KR102095589B1 - 반사형 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 25
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 10
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 282
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019966 CrOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
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Abstract
본 발명의 반사형 포토마스크는, 기판 위에 입사되는 광을 반사시키는 반사층이 배치되고, 반사층 위에 반사층의 일부 표면을 노출시키는 흡수층패턴들이 배치되는 전사패턴영역과, 그리고 기판 위에 반사층이 배치되고, 반사층 위에 흡수층패턴이 배치되는 광차단영역을 포함하고, 전사패턴영역 및 광차단영역 사이의 경계영역에서는 반사층이 제거되어 기판 표면이 노출되는 트랜치가 배치되되, 트랜치의 측벽은 경사진 프로파일을 갖는다.
Description
본 발명은 반도체소자 제조를 위해 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 인접한 중첩 샷 영역에서의 시디(CD)를 균일하게 할 수 있도록 하는 반사형 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
나노기술의 발전으로 반도체소자의 집적도가 크게 증가하고 있다. 반도체소자의 집적도가 증가하면서 가장 큰 변화는 반도체소자 내의 트랜지스터 또는 기타 여러 단위소자들 및 배선들이 매우 미세해지고 있다는 것이다. 차세대 반도체기술은 설계기술보다 이와 같은 미세패턴들을 얼마나 잘 형성할 수 있는가인 공정기술에서 차이가 난다고 할 수 있다. 미세패턴을 형성할 수 있는 기술력은 특히 패턴을 형성하는데 있어서 가장 기초적이고 첫 단계인 포토리소그라피 공정기술에서부터 차이가 난다. 웨이퍼상에 포토레지스트막을 형성하고 광을 이용하여 형성할 패턴의 정보를 전사한 다음 현상액으로 포토레지스트막을 패터닝하는 공정이 그것인데, 특히 중요한 것은 이용하는 광의 차이라고 할 수 있다.
미세패턴을 형성할 수 있는 해상력은 우선 이용하는 광의 파장에 의존된다. 현재의 포토리소그래피 공정기술에 있어서 이용되는 광은 파장이 대략 365nm인 i-line, 대략 248nm인 KrF 레이저, 및 대략 193nm인 ArF 레이저 등이 있다. 포토리소그래피 기술의 발전으로 기존에는 이용하는 광의 파장이 해상력의 한계라고 알려져 왔으나, 이제는 파장의 1/2에 해당하는 패턴까지 형성할 수 있을 정도로 해상력이 크게 발전되었다. 그러나 현재까지 사용하고 있는 i-line, KrF 레이저 및 ArF 레이저로는 더 이상 패턴을 형성할 수 없을 정도로 반도체소자의 집적기술이 발전하고 있다. 따라서 새로운 광을 반도체소자 제조공정에 적용하여야 할 필요성이 절실한 가운데, 소프트 X-광선이라고도 불리우는 극자외선(Extremely Ultra-Violet; 이하 EUV) 광을 반도체소자 제조공정에 적용하고자 하는 연구와 노력들이 지속적으로 이루어지고 있는 실정이다.
EUV 광은 파장이 13.5nm 정도에 불과하기 때문에 종래 사용하던 i-line, KrF 레이저 및 ArF 레이저의 파장인 365nm, 248nm,193nm에 비해 매우 작은 값을 갖는다. 광의 파장이 곧 패터닝 해상력과 직결된다고 할 수 있으므로 EUV 광을 사용할 경우 기존의 i-line, KrF 레이저 및 ArF 레이저를 사용하는 공정의 해상력을 크게 뛰어넘는 해상력을 실현할 수 있다. 그런데 EUV 광은 파장이 짧은 만큼 매우 예민하고 높은 에너지를 갖고 있기 때문에 기존의 투과형 포토마스크 형태로는 이용할 수 없다는 한계가 있다. 기존의 투과형 포토마스크의 투광기판이 감당해야 할 에너지가 너무 높을 뿐만 아니라 광의 에너지 효율이 낮아 패턴의 해상도가 떨어진다는 문제가 있기 때문이다. 따라서 개발된 것이 반사형 포토마스크이다. 반사형 포토마스크는 광을 투과시키지 않고 반사시키므로 포토마스크가 감당해야 하는 에너지가 그만큼 낮아져서 실 공정에 사용될 수 있기 때문이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전사패턴영역과 광차단영역 사이의 경계영역에서 EUV 광의 반사율을 현저하게 감소시킴으로써 반사형 포토마스크를 이용한 노광공정시 인접한 샷(shot)의 중첩영역에서의 시디(CD; Critical Dimension) 변동율을 최소화시킬 수 있도록 하는 반사형 포토마스크를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 위와 같은 반사형 포토마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크는, 기판 위에 입사되는 광을 반사시키는 반사층이 배치되고, 반사층 위에 반사층의 일부 표면을 노출시키는 흡수층패턴들이 배치되는 전사패턴영역과, 그리고 기판 위에 반사층이 배치되고, 반사층 위에 흡수층패턴이 배치되는 광차단영역을 포함하고, 전사패턴영역 및 광차단영역 사이의 경계영역에서는 반사층이 제거되어 기판 표면이 노출되는 트랜치가 배치되되, 트랜치의 측벽은 경사진 프로파일을 갖는다.
상기 기판은 낮은 열팽창물질 기판일 수 있다.
상기 반사층은 서로 다른 회절계수를 갖는 제1 반사층 및 제2 반사층이 교대로 적층되는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 이 경우 상기 제1 반사층 및 제2 반사층 중 어느 한 층은 몰리브데늄(Mo)층이고, 다른 한 층은 실리콘(Si)층이다. 그리고 상기 다층 구조의 반사층의 최 상위층은 몰리브데늄(Mo)층일 수 있다.
상기 반사층 위에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수도 있다.
상기 흡수층패턴은, 알루미나구리(AlCu)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN)층, 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨나이트라이드(TaN)층, 또는 크롬(Cr)층을 포함할 수 있다.
상기 전사패턴영역은 상기 경계영역을 사이에 두고 상기 광차단영역으로 둘러싸일 수 있다.
상기 트랜치의 측벽은, 경사지게 입사되는 EUV 광의 입사광과 나란하게 경사지는 프로파일을 가질 수 있다.
상기 트랜치의 측벽은, 기판에 가까울수록 그 폭이 넓어지는 네가티브 프로파일을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 예에 따른 반사형 포토마스크는, 웨이퍼에 형성될 패턴에 대응되는 패턴을 갖는 전사패턴영역과, 전사패턴영역을 둘러싸는 광차단영역과, 그리고 전사패턴영역 및 광차단영역 사이의 경계영역을 갖는 기판과, 기판 위에 배치되며, 경계영역의 트랜치에 의해 상호 분리되되, 트랜치에 의해 노출되는 양 측벽 중 적어도 어느 한 측벽이 경사진 프로파일을 갖는 반사층과, 그리고 반사층 위에 배치되는 흡수층패턴을 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크 제조방법은, 웨이퍼에 형성될 패턴에 대응되는 패턴을 갖는 전사패턴영역과, 전사패턴영역을 둘러싸는 광차단영역과, 그리고 전사패턴영역 및 광차단영역 사이의 경계영역을 갖는 기판 위에 반사층 및 흡수층을 형성하는 단계와, 전사패턴영역 내의 흡수층의 일부를 제거하여 흡수층패턴을 형성하는 단계와, 그리고 경계영역 내의 흡수층 및 반사층을 제거하여 기판 표면을 노출시키는 트랜치를 형성하되, 트랜치에 의해 노출되는 반사층의 양 측벽 중 적어도 어느 한 측벽이 경사진 프로파일을 갖도록 하는 단계를 포함한다.
상기 기판으로 낮은 열팽창물질 기판을 사용할 수 있다.
상기 반사층은 서로 다른 회절계수를 갖는 제1 반사층 및 제2 반사층이 교대로 적층되는 다층 구조로 형성할 수 있다.
상기 제1 반사층 및 제2 반사층 중 어느 한 층은 몰리브데늄(Mo)층으로 형성하고, 다른 한 층은 실리콘(Si)층으로 형성할 수 있다.
상기 반사층 위에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 흡수층패턴은, 알루미나구리(AlCu)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN)층, 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨나이트라이드(TaN)층, 또는 크롬(Cr)층을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 트랜치의 측벽의 경사각은, 노광시 사용하는 EUV 광의 경사각과 동일해지도록 할 수 있다.
상기 트랜치의 형성은, 클로린 가스를 이용한 건식식각방법을 사용하여 수행할 수 있다.
상기 흡수층패턴의 형성 및 트랜치의 형성은, 각각 제1 레지스트층패턴 및 제2 레지스트층패턴을 이용한 건식식각방법을 사용하여 수행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전사패턴영역 및 광차단영역의 사이인 경계영역에서 EUV 광의 반사율이 실질적으로 "0"이 되도록 함으로써, 반사형 포토마스크를 이용한 노광시 인접한 샷 중첩 영역에서 의도하지 않는 EUV 반사광의 영향을 제거할 수 있으며, 이에 따라 인접한 샷 중첩 영역에서의 시디(CD)를 균일하게 유도할 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크를 나타내 보인 평면도이다.
도 2는 도 1의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 3 및 도 5는 본 예에 따른 반사형 포토마스크의 경계영역에서의 EUV 광의 반사 억제 과정을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크의 트랜치 형성에 사용되는 플라즈마 장비를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.
도 12 내지 도 14는 도 11의 플라즈마 장비를 이용한 트랜치 형성과정을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 2는 도 1의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 3 및 도 5는 본 예에 따른 반사형 포토마스크의 경계영역에서의 EUV 광의 반사 억제 과정을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크의 트랜치 형성에 사용되는 플라즈마 장비를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.
도 12 내지 도 14는 도 11의 플라즈마 장비를 이용한 트랜치 형성과정을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크를 나타내 보인 평면도이다. 그리고 도 2는 도 1의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 예에 따른 반사형 포토마스크(100)는, 웨이퍼상에 형성될 패턴에 대응되는 패턴을 갖는 전사패턴영역(110)과, 경계영역(130)을 사이에 두고 전사패턴영역(110)을 둘러싸는 광차단영역(120)을 포함한다. 전사패턴영역(110)은, 기판(210)과, 기판(210) 위에 배치되는 반사층(220)과, 반사층(220) 위에 배치되는 캡핑층(230)과, 그리고 캡핑층(230) 위에서 캡핑층(230)의 일부 표면을 노출시키는 흡수층패턴(240)들을 포함하여 구성된다. 광차단영역(120)은, 입사되는 EUV 광을 흡수하는 영역으로서, 반사형 포토마스크(100)를 이용한 노광시 인접한 샷 중첩영역의 일부로 광이 누설되는 것을 억제해주기 위한 영역이다. 광차단영역(120)은, 기판(210)과, 기판(210) 위에 배치되는 반사층(220)과, 반사층(220) 위에 배치되는 캡핑층(230)과, 그리고 캡핑층(230) 위에서 캡핑층(230)을 모두 덮는 흡수층패턴(240)을 포함하여 구성된다. 경우에 따라서 캡핑층(230)은 생략될 수 있으며, 이 경우 전사패턴영역(110) 내의 흡수층패턴(240)들은 전사패턴영역(110) 내의 반사층(220)의 일부 표면을 노출시킨다. 전사패턴영역(110)과 광차단영역(130) 사이의 경계영역(130)에는 반사층(220)이 제거되어 기판(210) 표면이 노출되는 트랜치(400)가 배치되되, 상기 트랜치(400)의 측벽(410, 420)은 경사진 프로파일을 갖는다. 경계영역(130) 내의 트랜치 측벽 프로파일에 대해서는 아래에서 보다 상세하게 설명하기로 한다.
기판(210)은, 낮은 열팽창물질(LTEM; Low Termal Expansion Material) 기판이다. 반사형 포토마스크의 경우, 기판(210)으로 흡수되는 EUV 광의 에너지가 열에너지로 변환됨에 따른 온도 상승을 억제하기 위해 낮은 열팽창계수(thermal expansion coefficien)를 갖는 기판을 사용하는 것이 요구된다. 일 예에서, 기판(210)은 대략 0∼50℃의 범위에서 ㅁ0.05ppm/℃의 패턴배치오차를 갖는 열팽창계수를 갖는다. 또한 기판(210)은 높은 평탄도를 가질 것이 요구되는데, 일 예에서 기판(210)은 대략 50nm 이하의 전면 평탄도와, 대략 500nm 이하의 후면 평판도를 갖는다. 이 외에 전사패턴영역(110)과 광차단영역(130) 사이의 경계영역(120)에서 EUV 광의 반사를 방지하기 위해서 기판(210)의 EUV 광 반사율은 실질적으로 0이 되도록 한다.
반사층(220)은, 서로 다른 회절계수를 갖는 제1 반사층(221) 및 제2 반사층(222)이 교대로 적층되는 다층 구조로 이루어진다. 즉 회절계수의 차이가 상대적으로 큰 제1 반사층(221)과 제2 반사층(222)을 교대로 적층함으로써, 제1 반사층(221)과 제2 반사층(222) 쌍이 복수회 적층되는 다층 구조를 갖는다. 일 예에서, 제1 반사층(221) 및 제2 반사층(222) 중 어느 한 층은 몰리브데늄(Mo)층이고, 다른 한 층은 실리콘(Si)층이다. 이 경우 다층 구조의 반사층(220)의 최 상위층은 몰리브데늄(Mo)층이 되도록 한다. 경우에 따라서 몰리브데늄(Mo)층 대신에 루테늄(Ru)층을 사용할 수도 있다. 몰리브데늄(Mo)층과 실리콘(Si)층은, 흡수의 최소화와 산란의 극대화를 일을킬 수 있을 정도의 두께를 갖는다. 일 예에서, 몰리브데늄(Mo)층의 두께는 대략 2.8nm이고, 실리콘(Si)층의 두께는 대략 4.1nm이다. 그리고 몰리브데늄(Mo)층/실리콘층(Si)층 쌍은 대략 30층 내지 60층이며, 바람직하게는 적어도 40층 이상이 되도록 하는데, 그 이유는 40층 이하에서는 반사율이 낮아지기 때문이다. 40층 이상에서는 반사율이 증가하지만 그 증가율이 현저하지 않을 뿐더러, 60층 이상의 다층을 증착할 경우 증착시간이 연장되고, 이에 따라 다층 반사층(220) 내의 결함밀도가 증가될 우려가 있다.
캡핑층(230)은, 반사층(220)의 보호를 위한 것이지만, 캡핑층(230)의 존재로 인한 반사층(220)에서의 EUV 광 반사의 현저한 저하가 발생하지 않아야 한다. 따라서 캡핑층(230)은 비교적 낮은 EUV 광 흡수특성을 갖는 물질을 사용하여 얇은 두께로 형성한다. 그러나 캡핑층(230)의 두께가 너무 얇을 경우, 마스크 프린팅, 리페어(repair), 세정 등의 반사형 포토마스크 제조과정과, 반사형 포토마스크를 이용한 노광과정동안 반사층(220)의 보호 역할을 적절하게 수행하지 못할 수 있다. 따라서 적절한 EUV 광 흡수특성과 반사층(220) 보호 역할의 적절한 수행을 위해, 캡핑층(230)은 실리콘(Si) 또는 루테늄(Ru)을 이용하여 대략 1nm 내지 2.5nm의 두께를 갖도록 한다.
흡수층패턴(240)은, 반사형 포토마스크를 이용한 노광시 EUV 광을 흡수하는 금속으로 이루어진다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 경우에 따라서 흡수층패턴(240)의 하부 및 상부에는 각각 버퍼층패턴(미도시) 및 비반사코팅(ARC; Anti-Reflective Coating)층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 버퍼층패턴은, 흡수층패턴(240)의 식각공정 및 리페어공정 과정에서 반사층(220)을 보호하기 위한 것이며, 비반사코팅층은, 원자외선(DUV) 파장을 사용한 결함검사 파장에 대하여 흡수층패턴(240) 상부에서의 빛의 감소를 위한 것이다. 흡수층패턴(240)은, EUV 광 흡수율이 높은 물질로 이루어지며, 일 예에서 알루미나구리(AlCu)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN)층, 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨나이트라이드(TaN)층, 또는 크롬(Cr)층을 포함할 수 있다. 이 중 타탈륨나이트라이드(TaN)층 또는 크롬(Cr)층을 사용할 경우 70nm 이상의 두께를 갖도록 하여 흡수층패턴(240)이 있는 영역에서의 반사율이 대략 1% 이하가 되도록 한다.
앞서 언급한 바와 같이, 본 예에 따른 반사형 포토마스크(100)에 있어서, 전사패턴영역(110)과 광차단영역(130) 사이의 경계영역(130)에는 캡핑층(230) 및 반사층(220)이 제거되어 기판(210) 표면이 노출되는 트랜치(400)가 배치된다. 트랜치(400)는 전사패턴영역(110) 및 광차단영역(120)의 반사층(220)의 측벽을 노출시키며, 이에 따라 본 예에서, 트랜치(400)의 측벽(410L, 410R, 420L, 420R)은, 전사패턴영역(110)의 반사층(220)의 측벽들(410L, 410R)과, 광차단영역(130)의 반사층(220)의 측벽들(420L, 420R)을 의미하며, 이하에서는 트랜치(400)의 측벽들(410L, 410R, 420L, 420R)과 반사층(220)의 측벽들(410L, 410R, 420L, 420R)을 동일한 의미인 것으로 간주한다. 본 예에 따른 반사형 포토마스크(100)에 있어서, 트랜치(400)의 측벽(410L, 410R, 420L, 420R)은 경사진 프로파일을 갖는다. 구체적으로 트랜치(400)는, 전사패턴영역(110)의 반사층(220)의 측면을 노출시키는 제1 측벽(410L, 410R)과, 광차단영역(120)의 반사층(220)의 측면을 노출시키는 제2 측벽(420L, 420R)을 갖는다. 이 제1 측벽(410L, 410R) 및 제2 측벽(420L, 420R) 중 적어도 어느 한 측벽은, 경사지게 입사되는 EUV 광의 입사광과 나란하게, 즉 동일한 경사각을 갖는 경사진 프로파일을 갖는다. 이를 위해 트랜치(400)의 측벽(410L, 420L, 410R, 420R)은, 아래에 향할수록 또는 깊이가 깊어질수록, 즉 기판(210) 표면에 가까울수록 그 폭이 점점 넓어지는 네가티브 프로파일을 갖는다. 일 예로 EUV 광이 기판(210) 표면에 수직인 면에서 대략 6ㅀ의 기울기를 갖고 입사되는 경우, 트랜치(400)의 측벽(410L, 420L, 410R, 420R) 또한 대략 6ㅀ의 기울기를 갖는 네가티브 프로파일을 갖는다.
도 3 내지 도 5는 본 예에 따른 반사형 포토마스크의 경계영역에서의 EUV 광의 반사 억제 과정을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다. 도 3의 경우는 트랜치(400)의 측벽 프로파일이 수직한 경우를 나타낸 것으로서, 경계영역(130)에서의 트랜치(400)의 측벽들(410L, 420L, 410R, 420R)이 수직한 프로파일을 갖는 경우이다. 반면에 도 4 내지 도 5의 경우들은 본 예에서와 같이 경계영역(130)에서의 트랜치(400)의 측벽들(410L, 420L, 410R, 420R)이 경사진 프로파일을 갖는 경우들이다.
먼저 도 3을 참조하면, 트랜치(400)의 제2 측벽(420L)이 수직한 프로파일을 갖게 될 경우, 노광공정을 수행하는 과정에서 경계영역(130)으로 입사되는 EUV 광(311, 312)의 일부가 광차단영역(120)의 반사층(220) 내에서 반사되고, 이 중 일부는 흡수층패턴(240)을 통과한다. 구체적으로 입사되는 EUV 광(311, 312)은 기판(210) 표면으로부터 수직한 선으로부터 대략 6ㅀ의 경사진 각도로 입사된다. 따라서 반사층(220)의 측벽(420L)으로부터 일정 거리 이격되게 입사되는 EUV 광(312)은 반사층(220)을 통하지 않고 직접 기판(210)을 통과한다. 그러나 반사층(220)의 측벽(420L)으로부터 근접하게 입사되는 EUV 광(311)은 반사층(220) 내부를 관통하고, 이 중 일부는 반사층(220) 내에서 반사되며, 이 반사된 EUV 광 중 일부는 흡수층패턴(240)을 통과하여 웨이퍼로 전송되는 반사광(320)으로 작용한다. 이와 같이 흡수층패턴(240)을 통과한 반사광(320)은, 반사광(320)이 발생되지 않아야 할 영역에 의도하지 않게 생긴 것으로서, 노광공정 과정에서 인접한 샷 중첩영역의 노광 프로파일에 좋지 않은 영향을 주며, 이와 같은 영향에 의해 인접한 샷 중첩영역에서의 시디(CD) 균일도가 현저하게 감소된다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 예에 따라 경계영역(130)에서의 트랜치(400)의 제2 측벽(420L)이 경사진 프로파일을 갖는 경우, 노광공정을 수행하는 과정에서 경계영역(130)으로 입사되는 EUV 광(330) 모두 반사층(220)으로 입사되지 않고 기판(210)을 통과한다. 구체적으로 먼저 도 4에 나타낸 바와 같이, 노광공정을 수행하는 과정에서 EUV 광이 왼쪽으로 대략 6ㅀ기울어진 각도로 입사되는 경우, 트랜치(400)의 제2 측벽(420L)이 입사되는 EUV 광(330)의 경사각인 6ㅀ와 동일한 각도 및 동일한 방향으로 기울어짐에 따라, 트랜치(400)의 제2 측벽(420L)과 입사되는 EUV 광(340)이 나란해진다. 따라서 광차단영역(120) 내의 반사층(220)의 측벽(420L)에 근접하게 경계영역(130)으로 입사되는 EUV 광(330)도 반사층(220)을 통과하지 않고 그대로 기판(210)을 통과하며, 따라서 트랜치(400) 내로 입사되는 EUV 광(330)에 대한 반사율은 실질적으로 "0"이 된다.
마찬가지로 도 5에 나타낸 바와 같이, 노광공정을 수행하는 과정에서 EUV 광이 오른쪽으로 대략 6ㅀ기울어진 각도로 입사되는 경우, 트랜치(400)의 제2 측벽(420L)이 입사되는 EUV 광(330)의 경사각인 6ㅀ와 동일한 각도 및 동일한 방향로 기울어짐에 따라, 트랜치(400)의 제1 측벽(410L)과 입사되는 EUV 광(340)이 나란해진다. 따라서 전사패턴영역(110) 내의 반사층(220)의 측벽(410L)에 근접하게 경계영역(130)으로 입사되는 EUV 광(340)도 반사층(220)을 통과하지 않고 그대로 기판(210)을 통과하며, 따라서 트랜치(400) 내로 입사되는 EUV 광(340)에 대한 반사율은 실질적으로 "0"이 된다. 따라서 본 예에 따른 반사형 포토마스크에 따르면, 입사되는 EUV 광의 경사 방향이 왼쪽인던지 오른쪽이던지에 무관하게 노광공정 과정에서 인접한 샷 중첩영역에 의도하지 않은 반사광이 발생되지 않으며, 결과적으로 인접한 샷 중첩영역에서의 시디(CD) 균일도를 유지할 수 있다. 한편 이와 같은 원리는 오른쪽 트랜치(400)의 측벽들(410R, 420R)의 경우도 동일하게 적용된다는 것은 당연하다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다. 도 6을 참조하면, 전사패턴영역(110) 및 광차단영역(120)을 갖는 기판(210) 위에 반사층(220)을 형성한다. 광차단영역(120)은, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 경계영역(130)을 사이에 두고 전사패턴영역(110)을 둘러싼다. 기판(210)은, 낮은 열팽창물질(LTEM; Low Thermal Expansion Material)을 갖는 투광형 기판을 사용한다. 일 예에서, 기판(210)은 대략 0∼50℃의 범위에서 ㅁ0.05ppm/℃의 패턴배치오차를 갖는 열팽창계수를 갖는 기판을 사용한다. 또한 기판(210)은 대략 50nm 이하의 전면 평탄도와, 대략 500nm 이하의 후면 평판도를 갖는 기판을 사용한다. 반사층(220)은, 서로 다른 회절계수를 갖는 제1 반사층(221) 및 제2 반사층(222)이 교대로 적층되는 다층 구조로 형성한다. 일 예에서, 제1 반사층(221) 및 제2 반사층(222) 중 어느 한 층은 몰리브데늄(Mo)층을 사용하고, 다른 한 층은 실리콘(Si)층을 사용한다. 이 경우 다층 구조의 반사층(220)의 최 상위층은 몰리브데늄(Mo)층이 되도록 한다. 경우에 따라서 몰리브데늄(Mo)층 대신에 루테늄(Ru)층을 사용할 수도 있다. 몰리브데늄(Mo)층과 실리콘(Si)층은, 흡수의 최소화와 산란의 극대화를 일을킬 수 있을 정도의 두께로 형성하는데, 일 예에서, 몰리브데늄(Mo)층의 두께는 대략 2.8nm이 되도록 하고, 실리콘(Si)층의 두께는 대략 4.1nm이 되도록 한다. 그리고 몰리브데늄(Mo)층/실리콘층(Si)층 쌍은 대략 30층 내지 60층이며, 바람직하게는 적어도 40층 이상이 되도록 한다. 일 예에서, 이와 같은 반사층(220)은 마그네트론 스퍼터링 또는 이온빔 스퍼터링 방법을 사용하여 형성한다. 이 경우 명확한 다중층 계면을 구현하기 위해 증착온도를 대략 150℃ 이하로 유지한다.
반사층(220) 위에는 캡핑층(230)을 형성한다. 캡핑층(230)은, 반사층(220)의 보호를 위한 것으로서, 경우에 따라서 캡핑층(230) 형성은 생략될 수도 있다. 캡핑층(230)은 비교적 낮은 EUV 광 흡수특성을 갖는 물질을 사용하여 얇은 두께로 형성한다. 일 예에서, 적절한 EUV 광 흡수특성과 반사층(220) 보호 역할의 적절한 수행을 위해, 캡핑층(230)은 실리콘(Si) 또는 루테늄(Ru)을 이용하여 대략 1nm 내지 2.5nm의 두께를 갖도록 한다. 캡핑층(230) 위에는 흡수층(242)을 형성한다 흡수층(242)은, 반사형 포토마스크를 이용한 노광시 EUV 광을 흡수할 수 있는 금속재질로 형성한다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 경우에 따라서 흡수층(242)의 하부 및 상부에는 각각 버퍼층(미도시) 및 비반사코팅(ARC; Anti-Reflective Coating)층을 형성할 수도 있다. 일 예에서, 흡수층(242)은, EUV 광 흡수율이 높은 물질, 예컨대 알루미나구리(AlCu)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN)층, 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨나이트라이드(TaN)층, 또는 크롬(Cr)층으로 형성할 수 있다. 이 중 타탈륨나이트라이드(TaN)층 또는 크롬(Cr)층을 사용할 경우 70nm 이상의 두께를 갖도록 하여 흡수층(242)이 있는 영역에서의 반사율이 대략 1% 이하가 되도록 한다.
흡수층(242) 위에는 제1 레지스트층(510)을 형성한다. 제1 레지스트층(510)은 통상의 포토레지스트를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 지금까지 기판(210) 위에 반사층(220), 캡핑층(230), 흡수층(242), 및 제1 레지스트층(510)이 적층되는 구조체를 형성하는 방법에 대해 기술하였지만, 경우에 따라서는 위 구조가 이미 만들어져 있는 EUV 리소그라피용 블랭크 마스크(blank mask)를 사용할 수도 있다.
도 7을 참조하면, 제1 레지스트층(510)에 대한 노광 및 현상을 수행하여 제1 레지스트층패턴(512)을 형성한다. 제1 레지스트층패턴(512)은, 전사패턴영역(110) 내의 흡수층(242)의 일부 표면을 노출시키는 개구부(514)들을 갖는다. 제1 레지스트층패턴(512) 형성을 위한 제1 레지스트층(510)에 대한 노광은 전자빔 리소그라피 방법을 사용하여 수행하는 것이 바람직하나, 경우에 따라서는 통상의 포토 리소그라피 방법을 사용하여 수행할 수도 있다. 어느 경우이던지 제1 레지스트층(510)에 대한 노광 및 현상을 수행하는 과정에서, 특히 제1 레지스트층(510)을 베이킹하는 과정에서 온도를 대략 150℃ 이하로 조절하여 반사층(220)의 열 불안정성이 발생되지 않도록 한다.
도 8을 참조하면, 제1 레지스트층패턴(512)을 식각마스크로 한 식각을 수행하여 흡수층(도 7의 242)의 노출부분이 제거되도록 한다. 이 식각에 의해 전사패턴영역(110) 내에는, 웨이퍼로 전사되는 흡수층패턴(240)이 만들어진다. 또한 전사패턴영역(110)의 가장자리와, 경계영역(130)과, 그리고 광차단영역(120) 내에는 반사층(220)을 모두 덮는 흡수층패턴(244)도 만들어진다. 흡수층패턴(240)의 엄격한 시디(CD) 조절을 위해, 식각은 건식식각방법을 사용하여 수행한다. 이 경우 식각의 화학반응과 식각조건은 흡수층(도 7의 242)의 재질에 따라 결정된다. 일 예로 흡수층(도 7의 242)을 크롬(Cr)층으로 형성하고, 실리콘옥사이드(SiO2)로 이루어진 버퍼층과, CrOxNy 비반사코팅(ARC)층이 사용되는 경우, Cl2 가스와 O2 가스를 조합한 건식 식각가스를 사용하여 식각을 수행할 수 있다. 다른 예에서 흡수층(도 7의 242)을 탄탈륨나이트라이드(TaN)층으로 형성한 경우, 건식 식각가스로서 Cl2 가스를 사용한다. 전사패턴영역(110) 내에 흡수층패턴(240)을 형성한 후에는 제1 레지스트층패턴(512)을 제거한다.
도 9를 참조하면, 전면에 제2 레지스트층패턴(522)을 형성한다. 제2 레지스트층패턴(522)은, 제1 레지스트층패턴(도 8의 512)와 동일한 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 제2 레지스트층패턴(522)은, 전사패턴영역(110)과 광차단영역(120) 사이의 경계영역(130)에 있는 흡수층패턴(244)의 표면을 노출시키는 개구부(524)를 갖는다.
도 10을 참조하면, 제2 레지스트층패턴(522)을 식각마스크로 한 식각공정을 수행하여 경계영역(130) 내에서 제2 레지스트층패턴(522)에 의해 노출되는 흡수층패턴(도 9의 244)을 제거한다. 이에 따라 전사패턴영역(110) 및 광차단영역(120)에만 흡수층패턴(242)이 남고, 전사패턴영역(110) 및 광차단영역(120) 사이의 경계영역(130)에서는 흡수층패턴이 모두 제거된다. 계속해서 경계영역(130)에서 제2 레지스트층패턴(522) 및 흡수층패턴(242)에 의해 노출되는 캡핑층(230) 및 반사층(220)을 제거하여 기판(210)을 노출시키는 트랜치(400)를 형성한다. 트랜치(400)는 네가티브 프로파일의 측벽을 갖도록 형성된다. 경계영역(130)에 네가티브 프로파일의 측벽을 갖는 트랜치(400)를 형성한 후에는 제2 레지스트층패턴(522)을 제거한다.
도 11은 본 발명의 일 예에 따른 반사형 포토마스크의 트랜치(400) 형성에 사용되는 플라즈마 장비를 개략적으로 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 12 내지 도 14는 도 11의 플라즈마 장비를 이용한 트랜치 형성과정을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다. 먼저 도 11을 참조하면, 플라즈마 장비(600)는, 내부에 플라즈마가 형성되는 반응공간(610)을 한정하는 챔버외벽(620)을 갖는다. 챔버외벽(620)의 하부에는 플라즈마 처리 대상물, 즉 트랜치를 형성하고자 하는 포토마스크(700)를 지지하는 서셉터(640)가 배치된다. 서셉터(640)에는 바이어스 파워가 인가되는 제1 전원(650)이 연결된다. 챔버외벽(620)의 상부에는 플라즈마 소스(660)가 배치되며, 플라즈마 소스(660)에는 소스 파워가 인가되는 제2 전원(670)이 연결된다. 플라즈마 소스(660)는 유도성 결합 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스이거나, 또는 용량성 결합 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 소스일 수 있다. 반응공간(610)으로 반응가스를 공급하는 가스공급구(680)는, 챔버외벽(620)을 관통하여 배치된다.
이와 같은 플라즈마 장비(600)의 서셉터(440) 위에 제2 레지스트층패턴(522) 및 흡수층패턴(242)이 형성된 포토마스크(700)를 로딩시킨다. 다음에 플라즈마 장비(600)의 반응공간(610) 내에 반응가스를 공급하고, 제2 전원(670)을 통해 소스 파워를 인가한다. 이에 따라 플라즈마 장비(600) 내에는 플라즈마가 형성된다. 이 상태에서 제1 전원(650)을 통한 바이어스 파워를 인가하여 반사층(도 10의 220)에 대한 식각이 이루어지도록 한다. 이와 같은 식각에 의해 형성되는 트랜치(400)는 그 측벽이 아래로 향할수록, 즉 기판(210) 표면에 가까울수록 점점 그 폭이 넓어지는 네가티브 프로파일을 갖도록 한다.
트랜치(400)의 측벽이 네가티브 프로파일을 갖도록 하기 위해서는, 반사층(220)을 구성하는 2개의 층들의 식각선택비를 극대화하면서 차별화할 수 있는 식각가스를 이용하여 식각을 수행한다. 일 예로, 반사층(220)이 몰리브데늄(Mo)층/실리콘(Si)층의 반복되는 적층 구조로 이루어진 경우, 몰리브데늄(Mo)에 대해서는 매우 낮은 식각율을 나타내는 반면에 실리콘(Si)에 대해서는 매우 높은 식각율을 나타내는 식각가스인 클로린(Chlorine) 가스를 사용하여 건식식각하면, 몰리브데늄(Mo)층과 실리콘(Si)층의 식각율 차이로 인해 네가티브 프로파일의 측벽을 갖는 트랜치(400)가 만들어진다. 즉 몰리브데늄(Mo)층이 식각되는 경우, 상대적으로 낮은 식각율로 인해 트랜치(400) 폭은 상대적으로 좁지만, 그 아래의 실리콘(Si)층이 식각되는 경우, 상대적으로 높은 식각율로 인해 트랜치(400)의 폭은 상대적으로 넓게 된다. 즉 상부의 몰리브데늄(Mo)층의 폭보다 하부의 실리콘층(Si)층의 폭이 넓어지는 네가티브 프로파일이 형성된다. 식각이 이루어진 실리콘(Si)층의 아래에 있는 몰리브데늄(Mo)층이 식각되는 경우에는, 비록 낮은 식각율을 나타내더라도 그 위의 실리콘(Si)층에 대응되는 폭으로 식각이 이루어짐에 따라 위에 있는 다른 몰리브데늄(Mo)층의 폭보다는 넓은 폭으로 식각된다. 이와 같은 과정이 반복됨에 따라 전체적으로 네가티브 프로파일의 측벽을 갖는 트랜치(400)를 형성할 수 있다.
본 예에서는 네가티브 프로파일의 측벽을 갖는 트랜치(400)를 형성하기 위해, 식각가스의 공급 및 바이어스 파워의 조절을 통해 트랜치(400)의 네가티브 측벽 프로파일이 정밀하게 제어되도록 식각공정을 수행한다. 구체적으로 도 11을 참조하여 설명한 플라즈마 식각장비에서 반사층(220)에 대한 물리적식각이 상대적으로 우세하게 이루어지는 제1 식각과, 화학적 식각이 상대적으로 우세하게 이루어지는 제2 식각을 반복적으로 실시하여 트랜치(400)를 형성한다. 이때 반사층(220)에 대한 식각이 이루어지는 동안 아르곤(Ar) 가스 및 클로린(Cl) 가스를 식각반응가스로 공급하며, 바이어스 파워를 변화시켜 식각이 이루어지는 강도가 변화되도록 한다.
보다 상세히 설명하면, 도 12에 나타낸 바와 같이, 반사층(220)의 가장 위에 대한 식각은, 클로린(Cl) 가스의 공급양은 김소시키는 반면에 아르곤(Ar) 가스의 공급양은 증가시킨 상태에서 수행한다. 그러면 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 증가된 아르곤(Ar) 가스로 인해 반사층(220)에 대한 식각은 화학적 식각보다는 물리적 식각이 우세하게 이루어진다. 물리적 식각이 우세하게 이루어짐에 따라 주로 이방성으로 식각이 이루어지고, 트랜치의 폭(w1)은 제2 레지스트층패턴(522) 및 흡수층패턴(242)의 의한 개구부의 폭과 유사한 폭이 되며, 트랜치의 측벽은 거의 수직한 프로파일을 갖는다. 이어서 도13에 나타낸 바와 같이, 클로린(Cl) 가스의 공급양은 증가시키는 반면에 아르곤(Ar) 가스의 공급양은 감소시킨 상태에서 식각을 수행한다. 그러면 감소된 아르곤(Ar) 가스 및 증가된 클로린(Cl) 가스로 인해 반사층(220)에 대한 물리적 식각보다는 화학적 식각이 우세하게 이루어진다. 화학적 식각이 우세하게 이루어짐에 따라 주로 등방성으로 식각이 이루어지고, 그 결과 식각에 의해 형성되는 트랜치의 폭(w2)은 위에서의 트랜치 폭(w1)보다 넓은 폭이 된다. 또한 이 식각에 의해 수직한 측벽을 갖는 트랜치 부분(S)의 폭(w1')도 하부로 갈수록 폭이 넓어진다. 계속해서 도 14에 나타낸 바와 같이, 다시 클로린(Cl) 가스의 공급양은 김소시키는 반면에 아르곤(Ar) 가스의 공급양은 증가시킨 상태에서 수행한다. 그러면 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 증가된 아르곤(Ar) 가스로 인해 반사층(220)에 대한 식각은 화학적 식각보다는 물리적 식각이 우세하게 이루어진다. 물리적 식각이 우세하게 이루어짐에 따라 주로 이방성으로 식각이 이루어지고, 트랜치의 폭(w3)은 위에서의 트랜치 폭(w2)과 유사한 폭이 된다.
이와 같이 이방성의 물리적 식각이 우세하게 진행되는 제1 식각과, 등방성의 화학적 식각이 우세하게 진행되는 제2 식각을 트랜치(400)가 완성될 때까지 반복적으로 수행함에 따라 측벽이 네가티브 프로파일을 갖는 트랜치(400)를 형성할 수 있다. 비록 물리적 식각이 우세하게 이루어지는 과정에서는 트랜치(400)의 측벽 프로파일이 수직하게 나타나지만, 이는 후속의 식각들이 반복적으로 수행됨에 따라 점점 아래로 갈수록 폭이 증가하는 네가티브 프로파일을 나타내며, 따라서 전체적으로 트랜치(400)의 모든 측벽에서 네가티브 프로파일을 나타낸다.
다른 예에서, 트랜치(400)의 측벽의 경사각은, 공급가스의 양을 조정함으로써 조절할 수 있다. 즉 물리적 식각이 보다 강하게 이루어지도록 공급가스의 양을 조정함으로써 측벽의 경사각을 감소시킬 수 있다. 반면에 화학적 식각이 보다 강하게 이루어지도록 공급가스의 양을 조정함으로써 측벽의 경사각을 증가시킬 수 있다. 또한 공급가스의 양을 조절하는 것 외에 바이어스 파워를 조절하여 트랜치(400)의 측벽 경사각을 조절할 수도 있다. 이 경우, 바이어스 파워를 강하게 인가하는 경우 물리적 식각이 보다 더 우세하게 수행되어 트랜치(400)의 측벽 경사각이 감소되며, 반면에 바이어스 파워를 약하게 인가하는 경우 화학적 식각이 보다 더 우세하게 수행되어 트랜치(400)의 측벽 경사각이 증가된다.
100...반사형 포토마스크 110...전사패턴영역
120...광차단영역 130...경계영역
210...기판 220...반사층
221...제1 반사층 222...제2 반사층
230...캡핑층 240...흡수층패턴
311, 312, 330, 340...EUV 입사광 320...EUV 반사광
400...트랜치
410L, 420L, 410R, 420R...트랜치(반사층) 측벽
510...제1 레지스트층 512...제1 레지스트층패턴
522...제2 레지스트층패턴
120...광차단영역 130...경계영역
210...기판 220...반사층
221...제1 반사층 222...제2 반사층
230...캡핑층 240...흡수층패턴
311, 312, 330, 340...EUV 입사광 320...EUV 반사광
400...트랜치
410L, 420L, 410R, 420R...트랜치(반사층) 측벽
510...제1 레지스트층 512...제1 레지스트층패턴
522...제2 레지스트층패턴
Claims (24)
- 기판 위에 입사되는 광을 반사시키는 반사층이 배치되고, 상기 반사층 위에 반사층의 일부 표면을 노출시키는 흡수층패턴들이 배치되는 전사패턴영역; 및
상기 기판 위에 반사층이 배치되고, 상기 반사층 위에 흡수층패턴이 배치되는 광차단영역을 포함하고,
상기 전사패턴영역 및 광차단영역 사이의 경계영역에서는 상기 반사층이 제거되어 상기 기판 표면이 노출되는 트랜치가 배치되되, 상기 트랜치의 측벽은 경사진 프로파일을 갖되,
상기 전사패턴영역은 상기 경계영역에 의해 둘러싸이고, 상기 경계영역은 상기 광차단영역에 의해 둘러싸이며, 그리고
상기 경사진 프로파일은, 상기 트랜치의 하부에서 상부로 갈수록 상기 트랜치의 폭이 점점 감소하는 네가티브 경사 프로파일인 반사형 포토마스크. - ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 기판은 낮은 열팽창물질 기판인 반사형 포토마스크. - ◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 반사층은 서로 다른 회절계수를 갖는 제1 반사층 및 제2 반사층이 교대로 적층되는 다층 구조로 이루어지는 반사형 포토마스크. - ◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제3항에 있어서,
상기 제1 반사층 및 제2 반사층 중 어느 한 층은 몰리브데늄(Mo)층이고, 다른 한 층은 실리콘(Si)층인 반사형 포토마스크. - ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제4항에 있어서,
상기 다층 구조의 반사층의 최 상위층은 몰리브데늄(Mo)층인 반사형 포토마스크. - ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 반사층 위에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 반사형 포토마스크. - ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 흡수층패턴은, 알루미나구리(AlCu)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN)층, 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨나이트라이드(TaN)층, 또는 크롬(Cr)층을 포함하는 반사형 포토마스크. - 삭제
- ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 트랜치의 측벽은, 경사지게 입사되는 EUV 광의 입사광과 나란하게 경사지는 프로파일을 갖는 반사형 포토마스크. - 삭제
- 삭제
- 웨이퍼에 형성될 패턴에 대응되는 패턴을 갖는 전사패턴영역과, 상기 전사패턴영역을 둘러싸는 광차단영역과, 그리고 상기 전사패턴영역 및 광차단영역 사이의 경계영역을 갖는 기판 위에 반사층 및 흡수층을 형성하는 단계;
상기 전사패턴영역 내의 흡수층의 일부를 제거하여 흡수층패턴을 형성하는 단계; 및
상기 경계영역 내의 흡수층 및 반사층을 제거하여 상기 기판 표면을 노출시키는 트랜치를 형성하되, 상기 트랜의 측벽은 상기 트랜치의 하부로부터 상부로 갈수록 상기 트랜치의 폭이 점점 감소하는 네가티브 경사 프로파일을 갖도록 하는 단계를 포함하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 기판으로 낮은 열팽창물질 기판을 사용하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 반사층은 서로 다른 회절계수를 갖는 제1 반사층 및 제2 반사층이 교대로 적층되는 다층 구조로 형성하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제14항에 있어서,
상기 제1 반사층 및 제2 반사층 중 어느 한 층은 몰리브데늄(Mo)층으로 형성하고, 다른 한 층은 실리콘(Si)층으로 형성하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 반사층 위에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 흡수층패턴은, 알루미나구리(AlCu)층, 티타늄(Ti)층, 티타늄나이트라이드(TiN)층, 탄탈륨(Ta)층, 탄탈륨나이트라이드(TaN)층, 또는 크롬(Cr)층을 사용하여 형성하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 트랜치의 측벽의 경사각은, 노광시 사용하는 EUV 광의 경사각과 동일해지도록 하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 트랜치의 형성은 클로린 가스를 이용한 건식식각방법을 사용하여 수행하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 흡수층패턴의 형성 및 트랜치의 형성은, 각각 제1 레지스트층패턴 및 제2 레지스트층패턴을 이용한 건식식각방법을 사용하여 수행하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제12항에 있어서,
상기 트랜치의 형성은 플라즈마 식각장비에서 수행하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제21항에 있어서,
상기 트랜치의 형성은, 상기 플라즈마 식각장비에서 상기 반사층에 대한 물리적식각이 상대적으로 우세하게 이루어지는 제1 식각과, 화학적 식각이 상대적으로 우세하게 이루어지는 제2 식각을 반복적으로 실시하여 수행하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제22항에 있어서,
상기 제1 식각은, 반응가스로 아르곤 가스의 공급량을 증가시켜 수행하고, 상기 제2 식각은, 반응가스로 클로린 가스의 공급량을 증가시켜 수행하는 반사형 포토마스크 제조방법. - ◈청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제21항에 있어서,
상기 트랜치의 형성은, 상기 플라즈마 식각장비에서 바이어스 파워가 상대적으로 강하게 인가되는 제1 식각과, 바이어스 파워가 상대적으로 약하게 인가되는 제2 식각을 반복적으로 실시하여 수행하는 반사형 포토마스크 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/754,187 US8795931B2 (en) | 2012-01-30 | 2013-01-30 | Reflection-type photomasks and methods of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120009198 | 2012-01-30 | ||
| KR20120009198 | 2012-01-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130087996A KR20130087996A (ko) | 2013-08-07 |
| KR102095589B1 true KR102095589B1 (ko) | 2020-04-01 |
Family
ID=49214542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120150090A KR102095589B1 (ko) | 2012-01-30 | 2012-12-20 | 반사형 포토마스크 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102095589B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011108942A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06120125A (ja) * | 1991-11-12 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | 光学素子およびそれを用いた投影露光装置 |
| US8372564B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-02-12 | Hoya Corporation | Reflective mask, reflective mask blank and method of manufacturing reflective mask |
-
2012
- 2012-12-20 KR KR1020120150090A patent/KR102095589B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011108942A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130087996A (ko) | 2013-08-07 |
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|---|---|---|---|
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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|
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