KR100640655B1 - Ｅｕｖｌ용 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
EUVL용 마스크 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시되는 EUVL용 마스크는 기판; 기판 상에 형성되고, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층; 및 EUV선에 대한 흡수 영역을 가지고 EUV선이 통과하는 윈도우(window)를 마련하도록 소정의 패턴으로 형성된 흡수체 패턴;을 구비하고, 상기 윈도우에 인접한(adjacent) 상기 흡수체 패턴의 측면은 상기 반사층에 대하여 경사진 측면을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 EUVL용 마스크의 제조 방법은 기판상에 EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층을 형성하는 단계; 반사층 상에 EUV선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어진 흡수체층을 형성하는 단계; 및 흡수체층을 패터닝하여, 윈도우(window)에 인접한 측면이 반사층에 대하여 경사진 측면을 포함하도록 흡수체 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 EUVL용 마스크에 의하면, 윈도우에 인접한 흡수체 패턴의 측면의 적어도 일부가 반사층에 대하여 경사짐으로써, 포토리소그라피 기술에 있어서 흡수체 패턴에 설계된 형상이 실리콘 웨이퍼에 보다 정확하게 구현될 수 있다.
Description
도 1은 종래의 EUVL용 마스크의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 도면들이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 EUVL용 마스크를 개략적으로 보인 사시도로, 흡수체 패턴의 일부분만을 보여준다.
도 5a는 도 4의 제1흡수체 패턴의 프로파일을 개략적으로 보인 단면도이다.
도 5b는 도 4의 제2흡수체 패턴의 프로파일을 개략적으로 보인 단면도이다.
도 6 내지 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 EUVL용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 도면들이다.
도 9는 도 4의 제1 및 제2흡수체 패턴으로 이루어진 흡수체 패턴의 일 예를 보인 평면도이다.
도 10은 소정 조건으로 형성된 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴의 단면 형상을 보여준다.
도 11은 소정 조건으로 형성된 수직한 측면을 가지는 흡수체 패턴의 단면 형상을 보여준다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 기판 12 : 반사층
13 : 실리콘 웨이퍼 20,70 : 흡수체 패턴
21,22,71a,71b : 경사진 측면 23 : 흡수체층
30 : 레지스트층 31,31',31": 레지스트 패턴
71,75 : 제1 및 제2흡수체 패턴 75a,75b : 수직한 측면
본 발명은 EUVL용 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 제조 공정에 있어서 EUV(Extreme Ultra Violet)선을 사용한 고해상도의 포토리소그라피 기술에 사용하기 적합한 EUVL용 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 포토리소그라피 공정에 있어서, 100nm 이하의 묘화 사이즈를 실현하는 노광 기술로서, 연X선이라고 불리는 EUV 영역의 노광 파장을 이용한 기술이 활발히 연구되고 있다.
EUV 영역에서는 대부분의 물질이 큰 광흡수성을 가지기 때문에. EUV를 사용하는 노광 기술에는 EUVL용 마스크가 사용된다. 일반적인 EUVL용 마스크는 EUV 영 역에서의 반사율이 큰 거울(반사경) 상에 EUV광을 흡수할 수 있는 흡수체로 된 패턴을 형성한 것이다. 따라서, 반사경의 표면이 흡수체 패턴으로 덮힌 영역이 흡수영역, 흡수체 패턴이 없이 반사경 표면이 노출된 영역이 반사영역이 된다.
도 1은 종래의 EUVL용 마스크의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 EUVL용 마스크(1)는 실리콘, 글라스 등의 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 형성되는 반사층(3)과, 상기 반사층(3) 상에 형성되는 흡수체 패턴(4)을 구비한다. 도면상의 참조부호 5는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)이다.
상기 반사층(3)은 몰리브덴과 실리콘(Mo/Si), 베릴륨과 실리콘(Be/Si) 등의 이종(異種)의 막이 교대로 적층된 다층막 구조를 갖는다. 상기 흡수체 패턴(4)은 EUV선을 흡수할 수 있는 질화탄탈륨(TaN)막 등으로 이루어지고, 소정의 패턴으로 되어 EUV선에 대한 흡수 영역을 구성한다.
상기 EUVL용 마스크(1)가 EUV선(ray)에 노광되면, 상기 흡수체 패턴(4)의 각 치수와 실제로 상기 실리콘 웨이퍼(5)에 형성되는 패턴의 각 치수가 달라지게 되는데, 이는 아래의 수식과 함께 설명한다. 아래의 수학식 1은 상기 흡수체 패턴(4)의 각 패턴 사이의 간격(Designed Space CD(Critical Dimension))과 상기 실리콘 웨이퍼(5)에 형성되는 대응 패턴 사이의 간격(Printed Space CD)의 관계를 나타내는 식이다. 아래의 수학식 2는 상기 흡수체 패턴(4)의 한 패턴의 길이(Designed Line CD)와 상기 실리콘 웨이퍼(5)에 형성되는 대응 패턴의 길이(Printed Line CD)의 관계를 나타내는 식이다.
여기서, d는 상기 흡수체 패턴(4)의 두께이고, θ는 상기 흡수체 패턴(4)의 측면을 기준으로 한 상기 EUV선의 입사 각도이며, M은 환산 인자(reduction factor)이다.
반도체 제조 공정의 포토리소그라피 공정에 있어서, 상기 흡수체 패턴(4)의 측면이 수직면이어서 상기 θ는 소정의 각도를 가지므로, 상기 수학식 1, 2의 2d×tanθ×M 항이 소정의 값을 가지게 된다. 따라서, 상기 흡수체 패턴(4)의 각 패턴 사이의 간격(Designed Space CD)과 상기 실리콘 웨이퍼(5)에 형성되는 대응 패턴 사이의 간격(Printed Space CD)가 다르게 되고, 상기 흡수체 패턴(4)의 한 패턴의 길이(Designed Line CD)와 상기 실리콘 웨이퍼(5)에 형성되는 대응 패턴의 길이(Printed Line CD)도 다르게 된다. 상기와 같은 차이로 인해, 상기 흡수체 패턴(4)에 설계된 형상이 상기 실리콘 웨이퍼(5)에 정확하게 구현되지 못하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 점을 개선하기 위한 것으로서, 포토리소그라피 기술에 있어서 흡수체 패턴에 설계된 형상이 실리콘 웨이퍼에 정확하게 구현될 수 있도록 하는 EUVL용 마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 EUVL용 마스크는, 기판; 상기 기판 상에 형성되고, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층; 및 EUV선에 대한 흡수 영역을 가지고 EUV선이 통과하는 윈도우(window)를 마련하도록 소정의 패턴으로 형성된 흡수체 패턴;을 구비하고, 상기 윈도우에 인접한 상기 흡수체 패턴의 측면은 상기 반사층에 대하여 경사진 측면을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 흡수체 패턴의 측면은, 상기 반사층에 대해 수직한 측면을 더 포함하여, 상기 경사진 측면과 수직한 측면이 혼합된 구조로 이루어질 수 있다.
상기 흡수체 패턴은, 상기 경사진 측면을 가지는 제1흡수체 패턴과, 상기 수직한 측면을 가지는 제2흡수체 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1흡수체 패턴의 양측면은 모두 상기 반사층에 대하여 경사질 수 있다.
상기 제1흡수체 패턴의 단면은 사다리꼴 형상을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 제1흡수체 패턴은, 상기 EUV선의 입사평면에 수직한 방향으로 형성되고, 상기 제2흡수체 패턴은, 상기 입사평면에 나란한 방향으로 형성될 수 있다.
상기 흡수체 패턴의 경사진 측면은 상기 EUV선이 상기 반사층에 입사되는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지게 형성될 수 있다.
상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴은 그 양측면이 모두 상기 반사층에 대하여 경사진 것이 바람직하다.
상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴의 단면은 사다리꼴 형상을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 흡수체 패턴은 금속 물질을 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 흡수체 패턴은 질화탄탈륨(TaN), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 알루미늄-동합금(Al-Cu), NiSi, TaSiN, 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 반사층은 소정의 제 1 물질층 및 소정의 제 2 물질층이 교대로 반복 적층되어 이루어질 수 있다.
상기 제 1 물질층은 몰리브덴(Mo), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제 2 물질층은 실리콘, 탄화실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 질화보론, 질화베릴륨, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 산화알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 EUVL용 마스크 제조방법은, 기판상에 EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 EUV선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어진 흡수체층을 형성하는 단계; 및 상기 흡수체층을 패터닝하여, 윈도우(window)에 인접한 측면이 상기 반사층에 대하여 경사진 측면을 포함하도록 흡수체 패턴을 형성하는 단 계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 흡수체층에 흡수체 패턴을 형성하는 단계는, 상기 흡수체층 상에 레지스트(resist)층을 형성하는 단계와, 상기 레지스트층을 패터닝하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 레지스트 패턴을 마스크로 적용하여 상기 흡수체층을 패터닝함으로써, 상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴을 상기 흡수체층에 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 레지스트층을 형성하는 단계는, 그 측면이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사진 레지스트 패턴을 상기 레지스트층에 형성하며, 상기 경사진 흡수체 패턴을 흡수체층에 형성하는 단계는, 그 측면이 상기 레지스트 패턴의 측면이 이루는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사진 흡수체 패턴을 상기 흡수체층에 형성할 수 있다.
상기 레지스트 패턴은 그 양측면이 모두 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성될 수 있다.
상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴은 그 양측면이 모두 상기 레지스트 패턴의 측면이 이루는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성된다.
상기 레지스트 패턴은 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는, 상기 반사층에 대해 수직한 측면을 더 구비하도록 상기 흡수체층을 패터닝하여, 상기 경사진 측면과 수직한 측면이 혼합된 구조의 흡수체 패턴을 형성할 수 있다.
이때, 상기 흡수체 패턴은, 상기 경사진 측면을 가지는 제1흡수체 패턴과; 상기 수직한 측면을 가지는 제2흡수체 패턴;을 포함할 수 있다.
상기 제1흡수체 패턴의 양측면은 모두 상기 반사층에 대해 경사지게 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1흡수체 패턴은 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 제1흡수체 패턴은, 상기 EUV선의 입사 평면에 수직한 방향으로 형성되고, 상기 제2흡수체 패턴 부분은, 상기 입사평면에 나란한 방향으로 형성될 수 있다.
상기 흡수체층에 흡수체 패턴을 형성하는 단계는, 상기 흡수체층 상에 레지스트(resist)층을 형성하는 단계와, 그 측면이 형성하고자 하는 흡수체 패턴의 측면과 실질적으로 동일한 경사각을 갖는 레지스트 패턴을 상기 레지스트층에 형성하는 단계와, 상기 레지스트 패턴을 마스크(mask)로 하여, 그 측면이 상기 반사층에 대해 이루는 각도가 상기 레지스트 패턴의 측면이 상기 반사층에 대해 이루는 각도와 실질적으로 동일하도록 흡수체 패턴을 상기 흡수체층에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴을 형성하는데 사용되도록, 그 측면이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사진 제1레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 수직한 측면을 가지는 흡수체 패턴을 형성하는데 사용되도록, 수직 경사각을 갖는 제2레지스트 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여, 적어도 2단계에 걸 쳐 레지스트층의 패터닝이 이루어지며, 상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 및 제2레지스트 패턴에 의해, 경사진 측면 및 수직한 측면을 가지는 흡수체 패턴을 형성한다.
상기 제1레지스트 패턴은, 그 양측면이 모두 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 제1레지스트 패턴은, 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성될 수 있다.
상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는 상기 윈도우와 인접한 상기 흡수체 패턴의 측면이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성할 수 있다.
상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는 상기 흡수체 패턴의 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 EUVL용 마스크에 의하면, 윈도우에 인접한 흡수체 패턴의 측면의 적어도 일부 반사층에 대하여 경사짐으로써, 포토리소그라피 기술에 있어서 흡수체 패턴에 설계된 형상이 실리콘 웨이퍼에 보다 정확하게 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 EUVL용 마스크 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다. 도면들에서, 층들 및 영역들의 두께는 명료성을 위해 과장되어 있다. 그리고, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 요소 "상"에 있는 것으로 언급될 때, 이것은 다른 요소 위에 직접 있거나, 그 요소 사이에 중간 요소가 개입될 수도 있다. 또한, 반사층에 대한 EUV선의 입사 각도와 반사 각도는 실질적으로 동일하므로, 이하에서 EUV선의 입사 각도로 통칭한다. 그리고, 각 흡수체 패턴 사이에 마련되고, EUV선이 통과하는 부분을 윈도우(window)라 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크(10)는 실리콘, 글라스 등의 기판(11)과, 상기 기판(11) 상에 형성되는 반사층(12)과, 상기 반사층(12) 상에 형성되는 흡수체 패턴(20)을 구비한다. 도면상의 참조부호 13은 반도체 웨이퍼(wafer) 예컨대, 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)이다.
상기 반사층(12)은 EUV선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진다. 상기 반사층(12)은 서로 다른 두 물질층이 교대로 반복 적층된 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층(12)은 몰리브덴(Mo)막과 실리콘(Si)막이 교대로 복수개 적층된 것을 사용할 수 있다. 상기 반사층(12)의 최상층은 몰리브덴막, 실리콘막의 어느 것이든지 좋지만, 실리콘 표면에 생성되는 자연 산화막의 안정성이 우수하므로, 실리콘막을 최상층으로 하는 것이 바람직하다. 몰리브덴, 실리콘 단층의 막 두께는 수 nm 정도, 적층수는 수십층 정도의 값에서 임의로 설정하는 것이 가능하다.
상기 반사층(12)을 구성하는 막으로는, 상기 몰리브덴 대신에 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은 (Ag), 금(Au) 등이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 반사층(12)을 구성하는 막으로는, 상기 실리콘 대신에 탄화실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 질화보론, 질화베릴륨, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 산화알루미늄 등이 사용될 수 있다.
상기 흡수체 패턴(20)은 EUV선에 대한 흡수 영역을 가지고 EUV선이 통과하는 윈도우를 마련하도록 소정의 패턴으로 형성된다.
상기 흡수체 패턴(20)은 EUV선을 흡수할 수 있는 재료 예컨대, 금속 물질을 포함하는 재료로 이루어진다. 예를 들어, 상기 흡수체 패턴(20)은 질화탄탈륨(TaN)막 등으로 이루어지고, 소정의 패턴으로 형성되어 EUV선에 대한 흡수 영역을 구성한다. 상기 흡수체 패턴(20)은, 질화탄탈륨(TaN), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 알루미늄-동합금(Al-Cu), NiSi, TaSiN, 알루미늄(Al) 등으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 윈도우에 인접한(adjacent) 상기 흡수체 패턴(20)의 측면(21,22)이 상기 반사층(12)에 대하여 경사진다. 바람직하게는, 상기 흡수체 패턴(20)의 경사진 측면(21,22)은 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사진 것이 바람직하다. 상기와 같이 형성되면, 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크(10)가 EUV선(ray)에 노광될 때, 상기 흡수체 패턴(20)의 각 치수와 실제로 상기 실리콘 웨이퍼(13)에 형성되는 패턴의 각 치수가 동일하게 되는데, 이는 아래의 수식과 함께 설명한다. 아래의 수학식 3은 상기 흡수체 패턴(20)의 각 패턴 사이의 간격(Designed Space CD(Critical Dimension))과 상기 실리콘 웨이퍼(13)에 형성되는 대응 패턴 사이의 간격(Printed Space CD)의 관계를 나타내는 식 이다. 아래의 수학식 4는 상기 흡수체 패턴(20)의 한 패턴의 길이(Designed Line CD)와 상기 실리콘 웨이퍼(13)에 형성되는 대응 패턴의 길이(Printed Line CD)의 관계를 나타내는 식이다.
본 발명에서, 수학식 3,4가 얻어지는 이유는 다음과 같다.
본 발명에서 상기 흡수체 패턴(20)의 경사진 측면(21,22)은 EUV선의 입사 각도와 거의 동일한 각도로 형성 된다. 이는 종래의 EUVL용 마스크에 대한전술한 수학식 1,2에서 θ가 거의 0˚가 되는 경우에 해당한다. 상기 θ는 0˚가 되는 것이 바람직하나, 가공상의 오차 등을 고려하여 0˚와 유사한 값을 가질 수 있다. 상기와 같이, 상기 θ가 0˚가 되면, 종래의 EUVL용 마스크에 대한 수학식 1, 2의 2d×tanθ×M 항이 소거된다.
따라서, 상기 흡수체 패턴(20)의 각 패턴 사이의 간격(Designed Space CD)과 상기 실리콘 웨이퍼(13)에 형성되는 대응 패턴 사이의 간격(Printed Space CD)이 동일하게 되고, 상기 흡수체 패턴(20)의 한 패턴의 길이(Designed Line CD)와 상기 실리콘 웨이퍼(13)에 형성되는 대응 패턴의 길이(Printed Line CD)도 동일하게 된다. 그러므로, 상기 흡수체 패턴(20)에 설계된 형상이 상기 실리콘 웨이퍼(13)에 정확하게 구현될 수 있다.
또한, 수학식 3, 4에서 보이는 바와 같이, 본 발명에 따른 EUVL용 마스크(10)에 의하면, 종래의 흡수체 패턴에 대한 수학식 1, 2의 2d×tanθ×M 항이 소거되므로, 패턴 사이의 간격(Space CD)과 한 패턴의 길이(Line CD)는 흡수체 패턴(20)의 두께(d)와 무관하게 된다. 따라서, 원하는 흡수율을 가지는 범위내에서 상기 흡수체 패턴(20)의 두께를 현저히 감소시킬 수 있고, 이에 의해 가공 시간 및 가공 오차를 감소시킬 수 있다.
여기서, 상기와 같은 본 발명의 효과를 증대하기 위하여, 상기 흡수체 패턴(20)은 양측면이 모두 상기 반사층(12)에 대해 경사진 것이 바람직하다. 이때, 상기 양측면은 모두 EUV선의 입사 각도와 동일한 각도로 경사지는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 흡수체 패턴(20)의 단면은 사다리꼴 형상을 이루는 것이 바람직하다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 도면들이다.
우선, 도 3a와 같이, 기판(11)상에 EUV선을 반사시킬 수 있는 재료 예컨대,몰리브덴/실리콘 다층막으로 된 반사층(12)을 형성한다. 이 때, 성막법으로 RF 마크네트론 스퍼터링법이나 이온빔 스퍼터링법을 사용할 수 있다. 그리고, 스퍼터링 조건은 사용하는 장치에 따라서 바뀐다.
다음으로, 도 3b와 같이, 상기 반사층(12)상에 EUV선을 흡수할 수 있는 재료 예컨대, 질화탄탈륨 등으로 흡수체층(23)을 성막한다. 이 때, 상기 흡수체층(23)의 재료가 질화물인 경우 반응성 스퍼터링법을 사용하고, 그 외인 경우에는 DC 스퍼터링법을 사용할 수 있다.
그 다음으로, 도 3c와 같이, 상기 흡수체층(23)상에 레지스트(resist)층(30)을 성막한다.
다음으로, 도 3d와 같이, 상기 레지스트층(30)을 에너지, 예를 들어 전자빔(electron beam)에 노출시켜 패터닝하고 이를 현상하여, 소정의 레지스트 패턴(31)을 형성한다. 상기 레지스트 패턴(31)은 상기 흡수체층(23)에 소정의 패턴을 형성하기 위한 마스크(mask)이다. 여기서, 상기 레지스트 패턴(31)의 측면(31a,31b)은 상기 흡수체층(23)에 형성하고자 하는 패턴의 측면(도 3e의 21, 22)과 실질적으로 동일한 경사각을 갖도록 형성된다. 예를 들어, 상기 레지스트 패턴(31)의 측면(31a,31b)은 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사지게 형성될 수 있다. 보다 바람직하게는, 레지스트 패턴(31)의 양측면(31a,31b)은 EUV선의 입사각도와 실질적으로 동일한 각도로 형성된다. 또한, 상기 레지스트 패턴은 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성되는 것이 바람직하다.
그 다음으로, 도 3e와 같이, 상기 흡수체층(23)을 패터닝하여 흡수체 패턴(20)을 형성한다. 이 때, 상기 레지스트 패턴(31)을 마스크로 하여 예를 들어, 유도 결합 플라즈마(ICP:Inductively Coupled Plasma) 건식 식각법을 사용할 수 있다. 패터닝 후, 상기 흡수체 패턴(20)의 측면(21,22)은 상기 레지스트 패턴(31)의 측면(31a,31b) 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지게 된다. 따라서, 상기 윈도우와 인접한 상기 흡수체 패턴(20)의 측면(21,22)은 상기 반사층(12)에 대하여 경사지게 된다. 바람직하게는, 상기 흡수체 패턴(20)의 측면(21,22)은 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지게 된다.
상기와 같은 흡수체 패턴(20) 형성 후에, 레지스트 패턴(31)은 제거된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 EUVL용 마스크(50)를 개략적으로 보인 사시도로, 도 4에서는 흡수체 패턴(70)의 일부분만을 보여준다. 여기서, 본 실시예에 따른 EUVL용 마스크(50)는, 흡수체 패턴(70)의 측면이 반사층(12)에 대해 수직한 측면(75a,75b)을 더 포함하는 점을 제외하고, 나머지 구성은 실질적으로 도 2 내지 도 3e를 참조로 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 EUVL용 마스크와 동일하다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 EUVL용 마스크(50)는 흡수체 패턴(70)의 측면이 반사층(12)에 대해 경사진 측면과 수직한 측면이 혼합된 구조로 되어 있다.
즉, 상기 흡수체 패턴(70)은 반사층(12)에 대해 경사진 측면(71a,71b)을 가지는 제1흡수체 패턴(71)과, 반사층(12)에 대해 수직한 측면(75a,75b)을 가지는 제2흡수체 패턴(75)을 포함한다.
이때, 상기 제1흡수체 패턴(71)은 EUV선의 입사 평면에 수직한 방향 즉, J 축을 따르는 방향으로 형성되고, 제2흡수체 패턴(75)은 상기 입사 평면에 나란한 방향 즉, I축을 따르는 방향으로 형성된다. 여기서, EUV선의 입사 평면은, 반사층(12)으로 입사되는 EUV선과 입사면 즉, 반사층(12)면에 수직인 법선이 이루는 평면이다. 도 4의 경우, EUV선의 입사 평면은 I-K 평면과 평행하다.
상기 제1흡수체 패턴(71)의 양측면(71a,71b)은 모두 상기 반사층(12)에 대해 경사진 것이 바람직하다. 또한, 상기 제1흡수체 패턴(71)은 그 단면이 사다리꼴 형 상인 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1흡수체 패턴(71)의 경사진 측면(71a,71b)은 EUV선이 상기 반사층(12)에 입사되는 각도로 실질적으로 동일 한 각도로 경사진 것이 바람직하다.
도 5a는 상기 제1흡수체 패턴(71)의 프로파일을 개략적으로 보인 단면도이고, 도 5b는 제2흡수체 패턴(75)의 프로파일을 개략적으로 보인 단면도이다.도 5a에서 알 수 있는 바와 같이, 제1흡수체 패턴(71)은 그 측면(71a,71b)을 EUV선의 입사 및 반사각도로 동일하게 경사지도록 형성함에 의해 실리콘 웨이퍼(13)에 제1흡수체 패턴(71)의 최대 폭과 실질적으로 동일한 폭을 가지는 패턴을 형성할 수 있다.
한편, 제1흡수체 패턴(71)에 수직한 방향으로 형성되는 제2흡수체 패턴(75)을 제1흡수체 패턴(71)과 마찬가지로 경사진 측면을 가지도록 형성하였다고 가정하자. 이 경우에는, 그 측면이 반사층(12)에 대해 기울어져 있기 때문에, 측면에 대해서는 흡수체 두께가 위치에 따라 달라져, 제2흡수체 패턴(75)의 제2흡수체 패턴(75)의 윗면에서의 EUV선의 흡수율보다 그 측면에서의 EUV선의 흡수율이 떨어지게 된다. 따라서, 제2흡수체 패턴(75)의 측면에 입사된 EUV선의 일부가 반사되어 반사층(12)에 입사되어 반사된 EUV선이 진행하는 방향으로 진행하게 되어, 실리콘 웨이퍼에 EUV 노광시 새도우 효과(shadow effect)가 나타난다. 이에 의해, 측면을 반사층(12)에 사영시킨 폭의 적어도 일부만큼 실리콘 웨이퍼에 형성되는 패턴 사이의 간격이 커지게 되어, 패턴 선폭에 오차가 발생하게 된다.
하지만, 본 발명의 다른 실시예에서와 같이, 입사평면에 평행한 방향을 따르 는 제2흡수체 패턴(75)의 측면(75a,75b)을 반사층(12)에 대해 수직으로 형성하면, 상기와 같은 새로우 효과가 나타나지 않게 되어, 실리콘 웨이퍼(13)에 형성되는 패턴 선폭 오차 발생을 최소화할 수 있다. 도 5b에 보여진 바와 같이, 수직한 측면(75a,75b)을 가지도록 제2흡수체 패턴(75)을 형성함에 의해, 실리콘 웨이퍼(13)에 제2흡수체 패턴(75)의 폭과 실질적으로 동일한 폭을 가지는 패턴을 형성할 수 있다.
따라서, 상기와 같이, 흡수층을 EUV선의 입사평면에 수직인 방향을 따르는 제1흡수체 패턴(71)과 상기 입사평면에 평행한 방향을 따르는 제2흡수체 패턴(75)을 분리 형성하면, EUV 노광시 새로우 효과를 제거하여 실리콘 웨이퍼(13)에 패턴 선폭을 정확하게 형성하는 것이 가능하다.
이하에서는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 EUVL용 마스크를 제조하는 방법을 설명한다.
도 6을 참조하면, 기판(11)상에, 반사층(12), 흡수체층(23) 및 레지스트층(30)을 순차로 형성한다. 도 6에서의 각 층은 실질적으로 도 3c에서와 동일하므로, 각 층을 나타내는 참조번호를 도 3c에서와 동일하게 사용하였다.
다음으로, 도 7a 및 도 7b을 참조하면, 금속 물질의 흡수체(23) 상에 도포된 레지스트층(30)에 전자빔 기록(writing)으로 원하는 패턴을 그리고 이를 현상한다. 이에 의해, 그 측면이 형성하고자 하는 흡수체 패턴의 측면과 실질적으로 동일한 경사각을 갖는 레지스트 패턴(31')(31")이 형성된다.
도 7a는 경사진 측면(71a,71b)을 가지는 제1흡수체 패턴(71)을 형성하는데 사용되는, 그 측면이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사진 제1레지스트 패턴(31')을 보여준다. 도 7b는 경사각이 90도인 수직한 측면(75a,75b)을 가지는 제2흡수체 패턴(75)을 형성하는데 사용되는 수직 경사각을 갖는 제2레지스트 패턴(31")을 보여준다.
제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")을 그리는 조건을 다르게 하여, 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")의 형성 각도를 조절한다.
이때, 전자빔 기록은 2단계에 걸쳐 이루어진다. 즉, EUV선에 대한 입사 평면에 수직한 방향으로, EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사진 측면을 가지는 제1레지스트 패턴(31')을 얻기 위한 전자 빔 기록을 행한다. 다음으로, EUV선에 대한 입사 평면에 나란한 방향으로, 수직 경사각을 갖는 측면을 갖는 제2레지스트 패턴(31")을 얻기 위한 전자 빔 기록을 행한다. 여기서, 제2레지스트 패턴(31")을 얻기 위한 전자 빔 기록을 행한 다음 제1레지스트 패턴(31')을 얻기 위한 전자빔 기록을 행할 수도 있다.
2단계에 걸쳐 전자빔 기록을 행한 다음, 레지스트층(30)을 현상하면, 도 7a 및 도 7b에 보여진 바와 같은 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")이 얻어진다. 상기와 같이, 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")을 형성하기 위해, 레지스트층(30)은 적어도 두 단계에 걸쳐 패터닝된다.
여기서, 상기 제1레지스트 패턴(31')은 도 2 내지 도 3e를 참조로 설명한 본 발명의 일 실시예에서의 레지스트 패턴(31)과 마찬가지로, 그 양측면이 모두 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성될 수 있다. 이에 의해, 그 양측면(71a,71b)이 모두 EUV선의 입사각도와 동일한 각도로 경사진 제1흡수체 패턴(71)을 형성할 수 있게 된다. 또한, 제1레지스트 패턴(31')은 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성될 수 있다. 이에 의해, 그 단면이 사다리꼴 형상인 제1흡수체 패턴(71)을 형성할 수 있게 된다.
상기와 같이 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")을 형성한 다음, 이 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")을 에칭용 마스크로 사용하여, 흡수체층(23)을 예컨대, 드라이 에칭(dry etching) 하면, 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")의 측면 각도와 각각 실질적으로 동일한 경사각을 갖는 제1 및 제2흡수체 패턴(71)(75)으로 이루어진 흡수체 패턴(70)이 형성된다.
도 8a는 제1흡수체 패턴(71)을 보인 단면도이고, 도 8b는 제2흡수체 패턴(75)을 보인 단면도이고, 도 9는 제1 및 제2흡수체 패턴(71)(75)으로 이루어진 흡수체 패턴(70)의 일 예를 보인 평면도이다.
상기 제1흡수체 패턴(71)의 측면(71a,71b)은 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지게 형성될 수 있으며, 제2흡수체 패턴(75)의 측면(75a,75b)은 반사층(12)에 대해 수직하게 형성될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 EUVL용 마스크(50)의 흡수체 패턴(70)을 형성하기 위해, 금속 물질을 포함하는 흡수체(23) 상에 레지스트를 도포하여 레지스트층(30)을 형성한 후, 전자빔 기록(writing)으로 원하는 패턴을 그리게 된다. 이때, 경사진 측면(71a,71b)을 가지는 제1흡수체 패턴(71)에 대응하는 제1레지스트 패턴(31')과 수직한 측면(75a,75b)을 가지는 제2흡수체 패턴(75)에 대응하는 제2레지스트 패턴(31")을 위한 그리는 조건을 다르게 하여, 제1 및 제2레지스트 패턴(31')(31")의 형성 각도를 조절한다.
예를 들어, 전자 빔의 기록 필드 크기와 도즈 계수(dose factor)는 고정시키고, 개구 크기 20 μm, 전압 15KeV, 스텝 크기 15nm의 조건으로 제1레지스트 패턴(31')을 얻기 위한 전자빔 기록을 한다. 또한, 개구 크기 15 μm, 전압 12KeV, 스텝 크기 20nm의 조건으로 제2레지스트 패턴(31")을 얻기 위한 전자빔 기록을 한다.
전자빔 기록을 행한 후에, 레지스트층(30)을 현상하면, 대략 경사각이 84도인 사다리꼴 형태인 제1레지스트 패턴(31')과 90도의 직사각형 패턴 형태인 제2레지스트 패턴(31")으로 이루어진 레지스트 패턴이 얻어진다.
이와 같이 형성된 레지스트 패턴을 에칭용 마스크로 이용하여, 염소(Cl)계 가스로 드라이 에칭을 하면, 레지스트 패턴 경사를 따라서 경사진 측면(71a,71b)을 가지는 제1흡수체 패턴(71)과 수직한 측면(75a,75b)을 가지는 제2흡수체 패턴(75)을 포함하는 흡수체 패턴(70)이 얻어진다. 도 10은 상기 조건으로 형성된 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴(70) 즉, 제1흡수체 패턴(71)의 단면 형상을 보여준다. 도 11은 상기 조건으로 형성된 수직한 측면을 가지는 흡수체 패턴(70) 즉, 제2흡수체 패턴(75)의 단면 형상을 보여준다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 EUVL용 마스크에 의하면, 윈도우에 인접한 흡수체 패턴의 측면의 적어도 일부가 반사층에 대하여 경사짐으로써, 포토리소그라피 기술에 있어서 흡수체 패턴에 설계된 형상이 실리콘 웨이퍼에 보다 정확 하게 구현될 수 있다.
또한, EUV선의 입사 평면에 수직한 방향을 따르는 흡수층 패턴은 반사층에 대해 경사진 측면을 가지며, EUV선의 입사평면에 나란한 방향을 따르는 흡수층 패턴은 반사층에 대해 수직한 측면을 가지도록, 경사진 측면과 수직한 측면이 혼합된 구조로 형성함으로써, EUV 노광시 새도우 효과를 제거할 수 있어, 패턴 선폭 오차를 최소화할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
Claims (37)
- 기판;상기 기판 상에 형성되고, EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층; 및EUV선에 대한 흡수 영역을 가지고 EUV선이 통과하는 윈도우(window)를 마련하도록 소정의 패턴으로 형성된 흡수체 패턴;을 구비하고,상기 윈도우에 인접한 상기 흡수체 패턴의 측면은 상기 반사층에 대하여 경사진 측면을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 1 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴의 측면은, 상기 반사층에 대해 수직한 측면을 더 포함하여, 상기 경사진 측면과 수직한 측면이 혼합된 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 2 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴은, 상기 경사진 측면을 가지는 제1흡수체 패턴과, 상기 수직한 측면을 가지는 제2흡수체 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 3 항에 있어서,상기 제1흡수체 패턴의 양측면은 모두 상기 반사층에 대하여 경사진 것을 특 징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 3 항에 있어서,상기 제1흡수체 패턴의 단면은 사다리꼴 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제1흡수체 패턴은, 상기 EUV선의 입사평면에 수직한 방향으로 형성되고,상기 제2흡수체 패턴은, 상기 입사평면에 나란한 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 흡수체 패턴의 경사진 측면은 상기 EUV선이 상기 반사층에 입사되는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 흡수체 패턴의 경사진 측면은 상기 EUV선이 상기 반사층에 입사되는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴은 그 양측면이 모두 상기 반사층에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴의 단면은 사다리꼴 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 1 항 내지 제6항 또는 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴은 금속 물질을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 11 항에 있어서,상기 흡수체 패턴은 질화탄탈륨(TaN), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 알루미늄-동합금(Al-Cu), NiSi, TaSiN, 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 1 항 내지 제6항 또는 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반사층은 소정의 제 1 물질층 및 소정의 제 2 물질층이 교대로 반복 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 1 물질층은 몰리브덴(Mo), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 제 13 항에 있어서,상기 제 2 물질층은 실리콘, 탄화실리콘, 질화실리콘, 산화실리콘, 질화보론, 질화베릴륨, 산화베릴륨, 질화알루미늄, 산화알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크.
- 기판상에 EUV(Extreme Ultra Violet)선을 반사시킬 수 있는 재료로 이루어진 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층 상에 EUV선을 흡수할 수 있는 재료로 이루어진 흡수체층을 형성하는 단계; 및상기 흡수체층을 패터닝하여, 윈도우(window)에 인접한 측면이 상기 반사층에 대하여 경사진 측면을 포함하도록 흡수체 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 흡수체층에 흡수체 패턴을 형성하는 단계는,상기 흡수체층 상에 레지스트(resist)층을 형성하는 단계와,상기 레지스트층을 패터닝하여 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 레지스트 패턴을 마스크로 적용하여 상기 흡수체층을 패터닝함으로써, 상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴을 상기 흡수체층에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 레지스트층을 형성하는 단계는, 그 측면이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사진 레지스트 패턴을 상기 레지스트층에 형성하며,상기 경사진 흡수체 패턴을 흡수체층에 형성하는 단계는, 그 측면이 상기 레지스트 패턴의 측면이 이루는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사진 흡수체 패턴을 상기 흡수체층에 형성하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 그 양측면이 모두 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴은 그 양측면이 모두 상기 레지스트 패턴의 측면이 이루는 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 레지스트 패턴은 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는,상기 반사층에 대해 수직한 측면을 더 구비하도록 상기 흡수체층을 패터닝하여, 상기 경사진 측면과 수직한 측면이 혼합된 구조의 흡수체 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 22 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴은,상기 경사진 측면을 가지는 제1흡수체 패턴과;상기 수직한 측면을 가지는 제2흡수체 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법
- 제 23 항에 있어서, 상기 제1흡수체 패턴의 양측면은 모두 상기 반사층에 대해 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 23 항에 있어서, 상기 제1흡수체 패턴은 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 23 항에 있어서, 상기 제1흡수체 패턴은, 상기 EUV선의 입사 평면에 수직한 방향으로 형성되고,상기 제2흡수체 패턴 부분은, 상기 입사평면에 나란한 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 22 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 흡수체층에 흡수체 패턴을 형성하는 단계는,상기 흡수체층 상에 레지스트(resist)층을 형성하는 단계와,그 측면이 형성하고자 하는 흡수체 패턴의 측면과 실질적으로 동일한 경사각을 갖는 레지스트 패턴을 상기 레지스트층에 형성하는 단계와,상기 레지스트 패턴을 마스크(mask)로 하여, 그 측면이 상기 반사층에 대해 이루는 각도가 상기 레지스트 패턴의 측면이 상기 반사층에 대해 이루는 각도와 실질적으로 동일하도록 흡수체 패턴을 상기 흡수체층에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,상기 경사진 측면을 가지는 흡수체 패턴을 형성하는데 사용되도록, 그 측면 이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일하게 경사진 제1레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 수직한 측면을 가지는 흡수체 패턴을 형성하는데 사용되도록, 수직 경사각을 갖는 제2레지스트 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여, 적어도 2단계에 걸쳐 레지스트층의 패터닝이 이루어지며,상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1 및 제2레지스트 패턴에 의해, 경사진 측면 및 수직한 측면을 가지는 흡수체 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서, 상기 제1레지스트 패턴은, 그 양측면이 모두 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서, 상기 제1레지스트 패턴은, 그 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는 상기 윈도우와 인접한 상기 흡수체 패턴의 측면이 EUV선의 입사 각도와 실질적으로 동일한 각도로 경사지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 흡수체 패턴을 형성하는 단계는 상기 흡수체 패턴의 단면이 사다리꼴 형상을 이루도록 형성하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 16 항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수체 패턴은 금속 물질을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크 제조 방법.
- 제 33 항에 있어서,상기 흡수체 패턴은 질화탄탈륨(TaN), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 질화티타늄(TiN), 티타늄(Ti), 알루미늄-동합금(Al-Cu), NiSi, TaSiN, 알루미늄(Al)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 16 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판상에 반사층을 형성하는 단계는 소정의 제 1 물질층 및 소정의 제 2 물질층을 교대로 반복 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 제 1 물질층은 몰리브덴(Mo), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 금(Au)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 EUVL용 마스크의 제조 방법.
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