JP2002122981A - 反射型フォトマスク - Google Patents
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工程を複雑にすることなく、製造工程に
おける反射層表面の損傷を防止し得る反射型フォトマス
クを提供する。 【解決手段】 本発明の反射型フォトマスク１０は、Ｓ
ｉ、ガラス等からなる基板１１と、基板１１上に形成さ
れ、ＭｏとＳｉが交互に積層された多層膜からなる反射
層１２と、反射層１２上に形成されたＲｕからなるバッ
ファ層１３と、所定のパターン形状をもってバッファ層
１３上に形成された軟Ｘ線を吸収し得るＴａＮ等の材料
からなる吸収体パターン１４とを有している。
おける反射層表面の損傷を防止し得る反射型フォトマス
クを提供する。 【解決手段】 本発明の反射型フォトマスク１０は、Ｓ
ｉ、ガラス等からなる基板１１と、基板１１上に形成さ
れ、ＭｏとＳｉが交互に積層された多層膜からなる反射
層１２と、反射層１２上に形成されたＲｕからなるバッ
ファ層１３と、所定のパターン形状をもってバッファ層
１３上に形成された軟Ｘ線を吸収し得るＴａＮ等の材料
からなる吸収体パターン１４とを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型フォトマス
クに関し、半導体製造プロセスにおいて特に軟Ｘ線を用
いた高解像度のフォトリソグラフィー技術に用いて好適
な反射型フォトマスクに関するものである。
クに関し、半導体製造プロセスにおいて特に軟Ｘ線を用
いた高解像度のフォトリソグラフィー技術に用いて好適
な反射型フォトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスのフォトリソグラフ
ィー工程において、高集積化のためにデザインルールが
縮小されるに従って、現在の技術よりも高い解像度を有
する露光技術が必要となってきている。現在、ＤＵＶ
（deep-ultraviolet）光を利用した露光技術は、波長２
４８ｎｍの光源を利用することによって２５０ｎｍ程度
の描画サイズの露光が可能である。これに対して、より
短い１９３ｎｍの波長の光源を使用する新たなＤＵＶ露
光技術は、１００〜１３０ｎｍ程度の描画サイズの露光
が可能になると期待されている。さらに、１００ｎｍ以
下の描画サイズを実現する露光技術として、軟Ｘ線と呼
ばれるＥＵＶ（extream-ultraviolet）領域の露光波長
を利用すると、５〜７０ｎｍ程度の描画サイズの露光が
可能になると期待されており、現在これに関する研究が
盛んに行われている。
ィー工程において、高集積化のためにデザインルールが
縮小されるに従って、現在の技術よりも高い解像度を有
する露光技術が必要となってきている。現在、ＤＵＶ
（deep-ultraviolet）光を利用した露光技術は、波長２
４８ｎｍの光源を利用することによって２５０ｎｍ程度
の描画サイズの露光が可能である。これに対して、より
短い１９３ｎｍの波長の光源を使用する新たなＤＵＶ露
光技術は、１００〜１３０ｎｍ程度の描画サイズの露光
が可能になると期待されている。さらに、１００ｎｍ以
下の描画サイズを実現する露光技術として、軟Ｘ線と呼
ばれるＥＵＶ（extream-ultraviolet）領域の露光波長
を利用すると、５〜７０ｎｍ程度の描画サイズの露光が
可能になると期待されており、現在これに関する研究が
盛んに行われている。
【０００３】ＥＵＶを使用する露光技術は、従来のＤＵ
Ｖ領域までの露光技術とは顕著に異なる点がある。それ
はＥＵＶ領域ではほとんどの物質が大きい光吸収性を有
するため、既存の透過型フォトマスクとは違って、反射
型フォトマスクを使用しなければならないということで
ある。一般的なＥＵＶ用フォトマスクは、ＥＵＶ領域で
の反射率の大きいミラー（反射鏡）上にＥＵＶ光を吸収
し得る吸収体からなるパターンを形成したものである。
したがって、反射鏡の表面が吸収体パターンで覆われた
領域が吸収領域、吸収体パターンがなく、反射鏡表面が
露出した領域が反射領域となる。ここで用いる反射鏡
は、モリブデンとシリコン（Ｍｏ／Ｓｉ）、ベリリウム
とシリコン（Ｂｅ／Ｓｉ）等の異種の膜を交互に積層し
て多層膜を形成したものである。
Ｖ領域までの露光技術とは顕著に異なる点がある。それ
はＥＵＶ領域ではほとんどの物質が大きい光吸収性を有
するため、既存の透過型フォトマスクとは違って、反射
型フォトマスクを使用しなければならないということで
ある。一般的なＥＵＶ用フォトマスクは、ＥＵＶ領域で
の反射率の大きいミラー（反射鏡）上にＥＵＶ光を吸収
し得る吸収体からなるパターンを形成したものである。
したがって、反射鏡の表面が吸収体パターンで覆われた
領域が吸収領域、吸収体パターンがなく、反射鏡表面が
露出した領域が反射領域となる。ここで用いる反射鏡
は、モリブデンとシリコン（Ｍｏ／Ｓｉ）、ベリリウム
とシリコン（Ｂｅ／Ｓｉ）等の異種の膜を交互に積層し
て多層膜を形成したものである。
【０００４】図１１はこの種のフォトマスク１１０の構
造を示しており、シリコン、ガラス等の基板１１１上に
上記の多層膜からなる反射層１１２が形成され、反射層
１１２上に所望のパターンを有する窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）膜などからなる軟Ｘ線の吸収体パターン１１３が形
成されている。
造を示しており、シリコン、ガラス等の基板１１１上に
上記の多層膜からなる反射層１１２が形成され、反射層
１１２上に所望のパターンを有する窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）膜などからなる軟Ｘ線の吸収体パターン１１３が形
成されている。
【０００５】しかしながら、図１１に示したように、反
射層１１２上に吸収体パターン１１３を直接形成する構
造では、吸収体のパターニング（エッチング）時に、反
射層表面の露出した部分がエッチングされて損傷を受
け、反射率が低下するという問題が発生した。さらに吸
収体パターンを形成した後、図１６に示すように、吸収
体パターン１１３の欠陥（例えば図１６における左端の
吸収体パターンではエッチング残渣の部分１１３ａ、隣
の吸収体パターンでは欠けの部分１１３ｂ）が発生した
場合、集束イオンビーム（Focused Ion Beam, 以下、Ｆ
ＩＢと略記する）を用いてこれらの欠陥を修正すること
がある。すなわち、ＦＩＢを照射した際のエッチング作
用により残渣の部分１１３ａだけを局所的に除去した
り、所定のガス雰囲気中でＦＩＢを照射することでパタ
ーンの欠けの部分１１３ｂに局所的に吸収体を堆積さ
せ、埋め込むことができる。この工程をマスクリペア工
程と呼ぶが、上記図１１の構造ではこのマスクリペア工
程においてもＦＩＢ照射が反射層表面に損傷を与える恐
れが充分にあった。
射層１１２上に吸収体パターン１１３を直接形成する構
造では、吸収体のパターニング（エッチング）時に、反
射層表面の露出した部分がエッチングされて損傷を受
け、反射率が低下するという問題が発生した。さらに吸
収体パターンを形成した後、図１６に示すように、吸収
体パターン１１３の欠陥（例えば図１６における左端の
吸収体パターンではエッチング残渣の部分１１３ａ、隣
の吸収体パターンでは欠けの部分１１３ｂ）が発生した
場合、集束イオンビーム（Focused Ion Beam, 以下、Ｆ
ＩＢと略記する）を用いてこれらの欠陥を修正すること
がある。すなわち、ＦＩＢを照射した際のエッチング作
用により残渣の部分１１３ａだけを局所的に除去した
り、所定のガス雰囲気中でＦＩＢを照射することでパタ
ーンの欠けの部分１１３ｂに局所的に吸収体を堆積さ
せ、埋め込むことができる。この工程をマスクリペア工
程と呼ぶが、上記図１１の構造ではこのマスクリペア工
程においてもＦＩＢ照射が反射層表面に損傷を与える恐
れが充分にあった。
【０００６】そこで、この問題を解決する方法として、
以下の２つの方法が提案された。第１の方法は図１２に
示す構造のフォトマスクを用いるものであり、E.Hoshin
o et al.,"Process Scheme for Removing Buffer Layer
on Multilayer of EUVLMask",Digest of papers, Phot
omask Japan p.75,2000に開示されている。このフォト
マスク１２０は、吸収体パターン１２４の下にシリコン
酸化膜（ＳｉＯx）からなるバッファ層１２３が形成さ
れている。このフォトマスク１２０を製造する際には、
図１３（ａ）に示すように、基板１２１上に多層膜から
なる反射層１２２を形成し、図１３（ｂ）に示すよう
に、反射層１２２上にバッファ層１２３ａを成膜し、図
１３（ｃ）に示すように、さらにバッファ層１２３ａ上
に吸収体層１２４ａを成膜する。
以下の２つの方法が提案された。第１の方法は図１２に
示す構造のフォトマスクを用いるものであり、E.Hoshin
o et al.,"Process Scheme for Removing Buffer Layer
on Multilayer of EUVLMask",Digest of papers, Phot
omask Japan p.75,2000に開示されている。このフォト
マスク１２０は、吸収体パターン１２４の下にシリコン
酸化膜（ＳｉＯx）からなるバッファ層１２３が形成さ
れている。このフォトマスク１２０を製造する際には、
図１３（ａ）に示すように、基板１２１上に多層膜から
なる反射層１２２を形成し、図１３（ｂ）に示すよう
に、反射層１２２上にバッファ層１２３ａを成膜し、図
１３（ｃ）に示すように、さらにバッファ層１２３ａ上
に吸収体層１２４ａを成膜する。
【０００７】次に、図１３（ｄ）に示すように、フォト
リソグラフィー技術により吸収体層１２４ａをパターニ
ングして吸収体パターン１２４とするが、この際、２段
階エッチング法を用いる。すなわち、最初にドライエッ
チングを行い、図１３（ｅ）に示すように、吸収体層１
２４ａに続いてバッファ層１２３ａをエッチングし、バ
ッファ層１２３ａを若干残した状態でエッチングを止め
る。次いで、ウェットエッチングを行い、図１３（ｆ）
に示すように、残ったバッファ層１２３ａを完全に除去
して反射層１２２の表面を露出させる。この方法によれ
ば、ドライエッチングに比べてエッチング選択性の高い
ウェットエッチングの採用により反射層表面のオーバー
エッチングを極力少なくすることができる。
リソグラフィー技術により吸収体層１２４ａをパターニ
ングして吸収体パターン１２４とするが、この際、２段
階エッチング法を用いる。すなわち、最初にドライエッ
チングを行い、図１３（ｅ）に示すように、吸収体層１
２４ａに続いてバッファ層１２３ａをエッチングし、バ
ッファ層１２３ａを若干残した状態でエッチングを止め
る。次いで、ウェットエッチングを行い、図１３（ｆ）
に示すように、残ったバッファ層１２３ａを完全に除去
して反射層１２２の表面を露出させる。この方法によれ
ば、ドライエッチングに比べてエッチング選択性の高い
ウェットエッチングの採用により反射層表面のオーバー
エッチングを極力少なくすることができる。
【０００８】第２の方法は図１４に示す構造のフォトマ
スクを用いるものであり、P.J.S.Mangat et al.,"EUV m
ask fabrication with Cr absorber",Proceedings of S
PIEVol.3997,p.76,2000に開示されている。このフォト
マスク１４０は、吸収体パターン１４５の下にシリコン
窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）からなるバッファ層１４４が形
成され、さらにその下に膜厚１０ｎｍ程度のクロム（Ｃ
ｒ）膜からなるエッチングストッパ層１４３が形成され
ている。このフォトマスク１４０を製造する際には、図
１５（ａ）に示すように、基板１４１上に多層膜からな
る反射層１４２を形成し、図１５（ｂ）に示すように、
反射層１４２上にエッチングストッパ層１４３ａを形成
し、図１５（ｃ）に示すように、エッチングストッパ層
１４３ａ上にバッファ層１４４ａを成膜し、図１５
（ｄ）に示すように、さらにバッファ層１４４ａ上に吸
収体層１４５ａを成膜する。
スクを用いるものであり、P.J.S.Mangat et al.,"EUV m
ask fabrication with Cr absorber",Proceedings of S
PIEVol.3997,p.76,2000に開示されている。このフォト
マスク１４０は、吸収体パターン１４５の下にシリコン
窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）からなるバッファ層１４４が形
成され、さらにその下に膜厚１０ｎｍ程度のクロム（Ｃ
ｒ）膜からなるエッチングストッパ層１４３が形成され
ている。このフォトマスク１４０を製造する際には、図
１５（ａ）に示すように、基板１４１上に多層膜からな
る反射層１４２を形成し、図１５（ｂ）に示すように、
反射層１４２上にエッチングストッパ層１４３ａを形成
し、図１５（ｃ）に示すように、エッチングストッパ層
１４３ａ上にバッファ層１４４ａを成膜し、図１５
（ｄ）に示すように、さらにバッファ層１４４ａ上に吸
収体層１４５ａを成膜する。
【０００９】次に、図１５（ｅ）に示すように、フォト
リソグラフィー技術により吸収体層１４５ａをパターニ
ングして吸収体パターン１４５とした後、図１５（ｆ）
に示すように、バッファ層１４４ａをエッチングする。
この時、Ｃｒに対するＳｉＯＮのエッチング選択比が高
いため、バッファ層１４４ａのエッチングはエッチング
ストッパ層１４３ａ表面で停止する。次いで、図１５
（ｇ）に示すように、改めてエッチングストッパ層１４
３ａを除去して反射層１４２の表面を露出させる。この
方法によれば、エッチングストッパ層の使用によりバッ
ファ層のエッチング時に反射層表面のオーバーエッチン
グが生じることがない。
リソグラフィー技術により吸収体層１４５ａをパターニ
ングして吸収体パターン１４５とした後、図１５（ｆ）
に示すように、バッファ層１４４ａをエッチングする。
この時、Ｃｒに対するＳｉＯＮのエッチング選択比が高
いため、バッファ層１４４ａのエッチングはエッチング
ストッパ層１４３ａ表面で停止する。次いで、図１５
（ｇ）に示すように、改めてエッチングストッパ層１４
３ａを除去して反射層１４２の表面を露出させる。この
方法によれば、エッチングストッパ層の使用によりバッ
ファ層のエッチング時に反射層表面のオーバーエッチン
グが生じることがない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記２
つの方法にもそれぞれ問題点があった。例えば、第１の
方法には、２段階エッチング法を用いることからエッチ
ング工程が複雑になり、工程に費やす手間や時間が多く
なるという問題があった。そして、ウェットエッチング
がいくらドライエッチングに比べてエッチング選択性が
高いといってもエッチングの制御が難しく、エッチング
時間等の工程条件によっては反射層の表面に損傷が生じ
る場合があった。
つの方法にもそれぞれ問題点があった。例えば、第１の
方法には、２段階エッチング法を用いることからエッチ
ング工程が複雑になり、工程に費やす手間や時間が多く
なるという問題があった。そして、ウェットエッチング
がいくらドライエッチングに比べてエッチング選択性が
高いといってもエッチングの制御が難しく、エッチング
時間等の工程条件によっては反射層の表面に損傷が生じ
る場合があった。
【００１１】一方、第２の方法には、エッチングストッ
パ層を形成することで工程が複雑になることに加えて、
エッチングストッパ層を形成したことでバッファ層のエ
ッチング時には反射層表面のオーバーエッチングを防止
できるものの、次工程でエッチングストッパ層を除去す
る際に反射層表面のオーバーエッチングが生じる恐れが
ある。すなわち、クロムからなるエッチングストッパ層
を反射領域の上に残しておくと、クロム膜は光吸収性が
強く、反射層表面での反射が阻害されるため、結局のと
ころ、エッチングストッパ層自体を除去しなければなら
ない。この時、クロムと反射層表面を構成する膜とのエ
ッチング選択比が低ければ、反射層表面がオーバーエッ
チングされることになる。
パ層を形成することで工程が複雑になることに加えて、
エッチングストッパ層を形成したことでバッファ層のエ
ッチング時には反射層表面のオーバーエッチングを防止
できるものの、次工程でエッチングストッパ層を除去す
る際に反射層表面のオーバーエッチングが生じる恐れが
ある。すなわち、クロムからなるエッチングストッパ層
を反射領域の上に残しておくと、クロム膜は光吸収性が
強く、反射層表面での反射が阻害されるため、結局のと
ころ、エッチングストッパ層自体を除去しなければなら
ない。この時、クロムと反射層表面を構成する膜とのエ
ッチング選択比が低ければ、反射層表面がオーバーエッ
チングされることになる。
【００１２】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、製造工程を複雑にすることなく、
製造工程における反射層表面の損傷を防止することので
きる反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
されたものであって、製造工程を複雑にすることなく、
製造工程における反射層表面の損傷を防止することので
きる反射型フォトマスクを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の形態の反射型フォトマスクは、基
板と、基板上に形成され、２種の異なる膜が交互に積層
された多層膜からなる反射層と、反射層上に形成された
金属膜からなるバッファ層と、所定のパターン形状をも
ってバッファ層上に形成された軟Ｘ線を吸収し得る材料
からなる吸収体パターンとを有することを特徴とする。
めに、本発明の第１の形態の反射型フォトマスクは、基
板と、基板上に形成され、２種の異なる膜が交互に積層
された多層膜からなる反射層と、反射層上に形成された
金属膜からなるバッファ層と、所定のパターン形状をも
ってバッファ層上に形成された軟Ｘ線を吸収し得る材料
からなる吸収体パターンとを有することを特徴とする。
【００１４】本発明の第２の形態の反射型フォトマスク
は、基板と、基板上に形成され、２種の異なる膜が交互
に積層された多層膜からなる反射層と、反射層上に形成
された金属膜からなり、所定のパターン形状を有するバ
ッファ層と、バッファ層と同一のパターン形状をもって
バッファ層上に形成された軟Ｘ線を吸収し得る材料から
なる吸収体パターンとを有することを特徴とする。
は、基板と、基板上に形成され、２種の異なる膜が交互
に積層された多層膜からなる反射層と、反射層上に形成
された金属膜からなり、所定のパターン形状を有するバ
ッファ層と、バッファ層と同一のパターン形状をもって
バッファ層上に形成された軟Ｘ線を吸収し得る材料から
なる吸収体パターンとを有することを特徴とする。
【００１５】本発明の第３の形態の反射型フォトマスク
は、基板と、基板上に形成され、２種の異なる膜が交互
に積層された多層膜からなる反射層と、反射層上に形成
された金属膜からなる第１のバッファ層と、第１のバッ
ファ層上に形成され、所定のパターン形状を有する第２
のバッファ層と、第２のバッファ層と同一のパターン形
状をもって第２のバッファ層上に形成された軟Ｘ線を吸
収し得る材料からなる吸収体パターンとを有することを
特徴とする。
は、基板と、基板上に形成され、２種の異なる膜が交互
に積層された多層膜からなる反射層と、反射層上に形成
された金属膜からなる第１のバッファ層と、第１のバッ
ファ層上に形成され、所定のパターン形状を有する第２
のバッファ層と、第２のバッファ層と同一のパターン形
状をもって第２のバッファ層上に形成された軟Ｘ線を吸
収し得る材料からなる吸収体パターンとを有することを
特徴とする。
【００１６】本発明者らは、従来用いていたシリコン酸
化膜（ＳｉＯx）、シリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）等
の半導体材料系のバッファ層に代えて、ある種の金属膜
からなるバッファ層を用いた場合、フォトマスクの反射
領域にバッファ層を残しても半導体材料系のバッファ層
ほどには反射層表面での反射が阻害されない、反射層の
構成材料に対する高いエッチング選択比が得られる、と
の知見を得た。
化膜（ＳｉＯx）、シリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ）等
の半導体材料系のバッファ層に代えて、ある種の金属膜
からなるバッファ層を用いた場合、フォトマスクの反射
領域にバッファ層を残しても半導体材料系のバッファ層
ほどには反射層表面での反射が阻害されない、反射層の
構成材料に対する高いエッチング選択比が得られる、と
の知見を得た。
【００１７】この知見によれば、フォトマスクの反射領
域にバッファ層を残すことができるので、吸収体パター
ンのパターニング時にエッチングが反射層表面に達する
前にエッチングを停止することができる。したがって、
反射層の表面に損傷を与えることがなく、反射率の低下
が生じることがない。一方、反射領域のバッファ層を除
去する場合でも、反射層の構成材料に対するエッチング
選択比が高いために反射層の表面にほとんど損傷を与え
ることがなく、反射率の低下が生じることがない。
域にバッファ層を残すことができるので、吸収体パター
ンのパターニング時にエッチングが反射層表面に達する
前にエッチングを停止することができる。したがって、
反射層の表面に損傷を与えることがなく、反射率の低下
が生じることがない。一方、反射領域のバッファ層を除
去する場合でも、反射層の構成材料に対するエッチング
選択比が高いために反射層の表面にほとんど損傷を与え
ることがなく、反射率の低下が生じることがない。
【００１８】本発明者らは、バッファ層を構成する金属
膜として特にルテニウムが好適であることを見い出し
た。詳しくは［発明の実施の形態］の項で後述するが、
ルテニウムを用いた場合、反射層の構成材料に対して高
いエッチング選択比が得られることを実際に確認した。
さらに、ルテニウムバッファ層を反射領域上に残す場
合、ルテニウムの膜厚を３ｎｍ以下とすると、反射層表
面が露出している場合よりもむしろ反射率が向上するこ
とを見い出した。
膜として特にルテニウムが好適であることを見い出し
た。詳しくは［発明の実施の形態］の項で後述するが、
ルテニウムを用いた場合、反射層の構成材料に対して高
いエッチング選択比が得られることを実際に確認した。
さらに、ルテニウムバッファ層を反射領域上に残す場
合、ルテニウムの膜厚を３ｎｍ以下とすると、反射層表
面が露出している場合よりもむしろ反射率が向上するこ
とを見い出した。
【００１９】バッファ層を反射領域に残す構成において
は、吸収体のエッチングをジャストエッチングの状態で
止め、反射領域上のバッファ層の膜厚を他の領域（吸収
領域）の膜厚と同一としてもよいし、オーバーエッチン
グして結果的に反射領域上のバッファ層の膜厚が他の領
域（吸収領域）よりも薄くなったとしても何ら支障がな
い。
は、吸収体のエッチングをジャストエッチングの状態で
止め、反射領域上のバッファ層の膜厚を他の領域（吸収
領域）の膜厚と同一としてもよいし、オーバーエッチン
グして結果的に反射領域上のバッファ層の膜厚が他の領
域（吸収領域）よりも薄くなったとしても何ら支障がな
い。
【００２０】反射層を構成する多層膜を基板上に形成し
たとき、多層膜の種類に応じて圧縮応力、引張応力のい
ずれかの内部応力が発生する。したがって、基板と反射
層との間に反射層の内部応力と逆向きの内部応力を持つ
応力緩和層を設けることによって反射層の内部応力が相
殺されて緩和され、フォトマスクの反りを防止すること
ができる。
たとき、多層膜の種類に応じて圧縮応力、引張応力のい
ずれかの内部応力が発生する。したがって、基板と反射
層との間に反射層の内部応力と逆向きの内部応力を持つ
応力緩和層を設けることによって反射層の内部応力が相
殺されて緩和され、フォトマスクの反りを防止すること
ができる。
【００２１】反射層を構成する２種の膜としては、モリ
ブデン膜とシリコン膜の組み合わせが屈折率差が最も大
きく、最も高い反射率を示すことから最適な組み合わせ
である。
ブデン膜とシリコン膜の組み合わせが屈折率差が最も大
きく、最も高い反射率を示すことから最適な組み合わせ
である。
【００２２】
【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１〜図３、図１０を参照して
説明する。図１は本実施の形態の反射型フォトマスクを
示す断面図、図２はこの反射型フォトマスクの製造方法
を説明するための工程断面図である。図１、図２を含む
以下の断面図では、図示の都合上、フォトマスクを構成
する各層の厚さの比率は実際とは異なっている。本実施
の形態では、金属膜からなるバッファ層を反射領域上に
残す形態の例を説明する。
明の第１の実施の形態を図１〜図３、図１０を参照して
説明する。図１は本実施の形態の反射型フォトマスクを
示す断面図、図２はこの反射型フォトマスクの製造方法
を説明するための工程断面図である。図１、図２を含む
以下の断面図では、図示の都合上、フォトマスクを構成
する各層の厚さの比率は実際とは異なっている。本実施
の形態では、金属膜からなるバッファ層を反射領域上に
残す形態の例を説明する。
【００２３】本実施の形態の反射型フォトマスク１０
は、図１に示すように、シリコン、ガラス等からなる基
板１１上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜
が交互に多層積層された多層膜からなる反射層１２が形
成されている。反射層１２の最上層はモリブデン膜、シ
リコン膜のいずれでもよいが、シリコン表面に生成する
自然酸化膜の安定性が高いことからシリコン膜を最上層
とする方が望ましい。モリブデン、シリコン単層の膜厚
は数ｎｍ程度、積層数は数十層程度の値で任意に設定す
ることができる。
は、図１に示すように、シリコン、ガラス等からなる基
板１１上にモリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜
が交互に多層積層された多層膜からなる反射層１２が形
成されている。反射層１２の最上層はモリブデン膜、シ
リコン膜のいずれでもよいが、シリコン表面に生成する
自然酸化膜の安定性が高いことからシリコン膜を最上層
とする方が望ましい。モリブデン、シリコン単層の膜厚
は数ｎｍ程度、積層数は数十層程度の値で任意に設定す
ることができる。
【００２４】なお、反射層１２を構成する膜としては、
上記モリブデンに代えて、スカンジウム（Ｓｃ）、チタ
ン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル
（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
ニオブ（Ｎｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム
（Ｒｕ）ロジウム（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒ
ｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａ
ｇ）、金（Ａｕ）等が用いられ、上記シリコンに代え
て、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化
ボロン、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミ
ニウム、酸化アルミニウム等が用いられる。
上記モリブデンに代えて、スカンジウム（Ｓｃ）、チタ
ン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル
（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
ニオブ（Ｎｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム
（Ｒｕ）ロジウム（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒ
ｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａ
ｇ）、金（Ａｕ）等が用いられ、上記シリコンに代え
て、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化
ボロン、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミ
ニウム、酸化アルミニウム等が用いられる。
【００２５】反射層１２上の全面にルテニウム（Ｒｕ）
からなるバッファ層１３が形成され、Ｒｕバッファ層１
３上には所定のパターンを有する吸収体パターン１４が
形成されている。反射型フォトマスク１０のうち、吸収
体パターン１４が形成された領域がＥＵＶ光を吸収する
吸収領域Ａ、吸収体パターン１４がなく、Ｒｕバッファ
層１３の表面が露出した領域が反射領域Ｒとなる。Ｒｕ
バッファ層１３の膜厚は数ｎｍ〜数十ｎｍ程度で任意に
設定することができ、Ｒｕバッファ層１３の材料には、
Ｒｕの他、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ等の材料を用いることがで
きる。
からなるバッファ層１３が形成され、Ｒｕバッファ層１
３上には所定のパターンを有する吸収体パターン１４が
形成されている。反射型フォトマスク１０のうち、吸収
体パターン１４が形成された領域がＥＵＶ光を吸収する
吸収領域Ａ、吸収体パターン１４がなく、Ｒｕバッファ
層１３の表面が露出した領域が反射領域Ｒとなる。Ｒｕ
バッファ層１３の膜厚は数ｎｍ〜数十ｎｍ程度で任意に
設定することができ、Ｒｕバッファ層１３の材料には、
Ｒｕの他、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ等の材料を用いることがで
きる。
【００２６】吸収体パターン１４としては、窒化タンタ
ル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、窒
化チタン（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム・
銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳ
ｉＮ、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。
吸収体パターン１４の膜厚は２００ｎｍ以下とすること
が望ましい。
ル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、窒
化チタン（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム・
銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳ
ｉＮ、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。
吸収体パターン１４の膜厚は２００ｎｍ以下とすること
が望ましい。
【００２７】以下、上記構成の反射型フォトマスク１０
の製造方法について説明する。まず図２（ａ）に示すよ
うに、基板１１上の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反
射層１２を形成する。この際には、成膜法として例えば
ＲＦマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパ
ッタリング法を用いる。なお、スパッタリング条件は使
用する装置によって変わる。ＭｏとＳｉを７ｎｍ周期で
切り換えて成膜して１３．４ｎｍ波長領域で最も大きい
反射率を持つように形成する。１周期中のＭｏの割合は
約４０％であって、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ、Ｓｉの
膜厚は約４．２ｎｍである。層数は、まずＭｏ／Ｓｉを
４０対成膜した後、最後にＳｉを成膜するので、合計で
８１層となる。
の製造方法について説明する。まず図２（ａ）に示すよ
うに、基板１１上の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反
射層１２を形成する。この際には、成膜法として例えば
ＲＦマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパ
ッタリング法を用いる。なお、スパッタリング条件は使
用する装置によって変わる。ＭｏとＳｉを７ｎｍ周期で
切り換えて成膜して１３．４ｎｍ波長領域で最も大きい
反射率を持つように形成する。１周期中のＭｏの割合は
約４０％であって、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ、Ｓｉの
膜厚は約４．２ｎｍである。層数は、まずＭｏ／Ｓｉを
４０対成膜した後、最後にＳｉを成膜するので、合計で
８１層となる。
【００２８】次に、図２（ｂ）に示すように、反射層１
２上の全面にＲｕからなるバッファ層１３を成膜する。
この際には、ＤＣスパッタリング法を用い、スパッタリ
ング条件は、例えばＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：０．３
Ｐａ、Ａｒガス雰囲気下とする。
２上の全面にＲｕからなるバッファ層１３を成膜する。
この際には、ＤＣスパッタリング法を用い、スパッタリ
ング条件は、例えばＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：０．３
Ｐａ、Ａｒガス雰囲気下とする。
【００２９】次に、図２（ｃ）に示すように、さらにＲ
ｕバッファ層１３上の全面にＴａＮ等の吸収体層１４ａ
を成膜する。この際、吸収体層１４ａの材料が窒化物の
場合には反応性スパッタリング法を用い、その他の場合
にはＤＣスパッタリング法を用いる。
ｕバッファ層１３上の全面にＴａＮ等の吸収体層１４ａ
を成膜する。この際、吸収体層１４ａの材料が窒化物の
場合には反応性スパッタリング法を用い、その他の場合
にはＤＣスパッタリング法を用いる。
【００３０】次に、図２（ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術により吸収体層１４ａをパターニング
して吸収体パターン１４とする。この際には、吸収体層
１４ａ上に所望のパターン形状を有するレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
マスクとしてＥＣＲリアクティブエッチング法を用い、
吸収体層１４ａの材料がＴａＮの場合、例えばＥＣＲ方
式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/mi
n、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３
０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で吸収
体層１４ａのエッチングを行う。吸収体層１４ａのエッ
チング工程においては、エッチングをジャストエッチン
グの状態で止めれば、反射領域上のＲｕバッファ層１３
の膜厚が他の領域（吸収領域）の膜厚と同一となる。こ
れに対して、若干のオーバーエッチングを行えば、図３
に示すように、結果的に反射領域上のＲｕバッファ層１
３の膜厚が他の領域（吸収領域）よりも薄くなるが、こ
のようになったとしても何ら支障がない。この後、必要
に応じてＦＩＢを用いたマスクリペアを行う。マスクリ
ペアにはＦＩＢの他、ＧＡＥ（gas-assisted etching）
を用いることもできる。その場合、エッチングガスには
主としてＢｒ2を用いるが、吸収体およびバッファ層の
材料によって適宜変えることができる。以上の工程を経
て、本実施の形態の反射型フォトマスク１０が完成す
る。
ソグラフィー技術により吸収体層１４ａをパターニング
して吸収体パターン１４とする。この際には、吸収体層
１４ａ上に所望のパターン形状を有するレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
マスクとしてＥＣＲリアクティブエッチング法を用い、
吸収体層１４ａの材料がＴａＮの場合、例えばＥＣＲ方
式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/mi
n、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３
０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で吸収
体層１４ａのエッチングを行う。吸収体層１４ａのエッ
チング工程においては、エッチングをジャストエッチン
グの状態で止めれば、反射領域上のＲｕバッファ層１３
の膜厚が他の領域（吸収領域）の膜厚と同一となる。こ
れに対して、若干のオーバーエッチングを行えば、図３
に示すように、結果的に反射領域上のＲｕバッファ層１
３の膜厚が他の領域（吸収領域）よりも薄くなるが、こ
のようになったとしても何ら支障がない。この後、必要
に応じてＦＩＢを用いたマスクリペアを行う。マスクリ
ペアにはＦＩＢの他、ＧＡＥ（gas-assisted etching）
を用いることもできる。その場合、エッチングガスには
主としてＢｒ2を用いるが、吸収体およびバッファ層の
材料によって適宜変えることができる。以上の工程を経
て、本実施の形態の反射型フォトマスク１０が完成す
る。
【００３１】本実施の形態によれば、２段階エッチング
を用いた従来例のように製造工程を複雑にすることな
く、反射領域上のＲｕバッファ層１３を残しているの
で、製造工程における反射層１２表面の損傷を確実に防
止することができ、反射率の低下を招くことがない。
を用いた従来例のように製造工程を複雑にすることな
く、反射領域上のＲｕバッファ層１３を残しているの
で、製造工程における反射層１２表面の損傷を確実に防
止することができ、反射率の低下を招くことがない。
【００３２】ただし、本実施の形態の場合、反射領域上
にＲｕバッファ層１３が存在しているので、反射率の低
下が懸念される。図１０は、反射層上に残すバッファ層
としてＳｉＯ2とＲｕを用いた場合の反射率の膜厚依存
性を示すシミュレーション結果であり、横軸が膜厚（ｎ
ｍ）、縦軸が反射率である。シミュレーション条件は、
反射層の積層構造を上からＳｉＯ2（Ｓｉ上の自然酸化
膜を想定、膜厚２ｎｍ）、Ｓｉ（膜厚４．１４ｎｍ）／
Ｍｏ（膜厚２．７６ｎｍ）の対を４０層積層した多層膜
の上にＳｉＯ2、Ｒｕのバッファ層をそれぞれ積層した
ものとし、ＥＵＶ光の波長を１３．５ｎｍ、光入射角を
０°とした。
にＲｕバッファ層１３が存在しているので、反射率の低
下が懸念される。図１０は、反射層上に残すバッファ層
としてＳｉＯ2とＲｕを用いた場合の反射率の膜厚依存
性を示すシミュレーション結果であり、横軸が膜厚（ｎ
ｍ）、縦軸が反射率である。シミュレーション条件は、
反射層の積層構造を上からＳｉＯ2（Ｓｉ上の自然酸化
膜を想定、膜厚２ｎｍ）、Ｓｉ（膜厚４．１４ｎｍ）／
Ｍｏ（膜厚２．７６ｎｍ）の対を４０層積層した多層膜
の上にＳｉＯ2、Ｒｕのバッファ層をそれぞれ積層した
ものとし、ＥＵＶ光の波長を１３．５ｎｍ、光入射角を
０°とした。
【００３３】ＳｉＯ2バッファ層の場合（図中破線で示
す）、曲線が多少波打ちながらも膜厚が増加するにつれ
て反射率が約０．７５から徐々に低下する傾向にある。
これに対して、Ｒｕバッファ層の場合（図中実線で示
す）、ＳｉＯ2の場合に比べて曲線の波が大きくなり、
膜厚ｔが０＜ｔ≦３ｎｍの範囲ではバッファ層がない場
合に比べてむしろ反射率が向上することがわかった。し
たがって、Ｒｕバッファ層を残す場合、例えばバッファ
層がない場合に対して反射率が１０％低下する点までを
許容するならば膜厚は６ｎｍ程度というように、製造す
るフォトマスクにおいて、欲しい反射率に応じて膜厚を
適宜設定することができる。上述したように、バッファ
層がない場合よりも反射率を大きくできるという点から
すれば、Ｒｕバッファ層の膜厚を３ｎｍ以下とすること
が望ましい。
す）、曲線が多少波打ちながらも膜厚が増加するにつれ
て反射率が約０．７５から徐々に低下する傾向にある。
これに対して、Ｒｕバッファ層の場合（図中実線で示
す）、ＳｉＯ2の場合に比べて曲線の波が大きくなり、
膜厚ｔが０＜ｔ≦３ｎｍの範囲ではバッファ層がない場
合に比べてむしろ反射率が向上することがわかった。し
たがって、Ｒｕバッファ層を残す場合、例えばバッファ
層がない場合に対して反射率が１０％低下する点までを
許容するならば膜厚は６ｎｍ程度というように、製造す
るフォトマスクにおいて、欲しい反射率に応じて膜厚を
適宜設定することができる。上述したように、バッファ
層がない場合よりも反射率を大きくできるという点から
すれば、Ｒｕバッファ層の膜厚を３ｎｍ以下とすること
が望ましい。
【００３４】［第２の実施の形態］以下、本発明の第２
の実施の形態を図４、図５を参照して説明する。図４は
本実施の形態の反射型フォトマスクを示す断面図、図５
はこの反射型フォトマスクの製造方法を説明するための
工程断面図である。本実施の形態では、第１の実施の形
態とは逆に、金属膜からなるバッファ層を反射領域上に
残さない形態の例を説明する。
の実施の形態を図４、図５を参照して説明する。図４は
本実施の形態の反射型フォトマスクを示す断面図、図５
はこの反射型フォトマスクの製造方法を説明するための
工程断面図である。本実施の形態では、第１の実施の形
態とは逆に、金属膜からなるバッファ層を反射領域上に
残さない形態の例を説明する。
【００３５】本実施の形態の反射型フォトマスク２０
は、図４に示すように、シリコン、ガラス等からなる基
板２１上にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射層２２が形成
されている。反射層２２の材料としては、Ｍｏ／Ｓｉの
他、第１の実施の形態で例示したものと同じものを用い
ることができる。モリブデン、シリコン単層の膜厚や積
層数も第１の実施の形態と同様である。
は、図４に示すように、シリコン、ガラス等からなる基
板２１上にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射層２２が形成
されている。反射層２２の材料としては、Ｍｏ／Ｓｉの
他、第１の実施の形態で例示したものと同じものを用い
ることができる。モリブデン、シリコン単層の膜厚や積
層数も第１の実施の形態と同様である。
【００３６】反射層２２上に所定のパターン形状を有す
るルテニウム（Ｒｕ）からなるバッファ層２３が形成さ
れ、Ｒｕバッファ層２３上にはＲｕバッファ層２３と同
一のパターン形状を有する吸収体パターン２４が形成さ
れている。反射型フォトマスク２０のうち、吸収体パタ
ーン２４で覆われた領域が吸収領域Ａ、吸収体パターン
２４およびＲｕバッファ層２３がなく、反射層２２の表
面が露出した領域が反射領域Ｒとなる。Ｒｕ以外のバッ
ファ層２３の材料および膜厚は第１の実施の形態と同様
でよい。吸収体パターン２４の材料および膜厚も第１の
実施の形態と同様でよい。
るルテニウム（Ｒｕ）からなるバッファ層２３が形成さ
れ、Ｒｕバッファ層２３上にはＲｕバッファ層２３と同
一のパターン形状を有する吸収体パターン２４が形成さ
れている。反射型フォトマスク２０のうち、吸収体パタ
ーン２４で覆われた領域が吸収領域Ａ、吸収体パターン
２４およびＲｕバッファ層２３がなく、反射層２２の表
面が露出した領域が反射領域Ｒとなる。Ｒｕ以外のバッ
ファ層２３の材料および膜厚は第１の実施の形態と同様
でよい。吸収体パターン２４の材料および膜厚も第１の
実施の形態と同様でよい。
【００３７】以下、上記構成の反射型フォトマスク２０
の製造方法について説明する。まず図５（ａ）に示すよ
うに、基板２１上の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反
射層２２を形成する。この際には、成膜法として例えば
ＲＦマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパ
ッタリング法を用いる。なお、スパッタリング条件は使
用する装置によって変わる。ＭｏとＳｉを７ｎｍ周期で
切り換えて成膜して１３．４ｎｍ波長領域で最も大きい
反射率を持つように形成する。１周期中のＭｏの割合は
約４０％であって、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ、Ｓｉの
膜厚は約４．２ｎｍである。層数は、まずＭｏ／Ｓｉを
４０対成膜した後、最後にＳｉを成膜するので、合計で
８１層となる。
の製造方法について説明する。まず図５（ａ）に示すよ
うに、基板２１上の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反
射層２２を形成する。この際には、成膜法として例えば
ＲＦマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパ
ッタリング法を用いる。なお、スパッタリング条件は使
用する装置によって変わる。ＭｏとＳｉを７ｎｍ周期で
切り換えて成膜して１３．４ｎｍ波長領域で最も大きい
反射率を持つように形成する。１周期中のＭｏの割合は
約４０％であって、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ、Ｓｉの
膜厚は約４．２ｎｍである。層数は、まずＭｏ／Ｓｉを
４０対成膜した後、最後にＳｉを成膜するので、合計で
８１層となる。
【００３８】次に、図５（ｂ）に示すように、反射層２
２上の全面にＲｕからなるバッファ層２３ａを成膜す
る。この際には、ＤＣスパッタリング法を用い、スパッ
タリング条件は、例えばＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：
０．３Ｐａ、Ａｒガス雰囲気下とする。
２上の全面にＲｕからなるバッファ層２３ａを成膜す
る。この際には、ＤＣスパッタリング法を用い、スパッ
タリング条件は、例えばＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：
０．３Ｐａ、Ａｒガス雰囲気下とする。
【００３９】次に、図５（ｃ）に示すように、さらにＲ
ｕバッファ層２３ａ上の全面にＴａＮ等の吸収体層２４
ａを成膜する。この際、吸収体層１４ａの材料が窒化物
の場合には反応性スパッタリング法を用い、その他の場
合にはＤＣスパッタリング法を用いる。
ｕバッファ層２３ａ上の全面にＴａＮ等の吸収体層２４
ａを成膜する。この際、吸収体層１４ａの材料が窒化物
の場合には反応性スパッタリング法を用い、その他の場
合にはＤＣスパッタリング法を用いる。
【００４０】次に、図５（ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術により吸収体層２４ａをパターニング
して吸収体パターン２４とする。この際には、吸収体層
２４ａ上に所望のパターン形状を有するレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
マスクとしてＥＣＲリアクティブエッチング法を用い、
吸収体層１４ａの材料がＴａＮの場合、例えばＥＣＲ方
式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/mi
n、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３
０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で少な
くともＲｕバッファ層２３ａ表面が露出するまで吸収体
層２４ａのエッチングを行う。本実施の形態の場合、こ
の後でＲｕバッファ層２３ａもエッチングしてしまうの
で、ジャストエッチングでもオーバーエッチングでも特
にかまわない。この後、必要に応じてＦＩＢを用いたマ
スクリペアを行う。
ソグラフィー技術により吸収体層２４ａをパターニング
して吸収体パターン２４とする。この際には、吸収体層
２４ａ上に所望のパターン形状を有するレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
マスクとしてＥＣＲリアクティブエッチング法を用い、
吸収体層１４ａの材料がＴａＮの場合、例えばＥＣＲ方
式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/mi
n、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３
０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で少な
くともＲｕバッファ層２３ａ表面が露出するまで吸収体
層２４ａのエッチングを行う。本実施の形態の場合、こ
の後でＲｕバッファ層２３ａもエッチングしてしまうの
で、ジャストエッチングでもオーバーエッチングでも特
にかまわない。この後、必要に応じてＦＩＢを用いたマ
スクリペアを行う。
【００４１】次に、図５（ｅ）に示すように、吸収体パ
ターン２４をマスクとしてＲｕバッファ層２３ａのエッ
チングを行う。本実施の形態の場合、ここで問題となる
のがＲｕバッファ層２３ａのエッチング時に反射層２２
の表面に損傷が生じないかという点である。本発明者ら
は、ＥＣＲ（Electron Cycrotron Resonance）方式のド
ライエッチング装置を用い、使用ガス：Ｃｌ2／Ｏ2（Ｃ
ｌ2含有量：３０％）、ＥＣＲパワー：３００Ｗ、ＲＦ
バイアスパワー：３０Ｗ、基板温度：５０℃の条件下で
Ｒｕバッファ層のエッチングを実際に行ったところ、ス
パッタリング法により形成したアモルファスＳｉ（反射
層の最上層）に対して１９．３：１という高いエッチン
グ選択比を得ることができた。
ターン２４をマスクとしてＲｕバッファ層２３ａのエッ
チングを行う。本実施の形態の場合、ここで問題となる
のがＲｕバッファ層２３ａのエッチング時に反射層２２
の表面に損傷が生じないかという点である。本発明者ら
は、ＥＣＲ（Electron Cycrotron Resonance）方式のド
ライエッチング装置を用い、使用ガス：Ｃｌ2／Ｏ2（Ｃ
ｌ2含有量：３０％）、ＥＣＲパワー：３００Ｗ、ＲＦ
バイアスパワー：３０Ｗ、基板温度：５０℃の条件下で
Ｒｕバッファ層のエッチングを実際に行ったところ、ス
パッタリング法により形成したアモルファスＳｉ（反射
層の最上層）に対して１９．３：１という高いエッチン
グ選択比を得ることができた。
【００４２】また、従来のバッファ層材料であるＳｉＯ
2と本実施の形態で用いたＲｕとで吸収体層の材料であ
るＴａＮのエッチングにおけるエッチング選択比を比較
した。使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/min、Ｅ
ＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３０Ｗ、
圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で実際にエッ
チングを行ったところ、エッチング選択比はＳｉＯ2に
対して８：１であったのに対し、Ｒｕに対しては３０：
１という高いエッチング選択比が得られた。
2と本実施の形態で用いたＲｕとで吸収体層の材料であ
るＴａＮのエッチングにおけるエッチング選択比を比較
した。使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/min、Ｅ
ＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３０Ｗ、
圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で実際にエッ
チングを行ったところ、エッチング選択比はＳｉＯ2に
対して８：１であったのに対し、Ｒｕに対しては３０：
１という高いエッチング選択比が得られた。
【００４３】このように、本実施の形態によれば、第１
の実施の形態と異なり反射領域上のＲｕバッファ層２３
ａをエッチング、除去しても、エッチング条件の制御に
よって反射層２２の表面のオーバーエッチングを充分に
抑制することができ、反射率の低下を防止することがで
きる。
の実施の形態と異なり反射領域上のＲｕバッファ層２３
ａをエッチング、除去しても、エッチング条件の制御に
よって反射層２２の表面のオーバーエッチングを充分に
抑制することができ、反射率の低下を防止することがで
きる。
【００４４】［第３の実施の形態］以下、本発明の第３
の実施の形態を図６〜図８を参照して説明する。図６は
本実施の形態の反射型フォトマスクを示す断面図、図７
はこの反射型フォトマスクの製造方法を説明するための
工程断面図である。本実施の形態では、金属膜からなる
第１のバッファ層上に半導体材料系からなる第２のバッ
ファ層を形成した形態の例を説明する。
の実施の形態を図６〜図８を参照して説明する。図６は
本実施の形態の反射型フォトマスクを示す断面図、図７
はこの反射型フォトマスクの製造方法を説明するための
工程断面図である。本実施の形態では、金属膜からなる
第１のバッファ層上に半導体材料系からなる第２のバッ
ファ層を形成した形態の例を説明する。
【００４５】本実施の形態の反射型フォトマスク３０
は、図６に示すように、シリコン、ガラス等からなる基
板３１上にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射層３２が形成
されている。反射層３２の材料としては、Ｍｏ／Ｓｉの
他、第１の実施の形態で例示したものと同じものを用い
ることができる。モリブデン、シリコン単層の膜厚や積
層数も第１の実施の形態と同様である。
は、図６に示すように、シリコン、ガラス等からなる基
板３１上にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射層３２が形成
されている。反射層３２の材料としては、Ｍｏ／Ｓｉの
他、第１の実施の形態で例示したものと同じものを用い
ることができる。モリブデン、シリコン単層の膜厚や積
層数も第１の実施の形態と同様である。
【００４６】反射層３２上の全面にルテニウム（Ｒｕ）
からなる第１のバッファ層３３が形成され、第１のバッ
ファ層３３上には所定のパターンを有する第２のバッフ
ァ層３４が形成され、さらに第２のバッファ層３４上に
吸収体パターン３５が形成されている。反射型フォトマ
スク３０の全面のうち、吸収体パターン３５で覆われた
領域が吸収領域Ａ、吸収体パターン３５および第２のバ
ッファ層３４がなく、第１のバッファ層３３の表面が露
出した領域が反射領域Ｒとなる。Ｒｕ以外の第１のバッ
ファ層３３の材料および膜厚は第１の実施の形態と同様
でよい。第２のバッファ層３４の材料には、シリコン酸
化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜のいずれか
を用いることができる。第２のバッファ層３４の膜厚
は、数十〜１００ｎｍ程度でよい。吸収体パターン３５
の材料および膜厚は第１の実施の形態と同様でよい。
からなる第１のバッファ層３３が形成され、第１のバッ
ファ層３３上には所定のパターンを有する第２のバッフ
ァ層３４が形成され、さらに第２のバッファ層３４上に
吸収体パターン３５が形成されている。反射型フォトマ
スク３０の全面のうち、吸収体パターン３５で覆われた
領域が吸収領域Ａ、吸収体パターン３５および第２のバ
ッファ層３４がなく、第１のバッファ層３３の表面が露
出した領域が反射領域Ｒとなる。Ｒｕ以外の第１のバッ
ファ層３３の材料および膜厚は第１の実施の形態と同様
でよい。第２のバッファ層３４の材料には、シリコン酸
化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜のいずれか
を用いることができる。第２のバッファ層３４の膜厚
は、数十〜１００ｎｍ程度でよい。吸収体パターン３５
の材料および膜厚は第１の実施の形態と同様でよい。
【００４７】以下、上記構成の反射型フォトマスク３０
の製造方法について説明する。まず図７（ａ）に示すよ
うに、基板３１上の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反
射層３２を形成する。この際には、成膜法として例えば
ＲＦマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパ
ッタリング法を用いる。なお、スパッタリング条件は使
用する装置によって変わる。ＭｏとＳｉを７ｎｍ周期で
切り換えて成膜して１３．４ｎｍ波長領域で最も大きい
反射率を持つように形成する。１周期中のＭｏの割合は
約４０％であって、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ、Ｓｉの
膜厚は約４．２ｎｍである。層数は、まずＭｏ／Ｓｉを
４０対成膜した後、最後にＳｉを成膜するので、合計で
８１層となる。
の製造方法について説明する。まず図７（ａ）に示すよ
うに、基板３１上の全面にＭｏ／Ｓｉ多層膜からなる反
射層３２を形成する。この際には、成膜法として例えば
ＲＦマグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパ
ッタリング法を用いる。なお、スパッタリング条件は使
用する装置によって変わる。ＭｏとＳｉを７ｎｍ周期で
切り換えて成膜して１３．４ｎｍ波長領域で最も大きい
反射率を持つように形成する。１周期中のＭｏの割合は
約４０％であって、Ｍｏの膜厚は約２．８ｎｍ、Ｓｉの
膜厚は約４．２ｎｍである。層数は、まずＭｏ／Ｓｉを
４０対成膜した後、最後にＳｉを成膜するので、合計で
８１層となる。
【００４８】次に、図７（ｂ）に示すように、反射層３
２上の全面にＲｕからなる第１のバッファ層３３を成膜
する。この際には、ＤＣスパッタリング法を用い、スパ
ッタリング条件は、例えばＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：
０．３Ｐａ、Ａｒガス雰囲気下とする。
２上の全面にＲｕからなる第１のバッファ層３３を成膜
する。この際には、ＤＣスパッタリング法を用い、スパ
ッタリング条件は、例えばＤＣパワー：１ｋＷ、圧力：
０．３Ｐａ、Ａｒガス雰囲気下とする。
【００４９】次に、図７（ｃ）に示すように、第１のバ
ッファ層３３上の全面にＳｉＯx等からなる第２のバッ
ファ層３４ａを成膜する。この際には反射層の反射率の
変化を最小限に抑えるために低温蒸着が有利であるた
め、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法が用いられ
る。低温蒸着に際し、ＳｉＯxの場合にはＲＦスパッタ
リング法が主として用いられ、ＳｉＯＮの場合にはプラ
ズマＣＶＤ法が主として用いられる。
ッファ層３３上の全面にＳｉＯx等からなる第２のバッ
ファ層３４ａを成膜する。この際には反射層の反射率の
変化を最小限に抑えるために低温蒸着が有利であるた
め、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法が用いられ
る。低温蒸着に際し、ＳｉＯxの場合にはＲＦスパッタ
リング法が主として用いられ、ＳｉＯＮの場合にはプラ
ズマＣＶＤ法が主として用いられる。
【００５０】次に、図７（ｄ）に示すように、さらに第
２のバッファ層３４ａ上の全面にＴａＮ等からなる吸収
体層３５ａを成膜する。この際、吸収体層１４ａの材料
が窒化物の場合には反応性スパッタリング法を用い、そ
の他の場合にはＤＣスパッタリング法を用いる。
２のバッファ層３４ａ上の全面にＴａＮ等からなる吸収
体層３５ａを成膜する。この際、吸収体層１４ａの材料
が窒化物の場合には反応性スパッタリング法を用い、そ
の他の場合にはＤＣスパッタリング法を用いる。
【００５１】次に、図７（ｅ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー技術により吸収体層３５ａをパターニング
して吸収体パターン３５とする。この際には、吸収体層
３５ａ上に所望のパターン形状を有するレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
マスクとしてＥＣＲリアクティブエッチング法を用い、
吸収体層１４ａの材料がＴａＮの場合、例えばＥＣＲ方
式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/mi
n、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３
０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で少な
くとも第２のバッファ層３４ａの表面が露出するまで吸
収体層３５ａのエッチングを行う。この後、必要に応じ
てＦＩＢを用いたマスクリペアを行う。
ソグラフィー技術により吸収体層３５ａをパターニング
して吸収体パターン３５とする。この際には、吸収体層
３５ａ上に所望のパターン形状を有するレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
マスクとしてＥＣＲリアクティブエッチング法を用い、
吸収体層１４ａの材料がＴａＮの場合、例えばＥＣＲ方
式を用いて使用ガス：Ｃｌ2／Ａｒ＝８０／４０ml/mi
n、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワー：３
０Ｗ、圧力：５Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下で少な
くとも第２のバッファ層３４ａの表面が露出するまで吸
収体層３５ａのエッチングを行う。この後、必要に応じ
てＦＩＢを用いたマスクリペアを行う。
【００５２】次に、図７（ｆ）に示すように、吸収体パ
ターン３５をマスクとして第２のバッファ層３４ａのエ
ッチングを行う。この際には、第２のバッファ層３４ａ
の材料がＳｉＯxの場合には、例えばＥＣＲ方式を用い
て使用ガス：Ａｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2＝２００／１０／２０m
l/min、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワ
ー：１５Ｗ、圧力：１Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下
で少なくとも第１のバッファ層３３の表面が露出するま
で第２のバッファ層３４ａのエッチングを行う。また、
第２のバッファ層３４ａの材料がＳｉＯＮの場合には、
フッ素系のエッチングガスを用いてエッチングが可能で
ある。このエッチング工程においては、第１のバッファ
層３３がエッチングストッパの役目を果たす。本発明者
が実際にエッチングを行ったところ、エッチングガスと
してＡｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2ガスを用いた場合、ＳｉＯx膜に
対しては、エッチングレートは７０ｎｍ／分以上となっ
た。これに対して、Ｒｕ膜の場合、同一のエッチングガ
スを用いても測定不可能な極少量しかエッチングされ
ず、充分にエッチングストッパとして機能することが確
認された。エッチング条件によっては、図８に示すよう
に、第１のバッファ層３３の表面がわずかにエッチング
され、反射領域上の第１のバッファ層３３の膜厚が他の
領域（吸収領域）よりも薄くなることもあるが、特に問
題とはならない。以上の工程により、本実施の形態の反
射型フォトマスク３０が完成する。
ターン３５をマスクとして第２のバッファ層３４ａのエ
ッチングを行う。この際には、第２のバッファ層３４ａ
の材料がＳｉＯxの場合には、例えばＥＣＲ方式を用い
て使用ガス：Ａｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2＝２００／１０／２０m
l/min、ＥＣＲパワー：６００Ｗ、ＲＦバイアスパワ
ー：１５Ｗ、圧力：１Ｐａ、基板温度：５０℃の条件下
で少なくとも第１のバッファ層３３の表面が露出するま
で第２のバッファ層３４ａのエッチングを行う。また、
第２のバッファ層３４ａの材料がＳｉＯＮの場合には、
フッ素系のエッチングガスを用いてエッチングが可能で
ある。このエッチング工程においては、第１のバッファ
層３３がエッチングストッパの役目を果たす。本発明者
が実際にエッチングを行ったところ、エッチングガスと
してＡｒ／Ｃ4Ｆ8／Ｏ2ガスを用いた場合、ＳｉＯx膜に
対しては、エッチングレートは７０ｎｍ／分以上となっ
た。これに対して、Ｒｕ膜の場合、同一のエッチングガ
スを用いても測定不可能な極少量しかエッチングされ
ず、充分にエッチングストッパとして機能することが確
認された。エッチング条件によっては、図８に示すよう
に、第１のバッファ層３３の表面がわずかにエッチング
され、反射領域上の第１のバッファ層３３の膜厚が他の
領域（吸収領域）よりも薄くなることもあるが、特に問
題とはならない。以上の工程により、本実施の形態の反
射型フォトマスク３０が完成する。
【００５３】本実施の形態によれば、２段階エッチング
を用いた従来例のように製造工程を複雑にすることな
く、反射領域上のＲｕの第１のバッファ層３３を残して
いるので、製造工程における反射層３２表面の損傷を確
実に防止することができ、反射率の低下を招くことがな
い、という第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
また、第１の実施の形態と同様、反射領域上にＲｕの第
１のバッファ層３３が存在していることで反射率の低下
が懸念されても、膜厚の制御によりその問題を充分に回
避することができる。バッファ層がない場合よりも反射
率を大きくできるという点からすれば、膜厚を３ｎｍ以
下とすることが望ましい。
を用いた従来例のように製造工程を複雑にすることな
く、反射領域上のＲｕの第１のバッファ層３３を残して
いるので、製造工程における反射層３２表面の損傷を確
実に防止することができ、反射率の低下を招くことがな
い、という第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
また、第１の実施の形態と同様、反射領域上にＲｕの第
１のバッファ層３３が存在していることで反射率の低下
が懸念されても、膜厚の制御によりその問題を充分に回
避することができる。バッファ層がない場合よりも反射
率を大きくできるという点からすれば、膜厚を３ｎｍ以
下とすることが望ましい。
【００５４】［第４の実施の形態］以下、本発明の第４
の実施の形態を図９を参照して説明する。図９は本実施
の形態の反射型フォトマスクを示す断面図である。本実
施の形態の反射型フォトマスクの構成は第１の実施の形
態とほぼ同様であり、異なる点は基板と反射層との間に
応力緩和層が追加された点のみである。したがって、図
９において図１と共通の構成要素には同一の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
の実施の形態を図９を参照して説明する。図９は本実施
の形態の反射型フォトマスクを示す断面図である。本実
施の形態の反射型フォトマスクの構成は第１の実施の形
態とほぼ同様であり、異なる点は基板と反射層との間に
応力緩和層が追加された点のみである。したがって、図
９において図１と共通の構成要素には同一の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
【００５５】本実施の形態の反射型フォトマスク４０
は、図９に示すように、Ｓｉ、ガラス等からなる基板１
１上に応力緩和層４１が形成され、応力緩和層４１上に
Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射層１２が形成されてい
る。そして、反射層１２上にＲｕバッファ層１３が形成
され、その上に吸収体パターン１４が形成されている点
は、第１の実施の形態と同様である。応力緩和層４１に
用いる材料の一例としては、Ｒｕ、Ｍｏ等を挙げること
ができる。
は、図９に示すように、Ｓｉ、ガラス等からなる基板１
１上に応力緩和層４１が形成され、応力緩和層４１上に
Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる反射層１２が形成されてい
る。そして、反射層１２上にＲｕバッファ層１３が形成
され、その上に吸収体パターン１４が形成されている点
は、第１の実施の形態と同様である。応力緩和層４１に
用いる材料の一例としては、Ｒｕ、Ｍｏ等を挙げること
ができる。
【００５６】本実施の形態においても、製造工程を複雑
にすることなく、製造工程における反射層表面の損傷を
確実に防止でき、反射率の低下が生じることがない、と
いう第１の実施の形態と同様の効果が得られる。それに
加えて本実施の形態の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる
反射層１２が持つ内部応力とＲｕ、Ｍｏ等の単層膜から
なる応力緩和層４１が持つ内部応力の向きが逆であるた
め、反射層１２の内部応力が相殺されて緩和され、フォ
トマスクの反りを防止することができる。
にすることなく、製造工程における反射層表面の損傷を
確実に防止でき、反射率の低下が生じることがない、と
いう第１の実施の形態と同様の効果が得られる。それに
加えて本実施の形態の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる
反射層１２が持つ内部応力とＲｕ、Ｍｏ等の単層膜から
なる応力緩和層４１が持つ内部応力の向きが逆であるた
め、反射層１２の内部応力が相殺されて緩和され、フォ
トマスクの反りを防止することができる。
【００５７】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態で例示した各層の材料、膜厚、製造
プロセスにおける各種工程条件等の具体的な記載はほん
の一例にすぎず、適宜変更が可能である。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態で例示した各層の材料、膜厚、製造
プロセスにおける各種工程条件等の具体的な記載はほん
の一例にすぎず、適宜変更が可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
反射型フォトマスクによれば、製造工程を複雑にするこ
となく、製造工程における反射層表面の損傷を防止で
き、反射率が低下するのを防止することができる。その
結果、ＥＵＶ領域の露光波長を利用した微細加工に好適
なものとなる。
反射型フォトマスクによれば、製造工程を複雑にするこ
となく、製造工程における反射層表面の損傷を防止で
き、反射率が低下するのを防止することができる。その
結果、ＥＵＶ領域の露光波長を利用した微細加工に好適
なものとなる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態の反射型フォトマ
スクを示す断面図である。
スクを示す断面図である。
【図２】 同、反射型フォトマスクの製造プロセスを順
を追って示す工程断面図である。
を追って示す工程断面図である。
【図３】 同、反射型フォトマスクの他の例を示す断面
図である。
図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態の反射型フォトマ
スクを示す断面図である。
スクを示す断面図である。
【図５】 同、反射型フォトマスクの製造プロセスを順
を追って示す工程断面図である。
を追って示す工程断面図である。
【図６】 本発明の第１の実施の形態の反射型フォトマ
スクを示す断面図である。
スクを示す断面図である。
【図７】 同、反射型フォトマスクの製造プロセスを順
を追って示す工程断面図である。
を追って示す工程断面図である。
【図８】 同、反射型フォトマスクの他の例を示す断面
図である。
図である。
【図９】 本発明の第１の実施の形態の反射型フォトマ
スクを示す断面図である。
スクを示す断面図である。
【図１０】 バッファ層としてＳｉＯ2とＲｕを用いた
場合の反射率の膜厚依存性を示すシミュレーション結果
である。
場合の反射率の膜厚依存性を示すシミュレーション結果
である。
【図１１】 従来の反射型フォトマスクの一例を示す断
面図である。
面図である。
【図１２】 従来の反射型フォトマスクの他の例を示す
断面図である。
断面図である。
【図１３】 同、反射型フォトマスクの製造プロセスを
順を追って示す工程断面図である。
順を追って示す工程断面図である。
【図１４】 従来の反射型フォトマスクのさらに他の例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１５】 同、反射型フォトマスクの製造プロセスを
順を追って示す工程断面図である。
順を追って示す工程断面図である。
【図１６】 マスクリペア工程の様子を説明するための
図である。
図である。
１０，２０，３０，４０ 反射型フォトマスク １１，２１，３１ 基板 １２，２２，３２ 反射層 １３，２３，２３ａ バッファ層 １４，２４，３５，３５ａ 吸収体パターン １４ａ，２４ａ 吸収体層 ３３ 第１のバッファ層 ３４，３４ａ 第２のバッファ層 ４１ 応力緩和層 Ａ 吸収領域 Ｒ 反射領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 秉澤 神奈川県厚木市森の里若宮３−１ ＮＴＴ 厚木研究開発センタ内 技術研究組合超先 端電子技術開発機構内 (72)発明者 小川 太郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 星野 栄一 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BA07 BA10 BB01 BB35 BC05 BC11 BC24 5F046 GD05 GD10 GD15 GD16
Claims (12)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成され、２種の
異なる膜が交互に積層された多層膜からなる反射層と、
前記反射層上に形成された金属膜からなるバッファ層
と、所定のパターン形状をもって前記バッファ層上に形
成された軟Ｘ線を吸収し得る材料からなる吸収体パター
ンとを有することを特徴とする反射型フォトマスク。 - 【請求項２】 前記バッファ層を構成する金属膜がルテ
ニウムであることを特徴とする請求項１に記載の反射型
フォトマスク。 - 【請求項３】 前記ルテニウムからなる金属膜の膜厚が
３ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の反
射型フォトマスク。 - 【請求項４】 前記吸収体パターンが形成されていない
領域における前記バッファ層の膜厚が他の部分のバッフ
ァ層の膜厚よりも薄くなっていることを特徴とする請求
項１ないし３のいずれか一項に記載の反射型フォトマス
ク。 - 【請求項５】 基板と、前記基板上に形成され、２種の
異なる膜が交互に積層された多層膜からなる反射層と、
前記反射層上に形成された金属膜からなり、所定のパタ
ーン形状を有するバッファ層と、前記バッファ層と同一
のパターン形状をもって前記バッファ層上に形成された
軟Ｘ線を吸収し得る材料からなる吸収体パターンとを有
することを特徴とする反射型フォトマスク。 - 【請求項６】 前記バッファ層を構成する金属膜がルテ
ニウムであることを特徴とする請求項５に記載の反射型
フォトマスク。 - 【請求項７】 基板と、前記基板上に形成され、２種の
異なる膜が交互に積層された多層膜からなる反射層と、
前記反射層上に形成された金属膜からなる第１のバッフ
ァ層と、前記第１のバッファ層上に形成され、所定のパ
ターン形状を有する第２のバッファ層と、前記第２のバ
ッファ層と同一のパターン形状をもって前記第２のバッ
ファ層上に形成された軟Ｘ線を吸収し得る材料からなる
吸収体パターンとを有することを特徴とする反射型フォ
トマスク。 - 【請求項８】 前記第１のバッファ層を構成する金属膜
がルテニウムであることを特徴とする請求項７に記載の
反射型フォトマスク。 - 【請求項９】 前記ルテニウムからなる金属膜の膜厚が
３ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の反
射型フォトマスク。 - 【請求項１０】 前記吸収体パターンが形成されていな
い領域における前記第１のバッファ層の膜厚が他の部分
の第１のバッファ層の膜厚よりも薄くなっていることを
特徴とする請求項７ないし９のいずれか一項に記載の反
射型フォトマスク。 - 【請求項１１】 前記反射層を構成する２種の異なる膜
がモリブデン膜とシリコン膜であることを特徴とする請
求項１ないし１０のいずれか一項に記載の反射型フォト
マスク。 - 【請求項１２】 前記基板と前記反射層との間に、前記
反射層の内部応力を相殺して緩和するための応力緩和層
が設けられたことを特徴とする請求項１ないし１１のい
ずれか一項に記載の反射型フォトマスク。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000314292A JP5371162B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 反射型フォトマスク |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=18793578
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000314292A Expired - Fee Related JP5371162B2 (ja) | 2000-10-13 | 2000-10-13 | 反射型フォトマスク |
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|---|---|
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