JP2009536456A - Ｅｕｖマスク用反射防止コーティング - Google Patents

Abstract

【課題】 リソグラフィ装置を使用してパターンを投影する際の、ＥＵＶ放射のＤＵＶ放射に対する比率を拡大する。
【解決手段】 ＥＵＶマスクは、多層ミラーの上に、ＥＵＶリソグラフィ装置内で適用するためのスペクトル純度増強層を含む。スペクトル純度増強層の上に、パターン付き吸収体層が提供される。スペクトル純度増強層は、第１スペクトル純度増強層を含むが、多層ミラーと第１スペクトル純度増強層との間に、中間層が、または第２スペクトル純度増強層および中間層が存在してもよい。パターン付き吸収体層は、それ自体が反射防止（ＡＲ）コーティングとしても機能し得る。この吸収体層のＡＲ効果は、パターンの開口サイズの関数である。ＤＵＶ放射がＥＵＶ放射よりも比較的強く減少されるように、マスクのスペクトラル純度は増強され得る。
【選択図】 図４ａ

Description

本発明は、スペクトル純度フィルタを含むＥＵＶマスク、当該マスクを含むリソグラフィ装置、望ましい放射と望ましくない放射の比率を拡大する方法、および前記マスクが使用されるデバイスの製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ装置では、基板に結像できるフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限される。より高密度のデバイス、よってより高速の運転速度を備えた集積回路を製造するためには、より小さいフィーチャを結像できることが望ましい。最新のリソグラフィ投影装置のほとんどが、水銀ランプまたはエキシマレーザによって生成された紫外光を使用する一方、より短い波長の放射（例えば約１３ｎｍ）を使用することが提案されてきた。このような放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源には、例えば、レーザー生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングからのシンクロトロン放射が含まれる。

ＥＵＶ放射源は、典型的には、プラズマ源、例えばレーザー生成プラズマまたは放電源である。ＥＵＶ放射に加えて、ＥＵＶ源は、多くの異なる波長の光を放出するが、これは深紫外線（ＤＵＶ）などの望ましくない放射である。この非ＥＵＶ放射はＥＵＶリソグラフィシステムに有害であるので、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）によって除去されなければならない。

現在のスペクトル純度フィルタは、ブレーズド格子（blazed gratings）に基づいている。三角形のパターンの表面品質は非常に高くなければならないので、これらの格子は製造するのが難しい。表面の粗度は、１ｎｍ ＲＭＳより小さくなければならない。それに加えて、現在のスペクトル純度フィルタの欠点は、光路を折り曲げることであり、これは、スペクトル純度フィルタ（損失を引き起こす）を取り替えるために別のミラーが使用されない限り、上記欠点をシステムから除外することはできないことを意味する。柔軟性を保つためには、スペクトル純度フィルタによって引き起こされる損失を避けるために、システムからスペクトル純度フィルタを自由に取り除けることが望ましい。

ＥＵＶ源からの望ましいＥＵＶ放射への追加の放射の主な問題は、光レジストが感応するＤＵＶ波長について生じる。なぜならば、ＤＵＶ波長はコントラストの損失を引き起こすからである。

リソグラフィ装置を使用してパターンを投影する際に、ＥＵＶ放射のＤＵＶ放射に対する比率を拡大することが望ましい。

本発明の一態様によると、多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層、および材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第２スペクトル純度増強層を含む、スペクトルフィルタ最上層であって、前記第１および第２スペクトル純度増強層は単独でＳｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、第１および第２スペクトル純度増強層よりの前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層、および前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン化された吸収体層を含む、ＥＵＶマスクが提供される。このようなＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置も提供される。さらに、放射源の放射の少なくとも一部をこのようなＥＵＶマスクに反射することを含む、比率拡大方法が提供される。このような拡大方法を含むデバイス製造方法が提供される。

別の態様では、多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、および材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、前記多層スタック最上層の上に配される中間層を含む、スペクトルフィルタ最上層であって、前記第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、前記第１スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層、および前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、ＥＵＶマスクが提供される。このようなＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置も提供される。さらに、放射源の放射の少なくとも一部をこのようなＥＵＶマスクに反射することを含む、比率拡大方法が提供される。このような拡大方法を含むデバイス製造方法が提供される。

さらに他の態様では、多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第１スペクトル純度増強層を含むスペクトルフィルタ最上層であって、当該第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、かつ前記スペクトラルフィルタ最上層の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層、および前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、ＥＵＶマスクが提供される。このようなＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置も提供される。さらに、放射源の放射の少なくとも一部をこのようなＥＵＶマスクに反射することを含む、比率拡大方法が提供される。このような拡大方法を含むデバイス製造方法が提供される。

さらに他の態様では、多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタッフ、および多層スタック最上層の上に配されたパターン付き吸収体層を含む、ＥＵＶマスクが提供される。このようなＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置も提供される。さらに、放射源の放射の少なくとも一部をこのようなＥＵＶマスクに反射することを含む、比率拡大方法が提供される。このような拡大方法を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。

図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。

照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。サポートは、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

本明細書で使用される「層」という用語は、当業者には周知であるように、他の層および／または真空などの他の媒体（使用の際に）との１つ以上の境界面を有する層を意味し得る。しかし、当然であるが、「層」は、構造の一部も意味し得る。「層」という用語は、複数の層を示す場合もある。これらの層は、例えば、隣り合っている、または重なり合う等が可能である。また、これらの「層」は、１つの材料または材料の組み合わせを含んでもよい。本明細書で使用される（複数の）「層」という用語は、連続層または不連続層を意味し得ることも留意されたい。本発明では、本明細書で使用される「材料」という用語は、材料の組み合わせと解釈されてもよい。

本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、および極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（またはそれ以上）の波長を有する放射は、赤外放射と見なされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を意味する。リソグラフィにおいて、これは通常、水銀放電ランプによって生成できる波長、すなわち、Ｇ線（４３６ｎｍ）、Ｈ線（４０５ｎｍ）、および／またはＩ線（３６５ｎｍ）にも適用される。ＶＵＶは真空紫外線（すなわち空気によって吸収された紫外線）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を意味する。ＤＵＶは深紫外線であり、通常、１２６ｎｍ〜２４８ｎｍなど、エキシマレーザによって生成された波長のためのリソグラフィで使用される。当然であるが、例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する放射は特定の波長帯域の放射に関連し、その少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲で見出される。

本明細書における屈折率は、１００〜４００ｎｍ、および特定の実施形態では１００〜２００ｎｍの範囲から選択された放射波長の、または放射波長範囲の屈折率を意味する。

図２は、放射システム４２、照明光学ユニット４４、および投影システムＰＳを含む投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマによって形成され得る放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気（Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気など）によって生成されることができ、そのガスまたは蒸気の中で、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出するために超高温プラズマが作り出される。超高温プラズマは、放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こすことによって作り出され得る。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ，Ｓｎ蒸気または他の適切なガスもしくは蒸気などの分圧は、放射の効率的な生成のために必要であるかもしれない。放射源ＳＯから放出された前記放射は、ガスバリアまたは汚染トラップ４９（放射源チャンバ４７の開口部の中または後方に位置する）を通して放射源チャンバ４７からコレクタチャンバ４８に送られる。前記ガスバリア４９は、例えば米国特許第６,６１４,５０５号、米国特許第６,３５９,９６９号および第６,５７６,９１２号、および国際公開第０４／１０４７０７号で詳細に記述されているようなチャネル構造を含む（これらは、言及することにより、本明細書中に組み込まれる）。

コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０を含む。コレクタ５０は、いくつかのリフレクタ１４２、１４３、１４６を含み得る。内側リフレクタは符号１４２で示され、外側リフレクタは符号１４６で示される。放射コレクタ５０は従来技術から公知である。本発明で使用され得る放射コレクタの一例は、米国特許出願公開第２００４／００９４７２４（Ａ１）号明細書に記載されている（これは、言及することにより、本明細書中に組み込まれる）。

コレクタ５０によって送られた放射は、コレクタチャンバ４８内の開口部の仮想ソースポイント５２で合焦されるように、格子スペクトルフィルタ５１で反射することができる。コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６は、照明光学ユニット４４内で法線入射リフレクタ５３、５４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置するレチクルまたはマスクへと反射される。パターン付きビーム５７が形成され、これが投影システムＰＳ内で反射エレメント５８、５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上へと結像される。照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内には、一般に、図示されているよりも多くのエレメントが存在し得る。格子スペクトルフィルタ５１は、オプションとして、リソグラフィ装置のタイプに応じて存在し得る。さらに、図示されるよりも多くの反射エレメントが存在し得る。例えば、米国特許第６,５５６,６４８号（これは、言及することにより、本明細書中に組み込まれる）に記載されているように、反射エレメント５８、５９よりも１〜４個多い反射エレメントが存在してもよい。

図１および図２に示されるリソグラフィ装置は、例えば、放射ビームを調整するように構成された照明システム、パターン付き放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポート、基板を保持するように構成された基板テーブル、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システム、放射源、およびコレクタミラーを含む、ＥＵＶリソグラフィ装置であってもよい。

一実施形態では、本発明のリソグラフィ装置および方法で使用され、かつコレクタミラー５０によって集められた放射は、５〜２０ｎｍの範囲から選択された波長（例えば１３.５ｎｍ）を有するＥＵＶ放射を含む。

図３は、本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスク１０を概略的に示す。ＥＵＶマスク１０は、多層（ミラー）スタック１０２、例えばモリブデン／シリコン（Ｍｏ／Ｓｉ、またはＷ／ＳｉまたはＷＲｅ／Ｓｉ）のいくつかの交互層を含む。多層スタック１０２は、最上層１０３を有し、これはＭｏまたはＳｉであってもよい（すなわち多層スタック１０２に属する複数の層のうちの１つ）。この多層スタック最上層１０３の上に、スペクトル純度増強層１０４が設けられ、スペクトル純度増強層１０４の上に、パターン付き吸収体層１０５が製造される。本発明によるＥＵＶマスクのいくつかの実施形態は概略的に、図４ａ〜図４ｅにより詳細が示されている。

図４ａは、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、層厚ｄ２を有する中間層１１１、および層厚ｄ３を有する第２スペクトル純度増強層１１２であって、多層スタック最上層１０３の上に配される第２スペクトル純度増強層を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４を含む、本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスク１０を概略的に示す。

スペクトルフィルタ最上層１０４の上には、厚さｄ０を有するパターン付き吸収体層１０５が設けられる。

図４ｂは、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、および層厚ｄ２を有する中間層１１１であって、多層スタック最上層１０３の上に配される中間層１１１を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４を含む、本発明の別の実施形態に係るＥＵＶマスク１０を概略的に示す。

スペクトルフィルタ最上層１０４の上に、厚さｄ０を有するパターン付き吸収体層１０５が設けられる。

図４ｃは、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０であって、多層スタック最上層１０３の上に配される第１スペクトル純度増強層１１０を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４を含む、本発明の別の実施形態に係るＥＵＶマスク１０を概略的に示す。

スペクトルフィルタ最上層１０４の上に、厚さｄ０を有するパターン付き吸収体層１０５が設けられる。

図４ｄは、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０であって、多層スタック最上層１０３の上に配される第１スペクトル純度増強層１１０を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４を含む、本発明の別の実施形態に係るＥＵＶマスク１０を概略的に示す。スペクトルフィルタ最上層１０４の上に、厚さｄ４を有するキャップ層１０６が設けられる。パターン付き吸収体層１０５は、このキャップ層１０６上に製造される。

図４ｅは、多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２を含む、本発明によるＥＵＶマスク１０のさらに他の実施形態を概略的に示している。多層スタック最上層１０３の上に、キャップ層１０６が設けられる。パターン付き吸収体層１０５がキャップ層１０６上に製造される。さらに他の実施形態では、吸収体層１０５は、多層スタック最上層１０３の上に直接製造される。この最後の実施形態は、図５ａおよび図５ｂを参照してより詳細に説明される。上記に開示される複数の実施形態の場合のように、パターン付き吸収体層１０５は、実際には、例えばＤＵＶについて反射防止（ＡＲ）コーティングとして作用する。図５ａでは、パターン付き吸収体層１０５の開口部５０２が示される。開口サイズが、抑制される必要のある放射の回折限界よりも実質的に（１０倍を上回って）大きい場合は、放射が開口部を通して伝達することができる。すなわち、光は反射防止コーティングによって反射防止されない。よって、吸収体層１０５の反射防止性能は、パターンにおける開口サイズに左右される。このことは、図５ａおよび５ｂを参照して説明され、これらの図は２つの状況を示している。図５ａでは、開口サイズは、抑制される必要のある放射の回折限界を超えている。矢印５０４および５０５は、それぞれＥＵＶ放射とＤＵＶ放射を示す。パターン付き層の開放部分、すなわち開口部５０２では、ＡＲ効果がない。これは、開放部分での反射についてスペクトラル純度が同じままであることを意味する。吸収体材料（absorber material）が存在する領域では、放射は通常のＡＲ効果を経験する。この効果は有用である。なぜならば、これは、ＥＵＶが反射されないマスクの部分において、低減された量の他の放射（例えばＤＵＶ）も反射されることを意味するからである。図５ｂは、開口サイズが回折限界を下回る状況を示している。この場合、抑制される必要のある放射は、吸収体層１０５と相互に作用することなしに開口部５０３に透過することはできず、よって、反射防止効果を経験し得る。この場合、スペクトラル純度（すなわち、ＥＵＶ量／ＤＵＶ量の比率）は、開部分と閉部分の両方において改善される。しかし、この場合の欠点は、反射防止効果が開口サイズに左右されることである。

ＡＲ性能は、特定の開口サイズについて最適化でき、このことは、より長い期間では、ＡＲ性能はわずかに悪くなるが、まだ許容可能であることを意味する（約５％の０次反射）。回折限界を下回る開口サイズについては、ＡＲ性能は急速に低下し、これは、放射がＡＲコーティングに透過できないという事実に起因する。大雑把に言うと、最小のフィーチャについてＡＲ性能を最適化すべきである。つまり、マスクからウェーハへの２０ｎｍのハーフピッチラインおよび縮小係数５の場合は、２００ｎｍ（回折限界である）の期間の最適化を意味する。当然であるが、回折限界は、放射の波長に対応する。従って、本実施形態は、可視波長から赤外波長までなどの、より大きい波長を抑制するためにも非常に適している。

同様に当然のことながら、基板のパターンのせいで、ＡＲ性能が偏光に依存するようになるかもしれない。例えば、基板上のパターンが、１本の線を含む場合は、この線形の開口部は２つの異なる寸法を有する。よって、一方の寸法は、光の回折限界を下回るが、この線の長い寸法は回折限界を上回る。その結果、ＡＲ効果は１つの偏光についてのみ作用する一方で、他の偏光が開口部を通して伝達され、通常はウェーハに反射する。よって、開口部５０２、５０３が回折限界を下回るようにするためには、各方向に十分に小さい寸法でなければならない。

上述したパターン付き吸収体層１０５は、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、またはＴｉＯ_２を含み得る。一実施形態では、この層の厚さｄ０は５０〜２００ｎｍであってよい。別の実施形態では、厚さｄ０は６５〜１００ｎｍである。

図５ｃは、Ｒｕキャップされた多層ミラー上のＴａＮ吸収体層の様々な厚さについて計算された反射曲線を示す。図５ｃでは、（例えば）８０ｎｍＴａＮ層の反射率が最も低くなるのは約２００ｎｍの波長であることがわかる。

層１（環境は、多層ミラー１の上の雰囲気）からシステムに入射する光について、上に第１スペクトル純度増強層１１０を備えた多層スタック１０２の反射強度（Ｒ）の方程式は以下のとおりである。

ここで、ｒ_ｐｑは、層ｐから入射し、ｐとｑとの間の界面で反射する法線入射平面波の反射のフレネル反射振幅係数である。ここで、ｒ_２３は、第１スペクトル純度増強層１１０と多層スタック１０２との間の界面での第１スペクトル純度増強層１１０内の光の反射であり、
ｔ_ｐｑは、層ｐから層ｑへの平面波の伝達についてのフレネル振幅透過係数であり、
λは光の波長であり、
ｔは第１スペクトル純度増強層１１０の厚さ（すなわちｄ１）であり、
Ｋ_２は媒体ｐの波数であり、
Ｎ_ｐ＝ｎ_ｐ＋ｊ^＊ｋ_ｐは媒体ｐの複素屈折率である。
フレネル反射は周知であり、光学に関する事実上ほぼあらゆる書籍の中で見られる（例えば E. Hechtによる書籍、“Optics,”2nd edition, Addison Wesley,1997を参照。これは、言及することにより、本明細書中に組み込まれる）。法線入射光では、媒体ｐと媒体ｑの間との界面における媒体ｐからの光のフレネル反射は、偏光から独立しており、ｒ_ｐｑ＝（Ｎ_ｐ−Ｎ_ｑ）／（Ｎ_ｐ＋Ｎ_ｑ）で示される。多層の場合は、第１スペクトル純度増強層１１０と多層スタック１０２との間の界面における層２からのビームの反射ｒ_２３を計算しなければならない。

第１スペクトル純度増強層１１０の厚さは、ＥＵＶ損失を避けるために可能な限り小さくなければならない。他の実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含む。

他の実施形態では、材料ｍ１は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素からなる群から選択される。スペクトルフィルタ最上層１０４（この実施形態では第１スペクトル純度増強層１１０）の層厚ｄ１は、約０.５〜３０ｎｍである。本発明による実施形態は、下の表で説明される。

可能な限り低い反射は、ビームＰＢの光線ｒを多層ミラー１に投影する際に、鏡面反射される望ましくない放射と、第１スペクトル純度増強層１１０内で少なくとも一往復伝播した望ましくない放射との間の弱め合う干渉を必要とする。第１スペクトル純度増強層１１０の厚さの方程式を導くために、鏡面反射の複素振幅（ｒ_１２）と第１スペクトル純度増強層１１０内で一往復伝播した反射への寄与（ｒ_１）が比較される。

鏡面反射と、第１スペクトル純度増強層１１０内で一往復伝播した寄与との間の弱め合う干渉については、比率Ｑ≡ｒ_１／ｒ_１２の引数（argument）はπとならなければならない。

弱め合う干渉：引数（arg）（Ｑ）＝π

Ｎ＝ｎ＋ｊ^＊ｋ（Ｎ＝複素屈折率、ｎ＝複素屈折率の実数部分、ｋ＝複素屈折率の虚数部分）によると、例えば、上述しかつ図５に示されるシステム（多層スタック１０２の最上層１０３としてａ−Ｓｉ（Ｓｉ／Ｍｏ多層スタックの代わりに）および第１スペクトル純度増強層１１０としてＳｉ_３Ｎ_４を有する）では、１９８.４ｎｍの波長の屈折率は以下のとおりである。
空気 Ｎ１＝１
Ｓｉ_３Ｎ_４ Ｎ２＝２.６２＋ｊ^＊０.１７４
ａ−Ｓｉ Ｎ３＝１.０２８＋ｊ^＊２.１７１６９８１

ｉ）ＩＭＤソフトウェアを使ったａ−Ｓｉ／Ｍｏ多層スタック１０２、および方程式（１）を使ったｉｉ）ａ−Ｓｉ基板（モデルとして、多層スタック１０２の代わりに）に対するＳｉ_３Ｎ_４の影響を計算すると、図６で示される結果が得られる。この図では、ＩＭＤソフトウェアを使ったａ−Ｓｉ／Ｍｏ多層スタック１０２を備えるモデルの結果、および方程式（１）を使ったａ−Ｓｉ基板（モデルとして、多層スタック１０２の代わりに）の結果が示されており、多層スタック上のＳｉ_３Ｎ_４とａ−Ｓｉ基板上のＳｉ_３Ｎ_４の計算の間に顕著な重複があるように見える。つまりこれは、Ｓｉ_３Ｎ_４／ａ−Ｓｉ界面での高い反射を示している。鏡面反射と、スペクトル純度増強層１０４（ここでは第１スペクトル純度増強層１１０（Ｓｉ_３Ｎ_４)コーティング）内で一往復伝播した寄与との間の位相差を、方程式（３）を使って計算すると（図６（右側の縦軸に注意）では斜線曲線（repeatedly slashed curve）で表しており、符号１２０としても示されている）、Ｓｉ_３Ｎ_４層の厚さ（ｘ軸）間の差はほんのわずかであり、鏡面反射と、第１スペクトル純度増強層１１０を通して一度伝播した寄与との間の位相差はπであり、かつ空気／Ｓｉ_３Ｎ_４／ａ−Ｓｉの３層モデルの反射の最小値であることがわかる。よって、基準（３）は事実、厚さについての良い基準であるように思われる。位相差がπである場合は、ｉ）とｉｉ）の両方が最小（弱め合う干渉）であり、位相差が２πである場合は、ｉ）とｉｉ）の両方が最大である。層厚 d（ここではｄ１）は可能な限り小さいことが好ましいので、位相差がπである第１の最小値が選択され、その結果、本実施形態について層厚ｄ１は約４−１１ｎｍ、例えば、低減されるこの波長（１９８.４ｎｍ）については約９±１ｎｍとなる。界面での振幅反射および伝達を考慮すると、以下のとおりである。

鏡面反射と、第１スペクトル純度増強層１１０を通して一度伝播した寄与との間の位相差に関連する反射と伝達が、斜体字で示されている。表２は、０.５３２^＊πのＳｉ_３Ｎ_４／ａ−Ｓｉ界面での反射による大きな位相シフトを示す。界面における他の位相シフトは比較的小さく、鏡面反射と、第１スペクトル純度増強層１１０を通して一度伝播した寄与との間の全位相差は０.５２^＊πである。Ｓｉ_３Ｎ_４層の実指数が高いために、わずか約４〜１１ｎｍ（例えば９ｎｍ）の厚さが、１９８.４ｎｍの波長を有する望ましくない放射を想定すると、追加の位相シフト０.４８^＊πおよび全位相差πのために十分である。

従って、本発明は、多層ミラーを含む実施形態をさらに提供し、ここでスペクトルフィルタ最上層１０４に含まれる層１１０の材料ｍ１および層１１０の層厚ｄ１は、以下の基準を満たすように設計されている。

弱め合う干渉：引数（arg）（Ｑ）＝π
ここでｒ_１２は、層１（すなわち多層ミラー１の上の雰囲気）から入射し、層１と層２との間の界面(すなわち、第１スペクトル純度増強層１１０）で反射する法線入射平面波の反射のフレネル反射振幅係数であり、層１および層２が、それぞれ多層ミラーおよびスペクトルフィルタ最上層１０４（すなわち第１スペクトル純度増強層１１０）の上の雰囲気であり、ｒ_２３は、層２から入射し、層２と層３との間の界面で反射する法線入射平面波の反射のフレネル反射振幅係数であって、層２および層３は、それぞれスペクトルフィルタ最上層１０４（すなわち第１スペクトル純度増強層１１０）および多層スタック最上層１０３であり、ｔ_ｐｑは、層ｐから層ｑへの平面波の伝達についてのフレネル振幅透過係数であり、λは前記放射の波長であり、ｔはスペクトルフィルタ最上層１０４（すなわち第１スペクトル純度増強層１１０）の厚さであり、よって、これらの実施形態ではｔ＝ｄ＝ｄ１である。

よって、厚さの初期値は、関係（３）が遵守されるように選択されるべきである。必要であれば、多層スタックを備えたシステムの反射を最小化することによって、さらなる最適化を行うことができる。第１スペクトル純度増強層１１０の可能な限り小さい厚さｄ１については（この実施形態ではｄ＝ｄ１）、第１スペクトル純度増強層１１０と多層スタック１０２の多層スタック最上層１０３との間の界面における反射の大きさが大きくなるように、かつこの界面における反射による位相シフトが大きくなるように、一実施形態における第１スペクトル純度増強層１１０の屈折率が選択される。一実施形態では、大きさＱ（方程式（３）で定義される）が可能な限り１に近いように（および他の実施形態では、1 ± ０.０５の範囲内）、かつ引数(Ｑ)＝（１±０.０５）^＊π＋ｓ^＊２π (ｓは整数≧０である)となるように、層１１０は選ばれる。多重反射の場合は、これは必ずしも当てはまらないかもしれないが、それでもなお良い選択である。一実施形態では、実数部分（ｎ）が可能な限り大きく、かつ屈折率の虚数部分（ｋ）が可能な限り小さいか、または第１スペクトル純度増強層１１０の所定の厚さｄ１について第１スペクトル純度増強層１１０を通して伝播することによる可能な限り大きな往復位相シフト(引数(Ｑ)＝π、３^＊π、５^＊πなど)（これは、この層の材料についての屈折率の大きな実数部分を要する）となる、第１スペクトル純度増強層１１０の１）材料ｍ１を選ぶことによって、上記選択を達成することができる。

よって、本発明の一実施形態に従い、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが前記複素屈折率の実数部分である、多層ミラーが提供される。本発明のさらに他の実施形態によると、複素屈折率の実数部分は１.５以上であり、複素屈折率の虚数部分が２以下である。さらに他の実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の実数部分は２以上であり、複素屈折率の虚数部分は１.６以下である。本明細書において屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲、および特定の実施形態では１００〜２００ｎｍの範囲から選択された放射波長の、または放射波長範囲内の屈折率を意味する。例えば、１９０ｎｍの波長の、または１３０〜１９０ｎｍの波長範囲内の放射を減らすことが望ましい場合は、ここで説明した基準を満たすような材料と層厚が選択される。

本発明の一実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第１スペクトル純度増強層１１０を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０が、複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、かつｎが複素屈折率の実数部分である材料ｍ１を含み、かつスペクトラルフィルタ最上層１１０の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上のパターン付き吸収体層１０５を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

さらに他の実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第１スペクトル純度増強層１１０を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層が、複素屈折率の実数部分が２以上であり、かつ複素屈折率の虚数部分が１.６以下である材料ｍ１を含み、かつスペクトラルフィルタ最上層１１０の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上のパターン付き吸収体層１０５を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

当然のことながら、これらの実施形態のすべてを組み合わせてもよい。

本発明のさらに他の実施形態に従って、スペクトルフィルタ最上層１０４に含まれる前記層の材料および前記層の層厚（すなわち第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１および層厚ｄ１）が、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最小化し、かつ第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように設計されたＥＵＶマスク１０が提供される。

ＥＵＶマスクは、第２波長範囲１００〜１００００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成された材料から成り、かつそのように構成された厚さを有する吸収体層１０５を含んでもよい。

一実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第１スペクトル純度増強層１１０を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０が、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、かつスペクトラルフィルタ最上層１１０の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上のパターン付き吸収体層１０５を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

本実施形態のさらなるバリエーションが図７および８に示されており、それぞれ、スペクトル純度増強層１０４（すなわち１１０）の複数の材料ｍ１の選択が反射率に及ぼす影響、およびＳｉ_３Ｎ_４のスペクトル純度増強層１１０の厚さｄ（すなわちｄ１）が反射率に及ぼす影響を示している。これらの実施形態はすべて、特定の材料（すなわち例えばＳｉ）の最上層１０３を有する、標準的な５０層のＳｉ／Ｍｏ多層ミラー１を対象としている。説明文に記載されているパーセンテージは、１３.５ｎｍのＥＵＶ放射の反射率を示し、ｙ軸の値が反射率（^＊１００％）を示す。図７は、１００〜２００ｎｍの範囲の多層ミラー１上の第１スペクトル純度増強層１１０のいくつかの理論的な例を示す。第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１の良好な候補の実施例は、非晶質炭素、ダイヤモンド、ＳｉＣ、およびＳｉ_３Ｎ_４である。シミュレーションは、ターゲット波長における高い屈折率とＥＵＶの低い吸収の組み合わせが望ましいことを示す（上記参照）。結果としての反射率曲線は、多層ミラー１（すなわち多層スタック１０２）とスペクトル純度増強層１０４（すなわちこれらの実施形態では第１スペクトル純度増強層１１０）の反射率曲線の組み合わせである。それに加えて、第１スペクトル純度増強層１１０の反射率曲線も、厚さに応じて変化する（上記および図６を参照）。このため、最小反射率の波長は、第１スペクトル純度増強層１１０の厚さに依存する。図８は、第１スペクトル純度増強層１１０としてＳｉ_３Ｎ_４を使用し、様々な厚さｄ１を有するＳｉ／Ｍｏ多層スタック１０２を使用する別の実施形態を示す。よって、一実施形態では、Ｓｉ_３Ｎ_４を含む第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル純度増強層１０４を有する多層ミラー１が提供され、第１スペクトル純度増強層１１０は４〜１１ｎｍの層厚ｄ１を有する。

スペクトル純度増強層１０４（例えば第１スペクトル純度増強層１１０を含むスペクトル純度増強層１〜４）のみを提供するためには、ＬＰ−ＣＶＤ、ＰＥ−ＣＶＤ、または他の技術が使用され得る。ＳＰＥ層の原理を実際にテストするために、シリコンウェーハの上にＳｉ_３Ｎ_４層を堆積することによって、モデル調査が行われた。１５ｎｍの層厚ｄ１が選択される。この厚さについて、最低の理論的反射率は約１０％であるので、第１スペクトル純度増強層１１０はこの範囲ではあまりうまく作用しないが、反射率損失は、原理証明（proof-of-principle）を示すことができるためには十分である。エリプソメトリを用いて、堆積されたＳｉ_３Ｎ_４層１１０の厚さｄ１は１３.５ｎｍと決定され（ＬＰ−ＣＶＤ堆積時間は１分４５秒であった）、推定ＲＭＳ表面粗度が約０.５ｎｍであった。

図９は、ベアシリコンウェーハの測定された反射率曲線と比較した、Ｓｉ_３Ｎ_４でコーティングされたシリコンウェーハの測定された反射率曲線を示す。ＩＭＤからの理論曲線も示される。実験的な第１スペクトル純度増強層１１０が、計算された値と非常によく一致することは明らかであり、これは、スペクトル純度増強層１０４（この実施形態では第１スペクトル純度増強層１１０のみ）の原理が期待通り作用することを示す。

図４ｄに示されるように、スペクトル純度増強層１０４の上に、キャップ層１０５が存在し得る。よって、本発明のさらに他の実施形態に従って、スペクトル純度増強層１０４が、第１スペクトル純度増強層１１０の上にキャップ層１０５をさらに含み、当該キャップ層１０５がＲｕを含み、かつその層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである、多層ミラーが提供される。あるいは、一実施形態では、例えば、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ(ダイヤモンドライクカーボン)、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４からなる群から選択された材料ｍ４など、他の材料もキャップ層１０５として使用され得る。あるいは、さらに他の実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０はさらに、キャップ層１０５として使用される。キャップ層１０５（すなわち、第１スペクトル純度増強層１１０は同時にキャップ層１０５である）として使用するのに適切な材料ｍ４は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択され得る。キャップ層は、放射源からの粒子による、または本発明による多層ミラーが使用される、例えばリソグラフィ装置内に存在する他の粒子またはガスによる化学的または物理的侵食の酸化に対する追加の保護を提供し得る。よって、特定の実施形態では、スペクトル純度増強層１０４が、第１スペクトル純度増強層１１０の上にキャップ層１０５をさらに含み、当該キャップ層１０５が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ(ダイヤモンドライクカーボン)、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択されたからなる群から選択された材料ｍ４を含み、かつその層厚ｄ４が０.５〜１１ｎｍである多層ミラーが提供される。一つのバリエーションでは、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１は、キャップ層１０５の材料ｍ４とは異なる材料を含む（例えば、ｍ１はＳｉ_３Ｎ_４であり、ｍ４はＲｕである）。

放射の波長の関数として、キャップ層１０５を備える一実施形態の反射例（ｙ軸 ^＊１００％）が図１０に示されており、この図は、スペクトル純度増強層１１０上のＲｕを含むキャップ層１０５の反射率に対する影響を示している。

一実施形態では、従来の多層ミラーによる光の通常の抑制は、１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲では十分ではなく、また現在のＤＵＶ強度が現在の出力の１０％まで減らされる必要があることが想定されている。これらは、ＥＵＶリソグラフィツールの場合に期待される典型的な値である。ＥＵＶリソグラフィシステムは通常、１１個のＳｉ／Ｍｏ多層ミラーを含む。上述した複数の実施形態による第１スペクトル純度増強層１１０が、ＤＵＶ範囲内の十分な抑制を達成するために、これらのミラーのいくつか、すなわち多層スタック最上層１０３の上に置かれる。これは、第１スペクトル純度増強層１１０を使用することの利点である。なぜならば、ＥＵＶ光について抑制および結果として損失の選択において完全な柔軟性があるからである。通常のスペクトル純度フィルタでは、損失は常に約５０％であるが、この場合は、損失はかなり小さい。１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲は抑制される必要があるので、一実施形態では、５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０が選択される。

図１１は、増加する数（１〜５）の第１スペクトル純度増強層１１０のための、すなわちこのような第１スペクトル純度増強層１１０を含む増加する数の多層ミラー１のためのＤＵＶ光の抑制を示し、また、ＤＵＶ範囲の反射率１０％のターゲットを示す（水平破線）。図１１から、Ｒｕキャップされた(Ru-capped)５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０を備えた２つのＭＬミラーが、望ましいＤＵＶ抑制に達するのに十分であることがわかる。実際、２つの第１スペクトル純度増強層１１０では、ＤＵＶは１３０〜１９０ｎｍの範囲の波長について１５％未満に減らされ、平均減少は７％まで下がる。これによって引き起こされるＥＵＶ損失は、２つの通常のＲｕキャップされた多層ミラーの反射率（各ミラーにつきＲ〜７５％、合計Ｒ_tot〜５６％）を、５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０を備えた２つのＲｕキャップされた多層ミラー１（各ミラーにつきＲ〜６３％、合計Ｒ_tot〜４０％）と比較することによって計算でき、その結果、第１スペクトル純度増強層１１０によるＥＵＶ光の損失は１６％となる。比較までに、通常のスペクトル純度フィルタは５０％の損失を有する。ここで示されるＥＵＶ損失を、２×５＝１０ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４層を通した吸収と比較すると、損失は各多層ミラーにつき６％であり、これは、多層ミラー反射率が、計算された６３％ではなく、６９％であるべきであることを意味する。この余分なＥＵＶ損失の原因は、ＥＵＶ波長について生じる干渉効果によるものである。これを回避するために、Ｓｉ_３Ｎ_４層は、２つの部分に分割でき、その間に例えばＭｏの層を設ける。これを行う際に、ミラーの計算された反射率は６８％であり、第１スペクトル純度増強層１１０のＥＵＶ吸収と完全に一致する。これは、本発明の次の態様で明らかにされる。

通常のスペクトル純度フィルタ (ＮＯＳＰＥ) (５０％)と同じ損失を有する第１スペクトル純度増強層１１０の数を、以下のとおり計算することが可能である。

これは、４つの通常の第１スペクトル純度増強層１１０では、ＥＵＶの全損失が５０％であり、平均ＤＵＶ減少が０.７％（おおよそ１００分の１）まで下がることを意味する。通常の第１スペクトル純度増強層１１０の上にＲｕキャップ層１０５が使用されない場合は（例えば第１スペクトル純度増強層１１０がそれ自体、キャップ層として機能できるために）、合計６つの第１スペクトル純度増強層１１０が同じ５０％の損失のために使用でき、平均ＤＵＶ抑制を０.０１２％（おおよそ１００００分の１）まで下げる。

一実施形態では、本発明による多層ミラーは、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射を反射するように構成された法線入射ミラーである。さらに他の実施形態では、本発明による多層ミラーは、波長範囲１２〜１５ｎｍから選択された波長を有する放射（例えば１３.５ｎｍのＥＵＶ放射）を反射するように構成された法線入射Ｓｉ／Ｍｏ多層ミラーである。

本発明のさらに次の態様によると、例えば上述したように、上述しかつ図４ｃおよび図５で概略的に示される１つ以上の多層ミラーを含む、リソグラフィ装置が提供される。よって、次の態様では、本発明は、第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射ビームの少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射ビームにおいて、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法も提供する。

上述したように、他の一実施形態では、リソグラフィ装置は、本発明による２つ以上の多層ミラーを含み、これらは、放射源ＳＯによって生成される放射ビームの中に法線入射ミラーとして置かれる。よって、一実施形態では、本発明による複数の多層ミラー（例えば、他の実施形態では２つ以上の多層ミラー）が使用され、かつ放射源によって生成される放射ビーム内の、放射源に最も近い多層ミラーの反射された放射が、それぞれ１つ以上の次の多層ミラーに反射される、リソグラフィ装置および方法、またはリソグラフィ装置と方法の両方が提供される。

本発明のさらに次の態様に従って、放射ビームを供給すること、前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含むデバイス製造方法が提供され、当該デバイス製造方法は、第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部を、上述の複数の実施形態に従ったＥＵＶマスク１０に反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大することをさらに含む。

上述したように、第１スペクトル純度増強層１１０を有する複数の多層ミラーが使用されることが望ましい。あるいは、本発明のさらに次の態様に従って、図４ａで概略的に示されるように、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０３の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層１１１、および材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第２スペクトル純度増強層１１２を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層１０５を含む、多層ミラーが提供される。

１つのスペクトル純度増強層１１０を有する上述の実施形態で説明したように、ＥＵＶ波長について生じる干渉効果によって、若干の余分なＥＵＶ損失が生じるかもしれない。ＥＵＶの干渉が悪影響を与えない第１スペクトル純度増強層１１０の厚さを選ぶことができ（第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル純度増強層１０４を有する上述の実施形態を参照）（例えば、ＥＵＶ領域の干渉が生じない厚さ（例えば７ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４層はＥＵＶ干渉による損失がないかもしれない））、または、本実施形態に説明されている、中間の追加の層１１１を選択する（第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２および中間層１１１を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４）。

よって、ＥＵＶ干渉損失を回避または最小化するために、本発明の本実施形態に従って、第１スペクトル純度増強層１１０（例えばＳｉ_３Ｎ_４）が２つの部分、すなわち第１スペクトル純度増強層１１０と第２スペクトル純度増強層１１２（その間に例えばＭｏの中間層１１１を設ける）に分割される。これによって干渉損失の減少がもたらされることが望ましい。これを行う際に、Ｓｉ_３Ｎ_４を想定すると、ミラーの計算されたＥＵＶ反射率は６８％となり得るものであり、第１スペクトル純度増強層１１０のＥＵＶ吸収と完全に一致する。

図１１において、点線曲線は以下を示す。符号１３０は、分割されたスペクトル純度増強層を有する２つのミラーを示し、符号１３１は、分割されたスペクトル純度増強層を有する３つのミラーを示し、符号１３２は、分割されたスペクトル純度増強層を有する４つのミラーを示し、符号１３３は、分割されたスペクトル純度増強層を有する５つのミラーを示す。本明細書において、分割されたスペクトル純度増強層は、図４ａに示された実施形態を参照する。すなわち、１つの第１スペクトル純度増強層１１０、中間層１１１、および第２スペクトル純度増強層１１２である。図１１は、実線の曲線で示される同じ計算を示す（すなわち、１つ以上の多層ミラー１であって、各多層ミラー１が、第１スペクトル純度増強層１１０だけを含むスペクトル純度増強層１０４を有する）が、この場合は、２.５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第１スペクトル純度増強層１１０の後に、２ｎｍのＭｏ中間層１１１が続き、その後に２.５ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４第２スペクトル純度増強層１１２が続き、その後に２.５ｎｍのＲｕキャップ層１０５が続く。これらの曲線は非常に似ているが、点線の曲線のほうがわずかに小さいＤＵＶ抑制を有し、かつより短い波長にわずかにシフトしている。この場合、本実施形態のスペクトル純度増強層（分割層）を備える３つの多層ミラーが、１０％より低い抑制に達するためには必要とされ得るが、全体の損失はかなり低く、すなわち、１１％のＥＵＶ損失で、平均ＤＵＶ抑制が３.４％まで下がる（３つのＲｕキャップされたミラーＲ_ｔｏｔ〜４２％、３つのＭｏ分割されたスペクトル純度増強層１１０および１１２のＲｕキャップされたミラーＲ_ｔｏｔ〜３１％）。

上述したように、４つの通常の第１スペクトル純度増強層１１０を使用すると、ＥＵＶの全損失は５０％であり、平均ＤＵＶ減少が０.７％（おおよそ１００分の１）に下がる。しかし、本発明のＭｏ分割第１スペクトル純度増強層について、最大７つのスペクトル純度増強層１１０＋１１２（すなわち７つのスペクトル純度増強層１０４であって、それぞれが層１１０、１１１、１１２を含み、かつそれぞれが異なる多層ミラー１の上に配される）を使用することができ、平均ＤＵＶ抑制が０.０６％（おおよそ１０００分の１）に下がる。他の実施形態において、厚さｄ１＋ｄ２は、上述した実施形態で示され、かつ表１の実施形態で示されるｄ１の厚さとほぼ同じである。

本実施形態は、Ｒｕキャップ層１０５を使用する場合に望ましい。

本発明の他の実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層１１１、および材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第２スペクトル純度増強層１１２を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２は単独で、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料（それぞれｍ１およびｍ３）を含み、前記中間層は、前記第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ１およびｍ２と異なる材料ｍ３を含み、スペクトルフィルタ最上層１０４の層厚ｄ＝ｄ１+ｄ２+ｄ３が２.５〜４０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層１０５を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

一実施形態では、ＥＵＶマスク１０はさらにオプションとして、第１スペクトル純度増強層１０４の上にキャップ層１０５を含み、当該キャップ層はＲｕを含み、層厚ｄ４が０.５〜２.５ｎｍである。

さらに他の実施形態では、本発明は、中間層が金属を含む多層ミラーを提供する。さらに他の実施形態では、中間層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕからなる群から選択された材料ｍ２を含む、多層ミラーが提供される。

本発明の一実施形態に従い、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２が複素屈折率の虚数部分ｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７を有し、ｎが複素屈折率の実数部分である、多層ミラーが提供される。本発明のさらに他の実施形態に従い、複素屈折率の実数部分は１.５以上であり、複素屈折率の虚数部分は２以下である。さらに他の実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２の複素屈折率の実数部分は２以上であり、複素屈折率の虚数部分は１.６以下である。本明細書において屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲、および一実施形態では１００〜２００ｎｍの範囲から選択された放射波長の、または放射波長範囲内の屈折率を意味する。例えば、１９０ｎｍの波長の、または１３０〜１９０ｎｍの波長範囲内の放射を減らすことが望ましい場合、それぞれの層の材料および層厚が、本明細書で説明された基準を満たすように選択される。

よって、本発明の代替実施形態に従い、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層１１１、および材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第２スペクトル純度増強層１１２を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２は単独で、複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが複素屈折率の実数部分である材料（それぞれｍ１およびｍ３）を含み、中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ１およびｍ２と異なる材料ｍ３を含み、スペクトルフィルタ最上層１０４の層厚ｄ＝ｄ１+ｄ２+ｄ３が２.５〜４０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層１０５を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

よって、本発明のさらに次の実施形態に従い、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層１１１、および材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第２スペクトル純度増強層１１２を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２は単独で、複素屈折率の実数部分が２以上であり、前記複素屈折率の虚数部分が１.６以下である材料（それぞれｍ１およびｍ３）を含み、中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ１およびｍ２と異なる材料ｍ３を含み、スペクトルフィルタ最上層１０４の層厚ｄ＝ｄ１+ｄ２+ｄ３が２.５〜４０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層１０５を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

上述した複数の実施形態を組み合わせてもよい。

さらなる実施形態では、スペクトルフィルタ最上層に含まれる層の材料（それぞれｍ１、ｍ２、ｍ３）および層の層厚（それぞれｄ１、ｄ２、ｄ３）が、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最小化し、かつ第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成されている、ＥＵＶマスク１０が提供される。

一実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０および第２スペクトル純度増強層１１２がＳｉ_３Ｎ_４を含み、これら各層の単独の層厚ｄ１およびｄ３が１.５〜３.５ｎｍであり、また前記中間層がＭｏを含み、かつその層厚ｄ２が１〜３ｎｍである、ＥＵＶマスク１０が提供される。あるいは、他の実施形態では、同じ寸法を有し得るが、ｍ１およびｍ２はそれぞれ単独で、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択され得る。

本発明のさらに次の態様に従って、例えば上述したとおり、上述しかつ図４ａで概略的に示されたＥＵＶマスク１０を含む、リソグラフィ装置が提供される。よって、次の態様では、本発明は、この実施形態に従って第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法も提供する。

一実施形態では、ＥＵＶマスク１０には、１００〜２００ｎｍの範囲の波長を有する放射の減少のために最適化されたスペクトル純度増強層１０４が提供されてもよく、１つ以上の多層ミラーには、２００〜３００ｎｍの範囲の波長を有する放射の減少のために最適化されたスペクトル純度増強層１０４が提供されてもよい。

本発明のさらに次の態様に従って、放射ビームを供給すること、前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含む、デバイス製造方法が提供され、当該デバイス製造方法は、第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部を、上述の複数の実施形態に係るＥＵＶマスク１０に反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大することをさらに含む。

上記２つの実施形態を参照すると、第３の実施形態もあり、この第３の実施形態において、スペクトル純度増強層１０４が、第１スペクトル純度増強層１１０および中間層１１１のみを含み、後者は多層スタック最上層１０３上に配置される。よって、本発明のさらに次の態様に従い、かつ図４ａで概略的に示されているように、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０３の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される中間層１１１を含む、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、多層ミラー１が提供される。

本実施形態は、キャップ層１０５（例えば０.５〜２.５ｎｍの層厚ｄ４を有するＲｕのキャップ層１０５）と組み合わされてもよい。よって、一実施形態では、多層ミラーはさらにオプションとして、第１スペクトル純度増強層１０４の上に、Ｒｕを含むとともに、０.５〜２.５ｎｍの層厚ｄ４を有するキャップ層１０５を含む。

本発明の他の実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される中間層１１１を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０が、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、中間層１１１が第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と異なる材料ｍ２を含み、スペクトルフィルタ最上層１０４の層厚ｄ=ｄ１+ｄ２が２.５〜４０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、多層ミラーが提供される。

さらに他の実施形態では、本発明は、中間層１１１が金属を含むＥＵＶマスク１０を提供する。さらに他の実施形態では、中間層１１１が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕからなる群から選択された材料ｍ２を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

本発明の一実施形態に従って、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが複素屈折率の実数部分である、ＥＵＶマスク１０が提供される。本発明のさらに他の実施形態に従って、複素屈折率の実数部分は１.５以上であり、複素屈折率の虚数部分は２以下である。さらに他の実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０の複素屈折率の実数部分は２以上であり、複素屈折率の虚数部分は１.６以下である。本明細書における屈折率は、１００〜４００ｎｍの範囲、および特定の実施形態では１００〜２００ｎｍの範囲から選択された放射波長の、または放射波長範囲内の屈折率を意味する。例えば、１９０ｎｍの波長の、または１３０〜１９０ｎｍの波長範囲内の放射を減らすことが望ましい場合は、それぞれの層の材料および層厚は、本明細書で説明したとおりの基準を満たすように選択される。

よって、本発明の代替実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される中間層１１１を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０が、複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが前記複素屈折率の実数部分である材料ｍ１を含み、中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と異なる材料ｍ２を含み、スペクトルフィルタ最上層１０４の層厚ｄ＝ｄ１+ｄ２が２.５〜４０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

本発明のさらに他の実施形態に従って、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層１１０、材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される中間層１１１を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０が、複素屈折率の実数部分が２以上であり、かつ複素屈折率の虚数部分が１.６以下である材料ｍ１を含み、中間層１１１は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と異なる材料ｍ２を含み、スペクトルフィルタ最上層１０４の層厚ｄ＝ｄ１+ｄ２が２.５〜４０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、ＥＵＶマスク１０が提供される。

上述した複数の実施形態を組み合わせてもよい。

他の実施形態では、スペクトルフィルタ最上層に含まれる層の材料（それぞれｍ１、ｍ２）および層の層厚（それぞれｄ１、ｄ２）が第１波長範囲 ５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最小化し、かつ第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射のおよび弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成される、ＥＵＶマスク１０が提供される。

一実施形態では、第１スペクトル純度増強層１１０が１〜４ｎｍの層厚ｄ１を有するＳｉ_３Ｎ_４を含み、中間層１１１が１〜３ｎｍの層厚ｄ２を有するＭｏを含む、多層ミラーが提供される。

さらに次の態様によると、本発明は、上述したように第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の放射を放出する放射源の前記放射のビームの少なくとも一部分をＥＵＶマスク１０に反射することによって、前記放射源の前記放射において、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法も提供する。

本発明のさらに次の態様によると、放射ビームを供給すること、ビームの断面にパターンを付与すること、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影することを含むデバイス製造方法が提供され、当該デバイス製造方法は、上述した実施形態に従って、第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部分をＥＵＶマスク１０に反射することによって、前記放射源の前記放射において、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量対する比率を拡大することをさらに含む。

上述した実施形態に加えて、当然であるが、第１スペクトル純度増強層１１０、中間層１１１、および第２スペクトル純度増強層１１２のスタックを適用してもよい。例えば、これは、多層スタック最上層１０３の上に、(１１０/１１１)_ｎ、(１１１/１１０) _ｎ、(１１０/１１１) _ｎ/１１０、および (１１１/１１０) _ｎ/１１０の層スタックから選択された１つ以上を備える多層スタック１０２を含む多層ミラーであってもよい（ここで、最初（一番左）の数字が、多層スタック最上層１０３の上に配された層を示し、ｎが層の組み合わせの繰り返しの数を示す）。さらに、キャップ層１０５が、最後の層（最後（一番右）の数字）の上に設けられてもよい。例えば、概略的には、１０２/(１１０/１１１) _ｎ/１１０/１０５など。

上述したように、ＥＵＶマスク１０は、例えば複数のモリブデン／シリコン（Ｍｏ／Ｓｉ、またはＷ／ＳｉまたはＷＲｅ／Ｓｉ、または他のタイプの多層ミラー）の交互層を含む多層（ミラー）スタック１０２を含んでもよく、多層スタック最上層１０３は、例えばＭｏ、Ｓｉ、Ｗ、またはＷＲｅなどを含んでもよい。この多層スタック最上層１０３の上に、本発明によるスペクトルフィルタ最上層１０４が配され、これはさらにオプションとして、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドライクカーボンなど）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ４を含み、層厚が０.５〜１１ｎｍであるキャップ層１０５でキャップされ得る。特定の実施形態では、キャップ層１０５の材料ｍ４は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と同じ材料ではない。さらに他の実施形態では、材料ｍ４は、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドライクカーボンなど）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ（またはこれらの材料の２つ以上の合金または多層）からなる群から選択される。上述した特定のバリエーションでは、キャップ層１０５は、Ｒｕを含み、層厚ｄ４は０.５〜２.５ｎｍである。

しかし、代替実施形態では、この多層スタック最上層１０３は、多層スタック１０２の層のうちの１つを表さないが、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドライクカーボンなど）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含み、層厚ｄ５が０.５〜１１ｎｍであるキャップ層を示す。例えば、図３、図４ａ〜図４ｄを参照して、多層ミラー１は、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層ミラースタック１０２であって、キャップ層（層厚ｄ５を有する）を表す多層スタック最上層１０３、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、上述した複数の実施形態のうちの１つによるスペクトルフィルタ最上層１０４である、スペクトルフィルタ最上層１０４を含む。特定の実施形態では、キャップ層／多層スタック最上層１０３の材料ｍ５は、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１と同じ材料ではない。

１つのバリエーションでは、ａ）多層スタック最上層１０３を備えた複数の交互層を含む多層スタック１０２であって、キャップ層を表す多層スタック最上層１０３、およびｂ）多層スタック１０２の上に配されたスペクトルフィルタ最上層１０４であって、材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、多層スタック最上層１０３の上に配される第１スペクトル純度増強層１１０を含むスペクトルフィルタ最上層１０４であって、第１スペクトル純度増強層１１０が、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、スペクトルフィルタ最上層１１０の層厚ｄ１が０.５〜３０ｎｍであり、キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドライクカーボンなど）、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含み、層厚が０.５〜１１ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層１０４、およびｃ）スペクトルフィルタ最上層１０４の上に配されるパターン付き吸収体層を含む、多層ミラーが提供される。

１つのバリエーションでは、多層スタック最上層１０３はＲｕを含み、層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである。スペクトルフィルタ最上層１１０は、一実施形態では、層厚ｄ１が４〜１１ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４(ｍ５)、特定のバリエーションでは５〜７ｎｍのＳｉ_３Ｎ_４(ｍ５) を含む。

一実施形態では、第２キャップ層１０５は、スペクトルフィルタ最上層１０４上に配されて存在し得る（図３および図４ａで示されるとおり）。

上記複数の実施形態で説明した本発明の特徴は、スペクトル純度増強層１０４が、１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ範囲など、特定のターゲット波長範囲の光を抑制するのに非常に適しているということ、そして、例えばＲｕのキャップ層１０５を含むスペクトル純度増強層１０４を備えた２つのミラーを使用して、１３０〜１９０ｎｍのＤＵＶ領域において、１０倍を上回る大きさの典型的な抑制を達成できるということである。Ｒｕキャップ層１０５がなければ、より少ない損失で、さらに良好な抑制を達成することができる。上述され、かつ図４ａで概略的に示されているように、ＵＶ損失は、スペクトル純度増強層１０４を２つの部分に分割することによって減らすことができる。スペクトル純度増強層１０４は、多層ミラー１を酸化から保護するためにキャップ層としても機能することができる。異なる波長に対して異なる材料を使用することができる。より広い吸収範囲（異なる材料で）またはより強い抑制（スペクトル純度増強層と同じ材料で）を達成するために、異なるミラーの上で異なるスペクトル純度増強層１０４を使用できる。スペクトル純度増強層１０４は、通常、ターゲット波長範囲以外の波長について余分な反射率をもたらさない。

スペクトル純度増強層１０４の使用は、必要とされる抑制に応じてスペクトル純度増強層１０４（従って、損失）の数を選択できるので、柔軟性を提供する。

スペクトル純度フィルタなしで設計されたＥＵＶリソグラフィシステムでは、スペクトル純度増強層１０４はいつでも追加できる。

本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。

上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。さらに、当然のことであるが、上記複数の実施形態を組み合わせてもよい。

Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料以外の材料が選択されてもよく、例えば、第１スペクトル純度増強層１１０（および該当する場合は、第２スペクトル純度増強層１１２も）の複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが複素屈折率の実数部分である場合、または本発明のさらに他の実施形態に従って、材料ｍ１（および該当する場合は、材料ｍ３も）について、複素屈折率の実数部分が１.５以上であり、複素屈折率の虚数部分が２以下である場合などである。さらに他の実施形態においては、これらの両方の基準を満たす材料ｍ１（および該当する場合は、ｍ３も）が選択される。さらに他の実施形態においては、第１スペクトル純度増強層１１０の材料ｍ１（および該当する場合は、第２スペクトル純度増強層１１２の材料ｍ３も）の複素屈折率の実数部分が２以上であり、複素屈折率の虚数部分が１.６以下である。

本発明は、上記複数の実施形態で説明したリソグラフィ装置の適用またはリソグラフィ装置における使用に限定されない。さらに、添付の図面は、本発明を理解するために必要な要素および特徴を含む。それ以外の点については、リソグラフィ装置の図は概略図であり、原寸に比例していない。本発明は、概略図に示される要素（例えば概略図に示されたミラーの数など）に限定されない。さらに、本発明は、図１および図２で説明されるリソグラフィ装置に限定されない。

図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。 図２は、図１によるリソグラフィ投影装置のＵＶ照射システムおよびリソグラフィ投影装置の投影光学系の側面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスクを示す。 図４ａは、本発明によるＥＵＶマスクのいくつかの実施形態を示す。 図４ｂは、本発明によるＥＵＶマスクのいくつかの実施形態を示す。 図４ｃは、本発明によるＥＵＶマスクのいくつかの実施形態を示す。 図４ｄは、本発明によるＥＵＶマスクのいくつかの実施形態を示す。 図４ｅは、本発明によるＥＵＶマスクのいくつかの実施形態を示す。 図５ａは、本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスクの一部をより詳細に描く。 図５ｂは、本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスクの一部をより詳細に描く。 図５ｃは、Ｒｕキャップされた多層ミラー上のＴａＮ吸収体層の変動する厚さの計算された反射曲線を示す。 図６は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度増強層の層厚が、反射率に及ぼす影響を示す。 図７は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度増強層のためのいくつかの材料を選択するための反射率に対する影響を示す。 図８は、本発明の一実施形態に係るＳｉ_３Ｎ_４のスペクトル純度増強層を使用する際の、反射率に対する層厚の影響を示す。 図９は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度増強層についての反射率に関するモデル調査を示す。 図１０は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度増強層上のキャップ層の反射率に対する影響を示す。 図１１は、ＤＵＶおよびＥＵＶ損失の比率に対する、本発明の一実施形態に係るいくつかのスペクトル純度増強層の影響を示す。

Claims (72)

1. リソグラフィ装置用のＥＵＶマスクであって、
   多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
   前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
   材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、
   材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層、および
   材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第２スペクトル純度増強層を含み、前記第１および第２スペクトル純度増強層は、単独で、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、第１および第２スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
   前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン化された吸収体層と
   を含む、ＥＵＶマスク。
2. 前記スペクトルフィルタ最上層の層厚ｄ＝ｄ１+ｄ２+ｄ３が２.５〜４０ｎｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
3. 前記ＥＵＶマスクが、前記吸収体層の真下に配されたキャップ層を含み、当該キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含む、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
4. 前記ＥＵＶマスクが前記吸収体層の真下に配されたキャップ層を含み、当該キャップがＲｕを含み、かつその層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
5. 前記中間層が金属を含む、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
6. 前記中間層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕからなる群から選択された材料を含む、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
7. 前記第１および第２スペクトル純度増強層が単独で、複素屈折率の虚数部分ｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７を有し、ｎが前記複素屈折率の実数部分である、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
8. 前記第１および第２スペクトル純度増強層が単独で、２以上である複素屈折率の実数部分を有し、かつ１.６以下である複素屈折率の虚数部分を有する、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
9. 前記スペクトルフィルタ最上層に含まれる前記層の材料および前記層の層厚が、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最小化し、かつ第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成されている、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
10. 前記吸収体層が、第２波長範囲１００〜１００００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成された材料から成り、かつそのように構成された厚さを有する、請求項９に記載のＥＵＶマスク。
11. 前記第１および第２スペクトル純度増強層がＳｉ_３Ｎ_４を含み、これら各層の層厚が１.５〜３.５ｎｍであり、また前記中間層がＭｏを含み、かつその層厚が１〜３ｎｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
12. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含む、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
13. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層がＲｕを含み、かつその層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
14. 前記パターン付き吸収体層が、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２からなる群から選択された材料ｍ０を含む、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
15. 前記吸収体層の厚さｄ０が５０〜２００ｎｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
16. 前記吸収体層の厚さｄ０が６５〜１００ｎｍである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
17. ＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置であって、前記ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層、および
    材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第２スペクトル純度増強層を含み、前記第１および第２スペクトル純度増強層は単独で、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、第１および第２スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、リソグラフィ装置。
18. 第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法であって、
    前記放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することを含み、
    当該ＥＵＶマスクは、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層、および
    材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第２スペクトル純度増強層を含み、前記第１および第２スペクトル純度増強層は単独で、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、第１および第２スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、放射量比率拡大方法。
19. 放射ビームを供給すること、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、
    前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影すること、
    第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大することを含む、デバイス製造方法であって、
    前記ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有する中間層、および
    材料ｍ３を含み、かつ層厚ｄ３を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第２スペクトル純度増強層を含み、前記第１および第２スペクトル純度増強層は単独で、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、第１および第２スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、デバイス製造方法。
20. リソグラフィ装置用のＥＵＶマスクであって、当該ＥＵＶマスクは、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、および
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、前記多層スタック最上層の上に配される中間層を含み、前記第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、前記第１スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、ＥＵＶマスク。
21. 前記スペクトルフィルタ最上層の層厚ｄ=ｄ１+ｄ２が１.５〜４０ｎｍである、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
22. 前記ＥＵＶマスクが前記吸収体層の真下に配されたキャップ層を含み、当該キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含む、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
23. 前記ＥＵＶマスクが前記吸収体層の真下に配されたキャップ層を含み、当該キャップがＲｕを含み、かつその層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
24. 前記中間層が金属を含む、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
25. 前記中間層が、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕからなる群から選択された材料を含む、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
26. 前記第１スペクトル純度増強層の複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが前記複素屈折率の実数部分である、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
27. 前記第１スペクトル純度増強層の複素屈折率の実数部分が２以上であり、前記複素屈折率の虚数部分が１.６以下である、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
28. 前記スペクトルフィルタ最上層に含まれる前記層の前記材料および前記層の前記層厚が、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最小化し、かつ第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成される、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
29. 前記吸収体層が、第２波長範囲１００〜１００００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成された材料から成り、かつそのように構成された厚さを有する、請求項２８に記載のＥＵＶマスク。
30. 前記第１スペクトル純度増強層がＳｉ_３Ｎ_４を含み、かつその層厚が４〜１１ｎｍであり、また前記中間層がＭｏを含み、かつその層厚が１〜３ｎｍである、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
31. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含む、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
32. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層がＲｕを含み、かつその層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
33. 前記パターン付き吸収体層が、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２からなる群から選択された材料ｍ０を含む、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
34. 前記吸収体層の厚さｄ０が５０〜２００ｎｍである、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
35. 前記吸収体層の厚さｄ０が６５〜１００ｎｍである、請求項２０に記載のＥＵＶマスク。
36. ＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置であって、前記ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、および
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、前記多層スタック最上層の上に配される中間層を含み、前記第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、前記第１スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、リソグラフィ装置。
37. 第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法であって、
    前記放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することを含み、
    当該ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、および
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、前記多層スタック最上層の上に配される中間層を含み、前記第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、前記第１スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、放射量比率拡大方法。
38. 放射ビームを供給すること、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、
    前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影すること、
    第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲 １００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大することを含む、デバイス製造方法であって、
    前記ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有する第１スペクトル純度増強層、および
    材料ｍ２を含み、かつ層厚ｄ２を有し、前記多層スタック最上層の上に配される中間層を含み、前記第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料を含み、前記中間層は、前記第１スペクトル純度増強層の前記材料と異なる材料を含む、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、デバイス製造方法。
39. リソグラフィ装置用のＥＵＶマスクであって、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第１スペクトル純度増強層を含み、当該第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、かつ前記スペクトラルフィルタ最上層の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、ＥＵＶマスク。
40. 前記スペクトルフィルタ最上層が、前記第１スペクトル純度増強層の上にキャップ層をさらに含み、当該キャップ層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ４を含む、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
41. 前記スペクトルフィルタ最上層が、前記第１スペクトル純度増強層の上に、Ｒｕを含むとともに、層厚ｄ４が０.５〜２.５ｎｍであるキャップ層をさらに含む、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
42. 前記第１スペクトル純度増強層の複素屈折率の虚数部分がｋ≦０.２５^＊ｎ＋１.０７であり、ｎが前記複素屈折率の実数部分である、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
43. 前記第１スペクトル純度増強層の複素屈折率の実数部分が２以上であり、前記複素屈折率の虚数部分が１.６以下である、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
44. 前記スペクトルフィルタ最上層に含まれる前記層の前記材料および前記層の前記層厚が、第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最小化し、かつ第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化する、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
45. 前記吸収体層が、第２波長範囲１００〜１００００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成された材料から成り、かつそのように構成された厚さを有する、請求項４４に記載のＥＵＶマスク。
46. 前記スペクトルフィルタ最上層に含まれる前記層の前記材料および前記層の前記層厚が以下の基準を満たすように構成されており、
    

    

    弱め合う干渉：引数（arg）（Ｑ）＝π
    ｒ_１２は、層１から入射し、層１と層２との間の界面で反射する法線入射平面波の反射のフレネル反射振幅係数であり、層１および層２が、それぞれ前記多層ミラーおよび前記スペクトルフィルタ最上層の上の雰囲気であり、ｒ_２３は、層２から入射し、層２と層３との間の界面で反射する法線入射平面波の反射のフレネル反射振幅係数であって、層２および層３は、それぞれ前記スペクトルフィルタ最上層および前記多層スタック最上層であり、ｔ_ｐｑは、層ｐから層ｑへの平面波の伝達についてのフレネル振幅透過係数であり、λは前記放射の波長であり、ｔは前記スペクトルフィルタ最上層の厚さであり、Ｋ_２は媒体ｐの波数であり、Ｎ_ｐ＝ｎ_ｐ＋ｊ^＊ｋ_ｐは媒体ｐの複素屈折率である、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
47. 前記第１スペクトル純度増強層が、層厚が４〜１１ｎｍであるＳｉ_３Ｎ_４を含む、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
48. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層が、Ｒｕ、ＢＮ、Ｂ_４Ｃ、Ｂ、Ｃ、ＴｉＮ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃ_２Ｆ_４、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、ＭｇＦ_２、ＬｉＦからなる群から選択された材料ｍ５を含む、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
49. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層がＲｕを含み、かつその層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍである、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
50. 前記多層スタック最上層がキャップ層を含み、前記多層スタック最上層が、層厚ｄ５が０.５〜２.５ｎｍであるＲｕを含み、また前記第１スペクトルフィルタ最上層が、層厚ｄ１が４〜１１ｎｍであるＳｉ_３Ｎ_４を含む、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
51. 前記パターン付き吸収体層が、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２から選択された材料ｍ０を含む、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
52. 前記吸収体層の厚さｄ０が５０〜２００ｎｍである、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
53. 前記吸収体層の厚さｄ０が６５〜１００ｎｍである、請求項３９に記載のＥＵＶマスク。
54. ＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置であって、当該ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第１スペクトル純度増強層を含む、スペクトルフィルタ最上層であって、当該第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、かつ前記スペクトラルフィルタ最上層の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、リソグラフィ装置。
55. 第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法であって、
    当該ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第１スペクトル純度増強層を含み、当該第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、かつ前記スペクトラルフィルタ最上層の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、放射量比率拡大方法。
56. 放射ビームを供給すること、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、
    前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影すること、
    第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲 １００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大することを含む、デバイス製造方法であって、
    前記ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタックと、
    前記多層スタックの上に配されたスペクトルフィルタ最上層であって、
    材料ｍ１を含み、かつ層厚ｄ１を有し、前記多層スタック最上層の上に配される第１スペクトル純度増強層を含み、当該第１スペクトル純度増強層は、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_２、ＺｎＳ、Ｔｅ、ダイヤモンド、ＣｓＩ、Ｓｅ、ＳｉＣ、非晶質炭素、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＴｉＯ_２、Ｇｅ、ＰｂＦ_２、ＺｒＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＬｉＦ、ＮａＦからなる群から選択された材料ｍ１を含み、かつ前記スペクトラルフィルタ最上層の層厚ｄ１は０.５〜３０ｎｍである、スペクトルフィルタ最上層と、
    前記スペクトルフィルタ最上層の上に配されるパターン付き吸収体層と
    を含む、デバイス製造方法。
57. リソグラフィ装置用のＥＵＶマスクであって、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、および
    前記多層スタック最上層の上に配されたパターン付き吸収体層
    を含む、ＥＵＶマスク。
58. 前記パターン付き吸収体層が、ＴａＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２からなる群から選択された材料ｍ０を含む、請求項５７に記載のＥＵＶマスク。
59. 前記吸収体層の厚さｄ０が５０〜２００ｎｍである、請求項５７に記載のＥＵＶマスク。
60. 前記吸収体層の厚さｄ０が６５〜１００ｎｍである、請求項５７に記載のＥＵＶマスク。
61. 前記吸収体層が、第２波長範囲１００〜１００００ｎｍから選択された波長を有する放射の吸収および弱め合う干渉からなる群から選択された１つ以上を最大化するように構成された材料から成り、かつそのように構成された厚さを有する、請求項５７に記載のＥＵＶマスク。
62. ＥＵＶマスクを含むリソグラフィ装置であって、当該ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、および
    前記多層スタック最上層の上に配されたパターン付き吸収体層
    を含む、リソグラフィ装置。
63. 第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲１００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大する方法であって、前記ＥＵＶマスクは、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、および
    前記多層スタック最上層の上に配されたパターン付き吸収体層
    を含む、放射量比率拡大方法。
64. 放射ビームを供給すること、
    前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、
    前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影すること、
    第１波長範囲５〜２０ｎｍおよび第２波長範囲 １００〜４００ｎｍの両方の波長範囲の放射を放出する放射源の前記放射の少なくとも一部をＥＵＶマスクに反射することによって、前記放射源の前記放射において、前記第１波長範囲５〜２０ｎｍから選択された波長を有する放射量の、前記第２波長範囲１００〜４００ｎｍから選択された波長を有する放射量に対する比率を拡大することを含む、デバイス製造方法であって、
    前記ＥＵＶマスクが、
    多層スタック最上層を備えた複数の交互層を含む多層スタック、および
    前記多層スタック最上層の上に配されたパターン付き吸収体層
    を含む、デバイス製造方法。
65. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が同じである、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
66. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が異なる、請求項１に記載のＥＵＶマスク。
67. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が同じである、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
68. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が異なる、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
69. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が同じである、請求項１８に記載の方法。
70. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が異なる、請求項１８に記載の方法。
71. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が同じである、請求項１９に記載の方法。
72. 前記第１材料ｍ１と前記第２材料ｍ２が異なる、請求項１９に記載の方法。

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