JP2009206287A - 極端紫外線露光用マスクブランク、極端紫外線露光用マスク、極端紫外線露光用マスクの製造方法及び極端紫外線露光用マスクを用いたパターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板上に形成された高反射部と、高反射部上に形成された低反射部と、を備え、低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)と、を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランク。
【選択図】図1
Description
2 多層膜
2a Mo膜
2b Si膜
3 キャッピング膜
4 緩衝膜
4‘ 緩衝膜パターン
5a 下層吸収膜
5b 上層吸収膜
5a‘ 下層吸収膜パターン
5b‘ 上層吸収膜パターン
6 入射光
7 高反射光
8 低反射光
34 兼用膜
Claims (16)
- 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成された低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)と、
を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスクブランク。 - 前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする請求項1に記載の極端紫外線露光用マスクブランク。
- 前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)との組成比が略20:1〜略1:5の範囲にあることを特徴とする請求項1または2に記載の極端紫外線露光用マスクブランク。
- 前記低反射部は、N(窒素)を含有すること特徴とする請求項1または2に記載の極端紫外線露光用マスクブランク。
- 前記低反射部は、Ta(タンタル):N(窒素)の組成比が略1:1であり、Ta(タンタル):Ru(ルテニウム)の組成比が略20:1〜略1:5の範囲にあることを特徴とする請求項4に記載の極端紫外線露光用マスクブランク。
- 基板と、
前記基板上に形成された高反射部と、
前記高反射部上に形成され、パターニングされた低反射部と、を備え、
前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)と、
を有することを特徴とする極端紫外線露光用マスク。 - 前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする請求項6に記載の極端紫外線露光用マスク。
- 前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)との組成比が略20:1〜略1:5の範囲にあることを特徴とする請求項6または7に記載の極端紫外線露光用マスク。
- 前記低反射部は、N(窒素)を含有すること特徴とする請求項6または7に記載の極端紫外線露光用マスク。
- 前記低反射部は、Ta(タンタル):N(窒素)の組成比が略1:1であり、Ta(タンタル):Ru(ルテニウム)の組成比が略20:1〜略1:5の範囲にあることを特徴とする請求項9に記載の極端紫外線露光用マスク。
- 基板を準備し、
前記基板上に高反射部を形成し、
前記高反射部上にパターニングするTa(タンタル)とRu(ルテニウム)と、
を有する低反射部を形成することを特徴とする極端紫外線露光用マスクの製造方法。 - 前記低反射部からの反射光は、前記高反射部からの反射光に対して2%〜12%の反射率であり、前記高反射部からの反射光に対し、175度〜185度の位相差を有することを特徴とする請求項11に記載の極端紫外線露光用マスクの製造方法。
- 前記低反射部は、Ta(タンタル)とRu(ルテニウム)との組成比が略20:1〜1:5の範囲にあることを特徴とする請求項11または12に記載の極端紫外線露光用マスクの製造方法。
- 前記低反射部は、N(窒素)を含有すること特徴とする請求項11または12に記載の極端紫外線露光用マスクの製造方法。
- 前記低反射部は、Ta(タンタル):N(窒素)の組成比が略1:1であり、Ta(タンタル):Ru(ルテニウム)の組成比が略20:1〜略1:5の範囲にあることを特徴とする請求項14に記載の極端紫外線露光用マスクの製造方法。
- 請求項6乃至10のいずれかに記載の極端紫外線露光用マスクを露光装置に設置し、
前記極端紫外線露光用マスクを介して反射した極端紫外線を選択的に照射し、
パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015008265A (ja) * | 2013-05-31 | 2015-01-15 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2016072438A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
KR20200018428A (ko) * | 2017-06-21 | 2020-02-19 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20210013008A (ko) | 2018-05-25 | 2021-02-03 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20210014619A (ko) | 2018-05-25 | 2021-02-09 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20220108303A (ko) * | 2021-01-27 | 2022-08-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023026868A1 (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004207593A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
JP2005268255A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法 |
JP2006228766A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法 |
JP2007311758A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-29 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004207593A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
JP2005268255A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-29 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法 |
JP2006228766A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線露光用マスク、マスクブランク、及び露光方法 |
JP2007311758A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-29 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015008265A (ja) * | 2013-05-31 | 2015-01-15 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2016072438A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
KR20200018428A (ko) * | 2017-06-21 | 2020-02-19 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102653352B1 (ko) | 2017-06-21 | 2024-04-02 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20210013008A (ko) | 2018-05-25 | 2021-02-03 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 그리고 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20210014619A (ko) | 2018-05-25 | 2021-02-09 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
US11531264B2 (en) | 2018-05-25 | 2022-12-20 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
US11550215B2 (en) | 2018-05-25 | 2023-01-10 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device |
US11815807B2 (en) | 2018-05-25 | 2023-11-14 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device |
US11815806B2 (en) | 2018-05-25 | 2023-11-14 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
KR20220108303A (ko) * | 2021-01-27 | 2022-08-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 |
KR102583075B1 (ko) * | 2021-01-27 | 2023-09-27 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 위상반전 블랭크마스크 및 포토마스크 |
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