JP2003318104A - キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程を複雑にせずに製造工程における反
射層の表面の損傷を防止でき、反射率の低下なしに露光
工程時の反射層の表面汚れを防止できる反射フォトマス
クおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン、ガラスなどよりなる基板と、
基板上に形成されたモリブデンおよびシリコンが交互に
積層された多層膜よりなる反射層と、所定のパターン形
状を有して反射層上に形成されたＥＵＶを吸収し得る窒
化タンタルなどの材料よりなる吸収体パターンおよび前
記吸収体パターンが形成された基板の全面に形成された
Ｒｕなどよりなるキャッピング層を有する反射フォトマ
スクにより上記課題は解決される。
射層の表面の損傷を防止でき、反射率の低下なしに露光
工程時の反射層の表面汚れを防止できる反射フォトマス
クおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン、ガラスなどよりなる基板と、
基板上に形成されたモリブデンおよびシリコンが交互に
積層された多層膜よりなる反射層と、所定のパターン形
状を有して反射層上に形成されたＥＵＶを吸収し得る窒
化タンタルなどの材料よりなる吸収体パターンおよび前
記吸収体パターンが形成された基板の全面に形成された
Ｒｕなどよりなるキャッピング層を有する反射フォトマ
スクにより上記課題は解決される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体の製造工程に
係り、特に、半導体の製造工程において極紫外線（以
下、「ＥＵＶ」とも記載する。）を用いた高解像度のフ
ォトリソグラフィ技術に用いられる反射フォトマスクお
よびその製造方法に関する。
係り、特に、半導体の製造工程において極紫外線（以
下、「ＥＵＶ」とも記載する。）を用いた高解像度のフ
ォトリソグラフィ技術に用いられる反射フォトマスクお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程のフォトリソグラフィ
工程において、高集積化のためにデザインルールが減る
に伴い、現在の技術よりも高い解像度を有する露光技術
が必要となりつつある。現在、深紫外線（以下、「ＤＵ
Ｖ」とも記載する。）光を用いた露光技術は、波長２４
８ｎｍの光源を用いて約２５０ｎｍのパターンサイズの
露光が可能である。これに対し、より短い１９３ｎｍの
波長の光源を用いる新たなＤＵＶ露光技術は、約１００
ないし１３０ｎｍのパターンサイズの露光が可能である
と期待されている。しかも、１００ｎｍ以下のパターン
サイズを実現する露光技術として、軟Ｘ線と呼ばれるＥ
ＵＶ領域の露光波長を用いれば、約５ないし７０ｎｍの
パターンサイズの露光が可能であると期待されており、
現在、これに関する研究が活発になされている。
工程において、高集積化のためにデザインルールが減る
に伴い、現在の技術よりも高い解像度を有する露光技術
が必要となりつつある。現在、深紫外線（以下、「ＤＵ
Ｖ」とも記載する。）光を用いた露光技術は、波長２４
８ｎｍの光源を用いて約２５０ｎｍのパターンサイズの
露光が可能である。これに対し、より短い１９３ｎｍの
波長の光源を用いる新たなＤＵＶ露光技術は、約１００
ないし１３０ｎｍのパターンサイズの露光が可能である
と期待されている。しかも、１００ｎｍ以下のパターン
サイズを実現する露光技術として、軟Ｘ線と呼ばれるＥ
ＵＶ領域の露光波長を用いれば、約５ないし７０ｎｍの
パターンサイズの露光が可能であると期待されており、
現在、これに関する研究が活発になされている。
【０００３】ＥＵＶを用いる露光技術は、従来のＤＵＶ
領域までの露光技術とは著しく異なる点がある。それ
は、ＥＵＶ領域においてはほとんどの物質が高い光吸収
性を有するために、既存の透過型フォトマスクとは異な
って、反射フォトマスクを用いなければならないという
ことである。通常のＥＵＶ用フォトマスクは、ＥＵＶ領
域における反射率が大きい鏡（反射鏡）上にＥＵＶ光を
吸収し得る吸収体よりなるパターンを形成したものであ
る。従って、反射鏡の表面が吸収体パターンで被覆され
た領域が吸収領域となり、吸収体パターン無しに反射鏡
の表面が露出された領域が反射領域となる。ここに用い
られた反射鏡は、モリブデンおよびシリコン（Ｍｏ／Ｓ
ｉ）、ベリリウムおよびシリコン（Ｂｅ／Ｓｉ）などの
２種の膜を交互に積層して多層膜として形成したもので
ある。
領域までの露光技術とは著しく異なる点がある。それ
は、ＥＵＶ領域においてはほとんどの物質が高い光吸収
性を有するために、既存の透過型フォトマスクとは異な
って、反射フォトマスクを用いなければならないという
ことである。通常のＥＵＶ用フォトマスクは、ＥＵＶ領
域における反射率が大きい鏡（反射鏡）上にＥＵＶ光を
吸収し得る吸収体よりなるパターンを形成したものであ
る。従って、反射鏡の表面が吸収体パターンで被覆され
た領域が吸収領域となり、吸収体パターン無しに反射鏡
の表面が露出された領域が反射領域となる。ここに用い
られた反射鏡は、モリブデンおよびシリコン（Ｍｏ／Ｓ
ｉ）、ベリリウムおよびシリコン（Ｂｅ／Ｓｉ）などの
２種の膜を交互に積層して多層膜として形成したもので
ある。
【０００４】図１は、このような従来の反射フォトマス
ク１００の構造を示す断面図である。図１を参照すれ
ば、Ｓｉ、ガラスなどの基板１０上に前記多層膜よりな
る反射層２０が形成され、反射層２０上に所定のパター
ンを有する窒化タンタル（ＴａＮ）膜などよりなる軟Ｘ
線の吸収体パターン３０が形成されている。
ク１００の構造を示す断面図である。図１を参照すれ
ば、Ｓｉ、ガラスなどの基板１０上に前記多層膜よりな
る反射層２０が形成され、反射層２０上に所定のパター
ンを有する窒化タンタル（ＴａＮ）膜などよりなる軟Ｘ
線の吸収体パターン３０が形成されている。
【０００５】しかしながら、図１に示されたように、反
射層２０上に吸収体パターン３０を直接的に形成する構
造において、吸収体のパターニング（エッチング）時に
反射層の表面の露出された部分がエッチングされて損傷
を受け、反射率が低下するといった問題が生じる。さら
に、吸収体パターンを形成してから吸収体パターンに欠
陥が生じた場合、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて
これらの欠陥の修正を行うが、このようなＦＩＢを用い
たマスクのリペア工程に際し、ＦＩＢの照射が反射層の
表面に損傷を与える恐れが十分にある。
射層２０上に吸収体パターン３０を直接的に形成する構
造において、吸収体のパターニング（エッチング）時に
反射層の表面の露出された部分がエッチングされて損傷
を受け、反射率が低下するといった問題が生じる。さら
に、吸収体パターンを形成してから吸収体パターンに欠
陥が生じた場合、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて
これらの欠陥の修正を行うが、このようなＦＩＢを用い
たマスクのリペア工程に際し、ＦＩＢの照射が反射層の
表面に損傷を与える恐れが十分にある。
【０００６】一方、このように反射層２０の表面が露出
された従来の反射フォトマスク１００を用いてＥＵＶを
反射させて露光工程を行う場合にも、反射層２０の表面
が汚れるといった問題点がある。すなわち、露光工程中
にＥＵＶによるＨ2Ｏの分解およびハイドロカーボンの
分解が原因となって反射層２０の表面が酸化したり、カ
ーボンの蒸着により反射層２０の反射率が下がる恐れが
ある。
された従来の反射フォトマスク１００を用いてＥＵＶを
反射させて露光工程を行う場合にも、反射層２０の表面
が汚れるといった問題点がある。すなわち、露光工程中
にＥＵＶによるＨ2Ｏの分解およびハイドロカーボンの
分解が原因となって反射層２０の表面が酸化したり、カ
ーボンの蒸着により反射層２０の反射率が下がる恐れが
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記課題を解
決するためになされたものであり、その目的は、反射層
の表面の損傷および表面汚れを防ぐことのできる反射フ
ォトマスクおよびその製造方法を提供するところにあ
る。
決するためになされたものであり、その目的は、反射層
の表面の損傷および表面汚れを防ぐことのできる反射フ
ォトマスクおよびその製造方法を提供するところにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る反射フォトマスクは、基板と、前記基
板上に形成され、ＥＵＶを反射し得る材料よりなる反射
層と、前記反射層上に形成され、ＥＵＶを吸収し得る材
料よりなり、所定のパターンを有して吸収領域を構成す
る吸収体パターン、および前記吸収体パターンが形成さ
れた前記基板上の少なくとも前記反射層上に形成された
キャッピング層を有するものである。前記キャッピング
層は、前記反射フォトマスクの反射率を前記反射層の反
射率の２０％以下に変えるように選択される。
に、本発明に係る反射フォトマスクは、基板と、前記基
板上に形成され、ＥＵＶを反射し得る材料よりなる反射
層と、前記反射層上に形成され、ＥＵＶを吸収し得る材
料よりなり、所定のパターンを有して吸収領域を構成す
る吸収体パターン、および前記吸収体パターンが形成さ
れた前記基板上の少なくとも前記反射層上に形成された
キャッピング層を有するものである。前記キャッピング
層は、前記反射フォトマスクの反射率を前記反射層の反
射率の２０％以下に変えるように選択される。
【０００９】好ましくは、前記キャッピング層は、３ｎ
ｍ以下の膜厚を有し、前記反射フォトマスクの反射率を
前記反射層の反射率よりも高めるように選択でき、これ
とは逆に、前記反射フォトマスクの反射率を前記反射層
の反射率の２０％以下に下げるようにも選択できる。
ｍ以下の膜厚を有し、前記反射フォトマスクの反射率を
前記反射層の反射率よりも高めるように選択でき、これ
とは逆に、前記反射フォトマスクの反射率を前記反射層
の反射率の２０％以下に下げるようにも選択できる。
【００１０】前記キャッピング層は、前記反射層に加え
て前記吸収体パターンの全面にも形成でき、その材料は
Ｓｉよりも耐酸化性が強い物質を用いる。例えば、前記
キャッピング層は、少なくともＲｕを含む８〜１０族の
金属よりなっても良く、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）およびパラジウム（Ｐｄ）のうち少なくとも何れか
一つを含む８〜１０族の金属よりなっても良い。また、
前記反射層上における前記キャッピング層の膜厚は、前
記吸収体パターン間の前記反射層のＥＵＶ領域における
反射率が２０％以下に下がらないほどの膜厚とし、好ま
しくは、前記キャッピング層の膜厚は３ｎｍ以下であ
る。これは、前記反射フォトマスクの反射率が所望の値
を有するように適宜設定されたものであり、前記反射フ
ォトマスクの反射率を前記反射層の反射率から２０％を
超えて変えると、反射フォトマスクの機能が減少するた
めである。
て前記吸収体パターンの全面にも形成でき、その材料は
Ｓｉよりも耐酸化性が強い物質を用いる。例えば、前記
キャッピング層は、少なくともＲｕを含む８〜１０族の
金属よりなっても良く、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）およびパラジウム（Ｐｄ）のうち少なくとも何れか
一つを含む８〜１０族の金属よりなっても良い。また、
前記反射層上における前記キャッピング層の膜厚は、前
記吸収体パターン間の前記反射層のＥＵＶ領域における
反射率が２０％以下に下がらないほどの膜厚とし、好ま
しくは、前記キャッピング層の膜厚は３ｎｍ以下であ
る。これは、前記反射フォトマスクの反射率が所望の値
を有するように適宜設定されたものであり、前記反射フ
ォトマスクの反射率を前記反射層の反射率から２０％を
超えて変えると、反射フォトマスクの機能が減少するた
めである。
【００１１】前記反射層は、第１物質層および第２物質
層が交互に複数個積層されてなり、前記反射層を構成す
る前記第１物質層はモリブデン（Ｍｏ）、スカンジウム
（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム
（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト
（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、テ
クネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム
（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏ
ｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）および金（Ａ
ｕ）よりなる群から選択される何れか一つであり、前記
第２物質層は、シリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（Ｓｉ
Ｃ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化ベリリウム（Ｂｅ
Ｎ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ）よりなる
群から選択される何れか一つである。
層が交互に複数個積層されてなり、前記反射層を構成す
る前記第１物質層はモリブデン（Ｍｏ）、スカンジウム
（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム
（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト
（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、テ
クネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム
（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タ
ングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏ
ｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃ
ｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）および金（Ａ
ｕ）よりなる群から選択される何れか一つであり、前記
第２物質層は、シリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（Ｓｉ
Ｃ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化ベリリウム（Ｂｅ
Ｎ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ）よりなる
群から選択される何れか一つである。
【００１２】前記反射層と前記吸収体パターンとの間に
少なくとも一つのバッファ層をさらに有することがで
き、前記バッファ層と前記吸収体パターンとの間にエッ
チングストッパ層をさらに有することができ、前記基板
と前記反射層との間に前記反射層の内部応力を緩和する
ための応力緩和層をさらに有することができる。
少なくとも一つのバッファ層をさらに有することがで
き、前記バッファ層と前記吸収体パターンとの間にエッ
チングストッパ層をさらに有することができ、前記基板
と前記反射層との間に前記反射層の内部応力を緩和する
ための応力緩和層をさらに有することができる。
【００１３】前記バッファ層は、少なくともＲｕを含む
８〜１０族の金属を使用でき、前記吸収体パターンが形
成されていない前記吸収体パターン間の反射領域内にも
形成できる。この時、前記吸収体パターンが形成されて
いない前記反射領域内において、前記バッファ層が前記
吸収体パターンが形成されている前記吸収領域内の前記
バッファ層よりも薄くなっていても良い。
８〜１０族の金属を使用でき、前記吸収体パターンが形
成されていない前記吸収体パターン間の反射領域内にも
形成できる。この時、前記吸収体パターンが形成されて
いない前記反射領域内において、前記バッファ層が前記
吸収体パターンが形成されている前記吸収領域内の前記
バッファ層よりも薄くなっていても良い。
【００１４】前記バッファ層と前記吸収体パターンとの
間に第２バッファ層がさらに形成でき、前記反射層の表
面に自然酸化膜がさらに形成されてもよい。自然酸化膜
とは、反射層の最上層にシリコンを用いた場合、シリコ
ン表面が大気中に晒された際に、特定の工程を行わなく
ても、露出されたシリコンと大気中の酸素が反応して形
成されるシリコンオキシド（ＳｉＯ2）膜のことであ
る。
間に第２バッファ層がさらに形成でき、前記反射層の表
面に自然酸化膜がさらに形成されてもよい。自然酸化膜
とは、反射層の最上層にシリコンを用いた場合、シリコ
ン表面が大気中に晒された際に、特定の工程を行わなく
ても、露出されたシリコンと大気中の酸素が反応して形
成されるシリコンオキシド（ＳｉＯ2）膜のことであ
る。
【００１５】一方、前記目的を達成するために、本発明
に係る反射フォトマスクの製造方法は、基板上にＥＵＶ
を反射し得る材料よりなる反射層を形成する段階と、前
記反射層上にＥＵＶを吸収し得る材料よりなり、所定の
パターンを有して吸収領域を構成する吸収体パターンを
形成する段階と、および前記吸収体パターンが形成され
た前記基板上の少なくとも前記反射層上にキャッピング
層を形成する段階を含む。前記キャッピング層は、前記
反射フォトマスクの反射率を前記反射層の反射率の２０
％以下に変えるように選択されてなるものである。
に係る反射フォトマスクの製造方法は、基板上にＥＵＶ
を反射し得る材料よりなる反射層を形成する段階と、前
記反射層上にＥＵＶを吸収し得る材料よりなり、所定の
パターンを有して吸収領域を構成する吸収体パターンを
形成する段階と、および前記吸収体パターンが形成され
た前記基板上の少なくとも前記反射層上にキャッピング
層を形成する段階を含む。前記キャッピング層は、前記
反射フォトマスクの反射率を前記反射層の反射率の２０
％以下に変えるように選択されてなるものである。
【００１６】好ましくは、前記キャッピング層は、３ｎ
ｍ以下の膜厚を有し、前記反射フォトマスクの反射率を
前記反射層の反射率よりも高めるように選択でき、これ
とは逆に、前記反射フォトマスクの反射率を前記反射層
の反射率の２０％以下に下げるようにも選択できるもの
である。
ｍ以下の膜厚を有し、前記反射フォトマスクの反射率を
前記反射層の反射率よりも高めるように選択でき、これ
とは逆に、前記反射フォトマスクの反射率を前記反射層
の反射率の２０％以下に下げるようにも選択できるもの
である。
【００１７】好ましくは、前記キャッピング層は、スパ
ッタリング法により形成できる。
ッタリング法により形成できる。
【００１８】さらに、前記本発明の目的を達成するため
に、本発明に係る集積回路の製造方法は、基板と、前記
基板上に形成され、ＥＵＶを反射し得る材料よりなる反
射層と、前記反射層上に形成され、ＥＵＶを吸収し得る
材料よりなり、所定のパターンを有して吸収領域を構成
する吸収体パターン、および前記吸収体パターンが形成
された前記基板上の少なくとも前記反射層上に形成され
たキャッピング層を有する反射フォトマスクからＥＵＶ
を反射させることにより、パターン化した集積回路を露
出させる段階を含む。
に、本発明に係る集積回路の製造方法は、基板と、前記
基板上に形成され、ＥＵＶを反射し得る材料よりなる反
射層と、前記反射層上に形成され、ＥＵＶを吸収し得る
材料よりなり、所定のパターンを有して吸収領域を構成
する吸収体パターン、および前記吸収体パターンが形成
された前記基板上の少なくとも前記反射層上に形成され
たキャッピング層を有する反射フォトマスクからＥＵＶ
を反射させることにより、パターン化した集積回路を露
出させる段階を含む。
【００１９】本発明によれば、製造工程を単純化でき、
反射率の低下なしに反射層の損傷を最小限にできるほ
か、反射フォトマスクの最上層に形成されるキャッピン
グ層の存在により、反射層の表面汚れを防止できる。
反射率の低下なしに反射層の損傷を最小限にできるほ
か、反射フォトマスクの最上層に形成されるキャッピン
グ層の存在により、反射層の表面汚れを防止できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照し、本
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。しか
し、本発明は多くの相異なる形態にて具現でき、ここで
説明する実施形態に限定されると解釈されてはならず、
むしろこれらの実施形態はその開示内容を完全にして発
明の思想を当業者に十分に伝えるために提供されるもの
である。図中、層および領域の膜厚は明瞭性のために誇
張されている。さらに、同じ参照番号は全体的に同じ要
素を指す。層、領域または基板などの要素が他の要素
‘上’にあると言及される時、これは他の要素上に直接
的にあっても良く、それらの間に他の要素が挟まれても
良い。これとは逆に、ある要素が他の要素‘上に直接
的’にあると言及される時、そこには中間要素が存在し
ないことを意味する。
発明の好適な実施形態について詳細に説明する。しか
し、本発明は多くの相異なる形態にて具現でき、ここで
説明する実施形態に限定されると解釈されてはならず、
むしろこれらの実施形態はその開示内容を完全にして発
明の思想を当業者に十分に伝えるために提供されるもの
である。図中、層および領域の膜厚は明瞭性のために誇
張されている。さらに、同じ参照番号は全体的に同じ要
素を指す。層、領域または基板などの要素が他の要素
‘上’にあると言及される時、これは他の要素上に直接
的にあっても良く、それらの間に他の要素が挟まれても
良い。これとは逆に、ある要素が他の要素‘上に直接
的’にあると言及される時、そこには中間要素が存在し
ないことを意味する。
【００２１】本発明者は、反射フォトマスクの反射領域
上にいかなる種類の金属膜よりなるキャッピング層を形
成しても一定の厚み以下では反射層の表面におけるＥＵ
Ｖの反射が阻害されないということを発見した。
上にいかなる種類の金属膜よりなるキャッピング層を形
成しても一定の厚み以下では反射層の表面におけるＥＵ
Ｖの反射が阻害されないということを発見した。
【００２２】図１２は、反射層上に形成されたＳｉＯ2
およびＲｕの反射率の膜厚依存性のシミュレーション結
果を示すグラフである。グラフ中、横軸が膜厚（ｎｍ）
であり、縦軸が反射率である。シミュレーションの条件
は、反射層の積層構造をＳｉ（膜厚：４．１４ｎｍ）／
Ｍｏ（膜厚：２．７６ｎｍ）組みを４０個積層した多層
膜の反射層および前記最上層に形成されたＳｉＯ2（Ｓ
ｉ上の自然酸化膜を想定し、その膜厚は２ｎｍであると
仮定する。）上にＳｉＯ2およびＲｕのキャッピング層
をそれぞれ積層したものであり、ＥＵＶ光の波長を１
３．５ｎｍ、光入射角を０゜にした。
およびＲｕの反射率の膜厚依存性のシミュレーション結
果を示すグラフである。グラフ中、横軸が膜厚（ｎｍ）
であり、縦軸が反射率である。シミュレーションの条件
は、反射層の積層構造をＳｉ（膜厚：４．１４ｎｍ）／
Ｍｏ（膜厚：２．７６ｎｍ）組みを４０個積層した多層
膜の反射層および前記最上層に形成されたＳｉＯ2（Ｓ
ｉ上の自然酸化膜を想定し、その膜厚は２ｎｍであると
仮定する。）上にＳｉＯ2およびＲｕのキャッピング層
をそれぞれ積層したものであり、ＥＵＶ光の波長を１
３．５ｎｍ、光入射角を０゜にした。
【００２３】図１２から明らかなように、Ｒｕキャッピ
ング層の膜厚を、反射層の反射率に対して反射フォトマ
スクの反射率を相対的に変えるように選択できる。Ｓｉ
Ｏ2キャッピング層を有する反射フォトマスクの場合、
前記反射フォトマスクの反射率は、キャッピング層が厚
くなるに伴い約０．７５から徐々に下がる。これに対
し、Ｒｕキャッピング層を有する反射フォトマスクの場
合、反射フォトマスクの反射率は、キャッピング層が約
０から３ｎｍまで厚くなるに伴い上がる。結果的に、反
射フォトマスクの反射率をキャッピング層のない反射フ
ォトマスクの反射率よりも高めたいならば、Ｒｕキャッ
ピング層の膜厚を約３ｎｍ以下とすればよい。
ング層の膜厚を、反射層の反射率に対して反射フォトマ
スクの反射率を相対的に変えるように選択できる。Ｓｉ
Ｏ2キャッピング層を有する反射フォトマスクの場合、
前記反射フォトマスクの反射率は、キャッピング層が厚
くなるに伴い約０．７５から徐々に下がる。これに対
し、Ｒｕキャッピング層を有する反射フォトマスクの場
合、反射フォトマスクの反射率は、キャッピング層が約
０から３ｎｍまで厚くなるに伴い上がる。結果的に、反
射フォトマスクの反射率をキャッピング層のない反射フ
ォトマスクの反射率よりも高めたいならば、Ｒｕキャッ
ピング層の膜厚を約３ｎｍ以下とすればよい。
【００２４】また、図１２から明らかなように、キャッ
ピング層の膜厚は、反射フォトマスクの反射率を反射層
の反射率（すなわち、キャッピング層のない反射フォト
マスクに対して相対的である。）の約２０％以下まで下
がるように選択することもできる。この場合、例えば、
Ｒｕキャッピング層は約６ｎｍ以下の膜厚を有するよう
に形成し、ＳｉＯ2キャッピング層は約１１ｎｍ以下の
膜厚を有するように形成する。具体的に、ＳｉＯ2の場
合（図中に波線にて示す。）、曲線がやや波打ちしつつ
も膜厚が厚くなるに伴い、反射率が約０．７５から徐々
に下がる傾向にある。これに対し、Ｒｕキャッピング層
の場合（図中に実線にて表す。）、ＳｉＯ2の場合に比
べて曲線の波打ちが大きくなり、膜厚ｔが０＜ｔ≦３ｎ
ｍの範囲においてはキャッピング層がない場合に比べて
むしろ反射率が上がる。反射率を約２０％以下まで変え
るようにするためには、より好ましくはＲｕキャッピン
グ層の膜厚を０＜ｔ≦１１ｎｍとする。したがって、い
かなる種類の金属膜よりなるキャッピング層が反射層上
に存在しても、キャッピング層がない場合に対して反射
率が２０％下がる点までを確認することにより、例え
ば、Ｒｕキャッピング層の膜厚は約６ｎｍであると言え
るように、製造する反射フォトマスクの所望する反射率
に対応してキャッピング層の膜厚を適宜設定することが
可能である。仮に、キャッピング層がない場合よりも反
射率を高めたい場合には、Ｒｕキャッピング層の膜厚を
３ｎｍ以下にすることが好ましい。
ピング層の膜厚は、反射フォトマスクの反射率を反射層
の反射率（すなわち、キャッピング層のない反射フォト
マスクに対して相対的である。）の約２０％以下まで下
がるように選択することもできる。この場合、例えば、
Ｒｕキャッピング層は約６ｎｍ以下の膜厚を有するよう
に形成し、ＳｉＯ2キャッピング層は約１１ｎｍ以下の
膜厚を有するように形成する。具体的に、ＳｉＯ2の場
合（図中に波線にて示す。）、曲線がやや波打ちしつつ
も膜厚が厚くなるに伴い、反射率が約０．７５から徐々
に下がる傾向にある。これに対し、Ｒｕキャッピング層
の場合（図中に実線にて表す。）、ＳｉＯ2の場合に比
べて曲線の波打ちが大きくなり、膜厚ｔが０＜ｔ≦３ｎ
ｍの範囲においてはキャッピング層がない場合に比べて
むしろ反射率が上がる。反射率を約２０％以下まで変え
るようにするためには、より好ましくはＲｕキャッピン
グ層の膜厚を０＜ｔ≦１１ｎｍとする。したがって、い
かなる種類の金属膜よりなるキャッピング層が反射層上
に存在しても、キャッピング層がない場合に対して反射
率が２０％下がる点までを確認することにより、例え
ば、Ｒｕキャッピング層の膜厚は約６ｎｍであると言え
るように、製造する反射フォトマスクの所望する反射率
に対応してキャッピング層の膜厚を適宜設定することが
可能である。仮に、キャッピング層がない場合よりも反
射率を高めたい場合には、Ｒｕキャッピング層の膜厚を
３ｎｍ以下にすることが好ましい。
【００２５】上述の通り、本発明者は、反射フォトマス
クにおいて、吸収体パターン間に露出される反射層の表
面に一定の材質のキャッピング層を形成し、その膜厚を
制御すれば、反射層における反射率の低下なしにも露光
工程に際して反射層の表面汚れを低減できるということ
を知見した。以下、その各実施形態について説明する。
クにおいて、吸収体パターン間に露出される反射層の表
面に一定の材質のキャッピング層を形成し、その膜厚を
制御すれば、反射層における反射率の低下なしにも露光
工程に際して反射層の表面汚れを低減できるということ
を知見した。以下、その各実施形態について説明する。
【００２６】＜第１実施形態＞図２は、本発明の第１実
施形態による反射フォトマスク１１０を示す断面図であ
る。図２を参照すれば、Ｓｉ、ガラスなどよりなる基板
１０上に多層膜よりなる反射層２０が形成され、反射層
２０上に所定のパターンを有するＴａＮ膜などよりなる
ＥＵＶの吸収体パターン３０が形成されており、前記吸
収体パターン３０が形成された前記基板１０の全面にキ
ャッピング層４０が形成されている。
施形態による反射フォトマスク１１０を示す断面図であ
る。図２を参照すれば、Ｓｉ、ガラスなどよりなる基板
１０上に多層膜よりなる反射層２０が形成され、反射層
２０上に所定のパターンを有するＴａＮ膜などよりなる
ＥＵＶの吸収体パターン３０が形成されており、前記吸
収体パターン３０が形成された前記基板１０の全面にキ
ャッピング層４０が形成されている。
【００２７】ここで、前記反射層２０としては、Ｍｏ膜
およびＳｉ膜が交互に多層積層されたものを用いる。前
記反射層２０の最上層はＭｏ膜であっても、Ｓｉ膜であ
っても良いが、Ｓｉの表面に生じる自然酸化膜層の安定
性が高いことを考慮すれば、Ｓｉ膜を最上層にした方が
好ましい。Ｍｏ単一層やＳｉ単一層の膜厚は約数ｎｍで
あり、積層数は約数十層の値のうち任意に設定すること
が可能である。
およびＳｉ膜が交互に多層積層されたものを用いる。前
記反射層２０の最上層はＭｏ膜であっても、Ｓｉ膜であ
っても良いが、Ｓｉの表面に生じる自然酸化膜層の安定
性が高いことを考慮すれば、Ｓｉ膜を最上層にした方が
好ましい。Ｍｏ単一層やＳｉ単一層の膜厚は約数ｎｍで
あり、積層数は約数十層の値のうち任意に設定すること
が可能である。
【００２８】また、反射層２０を構成する膜としては、
前記Ｍｏの代わりにＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇお
よびＡｕなどが使用でき、前記Ｓｉの代わりにＳｉＣ、
ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＢＮ、ＢｅＮ、ＢｅＯ、ＡｌＮ、Ａｌ
Ｏなどが使用できる。
前記Ｍｏの代わりにＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇお
よびＡｕなどが使用でき、前記Ｓｉの代わりにＳｉＣ、
ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＢＮ、ＢｅＮ、ＢｅＯ、ＡｌＮ、Ａｌ
Ｏなどが使用できる。
【００２９】前記反射層２０上に形成された吸収体パタ
ーン３０としては、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉ
Ｎ、Ａｌなどを使用できる。吸収体パターン３０の膜厚
は、好ましくは、約２００ｎｍ以下である。
ーン３０としては、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｔ
ｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉ
Ｎ、Ａｌなどを使用できる。吸収体パターン３０の膜厚
は、好ましくは、約２００ｎｍ以下である。
【００３０】前記キャッピング層４０は、Ｓｉよりも耐
酸化性が強い物質または化合物を使用できる。本実施形
態においてはＲｕを使用し、ＲｕのほかにＰｔ、Ｉｒ、
Ｐｄなどの８〜１０族の金属の材料を使用してもよい。
酸化性が強い物質または化合物を使用できる。本実施形
態においてはＲｕを使用し、ＲｕのほかにＰｔ、Ｉｒ、
Ｐｄなどの８〜１０族の金属の材料を使用してもよい。
【００３１】上述した通り、前記キャッピング層４０の
膜厚は、ＥＵＶ領域において前記反射層２０の露出表面
における反射率を、前記キャッピング層４０がない場合
に比べて２０％以下に下がらない条件下では、膜厚を適
宜薄くしてよい。また、Ｒｕを用いる本実施形態におい
ては、前記キャッピング層４０を３ｎｍ以下に形成して
いる。
膜厚は、ＥＵＶ領域において前記反射層２０の露出表面
における反射率を、前記キャッピング層４０がない場合
に比べて２０％以下に下がらない条件下では、膜厚を適
宜薄くしてよい。また、Ｒｕを用いる本実施形態におい
ては、前記キャッピング層４０を３ｎｍ以下に形成して
いる。
【００３２】＜第２実施形態＞図３は、本発明の第２実
施形態による反射フォトマスク１２０を示す断面図であ
る。図３を参照すれば、本発明の第２実施形態は、前記
反射層２０と吸収体パターン３０との間に前記吸収体パ
ターン３０と同じ所定のパターンを有するシリコン酸化
膜（ＳｉＯx）よりなるバッファ層２２がさらに形成さ
れているという点を除けば、前記第１実施形態と同様で
ある。バッファ層２２を有することにより、反射フォト
マスクの反射層２０表面のエッチング（食刻）による損
傷を減少させ得る。
施形態による反射フォトマスク１２０を示す断面図であ
る。図３を参照すれば、本発明の第２実施形態は、前記
反射層２０と吸収体パターン３０との間に前記吸収体パ
ターン３０と同じ所定のパターンを有するシリコン酸化
膜（ＳｉＯx）よりなるバッファ層２２がさらに形成さ
れているという点を除けば、前記第１実施形態と同様で
ある。バッファ層２２を有することにより、反射フォト
マスクの反射層２０表面のエッチング（食刻）による損
傷を減少させ得る。
【００３３】このような反射フォトマスク１２０を製造
する時には、基板１０上に多層膜よりなる反射層２０を
形成し、反射層２０上にＳｉＯxよりなるバッファ層２
２を形成し、バッファ層２２上に吸収体層（図示せず）
をさらに形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によ
り前記吸収体層をパターニングして吸収体パターン３０
を形成する。この時、吸収体パターン３０を形成後、露
出しているバッファ層２２をドライエッチングし、バッ
ファ層２２を僅かに残留させた状態でエッチングを止め
る。次に、ウェットエッチングを行い、残留したバッフ
ァ層２２を完全に除去して反射層２０の表面を露出させ
る。次に、スパッタリング法などにより前記バッファ層
２２および吸収体パターン３０が形成された基板１０の
全面にキャッピング層４０を形成する。
する時には、基板１０上に多層膜よりなる反射層２０を
形成し、反射層２０上にＳｉＯxよりなるバッファ層２
２を形成し、バッファ層２２上に吸収体層（図示せず）
をさらに形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によ
り前記吸収体層をパターニングして吸収体パターン３０
を形成する。この時、吸収体パターン３０を形成後、露
出しているバッファ層２２をドライエッチングし、バッ
ファ層２２を僅かに残留させた状態でエッチングを止め
る。次に、ウェットエッチングを行い、残留したバッフ
ァ層２２を完全に除去して反射層２０の表面を露出させ
る。次に、スパッタリング法などにより前記バッファ層
２２および吸収体パターン３０が形成された基板１０の
全面にキャッピング層４０を形成する。
【００３４】本実施形態によれば、反射層２０の表面に
バッファ層２２を僅かに残留させた後に相対的に反射層
２０の表面に対するエッチングダメージが少ないウェッ
トエッチングを行うことで、反射層２０の表面における
エッチングダメージを減らすことが可能となるとと共
に、キャッピング層４０の存在により、本実施形態の反
射フォトマスク１２０を用いて露光工程を行う時に反射
層２０の表面汚れを低減することが可能となり得る。
バッファ層２２を僅かに残留させた後に相対的に反射層
２０の表面に対するエッチングダメージが少ないウェッ
トエッチングを行うことで、反射層２０の表面における
エッチングダメージを減らすことが可能となるとと共
に、キャッピング層４０の存在により、本実施形態の反
射フォトマスク１２０を用いて露光工程を行う時に反射
層２０の表面汚れを低減することが可能となり得る。
【００３５】＜第３実施形態＞図４は、本発明の第３実
施形態による反射フォトマスク１３０を示す断面図であ
る。図４を参照すれば、第３実施形態は、前記反射層２
０と所定のパターンを有する吸収体パターン３０との間
にシリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）よりなるバッファ層
２２’およびＣｒよりなるエッチングストッパ層２３が
さらに形成されているという点を除けば、前記第１実施
形態と同様である。
施形態による反射フォトマスク１３０を示す断面図であ
る。図４を参照すれば、第３実施形態は、前記反射層２
０と所定のパターンを有する吸収体パターン３０との間
にシリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）よりなるバッファ層
２２’およびＣｒよりなるエッチングストッパ層２３が
さらに形成されているという点を除けば、前記第１実施
形態と同様である。
【００３６】この反射フォトマスク１３０を製造する時
には、基板１０上に多層膜よりなる反射層２０を形成
し、反射層２０上にＣｒよりなるエッチングストッパ層
２３を成膜し、エッチングストッパ層２３上にＳｉＯＮ
よりなるバッファ層２２’を成膜し、バッファ層２２’
上に吸収体層（図示せず）をさらに成膜する。フォトリ
ソグラフィ技術により前記吸収体層をパターニングして
吸収体パターン３０にした後、バッファ層２２’をエッ
チングする。この時、Ｃｒに対してＳｉＯＮのエッチン
グ選択比が高いものとすることにより、バッファ層２
２’のエッチングはエッチングストッパ層２３の表面に
おいて止めることができる。次に、湿式または乾式エッ
チング（食刻）法によりエッチングストッパ層２３を除
去することで、反射層２０の表面を損傷させずに露出さ
せることができる。続けて、吸収体パターン３０が形成
された前記基板１０の全面にキャッピング層４０を形成
する。
には、基板１０上に多層膜よりなる反射層２０を形成
し、反射層２０上にＣｒよりなるエッチングストッパ層
２３を成膜し、エッチングストッパ層２３上にＳｉＯＮ
よりなるバッファ層２２’を成膜し、バッファ層２２’
上に吸収体層（図示せず）をさらに成膜する。フォトリ
ソグラフィ技術により前記吸収体層をパターニングして
吸収体パターン３０にした後、バッファ層２２’をエッ
チングする。この時、Ｃｒに対してＳｉＯＮのエッチン
グ選択比が高いものとすることにより、バッファ層２
２’のエッチングはエッチングストッパ層２３の表面に
おいて止めることができる。次に、湿式または乾式エッ
チング（食刻）法によりエッチングストッパ層２３を除
去することで、反射層２０の表面を損傷させずに露出さ
せることができる。続けて、吸収体パターン３０が形成
された前記基板１０の全面にキャッピング層４０を形成
する。
【００３７】本実施形態によれば、エッチングストッパ
層２３の使用により、バッファ層２２’のエッチングに
際して反射層２０の表面にオーバエッチングが起こらな
いため、反射層２０の表面のダメージを著しく低減で
き、キャッピング層４０を吸収体パターン３０が形成さ
れていない反射領域内の反射層２０の表面に形成するた
め、前述したように、露光工程時の反射層２０の表面汚
れを防止できる。
層２３の使用により、バッファ層２２’のエッチングに
際して反射層２０の表面にオーバエッチングが起こらな
いため、反射層２０の表面のダメージを著しく低減で
き、キャッピング層４０を吸収体パターン３０が形成さ
れていない反射領域内の反射層２０の表面に形成するた
め、前述したように、露光工程時の反射層２０の表面汚
れを防止できる。
【００３８】＜第４実施形態＞図５は、本発明の第４実
施形態による反射フォトマスク１４０を示す断面図であ
り、図６および図７は、他の第４実施形態による反射フ
ォトマスク１５０および１６０を示す断面図である。図
５ないし図７を参照すれば、第４実施形態は、前記反射
層２０と吸収体パターン３０との間に金属よりなるバッ
ファ層２４、２４ａ、２４ｂがさらに形成されていると
いう点を除けば、 前記第１実施形態と同様である。
施形態による反射フォトマスク１４０を示す断面図であ
り、図６および図７は、他の第４実施形態による反射フ
ォトマスク１５０および１６０を示す断面図である。図
５ないし図７を参照すれば、第４実施形態は、前記反射
層２０と吸収体パターン３０との間に金属よりなるバッ
ファ層２４、２４ａ、２４ｂがさらに形成されていると
いう点を除けば、 前記第１実施形態と同様である。
【００３９】第４実施形態による反射フォトマスク１４
０においては、前記反射層２０の全面にＲｕよりなるバ
ッファ層２４が形成され、Ｒｕバッファ層２４上には所
定のパターンを有する吸収体パターン３０が形成されて
いる。反射フォトマスク１４０のうち吸収体パターン３
０の形成された領域がＥＵＶ光を吸収する吸収領域とな
り、吸収体パターン３０のないＲｕバッファ層２４の表
面が露出された領域が反射領域となる。Ｒｕよりなるバ
ッファ層２４の膜厚は、前述した図１２と同様に、反射
率の許容範囲内において、約数ｎｍないし数十ｎｍに任
意に設定することが可能であり、Ｒｕバッファ層２４の
材料としては、Ｒｕのほかに、Ｓｉよりも耐酸化性が強
い物質であればよく、例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄなどの
８〜１０族の金属の材料を用いることが可能である。
０においては、前記反射層２０の全面にＲｕよりなるバ
ッファ層２４が形成され、Ｒｕバッファ層２４上には所
定のパターンを有する吸収体パターン３０が形成されて
いる。反射フォトマスク１４０のうち吸収体パターン３
０の形成された領域がＥＵＶ光を吸収する吸収領域とな
り、吸収体パターン３０のないＲｕバッファ層２４の表
面が露出された領域が反射領域となる。Ｒｕよりなるバ
ッファ層２４の膜厚は、前述した図１２と同様に、反射
率の許容範囲内において、約数ｎｍないし数十ｎｍに任
意に設定することが可能であり、Ｒｕバッファ層２４の
材料としては、Ｒｕのほかに、Ｓｉよりも耐酸化性が強
い物質であればよく、例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄなどの
８〜１０族の金属の材料を用いることが可能である。
【００４０】吸収体パターン３０としては、ＴａＮ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金、ＮｉＳｉ、
ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ａｌなどを使用できる。吸収
体パターン３０の膜厚は、好ましくは、２００ｎｍ以下
である。
ａ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金、ＮｉＳｉ、
ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ａｌなどを使用できる。吸収
体パターン３０の膜厚は、好ましくは、２００ｎｍ以下
である。
【００４１】ここで、図１３Ａないし図１３Ｅは、本発
明の第４実施形態による反射フォトマスク１４０の製造
方法を説明するための工程断面図である。
明の第４実施形態による反射フォトマスク１４０の製造
方法を説明するための工程断面図である。
【００４２】まず、図１３Ａに示されたように、基板１
０の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜よりなる反射層２０を形成
する。この時、成膜方法として、例えば、ＲＦマグネト
ロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法
を用いる。また、スパッタリングの条件は、使用する装
置に応じて変わる。ＭｏおよびＳｉを約７ｎｍの周期に
て交互に成膜し、１３．４ｎｍの波長領域において最大
の反射率を有するように形成する。１周期中のＭｏの割
合は約４０％であり、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ（例え
ば、２．７６ｎｍ）、Ｓｉの膜厚は約４．２ｎｍ（例え
ば、４．１４ｎｍ）である。層数は、まず、Ｍｏ／Ｓｉ
組みを４０個成膜した後、最後にＳｉを成膜するため、
合わせて８１層となる。
０の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜よりなる反射層２０を形成
する。この時、成膜方法として、例えば、ＲＦマグネト
ロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法
を用いる。また、スパッタリングの条件は、使用する装
置に応じて変わる。ＭｏおよびＳｉを約７ｎｍの周期に
て交互に成膜し、１３．４ｎｍの波長領域において最大
の反射率を有するように形成する。１周期中のＭｏの割
合は約４０％であり、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ（例え
ば、２．７６ｎｍ）、Ｓｉの膜厚は約４．２ｎｍ（例え
ば、４．１４ｎｍ）である。層数は、まず、Ｍｏ／Ｓｉ
組みを４０個成膜した後、最後にＳｉを成膜するため、
合わせて８１層となる。
【００４３】次に、図１３Ｂに示されたように、反射層
２０の全面にＲｕよりなるバッファ層２４を成膜する。
この時にはＤＣスパッタリング法を用い、スパッタリン
グの条件は、例えば、ＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：０．
３Ｐａ、アルゴン（Ａｒ）ガスの雰囲気とする。
２０の全面にＲｕよりなるバッファ層２４を成膜する。
この時にはＤＣスパッタリング法を用い、スパッタリン
グの条件は、例えば、ＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：０．
３Ｐａ、アルゴン（Ａｒ）ガスの雰囲気とする。
【００４４】次に、図１３Ｃに示されたように、Ｒｕバ
ッファ層２４の全面にＴａＮなどよりなる吸収体層３０
ａを成膜する。この時、吸収体層３０ａの材料が窒化物
である場合には反応性スパッタリング法を使用し、その
他の場合にはＤＣスパッタリング法を使用する。
ッファ層２４の全面にＴａＮなどよりなる吸収体層３０
ａを成膜する。この時、吸収体層３０ａの材料が窒化物
である場合には反応性スパッタリング法を使用し、その
他の場合にはＤＣスパッタリング法を使用する。
【００４５】次に、図１３Ｄに示されたように、フォト
リソグラフィ技術により吸収体層３０ａをパターニング
して吸収体パターン３０を形成する。この時には、吸収
体層３０ａ上に所定のパターン形状を有するレジストパ
ターン（図示せず）を形成した後、このレジストパター
ンをマスクとしてＥＣＲ反応性エッチング法を用いる。
例えば、吸収体層３０ａの材料がＴａＮである場合、Ｅ
ＣＲ方式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０
ｍｌ／ｍｉｎ、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアス
パワー：３０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板の温度：５０℃の
条件下で吸収体層３０ａのエッチングを行う。吸収体層
３０ａのエッチング工程においては、エッチングをジャ
ストエッチングの状態で止めたら、反射領域上のＲｕバ
ッファ層２４の膜厚が異なる領域（吸収領域）の膜厚と
同じくなる。
リソグラフィ技術により吸収体層３０ａをパターニング
して吸収体パターン３０を形成する。この時には、吸収
体層３０ａ上に所定のパターン形状を有するレジストパ
ターン（図示せず）を形成した後、このレジストパター
ンをマスクとしてＥＣＲ反応性エッチング法を用いる。
例えば、吸収体層３０ａの材料がＴａＮである場合、Ｅ
ＣＲ方式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０
ｍｌ／ｍｉｎ、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアス
パワー：３０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板の温度：５０℃の
条件下で吸収体層３０ａのエッチングを行う。吸収体層
３０ａのエッチング工程においては、エッチングをジャ
ストエッチングの状態で止めたら、反射領域上のＲｕバ
ッファ層２４の膜厚が異なる領域（吸収領域）の膜厚と
同じくなる。
【００４６】この後、必要に応じて、ＦＩＢを用いたマ
スクリペアを行う。マスクリペアには、ＦＩＢのほかに
ガス・アシスト・エッチング（ＧＡＥ）を使用すること
も可能である。この場合、エッチングガスとしては、主
にＢｒ2を用いるが、吸収体およびバッファ層の材料に
応じて適宜に変えることが可能である。
スクリペアを行う。マスクリペアには、ＦＩＢのほかに
ガス・アシスト・エッチング（ＧＡＥ）を使用すること
も可能である。この場合、エッチングガスとしては、主
にＢｒ2を用いるが、吸収体およびバッファ層の材料に
応じて適宜に変えることが可能である。
【００４７】次に、前記吸収体パターン３０が形成され
た基板１０の全面にキャッピング層４０をスパッタリン
グ法により形成することにより、本発明の第４実施形態
による反射フォトマスク１４０が完成する。
た基板１０の全面にキャッピング層４０をスパッタリン
グ法により形成することにより、本発明の第４実施形態
による反射フォトマスク１４０が完成する。
【００４８】本実施形態によれば、２段階のエッチング
を用いた前記第２および第３実施形態に比べて工程を単
純化でき、反射領域上のＲｕバッファ層２４を残留させ
るので、製造工程における反射層２０の表面の損傷を防
止することができ、反射層２０の表面にキャッピング層
４０の存在が原因となって起こる後続の露光工程におけ
る、反射層２０の表面汚れを防止できる。
を用いた前記第２および第３実施形態に比べて工程を単
純化でき、反射領域上のＲｕバッファ層２４を残留させ
るので、製造工程における反射層２０の表面の損傷を防
止することができ、反射層２０の表面にキャッピング層
４０の存在が原因となって起こる後続の露光工程におけ
る、反射層２０の表面汚れを防止できる。
【００４９】一方、本実施形態の場合、反射領域内の反
射層２４上にＲｕバッファ層２４およびキャッピング層
４０が存在しているために反射率の低下が懸念されるも
のの、前述した図１２の説明と同様に、バッファ層２４
およびキャッピング層４０の材質の選択および膜厚を許
容値範囲内において適宜に選択することにより、反射領
域における反射率の低下を防止できる。
射層２４上にＲｕバッファ層２４およびキャッピング層
４０が存在しているために反射率の低下が懸念されるも
のの、前述した図１２の説明と同様に、バッファ層２４
およびキャッピング層４０の材質の選択および膜厚を許
容値範囲内において適宜に選択することにより、反射領
域における反射率の低下を防止できる。
【００５０】本実施形態においては、例えば、前記バッ
ファ層２４およびキャッピング層４０を両方ともＲｕに
より形成した場合、これらの総膜厚を図１２を参照して
０＜ｔ≦３ｎｍの範囲において適宜設定すればよい。
ファ層２４およびキャッピング層４０を両方ともＲｕに
より形成した場合、これらの総膜厚を図１２を参照して
０＜ｔ≦３ｎｍの範囲において適宜設定すればよい。
【００５１】一方、本発明において、前記キャッピング
層４０の存在によって前記吸収体パターン３０の上面お
よび側面における露光パターンの歪みが懸念されるが、
キャッピング層４０を形成する時、一般に、段差塗布性
に劣っているスパッタリング法により形成することで、
吸収体パターン３０の側壁に形成されるキャッピング層
４０の膜厚を最小限とすることができ、吸収体パターン
３０の上面に形成されるキャッピング層４０に対して
は、一般的に限られた条件の多層膜の場合に限ってＥＵ
Ｖ反射が起こり、ほとんどの物質はＥＵＶの光吸収度が
高く、吸収領域におけるキャッピング層４０の下部には
吸収体パターン３０が存在するため、露光工程時に露光
パターンの歪みの心配はない。
層４０の存在によって前記吸収体パターン３０の上面お
よび側面における露光パターンの歪みが懸念されるが、
キャッピング層４０を形成する時、一般に、段差塗布性
に劣っているスパッタリング法により形成することで、
吸収体パターン３０の側壁に形成されるキャッピング層
４０の膜厚を最小限とすることができ、吸収体パターン
３０の上面に形成されるキャッピング層４０に対して
は、一般的に限られた条件の多層膜の場合に限ってＥＵ
Ｖ反射が起こり、ほとんどの物質はＥＵＶの光吸収度が
高く、吸収領域におけるキャッピング層４０の下部には
吸収体パターン３０が存在するため、露光工程時に露光
パターンの歪みの心配はない。
【００５２】図６は、本発明の他の第４実施形態による
反射フォトマスク１５０を示している。図５と比較すれ
ば、他の第４実施形態は、反射層２０上に形成されるＲ
ｕよりなるバッファ層２４ａに対して僅かにオーバエッ
チングを行ったところ、反射領域上のＲｕバッファ層２
４が他の領域（吸収領域）よりも薄くなったにも拘わら
ずにまったく支障がなかった。特に、前記反射フォトマ
スク１５０においては、反射領域におけるバッファ層２
４ａが薄いために、図５においてよりも、キャッピング
層４０の膜厚の選択に際して選択のマージンが大きくな
るという長所がある。
反射フォトマスク１５０を示している。図５と比較すれ
ば、他の第４実施形態は、反射層２０上に形成されるＲ
ｕよりなるバッファ層２４ａに対して僅かにオーバエッ
チングを行ったところ、反射領域上のＲｕバッファ層２
４が他の領域（吸収領域）よりも薄くなったにも拘わら
ずにまったく支障がなかった。特に、前記反射フォトマ
スク１５０においては、反射領域におけるバッファ層２
４ａが薄いために、図５においてよりも、キャッピング
層４０の膜厚の選択に際して選択のマージンが大きくな
るという長所がある。
【００５３】図７は、本発明のさらに他の第４実施形態
による反射フォトマスク１６０を示す。図５と比較すれ
ば、さらに他の第４実施形態は、反射領域内の反射層２
０上に金属よりなるバッファ層２４ｂを残留させていな
い。
による反射フォトマスク１６０を示す。図５と比較すれ
ば、さらに他の第４実施形態は、反射領域内の反射層２
０上に金属よりなるバッファ層２４ｂを残留させていな
い。
【００５４】前記反射フォトマスク１６０の製造方法
は、前記図１３Ａないし図１３Ｅにおける説明と同様で
ある。但し、本実施形態においては、バッファ層２４ｂ
の表面が露出されるまで吸収体層３０ａのエッチングを
行う。次に、Ｒｕバッファ層２４ｂもエッチングしてし
まうため、ジャストエッチングであってもオーバエッチ
ングであっても構わない。
は、前記図１３Ａないし図１３Ｅにおける説明と同様で
ある。但し、本実施形態においては、バッファ層２４ｂ
の表面が露出されるまで吸収体層３０ａのエッチングを
行う。次に、Ｒｕバッファ層２４ｂもエッチングしてし
まうため、ジャストエッチングであってもオーバエッチ
ングであっても構わない。
【００５５】すなわち、吸収体パターン３０をマスクと
してＲｕバッファ層２４ｂのエッチングを行う。本実施
形態の場合、ここで問題となるのが、Ｒｕバッファ層２
４ｂのエッチング時に反射層２０の表面に損傷が生じる
恐れがあるという点であるが、本発明者は、ＥＣＲ方式
のドライエッチング装置を用い、使用ガス：Ｃｌ2／Ｏ2
（Ｃｌ2の含量：３０％）、ＥＣＲパワー：３００Ｗ、
ＲＦバイアスパワー：３０Ｗ、基板の温度：５０℃の条
件下でＲｕバッファ層２４ｂのエッチングを実際に行っ
たところ、スパッタリング法により形成された非晶質シ
リコン（反射層の最上層）に対して１９．３：１という
高いエッチング選択比を得ることができた。
してＲｕバッファ層２４ｂのエッチングを行う。本実施
形態の場合、ここで問題となるのが、Ｒｕバッファ層２
４ｂのエッチング時に反射層２０の表面に損傷が生じる
恐れがあるという点であるが、本発明者は、ＥＣＲ方式
のドライエッチング装置を用い、使用ガス：Ｃｌ2／Ｏ2
（Ｃｌ2の含量：３０％）、ＥＣＲパワー：３００Ｗ、
ＲＦバイアスパワー：３０Ｗ、基板の温度：５０℃の条
件下でＲｕバッファ層２４ｂのエッチングを実際に行っ
たところ、スパッタリング法により形成された非晶質シ
リコン（反射層の最上層）に対して１９．３：１という
高いエッチング選択比を得ることができた。
【００５６】このように、本実施形態によれば、図５の
反射フォトマスク１４０の形態とは異なって、反射領域
上のＲｕバッファ層２４ｂをエッチングして除去しても
エッチング条件の制御により反射層２０の表面のオーバ
エッチングを十分に制御することが可能であり、反射率
の低下を防止することが可能である。この場合にも、図
６の反射フォトマスク１５０と同様に、反射領域におけ
るバッファ層２４ｂが残留しないため、反射領域内にに
おけるキャッピング層４０の膜厚を選択する時、選択の
マージンがはるかに大きくなるという長所がある。
反射フォトマスク１４０の形態とは異なって、反射領域
上のＲｕバッファ層２４ｂをエッチングして除去しても
エッチング条件の制御により反射層２０の表面のオーバ
エッチングを十分に制御することが可能であり、反射率
の低下を防止することが可能である。この場合にも、図
６の反射フォトマスク１５０と同様に、反射領域におけ
るバッファ層２４ｂが残留しないため、反射領域内にに
おけるキャッピング層４０の膜厚を選択する時、選択の
マージンがはるかに大きくなるという長所がある。
【００５７】＜第５実施形態＞図８は、本発明の第５実
施形態による反射フォトマスク１７０を示す断面図であ
り、図９および図１０は、他の第５実施形態びよる反射
フォトマスク１８０および１９０を示す断面図である。
第５実施形態は、金属膜よりなる第１バッファ層２４、
２４ａ、２４ｂ上に半導体材料系よりなる第２バッファ
層２６を形成した例を示している。
施形態による反射フォトマスク１７０を示す断面図であ
り、図９および図１０は、他の第５実施形態びよる反射
フォトマスク１８０および１９０を示す断面図である。
第５実施形態は、金属膜よりなる第１バッファ層２４、
２４ａ、２４ｂ上に半導体材料系よりなる第２バッファ
層２６を形成した例を示している。
【００５８】本実施形態においては、反射層２０の全面
にＲｕよりなる第１バッファ層２４、２４ａ、２４ｂが
形成され、第１Ｒｕバッファ層２４、２４ａ、２４ｂ上
には所定のパターンを有する第２のバッファ層２６が形
成され、第２のバッファ層２６上に吸収体パターン３０
が形成されている。
にＲｕよりなる第１バッファ層２４、２４ａ、２４ｂが
形成され、第１Ｒｕバッファ層２４、２４ａ、２４ｂ上
には所定のパターンを有する第２のバッファ層２６が形
成され、第２のバッファ層２６上に吸収体パターン３０
が形成されている。
【００５９】第１バッファ層２４、２４ａ、２４ｂのＲ
ｕ以外の材料および膜厚は、第４実施形態と同様であ
る。第２バッファ層２６の材料としては、ＳｉＯx、シ
リコン窒化膜、ＳｉＯＮなどが使用可能である。第２バ
ッファ層２６の膜厚は約数十ｎｍないし１００ｎｍであ
れば良い。
ｕ以外の材料および膜厚は、第４実施形態と同様であ
る。第２バッファ層２６の材料としては、ＳｉＯx、シ
リコン窒化膜、ＳｉＯＮなどが使用可能である。第２バ
ッファ層２６の膜厚は約数十ｎｍないし１００ｎｍであ
れば良い。
【００６０】前記構成の反射フォトマスク１７０の製造
方法について説明すれば、前述したように、反射層２０
の全面にＲｕよりなる第１バッファ層２４を成膜した
後、全面にシリコン酸化物よりなる第２バッファ層２６
を成膜する。この時には、反射層２０の反射率の変化を
最小限に抑えるために低温蒸着が有用であり、スパッタ
リング法やプラズマ化学気相蒸着法（ＣＶＤ）が使用で
きる。低温蒸着に際し、シリコン酸化物の場合にはＲＦ
スパッタリング法が主に使用され、シリコンオキシナイ
トライドである場合にはプラズマＣＶＤ法が主に使用さ
れる。
方法について説明すれば、前述したように、反射層２０
の全面にＲｕよりなる第１バッファ層２４を成膜した
後、全面にシリコン酸化物よりなる第２バッファ層２６
を成膜する。この時には、反射層２０の反射率の変化を
最小限に抑えるために低温蒸着が有用であり、スパッタ
リング法やプラズマ化学気相蒸着法（ＣＶＤ）が使用で
きる。低温蒸着に際し、シリコン酸化物の場合にはＲＦ
スパッタリング法が主に使用され、シリコンオキシナイ
トライドである場合にはプラズマＣＶＤ法が主に使用さ
れる。
【００６１】次いで、第２バッファ層２６の全面に前述
した方法により吸収体パターン３０を形成し、吸収体パ
ターン３０をマスクとして第２バッファ層２６のエッチ
ングを行う。この時には、第２バッファ層２６の材料が
シリコン酸化物である場合には、例えば、ＥＣＲ方式を
使用し、使用ガス：Ａｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2＝２００／１０
／２０ｍｌ／ｍｉｎ、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバ
イアスパワー：１５Ｗ、圧力：１Ｐａ、基板温度：５０
℃の条件下で少なくとも第１バッファ層２４の表面が露
出されるまで第２バッファ層２６のエッチングを行う。
また、第２バッファ層２６の材料がシリコンオキシナイ
トライドである場合にはフッ素系のエッチングガスを用
いてエッチングすることが可能である。このエッチング
工程に際しては、第１バッファ層２４がエッチングスト
ッパの役割を果たす。本発明者が実際にエッチングを行
ったところ、エッチングガスとしてＡｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2
を使用した場合、ＳｉＯxに対してはエッチング率が７
０ｎｍ／分以上となるのに対し、Ｒｕ膜の場合に同じエ
ッチングガスを使用しても測定できない極少量しかエッ
チングされず、エッチングストッパとして十分に機能す
ることが確かめられた。
した方法により吸収体パターン３０を形成し、吸収体パ
ターン３０をマスクとして第２バッファ層２６のエッチ
ングを行う。この時には、第２バッファ層２６の材料が
シリコン酸化物である場合には、例えば、ＥＣＲ方式を
使用し、使用ガス：Ａｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2＝２００／１０
／２０ｍｌ／ｍｉｎ、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバ
イアスパワー：１５Ｗ、圧力：１Ｐａ、基板温度：５０
℃の条件下で少なくとも第１バッファ層２４の表面が露
出されるまで第２バッファ層２６のエッチングを行う。
また、第２バッファ層２６の材料がシリコンオキシナイ
トライドである場合にはフッ素系のエッチングガスを用
いてエッチングすることが可能である。このエッチング
工程に際しては、第１バッファ層２４がエッチングスト
ッパの役割を果たす。本発明者が実際にエッチングを行
ったところ、エッチングガスとしてＡｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2
を使用した場合、ＳｉＯxに対してはエッチング率が７
０ｎｍ／分以上となるのに対し、Ｒｕ膜の場合に同じエ
ッチングガスを使用しても測定できない極少量しかエッ
チングされず、エッチングストッパとして十分に機能す
ることが確かめられた。
【００６２】図９は、本発明の他の第５実施形態による
反射フォトマスク１８０を示す。図８と比較すれば、反
射層２０上に形成されるＲｕよりなるバッファ層２４ａ
に対して僅かにオーバエッチングを行ったところ、反射
領域上のＲｕバッファ層２４ａが他の領域（吸収領域）
よりも薄くなったにも拘わらず、まったく支障がない。
特に、前記反射フォトマスク１８０においては、反射領
域におけるバッファ層２４ａが薄いため、図８において
よりも、キャッピング層４０の膜厚の選択に際して選択
のマージンが大きくなるという長所がある。
反射フォトマスク１８０を示す。図８と比較すれば、反
射層２０上に形成されるＲｕよりなるバッファ層２４ａ
に対して僅かにオーバエッチングを行ったところ、反射
領域上のＲｕバッファ層２４ａが他の領域（吸収領域）
よりも薄くなったにも拘わらず、まったく支障がない。
特に、前記反射フォトマスク１８０においては、反射領
域におけるバッファ層２４ａが薄いため、図８において
よりも、キャッピング層４０の膜厚の選択に際して選択
のマージンが大きくなるという長所がある。
【００６３】図１０は、本発明のさらに他の第５実施形
態による反射フォトマスク１９０を示す。図８と比較す
れば、第５実施形態は、反射領域内の反射層２０上に金
属よりなるバッファ層２４ｂを残留させていない。従っ
て、図９および図１０において、図８と共通した構成要
素には同じ符号を付し、その詳細な説明は省く。
態による反射フォトマスク１９０を示す。図８と比較す
れば、第５実施形態は、反射領域内の反射層２０上に金
属よりなるバッファ層２４ｂを残留させていない。従っ
て、図９および図１０において、図８と共通した構成要
素には同じ符号を付し、その詳細な説明は省く。
【００６４】前記反射フォトマスク１９０の製造方法
は、前述したように、第１バッファ層２４ｂの表面が露
出されるまで第２バッファ層２６をエッチングした後、
第４の実施形態と同様にして第１バッファ層２４ｂもエ
ッチングしてしまうため、ジャストエッチングであって
もオーバエッチングであっても構わない。前記反射フォ
トマスク１９０においては、反射領域におけるバッファ
層２４ｂが残留しないため、図９の反射フォトマスク１
８０と同様に、反射領域内ににおけるキャッピング層４
０の膜厚を選択する時、選択のマージンがはるかに大き
くなるという長所がある。
は、前述したように、第１バッファ層２４ｂの表面が露
出されるまで第２バッファ層２６をエッチングした後、
第４の実施形態と同様にして第１バッファ層２４ｂもエ
ッチングしてしまうため、ジャストエッチングであって
もオーバエッチングであっても構わない。前記反射フォ
トマスク１９０においては、反射領域におけるバッファ
層２４ｂが残留しないため、図９の反射フォトマスク１
８０と同様に、反射領域内ににおけるキャッピング層４
０の膜厚を選択する時、選択のマージンがはるかに大き
くなるという長所がある。
【００６５】＜第６実施形態＞図１１は、本発明の第６
実施形態による反射フォトマスク２００を示す断面図で
ある。本実施形態の反射フォトマスク２００の構成は、
図５ないし図７の第４の実施形態とほとんど同様であ
り、異なる点があれば、基板１０と反射層２０との間に
応力緩和層２８が挟まれたということである。従って、
図１１において、図５ないし図７と共通した構成要素に
は同じ符号を付し、その詳細な説明は省く。
実施形態による反射フォトマスク２００を示す断面図で
ある。本実施形態の反射フォトマスク２００の構成は、
図５ないし図７の第４の実施形態とほとんど同様であ
り、異なる点があれば、基板１０と反射層２０との間に
応力緩和層２８が挟まれたということである。従って、
図１１において、図５ないし図７と共通した構成要素に
は同じ符号を付し、その詳細な説明は省く。
【００６６】本実施形態の反射フォトマスク２００は、
図１１に示されたように、Ｓｉ、ガラス等よりなる基板
１０上に応力緩和層２８が形成され、応力緩和層２８上
にＭｏ／Ｓｉ多層膜よりなる反射層２０が形成されてい
る。応力緩和層２８として使用される材料は、例えば、
Ｒｕ、Ｍｏなどが挙げられる。本実施形態においても、
製造工程を複雑にせずに製造工程における反射層の表面
の損傷を確実に防止でき、反射率の低下を招かないほ
か、反射層の表面汚れを防止できる。これらに加えて、
本実施形態の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜よりなる反射層２
０が有する内部応力と、Ｒｕ、Ｍｏなどの単層構造より
なる応力緩和層２８が有する内部応力との方向が互いに
反対であるため、反射層２０の内部応力が相殺すること
で緩和され、フォトマスクの歪みを防止できる。
図１１に示されたように、Ｓｉ、ガラス等よりなる基板
１０上に応力緩和層２８が形成され、応力緩和層２８上
にＭｏ／Ｓｉ多層膜よりなる反射層２０が形成されてい
る。応力緩和層２８として使用される材料は、例えば、
Ｒｕ、Ｍｏなどが挙げられる。本実施形態においても、
製造工程を複雑にせずに製造工程における反射層の表面
の損傷を確実に防止でき、反射率の低下を招かないほ
か、反射層の表面汚れを防止できる。これらに加えて、
本実施形態の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜よりなる反射層２
０が有する内部応力と、Ｒｕ、Ｍｏなどの単層構造より
なる応力緩和層２８が有する内部応力との方向が互いに
反対であるため、反射層２０の内部応力が相殺すること
で緩和され、フォトマスクの歪みを防止できる。
【００６７】本発明の反射フォトマスクからＥＵＶを反
射させることにより、パターン化した集積回路を露出さ
せる方法としては、公知の方法を用いて行えばよく、特
に限定されるものではない。
射させることにより、パターン化した集積回路を露出さ
せる方法としては、公知の方法を用いて行えばよく、特
に限定されるものではない。
【００６８】以上、本発明の実施形態について詳細に説
明したが、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定され
ることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、
各種の変更を加えることが可能である。例えば、前記実
施形態において例示された各層の材料、膜厚、製造工程
において各種工程の条件などの具体的な記載は単なる一
例に過ぎず、適切な変更が可能である。
明したが、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定され
ることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、
各種の変更を加えることが可能である。例えば、前記実
施形態において例示された各層の材料、膜厚、製造工程
において各種工程の条件などの具体的な記載は単なる一
例に過ぎず、適切な変更が可能である。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射フォ
トマスクによれば、製造工程を複雑にせずに製造工程に
おいて反射層の表面の損傷を防止でき、反射率が下がる
ことを防止できるほか、露光工程に際して反射層の表面
汚れを防止できる。その結果、ＥＵＶ領域の露光波長を
用いた微細加工に適用して好適である。
トマスクによれば、製造工程を複雑にせずに製造工程に
おいて反射層の表面の損傷を防止でき、反射率が下がる
ことを防止できるほか、露光工程に際して反射層の表面
汚れを防止できる。その結果、ＥＵＶ領域の露光波長を
用いた微細加工に適用して好適である。
【図１】 従来の反射フォトマスクを示す断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明の第１実施形態による反射フォトマス
クを示す断面図である。
クを示す断面図である。
【図３】 本発明の第２実施形態による反射フォトマス
クを示す断面図である。
クを示す断面図である。
【図４】 本発明の第３実施形態による反射フォトマス
クを示す断面図である。
クを示す断面図である。
【図５】 本発明の第４実施形態による反射フォトマス
クを示す断面図である。
クを示す断面図である。
【図６】 本発明の他の第４実施形態による反射フォト
マスクを示す断面図である。
マスクを示す断面図である。
【図７】 本発明のさらに他の第４実施形態による反射
フォトマスクを示す断面図である。
フォトマスクを示す断面図である。
【図８】 本発明の第５実施形態による反射フォトマス
クを示す断面図である。
クを示す断面図である。
【図９】 本発明の他の第５実施形態による反射フォト
マスクを示す断面図である。
マスクを示す断面図である。
【図１０】 本発明のさらに他の第５実施形態による反
射フォトマスクを示す断面図である。
射フォトマスクを示す断面図である。
【図１１】 本発明の第６実施形態による反射フォトマ
スクを示す断面図である。
スクを示す断面図である。
【図１２】 反射層上に形成されたＳｉＯ2およびＲｕ
の反射率の膜厚依存性のシミュレーション結果を示すグ
ラフである。（図中、※１はキャッピング層がない反射
フォトマスクの反射率、※２はキャッピング層により反
射フォトマスクの反射率を２０％下げた点、※３はキャ
ッピング層により反射フォトマスクの反射率を２０％上
げた点を示す。）
の反射率の膜厚依存性のシミュレーション結果を示すグ
ラフである。（図中、※１はキャッピング層がない反射
フォトマスクの反射率、※２はキャッピング層により反
射フォトマスクの反射率を２０％下げた点、※３はキャ
ッピング層により反射フォトマスクの反射率を２０％上
げた点を示す。）
【図１３】 ＡないしＥは、図５の反射フォトマスクの
製造工程を順次に示す工程断面図である。
製造工程を順次に示す工程断面図である。
１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１
６０、１７０、１８０、１９０、２００…反射フォトマ
スク、 １０…基板、 ２０…反射層、 ２２、２２’、２４、２４ａ、２４ｂ、２６…バッファ
層、 ２３…エッチングストッパ層 ２８…応力緩和層 ３０…吸収体パターン、 ３０ａ…吸収体層、 ４０…キャッピング層。
６０、１７０、１８０、１９０、２００…反射フォトマ
スク、 １０…基板、 ２０…反射層、 ２２、２２’、２４、２４ａ、２４ｂ、２６…バッファ
層、 ２３…エッチングストッパ層 ２８…応力緩和層 ３０…吸収体パターン、 ３０ａ…吸収体層、 ４０…キャッピング層。
Claims (49)
- 【請求項１】 極紫外線に対して一定の反射率を有する
反射フォトマスクにおいて、 基板と、 前記基板上に形成され、極紫外線に対して一定の反射率
を有する材料よりなる反射層と、 前記反射層上に形成され、極紫外線を吸収し得る材料よ
りなる吸収体パターンと、 前記反射層上に形成され、前記反射フォトマスクの反射
率を前記反射層の反射率の２０％以下に変えるように選
択されたキャッピング層と、を有する反射フォトマス
ク。 - 【請求項２】 前記キャッピング層は、前記反射フォト
マスクの反射率を前記反射層の反射率よりも高めるよう
に選択されてなることを特徴とする請求項１に記載の反
射フォトマスク。 - 【請求項３】 前記キャッピング層は、Ｒｕを含むこと
を特徴とする請求項２に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項４】 前記キャッピング層は、３ｎｍ以下の膜
厚を有することを特徴とする請求項２に記載の反射フォ
トマスク。 - 【請求項５】 前記キャッピング層は、８〜１０族の金
属を含むことを特徴とする請求項２に記載の反射フォト
マスク。 - 【請求項６】 前記キャッピング層は、Ｐｔ、Ｉｒおよ
びＰｄのうち少なくとも何れか一つを含むことを特徴と
する請求項２に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項７】 前記キャッピング層は、前記反射フォト
マスクの反射率を前記反射層の反射率の２０％以下に下
げるように選択されてなることを特徴とする請求項１に
記載の反射フォトマスク。 - 【請求項８】 前記キャッピング層は、６ｎｍ以下の膜
厚を有することを特徴とする請求項７に記載の反射フォ
トマスク。 - 【請求項９】 前記キャッピング層は、前記反射層およ
び前記吸収体パターンを覆うことを特徴とする請求項１
に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項１０】 前記キャッピング層は、Ｓｉよりも耐
酸化性が強い物質を含むことを特徴とする請求項１に記
載の反射フォトマスク。 - 【請求項１１】 前記キャッピング層は、Ｒｕを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項１２】 前記キャッピング層は、８〜１０族の
金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射フォ
トマスク。 - 【請求項１３】 前記キャッピング層は、Ｐｔ, Ｉｒお
よびＰｄのうち少なくとも何れか一つを含むことを特徴
とする請求項１に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項１４】 前記反射層は、第１物質層および第２
物質層が交互に複数積層されてなることを特徴とする請
求項１に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項１５】 前記反射層を構成する前記第１物質層
は、Ｍｏ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、ＡｇおよびＡｕよ
りなる群から選択される何れか一つであり、前記第２物
質層は、Ｓｉ, ＳｉＣ, ＳｉＮ, ＳｉＯ, ＢＮ, Ｂｅ
Ｎ, ＢｅＯ, ＡｌＮおよびＡｌＯよりなる群から選択さ
れる何れか一つであることを特徴とする請求項１４に記
載の反射フォトマスク。 - 【請求項１６】 基板と、 前記基板上に形成され、極紫外線を反射し得る材料より
なる反射層と、 前記反射層上に形成され、極紫外線を吸収し得る材料よ
りなる吸収体パターンと、 前記反射層上に形成されたキャッピング層と、を有する
反射フォトマスク。 - 【請求項１７】 前記キャッピング層は、Ｒｕを含むこ
とを特徴とする請求項１６に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項１８】 前記キャッピング層は、８〜１０族の
金属を含むことを特徴とする請求項１６に記載の反射フ
ォトマスク。 - 【請求項１９】 前記キャッピング層は、Ｐｔ、Ｉｒお
よびＰｄのうち少なくとも何れか一つを含むことを特徴
とする請求項１６に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２０】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間に挟まれたバッファ層をさらに有することを特徴とす
る請求項１６に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２１】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間に挟まれた８〜１０族の金属を含むバッファ層をさら
に有することを特徴とする請求項１６に記載の反射フォ
トマスク。 - 【請求項２２】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間に挟まれたバッファ層と、 前記バッファ層と前記反射層との間に挟まれたエッチン
グストッパ層と、をさらに有することを特徴とする請求
項１６に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２３】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間に挟まれた第１バッファ層をさらに備え、前記第１バ
ッファ層は、前記吸収体パターンの領域間の反射領域に
おいて前記反射層上に存在することを特徴とする請求項
１６に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２４】 前記反射領域内の前記第１バッファ層
は、前記反射層と前記吸収体パターンとの間の第１バッ
ファ層よりも厚くないことを特徴とする請求項２３に記
載の反射フォトマスク。 - 【請求項２５】 前記第１バッファ層と前記吸収体パタ
ーンとの間に挟まれた第２バッファ層をさらに備え、前
記キャッピング層は、前記反射領域内において前記第１
バッファ層上に直接的に形成されたことを特徴とする請
求項２３に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２６】 前記基板と前記反射層との間に挟まれ
た応力緩和層をさらに有することを特徴とする請求項１
６に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２７】 前記応力緩和層は、ＲｕまたはＭｏを
含むことを特徴とする請求項１６に記載の反射フォトマ
スク。 - 【請求項２８】 前記反射層上に直接的に形成された自
然酸化膜層をさらに有することを特徴とする請求項１６
に記載の反射フォトマスク。 - 【請求項２９】 極紫外線に対して一定の反射率を有す
る反射フォトマスクの製造方法において、 基板上に極紫外線に対して一定の反射率を有する材料よ
りなる反射層を形成する段階と、 前記反射層上に極紫外線を吸収し得る材料よりなる吸収
体パターンを形成する段階と、 前記反射層上に前記反射フォトマスクの反射率を前記反
射層の反射率の２０％以下に変えるように選択されてな
るキャッピング層を形成する段階と、を含む反射フォト
マスクの製造方法。 - 【請求項３０】 前記反射フォトマスクの反射率を前記
反射層の反射率よりも高めるように前記キャッピング層
を選択する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２
９に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３１】 前記キャッピング層は、Ｒｕを含むこ
とを特徴とする請求項３０に記載の反射フォトマスクの
製造方法。 - 【請求項３２】 前記キャッピング層は、３ｎｍ以下の
膜厚を有することを特徴とする請求項３０に記載の反射
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３３】 前記キャッピング層は、８〜１０族の
金属を含むことを特徴とする請求項３０に記載の反射フ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項３４】 前記反射フォトマスクの反射率を前記
反射層の反射率の２０％以下に下げるように前記キャッ
ピング層を選択する段階をさらに含むことを特徴とする
請求項２９に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３５】 前記キャッピング層は、６ｎｍ以下の
膜厚を有することを特徴とする請求項３４に記載の反射
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３６】 前記キャッピング層を形成する段階
は、前記キャッピング層を前記反射層および前記吸収体
パターン上に形成する段階であることを特徴とする請求
項２９に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３７】 前記キャッピング層は、シリコンより
も耐酸化性が強い物質を含むことを特徴とする請求項２
９に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３８】 前記キャッピング層は、Ｒｕを含むこ
とを特徴とする請求項２９に記載の反射フォトマスクの
製造方法。 - 【請求項３９】 前記キャッピング層は、８〜１０族の
金属を含むことを特徴とする請求項２９に記載の反射フ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項４０】 基板上に極紫外線を反射し得る材料よ
りなる反射層を形成する段階と、 前記反射層上に極紫外線を吸収し得る材料よりなる吸収
体パターンを形成する段階と、 前記反射層上にキャッピング層を形成する段階と、を含
む反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４１】 前記キャッピング層は、Ｒｕを含むこ
とを特徴とする請求項４０に記載の反射フォトマスクの
製造方法。 - 【請求項４２】 前記キャッピング層は、８〜１０族の
金属を含むことを特徴とする請求項４０に記載の反射フ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項４３】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間にバッファ層を形成する段階をさらに含むことを特徴
とする請求項４０に記載の反射フォトマスクの製造方
法。 - 【請求項４４】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間に８〜１０族の金属を含むバッファ層を形成する段階
をさらに含むことを特徴とする請求項４０に記載の反射
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４５】 前記反射層と前記吸収体パターンとの
間に第１バッファ層を形成する段階をさらに含み、前記
第１バッファ層は、前記吸収体パターンの領域間の反射
領域において前記反射層上に形成することを特徴とする
請求項４０に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４６】 前記反射領域内の前記第１バッファ層
は、前記反射層と前記吸収体パターンとの間の第１バッ
ファ層よりも厚くないことを特徴とする請求項４５に記
載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４７】 前記第１バッファ層と前記吸収体パタ
ーンとの間に第２バッファ層を形成する段階をさらに含
み、前記キャッピング層は、前記反射領域内において前
記第１バッファ層上に直接的に形成することを特徴とす
る請求項４５に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４８】 前記基板と前記反射層との間に応力緩
和層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求
項４０に記載の反射フォトマスクの製造方法。 - 【請求項４９】 前記応力緩和層は、ＲｕまたはＭｏを
含むことを特徴とする請求項４０に記載の反射フォトマ
スクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-021311 | 2002-04-18 | ||
| KR10-2002-0021311A KR100455383B1 (ko) | 2002-04-18 | 2002-04-18 | 반사 포토마스크, 반사 포토마스크의 제조방법 및 이를이용한 집적회로 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003318104A true JP2003318104A (ja) | 2003-11-07 |
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ID=29208730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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