 형성된 흡수체층 (5)를 구 비하고 있다.　 보다 상세하게는, 기판 (1)은 Si 기판이나, 합성 석영 기판 등이다.　 또한, 다층 반사막 (2)는 노광광인 EUV광(극단자외광)을 반사함으로써, EUV광에 대한 굴절률이 크게 상이한 재료의 조합에 의한 다층막으로 구성되어 있다.　 예를 들면, 다층 반사막 (2)로서는, Mo와 Si, 또는 Mo와 Be와 같은 조합의 층을 40주기 정도 반복하여 적층함으로써 형성되어 있다.　
또한, 흡수체층 (5)는 후술한 바와 같이 드라이 에칭되어 소정의 노광 전사 패턴으로 형성된 때에, 조사된 EUV광을 흡수하는 것으로서, 즉, EUV광에 대한 고흡수성을 갖는 중금속 중에서 선택된다.　 이러한 중금속으로서는 Ta를 주성분으로 한 합금을 바람직하게 사용할 수 있다.　 또한, 이러한 흡수체층 (5)의 결정 상태로서는, 평활성이 높은 흡수체층 표면을 얻기 위해서, 또는 드라이 에칭에 의한 흡수체층의 이방성 에칭을 행하기 위해서, 비정질쪽이 좋다.　 예를 들면, Ta의 경우에는 Si를 적량 포함한 합금(이하, TaSi계 흡수체라 표기함)으로 함으로써 비정질화를 행할 수 있다.　
또한, 완충막 (4)는 흡수체층 (5)의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 드라이 에칭에 대하여 내성을 갖는 재질로 형성되고, 흡수체층 (5)를 에칭할 때에 하층에 대한 손상을 막는 에칭스토퍼로서 기능하는 것이다.　 즉, 예를 들면, Ru를 타겟으로 한 스퍼터링에 의해서 형성된 것이다.　
또한, 보호막 (3)은 다층 반사막 (2)를 보호하기 위한 것으로서, 완충막 (4)를 에칭하여 제거할 때에, 다층 반사막 (2)에 대한 손상을 막는 에칭스토퍼로서 기능하는 것이다.　 보호막 (3)은 Zr과 Si를 포함하는 화합물(이하, ZrSi로 표기), 또 는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물(이하, ZrSiO 및 ZrSiN으로 표기), 또는 Ru, C 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물(이하, Ru, C, 및 Y로 표기)로 형성되어 있다.　 후술한 바와 같이, 흡수체층 (5) 및 완충막 (4)를 드라이 에칭할 때에는, 에칭 레이트가 큰 염소 가스를 주체로 한 에칭 분위기에서 행해진다.　 그리고, 이 에칭 환경 하에서의 ZrSi, ZrSiO, ZrSiN, Ru, C, 및 Y의 내성은 모두 양호하다.　 표 1에 TaSi계 흡수체 에칭 분위기 하에서, ZrSi, ZrSiO, ZrSiN의 각 화합물에 대한 TaSi계 흡수체의 에칭 선택비를 각각 나타낸다.　 표 1에 나타낸 바와 같이, TaSi계 흡수체의 선택비는 각 ZrSi계 화합물, 즉 ZrSi, ZrSiO, ZrSiN 중 어느 것에 대해서도 커서, 20 이상의 선택성을 갖는 것을 알 수 있다.　
Figure 112008055126685-PCT00001
이러한 보호막 (3)은, 예를 들면, ZrSi로 형성되는 경우에는, Ar 등의 불활성 가스 분위기에서 ZrSi 합금을 타겟으로 한 스퍼터링을 행함으로써 형성된다.　 또한, ZrSiO, 또는 ZrSiN으로 형성되는 경우에는, Ar 등의 불활성 가스와 산소 또는 질소의 혼합 가스 분위기에서 ZrSi 합금을 타겟으로 한 스퍼터링을 행함으로써 형성된다.　 또한, Ru 또는 Y로 형성되는 경우에는, Ar 등의 불활성 가스 분위기에서 Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행함으로써 형성된다.　 또한, C로 형성되는 경우에는, 원료 가스를 CVD시킴으로써 형성된다.　
그리고, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 이러한 반사형 포토마스크 블랭크 (10)의 흡수체층 (5) 및 완충막 (4)를 상술한 바와 같이 염소 가스를 주체로 한 에칭 분위기로 드라이 에칭함으로써, 흡수체층 (5)에 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크 (30)을 제조한다.　 이하, 실시예 1에 기초하여 본 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크 (10) 및 그의 제조 방법의 상세 내용, 및 반사형 포토마스크 (30)의 제조의 상세 내용에 관해서 설명한다.　
<실시예 1>
도 1에 도시하는 반사형 포토마스크 블랭크 (10)에 있어서, 기판 (1)로서, 표면을 연마하여 평탄한 면으로 한 외형 6인치각, 두께 0.25인치의 합성 석영을 이용하였다.　 그리고, 우선, 다층 반사막 형성 공정으로서, 기판 (1) 상에 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 Mo와 Si를 교대로 40주기 정도 적층하여, 파장 13 내지 14 nm 영역의 EUV광에 대하여 반사율이 최대가 되는 다층 반사막 (2)를 제조하였다.　 이 때의 Mo와 Si를 포함하는 1주기의 막두께는 7 nm이고, 그 중 Mo의 막두께는 2.8 nm, Si의 막두께는 4.2 nm이다.　
다음으로, 보호막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에, DC 마그네트론 스퍼터에 의해 보호막 (3)을 형성하였다.　 즉, 스퍼터링 타겟으로서 Zr과 Si의 비가 1:3인 ZrSi 합금 타겟을 사용하고, 이 ZrSi 합금 타겟에 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 ZrSi를 포함하는 막두께 10 nm의 성막을 행하였다.
다음으로, 완충막 형성 공정으로서, 보호막 (3) 상에 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 완충막 (4)를 형성하였다.　 즉, DC 300W를 인가한 Ru 타겟을 이용하고, 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서, Ru를 포함하는 막두께 4 nm의 성막을 행하였다.　
마지막으로, 흡수체층 형성 공정으로서, 완충막 (4) 상에 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 흡수체층 (5)를 형성하였다.　 흡수체층 (5)는 2층막으로 구성하였다.　 우선, TaSi 합금 타겟과 Ta 타겟을 이용한 Ar 가스 분위기에서의 2원 스퍼터에 의해 막두께 75 nm의 성막을 행하였다.　 또한 그에 이어서, Ta 타겟과 Si 타겟을 이용한 Ar/O2/N2 혼합 가스 분위기 하에서의 2원 스퍼터에 의해 막두께 27 nm의 성막을 행하였다.　
이상으로부터 반사형 포토마스크 블랭크 (10)을 얻을 수 있었는데, 이 때, 흡수체층 (5)의 마스크블랭크 최외측 표면에서의 표면 조도는 0.38 nmRms로서, 양호한 표면 평활성을 갖고 있었다.　 또한, 흡수체층 (5)의 반사율은, 파장 193 nm에서 2.15％, 파장 257 nm에서 1.21％로 되어, 검사용의 DUV 광파장역에서 충분한 저반사율 특성을 얻을 수 있었다.　
다음으로, 반사형 포토마스크 블랭크 (10)의 흡수체층 (5)에 노광 전사 패턴을 형성하여, 반사형 포토마스크 (30)을 제조하는 상세 내용에 관해서 설명한다.　 우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 흡수체층 (5) 상에 포지티브형 전자선 레지스트(FEP-171; 후지 필름 아치 제조)를 도포하여 레지스트층 (6)을 형성한다.　 다음 으로, EB 묘화, 현상이라는 리소그래피의 공정에 의해 레지스트 패턴 (6a)를 형성한다.　 또한, 이 레지스트 패턴 (6a)를 마스크로 하여, 흡수체층 (5)를 ICP 방전 방식의 드라이 에칭 장치를 이용하여 에칭함으로써, 도 2에 도시한 바와 같은 흡수체층 패턴 (5a)를 얻었다.　 이 때의 드라이 에칭은 Cl2/He=40/65[sccm]의 혼합 가스에 의한 가스압 5 mTorr의 분위기에서, 바이어스 파워 40 W 및 소스 파워 200 W로 행하였다.　
여기서, 흡수체층 패턴 (5a)를 남기고 흡수체층 (5)를 제거함으로써 노출된 영역인 완충막 (4a)의 표면 (44)에 있어서, 파장 257 nm에서의 반사율은 50.83％였다.　 한편, 레지스트 패턴 (6a)를 박리한 후의 흡수체층 패턴 (5a) 표면에서의 파장 257 nm에서의 반사율은 1.35％였다.　 그 결과, 노출된 영역의 완충막 (4a)의 표면 (44)에 있어서의 반사광과, 흡수체 패턴 (5a)의 표면에서의 반사광 사이에서는, 94.8％의 양호한 콘트라스트치를 얻을 수 있었다.　
다음으로, 노출된 영역의 완충막 (4a)를 제거한다.　 즉, 흡수체층 패턴 (5a)를 마스크로 하여, Cl2/O2 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭을 행함으로써 완충막 패턴 (4b)가 형성되어, 도 3에 도시하는 본 발명의 반사형 포토마스크 (30)을 얻었다.　 이 때, 노출된 영역의 완충막 (4a)를 면내에서 균일하게 막 잔여물없이 제거하기 위해서 30％ 오버 에칭을 행했지만, 하층의 보호막 (3)에 있어서의 에칭량은 1 nm 이하였고, ZrSi를 포함하는 보호막 (3)에 대한 Ru를 포함하는 완충막 (4)의 선택비는 18.64로서, 충분한 내성을 갖고 있었다.　
마지막으로, 흡수체층 (5) 및 완충막 (4)가 제거된 반사 영역 (33)의 표면, 및 흡수체 패턴 (5a)의 표면에서 파장 257 nm에서의 반사율을 측정한 결과, 각각 61.3％, 1.33％였다.　 즉, 노출된 반사 영역 (33)의 반사율은 매우 높아, 다층 반사막 (2)에 대한 손상이 없는 것이 확인되었다.　 또한, 이 결과, 반사 영역 (33)의 반사광과, 흡수체 패턴 (5a)의 표면의 반사광 사이에서는, 95.8％의 높은 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
이상과 같이, 반사형 포토마스크 블랭크 (10)에 따르면, 완충막 (4) 및 보호막 (3)을 구비함으로써, 흡수체층 (5)를 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때에, 다층 반사막 (2)의 반사율 저하를 방지하는 것이 가능하다.　 또한, 반사형 포토마스크 블랭크 (10)로부터 제조된 반사형 포토마스크 (30)에 따르면, 다층 반사막의 손상을 막아 양호한 반사율을 얻을 수 있기 때문에, 양호한 콘트라스트를 갖는 패턴 전사를 가능하게 한다.　 즉, 이러한 반사형 포토마스크 (30)로는, EUV광을 조사함으로써 70 nm 이하가 되는 미세한 패턴 전사가 가능하다.　
(제2 실시 형태)
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 제2 실시 형태를 도시하고 있다.　 이 실시 형태에 있어서, 상술한 실시 형태에서 이용된 부재와 공통의 부재에는 동일한 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.　
이 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크 (20)은 기판 (1)과, 다층 반사막 (2)와, 흡수체층 (5)를 구비함과 동시에, 다층 반사막 (2)와 흡수체층 (5) 사이에는 상기 보호막 (3)과 완충막 (4)를 겸한 단층의 겸용막 (31)이 형성되어 있다.　 즉, 겸용막 (31)은 다층 반사막 (2)를 보호함과 함께, 흡수체층 (5)를 에칭할 때에 다층 반사막 (2)에 대한 손상을 막는 에칭스토퍼로서 기능하는 것이다.　 겸용막 (31)은 Zr과 Si를 포함하는 화합물(ZrSi), 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물(예를 들면, ZrSiO, ZrSiN), 또는 Ru, C 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물(예를 들면, Ru, C, Y)로 형성되어 있다.　 그리고, 이러한 겸용막 (31)이 예를 들면, ZrSi로 형성되는 경우에는, Ar 등의 불활성 가스 분위기에서 ZrSi 합금을 타겟으로 한 스퍼터링을 행함으로써 형성된다.　 또한, ZrSiO, 또는 ZrSiN으로 형성되는 경우에는, Ar 등의 불활성 가스와 산소 또는 질소의 혼합 가스 분위기에서 ZrSi 합금을 타겟으로 한 스퍼터링을 행함으로써 형성된다.　 또한, Ru 또는 Y로 형성되는 경우에는, Ar 등의 불활성 가스 분위기에서 Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행함으로써 형성된다.　 또한, C로 형성되는 경우에는, 원료 가스를 CVD시킴으로써 형성된다.　
그리고, 이러한 반사형 포토마스크 블랭크 (20)의 흡수체층 (5)를 염소 가스를 주체로 한 에칭 분위기로 드라이 에칭함으로써, 흡수체층 (5)에 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크 (40)을 제조한다.　 이하, 실시예 2에 기초하여 본 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크 (20) 및 그의 제조 방법의 상세 내용, 및 반사형 포토마스크 (40)에 관해서 설명한다.　
<실시예 2>
도 4에 도시하는 반사형 포토마스크 블랭크 (20)에 있어서, 기판 (1) 및 다층 반사막 (2) 및 그의 제조 공정인 다층 반사막 형성 공정의 상세 내용에 관해서 는 실시예 1과 동일하기 때문에 생략한다.　
다음으로, 겸용막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에, DC 마그네트론 스퍼터에 의해 겸용막 (31)을 형성하였다.　 즉, 스퍼터링 타겟으로서, Zr과 Si의 비가 1:2인 ZrSi 합금 타겟을 사용하고, 이 ZrSi 합금 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar/O2 혼합 가스 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 ZrSiO를 포함하는 막두께 10 nm의 성막을 행하였다.　 그리고, 실시예 1과 동일하게, 흡수체층 형성 공정으로서 흡수체층 (5)를 형성함으로써 반사형 포토마스크 블랭크 (20)을 얻을 수 있었다.　
다음으로, 레지스트 도포, EB 묘화, 현상의 리소그래피 공정을 거쳐 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 흡수체층 (5)의 드라이 에칭을 행하여 흡수체 패턴 (5a)를 형성하여, 도 5에 도시하는 반사형 포토마스크 (40)을 얻었다.　 흡수체층 (5)의 드라이 에칭으로서는, 흡수체층 (5)를 면내에서 균일하게 막잔여물없이 제거할 목적으로 20％ 오버 에칭을 행했지만, 겸용막 (31)에 있어서의 에칭량은 2 nm 이하였고, ZrSiO를 포함하는 겸용막 (31)에 대한 TaSi계를 포함하는 흡수체층 (5)의 선택비는 표 1로부터 26.50로서, 흡수체층 (5)의 드라이 에칭 환경 하에서의 겸용막 (31)의 내성은 양호하였다.　 마지막으로, 흡수체층 (5)가 제거된 반사 영역 (311)의 표면, 및 흡수체 패턴 (5a)의 표면에서 파장 257 nm에서의 반사율을 측정한 결과, 각각 60.4％, 1.53％였다.　 즉, 반사 영역 (311)의 반사율은 매우 높아, 다층 반사막 (2)에 대한 손상이 없는 것이 확인되었다.　 또한, 이 결과, 반사 영역 (311)의 반사광과, 흡수체 패턴 (5a)의 표면의 반사광 사이에서는, 95.1％의 높은 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
<실시예 3>
다음으로, 다층 반사막 (2) 상에, 겸용막 (31)로서 ZrSi, ZrSiO, ZrSiN을 단층 성막한 구성에 있어서, ZrSi, ZrSiO, ZrSiN의 막두께 변화에 대한 EUV광 반사율 변화의 시뮬레이션을 행하였다.　 그 결과를 도 6에 도시하였다. 도 6에 도시된 바와 같이, EUV광에 대한 투명성은, ZrSi, ZrSiN, ZrSiO의 순으로 높은 값을 나타내는 것을 알 수 있다.　
즉, 도 6에 도시하는 결과로부터, ZrSi, ZrSiO, ZrSiN으로 형성된 각각 10 nm 두께의 단층막을 겸용막 (31)로서 사용하고, 흡수체층 (5)가 에칭에 의해서 부분적으로 제거되어 노출된 반사 영역 (311)에 있어서의 EUV 파장에 대한 시뮬레이션 결과를 상정하면, ZrSiO 단층의 겸용막 (31)보다도, ZrSi 또는 ZrSiN의 단층의 겸용막 (31)쪽이 EUV광 반사율은 높은 것이 나타났다. 이 때문에, ZrSi, ZrSiN을 포함하는 겸용막 (31)은 ZrSiO를 포함하는 겸용막 (31)과 비교하여 동등 또는 그 이상의 높은 콘트라스트치를 얻을 수 있는 것을 확인할 수 있다.　
이상과 같이, 반사형 포토마스크 블랭크 (20)에 따르면, 겸용막 (31)을 구비함으로써, 흡수체층 (5)를 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때에, 반사율 저하를 방지하는 것이 가능하다.　 또한, 보호막 및 완충막을, 보호막 및 완충막을 겸한 단층의 막인 겸용막 (31)로 함으로써, 성막 공정의 간략화, 박막화를 도모할 수 있다.　
또한, 반사형 포토마스크 블랭크 (20)로부터 제조된 반사형 포토마스크 (40)에 따르면, 제1 실시 형태와 동일하게, 양호한 콘트라스트를 갖는 패턴 전사를 가능하게 하여, EUV광을 조사함으로써 70 nm 이하가 되는 미세한 패턴 전사를 가능하게 한다.　
(제3 실시 형태)
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 제3 실시 형태를 도시하고 있다.　 이 실시 형태에 있어서, 상술한 실시 형태에서 이용된 부재와 공통의 부재에는 동일한 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.　
이 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크 (50)은, 기판 (1)과, 다층 반사막 (2)와, 흡수체층 (5)를 구비함과 동시에, 다층 반사막 (2)와 흡수체층 (5) 사이에는 보호막 (3)과 완충막 (4)를 겸한 겸용막 (31)이 형성되어 있다.　 여기서, 겸용막 (31)은 복수의 겸용막의 적층 구조이고, 본 실시 형태에서는 겸용막 상층 (31a)와 겸용막 하층 (31b)의 2층으로 구성되어 있다.　 그리고, 예를 들면, 겸용막 상층 (31a)에 흡수막 에칭 내성이 높은 재료를 필요 최소한의 두께로 성막하고, 겸용막 하층 (31b)에 EUV광에 대한 투과성이 우수한 것을 사용하면, 마스크의 EUV광에 대한 반사율 저하를 억제하면서, 보다 양호한 에칭 내성을 가질 수 있다.　 여기서, 겸용막 (31)은 Zr과 Si를 포함하는 화합물(ZrSi), 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물(예를 들면, ZrSiO, ZrSiN), 또는 Ru, C 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물(예를 들면, Ru, C, Y)로 형성되어 있다.　 그리고, 겸용막 상층 (31a)와 겸용막 하층 (31b)의 특성은 상기 화합물의 조성에 의해 제어할 수 있다.　 또한, 겸용막 (31)은 겸용막 상층 (31a)와 겸용막 하층 (31b)의 2층에 한정되지 않고, 더욱 다수의 층으로 형성되는 것일 수도 있다.
도 9는 각 재료의 EUV광에 대한 광학 상수(굴절률 및 감쇠 계수)를 나타내고 있다.　 또한, 하기 표 2는 TaSi를 포함하는 EUV광 흡수막의 에칭 레이트에 대한 ZrSi, ZrSiN, ZrSiO, Ru, C의 에칭 레이트의 비를 나타내고 있다.　 상기 도표를 참고로 하여 겸용막 하층 (31b)에 EUV광의 투명성이 큰 재료를 선택하고, 겸용막 상층 (31a)에는 에칭 내성이 높은 재료를 선택하면, EUV광의 반사율의 저하를 억제하면서 에칭의 자유도를 높일 수 있다.　 예를 들면, 표 2로부터 Ru는 에칭 레이트의 비가 높은 것이 나타났기 때문에, 특히, 겸용막 상층 (31a)에 바람직하게 이용할 수 있다.　 또한, 도 9로부터 Y는 EUV광의 투명성이 큰 재료인 것이 나타났기 때문에, 특히, 겸용막 하층 (31b)에 바람직하게 이용할 수있다.　 이하, 실시예 4 내지 실시예 9에 기초하여 본 실시 형태의 반사형 포토마스크 블랭크 (50) 및 그의 제조 방법의 상세 내용, 및 반사형 포토마스크 (60)에 관해서 설명한다.
Figure 112008055126685-PCT00002
<실시예 4>
도 7에 도시하는 반사형 포토마스크 블랭크 (50)에 있어서, 기판 (1) 및 다층 반사막 (2) 및 그의 제조 공정인 다층 반사막 형성 공정의 상세 내용에 관해서는 실시예 1과 동일하기 때문에 생략한다.　
다음으로, 겸용막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에, 겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)를 형성하였다.　 이 때, 겸용막 상층 (31a)는 ZrSiO막으로 하였다.　 표 2에 나타낸 바와 같이, ZrSiO는 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는다.　 또한, 겸용막 하층 (31b)는 ZrSi막으로 하였다.　 도 9에 도시된 바와 같이, Zr 및 Si는 모두 EUV 파장에 대하여 높은 투명성을 갖는다.　
겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)는, 각각, 이하의 조건 하에서 DC 마그네트론 스퍼터에 의해서 제조하였다.　
우선, 겸용막 하층 (31b)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 Zr과 Si의 비가 1:3인 ZrSi 합금 타겟을 이용하고, 이 ZrSi 합금 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 5 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 겸용막 상층 (31a)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 ZrSi2 타겟을 이용하고, 이 ZrSi2 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar에 O2를 추가한 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 5 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 실시예 1과 동일하게, 흡수체층 형성 공정으로서 흡수체층 (5)를 형성함으로써 반사형 포토마스크 블랭크 (50)을 얻을 수 있었다.　
이 때, 흡수체층 (5)의 반사형 포토마스크 블랭크 (50) 최외측 표면에서의 표면 조도는 0.38 nmRms로서, 양호한 표면 평활성을 갖고 있었다.　 또한, 흡수체층 (5)의 표면에서의 반사율을 측정한 결과, 파장 193 nm에서는 2.15％, 257 nm에서는 1.21％로서, 검사용의 DUV 광파장역에 있어서의 충분한 저반사율 특성이 얻어졌다.　
다음으로, 레지스트 도포, EB 묘화, 현상의 리소그래피 공정을 거쳐 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 흡수체층 (5)의 드라이 에칭을 행하여 흡수체 패턴 (5a)를 형성하여, 도 8에 도시하는 반사형 포토마스크 (60)을 얻었다.　
이 때, 반사 영역 (312)에 있어서의 흡수체층 (5)를 면내에서 균일하게 막 잔여물없이 제거하기 위해서 30％ 오버 에칭을 행했지만, 그 아래의 ZrSiO를 포함하는 겸용막 상층 (31a)에 있어서의 에칭량은 1 nm 이하였고, TaSi에 대한 선택비는 26.50로서 충분한 내성을 갖고 있었다.　
또한, 흡수체층 (5)가 부분적으로 제거되어 노출된 반사 영역 (312)에 있어서의 257 nm의 검사 파장 반사율은 50.11％였다.　 한편, 레지스트 패턴 (6a)를 박리한 후의 도 8의 포토마스크 (60)의 흡수체 패턴 (5a) 표면에서의 257 nm에서의 반사율은 1.35％였다.　 그 결과, 반사 영역 (312)에 있어서의 반사광과 흡수체 패턴 (5a) 표면 반사광 사이에서 94.7％의 양호한 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
<실시예 5>
도 10은 본 발명의 겸용막 (31)을 겸용막 하층 (31b) 및 겸용막 상층 (31a)의 적층 구조로 한 경우에 있어서, 흡수체층 (5)가 에칭에 의해서 부분적으로 제거되어 노출된 반사 영역 (312)에 있어서의 EUV 파장에 대한 반사율의 시뮬레이션 결과이다.　 도 10에 도시된 바와 같이, 겸용막 하층 (31b)인 ZrSi막의 두께가 5.0 nm일 때에 겸용막 상층 (31a)인 ZrSiO막을 4.0 nm 이하의 두께로 함으로써, EUV광에 대하여 이론상으로는 67.5％를 상회하는 반사율을 얻을 수 있다는 결과가 나타났다.　
<실시예 6>
실시예 4와 동일하게 겸용막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에 겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)를 형성하였다.　
다만, 본 실시예에서는 겸용막 상층 (31a)를 ZrSiN막으로 하였다.　 표 2에 나타낸 바와 같이, ZrSiN은 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는다.　 또한, 겸용막 하층 (31b)를 ZrSi막으로 하였다.　 도 9에 도시된 바와 같이, Zr, Si 모두 EUV 파장에 대하여 높은 투명성을 갖는다.　
겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)는, 각각, 이하의 조건 하에서 DC 마그네트론 스퍼터에 의해서 제조하였다.　
우선, 겸용막 하층 (31b)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 Zr과 Si의 비가 1:3인 ZrSi 합금 타겟을 이용하고, 이 ZrSi 합금 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 5 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 겸용막 상층 (31a)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 ZrSi2 타겟을 이용하고, 이 ZrSi2 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar에 N2를 추가한 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 5 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 실시예 1과 동일하게, 흡수체층 형성 공정으로서 흡수체층 (5)를 형성함으로써 반사형 포토마스크 블랭크 (50)을 얻을 수 있었다.　
이 때, 흡수체층 (5)의 반사형 포토마스크 블랭크 (50) 최외측 표면에서의 표면 조도는 0.40 nmRms로서, 양호한 표면 평활성을 갖고 있었다.　 또한, 흡수체층 (5)의 표면에서의 반사율을 측정한 결과, 파장 193 nm에서는 2.18％, 257 nm에서는 1.25％로서, 검사용의 DUV 광파장역에 있어서의 충분한 저반사율 특성이 얻어졌다.　
다음으로, 레지스트 도포, EB 묘화, 현상의 리소그래피 공정을 거쳐 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 흡수체층 (5)의 드라이 에칭을 행하여 흡수체 패턴 (5a)를 형성하여, 도 8에 도시하는 반사형 포토마스크 (60)을 얻었다.　
이 때, 반사 영역 (312)에 있어서의 흡수체층 (5)를 면내에서 균일하게 막 잔여물없이 제거하기 위해서 30％ 오버 에칭을 행했지만, 그 아래의 ZrSiN을 포함하는 겸용막 상층 (31a)에 있어서의 에칭량은 1 nm 이하였고, TaSi에 대한 선택비는 31.18로서 충분한 내성을 갖고 있었다.　
또한, 흡수체층 (5)가 부분적으로 제거되어 노출된 반사 영역 (312)에 있어서의 257 nm의 검사 파장 반사율은 51.47％였다.　 한편, 레지스트 패턴 (6a)를 박리한 후의 도 8의 포토마스크 (60)의 흡수체 패턴 (5a) 표면에서의 257 nm에서의 반사율은 1.38％였다.　 그 결과, 반사 영역 (312)에 있어서의 반사광과 흡수체 패턴 (5a) 표면 반사광 사이에서 94.7％의 양호한 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
<실시예 7>
실시예 4와 동일하게 겸용막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에 겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)를 형성하였다.　
다만, 본 실시예에서는, 겸용막 상층 (31a)를 Ru막으로 하였다.　 표 2에 나타낸 바와 같이, Ru는 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는다.　 또한, 겸용막 하층 (31b)를 ZrSi막으로 하였다.　 도 9에 도시된 바와 같이, Zr 및 Si는 모두 EUV 파장에 대하여 높은 투명성을 갖는다.　
겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)는, 각각, 이하의 조건 하에서 DC 마그네트론 스퍼터에 의해서 제조하였다.　
우선, 겸용막 하층 (31b)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 Zr과 Si의 비가 1:3인 ZrSi 합금 타겟을 이용하고, 이 ZrSi 합금 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 5 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 겸용막 상층 (31a)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 Ru 타겟을 이용하고, 이 Ru 타겟에 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 2 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 실시예 1과 동일하게, 흡수체층 형성 공정으로서 흡수체층 (5)를 형성함으로써 반사형 포토마스크 블랭크 (50)을 얻을 수 있었다.　
이 때, 흡수체층 (5)의 반사형 포토마스크 블랭크 (50) 최외측 표면에서의 표면 조도는 0.37 nmRms로서, 양호한 표면 평활성을 갖고 있었다.　 또한, 흡수체층 (5)의 표면에서의 반사율을 측정한 결과, 파장 193 nm에서는 2.22％, 257 nm에서는 1.24％로서, 검사용의 DUV 광파장역에 있어서의 충분한 저반사율 특성이 얻어졌다.　
다음으로, 레지스트 도포, EB 묘화, 현상의 리소그래피 공정을 거쳐 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 흡수체층 (5)의 드라이 에칭을 행하여 흡수체 패턴 (5a)를 형성하여, 도 8에 도시하는 반사형 포토마스크 (60)을 얻었다.　
이 때, 반사 영역 (312)에 있어서의 흡수체층 (5)를 면내에서 균일하게 막 잔여물없이 제거하기 위해서 30％ 오버 에칭을 행했지만, 그 아래의 Ru를 포함하는 겸용막 상층 (31a)에 있어서의 에칭량은 1 nm 이하였고, TaSi에 대한 선택비는 33.22로서 충분한 내성을 갖고 있었다.　
또한, 흡수체층 (5)가 부분적으로 제거되어 노출된 반사 영역 (312)에 있어서의 257 nm의 검사 파장 반사율은 50.33％였다.　 한편, 레지스트 패턴 (6a)를 박리한 후의 도 8의 포토마스크 (60)의 흡수체 패턴 (5a) 표면에서의 257 nm에서의 반사율은 1.33％였다.　 그 결과, 반사 영역 (312)에 있어서의 반사광과 흡수체 패턴 (5a) 표면 반사광 사이에서 94.8％의 양호한 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
<실시예 8>
실시예 4와 동일하게 겸용막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에, 겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)를 형성하였다.　
다만, 겸용막 상층 (31a)를 C막으로 하였다.　 표 2에 나타낸 바와 같이, C는 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는다.　 또한, 겸용막 하층 (31b)를 ZrSi막으로 하였다.　 도 9에 도시된 바와 같이, Zr 및 Si는 모두 EUV 파장에 대하여 높은 투명성을 갖는다.　
겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)는, 각각, 이하의 조건 하에서 제조하였다.　
우선, 겸용막 하층 (31b)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 Zr과 Si의 비가 1:3인 ZrSi 합금 타겟을 이용하고, 이 ZrSi 합금 타겟에, 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 5 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 겸용막 하층 (31b) 상에 평행평판형 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 다이아몬드상 카본 박막인 겸용막 상층 (31a)를 형성하였다.　 플라즈마 CVD의 조건은 다음과 같다.　 즉, 원료 가스로서는, 메탄(유량: 20 sccm)을 주성분으로 함 과 함께, 도핑 가스로서 질소(농도: 1 내지 50％)를 포함한 것을 사용하였다.　 또한, 반응 압력을 0.03 Torr, 자기 바이어스 전압 0-1500 V로 설정하였다.　 이에 따라 5 nm의 막두께의 겸용막 상층 (31a)를 성막하였다.　
다음으로, 실시예 1과 동일하게, 흡수체층 형성 공정으로서 흡수체층 (5)를 형성함으로써 반사형 포토마스크 블랭크 (50)을 얻을 수 있었다.　
이 때, 흡수체층 (5)의 반사형 포토마스크 블랭크 (50) 최외측 표면에서의 표면 조도는 0.39 nmRms로서, 양호한 표면 평활성을 갖고 있었다.　 또한, 흡수체층 (5)의 표면에서의 반사율을 측정한 결과, 파장 193 nm에서는 2.15％, 257 nm에서는 1.21％로서, 검사용의 DUV 광파장역에 있어서의 충분한 저반사율 특성이 얻어졌다.　
다음으로, 레지스트 도포, EB 묘화, 현상의 리소그래피 공정을 거쳐 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 흡수체층 (5)의 드라이 에칭을 행하여 흡수체 패턴 (5a)를 형성하여, 도 8에 도시하는 반사형 포토마스크 (60)을 얻었다.　
이 때, 반사 영역 (312)에 있어서의 흡수체층 (5)를 면내에서 균일하게 막 잔여물없이 제거하기 위해서 30％ 오버 에칭을 행했지만, 그 아래의 C를 포함하는 겸용막 상층 (31a)에 있어서의 에칭량은 1.5 nm 이하였고, TaSi에 대한 선택비는 26.42로서 충분한 내성을 갖고 있었다.　
또한, 흡수체층 (5)가 부분적으로 제거되어 노출된 반사 영역 (312)에 있어서의 257 nm의 검사 파장 반사율은 50.01％였다.　 한편, 레지스트 패턴 (6a)를 박리한 후의 도 8의 포토마스크 (60)의 흡수체 패턴 (5a) 표면에서의 257 nm에서의 반사율은 1.53％였다.　 그 결과, 반사 영역 (312)에 있어서의 반사광과 흡수체 패턴 (5a) 표면 반사광 사이에서 94.1％의 양호한 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
<실시예 9>
실시예 4와 동일하게 겸용막 형성 공정으로서, 다층 반사막 (2) 상에, 겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)를 형성하였다.　
다만, 본 실시예에서는, 겸용막 상층 (31a)를 Ru막으로 하였다.　 표 2에 나타낸 바와 같이, Ru는 에칭에 대하여 높은 내성을 갖는다.　 또한, 겸용막 하층 (31b)를 C막으로 하였다.　 도 9에 도시된 바와 같이, C는 EUV 파장에 대하여 높은 투명성을 갖는다.　
겸용막 상층 (31a) 및 겸용막 하층 (31b)는, 각각, 이하의 조건 하에서 제조하였다.　
우선, 평행평판형 플라즈마 CVD 장치를 이용하여, 다이아몬드상 카본 박막인 겸용막 하층 (31b)를 형성하였다.　 플라즈마 CVD의 조건은 다음과 같다.　 즉, 원료 가스로서는 메탄(유량: 20 sccm)을 주성분으로 함과 함께, 도핑 가스로서 질소(농도: 1 내지 50％)를 포함한 것을 사용하였다.　 또한, 반응 압력을 0.03 Torr, 자기 바이어스 전압 0-1500 V로 설정하였다.　 이에 따라 5 nm의 막두께의 겸용막 하층 (31b)를 성막하였다.　
다음으로, 겸용막 상층 (31a)의 성막에는, 스퍼터링 타겟으로서 Ru 타겟을 이용하고, 이 Ru 타겟에 가스압 0.25 Pa의 Ar 분위기 하에서 DC 300W를 인가하여 막두께 2 nm의 성막을 행하였다.　
다음으로, 실시예 1과 동일하게, 흡수체층 형성 공정으로서 흡수체층 (5)를 형성함으로써 반사형 포토마스크 블랭크 (50)을 얻을 수 있었다.　
이 때, 흡수체층 (5)의 반사형 포토마스크 블랭크 (50) 최외측 표면에서의 표면 조도는 0.41 nmRms로서, 양호한 표면 평활성을 갖고 있었다.　 또한, 흡수체층 (5)의 표면에서의 반사율을 측정한 결과, 파장 193 nm에서는 2.22％, 257 nm에서는 1.24％로서, 검사용의 DUV 광파장역에 있어서의 충분한 저반사율 특성이 얻어졌다.　
다음으로, 레지스트 도포, EB 묘화, 현상의 리소그래피 공정을 거쳐 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 실시예 1과 동일한 방법에 의해 흡수체층 (5)의 드라이 에칭을 행하여 흡수체 패턴 (5a)를 형성하여, 도 8에 도시하는 반사형 포토마스크 (60)을 얻었다.　
이 때, 반사 영역 (312)에 있어서의 흡수체층 (5)를 면내에서 균일하게 막 잔여물없이 제거하기 위해서 30％ 오버 에칭을 행했지만, 그 아래의 Ru를 포함하는 겸용막 상층 (31a)에 있어서의 에칭량은 1.5 nm 이하였고, TaSi에 대한 선택비는 33.22로서 충분한 내성을 갖고 있었다.　
또한, 흡수체층 (5)가 부분적으로 제거되어 노출된 영역의 반사 영역 (312)에 있어서의 257 nm의 검사 파장 반사율은 49.89％였다.　 한편, 레지스트 패턴 (6a)를 박리한 후의 도 8의 포토마스크 (60)의 흡수체 패턴 (5a) 표면에서의 257 nm에서의 반사율은 1.33％였다.　 그 결과, 반사 영역 (312)에 있어서의 반사광과 흡수체 패턴 (5a) 표면 반사광 사이에서 94.8％의 양호한 콘트라스트치가 얻어져서, 검사 파장(257 nm)에 있어서의 광학 특성도 양호하였다.　
이상과 같이, 반사형 포토마스크 블랭크 (50)에 따르면, 겸용막 (31)이 복수층의 적층 구조임으로써, 흡수체층 (5)를 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때에, 반사율 저하를 방지하는 것이 가능하다.　 또한, 겸용막 (31)을 적층 구조로 함으로써, 겸용막 (31)에 에칭 내성과 EUV광의 투과성을 충분히 겸비하는 것이 가능하다.　
또한, 반사형 포토마스크 블랭크 (50)로부터 제조된 반사형 포토마스크 (60)에 따르면, 제1 실시 형태와 동일하게, 양호한 콘트라스트를 갖는 패턴 전사를 가능하게 하여, EUV광을 조사함으로써 70 nm 이하가 되는 미세한 패턴 전사를 가능하게 한다.　
또한, 반도체 장치의 제조에 있어서, 이들 실시 형태와 같은 반사형 포토마스크 (30, 40, 60)을 사용하면, 70 nm 이하의 미세한 패턴을 전사하여 반도체 장치를 제조할 수 있다.　 즉, 전사 공정으로서, 반사형 포토마스크 (30, 40, 60)에, 노광광으로서 EUV광을 조사한다.　 그리고, 반사형 포토마스크 (30, 40, 60)의 다층 반사막 (2)에서 반사된 반사광이 반도체 기판 상에 설치된 레지스트층을 노광함으로써, 양호한 콘트라스트를 갖고, 조사된 EUV광의 파장과 대응하는 범위, 즉 70 nm 이하의 미세한 패턴을 반도체 기판에 전사할 수 있다.　 이 때문에, 이러한 전사 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법에서는, 노광광인 EUV광의 파장과 대응한 70 nm 이하의 미세 가공이 실시된 반도체 장치의 제조가 가능해진다.　
이상, 본 발명의 실시 형태에 관해서 도면을 참조하여 상술했지만, 구체적인 구성은 이 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않은 범위의 설계 변경 등도 포함된다.
본 발명의 반사형 포토마스크 블랭크는, 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때에, 반사율 저하를 방지하기 위해서 적용할 수 있다.　 또한, 본 발명의 반사형 포토마스크는, 다층 반사막의 손상을 막아 양호한 반사율을 얻어, 양호한 콘트라스트를 갖는 패턴 전사를 가능하게 하기 위해서 적용할 수 있다.

Claims (22)

  1. 기판,
    상기 기판 상에 형성되고, 노광광을 반사하는 다층 반사막,
    상기 다층 반사막 상에 형성되고, 상기 다층 반사막을 보호하는 보호막,
    상기 보호막 상에서 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층, 및
    상기 흡수체층과 상기 보호막 사이에 형성되고, 상기 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 완충막
    을 구비하며, 이 때 상기 보호막은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 이루어지는 것인, 반사형 포토마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막과 상기 완충막은, 상기 보호막 및 상기 완충막을 겸한 단층의 겸용막으로서 형성되어 있고,
    상기 겸용막은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물고 이루어지는 것인, 반사형 포토마스크 블랭크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 겸용막이 복수층 설치된 것인 반사형 포토마스크 블랭크.
  4. 제2항에 있어서, 상기 겸용막은 상기 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 에칭 레이트가 상기 흡수체층에 대하여 1/20 이하인 반사형 포토마스크 블랭크.
  5. 제3항에 있어서, 복수층 설치된 상기 겸용막 내 최상층은, 상기 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 에칭 레이트가 상기 흡수체층에 대하여 1/20 이하인 반사형 포토마스크 블랭크.
  6. 기판,
    상기 기판 상에 형성되고, 노광광을 반사하는 다층 반사막,
    상기 다층 반사막의 상측에 형성되고, 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층, 및
    상기 다층 반사막과 상기 흡수체층 사이에 형성되고, 상기 다층 반사막을 보호하고, 상기 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 단층의 겸용막
    을 구비하며, 이 때 상기 겸용막은 Zr과 Si를 포함하는 화합물, 또는 Zr 및 Si와, O 또는 N 중의 하나 이상을 포함하는 화합물, 또는 Ru, C, 또는 Y 중의 하나 이상을 포함하는 단체 또는 화합물로 이루어지는 것인 반사형 포토마스크 블랭크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 겸용막이 복수층 설치된 것인 반사형 포토마스크 블랭 크.
  8. 제6항에 있어서, 상기 겸용막은 상기 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 에칭 레이트가 상기 흡수체층에 대하여 1/20 이하인 반사형 포토마스크 블랭크.
  9. 제7항에 있어서, 복수층 설치된 상기 겸용막 내 최상층은, 상기 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성할 때의 에칭 레이트가 상기 흡수체층에 대하여 1/20 이하인 반사형 포토마스크 블랭크.
  10. 기판 상에 다층 반사막을 형성하는 다층 반사막 형성 공정,
    상기 다층 반사막 상에, 불활성 가스 분위기, 또는 불활성 가스와 산소 또는 질소 중의 하나 이상을 포함하는 혼합 가스 분위기에서, ZrSi 합금, Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행하거나, 또는 C를 포함하는 화합물을 원료 가스로 하는 CVD를 행하여 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정,
    상기 보호막 상에, 흡수체층의 노광 전사 패턴 형성 시에 행해지는 에칭에 대하여 내성을 갖는 재질로 형성된 것을 타겟으로 한 스퍼터링을 행하여 완충막을 형성하는 완충막 형성 공정, 및
    상기 완충막 상에 흡수체층을 형성하는 흡수체층 형성 공정
    을 구비하는, 기판, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 및 상기 노광광을 흡수 하는 흡수체층을 구비한 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  11. 기판 상에 다층 반사막을 형성하는 다층 반사막 형성 공정,
    상기 다층 반사막 상에, 불활성 가스 분위기, 또는 불활성 가스와 산소 또는 질소 중의 하나 이상을 포함하는 혼합 가스 분위기에서, ZrSi 합금, Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행하거나, 또는 C를 포함하는 화합물을 원료 가스로 하는 CVD를 행하여 겸용막을 형성하는 겸용막 형성 공정, 및
    상기 겸용막 상에 흡수체층을 형성하는 흡수체층 형성 공정
    을 구비하는, 기판, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 및 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층을 구비한 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  12. 기판 상에 다층 반사막을 형성하는 다층 반사막 형성 공정,
    상기 다층 반사막 상에, 불활성 가스 분위기, 또는 불활성 가스와 산소 또는 질소 중의 하나 이상을 포함하는 혼합 가스 분위기에서, ZrSi 합금, Ru 또는 Y를 타겟으로 한 스퍼터링을 행하거나, 또는 C를 포함하는 화합물을 원료 가스로 하는 CVD를 행하여 형성하는 겸용막을 복수 적층하는 겸용막 형성 공정, 및
    상기 겸용막 상에 흡수체층을 형성하는 흡수체층 형성 공정
    을 구비하는, 기판, 노광광을 반사하는 다층 반사막, 및 상기 노광광을 흡수하는 흡수체층을 구비한 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법.
  13. 제1항에 기재된 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크.
  14. 제3항에 기재된 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크.
  15. 제10항에 기재된 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크.
  16. 제11항에 기재된 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크.
  17. 제12항에 기재된 반사형 포토마스크 블랭크의 제조 방법으로 제조된 반사형 포토마스크 블랭크의 흡수체층을 에칭하여 노광 전사 패턴을 형성한 반사형 포토마스크.
  18. 제13항에 기재된 반사형 포토마스크에 노광광으로서 극단자외광을 조사하고, 상기 반사형 포토마스크의 다층 반사막에서 반사된 반사광을 반도체 기판 상에 설 치된 레지스트층에 노광함으로써, 상기 레지스트층에 상기 반사형 포토마스크의 흡수체층의 패턴을 전사하는 전사 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제14항에 기재된 반사형 포토마스크에 노광광으로서 극단자외광을 조사하고, 상기 반사형 포토마스크의 다층 반사막에서 반사된 반사광을 반도체 기판 상에 설치된 레지스트층에 노광함으로써, 상기 레지스트층에 상기 반사형 포토마스크의 흡수체층의 패턴을 전사하는 전사 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제15항에 기재된 반사형 포토마스크에 노광광으로서 극단자외광을 조사하고, 상기 반사형 포토마스크의 다층 반사막에서 반사된 반사광을 반도체 기판 상에 설치된 레지스트층에 노광함으로써, 상기 레지스트층에 상기 반사형 포토마스크의 흡수체층의 패턴을 전사하는 전사 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 제16항에 기재된 반사형 포토마스크에 노광광으로서 극단자외광을 조사하고, 상기 반사형 포토마스크의 다층 반사막에서 반사된 반사광을 반도체 기판 상에 설치된 레지스트층에 노광함으로써, 상기 레지스트층에 상기 반사형 포토마스크의 흡수체층의 패턴을 전사하는 전사 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제17항에 기재된 반사형 포토마스크에 노광광으로서 극단자외광을 조사하고, 상기 반사형 포토마스크의 다층 반사막에서 반사된 반사광을 반도체 기판 상에 설 치된 레지스트층에 노광함으로써, 상기 레지스트층에 상기 반사형 포토마스크의 흡수체층의 패턴을 전사하는 전사 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.
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