KR20140138601A - 다층 반사막 부착 기판, euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다층 반사막 부착 기판, euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 Cl계 가스를 사용한 드라이 에칭이 실시되는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 다층 반사막 부착 기판으로서, 상기 드라이 에칭 및 그 후의 웨트 세정에 의한 보호막의 감손이 매우 적은 다층 반사막 부착 기판 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 다층 반사막 부착 기판으로서, 해당 다층 반사막 부착 기판은 기판과, 해당 기판상에 형성된, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막상에 형성된, 해당 다층 반사막을 보호하는 보호막을 갖고, 해당 보호막은 적어도 2종의 금속을 포함하는 합금으로 이루어지며, 해당 합금은 전율 고용체인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판이다.

Description

다층 반사막 부착 기판, EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTIVE FILM, REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY, METHOD FOR PRODUCING REFLECTIVE MASK FOR EUV LITHOGRAPHY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 염소계 가스를 사용한 드라이 에칭 및 그 후의 웨트 세정에 의한 보호막의 감손이 매우 적은 다층 반사막 부착 기판, 당해 기판으로부터 얻어지는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 당해 마스크 블랭크를 사용한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법 및 해당 제조 방법에 의해 얻어지는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업에 있어서, 반도체 디바이스의 미세화에 수반하여 포토리소그래피법의 전사 한계를 상회하는 미세 패턴이 필요해지고 있다. 그래서 이와 같은 미세 패턴의 전사를 가능하게 하기 위해, 보다 파장이 짧은 극단자외(Extreme Ultra Violet, 이하, EUV로 칭한다) 광을 이용한 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시 되고 있다. 또한 여기에서 EUV광이란 연X선 영역 또는 진공 자외선 영역 파장대의 광을 가리키며, 구체적으로는 파장이 0.2∼100nm 정도의 광인 것이다.
이 EUV 리소그래피에 있어서 이용되는 반사형 마스크는 유리나 실리콘 등의 기판상에 EUV광을 반사하는 다층 반사막 및 EUV광을 흡수하는 흡수체막이 순차 형성되고, 그 흡수체막과 다층 반사막의 사이에, 흡수체막에 전사 패턴을 형성할 때에 다층 반사막을 보호하기 위한 보호막이 형성된 구조를 취하고 있는 것이 일반적이다.
상기와 같이 흡수체막에는 소정의 전사 패턴이 형성되어 있다. 패턴 전사를 실시하는 노광기에 있어서, 반사형 마스크에 입사한 광은 흡수체막 패턴이 있는 부분에서는 흡수되고, 흡수체막 패턴이 없는 부분에서는 다층 반사막에 의해 반사된다. 그리고 반사된 광상(光像)이 반사광학계를 통과하여 실리콘 웨이퍼 등의 피전사체상에 전사된다.
상기 흡수체막에 있어서의 전사 패턴의 형성에는 예를 들면, 기판상에 상기 다층 반사막, 보호막 및 흡수체막이 이 순서로 형성되어 이루어지는 EUV 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막상에 레지스트 패턴을 형성하고, 해당 레지스트 패턴을 마스크로 하여 흡수체막을 드라이 에칭 등으로 에칭하여 레지스트 패턴을 제거하는 방법이 취해진다(예를 들면, 흡수체막이 Ta계 재료인 경우, Cl계 가스의 드라이 에칭으로 흡수체막 패턴을 형성한다.).
이와 같은 방법에 있어서는 흡수체막 패턴 형성의 완전을 기하기 위해 약간의 오버 에칭을 실시하기 때문에, 흡수체막 아래의 막도 에칭되게 된다. 그래서 에칭에 의한 다층 반사막 표면의 손상을 방지하기 위해 일반적으로 다층 반사막상에 보호막이 설치되어 있는데, 이 보호막으로서 Ru로 이루어지는 보호막이 제안되어 있다(특허문헌 1). 또한 다층 반사막 표층의 Si층과 보호막 사이에서의 확산층 형성(다층 반사막의 반사율 감소로 연결된다)을 억제하는 관점에서 Ru에 Zr이나 B를 첨가한 Ru합금으로 이루어지는 보호막이 제안되어 있다(특허문헌 2).
일본국 특개2002-122981호 공보 일본국 특개2008-016821호 공보
통상, EUV 반사형 마스크의 제조 공정에 있어서, 흡수체막 패턴을 형성한 후에 레지스트 제거 등을 위해 산성이나 알칼리성의 수용액(약액)을 이용한 웨트 세정이 실시된다. 또, 반도체 장치의 제조에 있어서도 노광시에 반사형 마스크에 부착한 이물을 제거하기 위해 약액을 이용한 웨트 세정이 실시된다. 이들의 세정은 반사형 마스크의 이물 등의 오염 상황에 따라 어느 정도의 청정도가 얻어지기까지 복수회 실시된다.
여기에서 특허문헌 1, 2에 기재한 Ru보호막이나 Ru-(Zr, B)의 Ru합금 보호막은 마스크 세정 후의 감막(減膜)이 현저하고, 경우에 따라서는 보호막 전체가 소실되어 버린다는 문제가 발생한다.
본 발명자들은 이 보호막의 감막 또는 소실에 대해 검토하여, 흡수체막 패턴 형성 시에 사용하는 Cl계 가스에 의해 Ru염화물 또는 Ru-(Zr, B) 염화물이 생성되고, 그것에 이어지는 약액 세정에 의해, 상기 Ru염화물 또는 Ru-(Zr, B) 염화물과 함께 Ru보호막 또는 Ru-(Zr, B) 보호막이 감막 혹은 소실하는 것을 SEM 사진에 의해 확인했다.
그래서 본 발명은 Cl계 가스를 사용한 드라이 에칭이 실시되는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 다층 반사막 부착 기판으로서, 상기 드라이 에칭 및 그 후의 웨트 세정에 의한 보호막의 감손이 매우 적은 다층 반사막 부착 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 해당 다층 반사막 부착 기판을 사용하여 제조되는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 해당 마스크 블랭크를 이용한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법 및 해당 제조 방법에 의해 얻어진 마스크를 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 하고 있다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 검토를 실시한 결과, 전율 고용체인 합금을 보호막 재료로서 사용하면, 얻어지는 보호막은 Cl계 가스에 의한 드라이 에칭 및 그것에 이어지는 웨트 세정이 이루어져도 그 감손이 매우 적은 것을 찾아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 다층 반사막 부착 기판으로서,
해당 다층 반사막 부착 기판은 기판과, 해당 기판상에 형성된, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 해당 다층 반사막상에 형성된, 해당 다층 반사막을 보호하는 보호막을 갖고,
해당 보호막은 적어도 2종의 금속을 포함하는 합금으로 이루어지고, 해당 합금은 전율 고용체인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판을 제공한다.
상기 합금은 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금, 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금, 니켈(Ni)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금, 금(Au)과 은(Ag)으로 이루어지는 합금, 은(Ag)과 주석(Sn)으로 이루어지는 합금, 은(Ag)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금 또는 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)으로 이루어지는 합금인 것이 바람직하고, 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금, 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금, 니켈(Ni)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금 또는 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)으로 이루어지는 합금인 것이 보다 바람직하고, 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금 또는 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금인 것이 특히 바람직하다.
상기 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금 및 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금에 있어서, 루테늄(Ru)의 상기 합금 중 함유량은 75원자％ 이상, 99.5원자％ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 다층 반사막 부착 기판과, 해당 기판에 있어서의 보호막상에 형성된, EUV광을 흡수하는 흡수체막을 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크를 제공한다.
상기 흡수체막은 통상 염소(Cl)계 가스의 드라이 에칭으로 에칭 가능한 재료로 이루어지고, 탄탈(Ta)을 포함하는 탄탈 화합물로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 상기 흡수체막을, 염소(Cl)계 가스에 의한 드라이 에칭으로 에칭하여 상기 보호막상에 흡수체막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법에 의해 얻어진 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 사용하여, 피전사체에 전사 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, Cl계 가스를 사용한 드라이 에칭이 실시되는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 다층 반사막 부착 기판으로서, 상기 드라이 에칭 및 그 후의 웨트 세정에 의한 보호막의 감손이 매우 적은 다층 반사막 부착 기판, 해당 다층 반사막 부착 기판을 사용하여 제조되는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 해당 마스크 블랭크를 이용한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법 및 해당 제조 방법에 의해 얻어진 마스크를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
도 1은 본 발명의 다층 반사막 부착 기판의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법을 나타내는 모식도이다.
도 4는 패턴 전사 장치에 의해 레지스트 부착 반도체 기판에 패턴을 전사하는 공정을 나타내는 모식도이다.
도 5는 실시예에 있어서의 보호막 세정 내성 평가의 결과를 나타내는 도면이다. 해당 도면에 있어서의 7개의 바는 각각 왼쪽부터 실시예 시료 1, 실시예 시료 2, 실시예 시료 3, 실시예 시료 4, 실시예 시료 5, 비교예 시료 1 및 비교예 시료 2의 결과를 나타낸다.
이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
[다층 반사막 부착 기판]
　＜기판＞
　도 1은 본 발명의 다층 반사막 부착 기판을 나타내는 모식도이다. 본 발명의 다층 반사막 부착 기판(10)에 사용되는 기판(1)으로는 노광시의 열에 의한 흡수체막 패턴의 일그러짐을 방지하기 위해, 저열 팽창 계수(0±1.0×10-7/℃의 범위 내, 보다 바람직하게는 0±0.3×10-7/℃의 범위 내)를 갖고, 평활성 및 평탄성 그리고 산성이나 알칼리성의 수용액에 대한 내성이 뛰어난 것이 바람직하다. 그와 같은 기판(1)으로서 저열 팽창성의 유리, 예를 들면 TiO2 -SiO2계 유리 등이 이용된다. 그 외에는 β석영 고용체를 석출한 결정화 유리나, 석영 유리, 실리콘이나 금속 기판을 이용할 수도 있다. 상기 금속 기판의 예로는 인바 합금(Fe-Ni계 합금) 등을 들 수 있다.
기판(1)은 0.2nm Rms 이하의 평활한 표면과, 100nm 이하의 평탄도를 갖는 것이, 다층 반사막 부착 기판(10)으로부터 얻어지는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크에 있어서 고반사율 및 고전사 정밀도를 얻기 위해 바람직하다. 또, 기판(1)은 그 위에 형성되는 막(다층 반사막(2) 등)의 막응력에 의한 변형을 방지하기 위해 높은 강성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 특히 기판(1)은 65GPa 이상의 높은 영률을 가지고 있는 것이 바람직하다.
또한 본 명세서에 있어서 평활성을 나타내는 단위 Rms는 제곱 평균 평방근 거칠기이고, 원자간력 현미경으로 측정할 수 있다. 또 본 명세서에서 평탄도는 TIR(Total Indicated Reading)로 나타내어지는 표면의 휨 (변형량)을 나타내는 값으로, 기판 표면을 기준으로 하여 최소 제곱법으로 정해지는 평면을 초평면으로 하고, 이 초평면보다 위에 있는 기판 표면의 가장 높은 위치와, 초평면보다 아래에 있는 기판 표면의 가장 낮은 위치와의 고저차의 절대치이다. 또한 본 발명에 있어서는 평탄도는 142mm×142mm 에어리어에서의 측정치이다.
＜다층 반사막＞
본 발명의 다층 반사막 부착 기판(10)에 있어서는 이상 설명한 기판(1) 위에 다층 반사막(2)이 형성되어 있다. 이 막(2)은 EUV 리소그래피용 반사형 마스크에 있어서 EUV광을 반사하는 기능을 부여하는 것이고, 굴절률이 다른 원소가 주기적으로 적층된 다층막의 구성을 취하고 있다.
다층 반사막(2)은 EUV광을 반사하는 한 그 재질은 특별히 한정되지 않지만, 그 단독에서의 반사율은 통상 65％ 이상이고, 상한은 통상 73％ 이다. 이와 같은 다층 반사막(2)은 일반적으로는 중원소 또는 그 화합물의 박막과, 경원소 또는 그 화합물의 박막이 교대로 40∼60주기 정도 적층된 다층막이다.
예를 들면, 파장 13∼14nm의 EUV광에 대한 다층 반사막(2)으로는 Mo막과 Si막을 교대로 40주기 정도 적층한 Mo/Si주기 적층막이 바람직하게 이용된다. 그 외에, EUV광의 영역에서 사용되는 다층 반사막으로서 Ru/Si주기 다층막, Mo/Be주기 다층막, Mo화합물/Si화합물 주기 다층막, Si/Nb주기 다층막, Si/Mo/Ru주기 다층막, Si/Mo/Ru/Mo주기 다층막, Si/Ru/Mo/Ru주기 다층막 등이 있다.
또한 다층 반사막(2)의 재질이나 각 구성막의 두께는 노광 파장에 의해 적절히 선택하면 되고, 또 상기 두께는 브래그의 법칙을 만족하도록 선택된다. 또, 다층 반사막(2)에 있어서 기판(1)과 접하는 막을 어느 막으로 할지, 또 다층 반사막(2) 위에 형성되는 보호막(3)과 접하는 막을 어느 막으로 할지는 노광 파장에 있어서의 반사율 특성 등을 고려하여 적절히 선택된다.
다층 반사막(2)의 형성 방법은 해당 기술 분야에 있어서 공지이지만, 예를 들면 마그네트론 스퍼터링법이나, 이온빔 스퍼터법 등에 의해 각 층을 성막함으로써 형성할 수 있다. 상술한 Mo/Si주기 다층막의 경우, 예를 들면 이온빔 스퍼터법에 의해 우선 Si타겟을 이용하여 두께 수 nm정도의 Si막을 기판(1)상에 성막하고, 그 후 Mo타겟을 이용하여 두께 수 nm정도의 Mo막을 성막하며, 이것을 1주기로서 40∼60주기 적층하여 다층 반사막(2)을 형성한다.
＜보호막＞
상기에서 형성된 다층 반사막(2) 위에, EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 공정에서의 드라이 에칭이나 웨트 세정으로부터의 다층 반사막(2)의 보호를 위해 보호막(3)을 형성함으로써, 다층 반사막 부착 기판(10)으로서 완성한다.
[해결하려는 과제]에서 설명한 바와 같이, 통상, EUV 반사형 마스크의 제조 공정 및 그 사용 공정에 있어서는 Cl계 가스에 의한 드라이 에칭 및 복수회에 걸친 웨트 세정이 실시된다. 드라이 에칭으로부터 다층 반사막을 보호하기 위한 보호막으로서, Ru보호막이나 Ru-(Zr, B)의 Ru합금 보호막이 제안되어 있지만, 이들은 마스크 세정 후의 감막이 현저하고, 경우에 따라서는 보호막(3) 전체가 소실되어 버려 다층 반사막(2)이 손상을 입는다. 이에 따라 다층 반사막(2)의 반사율이나 평탄성이 손상되어 반사형 마스크에 있어서 뛰어난 품질을 달성할 수 없다. 또 반사형 마스크는 그 사용 공정에서도 웨트 세정되므로, 당초 품질이 우수했다고 하더라도 그것을 유지하는 것이 매우 곤란하다.
본 발명자들은 상술한 바와 같이 이 보호막의 감막 또는 소실에 대해 검토하여 흡수체막 패턴 형성 시에 사용하는 Cl계 가스에 의해 염화물이 생성되고, 그것에 이어지는 약액 세정에 의해, 상기 염화물과 함께 Ru보호막 또는 Ru-(Zr, B) 보호막이 감막 혹은 소실하는 것을 찾아냈다.
그래서 드라이 에칭에 의해 보호막에 있어서 이와 같은 염화물이 생성되지 않는 수단에 대하여 검토를 거듭하여, 전율 고용체인, 적어도 2종의 금속을 포함하는 합금을 보호막(3)으로서 사용함으로써, 보호막(3)의 감손이 매우 유효하게 억제되어 다층 반사막(2)의 손상을 막을 수 있는 것을 찾아냈다.
　상기 전율 고용체란, 액상 상태라도 고상(固相) 상태라도 각 구성 금속이 모든 농도에서 용합되는 합금이다. 전율 고용체인 합금은 매우 안정되므로, Cl계 가스를 사용한 드라이 에칭에 의한 염소화가 되기 어렵다.
전율 고용체인 합금으로는 예를 들면 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금, 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금, 니켈(Ni)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금, 금(Au)과 은(Ag)으로 이루어지는 합금, 은(Ag)과 주석(Sn)으로 이루어지는 합금, 은(Ag)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금 및 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)으로 이루어지는 합금을 들 수 있다.
이들의 합금이 단독으로 보호막(3)을 형성하고 있어도, 2종 이상의 합금이 병용되어 보호막(3)을 형성하고 있어도 좋다.
또, 보호막(3)에 있어서는 Cl계 가스를 사용한 드라이 에칭에 의한 염소화가 되기 어렵게 하고, 웨트 세정에 의한 보호막(3)의 감막 혹은 소실의 억제 효과가 발휘되는 범위에서, 보호막(3)을 구성하는 전율 고용체인 합금에, 산소, 질소, 수소, 탄소 등의 원소가 포함되어 있어도 상관없다.
또, Cl계 가스를 사용한 드라이 에칭에 의한 염소화가 되기 어렵게 하고, 웨트 세정에 의한 보호막(3)의 감막 혹은 소실의 억제 효과가 발휘되는 범위에서, 보호막(3)의 극최표면에, 전율 고용체인 합금의 산화물, 질화물, 수소화물, 탄화물, 산화 질화물, 산화 탄화물, 산화 질화 탄화물 등이 형성되어 있어도 상관없다.
보호막(3)은 EUV 리소그래피용 반사형 마스크에 있어서 그 구성층으로서 잔존하기 때문에, EUV광의 흡수가 낮은(보호막(3)이 형성된 상태에서 다층 반사막(2)의 반사율이 통상 63％ 이상(통상 73％ 미만)이다) 것이 바람직하다. 그와 같은 관점에서 보호막은 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금, 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금, 니켈(Ni)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금 또는 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)으로 이루어지는 합금인 것이 보다 바람직하고, 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금 또는 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금인 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 다층 반사막 부착 기판으로부터 얻어지는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크에 있어서의 EUV광에 대한 고반사율의 관점(반사율 63％ 이상)에서, 상기 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금 또는 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금에 있어서는 Ru의 상기 합금 중 함유량은 75원자％ 이상 99.5원자％ 이하인 것이 바람직하고, 90원자％ 이상 99.5원자％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 95원자％ 이상 99.5원자％ 이하인 것이 특히 바람직하다. 이 원자 조성은 오제 전자분광법에 의해 측정할 수 있다.
본 발명은 보호막(3)으로서 적어도 2종의 금속을 포함하는 합금이며, 전율 고용체인 것을 사용하는 것이지만, 해당 합금으로 이루어지는 보호막(3)의 형성 방법으로는 종래 공지의 보호막 형성 방법과 같은 것을 특별히 제한 없이 채용할 수 있다. 그와 같은 형성 방법의 예로는 마그네트론 스퍼터링법 및 이온빔 스퍼터법을 들 수 있다.
그리고 예를 들면 이들의 스퍼터링법에 이용되는 스퍼터링 타겟의 종류, 조성을 변경함으로써 상기 합금 중 각 구성 금속의 함유량을 원하는 값으로 조정할 수 있다.
보호막(3)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 다층 반사막(2)의 반사율에 크게 영향을 주지 않고, 또한 드라이 에칭 및 그것에 이어지는 웨트 세정으로부터 다층 반사막(2)을 보호할 수 있도록 적절히 설정되며, 예를 들면 1∼5nm의 범위이다. 상기 보호막(3)의 두께는 스퍼터링법 등에 있어서의 스퍼터 양 등에 의해 조정할 수 있다.
본 발명의 다층 반사막 부착 기판(10)에 있어서는 다층 반사막(2)이 형성되어 있는 측과는 반대측의 기판(1)의 주표면상에 이면 도전막을 형성해도 좋다. 이면 도전막은 마스크 블랭크 제조 시에 다층 반사막 부착 기판(10)의 지지 수단으로서 사용되는 정전 척이나, 후술하는 본 발명의 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 패턴 프로세스시나 노광시의 마스크 핸들링의 지지 수단으로서 사용되는 정전 척에, 다층 반사막 부착 기판 또는 마스크 블랭크를 흡착시키는 목적이나, 다층 반사막(2)의 응력 보정의 목적으로 형성된다.
또, 본 발명의 다층 반사막 부착 기판(10)에 있어서는 기판(1)과 다층 반사막(2)의 사이에 하지막을 형성해도 좋다. 하지막은 기판(1) 표면의 평활성 향상의 목적, 결함 저감의 목적, 다층 반사막(2)의 광반사 증강의 목적 그리고 다층 반사막(2)의 응력 보정의 목적으로 형성된다.
또, 본 발명의 다층 반사막 부착 기판(10)으로는 다층 반사막(2)이나 보호막(3)상에 기판(1)이나 다층 반사막 부착 기판(10)의 결함 존재 위치의 기준이 되는 기준 마크를 포토리소그래피로 형성하는 경우에 있어서, 다층 반사막(2)이나 보호막(3)상에 레지스트막을 형성한 양태도 포함된다.
[EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크]
도 2는 본 발명의 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크(12)의 모식도이다. 상술한 본 발명의 다층 반사막 부착 기판(10)의 보호막(3)상에 EUV광을 흡수하는 흡수체막(4)을 형성함으로써 본 발명의 마스크 블랭크(12)가 얻어진다.
이것에 드라이 에칭을 실시함으로써 소정의 흡수체막 패턴을 얻어 광(본 발명에 있어서는 EUV광)을 반사하는 부분(보호막(3) 및 그 아래의 다층 반사막(2)이 노출되어 있는 부분) 및 광을 흡수하는 부분(흡수체막 패턴)을 갖는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크가 얻어진다.
또한 다층 반사막 부착 기판(10)에 있어서, 기판(1)의 다층 반사막(2)과 접하는 면과 반대측의 면에는 상술한 바와 같이 정전 척의 목적을 위해 이면 도전막을 형성해도 된다. 이면 도전막에 요구되는 전기적 특성은 통상 100Ω/□ 이하이다. 이면 도전막의 형성 방법은 공지이며, 예를 들면 마그네트론 스퍼터링법이나 이온빔 스퍼터법에 의해, 크롬(Cr), 탄탈(Ta) 등의 금속이나 합금의 타겟을 사용해 형성할 수 있다. 이면 도전막의 두께는 상기 목적을 달성하는 한 특별히 한정되지 않지만, 통상 10∼200nm이다.
상기의 EUV광을 흡수하는 기능을 갖고, 에칭 등에 의해 제거가 가능(바람직하게는 염소(Cl)계 가스의 드라이 에칭으로 에칭 가능)한한, 흡수체막(4)의 구성 재료는 특별히 한정되지 않는다. 그와 같은 기능을 갖는 것으로서, 탄탈(Ta) 단체(單體) 또는 Ta를 주성분으로 포함하는 탄탈 화합물을 바람직하게 이용할 수 있다.
상기 탄탈 화합물은 통상 Ta의 합금이다. 이와 같은 흡수체막(4)의 결정 상태는 평활성 및 평탄성의 점에서 아몰퍼스 형상 또는 미(微)결정 구조인 것이 바람직하다. 흡수체막(4) 표면이 평활·평탄하지 않으면 흡수체막 패턴의 에지 러프니스가 커져 패턴의 치수 정밀도가 나빠지는 일이 있다. 흡수체막(4)의 바람직한 표면 거칠기는 0.5nm Rms 이하이며, 더욱 바람직하게는 0.4nm Rms 이하, 0.3nm Rms 이하이면 더욱 바람직하다.
상기 탄탈 화합물로는 Ta와 B를 포함하는 화합물, Ta와 N을 포함하는 화합물, Ta와 B를 포함하고, 또한 O와 N의 적어도 어느 쪽인가를 포함하는 화합물, Ta와 Si를 포함하는 화합물, Ta와 Si와 N을 포함하는 화합물, Ta와 Ge를 포함하는 화합물, Ta와 Ge와 N을 포함하는 화합물 등을 이용할 수 있다.
Ta는 EUV광의 흡수 계수가 크고, 또 염소계 가스로 용이하게 드라이 에칭하는 것이 가능한 재료이기 때문에 흡광성과 가공성이 뛰어난 흡수체막 재료이다. 또한 Ta에 B나 Si, Ge 등을 더함으로써, 아몰퍼스 형상의 재료가 용이하게 얻어지고, 흡수체막(4)의 평활성을 향상시킬 수 있다. 또, Ta에 N이나 O를 더하면, 흡수체막(4)의 산화에 대한 내성이 향상되기 때문에 경시적인 안정성을 향상시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.
한편 흡수체막(4) 성막시의 기판 가열 온도나, 성막시의 스퍼터링 가스 압력을 조정함으로써 흡수체막 재료를 미결정화할 수 있다.
이상 설명한 흡수체막(4)은 노광광의 파장에 대해, 흡수 계수가 0.025 이상, 더 나아가서는 0.030 이상(통상 0.080 이하)이면 흡수체막(4)의 막 두께를 작게 할 수 있는 점에서 바람직하다.
또한 흡수체막(4)의 막 두께는 노광광인 EUV광을 충분히 흡수할 수 있는 두께이면 되지만, 통상 30∼100nm 정도이다.
또, 상기 흡수체막(4)은 마그네트론 스퍼터링 등의 스퍼터법이라는 공지의 방법으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 탄탈과 붕소를 포함하는 타겟을 이용하고, 산소 혹은 질소를 첨가한 아르곤 가스를 이용한 스퍼터링법으로 흡수체막(4)을 보호막(3)상에 성막할 수 있다.
[EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법]
이상 설명한 본 발명의 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크를 사용하여 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 제조할 수 있다. 그 제조 방법의 모식도를 도 3에 나타낸다.
우선, 상기 마스크 블랭크(12)(도 3(a))의 흡수체막(4)상에 레지스트막을 형성하고, 이것에 원하는 패턴을 묘화(노광)하며, 더 나아가 현상·린스함으로써 소정의 레지스트 패턴(5a)을 형성한다.
이 레지스트 패턴(5a)을 마스크로서 사용하여 염소계 가스에 의한 드라이 에칭을 실시함으로써, 흡수체막(4)의 레지스트 패턴(5a)으로 피복되어 있지 않은 부분이 에칭되어 흡수체막 패턴(4a)이 보호막(3)상에 형성된다(도 3(b)).
이때, 흡수체막 패턴(4a) 형성의 완전을 기하기 위해 통상 오버 에칭이 실시되어 보호막(3)도 드라이 에칭되지만, 본 발명에서는 전율 고용체인 특정의 합금을 보호막 재료로서 사용하고 있기 때문에, 보호막(3)은 에칭 가스에 대해서 매우 안정하며, 그 후의 웨트 세정(반사형 마스크의 사용 공정에 있어서의 웨트 세정을 포함한다)에서 감막 혹은 소실이 거의 없고, 즉 감손이 매우 적다. 그 때문에 보호막(3) 아래의 다층 반사막(2)이 데미지를 받는 일이 없어 뛰어난 반사율이 달성·유지된다.
또한 상기 염소계 가스로는 염소 단독의 가스, 염소 및 산소를 소정의 비율로 포함하는 혼합 가스, 염소 및 헬륨을 소정의 비율로 포함하는 혼합 가스, 염소 및 아르곤을 소정의 비율로 포함하는 혼합 가스, 그리고 염소 및 삼염화붕소를 소정의 비율로 포함하는 혼합 가스를 들 수 있다.
그리고, 예를 들면, 레지스트 박리액에 의해 레지스트 패턴(5a)을 제거한 후, 산성이나 알칼리성의 수용액을 이용한 웨트 세정을 실시하며, 다층 반사막(2)이 드라이 에칭 및 상기 세정에 의해 데미지를 받고 있지 않고, 높은 반사율을 달성한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크(20)가 얻어진다(도 3(c)).
이 얻어진 EUV 리소그래피용 반사형 마스크(20)에 대해서는 통상, 패턴의 검사, 수정이 실시된다. 패턴의 검사, 수정 후에도 통상, 상술한 웨트 세정이 실시된다. 웨트 세정의 방법은 제거하는 대상에 따라 적절히 선정한다. 웨트 세정으로는 예를 들면, 황산과수(SPM), 암모니아과수(APM)를 사용한 산·알칼리 세정이나, 오존수, 암모니아 첨가 수소수 등을 사용한 기능수 세정, 스크럽 세정이나 MHz 오더의 초음파를 이용한 메가 소닉 세정 등을 들 수 있다.
[반도체 장치의 제조 방법]
이상 설명한 반사형 마스크를 사용한 리소그래피 기술에 의해, 반도체 기판 등의 피전사체에 상기 마스크의 흡수체막 패턴에 의거하는 전사 패턴을 형성하고, 그 외 여러 가지의 공정을 거침으로써, 반도체 기판상에 여러 가지의 패턴 등이 형성된 반도체 장치를 제조할 수 있다.
보다 구체적인 예로서, 도 4에 나타내는 패턴 전사 장치(50)에 의해, EUV 리소그래피용 반사형 마스크(20)를 이용하여 레지스트 부착 반도체 기판(33)에 EUV광에 의해서 패턴을 전사하는 방법을 설명한다.
반사형 마스크(20)를 탑재한 패턴 전사 장치(50)는 레이저 플라즈마 X선원(31), 반사형 마스크(20), 축소 광학계(32) 등으로 개략 구성된다. 축소 광학계(32)로는 X선 반사 미러를 이용하고 있다.
축소 광학계(32)에 의해, 반사형 마스크(20)에서 반사된 패턴은 통상 1/4 정도로 축소된다. 예를 들면, 노광 파장으로서 13∼14nm의 파장대를 사용하고, 광로(光路)가 진공이 되도록 미리 설정한다. 이와 같은 상태에서 레이저 플라즈마 X선원(31)으로부터 얻어진 EUV광을 반사형 마스크(20)에 입사시키고, 여기에서 반사된 광을 축소 광학계(32)를 통과시켜 레지스트 부착 반도체 기판(33)상에 전사한다.
반사형 마스크(20)에 입사한 광은 흡수체막 패턴(4a)이 있는 부분에서는 흡수체막에 흡수되어 반사되지 않는 한편, 흡수체막 패턴(4a)이 없는 부분에 입사한 광은 다층 반사막(2)에 의해 반사된다. 이와 같이 하여 반사형 마스크(20)로부터 반사되는 광에 의해 형성되는 상이 축소 광학계(32)에 입사한다. 축소 광학계(32)를 경유한 노광광은 레지스트 부착 반도체 기판(33)상의 레지스트층에 전사 패턴을 형성한다. 그리고 이 노광 완료된 레지스트층을 현상함으로써 레지스트 부착 반도체 기판(33)상에 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
그리고 상기 레지스트 패턴을 마스크로서 사용하여 에칭 등을 실시함으로써, 예를 들면 반도체 기판상에 소정의 배선 패턴을 형성할 수 있다.
이와 같은 공정 그 외의 필요한 공정을 거침으로써 반도체 장치가 제조된다.
실시예
[보호막 세정 내성 평가]
(비교예 시료 1)
크기가 152mm×152mm인 TiO2-SiO2 유리(저열 팽창 유리) 기판의 양 주표면을, 콜로이달 실리카의 연마 지립을 포함하는 연마액을 사용하여 정밀 연마·세정하고, 평탄도 0.05㎛, 표면 거칠기 Rms(제곱 평균 평방근 거칠기) 0.12nm인 기판을 얻었다. 이 기판의 주표면상에 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ru보호막을 형성했다.
보호막 형성조건: Ru타겟, Ar가스 분위기에서 스퍼터링, 막 두께 14nm.
(실시예 시료 1)
비교예 시료 1과 마찬가지로 하여 RuCo(Ru: 97원자％, Co: 3원자％) 보호막을 기판의 주표면상에 형성했다. Ru97Co3 타겟(수치는 원자％비율)을 사용한 것 이외에는 보호막 형성조건은 비교예 시료 1과 같다. 또한 보호막을 구성하는 각 원소의 조성은 오제 전자분광 분석법에 의해 측정된 값이다. 이하, 실시예 시료 2∼5, 비교예 시료 2도 마찬가지이다.
(실시예 시료 2)
비교예 시료 1과 마찬가지로 하여 RuCo(Ru: 90원자％, Co: 10원자％) 보호막을 기판의 주표면상에 형성했다. Ru90Co10 타겟(수치는 원자％비율)을 사용한 것 이외에는 보호막 형성조건은 비교예 시료 1과 같다.
(실시예 시료 3)
비교예 시료 1과 마찬가지로 하여 RuCo(Ru: 75원자％, Co: 25원자％) 보호막을 기판의 주표면상에 형성했다. Ru75Co25 타겟(수치는 원자％비율)을 사용한 것 이외에는 보호막 형성조건은 비교예 시료 1과 같다.
(실시예 시료 4)
비교예 시료 1과 마찬가지로 하여 RuCo(Ru: 50원자％, Co: 50원자％) 보호막을 기판의 주표면상에 형성했다. Ru50Co50 타겟(수치는 원자％비율)을 사용한 것 이외에는 보호막 형성조건은 비교예 시료 1과 같다.
(실시예 시료 5)
비교예 시료 1과 마찬가지로 하여 RuRe(Ru: 97원자％, Re: 3원자％) 보호막을 기판의 주표면상에 형성했다. Ru97Re3 타겟(수치는 원자％비율)을 사용한 것 이외에는 보호막 형성조건은 비교예 시료 1과 같다.
(비교예 시료 2)
비교예 시료 1과 마찬가지로 하여 RuZr(Ru: 80원자％, Zr: 20원자％) 보호막(RuZr은 전율 고용체가 아니다)을 기판의 주표면상에 형성했다. Ru80Zr20 타겟(수치는 원자％비율)을 사용한 것 이외에는 보호막 형성조건은 비교예 시료 1과 같다.
＜평가방법＞
상기 비교예 시료 1∼2, 실시예 시료 1∼5의 보호막 표면에 대하여 Cl2 가스에 의한 전체면 스퍼터 에칭을 실시했다. 전체면 스퍼터 에칭 조건은 가스 압력: 4mTorr, 처리 시간 15초로 했다.
그 후, 각 시료에 대해서 XRR(X선 반사율 측정)에 의해 보호막의 막 두께를 측정한 후, 황산과수, 암모니아과수를 사용하여 에칭 표면의 웨트 세정을 실시했다.
또한 황산과수의 세정 조건은 황산(98질량％)과 과산화수소(30질량％)를 혼합 비율 4 : 1로 한 황산과수를 사용하고, 온도 90℃, 시간 20분으로 했다. 또, 암모니아과수의 세정 조건은 암모니아(29질량％)와 과산화수소(30질량％)와 물을 혼합 비율 1 : 1 : 5로 한 암모니아과수를 사용하고, 온도 70℃, 시간 20분으로 했다.
다음으로, 상기 웨트 세정 후의 보호막의 막 두께를 XRR에 의해 측정하고 웨트 세정에 의한 막 두께 변화를 측정하여 각 시료의 보호막 세정 내성을 평가했다.
＜평가 결과＞
비교예 시료 1 및 2에 대해서, 염소 가스로 전체면 스퍼터 에칭한 보호막 표면에 염화물 생성층에 의한 막 두께 증가를 확인하고, 웨트 세정에 의해 비교예 시료 1에 대해서는 Ru보호막이 전부 소실하며(막 두께 변화 -14nm), 비교예 시료 2에 대해서는 막 두께 변화는 -6.0nm이었다.
한편, 실시예 시료 1∼5의 전율 고용체인 RuCo, RuRe 합금의 경우, 웨트 세정에 의한 실시예 시료 1∼5의 막 두께 변화량은 실시예 시료 1(-1.0nm), 실시예 시료 2(-2.3nm), 실시예 시료 3(-2.9nm), 실시예 시료 4(-3.2nm), 실시예 시료 5(-1.8nm)이었다. 이상의 결과를 도 5에 정리하여 나타낸다. 이와 같이, 실시예 시료 1∼5의 전율 고용체인 RuCo, RuRe 합금의 경우에는 막 두께 변화는 약 3nm 이하로 억제할 수 있어 양호한 결과가 얻어졌다.
[실시예 1] 다층 반사막 부착 기판의 제작
크기가 152mm×152mm인 TiO2-SiO2 유리(저열 팽창 유리) 기판의 양 주표면을, 콜로이달 실리카의 연마 지립을 포함하는 연마액을 사용하여 정밀 연마·세정하고, 평탄도 0.05㎛, 표면 거칠기 Rms(제곱 평균 평방근 거칠기) 0.12nm인 기판을 얻었다. 이 기판의 주표면상에 이온빔 스퍼터링법(Mo타겟, Si타겟)에 의해 다층 반사막을 형성했다.
다층 반사막: Si(4.2nm)/Mo(2.8nm)를 1주기로서 40주기(Si) 막이 기판의 주표면에 접하고 있다: 총 막 두께 280nm
형성된 다층 반사막상에 실시예 시료 1의 RuCo 보호막(Ru : 97원자％, Co : 3원자％)을 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성하여 다층 반사막 부착 기판을 얻었다. 또한 보호막의 막 두께는 2.5nm이었다.
이 다층 반사막 부착 기판에 대해서 EUV광(파장 13.5nm)의 반사율을 EUV 반사율 측정장치에 의해 측정한 바, 반사율은 66％로 고반사율이었다.
[실시예 2]
보호막을 RuCo(Ru: 90원자％, Co: 10원자％), 막 두께 2.5 nm로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다층 반사막 부착 기판을 형성했다. 그 EUV광의 반사율은 65％이었다.
[실시예 3]
보호막을 RuCo(Ru: 75원자％, Co: 25원자％), 막 두께 2.5nm로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다층 반사막 부착 기판을 형성했다. 그 EUV광의 반사율은 64％이었다.
[실시예 4]
보호막을 RuRe(Ru: 97원자％, Re: 3원자％), 막 두께 2.5nm로 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다층 반사막 부착 기판을 형성했다. 그 EUV광의 반사율은 65％이었다.
[실시예 5] 반사형 마스크 블랭크의 제작
실시예 1∼4에서 제작된 다층 반사막 부착 기판의 다층 반사막이 형성된 측과 반대측의 기판 주표면상에, 이면 도전막을 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성했다.
이면 도전막 형성조건: Cr타겟, Ar＋N2 가스 분위기(Ar : N2 = 90％ : 10％), 막조성(Cr: 90원자％, N: 10원자％), 막 두께 20nm.
계속해서 보호막상에 흡수체막(TaBN막)을 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성하여 반사형 마스크 블랭크를 얻었다.
TaBN막 형성조건: TaB 타겟(Ta : B = 80 : 20), Xe＋N2 분위기(Xe : N2 = 90％ : 10％), 막조성(Ta: 80원자％, B: 10원자％, N: 10원자％), 막 두께 65nm
[실시예 6] 반사형 마스크의 제작
실시예 5에서 얻어진 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막상에, 스핀 코트법에 의해 레지스트를 도포, 가열·냉각하여 레지스트막(막 두께 120nm)을 형성했다.
레지스트막에 소정의 패턴을 묘화·현상하여 레지스트 패턴을 형성했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, Cl2 가스에 의한 드라이 에칭에 의해 TaBN막인 흡수체막을 패터닝했다. 레지스트 박리액에 의한 레지스트막의 제거 후, 상술한 웨트 세정을 실시하여 반사형 마스크를 제작했다.
실시예 1∼4의 다층 반사막 부착 기판으로 제작한 반사형 마스크의 어느 것도, 보호막의 소실은 확인되지 않고, EUV광의 반사율도 모두 64％ 이상으로 고반사율을 유지하고 있었다. 웨트 세정을 3회 반복해도 반사율에 대해서 같은 결과가 얻어졌다.
따라서, 이 실시예 1∼4의 반사형 마스크를 사용하고, 패턴 전사 장치를 사용한 리소그래피 프로세스를 실시한 경우, 다층 반사막을 구성하는 각 막 표면 및 보호막 표면에 있어서의 EUV광의 반사와, 흡수체막 패턴에 있어서의 EUV광의 흡수 사이에서 높은 콘트라스트를 유지할 수 있으므로, 예를 들면 원하는 회로 패턴을 갖는 반도체 장치를 제작할 수 있다.
[비교예 1]
실시예 6에 있어서, 보호막으로서 비교예 시료 1 및 2를 이용하여 각각 반사형 마스크를 제작한 바, 마스크에 있어서 보호막은 모두 소실하고 있고, 마스크의 EUV광의 반사율도 다층 반사막에의 데미지에 의해 60％로 저하하고 있었다.
1: 기판 2: 다층 반사막
3: 보호막 4: 흡수체막
4a: 흡수체막 패턴 5a: 레지스터 패턴
10: 다층 반사막 부착 기판
12: EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
20: 반사형 마스크 31: 레이저 플라즈마 X선원
32: 축소 광학계
33: 레지스트 부착 반도체 기판 50: 패턴 전사 장치

Claims (10)

  1. EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제조에 사용되는 다층 반사막 부착 기판으로서,
    상기 다층 반사막 부착 기판은 기판과, 상기 기판상에 형성된, EUV광을 반사하는 다층 반사막과, 상기 다층 반사막상에 형성된, 상기 다층 반사막을 보호하는 보호막을 갖고,
    상기 보호막은 적어도 2종의 금속을 포함하는 합금으로 이루어지며, 상기 합금은 전율 고용체인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 합금은
    루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금, 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금, 니켈(Ni)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금, 금(Au)과 은(Ag)으로 이루어지는 합금, 은(Ag)과 주석(Sn)으로 이루어지는 합금, 은(Ag)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금 또는 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)으로 이루어지는 합금인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 합금은
    루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금, 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금, 니켈(Ni)과 동(Cu)으로 이루어지는 합금 또는 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si)으로 이루어지는 합금인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금 및 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금에 있어서, 루테늄(Ru)의 상기 합금 중 함유량이 75원자％ 이상, 99.5원자％ 이하인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 합금은
    루테늄(Ru)과 코발트(Co)로 이루어지는 합금 또는 루테늄(Ru)과 레늄(Re)으로 이루어지는 합금인 것을 특징으로 하는 다층 반사막 부착 기판.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재한 다층 반사막 부착 기판과, 상기 기판에 있어서의 보호막상에 형성된, EUV광을 흡수하는 흡수체막을 갖는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 흡수체막은 염소(Cl)계 가스의 드라이 에칭으로 에칭 가능한 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 흡수체막은 탄탈(Ta)을 포함하는 탄탈 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 상기 흡수체막을, 염소(Cl)계 가스에 의한 드라이 에칭으로 에칭하여 상기 보호막상에 흡수체막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 기재한 EUV 리소그래피용 반사형 마스크의 제조 방법에 의해 얻어진 EUV 리소그래피용 반사형 마스크를 사용하여, 피전사체에 전사 패턴을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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