JP5711533B2 - 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、反射型マスクブランクおよび反射型マスクに関する。さらに詳しくは、本発明は、極端紫外光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィ法において用いられる反射型マスク用として好適な反射型マスク、及び当該反射型マスクブランクに関する。
近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィー法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされている。このような微細パターンの転写を可能とするため、より波長の短い極端紫外光（Extreme Ultra Violet；以下、ＥＵＶ光と呼ぶ。）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。なお、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる露光用マスクとしては、特許文献１に記載されたような反射型マスクが提案されている。
この反射型マスクは、基板上に露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有し、さらに、多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に設けられた構造を有している。このような反射型マスクを搭載した露光機（パターン転写装置）を用いてパターン転写を行なうと、反射型マスクに入射した露光光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射される。多層反射膜により反射された光が反射光学系を通して例えば半導体基板（レジスト付きシリコンウエハ）上に照射され、反射型マスクの吸収体膜パターンが転写される。
また、光の短波長化とは別にＩＢＭのLevensonらによって位相シフトマスクを利用した解像度向上技術が提唱されている（例えば、特許文献２）。位相シフトマスクでは、マスクパターンの透過部を、隣接する透過部とは異なる物質若しくは形状とすることにより、それらを透過した光に１８０度の位相差を与えている。従って両透過部の間の領域では、１８０度位相の異なる透過回折光同士が打ち消し合い、光強度が極めて小さくなって、マスクコントラストが向上し、結果的に転写時の焦点深度が拡大するとともに転写精度が向上する。尚、位相差は原理上１８０度が最良であるが、実質１７５〜１８５度程度であれば解像度向上効果は得られる。
位相シフトマスクの一種であるハーフトーン型マスクは、マスクパターンを構成する材料として光吸収性の薄膜を用い、透過率を数％程度（通常５％〜２０％程度）まで減衰させつつ、通常の基板透過光と１８０度の位相差を与えることで、パターンエッジ部の解像度を向上させる位相シフトマスクである。光源としては、現状、これまで使用されて来たＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）に切り替わりつつある。
しかしながら、ＡｒＦエキシマレーザをもってしても、ハーフトーン型マスクを用いるリソグラフィ技術を、将来的な５０ｎｍ以下の線幅を有するデバイスを作製するためのリソグラフィ技術として適用することは、露光機やレジストの課題もあり、容易ではない。
そこで、ＥＵＶリソグラフィの転写解像性をより向上させるために、従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーンマスクの原理を、反射光学系を用いたＥＵＶリソグラフィにおいても適用可能とするＥＵＶ露光用マスクが提案されている（例えば、特許文献３）。
以下、関連するＥＵＶ露光用マスクについて、図６を参照して説明する。図６の上図は、関連するＥＵＶ露光用マスクの断面図であり同図の下図はその一部を示す平面図である。図６の上図に示すように、関連するＥＵＶ露光用マスクは、基板１１０上に露光光の高反射領域となる多層膜（多層反射膜）１１１が形成され、その多層膜１１１上に低反射領域となる低反射層（吸収体膜）１１２のパターンが形成されている。当該低反射層１１２は２層膜で構成されており、露光波長において、多層膜１１１の反射率を基準とした場合の当該低反射層１１２の反射率は５％〜２０％であり、低反射層１１２からの反射光と多層膜１１１からの反射光との位相差が１７５乃至１８５度であることを特徴とする。このＥＵＶ露光用マスクは、転写パターン１１３が形成された転写エリア１１４及びそれ以外のブラインドエリア１１５を有する。ブラインドエリア１１５は、後述するように漏れ光エリア１１１６と外側エリア１１７とを含む。外側エリア１１７には、アライメントマーク１１８が形成されている。転写エリア１１４及び漏れ光エリア１１６が、露光光が入射するエリア１１９となる。
このような構成のＥＵＶ露光用マスクは、従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーンマスクの原理を、ＥＵＶ露光および反射光学系においても適用可能とし、ＥＵＶ露光とハーフトーン効果により転写解像性の向上を実現することができる。
なお、ＥＵＶ露光用マスクにＥＵＶ露光光を照射すると多層反射膜１１１が帯電するというＥＵＶ露光用マスク特有の問題が以前よりあった。しかし、この問題は多層反射膜１１１あるいは吸収体膜１１２をアースと接続することで基本的には解決されている。
一般的に、半導体デバイスを製造する際には、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、同じフォトマスクを用いて、位置をずらしながら、複数回露光することにより、１枚の被写体に対して同一パターンを複数転写する。
本来、露光装置内の光源から照射される露光光は、フォトマスク表面の転写すべきパターン１１３が形成されている部分（即ち、転写エリア１１４）にのみ入射することが理想的であり、露光装置内の光学系で調整される仕組みになっている。しかし、光の回折現象や位置精度等の関係から、一部の露光光が漏れて（これを漏れ光という）転写エリア１１４の外側のブラインドエリア１１５の一部にまで入射してしまう現象が避けられなかった（以下、この漏れ光で露光されてしまうブラインドエリア１１５の部分を漏れ光エリア１１６とする）。このため、図６の下図に示すように、被写体のレジスト膜には、転写エリア１１４の領域だけでなく、漏れ光エリア１１６を含む領域が転写されるようになっていた。
露光装置でフォトマスクの転写パターン１１３を被写体（ウェハ等）上に形成されたレジスト膜へ複数転写する際は、被写体を最も有効に利用するために、図７に示すように被写体上に転写エリア１１４の転写パターン１１３がほとんど隙間なく転写されるようにするのが一般的である（図７の転写パターン１１３Ａ，１１３Ｂ，１１３Ｃ，１１３Ｄ等参照）。
このとき、例えば、転写パターン１１３Ａを転写後、ほとんど隙間なく転写パターン１１３Ｂを転写する際、転写パターン１１３Ｂの漏れ光エリア１１６Ｂが転写パターン１１３Ａの一部に重なってしまう。また、転写パターン１１３Ａの漏れ光エリア１１６Ａが転写パターン１１３Ｂの一部に重なってしまう。
ＥＵＶ露光光を吸収体膜１１２で吸収してしまうタイプの反射型マスクの場合、ＥＵＶ露光光が漏れ光エリア１１６にまで漏れ出ても、吸収体膜１１２がＥＵＶ露光光を吸収し、吸収体膜１１２の被写体上のレジスト膜を感光する強度の反射光が漏れ光エリア１１６からは発生しないため、特に問題にはならなかった。
しかし、ハーフトーン効果を利用したＥＵＶ露光用マスクの場合、吸収体膜は、ＥＵＶ露光光を所定の透過率で透過してしまうので、漏れ光エリア１１６からも反射光が発生してしまう。このため、被写体上で転写パターン１１３と漏れ光エリア１１６とが重なると被写体上のレジスト膜を意図せず感光させてしまうという問題があった。
以下、図７を参照して具体的に説明する。前記の通り、露光装置でフォトマスクの転写パターン１１３を被写体上のレジスト膜へ複数転写する際、例えば、１回目の露光で被写体上に転写された転写パターンを１１３Ａとし、２回目の露光で転写された転写パターンを１１３Ｂ、３回目の露光で転写された転写パターンを１１３Ｃ、４回目の露光で転写された転写パターンを１１３Ｄというように、以降順次露光していく。この場合、転写パターンの吸収体膜１１２が残存する部分である低反射部分（被写体上のレジスト膜を感光させない部分）と、同じく吸収体膜１１２が残存する部分の漏れ光エリア１１６とが重なってしまうことで、２回分の露光が重なる部分１２０、３回分の露光が重なってしまう部分１２１、４回分の露光が重なってしまう部分１２２が被写体上のレジスト膜に生じてしまう。
通常、ＥＵＶ露光用の反射型マスクの場合、ＥＵＶ光が多層反射膜に直接入射して反射される場合でも、反射率は７０％程度であり、被写体上のレジスト膜がこの７０％の反射光量で感光されるようにＥＵＶ光源の光量等が調整されている。例えば、吸収体膜１１２を経由して多層反射膜１１１に反射される場合の反射率が２０％程度の反射型マスクを用いた場合、２回分の露光が重なる部分１２０では、被写体上のレジスト膜が概ね４０％の反射率に相当する光量のＥＵＶ光で露光されることになり、本来、感光させるべきではない部分のレジスト膜が感光してしまう可能性がある。同様に、３回分の露光が重なる部分１２１では、被写体上のレジスト膜が概ね６０％の反射率に相当する光量のＥＵＶ光で露光され、４回分の露光が重なる部分１２１では、被写体上のレジスト膜が概ね８０％の反射率に相当する光量のＥＵＶ光で露光されてしまい、本来、感光させるべきではない部分のレジスト膜が感光してしまう可能性が高い。
本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、ハーフトーンマスクの原理を利用したＥＵＶ露光用マスクにおいて、転写エリアの低反射部分とブラインドエリアの漏れ光エリアが重なるように被写体のレジスト膜に対して転写パターンを隙間なく転写しても、重なり部分のレジストが感光しないようなＥＵＶ露光用マスク及びそれを製造するためのマスクブランクを提供することを目的とする。
本発明の反射型マスクは、基板上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されておりＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜と、を備えた反射型マスクブランクの前記吸収膜に転写パターンを形成してなる反射型マスクであって、前記吸収膜は、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜であり、ブラインドエリア内の少なくとも漏れ光エリアの多層反射膜は、上層から複数層又は全層が除去されてなることを特徴とする。
この構成によれば、吸収膜での反射率と、ブラインドエリアでの反射率との間にコントラストがとれるので、ブラインドエリアにおける反射光によるレジスト膜の感光を抑制できる。
本発明の反射型マスクにおいては、ブラインドエリアの多層反射膜を上層から複数層又は全層除去する領域は、少なくとも漏れ光エリアを含む領域であることが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されておりＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜と、を備えた反射型マスクブランクであって、前記吸収膜は、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜であり、前記基板と前記多層反射膜との間に導電性膜が介在されていることを特徴とする。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記導電性膜は、クロム、窒化クロム、酸化クロム、炭化クロム、窒化酸化クロム、窒化炭化クロム、酸化炭化クロムまたは酸化窒化炭化クロムのいずれかを主成分とする材料で構成されていることが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記吸収膜は、半透過膜上に反射防止膜を積層した構造を有することが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記反射防止膜は、前記半透過膜をエッチングする際のエッチングガスに対してエッチング選択性を有する材料で構成されていることが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記半透過膜は、タンタルを主成分とする材料で構成されていることが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記反射防止膜は、酸化タンタルを主成分とする材料から構成されていることが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記多層反射膜と前記吸収膜との間に設けられたバッファ膜を有することが好ましい。
本発明の反射型マスクブランクにおいては、前記バッファ膜は、クロム又はルテニウムを主成分とする材料から構成されていることが好ましい。
本発明の反射型マスクの製造方法は、上記反射型マスクブランクに転写パターンを形成してなる反射型マスクの製造方法であって、転写パターンが形成された第１レジスト膜をマスクとしたドライエッチングにより前記吸収膜に転写パターンを形成する工程と、転写エリアの吸収膜及び多層反射膜を保護するパターンが形成された第２レジスト膜をマスクとしてブラインドエリアの吸収膜をドライエッチングする工程と、前記第２レジスト膜をマスクとしてブラインドエリアの多層反射膜をドライエッチングする工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の反射型マスクの製造方法においては、ブラインドエリアの多層反射膜をドライエッチングする領域は、少なくとも漏れ光エリアを含む領域であることが好ましい。
本発明に係る反射型マスクは、基板上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されておりＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜と、を備えており、前記吸収膜は、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜であり、ブラインドエリアの多層反射膜は、上層から複数層又は全層が除去されてなる。
このような構成により、ブラインドエリアの多層反射膜が全層除去されている、あるいは実質的に多層反射膜としての機能を有さない程度に複数層が除去されていることから、ブラインドエリアにＥＵＶ露光光が漏れ出ても、ＥＵＶ露光光はほとんど反射されない。これにより、この反射型マスクを用いて被写体のレジスト膜に転写パターンを複数、ＥＵＶ露光光が漏れるブラインドエリアが隣接する転写パターンに重なる程のほとんど隙間なく転写しても、そのブラインドエリアと隣接する転写パターンの吸収膜残存部分との重なり部分で本来感光させるべきではない部分の被写体のレジスト膜を感光させてしまうことを抑制できる効果がある。
また、導電性膜を備える本発明の反射型マスクブランクの発明においては、以下に示す効果がある。関連する反射型マスクブランクを用いて、ブラインドエリアの多層反射膜の全層あるいは複数層を除去した反射型マスクを作製した場合、除去した部分の導電性が低下することによって、最も帯電しやすい転写エリアの多層反射膜とのアース接続の確保が困難となる場合がある。本発明の反射型マスクブランクは、基板と多層反射膜との間に導電性膜を備えることから、導電性膜とアース接続することで転写エリアの多層反射膜と容易にアース接続を行うことができる効果がある。
本発明者は、ハーフトーンマスクの原理を利用したＥＵＶ露光用反射型マスクにおいても、通常の光透過型ハーフトーンマスクと同様、被写体のレジスト膜に対して転写パターンを隙間なく転写する場合、その重なり部分でレジスト膜が感光してしまう問題が生じることに着目し、ブラインドエリアにおける多層反射膜を上層から複数層又は全層除去することにより、ブラインドエリアの反射率を大幅に低下させることで、ブラインドエリアに漏れたＥＵＶ露光光が反射して被写体のレジスト膜を露光する光量を大幅に低下させ、レジスト膜の感光を抑制できることを見出し本発明をするに至った。
すなわち、本発明の骨子は、多層反射膜上に積層され、ＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜を、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜で構成し、ブラインドエリアの多層反射膜を上層から複数層又は全層除去することにより、ブラインドエリアの反射率を大幅に低下させることで、ブラインドエリアに漏れたＥＵＶ露光光が反射して被写体のレジスト膜を露光する光量を大幅に低下させ、転写エリアの低反射部分とブラインドエリアとが重なった部分の被写体のレジスト膜の感光を抑制することである。
なお、本発明におけるブラインドエリアの多層反射膜を上層から複数層または全層除去する範囲であるが、ＥＵＶ露光光が漏れ出る範囲が最低限除去されていればよい。ＥＵＶ露光光が漏れ出る範囲は、使用する露光装置によって異なるので、その露光装置の仕様に応じて多層反射膜を除去する範囲を選定する必要がある。アライメントマークに使用する部分以外のブラインドエリア全体の多層反射膜を除去すれば、露光装置の仕様に関係なく本発明の作用効果は発揮できる。
しかし、アライメントマーク等の各種マークを付けるエリアを多く残しておきたい場合や吸収膜及び多層反射膜を除去するエッチング時間やコスト面のことを考慮すると、ブラインドエリア全体の多層反射膜を除去することが必ずしも最適とはいえない。ブラインドエリアの吸収膜および多層反射膜を極力残しておきたい場合、例えば転写エリアの外周境界から５ｍｍ程度外側までの外周範囲におけるブラインドエリアの多層反射膜を除去すれば、本発明の作用効果を発揮する。露光装置の位置精度が高い場合においては、転写エリアの外周境界から３ｍｍ程度外側までの外周範囲におけるブラインドエリアの多層反射膜を除去すれば、本発明の作用効果を発揮する。これらの外周範囲は、漏れ光エリアを含む領域になる。
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、反射型マスクにおける転写領域を説明するための図である。図１に示す反射型マスクは、転写パターンを転写する転写エリア１と、転写エリア１の周りを囲むように設けられた、転写パターンが形成されていない領域であるブラインドエリア４とを含む。また、ブラインドエリア４は、転写エリア１に接したエリアであってＥＵＶ露光光が漏れ出る漏れ光エリア２と、漏れ光エリア２の外周のエリアであって、パターン転写時のアライメントに利用するアライメントマーク１７などがパターニングされる外側エリア３が設けられている。
（実施の形態１）
本実施の形態においては、ブラインドエリア４の漏れ光エリア２の多層反射膜（図３Ｄの１３）が上層から全層除去されてなる構成について説明する。本実施の形態に係る反射型マスクは、図３Ｄに示す構成を有する。図３Ｄに示す反射型マスクは、基板１１と、基板１１上に形成された導電性膜１２と、導電性膜１２の転写エリア１に形成された多層反射膜１３と、多層反射膜１３上にパターニングされて形成され、多層反射膜１３を保護するバッファ膜１４と、バッファ膜１４上に形成された吸収膜１５とから主に構成されている。すなわち、図３Ｄに示す反射型マスクは、転写エリア１に多層反射膜１３が形成され、その多層反射膜１３上にバッファ膜１４及び吸収膜１５の積層膜がパターニングして形成され、ブラインドエリア４の少なくとも漏れ光エリア２には多層反射膜１３が形成されていない構成を有する。
本実施の形態においては、ブラインドエリア４の漏れ光エリア２の多層反射膜（図３Ｄの１３）が上層から全層除去されてなる構成について説明する。本実施の形態に係る反射型マスクは、図３Ｄに示す構成を有する。図３Ｄに示す反射型マスクは、基板１１と、基板１１上に形成された導電性膜１２と、導電性膜１２の転写エリア１に形成された多層反射膜１３と、多層反射膜１３上にパターニングされて形成され、多層反射膜１３を保護するバッファ膜１４と、バッファ膜１４上に形成された吸収膜１５とから主に構成されている。すなわち、図３Ｄに示す反射型マスクは、転写エリア１に多層反射膜１３が形成され、その多層反射膜１３上にバッファ膜１４及び吸収膜１５の積層膜がパターニングして形成され、ブラインドエリア４の少なくとも漏れ光エリア２には多層反射膜１３が形成されていない構成を有する。
基板１１は、良好な平滑性と平坦度が必要とされ、その材料としては、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板は良好な平滑性と平坦度が得られ、特にマスク用基板として好適である。ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等）、石英ガラス又はβ石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどが挙げられる。
多層反射膜１３を除去する層の数によっては、特にこの実施の形態１のように全層除去する場合には、前記の通り、転写エリア１内の多層反射膜１３がＥＵＶ光が照射されることによる帯電を放電するためにアースを取ることが必要であるが、多層反射膜１３を除去したことによって導電性が不足してしまう。この導電性を確保するためにこの実施の形態１では導電性膜１２を基板上面に成膜している。導電性膜１２とアース接続することで転写エリア１の多層反射膜１３と容易にアース接続を行うことができる。
また、この導電性膜１２は、多層反射膜１３のエッチングストッパの役割も果たす。このため、十分な導電性を有すると共に、多層反射膜１３のエッチングガスに対して耐性を持つことが望ましい。例えば、多層反射膜１３のエッチングガスがフッ素ガスである場合には、導電性膜１２は、クロム、窒化クロム、酸化クロム、炭化クロム、窒化酸化クロム、窒化炭化クロム、酸化炭化クロム、または窒化酸化炭化クロムのいずれかを主成分とする材料で構成されていることが好ましい。
導電性膜１２上に形成する多層反射膜１３は、高屈折率な材料（高屈折率層）と低屈折率な材料（低屈折率層）とを交互に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射することができる。例えば１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が高いＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。ＥＵＶ光の領域で使用されるその他の多層反射膜の例としては、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜などが挙げられる。多層反射膜１３は、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など周知の成膜方法により形成することができる。
バッファ膜１４は、後述する吸収膜１５を転写パターンにエッチング処理する際に多層反射膜１３がエッチング処理などによるダメージを受けないようにこれを保護することを目的として設けられる。したがって、バッファ膜１４の材質としては、例えば、後述する吸収膜１５として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を用いた場合には、ＴａＢＮのエッチングガスである塩素ガスでエッチングされにくいクロム又はルテニウムを主成分とする材料を用いることが好ましい。バッファ膜１４に適するクロムを主成分とする材料としては、Ｃｒ，ＣｒＮ，ＣｒＯ，ＣｒＣ，ＣｒＯＮ，ＣｒＣＮ，ＣｒＯＣＮなどが挙げられる。バッファ膜１４に適するルテニウムを主成分とする材料としては、Ｒｕ，ＲｕＮｂ，ＲｕＺｒ，ＲｕＭｏ，ＲｕＹ，ＲｕＢ，ＲｕＴｉ，ＲｕＬａなどが挙げられる。このバッファ膜１４の膜厚は、１００ｎｍ以下、好ましくは８０ｎｍ以下である。このバッファ膜１４の成膜は、同様にＤＣマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など周知の成膜方法を用いて行うことができる。なお、バッファ膜１４は必要に応じて設ければよく、吸収膜１５へのパターン形成方法、条件によっては、多層反射膜１３上に直接吸収膜１５を設けても良い。
吸収膜１５は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有する膜であり、膜内を通過して多層反射膜１３で反射される露光光に、直接入射して多層反射膜１３で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜である。吸収膜１５は、半透過膜上に反射防止膜を積層した構造を有することが好ましい。吸収膜１５はタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。また、反射防止膜は、半透過膜をエッチングする際のエッチングガスに対してエッチング選択性を有する材料で構成されていることが好ましい。半透過膜は、タンタル金属（Ｔａ）、タンタルホウ化物（ＴａＢ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、あるいはこれらの窒化物を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。これらの中でも、タンタル窒化物（ＴａＮ）、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を主成分とする材料から構成されていることが特に好ましい。反射防止膜は、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）等のタンタル酸化物を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。
通常、ＥＵＶ用の反射型マスクブランクから反射型マスクを作製した後、マスクに転写パターンが求められている精度で転写されていることを確認するパターン検査を行う必要がある。このパターン検査を行うパターン検査機では、検査光の光源には、ＥＵＶ光ではなく、それよりも長波長の光源（例えば、１９０〜２６０ｎｍ程度の深紫外光、あるいはそれよりも長波長の可視光など）が使用されているのが一般的である。ＥＵＶ光源機が高価であることや、ＥＵＶ光の場合、大気中での減衰が激しいため、検査機内部を真空にする必要があり、パターン検査機が大掛かりとなることなどがその理由である。パターン検査機では、反射型マスクに長波長の光を照射し、多層反射膜１３とマスクパターン部分（吸収膜１５が積層する部分）との反射コントラストでパターンの精度を検査するようになっている。このとき、吸収膜１５が、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）等の半透過膜のみで構成されていると、検査光に対する反射率が高く、多層反射膜１３との反射コントラストが取り難いという問題がある。このため、吸収膜１５は、ＥＵＶ光の吸収率の高いタンタル金属やタンタル窒化物を主成分とする半透過膜の上に検査光に対する反射率が低いタンタル酸化物を主成分とする反射防止膜を積層した構造となっている。
吸収膜１５は、転写エリア１において、ハーフトーン型マスクとして機能する。そのためには、ＥＵＶ露光光の波長が多層反射膜１３に直接入射して反射した場合（図３Ｄにおける矢印Ａ）の反射率を基準とした場合の、当該吸収膜１５及びバッファ膜１４を透過して多層反射膜１３に入射して反射し、再度バッファ膜１４及び当該吸収膜１５を透過した反射光（図３Ｄにおける矢印Ｂ）の反射率が、５％〜２０％であることが好ましい。さらには、上記吸収膜１５を介した場合の反射光（図３Ｄにおける矢印Ｂの反射光）と、上記多層反射膜１３に直接入射した場合の反射光（図３Ｄにおける矢印Ａの反射光）との位相差が１７５度〜１８５度であることが好ましい。よって吸収膜１５の材料及び膜厚は、反射率及び位相差が上記のようになるよう設計する。
少なくとも漏れ光エリア２においては、多層反射膜１３が形成されていないので、吸収膜１５よりも遮光されている。このため、吸収膜１５の反射率と、多層反射膜１３が形成されていないブラインドエリア４の反射率との間のコントラストが十分にとれるので、ブラインドエリアにおける被写体上のレジスト膜の感光を低減することができる。ここで、吸収膜１５の反射率と、多層反射膜１３が形成されていないブラインドエリア４の反射率との間のコントラストは、１００〜１０００程度あれば良いと考えられる。
本発明において、タンタル金属、タンタル窒化物系等のような塩素系ガスでドライエッチングが可能な場合のエッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３が適用可能である。また、本発明において、タンタル酸化物系、モリブデンとシリコンの多層反射膜１３のようなフッ素系ガスでドライエッチングを行う必要がある場合のエッチングガスとしては、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨＣｌ３が適用可能である。また、これらのフッ素系ガスに、Ｈｅ、Ｈ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４、Ｏ２等の混合ガス、あるいは、Ｃｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２等の塩素系ガス、または、これらと、Ｈｅ、Ｈ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４、Ｏ２等の混合ガスを用いることもできる。
ここで、本実施の形態に係る反射型マスクの製造方法について図面を参照して説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係る反射型マスクブランクを示す図であり、図３Ａ〜３Ｄは、図２に示す反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造する方法を説明するための図である。
まず、図２に示すように、基板１１、導電性膜１２、多層反射膜１３、バッファ膜１４及び吸収膜（半透過膜及び反射防止膜）１５を順次形成してなるマスクブランクを準備する。このマスクブランクは、基板１１と多層反射膜１３との間に導電性膜１２が介在されてなるものである。具体的には、基板１１上にスパッタリングなどにより導電性膜１２を形成する。次いで、導電性膜１２上に、イオンビームスパッタリングなどにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを交互に積層して多層反射膜１３を形成する。例えば、Ｓｉターゲットを用いて、Ｓｉ膜を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ｍｏ膜を成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜する。次いで、多層反射膜１３上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングなどによりバッファ膜１４を形成する。その後、バッファ膜１４上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングなどにより半透過膜及び反射防止膜をその順で積層して吸収膜１５を形成する。このマスクブランクに転写パターンを形成して反射型マスクが作製される。
まず、図２に示すマスクブランクの上にレジスト膜を形成し、レジスト膜の転写エリアにパターニングを行い、ブラインドエリア４の外側エリア３にアライメントマーク１７等の各種マークのパターニングを行って、レジスト膜に転写パターン等を形成する。次いで、図３Ａに示すように、この転写パターン等が形成されたレジスト膜（第１レジスト膜）をマスクとして吸収膜１５（半透過膜及び反射防止膜）及びバッファ膜１４をドライエッチングした後に、レジスト膜を除去する。次いで、図３Ａに示す構成上にレジスト膜１６を形成し、転写エリア１全体及び外側エリア３全体にレジスト膜１６（第２レジスト膜）が残存するようにレジスト膜１６をパターニングし、図３Ｂに示すように、レジスト膜１６をマスクにして、吸収膜１５（半透過膜及び反射防止膜）及びバッファ膜１４をドライエッチングする。次いで、図３Ｃに示すように、前記レジスト膜１６をマスクにして、多層反射膜１３をドライエッチングする。このとき、導電性膜１２がエッチングストッパの役割を果たす。その後、レジスト膜１６を除去する。このようにして、図３Ｄに示すような本実施の形態に係る反射型マスクが得られる。
この反射型マスクによれば、ブラインドエリア４の漏れ光エリア２の多層反射膜１３が除去されていることから、漏れ光エリア２にＥＵＶ露光光が漏れ出ても、ＥＵＶ露光光がほとんど反射されない。これにより、この反射型マスクを用いて被写体のレジスト膜に転写パターンを複数、漏れ光エリア２が隣接する転写パターン１に重なる程のほとんど隙間なく転写しても、その漏れ光エリア２と隣接する転写パターン１の吸収膜１５の残存部分との重なり部分で本来感光させるべきではない部分の被写体のレジスト膜を感光させてしまうことを抑制できる。
また、基板１１と多層反射膜１３との間に導電性膜１２を設けた構成となっていることにより、漏れ光エリア２の多層反射膜１３を全層除去しても、転写パターン１内の多層反射膜１３と、外側エリア３の多層反射膜１３、バッファ膜１４、吸収膜１５と電気的に導通された状態が確保され、帯電しやすい転写パターン１内の多層反射膜１３とアース接続をとることができる。
なお、この実施の形態１の反射型マスクでは、外側エリア３の多層反射膜１３を除去しない構成としたが、アライメントマーク１７等の各種マークを形成する部分以外の多層反射膜１３を除去する構成としてもよい。
（実施の形態２）
本実施の形態においては、ブラインドエリアの多層反射膜が上層から複数層除去されてなる構成について説明する。本実施の形態に係る反射型マスクは、図５Ｄに示す構成を有する。図５Ｄに示す反射型マスクは、基板１１と、基板１１の転写エリア１に形成された多層反射膜１３と、多層反射膜１３上にパターニングされて形成され、多層反射膜１３を保護するバッファ膜１４と、バッファ膜１４上に形成された吸収膜１５とから主に構成されている。すなわち、図５Ｄに示す反射型マスクは、転写エリア１に多層反射膜１３が形成され、その多層反射膜１３上にバッファ膜１４及び吸収膜１５の積層膜がパターニングして形成され、ブラインドエリア４の漏れ光エリア２には薄い多層反射膜１３ａ（数周期分残存した状態）が形成されている構成を有する。本実施の形態に係る構成においては、多層反射膜１３を数周期残存させるようにエッチングを行うため、転写パターン１内の多層反射膜１３と外側エリア３の多層反射膜１３等の各膜との間で導電性は確保される。また、多層反射膜１３のエッチングは途中で終了するように制御されるため、エッチングストッパの役割も有する導電性膜１２は不要となる。なお、多層反射膜１３ａの導電性がアース確保に不十分であることが予想される場合においては、導電性膜１２を設けるとよい。各膜の材料については、実施の形態１と同じであるので詳細な説明は省略する。
本実施の形態においては、ブラインドエリアの多層反射膜が上層から複数層除去されてなる構成について説明する。本実施の形態に係る反射型マスクは、図５Ｄに示す構成を有する。図５Ｄに示す反射型マスクは、基板１１と、基板１１の転写エリア１に形成された多層反射膜１３と、多層反射膜１３上にパターニングされて形成され、多層反射膜１３を保護するバッファ膜１４と、バッファ膜１４上に形成された吸収膜１５とから主に構成されている。すなわち、図５Ｄに示す反射型マスクは、転写エリア１に多層反射膜１３が形成され、その多層反射膜１３上にバッファ膜１４及び吸収膜１５の積層膜がパターニングして形成され、ブラインドエリア４の漏れ光エリア２には薄い多層反射膜１３ａ（数周期分残存した状態）が形成されている構成を有する。本実施の形態に係る構成においては、多層反射膜１３を数周期残存させるようにエッチングを行うため、転写パターン１内の多層反射膜１３と外側エリア３の多層反射膜１３等の各膜との間で導電性は確保される。また、多層反射膜１３のエッチングは途中で終了するように制御されるため、エッチングストッパの役割も有する導電性膜１２は不要となる。なお、多層反射膜１３ａの導電性がアース確保に不十分であることが予想される場合においては、導電性膜１２を設けるとよい。各膜の材料については、実施の形態１と同じであるので詳細な説明は省略する。
ここで、本実施の形態に係る反射型マスクの製造方法について図面を用いて説明する。図４は、本発明の実施の形態２に係る反射型マスクブランクを示す図であり、図５（ａ）〜（ｄ）は、図４に示す反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造する方法を説明するための図である。
まず、図４に示すように、基板１１、多層反射膜１３、バッファ膜１４及び吸収膜（半透過膜及び反射防止膜）１５を順次形成してなるマスクブランクを準備する。具体的には、基板１１上に、イオンビームスパッタリングなどにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを交互に積層して多層反射膜１３を形成する。例えば、Ｓｉターゲットを用いて、Ｓｉ膜を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ｍｏ膜を成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜する。次いで、多層反射膜１３上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングなどによりバッファ膜１４を形成する。その後、バッファ膜１４上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングなどにより半透過膜及び反射防止膜をその順で積層して吸収膜１５を形成する。このマスクブランクに転写パターンを形成して反射型マスクが作製される。
まず、図４に示すマスクブランクの上にレジスト膜を形成し、レジスト膜の転写エリアにパターニングを行い、ブラインドエリア４の外側エリア３にアライメントマーク１７等の各種マークのパターニングを行って、レジスト膜に転写パターン等を形成する。次いで、図５Ａに示すように、この転写パターン等が形成されたレジスト膜（第１レジスト膜）をマスクとして吸収膜１５（半透過膜及び反射防止膜）及びバッファ膜１４をドライエッチングした後に、レジスト膜を除去する。次いで、図５Ａに示す構成上にレジスト膜（第２レジスト膜）１６を形成し、転写エリア全体および外側エリア３のアライメントマーク１７等の各種マーク形成領域にレジスト膜１６が残存するようにレジスト膜１６をパターニングし、図５Ｂに示すように、レジスト膜１６をマスクにして、吸収膜１５（半透過膜及び反射防止膜）及びバッファ膜１４をドライエッチングする。次いで、図５Ｃに示すように、前記レジスト膜１６をマスクにして、多層反射膜１３を複数層ドライエッチングする。このとき、多層反射膜１３ａを数周期あるいは数層残存させるように、膜材料やエッチングガスなどを考慮してエッチング条件を適宜設定する。その後、レジスト膜１６を除去する。このようにして、図５Ｄに示すような本実施の形態に係る反射型マスクが得られる。
この反射型マスクによれば、ブラインドエリア４の漏れ光エリア２の多層反射膜１３ａが数周期あるいは数層残存する程度まで除去されていることから、漏れ光エリア２にＥＵＶ露光光が漏れ出ても、ＥＵＶ露光光がほとんど反射されない。これにより、この反射型マスクを用いて被写体のレジスト膜に転写パターンを複数、漏れ光エリア２が隣接する転写パターン１に重なる程のほとんど隙間なく転写しても、その漏れ光エリア２と隣接する転写パターン１の吸収膜１５の残存部分との重なり部分で本来感光させるべきではない部分の被写体のレジスト膜を感光させてしまうことを抑制できる。
また、漏れ光エリア２の多層反射膜を数周期あるいは数層残存させたことにより、転写パターン１内の多層反射膜１３と、外側エリア４の多層反射膜１３、バッファ膜１４、吸収膜１５と電気的に導通された状態が確保され、帯電しやすい転写パターン１内の多層反射膜１３とアース接続をとることができる。
なお、この実施の形態２の反射型マスクでは、アライメントマーク１７等の各種マークを形成する部分以外の多層反射膜１３を除去する構成としたが、実施の形態１のように、外側エリア４の多層反射膜１３を除去しない構成としてもよい。
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
（実施例１）
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ５ｎｍの導電性膜を形成した。次いで、導電性膜上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ５ｎｍの導電性膜を形成した。次いで、導電性膜上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
次いで、多層反射膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ１０ｎｍのバッファ膜を形成した。次いで、バッファ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＮを被着して、厚さ２８ｎｍの半透過膜を形成した。このとき、タンタルターゲットを用い、Ａｒに窒素を４０％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｎ＝７０：３０であった。
次いで、半透過膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＯを被着して、厚さ１４ｎｍの反射防止膜を形成した。このとき、タンタルターゲットを用い、Ａｒに酸素を２５％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＯ膜の組成比は、Ｔａ：Ｏ＝３０：７０であった。このようにして、実施例１の反射型マスクブランクが得られた（図２）。
次いで、吸収膜１５である半透過膜（ＴａＮ膜）及び反射防止膜（ＴａＯ膜）を転写エリア１については転写パターンに加工し、ブラインドエリア４の外側エリア３については、アライメントマーク等の各種マークに加工した。転写パターンは、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした（図３Ａ）。
まず、上記反射型マスクブランクの吸収膜上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターン（第１レジスト膜）を形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、吸収膜である反射防止膜と半透過膜を順次エッチングした。このとき、ＴａＯ膜はフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングし、ＴａＮ膜は塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いてドライエッチングした。次いで、転写エリア１における反射防止膜をマスクとして、バッファ膜をエッチングした。このとき、ＣｒＮは塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。そして、エッチング後にレジスト膜を除去した。
次いで、この構造体上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により転写エリア全体および外側エリア３全体に残存するようなレジストパターン（第２レジスト膜）を形成した（図３Ｂ）。次いで、このレジストパターンをマスクにして、多層反射膜をエッチングした。このとき、Ｓｉ膜とＭｏ膜の積層膜はフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングした（図３Ｃ）。その後、レジスト膜を除去して実施例１の反射型マスクを製造した（図３Ｄ）。
上記のように製造した反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、隣り合う転写パターンが隙間ない配置、すなわちブラインドエリア４の漏れ光エリア２が隣接する転写パターン１に重なるように露光したところ、重なり部分における転写パターンとは関係ないレジスト膜の感光を抑制することができた。これは、漏れ光エリア２には多層反射膜１３が存在していないため、漏れ光エリア２に漏れてくるＥＵＶ光がほとんど反射されず、隣接する転写パターンのレジスト膜の感光に影響を与えないためと考えられる。
なお、この被写体への連続露光時において、反射型マスクの多層反射膜１３がチャージアップを起こす不具合は発生せず、転写エリアの多層反射膜１３の帯電をアース接続で十分に逃がすことが出来ており、導電膜１２によって導電性が十分確保されていることも確認できた。
（実施例２）
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ５ｎｍの導電性膜を形成した。次いで、導電性膜上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ５ｎｍの導電性膜を形成した。次いで、導電性膜上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
次いで、多層反射膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ１０ｎｍのバッファ膜を形成した。次いで、バッファ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＢＮを被着して、厚さ３０ｎｍの半透過膜を形成した。このとき、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒに窒素を４０％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＢＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｎ＝６０：１０：３０であった。
次いで、半透過膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＢＯを被着して、厚さ１４ｎｍの反射防止膜を形成した。このとき、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒに酸素を２５％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＢＯ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｏ＝３０：１０：６０であった。このようにして、実施例２の反射型マスクブランクが得られた（図２）。
次いで、吸収膜である半透過膜（ＴａＢＮ膜）及び反射防止膜（ＴａＢＯ膜）を転写エリア１については転写パターンに加工し、ブラインドエリア４の外側エリア３については、アライメントマーク等の各種マークに加工した。転写パターンは、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした（図３Ａ）。
まず、上記反射型マスクブランクの吸収膜上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターン（第１レジスト膜）を形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、吸収膜である反射防止膜と半透過膜を順次エッチングした。このとき、ＴａＢＯ膜はフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングし、ＴａＢＮ膜は塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いてドライエッチングした。次いで、転写エリアにおける反射防止膜をマスクとして、バッファ膜をエッチングした。このとき、ＣｒＮは塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。そして、エッチング後にレジスト膜を除去した。
次いで、この構造体上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により転写エリア全体及び外側エリア３全体に残存するようなレジストパターン（第２レジスト膜）を形成した（図３Ｂ）。次いで、このレジストパターンをマスクにして、多層反射膜をエッチングした。このとき、Ｓｉ膜とＭｏ膜の積層膜はフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングした（図３Ｃ）。その後、レジスト膜を除去して実施例２の反射型マスクを製造した（図３Ｄ）。
上記のように製造した反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、隣り合う転写パターンが隙間ない配置、すなわちブラインドエリア４の漏れ光エリア２が隣接する転写パターン１に重なるように露光したところ、重なり部分における転写パターンとは関係ないレジスト膜の感光を抑制することができた。これは、漏れ光エリア２には多層反射膜１３が存在していないため、漏れ光エリア２に漏れてくるＥＵＶ光がほとんど反射されず、隣接する転写パターンのレジスト膜の感光に影響を与えないためと考えられる。
なお、この被写体への連続露光時において、反射型マスクの多層反射膜１３がチャージアップを起こす不具合は発生せず、転写エリアの多層反射膜１３の帯電をアース接続で十分に逃がすことが出来ており、導電膜１２によって導電性が十分確保されていることも確認できた。
（実施例３）
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
次いで、多層反射膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ１０ｎｍのバッファ膜を形成した。次いで、バッファ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＮを被着して、厚さ２８ｎｍの半透過膜を形成した。このとき、タンタルターゲットを用い、Ａｒに窒素を４０％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｎ＝７０：３０であった。
次いで、半透過膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＯを被着して、厚さ１４ｎｍの反射防止膜を形成した。このとき、タンタルターゲットを用い、Ａｒに酸素を２５％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＯ膜の組成比は、Ｔａ：Ｏ＝３０：７０であった。このようにして、実施例３の反射型マスクブランクが得られた（図４）。
次いで、吸収膜である半透過膜（ＴａＮ膜）及び反射防止膜（ＴａＯ膜）を転写エリア１については転写パターンに加工し、ブラインドエリア４の外側エリア３については、アライメントマーク等の各種マークに加工した。転写パターンは、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした（図５Ａ）。
まず、上記反射型マスクブランクの吸収膜上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターン（第１レジスト膜）を形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、吸収膜である反射防止膜と半透過膜を順次エッチングした。このとき、ＴａＯ膜はフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングし、ＴａＮ膜は塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いてドライエッチングした。次いで、転写エリアにおける反射防止膜をマスクとして、バッファ膜をエッチングした。このとき、ＣｒＮは塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。そして、エッチング後にレジスト膜を除去した。
次いで、この構造体上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により転写エリア全体および外側エリア３のアライメントマーク１７等の各種マークが残存するようなレジストパターン（第２レジスト膜）を形成した（図５Ｂ）。次いで、このレジストパターンをマスクにして、多層反射膜を５周期程度（厳密に５周期でなくとも、おおよそで十分に効果がある。）残すようにエッチングした。このとき、Ｓｉ膜とＭｏ膜の積層膜はフッ素系ガス（（ＣＦ４））を用い、エッチング時間を制御することによりドライエッチングした（図５Ｃ）。その後、レジスト膜を除去して実施例３の反射型マスクを製造した（図５Ｄ）。
上記のように製造した反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、隣り合う転写パターンが隙間ない配置、すなわちブラインドエリア４の漏れ光エリア２が隣接する転写パターン１に重なるように露光したところ、重なり部分における転写パターンとは関係ないレジスト膜の感光を抑制することができた。これは、漏れ光エリア２には多層反射膜１３が数周期しか存在しておらず、反射膜として実質的に機能しないため、漏れ光エリア２に漏れてくるＥＵＶ光がほとんど反射されず、隣接する転写パターンのレジスト膜の感光に影響を与えないためと考えられる。
なお、この被写体への連続露光時において、反射型マスクの多層反射膜１３がチャージアップを起こす不具合は発生せず、転写エリアの多層反射膜１３の帯電をアース接続で十分に逃がすことが出来ており、漏れ光エリア２の多層反射膜１３を数周期残したことによって導電性が十分確保されていることも確認できた。
（実施例４）
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
まず、基板として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、イオンビームスパッタリングにより、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉとを被着して、合計厚さ２８４ｎｍの多層反射膜（Ｍｏ：２．８ｎｍ、Ｓｉ：４．２ｎｍ、これらを１周期として４０周期積層後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜）を形成した。
次いで、多層反射膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０原子％）を被着して、厚さ１０ｎｍのバッファ膜を形成した。次いで、バッファ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＢＮを被着して、厚さ３０ｎｍの半透過膜を形成した。このとき、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒに窒素を４０％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＢＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｎ＝６０：１０：３０であった。
次いで、半透過膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタリングによりＴａＢＯを被着して、厚さ１４ｎｍの反射防止膜を形成した。このとき、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒに酸素を２５％添加したガスを用いて成膜を行った。成膜されたＴａＢＯ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｏ＝３０：１０：６０であった。このようにして、実施例４の反射型マスクブランクが得られた（図４）。
次いで、吸収膜である半透過膜（ＴａＢＮ膜）及び反射防止膜（ＴａＢＯ膜）を転写エリア１については転写パターンに加工し、ブラインドエリア４の外側エリア３については、アライメントマーク等の各種マークに加工した。転写パターンは、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした（図５Ａ）。
まず、上記反射型マスクブランクの吸収膜上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターン（第１レジスト膜）を形成した。次いで、このレジストパターンをマスクとして、吸収膜である反射防止膜と半透過膜を順次エッチングした。このとき、ＴａＢＯ膜はフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングし、ＴａＢＮ膜は塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いてドライエッチングした。次いで、転写エリアにおける反射防止膜をマスクとして、バッファ膜をエッチングした。このとき、ＣｒＮは塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。そして、エッチング後にレジスト膜を除去した。
次いで、この構造体上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により転写エリア全体及び外側エリア３のアライメントマーク１７等の各種マークが残存するようなレジストパターン（第２レジスト膜）を形成した（図５Ｂ）。次いで、このレジストパターンをマスクにして、多層反射膜を５周期程度（厳密に５周期でなくとも、おおよそで十分に効果がある。）残すようにエッチングした。このとき、Ｓｉ膜とＭｏ膜の積層膜はフッ素系ガス（（ＣＦ４））を用い、エッチング時間を制御することによりドライエッチングした（図５Ｃ）。その後、レジスト膜を除去して実施例４の反射型マスクを製造した（図５Ｄ）。
上記のように製造した反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、隣り合う転写パターンが隙間ない配置、すなわちブラインドエリア４の漏れ光エリア２が隣接する転写パターン１に重なるように露光したところ、重なり部分における転写パターンとは関係ないレジスト膜の感光を抑制することができた。これは、漏れ光エリア２には多層反射膜１３が数周期しか存在しておらず、反射膜として実質的に機能しないため、漏れ光エリア２に漏れてくるＥＵＶ光がほとんど反射されず、隣接する転写パターンのレジスト膜の感光に影響を与えないためと考えられる。
なお、この被写体への連続露光時において、反射型マスクの多層反射膜１３がチャージアップを起こす不具合は発生せず、転写エリアの多層反射膜１３の帯電をアース接続で十分に逃がすことが出来ており、漏れ光エリア２の多層反射膜１３を数周期残したことによって導電性が十分確保されていることも確認できた。
本発明は上記実施の形態１，２に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態１，２においては、バッファ膜の材料として、ＣｒＮ膜を用いた場合について説明しているが、本発明においては、ＣｒＮの代わりにＲｕを主成分とする材料を用いても良い。その場合、Ｒｕを主成分とする材料はＥＵＶ光に対して透明性が高いので、除去しなくても反射型マスクとして使用することができる。また、バッファ膜は必要に応じて設ければ良く、吸収膜へのパターン形成方法、条件によっては、多層反射膜上に直接吸収膜を設けても良い。さらに、上記実施の形態１，２においては、吸収膜として半透過膜及び反射防止膜の積層膜を用いた場合について説明しているが、吸収膜の材料や構成について他のものを用いても良い。また、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
１ 転写エリア
２ 漏れ光エリア
３ 外側エリア
４ ブラインドエリア
１１ 基板
１２ 導電性膜
１３ 多層反射膜
１４ バッファ膜
１５ 吸収膜
１６ レジスト膜（第２レジスト膜）
１７ アライメントマーク
２ 漏れ光エリア
３ 外側エリア
４ ブラインドエリア
１１ 基板
１２ 導電性膜
１３ 多層反射膜
１４ バッファ膜
１５ 吸収膜
１６ レジスト膜（第２レジスト膜）
１７ アライメントマーク
Claims (11)
- 基板上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されておりＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜と、を備えた反射型マスクブランクの前記吸収膜に転写パターンを形成してなる反射型マスクであって、
前記吸収膜は、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜であり、
前記吸収膜は、半透過膜上に反射防止膜を積層した構造を有し、
前記半透過膜は、タンタルを主成分とする材料で構成され、
前記反射防止膜は、前記半透過膜をエッチングする際のエッチングガスに対してエッチング選択性を有し、
前記基板と前記多層反射膜との間には導電性膜が介在し、
前記基板は、ガラス材料からなり、
前記多層反射膜は、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成され、
前記導電性膜は、前記多層反射膜のエッチングストッパであり、窒化クロムまたは窒化炭化クロムを含有する材料で構成され、
ブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域における吸収膜と多層反射膜の全層はともに除去され、前記導電性膜が除去した部分の導電性を確保することを特徴とする反射型マスク。 - 前記ブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域は、転写エリアの外周境界から５ｍｍ外側までの外周範囲の領域であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
- 前記ブラインドエリアは、前記転写エリアに接した前記漏れ光エリアと、前記漏れ光エリアの外周エリアであってアライメントマークがパターニングされた外側エリアとからなることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型マスク。
- 前記多層反射膜は、ＭｏとＳｉとを交互に積層させて構成される請求項１から３のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記吸収膜の反射率と前記多層反射膜が形成されていないブラインドエリアの反射率との間のコントラストは、１００〜１０００である請求項１から４のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記反射防止膜は、フッ素系ガスでドライエッチングされる材料で構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記半透過膜は、タンタル金属、タンタルホウ化物、タンタルシリサイド、又はこれらの窒化物を主成分とする材料で構成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記反射防止膜は、全体組成を１００としたときの酸素の組成比が６０以上７０以下である酸化タンタルを主成分とする材料で構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記多層反射膜と前記吸収膜との間に設けられたバッファ膜を有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記バッファ膜は、クロム又はルテニウムを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項９に記載の反射型マスク。
- 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法であって、
転写パターンが形成された第１レジスト膜をマスクとしてドライエッチングすることにより前記吸収膜に転写パターンを形成する工程と、
転写エリアの吸収膜及び多層反射膜を保護するパターンが形成された第２レジスト膜をマスクとしてブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域における吸収膜をドライエッチングして除去する工程と、
前記第２レジスト膜をマスクとし、前記ブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域における多層反射膜に対し、フッ素ガスによるドライエッチングを行って全層を除去する工程と、を具備することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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| JP5772135B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-09-02 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| KR102095589B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2020-04-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반사형 포토마스크 및 그 제조방법 |
| JP5970901B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-08-17 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
| JP2013206936A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
| US8765330B2 (en) | 2012-08-01 | 2014-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Phase shift mask for extreme ultraviolet lithography and method of fabricating same |
| JP6226517B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2017-11-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
| WO2014050831A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板の製造方法 |
| JP5240396B2 (ja) * | 2012-11-16 | 2013-07-17 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスク、および、反射型マスク製造方法 |
| JP6070109B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-02-01 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP5881633B2 (ja) | 2013-02-28 | 2016-03-09 | 株式会社東芝 | Ｅｕｖ露光用の光反射型フォトマスク及びマスクブランク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6453780B2 (ja) | 2013-03-12 | 2019-01-16 | マイクロニック アーベーＭｙｃｒｏｎｉｃ Ａｂ | 機械的に形成されるアライメント基準体の方法及び装置 |
| WO2014140047A2 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Micronic Mydata AB | Method and device for writing photomasks with reduced mura errors |
| US9122166B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process and mask |
| US9425062B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method for improving CD micro-loading in photomask plasma etching |
| JP6225478B2 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-11-08 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスク |
| JP2014232844A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクの製造方法 |
| KR101713382B1 (ko) * | 2013-11-22 | 2017-03-07 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 극자외선 리소그래피 공정 및 마스크 |
| JP6425951B2 (ja) * | 2014-09-17 | 2018-11-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| KR102499220B1 (ko) * | 2014-09-17 | 2023-02-13 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP6499440B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2019-04-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| JP6651314B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2020-02-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| DE102015108569B4 (de) | 2015-05-29 | 2020-10-08 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | Reflektierende Fotomaske und Reflexionstyp-Maskenrohling |
| JP6517660B2 (ja) * | 2015-10-20 | 2019-05-22 | 株式会社東芝 | マスク基板及びマスク基板の製造方法 |
| SG11201807712YA (en) * | 2016-03-31 | 2018-10-30 | Hoya Corp | Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI712849B (zh) | 2017-02-17 | 2020-12-11 | 聯華電子股份有限公司 | 一種極紫外線光罩 |
| US10620530B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multiple-mask multiple-exposure lithography and masks |
| DE102017126395B4 (de) | 2017-07-31 | 2022-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Masken für Mehrmasken-Mehrfachbelichtungs-Lithografie |
| US11086215B2 (en) * | 2017-11-15 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask with reduced mask shadowing effect and method of manufacturing the same |
| US11402742B1 (en) | 2018-02-28 | 2022-08-02 | Synopsys, Inc. | Undercut EUV absorber reflective contrast enhancement |
| US11480869B2 (en) * | 2019-08-29 | 2022-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photomask with enhanced contamination control and method of forming the same |
| JP2021043285A (ja) | 2019-09-10 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 反射型マスク |
| US11294271B2 (en) | 2020-04-30 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mask for extreme ultraviolet photolithography |
| KR20220168108A (ko) * | 2021-06-15 | 2022-12-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 제조 방법 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439660A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Ulvac Seimaku Kk | フォトマスク材用基板、フォトマスク材及びそれらの製造法 |
| JPH06282063A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク |
| JPH08213303A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Nikon Corp | 反射型ｘ線マスク及びその製造法 |
| JPH08325560A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-10 | Hoya Corp | 帯電防止膜、この膜を用いるリソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
| JP2002313713A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nikon Corp | レチクル、それを用いた露光装置及び露光方法 |
| JP2003501823A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-01-14 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 反射マスク基板のコーティング |
| JP2003338461A (ja) * | 2003-06-16 | 2003-11-28 | Canon Inc | Ｘ線露光装置及び該露光装置を用いたデバイス作製方法 |
| JP2004207593A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| US6984475B1 (en) * | 2003-11-03 | 2006-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) lithography masks |
| JP2006024920A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Schott Ag | Ｅｕｖフォトリソグラフィー用マスクブランクの作製方法及びマスクブランク |
| WO2006062099A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2006237192A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Hoya Corp | 反射型マスクの製造方法 |
| WO2006105460A2 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Intel Corporation | Extreme ultraviolet mask with leaky absorber and method for its fabricatio |
| JP2007005523A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5762052A (en) | 1980-09-30 | 1982-04-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Original plate to be projected for use in transmission |
| US4759616A (en) | 1985-08-26 | 1988-07-26 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for anamorphically shaping and deflecting electromagnetic beams |
| US6178221B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-01-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography reflective mask |
| JP5371162B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2013-12-18 | 三星電子株式会社 | 反射型フォトマスク |
| JP2002270496A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| JP3681381B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2005-08-10 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP2005210093A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Hoya Corp | 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| JP4693395B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2011-06-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| DE102005027697A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | EUV-Reflexionsmaske und Verfahren zu deren Herstellung |
| KR100735531B1 (ko) * | 2006-03-21 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 보상 패턴을 포함하는 반사형 포토마스크와 그 제조방법 및반사형 블랭크 포토마스크 |
| JP2008027992A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Lasertec Corp | Ｅｕｖｌマスク用基板の製造方法及びその基板を用いたｅｕｖｌマスクの製造方法 |
| WO2009122972A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-04-27 DE DE112009000965.4T patent/DE112009000965B4/de active Active
- 2009-04-27 WO PCT/JP2009/058244 patent/WO2009136564A1/ja active Application Filing
- 2009-04-27 US US12/990,881 patent/US8372564B2/en active Active
- 2009-04-27 KR KR1020107027571A patent/KR101678228B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-27 JP JP2010511048A patent/JP5711533B2/ja active Active
- 2009-04-27 KR KR1020167031661A patent/KR101771380B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-03-05 JP JP2015043579A patent/JP6050408B2/ja active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439660A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Ulvac Seimaku Kk | フォトマスク材用基板、フォトマスク材及びそれらの製造法 |
| JPH06282063A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスク |
| JPH08213303A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Nikon Corp | 反射型ｘ線マスク及びその製造法 |
| JPH08325560A (ja) * | 1995-06-01 | 1996-12-10 | Hoya Corp | 帯電防止膜、この膜を用いるリソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
| JP2003501823A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-01-14 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 反射マスク基板のコーティング |
| JP2002313713A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nikon Corp | レチクル、それを用いた露光装置及び露光方法 |
| JP2004207593A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| JP2003338461A (ja) * | 2003-06-16 | 2003-11-28 | Canon Inc | Ｘ線露光装置及び該露光装置を用いたデバイス作製方法 |
| US6984475B1 (en) * | 2003-11-03 | 2006-01-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) lithography masks |
| JP2006024920A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Schott Ag | Ｅｕｖフォトリソグラフィー用マスクブランクの作製方法及びマスクブランク |
| WO2006062099A1 (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2006237192A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Hoya Corp | 反射型マスクの製造方法 |
| WO2006105460A2 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Intel Corporation | Extreme ultraviolet mask with leaky absorber and method for its fabricatio |
| JP2008535270A (ja) * | 2005-03-31 | 2008-08-28 | インテル・コーポレーション | 極紫外線マスクの漏れ吸収体 |
| JP2007005523A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、ならびにこれを用いたパターン転写方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10719008B2 (en) | 2016-11-22 | 2020-07-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase-shift mask for extreme ultraviolet lithography |
| US11372323B2 (en) | 2016-11-22 | 2022-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase-shift mask for extreme ultraviolet lithography |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009136564A1 (ja) | 2009-11-12 |
| JPWO2009136564A1 (ja) | 2011-09-08 |
| US20110059391A1 (en) | 2011-03-10 |
| DE112009000965T5 (de) | 2011-03-10 |
| KR101771380B1 (ko) | 2017-08-24 |
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| US8372564B2 (en) | 2013-02-12 |
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