JP2015128183A - 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態においては、ブラインドエリア4の漏れ光エリア2の多層反射膜(図3Dの13)が上層から全層除去されてなる構成について説明する。本実施の形態に係る反射型マスクは、図3Dに示す構成を有する。図3Dに示す反射型マスクは、基板11と、基板11上に形成された導電性膜12と、導電性膜12の転写エリア1に形成された多層反射膜13と、多層反射膜13上にパターニングされて形成され、多層反射膜13を保護するバッファ膜14と、バッファ膜14上に形成された吸収膜15とから主に構成されている。すなわち、図3Dに示す反射型マスクは、転写エリア1に多層反射膜13が形成され、その多層反射膜13上にバッファ膜14及び吸収膜15の積層膜がパターニングして形成され、ブラインドエリア4の少なくとも漏れ光エリア2には多層反射膜13が形成されていない構成を有する。
本実施の形態においては、ブラインドエリアの多層反射膜が上層から複数層除去されてなる構成について説明する。本実施の形態に係る反射型マスクは、図5Dに示す構成を有する。図5Dに示す反射型マスクは、基板11と、基板11の転写エリア1に形成された多層反射膜13と、多層反射膜13上にパターニングされて形成され、多層反射膜13を保護するバッファ膜14と、バッファ膜14上に形成された吸収膜15とから主に構成されている。すなわち、図5Dに示す反射型マスクは、転写エリア1に多層反射膜13が形成され、その多層反射膜13上にバッファ膜14及び吸収膜15の積層膜がパターニングして形成され、ブラインドエリア4の漏れ光エリア2には薄い多層反射膜13a(数周期分残存した状態)が形成されている構成を有する。本実施の形態に係る構成においては、多層反射膜13を数周期残存させるようにエッチングを行うため、転写パターン1内の多層反射膜13と外側エリア3の多層反射膜13等の各膜との間で導電性は確保される。また、多層反射膜13のエッチングは途中で終了するように制御されるため、エッチングストッパの役割も有する導電性膜12は不要となる。なお、多層反射膜13aの導電性がアース確保に不十分であることが予想される場合においては、導電性膜12を設けるとよい。各膜の材料については、実施の形態1と同じであるので詳細な説明は省略する。
まず、基板として、外形152mm角、厚さが6.3mmの低膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、DCマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム(CrN:N=10原子%)を被着して、厚さ5nmの導電性膜を形成した。次いで、導電性膜上に、イオンビームスパッタリングにより、EUV光の波長である露光波長13〜14nmの領域の反射膜として適したMoとSiとを被着して、合計厚さ284nmの多層反射膜(Mo:2.8nm、Si:4.2nm、これらを1周期として40周期積層後、最後にSi膜を4nm成膜)を形成した。
まず、基板として、外形152mm角、厚さが6.3mmの低膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、DCマグネトロンスパッタリングにより窒化クロム(CrN:N=10原子%)を被着して、厚さ5nmの導電性膜を形成した。次いで、導電性膜上に、イオンビームスパッタリングにより、EUV光の波長である露光波長13〜14nmの領域の反射膜として適したMoとSiとを被着して、合計厚さ284nmの多層反射膜(Mo:2.8nm、Si:4.2nm、これらを1周期として40周期積層後、最後にSi膜を4nm成膜)を形成した。
まず、基板として、外形152mm角、厚さが6.3mmの低膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、イオンビームスパッタリングにより、EUV光の波長である露光波長13〜14nmの領域の反射膜として適したMoとSiとを被着して、合計厚さ284nmの多層反射膜(Mo:2.8nm、Si:4.2nm、これらを1周期として40周期積層後、最後にSi膜を4nm成膜)を形成した。
まず、基板として、外形152mm角、厚さが6.3mmの低膨張のSiO2−TiO2系のガラス基板を用意した。次いで、上記基板上に、イオンビームスパッタリングにより、EUV光の波長である露光波長13〜14nmの領域の反射膜として適したMoとSiとを被着して、合計厚さ284nmの多層反射膜(Mo:2.8nm、Si:4.2nm、これらを1周期として40周期積層後、最後にSi膜を4nm成膜)を形成した。
2 漏れ光エリア
3 外側エリア
4 ブラインドエリア
11 基板
12 導電性膜
13 多層反射膜
14 バッファ膜
15 吸収膜
16 レジスト膜(第2レジスト膜)
17 アライメントマーク
Claims (11)
- 基板上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されておりEUV露光光を吸収する吸収膜と、を備えた反射型マスクブランクの前記吸収膜に転写パターンを形成してなる反射型マスクであって、
前記吸収膜は、膜内を通過して前記多層反射膜で反射される露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるEUV露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト膜であり、
前記吸収膜は、半透過膜上に反射防止膜を積層した構造を有し、
前記半透過膜は、タンタルを主成分とする材料で構成され、
前記反射防止膜は、前記半透過膜をエッチングする際のエッチングガスに対してエッチング選択性を有し、
前記基板と前記多層反射膜との間には導電性膜が介在し、
前記基板は、ガラス材料からなり、
前記多層反射膜は、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成され、
前記導電性膜は、前記多層反射膜のエッチングストッパであり、窒化クロムまたは窒化炭化クロムを含有する材料で構成され、
ブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域における吸収膜と多層反射膜の全層はともに除去され、前記導電性膜が除去した部分の導電性を確保することを特徴とする反射型マスク。 - 前記ブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域は、転写エリアの外周境界から5mm外側までの外周範囲の領域であることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。
- 前記ブラインドエリアは、前記転写エリアに接した前記漏れ光エリアと、前記漏れ光エリアの外周エリアであってアライメントマークがパターニングされた外側エリアとからなることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型マスク。
- 前記多層反射膜は、MoとSiとを交互に積層させて構成される請求項1から3のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記吸収膜の反射率と前記多層反射膜が形成されていないブラインドエリアの反射率との間のコントラストは、100〜1000である請求項1から4のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記反射防止膜は、フッ素系ガスでドライエッチングされる材料で構成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記半透過膜は、タンタル金属、タンタルホウ化物、タンタルシリサイド、又はこれらの窒化物を主成分とする材料で構成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記反射防止膜は、全体組成を100としたときの酸素の組成比が60以上70以下である酸化タンタルを主成分とする材料で構成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記多層反射膜と前記吸収膜との間に設けられたバッファ膜を有することを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の反射型マスク。
- 前記バッファ膜は、クロム又はルテニウムを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項9に記載の反射型マスク。
- 請求項1から請求項10のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法であって、
転写パターンが形成された第1レジスト膜をマスクとしてドライエッチングすることにより前記吸収膜に転写パターンを形成する工程と、
転写エリアの吸収膜及び多層反射膜を保護するパターンが形成された第2レジスト膜をマスクとしてブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域における吸収膜をドライエッチングして除去する工程と、
前記第2レジスト膜をマスクとし、前記ブラインドエリアの少なくとも漏れ光エリアを含む領域における多層反射膜に対し、フッ素ガスによるドライエッチングを行って全層を除去する工程と、を具備することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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