JP2007005523A - 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】タンタルを含有する複数の層4、5の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層6をさらに積層してなることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
よりパターン形状を調べることによっておこなわれる。
トマスクの検査精度およびそのパターン転写精度が良好となる。また、光吸収層と多層反射膜の間にタンタル以外の金属を主成分として含有する層を設けることにより光吸収層のパターン加工時に多層反射膜が損傷するのを防止するとともに、反射領域の表面酸化による反射コントラストの変動を抑制することができる。
複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層することで、電子線でのパターン露光によるチャージアップのない反射型フォトマスクブランクおよびそれを用いた反射型フォトマスクとすることが出来る。
。
備えた反射型マスクが得られる。キャッピング層3は吸収膜パターン4aを形成するときのエッチング停止層として機能する。
P(誘導結合プラズマ)方式のドライエッチング装置を使用し、ポリヒドロキシスチレン系のベースポリマーを使用した典型的な電子線露光用レジストをエッチングマスクとしてパターンを形成する際に、レジストに対するエッチングの選択比は0.5ないし0.7程度であり、必ずしも良好とはいえないが、素子寸法のエッチングバイアスを適正に設定することにより、要求されるパターンを形成することが可能である。
ングすることが可能で、フッ素系のエッチングガスに対して耐性が大きいことが望ましい。
ッチングマスク層6のエッチング速度は9nm/min、第2の吸収膜のエッチング速度は13nm/minであり、エッチングマスクに対するエッチングの選択比は十分に大きい値であった。一方、このエッチング条件におけるレジスト材料のエッチング速度は22nm/minであった。このことから、エッチングマスク層による選択比の改善効果は2倍以上であり非常に大きい。
(高反射率部の反射率−低反射率部の反射率)/(高反射率部の反射率+低反射率部の反射率)×100
で計算される値である。
Claims (5)
- 基板と基板上に設けられた多層反射膜と、多層反射膜上に設けられた光吸収層を具備し、光吸収層がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランクにおいて、タンタルを含有する複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層してなることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。
- タンタル以外の金属がニオブ、チタン、アルミニウム、クロムの中から選択される1つ以上の金属であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。
- タンタル以外の金属を主成分として含有する層が、ニオブ、チタン、アルミニウム、クロムの中から選択される一つ以上の物質とケイ素を主成分として含有することを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。
- 請求項1ないし3いずれか1項に記載の反射型フォトマスクブランクの、タンタル以外の金属を主成分として含有する層を除去し、タンタルを含有する層の一部を除去してパターンを形成したことを特徴とする反射型フォトマスク。
- 請求項4に記載の反射型フォトマスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192936A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Canon Inc | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009021582A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-29 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | マスクブランク、フォトマスク、及びフォトマスクの製造方法 |
JP2009054899A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
JP2009071126A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線用反射型フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
WO2009136564A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 |
JP2010204424A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスク用ブランク及び反射型フォトマスク |
JP2011129611A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法 |
JP2011176162A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07152140A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JPH07333829A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2001237174A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク |
JP2003318104A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法 |
JP2004039884A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
WO2004070472A1 (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
JP2005037798A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及びその製造方法、反射型マスク、並びに反射多層膜付き基板及びその製造方法 |
-
2005
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07152140A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
JPH07333829A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP2001237174A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク |
JP2003318104A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | キャッピング層を有する反射フォトマスクおよびその製造方法 |
JP2004039884A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
WO2004070472A1 (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
JP2005037798A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及びその製造方法、反射型マスク、並びに反射多層膜付き基板及びその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008192936A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Canon Inc | 測定装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009021582A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-29 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | マスクブランク、フォトマスク、及びフォトマスクの製造方法 |
JP2009054899A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
JP2009071126A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線用反射型フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
WO2009136564A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 |
JPWO2009136564A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2011-09-08 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 |
US8372564B2 (en) | 2008-05-09 | 2013-02-12 | Hoya Corporation | Reflective mask, reflective mask blank and method of manufacturing reflective mask |
JP5711533B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2015-05-07 | Hoya株式会社 | 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 |
JP2010204424A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスク用ブランク及び反射型フォトマスク |
JP2011129611A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクの製造方法 |
JP2011176162A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクおよび反射型フォトマスクブランクならびにその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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