JP2002353123A - 反射型投影露光マスク - Google Patents
反射型投影露光マスクInfo
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- JP2002353123A JP2002353123A JP2001160098A JP2001160098A JP2002353123A JP 2002353123 A JP2002353123 A JP 2002353123A JP 2001160098 A JP2001160098 A JP 2001160098A JP 2001160098 A JP2001160098 A JP 2001160098A JP 2002353123 A JP2002353123 A JP 2002353123A
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- opening
- film
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反射膜の反射率を低減させることなく良好な転
写特性を得ることができる反射型投影露光マスクを提供
することを目的とする。 【解決手段】支持基板１上に設けられた軟Ｘ線あるいは
真空紫外線を反射させるための多層膜からなる反射膜２
と、Ｘ線を吸収する吸収体パターン４ａとの間にエッチ
ングストッパーパターン３ａが設けられており、吸収体
層４エッチング時の反射膜２の損傷を無くすとともに、
反射膜の反射効率低下を防ぐように、エッチングストッ
パー層に開口部を形成し、エッチングストッパー開口部
の開口幅Ｓ Wが、吸収体開口部の開口幅ＯWよりも大きく
なっていることを特徴とする反射型投影露光マスクであ
る。
写特性を得ることができる反射型投影露光マスクを提供
することを目的とする。 【解決手段】支持基板１上に設けられた軟Ｘ線あるいは
真空紫外線を反射させるための多層膜からなる反射膜２
と、Ｘ線を吸収する吸収体パターン４ａとの間にエッチ
ングストッパーパターン３ａが設けられており、吸収体
層４エッチング時の反射膜２の損傷を無くすとともに、
反射膜の反射効率低下を防ぐように、エッチングストッ
パー層に開口部を形成し、エッチングストッパー開口部
の開口幅Ｓ Wが、吸収体開口部の開口幅ＯWよりも大きく
なっていることを特徴とする反射型投影露光マスクであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造プロセス
中のリソグラフィ工程で使用されるパターン転写用の反
射型投影露光マスクに関する。
中のリソグラフィ工程で使用されるパターン転写用の反
射型投影露光マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体プロセスの微細化に伴い、
露光光源も従来のランプ光源（波長３６５ｎｍ）からエ
キシマレーザー光源（波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）へ
と次第に短波長化されてきたが、今後パターン寸法が
０．１μｍ以下のレベルに達すると従来の露光方式の延
長での対応は難しいものとなってくる。このため現在で
は、より短波長のエキシマレーザー光源を用いる真空紫
外線露光（Vacuum Ultra-Violet Lithography＝ＶＵ
Ｖ）の開発も進めれれている。
露光光源も従来のランプ光源（波長３６５ｎｍ）からエ
キシマレーザー光源（波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍ）へ
と次第に短波長化されてきたが、今後パターン寸法が
０．１μｍ以下のレベルに達すると従来の露光方式の延
長での対応は難しいものとなってくる。このため現在で
は、より短波長のエキシマレーザー光源を用いる真空紫
外線露光（Vacuum Ultra-Violet Lithography＝ＶＵ
Ｖ）の開発も進めれれている。
【０００３】また、Ｘ線縮小投影露光は、極紫外線露光
（Extreme Ultra-Violet Lithography=ＥＵＶ）とも呼
ばれ、波長１ｎｍ〜２０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の波長を
用いた露光方法で、将来の有力な半導体微細パターン作
製技術と見られている。ＥＵＶの露光方法としては、金
属にＹＡＧレーザー等を照射したときに生じるレーザー
プラズマプズマから放射される軟Ｘ線を露光光源として
用いている。露光波長は１０〜１５ｎｍの波長が一般的
に考えられているが、何れもこの波長領域を用いる場合
には、従来の屈折光学系を用いることが不可能あり、屈
折レンズの代わりに多層膜ミラー面を用いて反射率を高
めた反射光学系を用いる。また多層膜ミラーに非球面鏡
を用いることで縮小露光が可能となるため、マスクは４
倍若しくは５倍の拡大率で形成する。この露光方法は日
本では１９８４年頃よりＮＴＴを中心として検討が開始
され、現在では国内外の研究機関で開発が進められてい
る。
（Extreme Ultra-Violet Lithography=ＥＵＶ）とも呼
ばれ、波長１ｎｍ〜２０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の波長を
用いた露光方法で、将来の有力な半導体微細パターン作
製技術と見られている。ＥＵＶの露光方法としては、金
属にＹＡＧレーザー等を照射したときに生じるレーザー
プラズマプズマから放射される軟Ｘ線を露光光源として
用いている。露光波長は１０〜１５ｎｍの波長が一般的
に考えられているが、何れもこの波長領域を用いる場合
には、従来の屈折光学系を用いることが不可能あり、屈
折レンズの代わりに多層膜ミラー面を用いて反射率を高
めた反射光学系を用いる。また多層膜ミラーに非球面鏡
を用いることで縮小露光が可能となるため、マスクは４
倍若しくは５倍の拡大率で形成する。この露光方法は日
本では１９８４年頃よりＮＴＴを中心として検討が開始
され、現在では国内外の研究機関で開発が進められてい
る。
【０００４】また、この反射型投影露光に用いられるマ
スクは、平坦なＳｉ基板若しくは合成石英基板上にＭｏ
とＳｉあるいはＭｏとＢｅといった互いに屈折率の大き
く異なる材料を合計８０層程度交互に積層し、Ｘ線反射
用多層膜を得ている。更にこのようにして得られた多層
膜上にＷやＴａといったＸ線吸収体を設け、この吸収体
をドライエッチングでパターニングすることにより該縮
小投影露光用の反射マスクを作製する。
スクは、平坦なＳｉ基板若しくは合成石英基板上にＭｏ
とＳｉあるいはＭｏとＢｅといった互いに屈折率の大き
く異なる材料を合計８０層程度交互に積層し、Ｘ線反射
用多層膜を得ている。更にこのようにして得られた多層
膜上にＷやＴａといったＸ線吸収体を設け、この吸収体
をドライエッチングでパターニングすることにより該縮
小投影露光用の反射マスクを作製する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】縮小投影露光用反射マ
スクのマスク作製上の要求は主に低損失・高耐力・低欠
陥である。中でも、低損失は多層膜の反射率が低減する
ことによって生じ、特に吸収体をエッチングしてパター
ニングする際に多層膜の表面が荒らされる、またはエッ
チング時の僅かなオーバーエッチングにより、多層膜の
反射率が大幅に低下することによって生じる。
スクのマスク作製上の要求は主に低損失・高耐力・低欠
陥である。中でも、低損失は多層膜の反射率が低減する
ことによって生じ、特に吸収体をエッチングしてパター
ニングする際に多層膜の表面が荒らされる、またはエッ
チング時の僅かなオーバーエッチングにより、多層膜の
反射率が大幅に低下することによって生じる。
【０００６】このため、最近では多層膜へのダメージを
無くすことを目的として、吸収体と多層膜の間にエッチ
ングストッパー層を設けることが提案されている。しか
しながら、エッチングストッパー層を設けた場合にも、
反射率の若干の低下は避けられない。一例として、エッ
チングストッパー層としてＳｉＯ2及びＣｒを使用した
場合の反射率についてシミュレーションした結果を表
１、図３及び図４に示す。光源の波長は１３ｎｍとし、
エッチングストッパー層が無いとき（＝０Å）のときの
反射率を１００（％）としている。また、計算方法に於
いては「放射光」第９巻第２号（１９９６）Ｐ１６等の
記載内容を参考とした。
無くすことを目的として、吸収体と多層膜の間にエッチ
ングストッパー層を設けることが提案されている。しか
しながら、エッチングストッパー層を設けた場合にも、
反射率の若干の低下は避けられない。一例として、エッ
チングストッパー層としてＳｉＯ2及びＣｒを使用した
場合の反射率についてシミュレーションした結果を表
１、図３及び図４に示す。光源の波長は１３ｎｍとし、
エッチングストッパー層が無いとき（＝０Å）のときの
反射率を１００（％）としている。また、計算方法に於
いては「放射光」第９巻第２号（１９９６）Ｐ１６等の
記載内容を参考とした。
【０００７】
【表１】
【０００８】このことよりエッチングストッパー層を設
けない場合には、吸収体エッチングの際の多層膜への損
傷による反射率の低下が懸念されるが、エッチングスト
ッパー層を設けた場合でもその膜厚によっては反射率は
低下してしまう。
けない場合には、吸収体エッチングの際の多層膜への損
傷による反射率の低下が懸念されるが、エッチングスト
ッパー層を設けた場合でもその膜厚によっては反射率は
低下してしまう。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑み考案されたもの
で、反射膜の反射率を低減させることなく良好な転写特
性を得ることができる反射型投影露光マスクを提供する
ことを目的とする。
で、反射膜の反射率を低減させることなく良好な転写特
性を得ることができる反射型投影露光マスクを提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するため、まず請求項１においては、支持基板上
に、軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射させることを目的
とした単層膜を含む多層膜層からなる反射膜及び軟Ｘ線
あるいは真空紫外線を吸収する吸収体パターンを備えた
反射型投影露光マスクにおいて、前記反射膜と前記吸収
体パターンとの間に開口部を有するエッチングストッパ
ー層が設けられており、エッチングストッパー開口部の
開口幅が吸収体開口部の開口幅よりも大きくなっている
ことを特徴とする反射型投影露光マスクとしたものであ
る。
を解決するため、まず請求項１においては、支持基板上
に、軟Ｘ線あるいは真空紫外線を反射させることを目的
とした単層膜を含む多層膜層からなる反射膜及び軟Ｘ線
あるいは真空紫外線を吸収する吸収体パターンを備えた
反射型投影露光マスクにおいて、前記反射膜と前記吸収
体パターンとの間に開口部を有するエッチングストッパ
ー層が設けられており、エッチングストッパー開口部の
開口幅が吸収体開口部の開口幅よりも大きくなっている
ことを特徴とする反射型投影露光マスクとしたものであ
る。
【００１１】また、請求項２においては、前記エッチン
グストッパー層が、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、
Ｚｎ及びＳｉからなる元素群の中から選ばれる少なくと
も１つの元素、若しくはこれらの群の中から選ばれた少
なくとも１つの元素を含む化合物からなることを特徴と
するする請求項１に記載の反射型投影露光マスクとした
ものである。
グストッパー層が、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、
Ｚｎ及びＳｉからなる元素群の中から選ばれる少なくと
も１つの元素、若しくはこれらの群の中から選ばれた少
なくとも１つの元素を含む化合物からなることを特徴と
するする請求項１に記載の反射型投影露光マスクとした
ものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１に、本発明の反射型投影露光用マスクの一
実施例を示す模式構成部分断面図を、図２（ａ）〜
（ｆ）に、本発明の反射型投影露光用マスクの製造方法
の一例を示す模式構成部分断面図をそれぞれ示す。本発
明に係る反射型投影露光用マスクは、図１に示すよう
に、支持基板１上に設けられた軟Ｘ線あるいは真空紫外
線を反射させるための多層膜からなる反射膜２と、Ｘ線
を吸収する吸収体パターン４ａとの間にエッチングスト
ッパーパターン３ａが設けられており、吸収体層４エッ
チング時の反射膜２の損傷を無くすとともに、反射膜の
反射効率低下を防ぐように、エッチングストッパー層に
開口部を形成し、エッチングストッパー開口部の開口幅
ＳWが、吸収体開口部の開口幅ＯWよりも大きくなってい
る。また、エッチングストッパー開口部の開口幅を容易
に制御するために、エッチングストッパー層の開口部形
成をウエットエッチングで行い、吸収体パターン４ａよ
りもアンダーカット形状にしている。更には、上記内容
を達成可能とするエッチングストッパー材料を特定する
ものである。
明する。図１に、本発明の反射型投影露光用マスクの一
実施例を示す模式構成部分断面図を、図２（ａ）〜
（ｆ）に、本発明の反射型投影露光用マスクの製造方法
の一例を示す模式構成部分断面図をそれぞれ示す。本発
明に係る反射型投影露光用マスクは、図１に示すよう
に、支持基板１上に設けられた軟Ｘ線あるいは真空紫外
線を反射させるための多層膜からなる反射膜２と、Ｘ線
を吸収する吸収体パターン４ａとの間にエッチングスト
ッパーパターン３ａが設けられており、吸収体層４エッ
チング時の反射膜２の損傷を無くすとともに、反射膜の
反射効率低下を防ぐように、エッチングストッパー層に
開口部を形成し、エッチングストッパー開口部の開口幅
ＳWが、吸収体開口部の開口幅ＯWよりも大きくなってい
る。また、エッチングストッパー開口部の開口幅を容易
に制御するために、エッチングストッパー層の開口部形
成をウエットエッチングで行い、吸収体パターン４ａよ
りもアンダーカット形状にしている。更には、上記内容
を達成可能とするエッチングストッパー材料を特定する
ものである。
【００１３】エッチングストッパー層の開口パターン形
成をウエットエッチングで行う理由としては、エッチン
グストッパー層に対する反射膜の最適なエッチング選択
比、エッチング液及びエッチング条件を選択することに
より、その下部に設けられた反射膜への損傷を無くすこ
とが可能となる為である。
成をウエットエッチングで行う理由としては、エッチン
グストッパー層に対する反射膜の最適なエッチング選択
比、エッチング液及びエッチング条件を選択することに
より、その下部に設けられた反射膜への損傷を無くすこ
とが可能となる為である。
【００１４】また、本発明の特徴であるエッチングスト
ッパー開口部の開口幅ＳWを、その上層の吸収体開口部
４ｂの開口幅ＯWより大きくする構造を形成するために
は、ウエットエッチングが最適である。エッチングスト
ッパー層をこのような構造とすることで、反射膜の反射
特性がエッチングストッパー開口部の側壁形状に影響を
受けず、転写特性の劣化を防止することができる。
ッパー開口部の開口幅ＳWを、その上層の吸収体開口部
４ｂの開口幅ＯWより大きくする構造を形成するために
は、ウエットエッチングが最適である。エッチングスト
ッパー層をこのような構造とすることで、反射膜の反射
特性がエッチングストッパー開口部の側壁形状に影響を
受けず、転写特性の劣化を防止することができる。
【００１５】以下本発明の反射型投影露光用マスクは作
製方法について述べる。まず、支持基板１上に軟Ｘ線若
しくは真空紫外域光に対して光学定数の異なる多層膜を
交互に積層して反射膜２を形成する（図２（ａ）参照）
。ここで、反射膜２しては、例えば、ＭｏとＳｉある
いはＭｏとＢｅを交互に積層して多層膜を形成したもの
が使用される。Ｍｏ／Ｓｉの場合には反射率６５％程
度、Ｂｅ／Ｓｉの場合には７０％程度の反射率を得るこ
とが出来るが、これ以外の材料でも異なる屈折率を有す
る材料の組み合わせで反射層を形成しても構わない。
製方法について述べる。まず、支持基板１上に軟Ｘ線若
しくは真空紫外域光に対して光学定数の異なる多層膜を
交互に積層して反射膜２を形成する（図２（ａ）参照）
。ここで、反射膜２しては、例えば、ＭｏとＳｉある
いはＭｏとＢｅを交互に積層して多層膜を形成したもの
が使用される。Ｍｏ／Ｓｉの場合には反射率６５％程
度、Ｂｅ／Ｓｉの場合には７０％程度の反射率を得るこ
とが出来るが、これ以外の材料でも異なる屈折率を有す
る材料の組み合わせで反射層を形成しても構わない。
【００１６】次に、反射膜２上にエッチングストッパー
層３及び軟Ｘ線あるいは真空紫外線を吸収する吸収体層
４をスパッタリング等にて成膜する（図２（ｂ）参照）
反射膜２上のエッチングストッパー層３は、請求項２に
係わる発明で、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、
Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎ
及びＳｉからなる元素群の中から選ばれる少なくとも１
つの元素、若しくはこれらの群の中から選ばれる少なく
とも１つの元素を含む化合物を適宜選択して成膜し、エ
ッチングストッパー層３とすることが可能である。以上
に挙げた元素群は何れもウエットエッチングによるパタ
ーン形成が可能である。また、これらの元素の中から選
ばれる少なくとも１つの元素を含む化合物とは、ＴｉＮ
やＴｉＯ2、ＣｒＯのような各元素の酸化物や窒化物、
ハロゲン化物等が使用でき、他に、ＴｉＳｉのように上
記元素を最低１種類以上含む２種類以上の元素の化合物
でも良い。
層３及び軟Ｘ線あるいは真空紫外線を吸収する吸収体層
４をスパッタリング等にて成膜する（図２（ｂ）参照）
反射膜２上のエッチングストッパー層３は、請求項２に
係わる発明で、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、
Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎ
及びＳｉからなる元素群の中から選ばれる少なくとも１
つの元素、若しくはこれらの群の中から選ばれる少なく
とも１つの元素を含む化合物を適宜選択して成膜し、エ
ッチングストッパー層３とすることが可能である。以上
に挙げた元素群は何れもウエットエッチングによるパタ
ーン形成が可能である。また、これらの元素の中から選
ばれる少なくとも１つの元素を含む化合物とは、ＴｉＮ
やＴｉＯ2、ＣｒＯのような各元素の酸化物や窒化物、
ハロゲン化物等が使用でき、他に、ＴｉＳｉのように上
記元素を最低１種類以上含む２種類以上の元素の化合物
でも良い。
【００１７】エッチングストッパー層３は反射膜２及び
吸収体層４の材料に依存し適宜選択される。すなはち、
吸収体層のドライエッチング時には、吸収体層に対して
ある程度選択性を有する材料を選択する。この選択性に
よりエッチングが反射膜２に到達するようなことは避け
られる。また、エッチングストッパー層３のエッチング
時には、反射膜２及び吸収体層に対しての選択性を有す
るような材料を選択する。例えば、エッチングストッパ
ー層３としてＡｌ（アルミニウム）を使用した場合吸収
体層４としてはＷ（タングステン）を、エッチングスト
ッパー層３としてＣｒ（クロム）を使用した場合吸収体
層４としてはＴａ（タンタル）をそれぞれ上げることが
できる。
吸収体層４の材料に依存し適宜選択される。すなはち、
吸収体層のドライエッチング時には、吸収体層に対して
ある程度選択性を有する材料を選択する。この選択性に
よりエッチングが反射膜２に到達するようなことは避け
られる。また、エッチングストッパー層３のエッチング
時には、反射膜２及び吸収体層に対しての選択性を有す
るような材料を選択する。例えば、エッチングストッパ
ー層３としてＡｌ（アルミニウム）を使用した場合吸収
体層４としてはＷ（タングステン）を、エッチングスト
ッパー層３としてＣｒ（クロム）を使用した場合吸収体
層４としてはＴａ（タンタル）をそれぞれ上げることが
できる。
【００１８】次に、吸収体層４上に感光層を形成し、露
光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジス
トパターン５を形成する（図２（ｃ）参照）。
光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジス
トパターン５を形成する（図２（ｃ）参照）。
【００１９】次に、レジストパターン５をレジストマス
クにして吸収体層４をドライエッチングして、吸収体パ
ターン４ａ及び吸収体開口部４ｂを形成する（図２
（ｄ）参照）。ドライエッチング条件は吸収体層４及び
エッチングストッパー層３の使用材料により適宜設定す
る。
クにして吸収体層４をドライエッチングして、吸収体パ
ターン４ａ及び吸収体開口部４ｂを形成する（図２
（ｄ）参照）。ドライエッチング条件は吸収体層４及び
エッチングストッパー層３の使用材料により適宜設定す
る。
【００２０】次に、レジストマスク５及び吸収体パター
ン４ａをレジストマスクにして、エッチングストッパー
層３をウエットエッチングして、エッチングストッパー
パターン３ａ及びエッチングストッパー開口部３ｂを形
成する（図２（ｅ）参照）。ウエットエッチング条件は
エッチングストッパー層３の使用材料に対する反射膜２
の使用材料及び吸収体層４の使用材料の選択比を考慮し
て、エッチング液、エッチング条件を適宜設定する。こ
のようなウエットエッチング条件を適用することにより
反射膜２は殆ど損傷を受けることはなく、エッチングス
トッパー層３のパターニングが行われるため、反射膜２
の反射率を損なうようなことは無い。さらに、エッチン
グストッパー層３の充分なオーバーエッチを行うことに
よりエッチングストッパー開口部３ｂを、吸収体開口部
４ｂよりも大きいものとすることができ、エッチングス
トッパー開口部３ｂの側壁形状が転写特性に影響を及ぼ
すことも同時に防ぐことが出来る。
ン４ａをレジストマスクにして、エッチングストッパー
層３をウエットエッチングして、エッチングストッパー
パターン３ａ及びエッチングストッパー開口部３ｂを形
成する（図２（ｅ）参照）。ウエットエッチング条件は
エッチングストッパー層３の使用材料に対する反射膜２
の使用材料及び吸収体層４の使用材料の選択比を考慮し
て、エッチング液、エッチング条件を適宜設定する。こ
のようなウエットエッチング条件を適用することにより
反射膜２は殆ど損傷を受けることはなく、エッチングス
トッパー層３のパターニングが行われるため、反射膜２
の反射率を損なうようなことは無い。さらに、エッチン
グストッパー層３の充分なオーバーエッチを行うことに
よりエッチングストッパー開口部３ｂを、吸収体開口部
４ｂよりも大きいものとすることができ、エッチングス
トッパー開口部３ｂの側壁形状が転写特性に影響を及ぼ
すことも同時に防ぐことが出来る。
【００２１】最後、レジストパターン５を専用の剥膜液
で剥膜処理し、支持基板１及び反射膜２上にエッチング
ストッパーパターン３ａを介して吸収体パターン４ａが
形成された本発明の反射型投影露光用マスクを得る（図
２（ｆ）参照）。レジストパターン５は吸収体層４のド
ライエッチングが終了した時点で剥離しても構わない。
で剥膜処理し、支持基板１及び反射膜２上にエッチング
ストッパーパターン３ａを介して吸収体パターン４ａが
形成された本発明の反射型投影露光用マスクを得る（図
２（ｆ）参照）。レジストパターン５は吸収体層４のド
ライエッチングが終了した時点で剥離しても構わない。
【００２２】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、研磨により表面が平坦化された合成石英基板から
なる支持基板１上にＭｏとＳｉの多層膜をＭｏ−Ｓｉ−
Ｍｏ−Ｓｉの順に、ＩＢＤ（イオンボンバード蒸着法）
により１対７ｎｍの膜厚比で合計４０対積層して、反射
膜２を形成した（図２（ａ）参照） 。
まず、研磨により表面が平坦化された合成石英基板から
なる支持基板１上にＭｏとＳｉの多層膜をＭｏ−Ｓｉ−
Ｍｏ−Ｓｉの順に、ＩＢＤ（イオンボンバード蒸着法）
により１対７ｎｍの膜厚比で合計４０対積層して、反射
膜２を形成した（図２（ａ）参照） 。
【００２３】次に、反射膜２上にＡｌ（アルミニウム）
をスパッタリングにて成膜し、膜厚８００Åのエッチン
グストッパー層３を、さらに、Ｗ（タングステン）をス
パッタリングにて成膜し、膜厚１０００Åの吸収体層４
を形成した（図２（ｂ）参照）。成膜条件は概ね以下の
条件にて行った。 ターゲット ：Ａｌ、Ｗ 成膜雰囲気 ：Ａｒ=４０ＳＣＣＭ 真空度 ：０．２５Ｐａ 電力 ：ＤＣ３００Ｗ
をスパッタリングにて成膜し、膜厚８００Åのエッチン
グストッパー層３を、さらに、Ｗ（タングステン）をス
パッタリングにて成膜し、膜厚１０００Åの吸収体層４
を形成した（図２（ｂ）参照）。成膜条件は概ね以下の
条件にて行った。 ターゲット ：Ａｌ、Ｗ 成膜雰囲気 ：Ａｒ=４０ＳＣＣＭ 真空度 ：０．２５Ｐａ 電力 ：ＤＣ３００Ｗ
【００２４】次に、吸収体層４上にポジ型電子線レジス
ト（ＺＥＰ９００：日本ゼオン製）を塗布し、乾燥し
て、膜厚５０００Åの感光層を形成し、電子ビーム露
光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジス
トパターン５を形成した（図２（ｃ）参照）。
ト（ＺＥＰ９００：日本ゼオン製）を塗布し、乾燥し
て、膜厚５０００Åの感光層を形成し、電子ビーム露
光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジス
トパターン５を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００２５】次に、レジストパターン５をレジストマス
クにして吸収体層４をドライエッチングして、吸収体パ
ターン４ａ及び吸収体開口部４ｂを形成した（図２
（ｄ）参照）。吸収体層４のエッチングは、はドライエ
ッチング装置ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）
装置を使用し、エッチングガスはＳＦ6ガスを用い、圧
力は１０Ｐａ、印加電力はＲＦ２００Ｗで行った。。本
実施例ではエッチングストッパー層としてＡｌを用いて
いるため、上記エッチング条件ではほとんどエッチング
されず、エッチングストッパー層としての機能を果たし
ていることが確認された。
クにして吸収体層４をドライエッチングして、吸収体パ
ターン４ａ及び吸収体開口部４ｂを形成した（図２
（ｄ）参照）。吸収体層４のエッチングは、はドライエ
ッチング装置ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）
装置を使用し、エッチングガスはＳＦ6ガスを用い、圧
力は１０Ｐａ、印加電力はＲＦ２００Ｗで行った。。本
実施例ではエッチングストッパー層としてＡｌを用いて
いるため、上記エッチング条件ではほとんどエッチング
されず、エッチングストッパー層としての機能を果たし
ていることが確認された。
【００２６】次に、レジストマスク５及び吸収体パター
ン４ａをレジストマスクにして、エッチングストッパー
層３をＮａＯＨとＨ2Ｏの混合溶液を用いてウエットエ
ッチングして、エッチングストッパーパターン３ａ及び
エッチングストッパー開口部３ｂを形成した（図２
（ｅ）参照）。上記ウエットエッチング条件では、反射
膜２最上層に設けられたＳｉや吸収体パターン４ａは殆
ど損傷を受けることはなく、反射膜２の反射率が損なわ
れるようなことはなかった。
ン４ａをレジストマスクにして、エッチングストッパー
層３をＮａＯＨとＨ2Ｏの混合溶液を用いてウエットエ
ッチングして、エッチングストッパーパターン３ａ及び
エッチングストッパー開口部３ｂを形成した（図２
（ｅ）参照）。上記ウエットエッチング条件では、反射
膜２最上層に設けられたＳｉや吸収体パターン４ａは殆
ど損傷を受けることはなく、反射膜２の反射率が損なわ
れるようなことはなかった。
【００２７】最後に、レジストパターン５を専用の剥膜
液で剥膜処理し、合成石英基板からなる支持基板１及び
反射膜２上にエッチングストッパーパターン３ａを介し
て吸収体パターン４ａが形成された本発明の反射型投影
露光用マスクを得ることができた（図２（ｆ）参照）。
液で剥膜処理し、合成石英基板からなる支持基板１及び
反射膜２上にエッチングストッパーパターン３ａを介し
て吸収体パターン４ａが形成された本発明の反射型投影
露光用マスクを得ることができた（図２（ｆ）参照）。
【００２８】
【発明の効果】本発明の反射型投影露光マスクは、反射
膜と吸収体層との間にエッチングストッパー層を設け、
反射膜及び吸収体層はエッチングストッパー層に対して
エッチング選択性を持たしてあるので、吸収体層及びエ
ッチングストッパー層のパターニングの際に反射膜の損
傷を無くすことができ、且つ、エッチングストッパー開
口部の開口幅が、吸収体開口幅より大きく形成されてい
るため、反射膜の反射率低下を防止でき、優れた反射特
性を有する反射型投影露光マスクを得ることができる。
膜と吸収体層との間にエッチングストッパー層を設け、
反射膜及び吸収体層はエッチングストッパー層に対して
エッチング選択性を持たしてあるので、吸収体層及びエ
ッチングストッパー層のパターニングの際に反射膜の損
傷を無くすことができ、且つ、エッチングストッパー開
口部の開口幅が、吸収体開口幅より大きく形成されてい
るため、反射膜の反射率低下を防止でき、優れた反射特
性を有する反射型投影露光マスクを得ることができる。
【図１】本発明の反射型投影露光マスクの一実施例を示
す模式部分構成断面図である。
す模式部分構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の反射型投影露光マ
スクの製造方法の一例を示す模式部分構成断面図であ
る。
スクの製造方法の一例を示す模式部分構成断面図であ
る。
【図３】（ａ）は、エッチングストッパー層としてＳｉ
Ｏ2を使用した場合の反射率についてシミュレーション
結果を示す説明図である。（ｂ）は、エッチングストッ
パー層としてＣｒを使用した場合の反射率についてシミ
ュレーションした結果を示す説明図である。
Ｏ2を使用した場合の反射率についてシミュレーション
結果を示す説明図である。（ｂ）は、エッチングストッ
パー層としてＣｒを使用した場合の反射率についてシミ
ュレーションした結果を示す説明図である。
１……支持基板 ２……反射層 ３……エッチングストッパー層 ３ａ……エッチングストッパーパターン ３ｂ……エッチングストッパー開口部 ４……吸収体層 ４ａ……吸収体パターン ４ｂ……吸収体開口部 ５……レジストパターン ＰW……吸収体パターンのパターン幅 ＯW……吸収体開口部の開口幅 ＳW……エッチングストッパー開口部の開口幅
Claims (2)
- 【請求項１】支持基板上に、軟Ｘ線あるいは真空紫外線
を反射させることを目的とした単層膜を含む多層膜層か
らなる反射膜及び軟Ｘ線あるいは真空紫外線を吸収する
吸収体パターンを備えた反射型投影露光マスクにおい
て、前記反射膜と前記吸収体パターンとの間に開口部を
有するエッチングストッパー層が設けられており、エッ
チングストッパー開口部の開口幅が吸収体開口部の開口
幅よりも大きくなっているいることを特徴とする反射型
投影露光マスク。 - 【請求項２】前記エッチングストッパー層が、Ａｇ、Ａ
ｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎ及びＳｉからなる元素
群の中から選ばれる少なくとも１つの元素、若しくはこ
れらの群の中から選ばれた少なくとも１つの元素を含む
化合物からなることを特徴とするする請求項１に記載の
反射型投影露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160098A JP4691829B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 反射型投影露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001160098A JP4691829B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 反射型投影露光マスク |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353123A true JP2002353123A (ja) | 2002-12-06 |
| JP4691829B2 JP4691829B2 (ja) | 2011-06-01 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001160098A Expired - Fee Related JP4691829B2 (ja) | 2001-05-29 | 2001-05-29 | 反射型投影露光マスク |
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| JP (1) | JP4691829B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-05-29 JP JP2001160098A patent/JP4691829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4691829B2 (ja) | 2011-06-01 |
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