JP2015050242A - 反射型マスク、反射型マスクブランクおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板で多重露光されるチップの境界領域に相応するマスク領域に形成された遮光枠において、基板に屈折率の異なる層もしくは空孔を形成する事により、入射するアウトオブバンド光の光路の変更により導電膜からのアウトオブバンド光の反射を低減、また、導電膜から反射されるアウトオブバンド光に対しても、基板に屈折率の異なる層を形成する。このような構成の反射型マスクを用いることにより、半導体等の配線パターン寸法への影響をより低減でき、半導体等の製造歩留まりを改善する事が可能となる。
【選択図】図1
Description
Ultra Violet;以下「EUV」と表記する)を光源とするEUVリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスク、反射型マスクブランクおよびその製造方法に関する。
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が13.5nm近傍のEUVを光源に用いたEUVリソグラフィが提案されている。EUVリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またEUVの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は1よりもわずかに小さい値である。このため、EUVリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク(以下、マスクと呼ぶ)も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つEUVマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、EBリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角(通常6°)で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ1枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回(最大で4回)に渡り露光(多重露光)されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのEUV光の反射率は、0.5〜2%程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもEUV光の遮光性の高い領域(以下、遮光枠と呼ぶ)を設ける必要性が出てきた。
基板と前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成される回路パターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたEUV光およびアウトオブバンド光の反射率の低い遮光枠を有し、遮光枠部の基板に、屈折率が変化している領域が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランとしたものである。
前記屈折率が変化している領域に、空孔が形成され、屈折率を変化させた領域を有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
前記屈折率が変化している領域に、高密度化により屈折率を変化させた領域を有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
前記屈折率が変化している領域に、屈折率の勾配を有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランクとしたものである。
基板にレーザ照射を行い、空孔が形成された領域、基板の内部に高密度化による屈折率が変化した領域、屈折率の勾配がある領域の少なくとも何れかを形成する工程を含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法としたものである。
前記レーザ照射は、フェムト秒レーザ、又はアト秒レーザ、又はゼプト秒レーザ、又はヨクト秒レーザのいずれかを用いることを特徴とする請求項5に記載の反射型マスクブランクの製造方法としたものである。
請求項1〜4のいずれかに記載の反射形マスクブランクの、前記吸収層をパターニングしてなることを特徴とする反射型マスクとしたものである。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。
ては、入射するアウトオブバンド光301が屈折率の勾配がある領域を透過する際、屈折率が高い方へ光が曲がるので、裏面導電膜で反射してもアウトオブバンド光が半導体基板側に転写する事が無いためである。その屈折率の勾配がある領域は、レーザー照射により密度を変化させる事により形成する事ができる。屈折率の勾配の差に関しては、約0.02(屈折率差/mm)以上であれば遮光枠11の中心に入射したアウトオブバンド光を半導体基板側に転写に影響がでない領域へ曲げる事ができる。領域22を配置する位置は遮光枠と同じ幅で配置され、かつ、基板1の表面から裏面にかけて配置する必要がある。このように領域22を形成する事で、光を曲げる事により、裏面導電膜で反射するアウトオブバンド光を低減する事ができる。
図1(a)の多層反射層2は、EUV光に対して60%程度の反射率を達成できるように設計されており、MoとSiが交互に40〜50ペア積層した積層膜で、さらに最上層の保護層3は2〜3nm厚のルテニウム(Ru)あるいは厚さ10nm程度のシリコン(Si)で構成されている。Ru層の下に隣接する層はSi層である。MoやSiが使われている理由は、EUV光に対する吸収(消衰係数)が小さく、且つMoとSiのEUV光での屈折率差が大きいために、SiとMoの界面での反射率を高く出来るためである。保護層3がRuの場合は、吸収層4の加工におけるストッパーやマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。保護層3がSiの場合は、吸収層4との間に、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収層4のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層2の最上層であるSi層を保護するために設けられており、クロム(Cr)あるいは窒素化合物(CrN)で構成されている。
図1(a)の吸収層4は、EUVに対して吸収率の高いタンタル(Ta)の窒素化合物(TaN)で構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物(TaBN)、タンタルシリコン(TaSi)、タンタル(Ta)や、それらの酸化物(TaBON、TaSiO、TaO)でも良い。
図1(a)の吸収層4は、上層に波長190〜260nmの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた2層構造から成る吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。
図1(a)の導電膜5は、一般にはCrNで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。図1(a)では導電膜5を有するかたちで記載したが、導電膜5を有さないマスクブランク及びマスクとしても良い。
本発明の反射型マスクの遮光枠の形成方法についての詳細について説明する。まず、図8(a)に示す反射型マスク211を用意し、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、遮光枠部のみが開口したレジストパターンを形成する。次に、フッ素系もしくは塩素系ガス(あるいはその両方)を用いたドライエッチングによって、レジストパターンの開口部の吸収膜4と保護層3を除去する。次いで、多層反射層2を、フッ素系ガスもしくは塩素系ガスもしくはその両方を用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液あるは酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、多層反射層を貫通・除去する。
C2F6、C4F8、C5F8、CHF3、SF6、ClF3、Cl2、HClが挙げられる。
、上記レジストの開口部の吸収層4と多層反射層2とを垂直性ドライエッチングで貫通・除去し(図9(d)、(e))、図9(e)に示すような形状を得た。
2 多層反射層
3 保護層
4 吸収層
5 裏面導電膜
9 レジスト
10 パターン領域
11 遮光枠
12 レーザ照射により形成される屈折率が変化もしくは屈折率の勾配がある領域
20 レーザ照射により形成される屈折率が変化している領域
21 レーザ照射により形成される屈折率が変化している領域
22 レーザ照射により形成される屈折率の勾配がある領域
101 本発明の反射型マスク
201 反射型マスクブランク
211 パターンが形成された反射型マスク
221 遮光枠が形成された反射型マスク
301 アウトオブバンド光
Claims (7)
- 基板と前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された吸収層を備え、前記吸収層に形成される回路パターン領域の外側の少なくとも一部に、前記吸収層および前記保護層および前記多層反射層が除去されたEUV光およびアウトオブバンド光の反射率の低い遮光枠を有し、遮光枠部の基板に、屈折率が変化している領域が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
- 前記屈折率が変化している領域に、空孔が形成され、屈折率を変化させた領域を有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 前記屈折率が変化している領域に、高密度化により屈折率を変化させた領域を有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 前記屈折率が変化している領域に、屈折率の勾配を有することを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 基板にレーザ照射を行い、空孔が形成された領域、基板の内部に高密度化による屈折率が変化した領域、屈折率の勾配がある領域の少なくとも何れかを形成する工程を含むことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記レーザ照射は、フェムト秒レーザ、又はアト秒レーザ、又はゼプト秒レーザ、又はヨクト秒レーザのいずれかを用いることを特徴とする請求項5に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の反射形マスクブランクの、前記吸収層をパターニングしてなることを特徴とする反射型マスク。
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