TWI810176B - 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法 - Google Patents

反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可減小EUV微影法之陰影效應且形成微細圖案之反射型光罩基底及反射型光罩。藉此穩定地以較高轉印精度製造半導體裝置。 本發明係一種於基板上依序具有多層反射膜及吸收體膜之反射型光罩基底，且上述吸收體膜包含如下材料，該材料包含含有鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素的非晶質金屬。

Description

反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、與半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法，該反射型光罩基底為用以製造半導體裝置之製造等中所使用之曝光用光罩的原版。
製造半導體裝置時之曝光裝置之光源之種類係以波長436 nm之g線、波長365 nm之i線、波長248 nm之KrF雷射、波長193 nm之ArF雷射而使波長逐漸變短並且進化，為了實現更微細之圖案轉印，正開發使用波長為13.5 nm附近之極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)之EUV微影法。EUV微影法中，由於對於EUV光透明之材料較少，故而使用反射型之光罩。該反射型光罩係以如下光罩結構作為基本結構：於低熱膨脹基板上形成有反射曝光用光之多層反射膜，於用以保護該多層反射膜之保護膜上形成有所需之轉印用圖案。又，根據轉印用圖案之構成，作為代表性者，有充分吸收EUV光之包含相對較厚之吸收體圖案的二元型反射光罩、及藉由光吸收使EUV光消光且產生相對於來自多層反射膜之反射光而相位大致反轉(約180°之相位反轉)之反射光的包含相對較薄之吸收體圖案之相移型反射光罩(半色調式相移型反射光罩)。該相移型反射光罩(半色調式相移型反射光罩)與穿透式光相移光罩同樣地，藉由相移效果可獲得較高之轉印光學像對比度，因而具有解像度提昇效果。又，由於相移型反射光罩之吸收體圖案(相移圖案)之膜厚較薄，故而可形成精度良好且微細之相移圖案。 EUV微影法中，根據透光率之關係而使用包含多數個反射鏡之投影光學系統。而且，使EUV光相對於反射型光罩傾斜入射，使該等複數個反射鏡不遮擋投影光(曝光用光)。關於入射角度，目前主流為相對於反射光罩基板垂直面而設為6°。正以改善投影光學系統之數值孔徑(NA)並且設為8°左右之更斜入射之角度的趨勢推進研究。 EUV微影法中，由於使曝光用光傾斜入射，故而存在被稱為陰影效應之固有問題。所謂陰影效應，係指因曝光用光向具有立體結構之吸收體圖案傾斜入射而產生投影，轉印形成之圖案之尺寸或位置改變的現象。吸收體圖案之立體結構成為障壁於背陰側產生投影，轉印形成之圖案之尺寸或位置改變。例如，於所配置之吸收體圖案之朝向與斜入射光之方向成為平行之情形及成為垂直之情形時，兩者之轉印圖案之尺寸及位置產生差異，而使轉印精度降低。 於專利文獻1至專利文獻3揭示有與此種EUV微影法用之反射型光罩及用以製作該反射型光罩之光罩基底相關之技術。又，於專利文獻1亦針對陰影效應進行了揭示。先前，藉由使用相移型反射光罩作為EUV微影法用之反射型光罩，而使相移圖案之膜厚較二元型反射光罩之情形相對較薄，謀求抑制由陰影效應引起之轉印精度之降低。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-080659號公報 [專利文獻2]日本專利特開2004-207593號公報 [專利文獻3]日本專利特開2004-39884號公報
[發明所欲解決之問題] 越使圖案微細及越提高圖案尺寸或圖案位置之精度，則半導體裝置之電氣特性性能越提昇，又，越可提昇積體度或減小晶片尺寸。因此，對EUV微影法要求較先前而言高一級之高精度微細尺寸圖案轉印性能。目前，要求形成應對hp16 nm(half pitch 16 nm，半間距16 nm)代之超微細高精度圖案。針對此種要求，為了減小陰影效應，要求進一步之薄膜化。尤其於EUV曝光之情形時，要求將吸收體膜(相移膜)之膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。 如專利文獻1至3所揭示，先前以來，使用Ta作為形成反射型光罩基底之吸收體膜(相移膜)之材料。然而，Ta於EUV光(例如，波長13.5 nm)下之折射率n為約0.943，即便利用其相移效果，僅由Ta形成之吸收體膜(相移膜)之薄膜化之極限亦為60 nm。為了進一步進行薄膜化，例如作為二元型反射型光罩基底之吸收體膜，可使用消光係數k較高(吸收效果較高)之金屬材料。作為於波長13.5 nm下之消光係數k較大之金屬材料，有鈷(Co)及鎳(Ni)。然而，Co或Ni具有磁性，故而若對使用該等材料所成膜之吸收體膜上之抗蝕劑膜進行電子束描繪，則擔憂有無法描繪如設計值般之圖案之可能性。 鑒於上述方面，本發明之目的在於提供一種可進一步減小反射型光罩之陰影效應並且形成微細且高精度之相移圖案的反射型光罩基底及藉此而製作之反射型光罩，以及提供一種半導體裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，本發明具有以下構成。 (構成1) 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜及吸收體膜者，且 上述吸收體膜包含如下材料，該材料包含含有鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素的非晶質金屬。 (構成2) 如構成1記載之反射型光罩基底，其特徵在於：上述非晶質金屬為於上述鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素中添加鎢(W)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釔(Y)及磷(P)中之至少一種以上之元素而成者。 (構成3) 如構成1或2記載之反射型光罩基底，其特徵在於：上述非晶質金屬為於上述鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素中添加鉭(Ta)而成者，且上述鉭(Ta)之含量為10原子%以上且90原子%以下。 (構成4) 如構成1至3中任一項記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述多層反射膜與上述吸收體膜之間具有保護膜。 (構成5) 如構成1至4中任一項記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述吸收體膜上具有蝕刻遮罩膜，且上述蝕刻遮罩膜包含如下材料，該材料包含含有鉻(Cr)之材料或含有矽(Si)之材料。 (構成6) 如構成4或5記載之反射型光罩基底，其特徵在於：於上述保護膜與上述吸收體膜之間具有蝕刻終止膜，且上述蝕刻終止膜包含含有鉻(Cr)之材料或含有矽(Si)之材料。 (構成7) 一種反射型光罩，其特徵在於具有將如構成1至6中任一項記載之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化而成之吸收體圖案。 (構成8) 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：藉由使用氯系氣體之乾式蝕刻將如構成1至6中任一項記載之反射型光罩基底之上述吸收體膜進行圖案化，形成吸收體圖案。 (構成9) 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：藉由使用第1氯系氣體、及與該第1氯系氣體不同之第2氯系氣體之乾式蝕刻，將如構成1至6中任一項記載之反射型光罩基底之上述吸收體膜進行圖案化，形成吸收體圖案。 (構成10) 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光用光源之曝光裝置中，設置如構成7記載之反射型光罩，並將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕劑膜。 [發明之效果] 根據本發明之反射型光罩基底(藉此而製作之反射型光罩)，可使吸收體膜之膜厚變薄，可減小陰影效應，且能夠以側壁粗糙較少之穩定剖面形狀形成微細且高精度之吸收體圖案。因此，使用該結構之反射型光罩基底所製造之反射型光罩可微細且高精度地形成光罩上所形成之吸收體圖案本身，並且可防止由陰影引起之轉印時之精度降低。又，藉由使用該反射型光罩進行EUV微影法，可提供一種微細且高精度之半導體裝置之製造方法。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態具體地進行說明。再者，以下實施形態係將本發明具體化時之一形態，並非將本發明限定於該範圍內。再者，圖中存在對相同或相應之部分標註相同符號並將其說明簡化或省略之情況。 ＜反射型光罩基底之構成及其製造方法＞ 圖1係用以說明本發明之反射型光罩基底之構成的要部剖面模式圖。如圖1所示，反射型光罩基底100具有：基板1；多層反射膜2，其形成於第1主面(表面)側，且將作為曝光用光之EUV光反射；保護膜3，其係為了保護該多層反射膜2而設置，且由對將下述吸收體膜4進行圖案化時所使用之蝕刻劑及洗淨液具有耐性的材料所形成；及吸收體膜4，其吸收EUV光；且將該等依序積層。又，於基板1之第2主面(背面)側，形成有靜電吸附用之背面導電膜5。 圖13係表示本發明之反射型光罩基底之另一例之要部剖面模式圖。反射型光罩基底300與圖1所示之反射型光罩基底100同樣地，具備基板1、多層反射膜2、保護膜3、吸收體膜4、及背面導電膜5。圖13所示之反射型光罩基底300於吸收體膜4上進而具有於對吸收體膜4進行蝕刻時成為吸收體膜4之蝕刻遮罩之蝕刻遮罩膜6。再者，於使用具有蝕刻遮罩膜6之反射型光罩基底300之情形時，如下述，可於吸收體膜4形成轉印圖案之後將蝕刻遮罩膜6剝離。 圖15係表示本發明之反射型光罩基底之進而又一例之要部剖面模式圖。反射型光罩基底500與圖13所示之反射型光罩基底300同樣地，具備基板1、多層反射膜2、保護膜3、吸收體膜4、蝕刻遮罩膜6、及背面導電膜5。圖15所示之反射型光罩基底500於保護膜3與吸收體膜4之間進而具有於對吸收體膜4進行蝕刻時成為蝕刻終止之蝕刻終止膜7。再者，於使用具有蝕刻遮罩膜6及蝕刻終止膜7之反射型光罩基底500之情形時，如下述，可於吸收體膜4形成轉印圖案之後將蝕刻遮罩膜6及蝕刻終止膜7剝離。 又，上述反射型光罩基底100、300及500包含未形成有背面導電膜5之構成。進而，上述反射型光罩基底100、300及500包含於吸收體膜4或蝕刻遮罩膜6上形成有抗蝕劑膜的附抗蝕劑膜之光罩基底之構成。 於本說明書中，例如「形成於基板1之主表面上之多層反射膜2」之記載除了意指於基板1之表面接觸而配置多層反射膜2之情形以外，亦包含意指於基板1與多層反射膜2之間具有其他膜之情形。對於其他膜而言亦相同。又，於本說明書中，例如所謂「於膜B上接觸而配置膜A」，意指於膜A與膜B之間不經由其他膜而將膜A與膜B以直接接觸之方式配置。 以下，對反射型光罩基底100、300及500之各構成具體地進行說明。 ＜＜基板＞＞ 為了防止由EUV光之曝光時之熱所引起的吸收體圖案之變形，基板1可較佳地使用具有0±5 ppb/℃之範圍內之低熱膨脹係數者。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO2 -TiO2 系玻璃、多成分系玻璃陶瓷等。 關於基板1之供形成轉印圖案(後述之吸收體膜構成該轉印圖案)之側之第1主面，至少就獲得圖案轉印精度、位置精度之觀點而言，以成為高平坦度之方式進行表面加工。於EUV曝光之情形時，較佳為於基板1之供形成轉印圖案之側之主表面的132 mm×132 mm之區域中，平坦度為0.1 μm以下，進而較佳為0.05 μm以下，尤佳為0.03 μm以下。又，與供形成吸收體膜之側為相反側之第2主面係於設置於曝光裝置時供靜電吸附之面，且較佳為於132 mm×132 mm之區域中平坦度為0.1 μm以下，進而較佳為0.05 μm以下，尤佳為0.03 μm以下。再者，關於反射型光罩基底100之第2主面側之平坦度，較佳為於142 mm×142 mm之區域中平坦度為1 μm以下，進而較佳為0.5 μm以下，尤佳為0.3 μm以下。 又，基板1之表面平滑度高亦為極其重要之項目。供形成轉印用吸收體圖案之基板1之第1主面之表面粗糙度較佳為以均方根粗糙度(RMS)計為0.1 nm以下。再者，表面平滑度可利用原子力顯微鏡進行測定。 進而，關於基板1，為了防止由形成於其上之膜(多層反射膜2等)之膜應力所引起之變形，較佳為具有較高之剛性。尤佳為具有65 GPa以上之較高之楊氏模數。 ＜＜多層反射膜＞＞ 多層反射膜2係於反射型光罩中賦予將EUV光反射之功能，成為將以折射率不同之元素為主成分之各層週期性地積層而成的多層膜之構成。 一般而言，將作為高折射率材料之輕元素或其化合物之薄膜(高折射率層)、與作為低折射率材料之重元素或其化合物之薄膜(低折射率層)交替地積層40至60週期左右而成之多層膜可用作多層反射膜2。多層膜可自基板1側起將依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期，亦可自基板1側起將依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期。再者，多層反射膜2之最表面之層、即多層反射膜2之與基板1為相反側之表面層較佳為設為高折射率層。於上述多層膜中，於自基板1起將依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期之情形時，最上層成為低折射率層，於該情形時，若低折射率層構成多層反射膜2之最表面則容易被氧化，反射型光罩之反射率減少。因此，較佳為於最上層之低折射率層上進而形成高折射率層而製成多層反射膜2。另一方面，於上述多層膜中，於自基板1側將依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構作為1個週期而積層複數個週期之情形時，由於最上層成為高折射率層，故而保持原樣即可。 於本實施形態中，作為高折射率層，採用含有矽(Si)之層。作為含有Si之材料，除了Si單體以外，亦可為於Si中含有硼(B)、碳(C)、氮(N)、及氧(O)之Si化合物。藉由使用含有Si之層作為高折射率層，可獲得EUV光之反射率優異之EUV微影法用反射型光罩。又，於本實施形態中，可較佳地使用玻璃基板作為基板1。Si與玻璃基板之密接性亦優異。又，作為低折射率層，可使用選自鉬(Mo)、釕(Ru)、銠(Rh)、及鉑(Pt)中之金屬單體或該等之合金。例如作為針對波長13 nm至14 nm之EUV光的多層反射膜2，較佳為使用將Mo膜與Si膜交替地積層40至60週期左右而成之Mo/Si週期積層膜。再者，亦可利用矽(Si)形成作為多層反射膜2之最上層之高折射率層，並於該最上層(Si)與Ru系保護膜3之間形成含有矽及氧之矽氧化物層。藉此，可提昇光罩洗淨耐性。 此種多層反射膜2之單獨計之反射率通常為65%以上，上限通常為73%。再者，多層反射膜2之各構成層之厚度、週期只要根據曝光波長適當選擇即可，以滿足布勒格反射之定律之方式選擇。於多層反射膜2中分別存在複數個高折射率層及低折射率層，但高折射率層彼此、以及低折射率層彼此之厚度亦可不同。又，多層反射膜2之最表面之Si層之膜厚可於不降低反射率之範圍內進行調整。最表面之Si(高折射率層)之膜厚可設為3 nm至10 nm。 多層反射膜2之形成方法於該技術領域中廣為人知，例如可藉由利用離子束濺鍍法將多層反射膜2之各層成膜而形成。於上述Mo/Si週期多層膜之情形時，例如藉由離子束濺鍍法，首先使用Si靶於基板1上成膜厚度4 nm左右之Si膜，其後使用Mo靶成膜厚度3 nm左右之Mo膜，將其作為1個週期而積層40至60週期，形成多層反射膜2(最表面之層設為Si層)。又，於多層反射膜2之成膜時，較佳為藉由自離子源供給氪(Kr)離子粒子並進行離子束濺鍍而形成多層反射膜2。 ＜＜保護膜＞＞ 保護膜3係為了保護多層反射膜2不受下述反射型光罩之製造步驟中的乾式蝕刻及洗淨之影響，而形成於多層反射膜2上。又，亦兼具如下作用：於使用電子束(EB)進行吸收體圖案之黑點缺陷修正時，保護多層反射膜2。此處，圖1中示出保護膜3為1層之情形，但亦可設為3層以上之積層結構。例如，亦可設為如下保護膜3：將最下層及最上層設為包含上述Ru含有之物質之層，且使Ru以外之金屬、或合金介於最下層與最上層之間。例如，保護膜3可藉由含有釕作為主成分之材料而構成。即，保護膜3之材料可為Ru金屬單體，亦可為於Ru中含有選自鈦(Ti)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、釔(Y)、硼(B)、鑭(La)、鈷(Co)、及錸(Re)等中之至少一種金屬之Ru合金，亦可含有氮。此種保護膜3尤其於如下情形時有效：將吸收體膜4設為Co-X非晶質金屬材料、Ni-X非晶質金屬材料或CoNi-X非晶質金屬材料，並利用氯系氣體(Cl系氣體)之乾式蝕刻對該吸收體膜4進行圖案化。保護膜3較佳為由如下材料所形成，該材料於使用氯系氣體之乾式蝕刻中，吸收體膜4相對於保護膜3之蝕刻選擇比(吸收體膜4之蝕刻速度/保護膜3之蝕刻速度)成為1.5以上，較佳為3以上。 該Ru合金之Ru含量為50原子%以上且未達100原子%，較佳為80原子%以上且未達100原子%，進而較佳為95原子%以上且未達100原子%。尤其於Ru合金之Ru含量為95原子%以上且未達100原子%之情形時，可抑制多層反射膜構成元素(矽)向保護膜3中之擴散，並且充分確保EUV光之反射率，且能兼具光罩洗淨耐性、對吸收體膜進行蝕刻加工時之蝕刻終止層功能、及防止多層反射膜經時變化之保護膜功能。 EUV微影法中，對於曝光用光透明之物質較少，故而防止異物附著於光罩圖案面之EUV光罩護膜於技術上並不簡單。由此，不使用光罩護膜之無光罩護膜操作成為主流。又，EUV微影法中，EUV曝光會引起於光罩上沈積碳膜、或成長氧化膜等曝光污染。因此，於將EUV反射型光罩用於製造半導體裝置之階段中，需要屢次進行洗淨而將光罩上之異物或污染去除。因此，對於EUV反射型光罩，要求與光微影法用之穿透式光罩不同精確度之光罩洗淨耐性。若使用含有Ti之Ru系保護膜，則對硫酸、硫酸過氧化氫混合物(SPM)、氨、氨水過氧化氫混合物(APM)、OH自由基洗淨水或濃度為10 ppm以下之臭氧水等洗淨液之洗淨耐性尤其高，能夠滿足光罩洗淨耐性之要求。 此種藉由Ru或其合金等所構成之保護膜3之厚度只要可發揮作為該保護膜之功能，則並無特別限制，就EUV光之反射率之觀點而言，保護膜3之厚度較佳為1.0 nm至8.0 nm，更佳為1.5 nm至6.0 nm。 作為保護膜3之形成方法，可無特別限制地採用與公知之膜形成方法相同者。作為具體例，可列舉濺鍍法及離子束濺鍍法。 ＜＜吸收體膜＞＞ 於保護膜3上形成有吸收EUV光之吸收體膜4。吸收體膜4具有吸收EUV光之功能，作為能夠藉由乾式蝕刻進行加工之材料，包含如下材料，該材料包含含有鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種之以上元素的非晶質金屬。藉由將吸收體膜4設為含有鈷(Co)及/或鎳(Ni)之構成，可將消光係數k設為0.035以上，從而能夠實現吸收體膜之薄膜化。又，藉由將吸收體膜4設為非晶質金屬，能夠加快蝕刻速度或使圖案形狀良好而使加工特性提昇。 作為非晶質金屬，可列舉於鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素中添加鎢(W)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釔(Y)及磷(P)中之至少一種以上之元素(X)而成者。 該等添加元素(X)之中，W、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf及Y為非磁性金屬材料。因此，藉由添加於Co及/或Ni中製成Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金，可製成軟磁性之非晶質金屬，能夠抑制構成吸收體膜之材料之磁性。藉此，可於電子束描繪時不造成影響而進行良好之圖案描繪。 於添加元素(X)為Zr、Hf及Y之情形時，Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金中之添加元素(X)之含量較佳為3原子%以上，更佳為10原子%以上。於Zr、Hf及Y之含量未達3原子%之情形時，Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金難以非晶質化。 又，於添加元素(X)為W、Nb、Ta及Ti之情形時，Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金中之添加元素(X)之含量較佳為10原子%以上，更佳為15原子%以上。於W、Nb、Ta及Ti之含量未達10原子%之情形時，Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金難以非晶質化。 於添加元素(X)為P之情形時，藉由NiP中之P之含量設為9原子%以上、更佳為19原子%以上，可製成非磁性之非晶質金屬，能夠消除構成吸收體膜之材料之磁性。於P之含量未達9原子%之情形時，NiP具有磁性，難以非晶質化。 又，Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金中之添加元素(X)之含量係以於波長13.5 nm下之消光係數k不成為未達0.035之方式進行調整。因此，添加元素(X)之含量較佳為97原子%以下，更佳為50原子%以下，進而較佳為24原子%以下。尤其是以單體計之消光係數k未達約0.035之Nb、Ti、Zr及Y較佳為24原子%以下。又，以單體計之消光係數k為0.035以上之W、Ta、Hf及P於製成Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金之情形時容易以消光係數k成為0.035以上之方式進行調整，消光係數k亦能夠調整至0.045以上。因此，可考慮加工特性而增多添加元素(X)之含量。 尤其Ta由於加工特性良好，故而可較佳地用作添加元素(X)。關於合金之Ta含量，就吸收體膜4之薄膜化之觀點而言，較佳為90原子%以下，更佳為80原子%以下。於Co-X合金之添加元素(X)為Ta之情形時，Co與Ta之組成比(Co：Ta)較佳為9：1～1：9，更佳為4：1～1：4。對將Co與Ta之組成比設為3：1、1：1及1：3時之各試樣進行利用X射線繞射裝置(XRD)之分析及剖面TEM觀察，結果於所有試樣中，源自Co及Ta之波峰變為寬峰，成為非晶質結構。又，於Ni-X合金之添加元素(X)為Ta之情形時，Ni與Ta之組成比(Ni：Ta)較佳為9：1～1：9，更佳為4：1～1：4。對將Ni與Ta之組成比設為3：1、1：1及1：3時之各試樣進行利用X射線繞射裝置(XRD)之分析及剖面TEM觀察，結果於所有試樣中，源自Ni及Ta之波峰變為寬峰，成為非晶質結構。又，於CoNi-X合金之添加元素(X)為Ta之情形時，CoNi與Ta之組成比(CoNi：Ta)較佳為9：1～1：9，更佳為4：1～1：4。 又，關於Co-X合金、Ni-X合金或CoNi-X合金，亦可除了上述添加元素(X)以外，於不對折射率及消光係數產生較大影響之範圍內含有氮(N)、氧(O)、碳(C)或硼(B)等其他元素。由於能夠加快蝕刻速度，故而較佳為使用含有氮(N)之CoTa合金、NiTa合金或CoNi-X合金作為吸收體膜。CoTa合金、NiTa合金或CoNi-X合金中之氮(N)之含量較佳為5原子%以上且55原子%以下。 包含此種非晶質金屬之吸收體膜4可利用DC(Direct Current，直流)濺鍍法或RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍法等磁控濺鍍法等公知之方法而形成。又，靶可使用Co-X金屬靶、Ni-X金屬靶或CoNi-X金屬靶，亦可設為使用Co靶、Ni靶或CoNi靶、及添加元素(X)之靶之共濺鍍。 關於吸收體膜4，可為以二元型之反射型光罩基底之形式以EUV光之吸收為目的之吸收體膜4，亦可為以相移型之反射型光罩基底之形式而亦考慮到EUV光之相位差的具有相移功能之吸收體膜4。 於以EUV光之吸收為目的之吸收體膜4之情形時，以EUV光對於吸收體膜4之反射率成為2%以下、較佳為1%以下之方式設定膜厚。又，為了抑制陰影效應，要求將吸收體膜之膜厚設為未達60 nm，較佳為50 nm以下。例如，如圖3中虛線所示，於利用NiTa合金膜形成吸收體膜4之情形時，藉由將膜厚設為39.8 nm，可將13.5 nm下之反射率設為0.11%。 於具有相移功能之吸收體膜4之情形時，於形成有吸收體膜4之部分，吸收EUV光而消光並且以對圖案轉印無不良影響之水準使一部分光反射，與經由保護膜3自多層反射膜2反射而來之來自畦部之反射光形成所需之相位差。吸收體膜4係以來自吸收體膜4之反射光、與來自多層反射膜2之反射光之相位差成為160°至200°之方式而形成。經反轉180°左右之相位差之光彼此於圖案邊緣部相互干涉，藉此投影光學像之像對比度提昇。伴隨該像對比度之提昇，解像度提高，曝光量裕度、焦點裕度等與曝光相關之各種裕度擴大。雖亦取決於圖案或曝光條件，但一般而言，用以充分地獲得該相移效果之反射率之標準以絕對反射率計為1%以上，以對於多層反射膜(附保護膜)之反射比計為2%以上。 吸收體膜4可為單層之膜，亦可為包含2層以上之複數層膜之多層膜。於單層膜之情形時，具有如下特徵：可減少製造光罩基底時之步驟數，使生產效率提昇。 於吸收體膜4為多層膜之情形時，例如可設為自基板側起包含下層膜及上層膜之2層結構。下層膜可利用EUV光之消光係數較大之Co-X非晶質金屬、Ni-X非晶質金屬或CoNi-X非晶質金屬而形成。上層膜可利用於Co-X非晶質金屬、Ni-X非晶質金屬或CoNi-X非晶質金屬中添加氧(O)而成之材料而形成。上層膜例如較佳為以成為使用DUV光之光罩圖案檢查時之抗反射膜之方式適當設定其光學常數及膜厚。上層膜具有抗反射膜之功能，藉此使用光之光罩圖案檢查時之檢查感度提昇。如此，藉由製成多層膜，能夠附加各種功能。於吸收體膜4為具有相移功能之吸收體膜4之情形時，藉由製成多層膜，於光學方面之調整之範圍擴大，容易獲得所需反射率。於吸收體膜4為2層以上之多層膜之情形時，可將多層膜之中之1層設為Co-X非晶質金屬、Ni-X非晶質金屬或CoNi-X非晶質金屬。 又，於吸收體膜4之表面可形成氧化層。藉由形成Co-X非晶質金屬、Ni-X非晶質金屬或CoNi-X非晶質金屬之氧化層，可使所獲得之反射型光罩200之吸收體圖案4a之洗淨耐性提昇。氧化層之厚度較佳為1.0 nm以上，更佳為1.5 nm以上。又，氧化層之厚度較佳為5 nm以下，更佳為3 nm以下。於氧化層之厚度未達1.0 nm之情形時，過薄而無法期待效果，若超過5 nm，則對針對光罩檢查光之表面反射率產生之影響變大，用以獲得特定之表面反射率之控制變困難。 氧化層之形成方法可列舉：對成膜吸收體膜之後之光罩基底進行溫水處理、臭氧水處理、於含氧氣體中之加熱處理、於含氧氣體中之紫外線照射處理及O2 電漿處理等等。又，於成膜吸收體膜4之後使吸收體膜4之表面暴露於大氣中之情形時，存在於表層形成自然氧化之氧化層之情況。尤其於含有容易氧化之Ta之CoTa合金、NiTa合金或CoNiTa合金之情形時，形成膜厚為1～2 nm之氧化層。 又，吸收體膜4之蝕刻氣體可使用自選自由以下氣體所組成之群中之至少一種或一種以上中所選擇者：Cl2 、SiCl4 、CHCl3 、CCl4 、及BCl3 等氯系氣體，選自該等氯系氣體中之2種以上之混合氣體，以特定之比率含有氯系氣體及He之混合氣體，以特定之比率含有氯系氣體及Ar之混合氣體，含有選自氟氣、氯氣、溴氣及碘氣中之至少一者之鹵氣，以及鹵化氫氣體。作為其他蝕刻氣體，可使用自以下氣體中所選擇者：CF4 、CHF3 、C2 F6 、C3 F6 、C4 F6 、C4 F8 、CH2 F2 、CH3 F、C3 F8 、SF6 及F2 等氟系氣體，以及以特定之比率含有氟系氣體及O2 之混合氣體等。作為蝕刻氣體，進而可使用包含該等氣體及氧氣之混合氣體等。 又，於2層結構之吸收體膜4之情形時，可將上層膜與下層膜之蝕刻氣體設為不同。例如，上層膜之蝕刻氣體可使用自以下氣體等中所選擇者：CF4 、CHF3 、C2 F6 、C3 F6 、C4 F6 、C4 F8 、CH2 F2 、CH3 F、C3 F8 、SF6 及F2 等氟系氣體，以及以特定之比率含有氟系氣體及O2 之混合氣體。又，下層膜之蝕刻氣體可使用自以下氣體等中所選擇者：Cl2 、SiCl4 、CHCl3 、CCl4 、及BCl3 等氯系氣體，自該等氯系氣體中所選擇之2種以上之混合氣體，以特定之比率含有氯系氣體及He之混合氣體，以及以特定之比率含有氯系氣體及Ar之混合氣體。此處，若於蝕刻之最終階段中蝕刻氣體中包含氧，則Ru系保護膜3產生表面粗糙。因此，於將Ru系保護膜3暴露於蝕刻之過蝕刻階段，較佳為使用不含氧之蝕刻氣體。又，於表面形成有氧化層之吸收體膜4之情形時，較佳為使用第1蝕刻氣體去除氧化層，並使用第2蝕刻氣體對其餘之吸收體膜4進行乾式蝕刻。可將第1蝕刻氣體設為含有BCl3 氣體之氯系氣體，將第2蝕刻氣體設為與第1蝕刻氣體不同之含有Cl2 氣體等之氯系氣體。藉此，可容易地去除氧化層，從而可縮短吸收體膜4之蝕刻時間。 ＜＜蝕刻遮罩膜＞＞ 如圖13所示，於吸收體膜4之上可形成蝕刻遮罩膜6。作為蝕刻遮罩膜6之材料，使用吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜6之蝕刻選擇比較高之材料。此處，所謂「B相對於A之蝕刻選擇比」，係指不欲進行蝕刻之層(成為遮罩之層)即A與欲進行蝕刻之層即B之蝕刻速率之比。具體而言，藉由「B相對於A之蝕刻選擇比＝B之蝕刻速度/A之蝕刻速度」之式進行指定。又，所謂「選擇比較高」，係指相對於比較對象，上述定義之選擇比之值較大。吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜6之蝕刻選擇比較佳為1.5以上，進而較佳為3以上。 作為吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜6之蝕刻選擇比較高之材料，可列舉鉻或鉻化合物之材料。於該情形時，吸收體膜4可利用氟系氣體或氯系氣體進行蝕刻。作為鉻化合物，可列舉含有Cr及選自N、O、C、H中之至少一種元素之材料。作為鉻化合物，例如可列舉CrN、CrON、CrCN、CrCON、CrBN、CrBON、CrBCN及CrBOCN等。為了提高利用氯系氣體之蝕刻選擇比，較佳為設為實質上不含氧之材料。作為實質上不含氧之鉻化合物，例如可列舉CrN、CrCN、CrBN及CrBCN等。鉻化合物之Cr含量較佳為50原子%以上且未達100原子%，更佳為80原子%以上且未達100原子%。又，所謂「實質上不含氧」，相當於鉻化合物中之氧之含量為10原子%以下，較佳為5原子%以下。再者，上述材料可於可獲得本發明之效果之範圍內含有鉻以外之金屬。 又，於利用實質上不含氧之氯系氣體將吸收體膜4進行蝕刻之情形時，可使用矽或矽化合物之材料。作為矽化合物，可列舉：含有Si及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料，或於矽或矽化合物中含有金屬之金屬矽(金屬矽化物)或金屬矽化合物(金屬矽化物化合物)等材料。作為含有矽之材料，具體而言，可列舉SiO、SiN、SiON、SiC、SiCO、SiCN、SiCON、MoSi、MoSiO、MoSiN、及MoSiON等。再者，上述材料可於可獲得本發明之效果之範圍內含有矽以外之半金屬或金屬。 為了於使用氯系氣體之乾式蝕刻中將吸收體膜4相對於蝕刻遮罩膜6之蝕刻選擇比設為1.5以上，吸收體膜4之添加元素(X)較佳為20原子%以上。 關於蝕刻遮罩膜6之膜厚，就獲得作為精度良好地將轉印圖案形成於吸收體膜4之蝕刻遮罩之功能之觀點而言，較理想為3 nm以上。又，蝕刻遮罩膜6之膜厚就減薄抗蝕劑膜之膜厚之觀點而言，較理想為15 nm以下，更佳為10 nm以下。 ＜＜蝕刻終止膜＞＞ 又，如圖15所示，可於保護膜3與吸收體膜4之間形成蝕刻終止膜7。作為蝕刻終止膜7之材料，較佳為使用於使用氯系氣體之乾式蝕刻中吸收體膜4相對於蝕刻終止膜7之蝕刻選擇比(吸收體膜4之蝕刻速度/蝕刻終止膜7之蝕刻速度)較高之材料。作為此種材料，可列舉鉻及鉻化合物之材料。作為鉻化合物，可列舉含有Cr及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料。作為鉻化合物，例如可列舉CrN、CrON、CrCN、CrCON、CrBN、CrBON、CrBCN及CrBOCN等。為了提高利用氯系氣體之蝕刻選擇比，較佳為設為實質上不含氧之材料。作為實質上不含氧之鉻化合物，例如可列舉CrN、CrCN、CrBN及CrBCN等。鉻化合物之Cr含量較佳為50原子%以上且未達100原子%，更佳為80原子%以上且未達100原子%。再者，蝕刻終止膜之材料可於可獲得本發明之效果之範圍內含有鉻以外之金屬。 又，於利用氯系氣體將吸收體膜4進行蝕刻之情形時，蝕刻終止膜7可使用矽或矽化合物之材料。作為矽化合物，可列舉：含有Si及選自N、O、C及H中之至少一種元素之材料，以及於矽或矽化合物中含有金屬之金屬矽(金屬矽化物)或金屬矽化合物(金屬矽化物化合物)等材料。作為含有矽之材料，具體而言，可列舉SiO、SiN、SiON、SiC、SiCO、SiCN、SiCON、MoSi、MoSiO、MoSiN、及MoSiON等。再者，上述材料可於可獲得本發明之效果之範圍內含有矽以外之半金屬或金屬。 又，蝕刻終止膜7較佳為由與上述蝕刻遮罩膜6相同之材料而形成。其結果為，於將蝕刻終止膜7進行圖案化時，可同時去除上述蝕刻遮罩膜6。又，亦可由鉻化合物或矽化合物形成蝕刻終止膜7及蝕刻遮罩膜6，並且使蝕刻終止膜7與蝕刻遮罩膜6之組成比互不相同。 關於蝕刻終止膜7之膜厚，就抑制於蝕刻吸收體膜4時對保護膜3造成損傷而使光學特性改變之觀點而言，較理想為2 nm以上。又，關於蝕刻終止膜7之膜厚，就減薄吸收體膜4與蝕刻終止膜7之合計膜厚，即降低包含吸收體圖案4a及蝕刻終止圖案7a之圖案之高度之觀點而言，較理想為7 nm以下，更佳為5 nm以下。 又，於將蝕刻終止膜7及蝕刻遮罩膜6同時進行蝕刻之情形時，蝕刻終止膜7之膜厚較佳為與蝕刻遮罩膜之膜厚相同或較薄。進而，於(蝕刻終止膜7之膜厚)≦(蝕刻遮罩膜6之膜厚)之情形時，較佳為滿足(蝕刻終止膜7之蝕刻速度)≦(蝕刻遮罩膜6之蝕刻速度)之關係。 ＜＜背面導電膜＞＞ 於基板1之第2主面(背面)側(多層反射膜2形成面之相反側)，一般而言形成有靜電吸附用之背面導電膜5。靜電吸附用之背面導電膜5所要求之電氣特性(薄片電阻)通常為100 Ω/□(Ω/Square)以下。關於背面導電膜5之形成方法，例如可藉由磁控濺鍍法或離子束濺鍍法使用鉻、鉭等金屬或合金之靶而形成。 背面導電膜5之含有鉻(Cr)之材料較佳為於Cr中含有選自硼、氮、氧、及碳中之至少一者之Cr化合物。作為Cr化合物，例如可列舉CrN、CrON、CrCN、CrCON、CrBN、CrBON、CrBCN及CrBOCN等。 作為背面導電膜5之含有鉭(Ta)之材料，較佳為使用：Ta(鉭)，含有Ta之合金，或於該等任一者中含有硼、氮、氧及碳中之至少一者之Ta化合物。作為Ta化合物，例如可列舉TaB、TaN、TaO、TaON、TaCON、TaBN、TaBO、TaBON、TaBCON、TaHf、TaHfO、TaHfN、TaHfON、TaHfCON、TaSi、TaSiO、TaSiN、TaSiON、及TaSiCON等。 作為含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料，較佳為於其表層存在之氮(N)較少。具體而言，含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料於背面導電膜5之表層之氮之含量較佳為未達5原子%，更佳為於表層實質上不含有氮。其原因在於：於含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料於背面導電膜5中，表層之氮之含量較少之情況下耐磨耗性變高。 背面導電膜5較佳為包含含有鉭及硼之材料。藉由背面導電膜5包含含有鉭及硼之材料，可獲得具有耐磨耗性及化學液耐性之導電膜23。於背面導電膜5含有鉭(Ta)及硼(B)之情形時，B含量較佳為5～30原子%。用於成膜背面導電膜5之濺鍍靶中之Ta及B之比率(Ta：B)較佳為95：5～70：30。 背面導電膜5之厚度只要滿足作為靜電吸附用之功能，則並無特別限定，通常為10 nm至200 nm。又，該背面導電膜5亦兼對光罩基底100之第2主面側進行應力調整，以與來自形成於第1主面側之各種膜之應力保持平衡而獲得平坦之反射型光罩基底之方式進行調整。 又，近年來，如日本專利第5883249號公報所記載，存在如下技術：為了修正反射型光罩等轉印用光罩之對位等之誤差，而對轉印用光罩之基板局部地照射飛秒雷射脈衝，藉此使基板表面或基板內部改質，修正轉印用光罩之誤差。作為產生上述脈衝之雷射光束，例如有藍寶石雷射(波長800 nm)或Nd-YAG雷射(532 nm)等。 於將上述技術應用於反射型光罩200時，想到自基板1之第2主面(背面)側照射雷射光束。然而，於上述包含含有鉭(Ta)或鉻(Cr)之材料之背面導電膜5之情形時，會產生難以透過雷射光束之問題。為了消除該問題，背面導電膜5較佳為使用至少對532 nm之波長之透過率為20%以上之材料而形成。 作為此種透過率較高之背面導電膜(透明導電膜)5之材料，較佳為使用摻錫氧化銦(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁氧化鋅(AZO)或摻銻氧化錫(ATO)。藉由將透明導電膜之膜厚設為50 nm以上，可將對靜電吸附用之背面導電膜5所要求之電氣特性(薄片電阻)設為100 Ω/□以下。例如，膜厚100 nm之ITO膜對532 nm之波長之透過率為約79.1%，薄片電阻為50 Ω/□。 又，作為透過率較高之背面導電膜(透明導電膜)5之材料，較佳為使用鉑(Pt)、金(Au)、鋁(Al)或銅(Cu)之金屬單體。又，可使用於滿足所需透過率及電氣特性之範圍內，於該金屬中含有硼、氮、氧及碳中之至少一者之金屬化合物。該等金屬膜係與上述ITO等相比較而導電率較高，故而能夠薄膜化。關於金屬膜之膜厚，就透過率之觀點而言較佳為50 nm以下，更佳為20 nm以下。又，若膜厚過薄，則有薄片電阻急遽地增加之傾向，及就成膜時之穩定性之觀點而言，金屬膜之膜厚較佳為2 nm以上。例如，膜厚10.1 nm之Pt膜對532 nm之波長之透過率為20.3%，薄片電阻為25.3 Ω/□。 製作將背面導電膜5設為Pt膜之情形時之試樣並進行評價。即，於SiO2 -TiO2 系玻璃基板1之第2主面(背面)，於Ar氣體氛圍中藉由使用Pt靶之DC磁控濺鍍法以5.2 nm、10.1 nm、15.2 nm、及20.0 nm之膜厚分別成膜包含Pt膜之背面導電膜5，製作4塊附導電膜之基板。 自所製作之4塊附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並對透過率進行測定，結果如圖8所示，透過率分別為39.8%、20.3%、10.9%、及6.5%，膜厚為5.2 nm及10.1 nm之附導電膜之基板滿足透過率20%以上。又，薄片電阻係藉由四端子測定法進行測定，結果分別為57.8 Ω/□、25.3 Ω/□、15.5 Ω/□、及11.2 Ω/□，均滿足100 Ω/□以下。 針對膜厚為10.1 nm之附導電膜之基板，利用與下述實施例1相同之方法製作反射型光罩基底100，其後製作反射型光罩200。自所製作之反射型光罩200之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果由於背面導電膜5係由透過率較高之Pt膜形成，故而可修正反射型光罩200之對位誤差。 進而，背面導電膜5可設為單層膜或2層以上之積層結構。為了使進行靜電吸附時之機械耐久性提昇或使洗淨耐性提昇，較佳為將最上層設為CrO、TaO或SiO2 。又，亦可將最上層設為上述金屬膜之氧化膜，即PtO、AuO、AiO或CuO。最上層之厚度較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而為10 nm以上。於將背面導電膜設為透明導電膜之情形時，設為透過率滿足20%以上之材料及膜厚。 又，於背面導電膜5之基板側可設置中間層。關於中間層，可使其具有提昇基板1與背面導電膜5之密接性、或抑制氫自基板1向背面導電膜5滲入之功能。又，關於中間層，可使其具有如下功能：抑制使用EUV光作為曝光源之情形時被稱為帶外(out-of-band)光之真空紫外光及紫外光(波長：130～400 nm)透過基板1而被背面導電膜5反射。作為中間層之材料，例如可列舉Si、SiO2 、SiON、SiCO、SiCON、SiBO、SiBON、Cr、CrN、CrON、CrC、CrCN、CrCO、CrCON、Mo、MoSi、MoSiN、MoSiO、MoSiCO、MoSiON、MoSiCON、TaO及TaON等。中間層之厚度較佳為1 nm以上，更佳為5 nm以上，進而10 nm以上。於將背面導電膜設為透明導電膜之情形時，設為將中間層及透明導電膜積層而成者之透過率滿足20%以上之材料及膜厚。 如上所述，對於背面導電膜5，要求電氣特性(薄片電阻)及於自背面照射雷射光束之情形時將透過率設為所需值，但若為了滿足該等要求而使背面導電膜5之膜厚變薄，則存在產生其他問題之情形。通常，多層反射膜2具有較高之壓縮應力，故而基板1之第1主面側成為凸形狀，第2主面(背面)側成為凹形狀。另一方面，藉由多層反射膜2之退火(加熱處理)、及背面導電膜5之成膜而進行應力調整，以獲得總體平坦或第2主面側為略凹形狀之反射型光罩基底之方式進行調整。然而，若背面導電膜5之膜厚較薄，則該平衡崩塌，第2主面(背面)側之凹形狀會變得過大。於此種情況下進行靜電吸附時，存在如下情況：於基板周緣部(尤其是角部)產生刮痕，並產生膜剝落或微粒產生之問題。 為了解決該問題，較佳為將形成有背面導電膜5之附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀。作為將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀之第1方法，將成膜背面導電膜5之前的基板1之第2主面側之形狀設為凸形狀即可。藉由預先將基板1之第2主面設為凸形狀，即便將膜厚為10 nm左右之包含Pt膜等之膜應力較小之背面導電膜5成膜，且將具有較高之壓縮應力之多層反射膜2成膜，亦可將第2主面側之形狀設為凸形狀。 又，作為將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀之第2方法，可列舉於多層反射膜2成膜後於150℃～300℃下進行退火(加熱處理)之方法。尤佳為於210℃以上之高溫下進行退火。多層反射膜2可藉由進行退火而減小多層反射膜2之膜應力，但退火溫度與多層反射膜2之反射率處於取捨之關係。於多層反射膜2之成膜時，於自離子源供給氬(Ar)離子粒子之先前之Ar濺鍍之情形時，若於高溫下進行退火，則無法獲得所需反射率。另一方面，藉由進行自離子源供給氪(Kr)離子粒子之Kr濺鍍，能夠使多層反射膜2之退火耐性提昇，即便於高溫下進行退火，亦可維持較高之反射率。因此，藉由利用Kr濺鍍成膜多層反射膜2之後於150℃～300℃下進行退火，可減小多層反射膜2之膜應力。於該情形時，即便將膜厚為10 nm左右之包含Pt膜等之膜應力較小之背面導電膜5成膜，亦可將第2主面側之形狀設為凸形狀。 進而，亦可將上述第1方法與第2方法組合。再者，於將背面導電膜5設為ITO膜等透明導電膜之情形時，能夠使膜厚變厚。因此，藉由於滿足電氣特性之範圍內進行厚膜化，可將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀。 藉由如此般將附導電膜之基板之第2主面(背面)側設為凸形狀，能夠於進行靜電吸附時，防止於基板周緣部(尤其是角部)產生刮痕。 又，為了解決於背面導電膜(透明導電膜)5之膜厚較薄之情形時產生之上述問題，如上所述，可於背面導電膜5之基板側設置中間層。中間層可設為具有應力調整功能且於與透明導電膜重疊時可獲得所需透過率(例如，於波長532 nm下為20%以上)者。 中間層之材料可列舉Si3 N4 及SiO2 。Si3 N4 由於對波長532 nm之透過率較高，故而與其他材料相比，膜厚之限制較少，例如能夠於膜厚1～200 nm之範圍內進行應力調整。圖9係於將基板1之背面上之背面導電膜5設為膜厚10 nm之Pt膜且將中間層設為Si3 N4 膜之情形，對自背面導電膜5側照射波長532 nm之光時相對於中間層之膜厚變化的透過率變化進行研究。於圖10至圖12中亦相同。由此，中間層至少於100 nm以下之範圍內成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。圖10係對將背面導電膜5設為膜厚10 nm之Pt膜且將中間層設為SiO2 膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化的透過率變化進行研究。由此，中間層至少於100 nm以下之範圍內成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。 於將中間層之材料設為Si3 N4 及SiO2 之情形時，就導電性之確保及透過率之觀點而言，包含金屬膜之背面導電膜5之膜厚較佳為設為2 nm以上且10 nm以下。 又，作為中間層之材料，可使用消光係數較小之Ta系氧化膜及Cr系氧化膜。Ta系氧化膜可列舉TaO、TaON、TaCON、TaBO、TaBON、及TaBCON等。Cr系氧化膜可列舉CrO、CrON、CrCON、CrBO、CrBON、及CrBOCN等。進而，中間層之材料可設為上述背面導電膜5之金屬膜之氧化膜，即PtO、AuO、AiO或CuO。 圖11係對將背面導電膜5設為膜厚5 nm之Pt膜且將中間層設為TaBO膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化的透過率變化進行研究。由此，中間層於58 nm以下之範圍內成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。圖12係對將背面導電膜5設為膜厚5 nm之Pt膜且將中間層設為CrOCN膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化的透過率變化進行調查。藉此，中間層至少於100 nm以下之範圍內成為透過率20%以上，因而能夠於該範圍內進行應力調整。 於將中間層之材料設為Ta系氧化膜或Cr系氧化膜等金屬氧化膜之情形時，就導電性之確保及透過率之觀點而言，包含金屬膜之背面導電膜5之膜厚較佳為設為2 nm以上且5 nm以下。 製作將背面導電膜5設為膜厚10 nm之Pt膜，並於基板1與Pt膜之間設有包含Si3 N4 膜之中間層的情形時之試樣並進行評價。 即，於SiO2 -TiO2 系玻璃基板1之第2主面(背面)，使用Si靶於Ar氣體與N2 氣體之混合氣體氛圍中，利用反應性濺鍍(RF濺鍍)以90 nm之膜厚成膜包含Si3 N4 膜之中間層。繼而，於Ar氣體氛圍中藉由使用Pt靶之DC磁控濺鍍法以10 nm之膜厚成膜包含Pt膜之背面導電膜5，而製作附導電膜之基板。 自所製作之附導電膜之基板之第2主面(背面)照射波長532 nm之光並測定透過率，結果為21%。又，薄片電阻係藉由四端子測定法進行測定，結果為25 Ω/□。 針對積層有Si3 N4 膜及Pt膜之附導電膜之基板，利用與下述實施例1相同之方法製作反射型光罩基底100。藉由利用光干涉之平坦度測定裝置對反射型光罩基底100之背面之平坦度進行測定，結果確認為凸形狀且具有95 nm之平坦度。 再者，對不設置包含Si3 N4 膜之中間層而設為膜厚10 nm之Pt膜之背面導電膜之情形的反射型光罩基底之背面之平坦度進行測定，結果為凹形狀且為401 nm之平坦度，可確認Si3 N4 膜具有應力調整功能。 其後，利用與下述實施例1相同之方法而製作反射型光罩200。自所製作之反射型光罩200之基板1之第2主面(背面)側照射波長532 nm之Nd-YAG雷射之雷射光束，結果由於中間層及背面導電膜5係由透過率較高之Si3 N4 膜及Pt膜形成，故而可修正反射型光罩200之對位誤差。 ＜反射型光罩及其製造方法＞ 使用本實施形態之反射型光罩基底100，製造反射型光罩。此處僅進行概要說明，下文將於實施例中一面參照圖式一面詳細地進行說明。 準備反射型光罩基底100，於其第1主面之吸收體膜4上形成抗蝕劑膜(於反射型光罩基底100具備抗蝕劑膜之情形時不需要)，對該抗蝕劑膜描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案。 於反射型光罩基底100之情形時，將該抗蝕劑圖案作為遮罩對吸收體膜4進行蝕刻而形成吸收體圖案，並利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案，藉此形成吸收體圖案。最後，進行使用酸性或鹼性之水溶液之濕式洗淨。 此處，作為吸收體膜4之蝕刻氣體，可使用：Cl2 、SiCl4 、CHCl3 、CCl4 、及BCl3 等氯系氣體，以特定之比率含有氯系氣體及He之混合氣體，以特定之比率含有氯系氣體及Ar之混合氣體等。於吸收體膜4之蝕刻中，由於蝕刻氣體實質上不含氧，故而Ru系保護膜不會產生表面粗糙。作為該實質上不含氧之氣體，相當於氣體中之氧之含量為5原子%以下。 藉由以上步驟，可獲得陰影效應較少且具有側壁粗糙較少之高精度微細圖案之反射型光罩。 ＜半導體裝置之製造方法＞ 藉由使用上述本實施形態之反射型光罩200進行EUV曝光，可抑制由陰影效應所引起之轉印尺寸精度之降低，而於半導體基板上形成基於反射型光罩200上之吸收體圖案之所需轉印圖案。又，由於吸收體圖案為側壁粗糙較少之微細且高精度之圖案，故而能以較高之尺寸精度於半導體基板上形成所需之圖案。藉由除了該微影法步驟以外還歷經被加工膜之蝕刻、絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，可製造形成有所需電子電路之半導體裝置。 若進一步詳細地說明，則EUV曝光裝置包含產生EUV光之雷射電漿光源、照明光學系統、光罩平台系統、縮小投影光學系統、晶圓平台系統、及真空設備等。光源中具備碎片捕捉(debris trap)功能及截止曝光用光以外之長波長光之截止濾波器(cut filter)及真空差動排氣用之設備等。照明光學系統及縮小投影光學系統包含反射型鏡。EUV曝光用反射型光罩200係藉由形成於其第2主面之導電膜被靜電吸附而載置於光罩平台。 EUV光源之光經由照明光學系統以相對於反射型光罩垂直面傾斜6°至8°之角度照射至反射型光罩。針對該入射光之來自反射型光罩200之反射光朝與入射相反之方向且以與入射角度相同之角度反射(正反射)，並被導入至通常具有1/4之縮小比之反射型投影光學系統，對載置於晶圓平台上之晶圓(半導體基板)上之抗蝕劑進行曝光。其間，至少對EUV光通過之空間進行真空排氣。又，於該曝光時，對光罩平台及晶圓平台以與縮小投影光學系統之縮小比相應之速度同步進行掃描，並經由狹縫進行曝光之掃描曝光成為主流。繼而，對將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此可於半導體基板上形成抗蝕劑圖案。本發明中，使用陰影效應較小之薄膜而且具有側壁粗糙較少之高精度吸收體圖案的光罩。因此，形成於半導體基板上之抗蝕劑圖案成為具有較高之尺寸精度之所需者。繼而，藉由使用該抗蝕劑圖案作為遮罩實施蝕刻等，例如可於半導體基板上形成特定之配線圖案。藉由歷經此種曝光步驟或被加工膜加工步驟、絕緣膜或導電膜之形成步驟、摻雜劑導入步驟、或退火步驟等其他需要之步驟，而製造半導體裝置。 [實施例] 以下，一面參照圖式一面對實施例進行說明。再者，於實施例中，對相同之構成要素使用相同之符號，並將說明簡化或省略。 [實施例1] 如圖1所示，實施例1之反射型光罩基底100具有背面導電膜5、基板1、多層反射膜2、保護膜3、及吸收體膜4。吸收體膜4包含含有NiTa之非晶質合金之材料。而且，如圖2(a)所示，於吸收體膜4上形成抗蝕劑膜11。圖2係表示由反射型光罩基底100製作反射型光罩200之步驟之要部剖面模式圖。 首先，對實施例1之反射型光罩基底100進行說明。 準備第1主面及第2主面之兩主表面經過研磨之6025尺寸(約152 mm×152 mm×6.35 mm)之作為低熱膨脹玻璃基板之SiO2 -TiO2 系玻璃基板作為基板1。以成為平坦且平滑之主表面之方式，進行包含粗研磨加工步驟、精密研磨加工步驟、局部加工步驟、及接觸研磨加工步驟之研磨。 於SiO2 -TiO2 系玻璃基板1之第2主面(背面)，藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法於下述條件下形成包含CrN膜之背面導電膜5。 背面導電膜形成條件：Cr靶、Ar與N2 之混合氣體氛圍(Ar：90%；N：10%)、膜厚20 nm。 繼而，於與形成有背面導電膜5之側為相反側的基板1之主表面(第1主面)上形成多層反射膜2。關於形成於基板1上之多層反射膜2，為了製成適於波長13.5 nm之EUV光之多層反射膜，而設為包含Mo及Si之週期多層反射膜。多層反射膜2係使用Mo靶及Si靶，於Ar氣體氛圍中藉由離子束濺鍍法於基板1上交替地積層Mo層及Si層而形成。首先，以4.2 nm之厚度成膜Si膜，繼而以2.8 nm之厚度成膜Mo膜。將其作為1週期，同樣地積層40週期，最後以4.0 nm之厚度成膜Si膜，而形成多層反射膜2。此處係設為40週期，但並不限於此，例如亦可為60週期。於設為60週期之情形時，步驟數較40週期而增多，但可提高對EUV光之反射率。 繼而，於Ar氣體氛圍中，藉由使用Ru靶之離子束濺鍍法以2.5 nm之厚度成膜包含Ru膜之保護膜3。 繼而，藉由DC磁控濺鍍法，形成包含NiTa膜之吸收體膜4。NiTa膜係使用NiTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以39.8 nm之膜厚進行成膜。 NiTa膜之元素比率係Ni為80原子%，Ta為20原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對NiTa膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，NiTa膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.947，消光係數k為約0.063。 關於上述包含NiTa膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率，由於將膜厚設為39.8 nm，故而為0.11%(圖3)。 繼而，使用上述實施例1之反射型光罩基底100製造實施例1之反射型光罩200。 如上所述，於反射型光罩基底100之吸收體膜4上以150 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖2(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖2(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用Cl2 氣體進行NiTa膜(吸收體膜4)之乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案4a(圖2(c))。 其後，利用灰化或抗蝕劑剝離液等去除抗蝕劑圖案11a。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨，而製造反射型光罩200(圖2(d))。再者，視需要可於濕式洗淨後進行光罩缺陷檢查，適當進行光罩缺陷修正。 就實施例1之反射型光罩200而言，可確認：即便對NiTa膜上之抗蝕劑膜11進行電子束描繪，亦可描繪如設計值般之圖案。又，由於NiTa膜為非晶質合金，故而利用氯系氣體之加工性良好，能以較高之精度形成吸收體圖案4a。又，吸收體圖案4a之膜厚為39.8 nm，可較先前之利用Ta系材料所形成之吸收體膜而變薄，從而可減小陰影效應。 將實施例1所製作之反射型光罩200設置於EUV掃描儀，對在半導體基板上形成有被加工膜及抗蝕劑膜之晶圓進行EUV曝光。繼而，將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此於形成有被加工膜之半導體基板上形成抗蝕劑圖案。 藉由蝕刻將該抗蝕劑圖案轉印至被加工膜，又，歷經絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例2] 實施例2係將吸收體膜4設為NiZr之非晶質合金之情形之實施例，除此以外與實施例1相同。 即，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含NiZr膜之吸收體膜4。NiZr膜係使用NiZr靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以53.9 nm之膜厚進行成膜。 NiZr膜之元素比率係Ni為80原子%，Zr為20原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對NiZr膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，NiZr膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.952，消光係數k為約0.049。 關於上述包含NiZr膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率，由於將膜厚設為53.9 nm，故而為0.12%(圖4)。 又，以與實施例1相同之方式製造實施例2之反射型光罩200及半導體裝置，結果與實施例1同樣地獲得了良好之結果。 [實施例3] 實施例3係將吸收體膜4設為NiP之非晶質金屬之情形之實施例，除此以外與實施例1相同。 即，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含NiP膜之吸收體膜4。NiP膜係使用NiP靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以46.4 nm之膜厚進行成膜。 NiP膜之元素比率係Ni為79.5原子%，P為20.5原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對NiP膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，NiP膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.956，消光係數k為約0.056。 關於上述包含NiP膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率，由於將膜厚設為46.4 nm，故而為0.13%(圖5)。 又，以與實施例1相同之方式製造實施例3之反射型光罩200及半導體裝置，結果與實施例1同樣地獲得了良好之結果。 [實施例4] 實施例4係製成如圖13所示般具備蝕刻遮罩膜6之反射型光罩基底300。實施例4係將吸收體膜4設為CoTa之非晶質合金，且於吸收體膜4上設有包含CrN膜之蝕刻遮罩膜6之情形之實施例，除此以外與實施例1相同。 即，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含CoTa膜之吸收體膜4。CoTa膜係使用CoTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以40.4 nm之膜厚進行成膜。 CoTa膜之元素比率係Co為80原子%，Ta為20原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對CoTa膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，CoTa膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.936，消光係數k為約0.059。 關於上述包含CoTa膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率，由於將膜厚設為40.4 nm，故而為0.18%(圖6)。 針對所製作之附吸收體膜之基板，藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法於下述條件下形成CrN膜作為蝕刻遮罩膜6，而獲得實施例4之反射型光罩基底300。 蝕刻遮罩膜形成條件：Cr靶、Ar與N2 之混合氣體氛圍(Ar：90%；N：10%)、膜厚10 nm。 藉由拉塞福逆散射譜法對蝕刻遮罩膜6之元素組成進行測定，結果為Cr：90原子%、N：10原子%。 繼而，使用上述實施例4之反射型光罩基底300而製造實施例4之反射型光罩400。 於反射型光罩基底300之蝕刻遮罩膜6上以100 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖14(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖14(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體(Cl2 ＋氧氣(O2 ))進行CrN膜(蝕刻遮罩膜6)之乾式蝕刻，藉此形成蝕刻遮罩圖案6a(圖14(c))。繼而，使用Cl2 氣體進行CoTa膜(吸收體膜4)之乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案4a。利用灰化或抗蝕劑剝離液等而去除抗蝕劑圖案11a(圖14(d))。 其後，藉由使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體之乾式蝕刻而去除蝕刻遮罩圖案6a(圖14(e))。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨而製造實施例4之反射型光罩400。 由於吸收體膜4上形成有蝕刻遮罩膜6，故而可容易地對吸收體膜4進行蝕刻。又，可將用以形成轉印圖案之抗蝕劑膜11加以薄膜化，而獲得了具有微細圖案之反射型光罩400。 就實施例4之反射型光罩400而言，可確認：即便對CoTa膜上之抗蝕劑膜11進行電子束描繪，亦可描繪如設計值般之圖案。又，由於CoTa膜為非晶質合金，並且於吸收體膜4上設置有蝕刻遮罩膜6，故而能以較高之精度形成吸收體圖案4a。又，吸收體圖案4a之膜厚為40.4 nm，可較先前之利用Ta系材料所形成之吸收體膜而變薄，從而可減小陰影效應。 將實施例4所製作之反射型光罩400設置於EUV掃描儀，對於半導體基板上形成有被加工膜及抗蝕劑膜之晶圓進行EUV曝光。繼而，將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此於形成有被加工膜之半導體基板上形成抗蝕劑圖案。 藉由蝕刻將該抗蝕劑圖案轉印至被加工膜，又，歷經絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例5] 實施例5係將吸收體膜4設為CoNb之非晶質合金之情形之實施例，除此以外與實施例4相同。 即，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含CoNb膜之吸收體膜4。CoNb膜係使用CoNb靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以47.9 nm之膜厚進行成膜。 CoNb膜之元素比率係Co為80原子%，Nb為20原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對CoNb膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，CoNb膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.933，消光係數k為約0.048。 關於上述包含CoNb膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率，由於將膜厚設為47.9 nm，故而為0.18%(圖7)。 又，與實施例4同樣地製造實施例5之反射型光罩及半導體裝置，結果與實施例4同樣地獲得了良好之結果。 [實施例6] 實施例6係製成如圖13所示般具備蝕刻遮罩膜6之反射型光罩基底300。實施例6係將保護膜3設為RuNb膜，將吸收體膜4設為NiTa之非晶質合金，於吸收體膜4上設置有包含CrN膜之蝕刻遮罩膜6之情形的實施例。 針對以與實施例1相同之方式所製作之形成有背面導電膜5及多層反射膜2之附多層反射膜之基板，成膜保護膜3。保護膜3係於Ar氣體氛圍中藉由使用RuNb靶之離子束濺鍍法以膜厚為2.5 nm之RuNb膜之形式而形成。 繼而，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含NiTa膜之吸收體膜4。NiTa膜係使用NiTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以40 nm之膜厚進行成膜。 NiTa膜之元素組成係Ni為50原子%，Ta為50原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對NiTa膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，NiTa膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.951，消光係數k為約0.049。又，上述包含NiTa膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率為1.1%。 針對所製作之附吸收體膜之基板，藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法形成CrN膜作為蝕刻遮罩膜6。CrN膜係使用Cr靶，於Ar與N2 之混合氣體氛圍中以10 nm之膜厚進行成膜。藉由拉塞福逆散射譜法對蝕刻遮罩膜6之元素組成進行測定，結果Cr為90原子%，N為10原子%。以如上方式而製造實施例6之反射型光罩基底300。 繼而，使用上述實施例6之反射型光罩基底300而製造實施例6之反射型光罩400。 於反射型光罩基底300之蝕刻遮罩膜6上以100 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖14(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖14(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體(Cl2 ＋氧氣(O2 ))進行CrN膜(蝕刻遮罩膜6)之乾式蝕刻，藉此形成蝕刻遮罩圖案6a(圖14(c))。繼而，使用BCl3 氣體進行NiTa膜(吸收體膜4)之乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案4a，並利用灰化或抗蝕劑剝離液等而去除抗蝕劑圖案11a(圖14(d))。 其後，藉由使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體之乾式蝕刻而去除蝕刻遮罩圖案6a(圖14(e))。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨而製造實施例6之反射型光罩400。 由於吸收體膜4上形成有蝕刻遮罩膜6，故而可容易地對吸收體膜4進行蝕刻。又，可將用以形成轉印圖案之抗蝕劑膜11加以薄膜化，而獲得了具有微細圖案之反射型光罩400。 就實施例6之反射型光罩400而言，可確認：即便對NiTa膜上之抗蝕劑膜11進行電子束描繪，亦可描繪如設計值般之圖案。又，由於NiTa膜為非晶質合金，並且於吸收體膜4上設置有蝕刻遮罩膜6，故而能以較高之精度形成吸收體圖案4a。又，吸收體圖案4a之膜厚為40 nm，可較先前之利用Ta系材料所形成之吸收體膜而變薄，從而可減小陰影效應。 將實施例6所製作之反射型光罩400設置於EUV掃描儀，對於半導體基板上形成有被加工膜及抗蝕劑膜之晶圓進行EUV曝光。繼而，將該經曝光之抗蝕劑膜進行顯影，藉此於形成有被加工膜之半導體基板上形成抗蝕劑圖案。 藉由蝕刻將該抗蝕劑圖案轉印至被加工膜，又，歷經絕緣膜及導電膜之形成、摻雜劑之導入、以及退火等各種步驟，藉此可製造具有所需特性之半導體裝置。 [實施例7] 實施例7係改變實施例6之NiTa膜之組成比之情形的實施例，除此以外與實施例6相同。 即，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含NiTa膜之吸收體膜4。NiTa膜係使用NiTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以40 nm之膜厚進行成膜。 NiTa膜之元素組成係Ni為25原子%，Ta為75原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對NiTa膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，NiTa膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.951，消光係數k為約0.040。又，上述包含NiTa膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率為2.3%。 與實施例6相同地製作實施例7之反射型光罩400，結果蝕刻選擇比大於實施例6，可縮短蝕刻時間。又，與實施例6同樣地製造實施例7之半導體裝置，結果與實施例6同樣地獲得了良好之結果。 [實施例8] 實施例8係將吸收體膜4設為CoTaN之非晶質合金之情形之實施例，除此以外與實施例6相同。 即，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含CoTaN膜之吸收體膜4。CoTaN膜係使用CoTa靶，於Ar與N2 之混合氣體氛圍中利用反應性濺鍍以40 nm之膜厚進行成膜。 CoTaN膜之元素組成係Co為40原子%，Ta為40原子%，N為20原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對CoTaN膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，使用X射線反射率法(XRR)對形成於CoTaN膜之表面之氧化層之膜厚進行測定，結果為1.5 nm。CoTaN膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.950，消光係數k為約0.047。又，上述包含CoTaN膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率為1.1%。 與實施例6同樣地製造實施例8之反射型光罩及半導體裝置，結果與實施例6同樣地獲得了良好之結果。 [實施例9] 實施例9係改變吸收體膜4之蝕刻氣體之情形之實施例，除此以外與實施例8相同。 即，於反射型光罩基底300之蝕刻遮罩膜6上以100 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖14(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之後圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖14(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體(Cl2 ＋氧氣(O2 ))進行CrN膜(蝕刻遮罩膜6)之乾式蝕刻，藉此形成蝕刻遮罩圖案6a(圖14(c))。繼而，自CoTaN膜(吸收體膜4)之表面使用BCl3 氣體進行深度4.9 nm之乾式蝕刻，而去除形成於CoTaN膜之表面之氧化層。其後，使用Cl2 氣體對殘膜厚為35.1 nm之CoTaN膜進行乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案(圖14(d))。 與實施例8同樣地製造實施例9之反射型光罩及半導體裝置，結果與實施例8同樣地獲得了良好之結果。又，可使吸收體膜4之蝕刻時間較實施例8縮短。 [實施例10] 實施例10係製成如圖15所示般具備蝕刻終止膜7及蝕刻遮罩膜6之反射型光罩基底500。實施例10係將吸收體膜4設為CoTa之非晶質合金，於吸收體膜4下設置有包含CrN膜之蝕刻終止膜7，於吸收體膜4上設置有包含CrN膜之蝕刻遮罩膜6之情形的實施例。 即，針對以與實施例6相同之方式所製作之形成有背面導電膜5、多層反射膜2及保護膜3之附保護膜之基板，藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法形成CrN膜作為蝕刻終止膜7。CrN膜係使用Cr靶，於Ar與N2 之混合氣體氛圍中以5 nm之膜厚進行成膜。藉由拉塞福逆散射譜法對蝕刻終止膜7之元素組成進行測定，結果Cr為90原子%，N為10原子%。 繼而，藉由DC磁控濺鍍法而形成包含CoTa膜之吸收體膜4。CoTa膜係使用CoTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以40 nm之膜厚進行成膜。 CoTa膜之元素組成係Co為75原子%，Ta為25原子%。又，藉由X射線繞射裝置(XRD)對CoTa膜之結晶結構進行測定，結果為非晶質結構。又，CoTa膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.952，消光係數k為約0.040。又，上述包含CoTa膜之吸收體膜4於波長13.5 nm下之反射率為2.4%。 針對所製作之附吸收體膜之基板，藉由磁控濺鍍(反應性濺鍍)法形成CrN膜作為蝕刻遮罩膜6。CrN膜係使用Cr靶，於Ar與N2 之混合氣體氛圍中以5 nm之膜厚成膜吸收體膜4。藉由拉塞福逆散射譜法對蝕刻遮罩膜6之元素組成進行測定，結果Cr為90原子%，N為10原子%。如此而獲得實施例10之反射型光罩基底500。 繼而，使用上述實施例10之反射型光罩基底500而製造反射型光罩600。 於反射型光罩基底500之蝕刻遮罩膜6上，以80 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖16(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖16(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體(Cl2 ＋氧氣(O2 ))進行CrN膜(蝕刻遮罩膜6)之乾式蝕刻，藉此形成蝕刻遮罩圖案6a(圖16(c))。繼而，使用BCl3 氣體進行CoTa膜(吸收體膜4)之乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案4a，並利用灰化或抗蝕劑剝離液等而去除抗蝕劑圖案11a(圖16(d))。 其後，藉由使用Cl2 氣體與O2 之混合氣體之乾式蝕刻將蝕刻終止膜7進行圖案化，並且同時去除蝕刻遮罩圖案6a(圖16(e))。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨而製造實施例10之反射型光罩600。 實施例10中，由於吸收體膜4下形成有蝕刻終止膜7，故而可於不對保護膜3造成損傷之情況下容易地對吸收體膜4進行蝕刻。又，可將用以形成轉印圖案之抗蝕劑膜11加以薄膜化，而獲得了具有微細圖案之反射型光罩600。 就實施例10之反射型光罩600而言，可確認：即便對CoTa膜上之抗蝕劑膜11進行電子束描繪，亦可描繪如設計值般之圖案。又，由於CoTa膜為非晶質合金，並且於吸收體膜4之上下設置有蝕刻遮罩膜6及蝕刻終止膜7，故而可於不對保護膜3造成損傷之情況下以較高之精度形成吸收體圖案4a。又，吸收體圖案4a之膜厚為40 nm，可較先前之利用Ta系材料所形成之吸收體膜而變薄，從而可減小陰影效應。 [實施例11] 實施例11係將實施例10之蝕刻終止膜7及蝕刻遮罩膜6分別變更為SiO2 膜，且改變吸收體膜4之蝕刻氣體之情形的實施例，除此以外與實施例10相同。 即，針對以與實施例6相同之方式所製作之形成有背面導電膜5、多層反射膜2及保護膜3之附保護膜之基板，藉由RF濺鍍法形成SiO2 膜作為蝕刻終止膜7。SiO2 膜係使用SiO2 靶，於Ar氣體氛圍中以5 nm之膜厚進行成膜。藉由拉塞福逆散射譜法對蝕刻終止膜7之元素組成進行測定，結果確認為SiO2 。 繼而，與實施例10同樣地藉由DC磁控濺鍍法而形成包含CoTa膜之吸收體膜4。CoTa膜係使用CoTa靶，於Ar氣體氛圍中利用反應性濺鍍以40 nm之膜厚進行成膜。 針對所製作之附吸收體膜之基板，藉由RF濺鍍法形成SiO2 膜作為蝕刻遮罩膜6。SiO2 膜係使用SiO2 靶，於Ar氣體氛圍中以5 nm之膜厚進行成膜。藉由拉塞福逆散射譜法對蝕刻遮罩膜6之元素組成進行測定，結果確認為SiO2 。如此而獲得實施例11之反射型光罩基底500。 以與實施例10相同之方式於實施例11之反射型光罩基底500之蝕刻遮罩膜6上以80 nm之厚度形成抗蝕劑膜11(圖16(a))。繼而，對該抗蝕劑膜11描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之抗蝕劑圖案11a(圖16(b))。繼而，將抗蝕劑圖案11a作為遮罩，使用含氟氣體(具體而言，CF4 氣體)進行SiO2 膜(蝕刻遮罩膜6)之乾式蝕刻，藉此形成蝕刻遮罩圖案6a(圖16(c))。繼而，使用Cl2 氣體進行CoTa膜(吸收體膜)之乾式蝕刻，藉此形成吸收體圖案4a，並利用灰化或抗蝕劑剝離液等而去除抗蝕劑圖案11a(圖16(d))。 其後，藉由使用CF4 氣體之乾式蝕刻將蝕刻終止膜7進行圖案化，並且同時去除蝕刻遮罩圖案6a(圖16(e))。最後，進行使用純水(DIW)之濕式洗淨而製造實施例11之反射型光罩600。 又，與實施例10同樣地製造半導體裝置，結果與實施例10同樣地獲得了良好之結果。 [比較例1] 比較例1係除了使用單層之TaBN膜作為吸收體膜4以外，以與實施例1相同之結構及方法製造反射型光罩基底、反射型光罩，又，利用與實施例1相同之方法製造半導體裝置。 單層之TaBN膜係於實施例1之光罩基底結構之保護膜3上代替NiTa膜而形成。TaBN膜係使用TaB混合燒結靶，於Ar氣體與N2 氣體之混合氣體氛圍中利用反應性濺鍍以62 nm之膜厚進行成膜。 TaBN膜之元素比率係Ta為75原子%，B為12原子%，N為13原子%。TaBN膜於波長13.5 nm下之折射率n為約0.949，消光係數k為約0.030。 上述包含單層之TaBN膜之吸收體膜於波長13.5 nm下之反射率為1.4%。 其後，利用與實施例1相同之方法於包含TaBN膜之吸收體膜上形成抗蝕劑膜，進行所需之圖案描繪(曝光)及顯影、沖洗而形成抗蝕劑圖案。繼而，將該抗蝕劑圖案作為遮罩對包含TaBN膜之吸收體膜進行使用氯氣之乾式蝕刻，形成吸收體圖案。抗蝕劑圖案去除或光罩洗淨等亦係利用與實施例1相同之方法進行，而製造比較例1之反射型光罩。 吸收體圖案之膜厚為62 nm，無法減小陰影效應。
1‧‧‧基板2‧‧‧多層反射膜3‧‧‧保護膜4‧‧‧吸收體膜4a‧‧‧吸收體圖案5‧‧‧背面導電膜6‧‧‧蝕刻遮罩膜6a‧‧‧蝕刻遮罩圖案7‧‧‧蝕刻終止膜7a‧‧‧蝕刻終止圖案11‧‧‧抗蝕劑膜11a‧‧‧抗蝕劑圖案100‧‧‧反射型光罩基底200‧‧‧反射型光罩300‧‧‧反射型光罩基底400‧‧‧反射型光罩500‧‧‧反射型光罩基底600‧‧‧反射型光罩
圖1係用以說明本發明之反射型光罩基底之概略構成之要部剖面模式圖。 圖2(a)～(d)係以要部剖面模式圖表示由反射型光罩基底製作反射型光罩之步驟的步驟圖。 圖3係表示實施例1之吸收體膜之厚度與對波長13.5 nm之光之反射率之關係的圖。 圖4係表示實施例2之吸收體膜之厚度與對波長13.5 nm之光之反射率之關係的圖。 圖5係表示實施例3之吸收體膜之厚度與對波長13.5 nm之光之反射率之關係的圖。 圖6係表示實施例4之吸收體膜之厚度與對波長13.5 nm之光之反射率之關係的圖。 圖7係表示實施例5之吸收體膜之厚度與對波長13.5 nm之光之反射率之關係的圖。 圖8係表示包含Pt膜之背面導電膜之各膜厚之透過率光譜的圖。 圖9係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為Si3 N4 膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。 圖10係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為SiO2 膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。 圖11係表示於將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為TaBO膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。 圖12係表示將背面導電膜設為Pt膜且將中間層設為CrOCN膜之情形時的相對於中間層之膜厚變化之透過率變化的圖。 圖13係表示本發明之反射型光罩基底之另一例之要部剖面模式圖。 圖14(a)～(e)係以要部剖面模式圖表示由圖13所示之反射型光罩基底製作反射型光罩之步驟的要部剖面模式圖。 圖15係表示本發明之反射型光罩基底之進而又一例之要部剖面模式圖。 圖16(a)～(e)係以要部剖面模式圖表示由圖15所示之反射型光罩基底製作反射型光罩之步驟的要部剖面模式圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧多層反射膜
3‧‧‧保護膜
4‧‧‧吸收體膜
5‧‧‧背面導電膜
100‧‧‧反射型光罩基底

Claims (10)

  1. 一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係於基板上依序具有多層反射膜及吸收體膜者，上述吸收體膜包含如下包含非晶質結構之材料，該材料包含含有鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素的合金，且包含上述鈷(Co)時之上述鈷(Co)之含量為40原子%以上，包含上述鎳(Ni)時之上述鎳(Ni)之含量為50原子%以上。
  2. 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述包含非晶質結構之材料為於上述鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素中添加鎢(W)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釔(Y)及磷(P)中之至少一種以上之元素而成者。
  3. 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中上述包含非晶質結構之材料為於上述鈷(Co)及鎳(Ni)中之至少一種以上之元素中添加鉭(Ta)而成者；且上述鉭(Ta)之含量為10原子%以上且90原子%以下。
  4. 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中於上述多層反射膜與上述吸收體膜之間具有保護膜。
  5. 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中於上述吸收體膜上具有蝕刻 遮罩膜，且上述蝕刻遮罩膜包含如下材料，該材料包含含有鉻(Cr)之材料或含有矽(Si)之材料。
  6. 如請求項4之反射型光罩基底，其中於上述保護膜與上述吸收體膜之間具有蝕刻終止膜，且上述蝕刻終止膜包含含有鉻(Cr)之材料或含有矽(Si)之材料。
  7. 一種反射型光罩，其特徵在於具有將如請求項1至6中任一項之反射型光罩基底之上述吸收體膜進行圖案化而成之吸收體圖案。
  8. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：藉由使用氯系氣體之乾式蝕刻對如請求項1至6中任一項記載之反射型光罩基底中之上述吸收體膜進行圖案化，形成吸收體圖案。
  9. 一種反射型光罩之製造方法，其特徵在於：藉由使用第1氯系氣體、及與該第1氯系氣體不同之第2氯系氣體之乾式蝕刻，將如請求項1至6中任一項之反射型光罩基底之上述吸收體膜進行圖案化，形成吸收體圖案。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有如下步驟：於具有發出EUV光之曝光用光源之曝光裝置中設置如請求項7之反射型光罩，並將轉印圖案轉印至形成於被轉印基板上之抗蝕劑膜。
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