KR100455383B1

KR100455383B1 - 반사 포토마스크, 반사 포토마스크의 제조방법 및 이를이용한 집적회로 제조방법

Info

Publication number: KR100455383B1
Application number: KR10-2002-0021311A
Authority: KR
Inventors: 이병택
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2002-04-18
Filing date: 2002-04-18
Publication date: 2004-11-06
Also published as: JP2003318104A; US20030198874A1; US6998200B2; KR20030082819A

Abstract

제조공정을 복잡하게 하지 않고, 제조공정에 있어서 반사층 표면의 손상을 방지할 수 있으며, 동시에 반사율의 저하없이 노광공정시 반사층 표면의 오염을 방지할 수 있는 반사 포토마스크 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 반사 포토마스크는 실리콘, 글라스 등으로 된 기판과, 기판상에 형성된 몰리브덴과 실리콘이 서로 적층된 다층막으로 된 반사층과, 소정의 패턴 형상을 갖고 반사층상에 형성된 EUV선을 흡수할 수 있는 질화탄탈륨 등의 재료로 된 흡수체 패턴 및 상기 흡수체 패턴이 형성된 기판의 전면에 형성된 루테늄 등으로 된 캡핑층을 구비한다.

Description

반사 포토마스크, 반사 포토마스크의 제조방법 및 이를 이용한 집적회로 제조방법{Reflection photomask, method of fabricating reflection photomask and method of fabricating integrated circuit using the same}

본 발명은 반사 포토마스크에 관한 것으로, 특히 반도체 제조공정에 있어서 EUV(Extreme UltraViolet)선을 사용한 고해상도의 포토리소그라피 기술에 사용하기 적합한 반사 포토마스크 및 그 제조방법과 이를 이용한 집적회로 제조방법에 관한 것이다.

반도체 제조공정의 포토리소그라피 공정에 있어서, 고집적화를 위하여 디자인룰이 축소되어짐에 따라, 현재의 기술보다도 높은 해상도를 갖는 노광기술이 필요되고 있다. 현재, DUV(deep- ultraviolet)광을 이용한 노광기술은 파장 248nm의 광원을 이용하여 250nm 정도의 묘화 사이즈의 노광이 가능하다. 이것에 대하여, 보다 짧은 193nm의 파장의 광원을 사용하는 새로운 DUV 노광기술은 100 내지 130nm 정도의 묘화 사이즈의 노광이 가능하다라고 기대되고 있다. 더구나, 100 nm이하의 묘화 사이즈를 실현하는 노광기술로서, 연X선(軟X線)이라고 불리는 EUV(Extream-ultraviolet)영역의 노광파장을 이용하면 5 내지 70 nm 정도의 묘화 사이즈의 노광이 가능하다고 기대되고 있으며, 현재 이것에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다.

EUV를 사용하는 노광기술은 종래의 DUV 영역까지의 노광기술과는 현저히 다른 점이 있다. 그것은 EUV 영역에서는 대부분의 물질이 큰 광흡수성을 갖기 때문에 기존의 투과형 포토마스크와는 달리 반사 포토마스크를 사용하지 않으면 안된다는 것이다. 일반적인 EUV용 포토마스크는 EUV 영역에서의 반사율이 큰 거울(반사경) 상에 EUV광을 흡수할 수 있는 흡수체로 된 패턴을 형성한 것이다. 따라서, 반사경의 표면이 흡수체 패턴으로 피복된 영역이 흡수영역, 흡수체 패턴이 없이 반사경표면이 노출된 영역이 반사영역으로 된다. 여기에 사용된 반사경은 몰리브덴과 실리콘(Mo/Si), 베릴륨과 실리콘(Be/Si) 등의 이종의 막을 교대로 적층하여 다층막을 형성한 것이다.

도 1은 이러한 종래의 반사 포토마스크(100)의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 실리콘, 글라스 등의 기판(10)상에 상기의 다층막으로 된 반사층(20)이 형성되며, 반사층(20)상에 소정의 패턴을 갖는 질화탄탈륨(TaN)막 따위로 된 연X선의 흡수체 패턴(30)이 형성되어 있다.

그러나, 도 1에 나타난 것처럼 반사층(20)상에 흡수체 패턴(30)을 직접 형성하는 구조에서는 흡수체의 패터닝(식각)시에 반사층 표면의 노출된 부분이 식각되어 손상을 받고, 반사율이 저하한다는 문제가 발생한다. 게다가 흡수체 패턴을 형성한 후 흡수체 패턴의 결함이 발생된 경우, 집속이온빔(Focused Ion Beams ; FIB)을 사용하여 이들 결함을 수정하며, 이러한 FIB를 이용한 마스크 리페어공정시 FIB의 조사가 반사층 표면에 손상을 줄 우려가 충분히 있다.

한편, 이러한 반사층(20)의 표면이 노출된 종래의 반사 포토마스크(100)를 사용하여 EUV선을 반사시켜 노광공정을 수행하는 경우에도 반사층(20)의 표면이 오염된다는 문제점이 있다. 즉, 노광공정중에 EUV선에 의한 H₂0의 분해 및 하이드로카본의 분해에 의해 반사층(20)의 표면이 산화되거나 카본의 증착에 의해 반사층(20)의 반사율이 감소될 수 있다.

본 발명의 목적은 상기의 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 반사층 표면의 손상 및 표면 오염을 방지하는 것이 가능한 반사 포토마스크 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 본 발명의 반사 포토마스크를 이용한 집적회로 제조방법을 제공하는 데 있다.

도 1은 종래의 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 6은 본 발명의 제4 실시예의 다른 형태에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 7은 본 발명의 제4 실시예의 또다른 형태에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 9는 본 발명의 제5 실시예의 다른 형태에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 10은 본 발명의 제5 실시예의 또다른 형태에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 11은 본 발명의 제6 실시예에 의한 반사 포토마스크를 나타내는 단면도이다.

도 12는 반사층 상에 형성된 SiO₂와 Ru의 반사율의 막두께 의존성을 나타내는 시뮬레이션 결과 그래프이다.

도 13a 내지 도 13e는 도 5의 반사 포토마스크의 제조공정을 순차적으로 나타내는 공정단면도들이다.

※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

100, 110, 120, 130, 140, 150, 160, 170, 180, 190, 200 ; 반사 포토마스크

10, 111 ; 기판 20, 112 ; 반사층

22, 23, 24, 24a, 24b, 26 ; 버퍼층 30 ; 흡수체 패턴

30a ; 흡수체층 40 ; 캡핑층

28 ; 응력완화층

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사 포토마스크는, 기판; 상기 기판상에 형성되어지며, EUV(Extreme UltraViolet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층; 상기 반사층상에 형성되어지며. EUV선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어지며, 소정의 패턴으로 되어 흡수영역을 구성하는 흡수체 패턴; 및 상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판상의 적어도 상기 반사층상에 형성된 캡핑층을 포함한다.

상기 캡핑층은 상기 반사층외에도 상기 흡수체 패턴의 표면상에도 전면적으로 형성될 수 있으며, 그 재료는 실리콘 보다 내산화성이 강한 물질로 형성할 수 있으며, 예를 들어 상기 캡핑층은 적어도 Ru을 포함한 그룹 VIII 금속일 수 있으며, Pt, Ir 및 Pd의 적어도 하나를 포함하는 적어도 하나의 그룹 VIII 금속일 수 있다. 또한, 상기 반사층상에서의 상기 캡핑층의 두께는 상기 흡수체 패턴 사이의 상기 반사층의 EUV선 영역에서의 반사율이 20% 이하로 감소하지 않는 두께로, 바람직하게는 상기 캡핑층의 두께가 3 nm 이하일 수 있다.

상기 반사층은 제1 물질층 및 제2 물질층이 교대로 복수개 적층되어 이루어지며, 상기 반사층을 구성하는 상기 제1 물질층은 몰리브덴(Mo), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이며, 상기 제2 물질층은 실리콘, 탄화실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 질화보론, 질화베릴륨, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 산화알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.

상기 반사층과 상기 흡수체 패턴 사이에 적어도 하나의 버퍼층을 더 포함할 수 있으며, 상기 버퍼층과 상기 흡수체 패턴 사이에 식각스토퍼층을 더 포함할 수도 있으며, 상기 기판과 상기 반사층과의 사이에 상기 반사층의 내부응력을 완화하기 위한 응력완화층을 더 포함할 수도 있다.

상기 버퍼층은 적어도 Ru을 포함한 그룹 VIII 금속을 사용할 수 있으며, 상기 버퍼층은 상기 흡수체 패턴이 형성되지 않은 상기 흡수체 패턴 사이의 반사영역내에도 형성될 수 있다. 이때, 상기 흡수체 패턴이 형성되어 있지 않은 상기 반사영역내에 있어서 상기 버퍼층의 두께가 상기 흡수체 패턴이 형성되어 있는 상기 흡수영역내의 상기 버퍼층의 두께보다도 얇게 되어 있을 수도 있다.

상기 버퍼층과 상기 흡수체 패턴 사이에 제2 버퍼층이 더 형성될 수 있으며, 상기 반사층의 표면에 자연산화막이 더 형성될 수도 있다.

한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반사 포토마스크 제조방법은, 기판상에 EUV(Extreme UltraViolet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층상에 EUV선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어지며, 소정의 패턴으로 되어 흡수영역을 구성하는 흡수체 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판상의 적어도 상기 반사층상에 캡핑층을 형성하는 단계를 포함한다.

바람직하게는 상기 캡핑층는 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다.

한편, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 집적회로 제조방법은, 기판; 상기 기판상에 형성되어지며, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층; 상기 반사층상에 형성되어지며, EUV선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어지며, 소정의 패턴으로 되어 흡수영역을 구성하는 흡수체 패턴; 및 상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판상의 적어도 상기 반사층상에 형성된 캡핑층을 포함하는 반사 포토마스크로부터 EUV선을 반사시킴으로서 패턴화된 EUV선에 집적회로를 노출시키는 단계를 포함한다.

본 발명에 따르면, 제조공정을 단순화 시킬 수 있으며, 반사율의 저하없이 반사층의 데미지를 최소화할 수 있으며, 동시에 반사 포토마스크의 최상층에 형성되는 캡핑층의 존재로 인하여 반사층의 표면 오염을 방지할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 많은 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기서 설명되는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되서는 아니되며, 차라리 이러한 실시예들은 그 개시내용을 완벽히 하며 발명의 사상을 당업자에게 충분히 전달하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에서, 층들 및 영역들의 두께는 명료성을 위해 과장되어 있다.동일한 참조번호는 전체적으로 동일한 요소를 지칭한다. 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 요소 "상"에 있는 것으로 언급될 때, 이것은 다른 요소 위에 직접 있거나 중간요소가 개입될 수도 있다. 반대로, 어떤 요소가 다른 요소 "직접 상"에 있는 것으로 언급될 때, 그 곳에는 중간요소가 존재하지 않는 것이다.

본 발명자는 반사 포토마스크의 반사영역상에 어떤 종류의 금속막으로 된 캡핑층을 형성하여도 일정한 두께이하에서는 반사층 표면에서의 EUV선의 반사가 저해되지 않는다는 사실을 알아냈다.

도 12는 반사층 상에 형성된 SiO₂와 Ru의 반사율의 막두께 의존성을 나타내는 시뮬레이션 결과 그래프이다. 그래프에서 횡축이 막두께(nm), 종축이 반사율이다. 시뮬레이션 조건은 반사층의 적층구조를 Si(막두께 4.14 nm)/Mo(막두께 2.76 nm)의 쌍을 40층 적층한 다층막의 반사층과 상기 최상층에 형성된 SiO₂(Si상의 자연산화막을 상정하였으며, 그 막의 두께는 2 nm로 가정함)상에 SiO₂와 Ru의 캡핑층을 각기 적층한 것으로서, EUV광의 파장을 13.5 nm, 광입사각을 0°로 하였다.

SiO₂의 경우(도면 중에 파선으로 나타냄), 곡선이 다소 물결치면서도 막두께가 증가함에 따라 반사율이 약 0.75로부터 서서히 저하하는 경향이 있다. 이것에 대하여 Ru 캡핑층의 경우(도면 중에 실선으로 나타냄), SiO₂의 경우에 비하여 곡선의 파가 크게 되고, 막두께(t)가 0＜t ≤3 nm의 범위에서는 캡핑층이 없는 경우에 비하여 오히려 반사율이 향상하는 것을 알 수 있다. 따라서, 루테늄 캡핑층이 반사층상에 존재하더라도, 예를 들어, 캡핑층이 없는 경우에 대하여 반사율이 10 % 저하하는 점까지를 허용한다면 캡핑층의 막두께는 6 nm 정도라고 말할 수 있는 바와 같이, 제조하는 반사 포토마스크에 있어서 원하는 반사율에 대응하여 캡핑층의 막두께를 적절하게 설정하는 것이 가능하다. 상술한 바와 같이, 캡핑층이 없는 경우보다도 반사율을 크고 가능하다고 할 수 있는 점으로부터 한다면, Ru 캐핑층의 막두께를 3 nm 이하로 하는 것이 바람직하다.

따라서, 본 발명자는 반사 포토마스크에 있어서 흡수체 패턴 사이에 노출되는 반사층의 표면에 일정한 재질의 캡핑층을 선택하여 형성하고, 그 두께를 제어하면, 반사층에서의 반사율의 감소없이도 노광 공정시 반사층의 표면오염을 달성할 수 있음을 알았으며, 이하 그 각 실시예들에 대하여 설명한다.

< 제1 실시예 >

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반사 포토마스크(110)를 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 실리콘, 글라스 등으로 이루어진 기판(10)상에 다층막으로 된 반사층(20)이 형성되며, 반사층(20)상에 소정의 패턴을 갖는 질화탄탈륨(TaN)막 따위로 된 EUV선의 흡수체 패턴(30)이 형성되어 있으며, 상기 흡수체 패턴(30)이 형성된 기판(10)의 전면에 캡핑층(40)이 형성되어 있다.

상기 반사층(20)은 몰리브덴(Mo)막과 실리콘(Si)막이 교대로 다층 적층된 것을 사용한다. 상기 반사층(20)의 최상층은 몰리브덴막, 실리콘막의 어느 것이든지 좋지만, 실리콘 표면에 생성되는 자연산화막의 안정성이 높다라는 것으로부터 실리콘막을 최상층으로 하는 쪽이 바람직하다. 몰리브덴, 실리콘 단층의 막두께는 수 nm 정도, 적층수는 수십층 정도의 값에서 임의로 설정하는 것이 가능하다.

또한, 반사층(20)을 구성하는 막으로서는, 상기 몰리브덴 대신에 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au) 등이 사용될 수 있고, 상기 실리콘에 대신하여 탄화실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 질화보론, 질화베릴륨, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 산화알루미늄 등이 사용될 수 있다.

상기 반사층(20) 상에 형성된 흡수체 패턴(30)으로서는, 질화탄탈륨(TaN), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 알루미늄-동합금(Al-Cu), NiSi, TaSiN, TiSiN, 알루미늄(Al) 등을 사용하는 것이 가능하다. 흡수체 패턴(30)의 막두께는 200 nm이하로 하는 것이 바람직하다.

상기 캡핑층(40)은 실리콘보다 산화에 대한 내성이 강한 물질 및 화합물을 선택하여 사용할 수 있다. 본 실시예에서는 루테늄을 사용하였으며, 루테늄 외에 백금, 이리듐, 팔라듐 등의 그룹 VIII 금속의 재료를 사용하는 것이 가능하다.

상기 캡핑층(40)의 두께는 EUV 영역에서 상기 반사층(20)의 노출표면에서의 반사율이 20 % 이하로 감소하지 않는 조건에서 적절한 두께로 형성할 수 있다. 루테늄을 사용하는 본 실시예에서는 상기 캐핑층(40)은 3 nm 이하가 되도록 형성하였다.

< 제2 실시예 >

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반사 포토마스크(120)를 나타내는 단면도이다. 도 3를 참조하면, 상기 제1 실시예와 비교하여 상기 반사층(20)과 흡수체 패턴(30) 사이에 상기 흡수체 패턴(30)과 동일한 소정의 패턴을 갖는 실리콘산화막(SiOx)으로 된 버퍼층(22)이 더 형성되어 있다는 점을 제외하고 동일하다.

상기 반사층(20)과 흡수체 패턴(30) 사이에 실리콘산화막(SiO_x)으로 된 버퍼층(22)이 형성되어 있는 반사 포토마스크를 이용하는 것은, 이.호시노(E.Hoshino)씨 등의 "Process Scheme for Removing Buffer Layer on Multilayer of EUVL Mask"(Digest of papers, Photomask Japan p.75, 2000)라는 제하의 논문에 개시되어 있으며, 그 개시내용은 본 출원 명세서의 인용문헌으로 여기에 결합시킨다.

이러한 반사포토마스크(120)를 제조할 때에는 기판(10)상에 다층막으로 된 반사층(20)을 형성하고, 반사층(20)상에 실리콘산화막으로 된 버퍼층(22)을 형성하고, 버퍼층(22)상에 흡수체층 패턴(30) 물질층을 더 형성한다. 다음으로, 포토리소그파피 기술에 의해 흡수체층 패턴(30) 물질층을 패터닝하여 흡수체 패턴(30)을 형성한다. 이때, 흡수체 패턴(30) 물질층에 이어서 버퍼층(22)을 식각하고, 버퍼층(22)을 약간 잔류시킨 상태로 식각을 멈춘다. 다음에, 습식식각을 행하여 잔류된 버퍼층(22)을 완전히 제거하여 반사층(20)의 표면을 노출시킨다. 이어서, 스퍼터링 방법 등에 의하여 상기 버퍼층(22) 및 흡수체 패턴(30)이 형성된 기판(10)의 전면에 캡핑층(40)을 형성한다.

본 실시예에 의하며, 반사층(20)의 표면에 버퍼층(22)을 약간 잔류시킨 후 상대적으로 반사층(20)의 표면에 대한 식각 데미지가 적은 습식식각을 수행하기 때문에 반사층(20)의 표면에서의 식각 데미지가 감소하는 동시에 캡핑층(40)의 존재로 인하여 본 실시예의 반사 포토마스크(110)를 사용하여 노광공정을 수행할 시 반사층(20) 표면의 오염을 감소시킬 수 있다.

< 제3 실시예 >

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반사 포토마스크(130)를 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 상기 제1 실시예와 비교하여 상기 반사층(20)과 흡수체 패턴(30) 사이에 상기 흡수체 패턴(30)과 동일한 소정의 패턴을 갖는 실리콘질화산화막(SiON)으로 된 버퍼층(22')과 크롬으로 된 식각스토퍼층(23)이 더 형성되어 있다는 점을 제외하고 동일하다.

상기와 같이 반사층(20)과 흡수체 패턴(30) 사이에 상기 흡수체 패턴(30)과 동일한 소정의 패턴을 갖는 실리콘질화산화막(SiON)으로 된 버퍼층(22')과 크롬으로 된 식각스토퍼층(23)이 더 형성된 반사 포토마스크에 대해서는, 피.제이.에스.맨가트(P.J.S.Mangat)씨 등의 "EUV mask fabrication with Cr absorber"(Processing of SPIE Vol.3997, p.76, 2000)라는 제하의 논문에 개시되어 있으며, 그 개시내용은 본 출원 명세서의 인용문헌으로 여기에 결합시킨다.

이 반사 포토마스크(130)를 제조하는 때에는 기판(10)상에 다층막으로 된 반사층(20)을 형성하고, 반사층(20)상에 크롬으로 된 식각스토퍼층(23)을 성막하고,식각스토퍼층 (23)상에 실리콘질화산화막으로 된 버퍼층(22')을 성막하고, 버퍼층(22')상에 흡수체 패턴(30) 물질층을 더 성막한다. 포토리소그파피 기술에 의해 흡수체 패턴(30) 물질층을 패터닝하여 흡수체 패턴(30)으로 한 후,버퍼층(22')을 식각한다. 이때 크롬에 대하여 실리콘질화산화막의 식각선택비가 높기 때문에 버퍼층(22')의 식각은 식각스토퍼층(23) 표면에서 정지한다. 다음으로 식각스토퍼층(23)을 제거하여 반사층(20)의 표면을 노출시킨다. 계속하여, 흡수체 패턴(30)이 형성된 기판(10)의 전면에 캡핑층(40)을 형성한다.

본 실시예에 의하면, 식각스토퍼층(23)의 사용에 의해 버퍼층(22')의 식각시 반사층(20) 표면의 과도식각이 생기지 않기 때문에 반사층(20) 표면의 데미지를 현저히 감소시킬 수 있으며, 캡핑층(40)을 흡수체 패턴(30)이 형성되지 않은 반사영역내의 반사층(20)의 표면에 형성하기 때문에 전술한 바와 같이 노광공정시 반사층(20) 표면의 오염을 방지할 수 있다.

< 제4 실시예 >

도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반사 포토마스크(140)를 나타내는 단면도이며, 도 6 및 도 7은 제4 실시예의 다른 형태를 나타내는 단면도들이다. 도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 제1 실시예와 비교하여 상기 반사층(20)과 흡수체 패턴(30) 사이에 금속으로 된 버퍼층(24)이 더 형성되어 있다는 점을 제외하고 동일하다.

상기와 같이 반사층(20)과 흡수체 패턴(30) 사이에 금속막으로 된 버퍼층(24)이 더 형성된 반사 포토마스크에 대해서는, 본 발명자에 의해 출원된 대한민국 특허 제00-84154호(일본 특허출원 2000-314292호를 우선권주장함)에 잘 개시되어 있으며, 그 개시내용은 본 출원 명세서의 인용문헌으로 여기에 결합시킨다.

제4 실시예의 반사 포토마스크(140)에서는, 상기 반사층(20)상의 전면에 루테늄(Ru)으로 된 버퍼층(24)이 형성되고, 루테늄 버퍼층(24)상에는 소정의 패턴을 갖는 흡수체 패턴(30)이 형성되어 있다. 반사 포토마스크(140) 가운데 흡수체 패턴(30)이 형성된 영역이 EUV광을 흡수하는 흡수영역, 흡수체 패턴(30)이 없는 루테늄 버퍼층(24)의 표면이 노출된 영역이 반사영역으로 된다. 루테늄 버퍼층(24)의 막두께는 전술한 도 12의 설명에서와 같이 반사율의 허용범위내에서, 수 nm 내지 수십 nm 정도에서 임의로 설정하는 것이 가능하고, 루테늄 버퍼층(24)의 재료로는 실리콘보다 산화에 대한 내성이 강한 물질로서, 루테늄 외에 백금, 이리듐, 팔라듐 등의 그룹 VIII 금속의 재료를 사용하는 것이 가능하다.

흡수체 패턴(30)으로서는, 질화탄탈륨(TaN), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 알루미늄-동합금(Al-Cu), NiSi, TaSiN, TiSiN, 알루미늄(Al) 등을 사용하는 것이 가능하다. 흡수체 패턴(30)의 막두께는 200 nm이하로 하는 것이 바람직하다.

도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반사 포토마스크(140)의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도들이다.

우선, 도 13a에 나타나듯이, 기판(10)상의 전면에 몰리브덴/실리콘 다층막으로 된 반사층(20)을 형성한다. 이 때에는 성막법으로서 예를 들어 RF 마그네트론 스퍼터링법이나 이온빔 스퍼터링법을 사용한다. 또한, 스퍼터링 조건은 사용하는 장치에 따라서 바뀐다. 몰리브덴과 실리콘을 7 nm 주기로 교체로 성막하여 13.4 nm 파장영역에서 가장 큰 반사율을 갖도록 형성한다. 1주기 중의 몰리브덴의 비율은 약 40 %이고, 몰리브덴의 막두께는 약 2.8 nm(예를 들어, 2.76 nm), 실리콘의 막두께는 약 4.2 nm(예를 들어, 4.14 nm)이다. 층수는 먼저 몰리브덴/실리콘을 40쌍 성막한 후, 최후로 실리콘을 성막하기 때문에 합계 81층으로 된다.

다음으로, 도 13b에 나타나듯이, 반사층(20)상의 전면에 루테늄으로 된 버퍼층(24)을 성막한다. 이 때에는 DC 스퍼터링법을 사용하고, 스퍼터링 조건은 예를 들어, DC 파워: 1 kW, 압력: 0.3 Pa, 아르곤가스 분위기하로 한다.

다음으로 도 13c에 나타나듯이, 루테늄 버퍼층(24)상의 전면에 질화탄탈륨 등의 흡수체층(30a)을 성막한다. 이때, 흡수체층(30a)의 재료가 질화물의 경우에는 반응성 스퍼터링법을 사용하고, 그 외의 경우에는 DC 스퍼터링법을 사용한다.

다음으로, 도 13d에 나타나듯이, 포토리소그라피 기술에 의해 흡수체층(30a)을 패터닝하여 흡수체 패턴(30)으로 한다. 이 때에는 흡수체층(30a)상에 소망의 패턴 형상을 갖는 레지스트 패턴(도시안됨)을 형성한 후, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 ECR 반응성 식각법을 사용하고, 흡수체층(30a)의 재료가 질화탄탈륨의 경우, 예를 들어 ECR 방식을 사용하여 사용가스: Cl₂/Ar = 80/40 ml/min, ECR 파워:600 W, RF 바이어스 파워: 30 W, 압력: 5 Pa, 기판온도: 50℃의 조건하에서 흡수체층(30a)의 식각을 행한다. 흡수체층(30a)의 식각공정에 있어서는 식각을 저스트 식각의 상태에서 멈춘다면 반사영역상의 루테늄 버퍼층(24)의 막두께가 다른 영역(흡수영역)의 막두께와 동일하게 된다.

이 후, 필요에 따라 FIB를 사용한 마스크 리페어를 행한다. 마스크 리페어에는 FIB 외에 GAE(gas-assisted etching)를 사용하는 것도 가능하다. 이 경우, 식각가스로서는 주로 Br₂를 사용하지만, 흡수체 및 버퍼층의 재료에 따라 적절하게 바꾸는 것이 가능하다.

이어서, 상기 흡수체 패턴(30)이 형성된 기판(10)의 전면에 캡핑층(40)을 스퍼터링 방법등에 의해 형성함으로써, 본 발명의 제4 실시예의 반사 포토마스크(140)를 완성한다.

본 실시예에 의하면, 2단계의 식각을 사용한 전술한 제2 및 제3 실시예에 비하여 공정을 단순화시킬 수 있으며, 반사영역상의 루테늄 버퍼층(24)을 잔류시키기 때문에 제조공정에 있어서 반사층(20) 표면의 손상을 확실하게 방지하는 것이 가능하고, 반사층(20)의 표면상에 캡핑층(40)의 존재로 인하여 후속되는 노광공정시 반사층(20)의 표면 오염을 방지할 수 있다.

한편, 본 실시예의 경우 반사영역내의 반사층(24) 상에 루테늄 버퍼층(24) 및 캡핑층(40)이 존재하고 있기 때문에 반사율의 저하가 우려되지만, 전술한 도 12의 설명에서와 같이 버퍼층(24) 및 캡핑층(40)의 재질 선택 및 두께를 허용치 범위내에서 적절히 선택함으로써 반사영역에서의 반사율의 저하를 방지할 수 있다.

본 실시예에서는 예를 들어, 상기 버퍼층(24)과 캐핑층(40)을 모두 루테늄을로 형성할 수 있으며, 이 경우 이들의 전체 두께를 도 12를 참조하여 0＜t ≤3 nm의 범위에서 적절히 설정할 수 있다.

한편, 본 발명에서 상기 캡핑층(40)의 존재로 인하여 상기 흡수체 패턴(30)의 상면 및 측면에서의 노광패턴의 왜곡이 우려될 수 있으나, 캡핑층(40)을 형성할 때 일반적으로 스텝커버리지가 나쁜 스퍼터링 방법에 의해 형성함으로써 흡수체 패턴(30)의 측벽에 형성되는 캡핑층(40)의 두께를 최소화시킬 수 있으며, 흡수체 패턴(30)의 상면에 형성되는 캡핑층(40)에 대해서는, 일반적으로 제한된 조건의 다층막의 경우에만 EUV 반사가 나타나며, 대부분의 물질은 EUV의 광흡수도가 높고, 흡수영역에서의 캡핑층(40)의 하부에는 흡수체 패턴(30)이 존재하기 때문에 노광공정시 노광패턴의 왜곡에 대한 염려는 없다.

도 6은 본 발명의 제4 실시예의 다른 형태에 따른 반사 포토마스크(150)를 나타낸다. 도 5와 비교하면, 반사층(20) 상에 형성되는 루테늄으로 된 버퍼층(24a)에 대하여 약간의 과도식각을 행한 결과, 반사영역상의 루테늄 버퍼층(24)의 막두께가 다른 영역(흡수영역) 보다도 얇게 된 것이며, 이렇게 된다하여도 아무 지장이 없다. 특히, 상기 반사 포토마스크(150)에서는 반사영역에서의 버퍼층(24a)의 두께가 낮기 때문에 도 5에서 보다도 캡핑층(40)의 두께 선택시 선택의 마진이 커지게 되는 장점이 있다.

도 7은 본 발명의 제4 실시예의 또다른 형태에 따른 반사 포토마스크(160)를 나타낸다. 도 5와 비교하면, 반사영역내의 반사층(20) 상에 금속으로 된 버퍼층(24b)을 잔류시키지 않는 예를 나타낸다.

상기 반사 포토마스크(160)의 제조방법은 전술한 도 13a 내지 도 13e에서 설명한 바와 같다. 단지, 본 형태에서는 버퍼층(23b)의 표면이 노출될 때까지 흡수체층(30a)의 식각을 행한다. 이후에 루테늄의 버퍼층(24b)도 식각하여 버리기 때문에 저스트 식각으로도 과도식각으로도 특히 상관이 없다.

즉, 흡수체 패턴(30)을 마스크로 하여 루테늄 버퍼층(24b)의 식각을 행한다.본 실시의 형태의 경우, 여기서 문제로 되는 것이 루테늄 버퍼층(24b)의 식각시에 반사층(20)의 표면에 손상이 생기지 않는가라는 점이지만, 본 발명자는 ECR(Electron Cycrotron Resonance) 방식의 건식식각장치를 사용하였으며, 사용가스: Cl₂/O₂(Cl₂함유량 : 30 %), ECR 파워: 300 W, RF 바이어스 파워: 30 W, 기판온도: 50℃의 조건하에서 루테늄 버퍼층(24b)의 식각을 실제로 수행한 경우 스퍼터링법에 의해 형성한 비정질 실리콘(반사층의 최상층)에 대하여 19.3 : 1 이라는 높은 식각선택비를 얻는 것이 가능하였다.

이와 같이, 본 실시의 형태에 의하면, 도 5의 반사 포토마스크(140)의 형태와 달리 반사영역상의 루테늄 버퍼층(24b)을 식각, 제거하여도 식각조건의 제어에 의해 반사층(20)의 표면의 과도식각을 충분히 제어하는 것이 가능하고, 반사율의 저하를 방지하는 것이 가능하다. 이 경우에도 도 6의 반사 포토마스크(150)에서와 같이, 반사영역에서의 버퍼층(24b)이 잔류하지 않기 때문에 반사영역내에서의 캡핑층(40)의 두께 선택시 선택의 마진이 훨씬 커지게 되는 장점이 있다.

< 제5 실시예>

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반사 포토마스크(170)를 나타내는 단면도이며, 도 9 및 도 10은 제5 실시예의 다른 형태를 나타내는 단면도들이다. 제5 실시예는 금속막으로 된 제1의 버퍼층(24, 24a, 24b) 상에 반도체 재료계로 된 제2의 버퍼층(26)을 형성한 형태의 예를 나타낸다.

본 실시예에서는, 반사층(20)상의 전면에 루테늄(Ru)으로 된 제1의 버퍼층 (24)이 형성되고, 제1의 루테늄 버퍼층(24)상에는 소정의 패턴을 갖는 제2의 버퍼층(26)이 형성되고, 제2의 버퍼층(26)상에 흡수체 패턴(30)이 형성되어 있다.

루테늄 이외의 제1의 버퍼층(24)의 재료 및 막두께는 제4 실시예와 같은 것이어도 좋다. 제2의 버퍼층(26)의 재료로는 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘질화산화막의 어느 것이든가를 사용하는 것이 가능하다. 제2의 버퍼층(26)의 막두께는 수십 내지 100 nm 정도가 좋다.

상기 구성의 반사 포토마스크(170)의 제조방법에 관하여 설명하면, 전술한 바와 같이, 반사층(20)상의 전면에 루테늄으로 된 제1의 버퍼층(24)을 성막한 후, 전면에 실리콘산화물 등으로 된 제2 버퍼층(26)을 성막한다. 이때에는 반사층(20)의 반사율의 변화를 최소한으로 억제하기 위해 저온증착이 유리하기 때문에 스퍼터링법이나 플라즈마 CVD법이 사용될 수 있다. 저온증착시 실리콘산화물의 경우에는 RF 스퍼터링법이 주로 사용되고, 실리콘옥시나이트라이드의 경우에는 플라즈마 CVD법이 주로 사용된다.

이어서, 제2의 버퍼층(26) 상의 전면에 전술한 방법으로 흡수체 패턴(30)으로 하고, 흡수체 패턴(30)을 마스크로 하여 제2의 버퍼층(26)의 식각을 행한다. 이때에는 제2의 버퍼층(26)의 재료가 실리콘산화물의 경우에는 예를 들어, ECR 방식을 사용하였으며, 사용가스: Ar/C₄F₈/O₂= 200/10/20 ml/min, ECR 파워: 600 W, RF 바이어스 파워: 15 W, 압력: 1 Pa, 기판온도: 50℃의 조건하에서 적어도 제1의 버퍼층(24)의 표면이 노출될 때까지 제2의 버퍼층(26)의 식각을 행한다. 또한 제2의 버퍼층(26)의 재료가 실리콘옥시나이트라이드의 경우에는 불소계의 식각가스를 사용하여 식각하는 것이 가능하다. 이 식각공정에 있어서는 제1의 버퍼층(24)이 식각스토퍼의 역할을 한다. 본 발명자가 실제로 식각을 행한 결과, 식각가스로서 Ar/C₄F₈/O₂을 사용한 경우 실리콘산화막에 대하여는 식각율이 70 nm/분 이상으로 되었다. 이것에 대하여 루테늄막의 경우 동일의 식각가스를 사용하여도 측정 불가능한 극소량 밖에 식각되지 않고 충분히 식각스토퍼로서 기능하는 것이 확인되었다.

도 9는 본 발명의 제5 실시예의 다른 형태에 따른 반사 포토마스크(180)를 나타낸다. 도 8와 비교하면, 반사층(20) 상에 형성되는 루테늄으로 된 버퍼층(24a)에 대하여 약간의 과도식각을 행한 결과, 반사영역상의 루테늄 버퍼층(24a)의 막두께가 다른 영역(흡수영역) 보다도 얇게 된 것이며, 이렇게 된다하여도 아무 지장이 없다. 특히, 상기 반사 포토마스크(180)에서는 반사영역에서의 버퍼층(24a)의 두께가 낮기 때문에 도 8에서 보다도 캡핑층(40)의 두께 선택시 선택의 마진이 커지게 되는 장점이 있다.

도 10은 본 발명의 제5 실시예의 또다른 형태에 따른 반사 포토마스크(190)를 나타낸다. 도 8과 비교하면, 반사영역내의 반사층(20) 상에 금속으로 된 버퍼층(24b)을 잔류시키지 않는 예를 나타낸다.

상기 반사 포토마스크(190)의 제조방법은 전술한 바와 같이, 제1 버퍼층(24b)의 표면이 노출될 때까지 제2 버퍼층(26)을 식각한 후, 이후에 제1 버퍼층(24b)도 식각하여 버리기 때문에 저스트 식각(just etching)으로도 과도식각(over etching)으로도 특히 상관이 없다.

< 제6 실시예 >

도 11는 본 발명의 제6 실시예의 형태의 반사 포토마스크(200)를 나타내는단면도이다. 본 실시의 형태의 반사 포토마스크(200)의 구성은 도 5 내지 도7의 제4의 실시예의 형태와 거의 같은 형태이며, 다른 점은 기판(10)과 반사층(20)과의 사이에 응력완화층(28)이 추가되었다라는 점만이다. 따라서, 도 9에 있어서 도 1과 공통의 구성요소는 동일의 부호를 붙이고, 상세한 설명은 생략한다.

본 실시의 형태의 반사 포토마스크(200)은 도 11에 나타나듯이, 실리콘, 글라스 등으로 된 기판(10)상에 응력완화층(28)이 형성되고, 응력완화층(28)상에 몰리브덴(Mo)/실리콘(Si) 다층막으로 된 반사층(20)이 형성되어 있다. 응력완화층 (28)으로 사용되는 재료의 일 예로서는 루테늄, 몰리브덴 등을 들 수 있다.

본 실시의 형태에 있어서도, 제조공정을 복잡하게 하지 않고 제조공정에 있어서 반사층 표면의 손상을 확실히 방지할 수 있고, 반사율의 저하를 초래하지 않으며, 반사층 표면의 오염을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 그것에 더하여 본 실시의 형태의 경우 몰리브덴/실리콘 다층막으로 된 반사층(20)이 갖는 내부응력과 루테늄, 몰리브덴 등의 단층구조로 된 응력완화층(28)이 갖는 내부응력의 방향이 반대이기 때문에 반사층(20)의 내부응력이 상쇄되어 완화되고, 포토마스크의 휘어짐을 방지할 수 있다.

이상에서 본 발명의 실시예들에 대하여 상세히 설명하였지만, 본 발명의 기술범위는 상기 실시예들의 형태에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러가지로 변경을 가하는 것이 가능하다. 예를 들어, 상기 실시의 형태에서 예시된 각 층의 재료, 막두께, 제조공정에 있어서 각종 공정조건 등의 구체적인 기재는 단지 일 예에 불과하며, 적절한 변경이 가능하다.

이상 상세하게 설명한 바와 같이, 본 발명의 반사 포토마스크에 의하면, 제조공정을 복잡하게 하지 않고, 제조공정에 있어서 반사층 표면의 손상을 방지할 수 있으며, 반사율이 저하하는 것을 방지할 수 있는 동시에 노광공정시 반사층 표면의 오염을 방지할 수 있다. 그 결과, EUV영역의 노광파장을 이용한 미세가공에 적합하게 적용할 수 있다.

Claims

기판;

상기 기판상에 형성되어지며, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층;

상기 반사층상에 형성되어지며, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어지며, 소정의 패턴으로 되어 흡수영역을 구성하는 흡수체 패턴; 및

상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판상의 적어도 상기 반사층상에 형성된 캡핑층을 포함하며,

상기 캡핑층은 실리콘보다 내산화성이 강한 물질로 된 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층은 상기 반사층외에도 상기 흡수체 패턴의 표면상에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
삭제
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층은 적어도 Ru을 포함한 그룹 VIII 금속인 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 캡핑층은 Pt, Ir 및 Pd의 적어도 하나를 포함하는 적어도 하나의 그룹 VIII 금속인 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 반사층상에서의 상기 캡핑층의 두께는 상기 흡수체 패턴 사이의 상기 반사층의 EUV선 영역에서의 반사율이 20% 이하로 감소하지 않는 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 6 항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께가 3 nm이하인 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 반사층은 제1 물질층 및 제2 물질층이 교대로 복수개 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 8 항에 있어서, 상기 반사층을 구성하는 상기 제1 물질층은몰리브덴(Mo), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이며, 상기 제2 물질층은 실리콘, 탄화실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 질화보론, 질화베릴륨, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 산화알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 반사층과 상기 흡수체 패턴 사이에 적어도 하나의 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 10 항에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 흡수체 패턴 사이에 식각스토퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 반사층과의 사이에 상기 반사층의 내부응력을 완화하기 위한 응력완화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 10 항에 있어서, 상기 버퍼층은 적어도 Ru을 포함한 그룹 VIII 금속인 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 10 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 버퍼층은 상기 흡수체 패턴이 형성되지 않은 상기 흡수체 패턴 사이의 반사영역내에도 형성된 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 14 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴이 형성되어 있지 않은 상기 반사영역내에 있어서 상기 버퍼층의 두께가 상기 흡수체 패턴이 형성되어 있는 상기 흡수영역내의 상기 버퍼층의 두께보다도 얇게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 13 항에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 흡수체 패턴 사이에 제2 버퍼층이 더 형성되며, 상기 제2 버퍼층은 상기 흡수체 패턴이 형성되지 않은 반사영역에는 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 16 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴이 형성되어 있지 않은 상기 반사영역내에 있어서 상기 버퍼층의 두께가 상기 흡수체 패턴이 형성되어 있는 상기 흡수영역내의 상기 버퍼층의 두께보다도 얇게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
제 1 항에 있어서, 상기 반사층의 표면에 자연산화막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크.
기판상에 EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층을 형성하는 단계;

상기 반사층상에 EUV(Extreme Ultra Violet)선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어지며, 소정의 패턴으로 되어 흡수영역을 구성하는 흡수체 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판상의 적어도 상기 반사층상에 캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 19 항에 있어서, 상기 캡핑층은 상기 반사층외에도 상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판의 전면상에 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 19 항에 있어서, 상기 캡핑층은 실리콘 보다 내산화성이 강한 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 21 항에 있어서, 상기 캡핑층은 적어도 Ru을 포함한 그룹 VIII 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 22 항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께를 3 nm이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 19 항에 있어서, 상기 반사층과 상기 흡수체 패턴 사이에 적어도 하나의 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 24 항에 있어서, 상기 버퍼층과 상기 흡수체 패턴 사이에 식각스토퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
제 19 항에 있어서, 상기 캡핑층은 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 반사 포토마스크의 제조방법.
기판; 상기 기판상에 형성되어지며, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층; 상기 반사층상에 형성되어지며. EUV(Extreme Ultra Violet)선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어지며, 소정의 패턴으로 되어 흡수영역을 구성하는 흡수체 패턴; 및 상기 흡수체 패턴이 형성된 상기 기판상의 적어도 상기 반사층상에 형성된 캡핑층을 포함하는 반사 포토마스크로부터 EUV선을 반사시킴으로서 패턴화된 EUV선에 집적회로를 노출시키는 단계를 포함하는 집적회로 제조방법.
제 27 항에 있어서, 상기 캡핑층은 상기 반사층외에도 상기 흡수체 패턴의 표면상에도 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 집적회로 제조방법.
제 27 항에 있어서, 상기 캡핑층은 실리콘 보다 내산화성이 강한 물질로 된 것을 특징으로 하는 집적회로 제조방법.
제 29 항에 있어서, 상기 캡핑층은 적어도 Ru을 포함한 그룹 VIII 금속인 것을 특징으로 하는 집적회로 제조방법.
제 27 항에 있어서, 상기 캡핑층의 두께가 3 nm이하인 것을 특징으로 하는 집적회로 제조방법.