TW201415159A - 形成光罩的方法 - Google Patents

Abstract

一種形成光罩的方法，包含有下述步驟。首先，提供一第一光罩包含一第一目標圖案以及一第一不可轉印的犧牲圖案。接著，提供一第二光罩包含一第二目標圖案以及一第二可轉印的犧牲圖案，其中至少部分第二可轉印的犧牲圖案重疊第一不可轉印的犧牲圖案，以使第二可轉印的犧牲圖案無法轉印至一晶圓中。

Description

形成光罩的方法

本發明係關於一種形成光罩的方法，且特別係關於一種形成光罩的方法，其採用一光罩具有尺寸大於曝光極限的犧牲圖案，並搭配自動對準通孔製程防止此些犧牲圖案轉印於晶圓中。

在半導體製程中，微影製程是將積體電路佈局圖轉移(transfer)至半導體晶片上的重要步驟。一般而言，晶圓廠會先依據積體電路佈局圖設計光罩佈局圖；接著，再於光罩上製作設計出光罩佈局圖；之後，藉由微影製程將光罩上的圖案(亦即光罩圖案)以一定的比例轉移到半導體晶片表面的光阻層上。

隨著積體電路的複雜度與積集度(integration)的不斷提昇，光罩圖案中各線段亦被設計得越來越小。然而在進行圖案轉移時，由於曝光(exposure)所能製作出的線段的曝光極限會受限於曝光機台(optical exposure tool)的解析度極限(resolution limit)，因此在對於這些高密度排列的光罩圖案進行曝光以形成光阻圖案時，非常容易因光學的干涉、繞射、曝光能量不均等因素而產生光學鄰近效應(optical proximity effect)等問題，使得形成於光阻層上的圖案因為過度曝光(overexpose)或是曝光不足(underexpose)，發生解析度減損(resolution loss)，導致光罩上的圖案與光阻層上的圖案不一致，最後造成光阻 層上的圖案會與原始的設計尺寸差異甚遠。其中，對於因為光學鄰近效應所引起功圖案偏差，已有許多補償的方法，以改善圖案轉移後的品質，目前較為廣泛使用之方法為光學鄰近修正(optical proximity correction；OPC)，並已有各式商用光學鄰近修正(OPC)軟體，將光罩上的圖案經由理論圖案校正，以獲得晶圓上正確的圖案。

本發明提出一種形成光罩的方法，其在一光罩另形成尺寸大於曝光極限的犧牲圖案，以增加光罩曝光時的光通量，並搭配自動對準通孔製程防止此些犧牲圖案轉印於晶圓中。

本發明提供一種形成光罩的方法，包含有下述步驟。首先，提供一第一光罩包含一第一目標圖案以及一第一不可轉印的犧牲圖案。接著，提供一第二光罩包含一第二目標圖案以及一第二可轉印的犧牲圖案，其中至少部分第二可轉印的犧牲圖案重疊第一不可轉印的犧牲圖案，以使第二可轉印的犧牲圖案無法轉印至一晶圓中。

基於上述，本發明提出一種形成光罩的方法，其第二光罩包含一第二可轉印的犧牲圖案，其尺寸大於曝光極限以增加第二目標圖案曝光時的光通量，但由於第一光罩之第一目標圖案未與第二可轉印的犧牲圖案重疊，是以可防止第二可轉印的犧牲圖案轉印於晶圓中。是以，本發明藉由形成大於曝光極限之第二可轉印的犧牲圖案於第二目標圖案旁，以增加通過第二目標圖案的光通量，並且搭配 自動對準通孔的方法，可防止第二可轉印的犧牲圖案轉印於晶圓中，進而縮小第二目標圖案的曝光極限，並達到所需之物理特性及晶圓之圖案佈局。

在此說明，以下文中之圖案為可轉印或不可轉印係與曝光條件尤其是光源的波長相關。本文中所提及之第一光罩10係以第一光源及第一曝光條件來加以曝光，而第二光罩20係以第二光源及第二曝光條件來加以曝光，其中第一光源與第二光源可相同或不同，且第一曝光條件與第二曝光條件可相同或不同。舉例而言，當以193奈米(nm)浸潤式光源與曝光設定而言，其最小可曝光之孔洞圖案之光罩尺寸為60奈米(nm)。

第1-3圖係繪示本發明一實施例之形成光罩的方法之上視圖。第4-8圖係繪示本發明一實施例之形成光罩的方法之剖面示意圖。

如第1圖所示，第1圖之上圖為一第一光罩10的上視圖，而下圖則為其所對應之一晶圓40以及位於其上之一遮罩30的上視圖。首先，提供第一光罩10，其上包含一第一目標圖案12以及一第一不可轉印的犧牲圖案14，接著利用第一光罩10來對晶圓40進行一圖案轉移製程。其中，第一目標圖案12為實際需轉印於晶圓40中或晶圓40上的遮罩30的佈局圖案，而第一不可轉印的犧牲圖案14則係為了調整曝光時第一目標圖案12的光通量所設置之虛擬圖 案，而第一不可轉印的犧牲圖案14的尺寸小於第一光源與第一曝光條件下的第一曝光極限(即在該光源與曝光條件之製程中所可以解析到的最小尺寸)，故不會轉印於晶圓40或遮罩30中。

是以，可如第1圖所示，當進行一第一製程P1時，僅有第一光罩10的第一目標圖案12得以被轉印於晶圓40上的遮罩30中，並於遮罩30中形成一第一對應圖案Q，而第一不可轉印的犧牲圖案14因其尺寸小於第一曝光極限，故不會於此微影製程中被轉印於遮罩30中。一般而言，遮罩30可包含至少一硬遮罩(未繪示)，例如絕緣或金屬等材料，遮罩30上可另設置有至少一感光材料(未繪示)，例如光阻，而第一製程P1則可為一微影暨蝕刻製程，其係先曝光顯影遮罩30之上的光阻部分，再利用遮罩之上層圖案化的光阻蝕刻遮罩30。如此，當第一對應圖案Q形成於遮罩30時，即會暴露出下方晶圓40的一對應部分N。當然，在其他實施例中，遮罩30下方可能更包含其他之目標材料層，以進一步將遮罩30之第一對應圖案Q再轉移至此目標材料層中，或者是作為遮罩30以及晶圓40之間緩衝之用，而不會直接暴露出晶圓40。

在本實施例中，第一目標圖案12是用來定義例如雙鑲嵌結構之金屬導線的圖案，故其於遮罩30中所形成之第一對應圖案Q係為具有複數條溝渠之一溝渠圖案，而第一不可轉印的犧牲圖案14僅係為了增加第一目標圖案12的光通量，不會被轉印於遮罩30甚至晶圓40中。再者，在本實施例中，第一製程P1僅曝開遮罩30而暴露 出晶圓40；但在其他實施例中，第一製程P1除曝開遮罩30外，亦可再繼續蝕刻晶圓40之對應部分N，而直接於晶圓40中形成複數條溝渠。另外，第一不可轉印的犧牲圖案14位於第一目標圖案12旁，且其亦可為一溝渠圖案，特別是平行第一目標圖案12之溝渠圖案，以有效增加第一目標圖案12之光通量，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一目標圖案12也可以是用來定義例如閘極結構等之導線圖案，故其於遮罩30中所形成之第一對應圖案Q係為具有複數條導線之一條狀圖案，而第一不可轉印的犧牲圖案14則係為了增加第一目標圖案12周圍的光通量，但亦不會被轉印於遮罩30甚至晶圓40中。甚至在其他實施例中，不一定會於第一目標圖案12附近形成第一不可轉印的犧牲圖案14，視實際需要而定。但須注意的是，在本發明中，不論是否形成第一不可轉印的犧牲圖案14，皆不會轉印於遮罩30甚至晶圓40中。

更詳細而言，為了清楚說明第1圖之下圖相對應的晶圓40以及位於其上方之遮罩30的結構示意圖，第4-6圖係繪示本發明一實施例之形成光罩的方法之剖面示意圖。可如第4-6圖所示，其為第1圖之下圖的晶圓40以及位於其上方之遮罩30的剖面示意圖，其中第4-6圖之右圖為第1圖之下圖沿x方向之剖面圖，而第4-6圖之左圖為第1圖之下圖沿y方向之剖面圖。

首先，如第1圖與第4圖所示，提供晶圓40以及位於其上之遮罩30。一光阻層R1則位於晶圓40的遮罩30上以進行後續之蝕刻 暨微影等製程。遮罩30可包含複數層堆疊的材料層。例如，遮罩30可包含一氧化層及一金屬層等。在本實施例中，遮罩30包含一第一材料層32以及一第二材料層34位於第一材料層32上。第二材料層34可包含一氧化層，而第一材料層32可包含一金屬層，以作為一硬遮罩，但本發明不以此為限。晶圓40與遮罩30之間可另包含一犧牲氧化層B等，作為後續蝕刻製程之蝕刻停止層，防止因蝕刻損害下方之晶圓40。晶圓40包含一基底44以及一目標材料層42位於基底44上。基底44可例如是一矽基底、一含矽基底、一三五族覆矽基底(例如GaN-on-silicon)、一石墨烯覆矽基底(graphene-on-silicon)或一矽覆絕緣(silicon-on-insulator，SOI)基底等半導體基底。目標材料層42則例如為一層間介電層、一超低介電常數材料層或/且一NDC(摻有氮原子之碳化矽，nitrogen-doped SiC)層等，以進一步將遮罩30之第一對應圖案Q再轉移至此目標材料層42中，以形成例如雙鑲嵌結構的溝渠圖案，但本發明不以此為限。

接著，進行第一製程P1。先如第5圖所示，以微影製程圖案化光阻層R1，而形成一圖案化的光阻層R1’(將第1圖之第一目標圖案12轉移至光阻層R1)。如前所述，此時圖案化的光阻層R1’中即形成有對應第一目標圖案12之對應圖案，但不形成第一不可轉印的犧牲圖案14的對應圖案；然後，利用圖案化的光阻層R1’蝕刻第二材料層34，而形成一圖案化的第二材料層34’。之後，可移除圖案化的光阻層R1’。而後，如第6圖所示，利用圖案化的第二材料層34’蝕刻第一材料層32，而形成一圖案化的第一材料層32’(即形成 第1圖之第一對應圖案Q)。

此時，完成第1圖之第一光罩10之圖案轉移於遮罩30的步驟。在此強調，僅有第1圖之第一目標圖案12轉移至遮罩30(包含第一材料層32以及第二材料層34)，但第一不可轉印的犧牲圖案14則沒有轉移至遮罩30。

接續，如第2圖所示，第2圖之上圖為一第二光罩20的上視圖，而下圖則為其所對應之晶圓40以及位於其上之遮罩30的上視圖，其中第2圖之上圖亦以虛線繪示第1圖之上圖之第一光罩10，以更清楚揭露第二光罩20與第一光罩10的相對位置，進而瞭解二者之圖案所轉印於遮罩30以及晶圓40的位置，但實際上，此時僅利用第二光罩20來對晶圓40進行一圖案轉移製程。

如第2圖所示，第二光罩20包含一第二目標圖案22以及一第二可轉印的犧牲圖案24，且至少部分第二目標圖案22會轉印於晶圓40中，但所有的第二可轉印的犧牲圖案24均不會轉印至晶圓40中。更詳細的說，設置於第二目標圖案22周圍的第二可轉印的犧牲圖案24係為了增加曝光時第二目標圖案22的光通量，以縮小第二目標圖案22的第二曝光極限之用，其僅會於微影製程時，被轉移到遮罩30上的感光材料(未繪示)中，例如光阻，但卻不會隨著蝕刻製程而進一步由圖案化之光阻而被轉印於遮罩30或是晶圓40中。 在本發明中，第二光罩20之第二可轉印的犧牲圖案24的尺寸大於第二曝光極限以有效增加第二目標圖案22的光通量，而能縮小第二目標圖案22的曝光極限。第二可轉印的犧牲圖案24完全不與第一光罩10之第一目標圖案12重疊，但可能與相對應之第一不可轉印的犧牲圖案14部分重疊。因此即便第二可轉印的犧牲圖案24與第一不可轉印的犧牲圖案14部分重疊，但由於第一不可轉印的犧牲圖案14不會轉印於遮罩30中，是以使第二可轉印的犧牲圖案24雖然大於曝光極限也仍無法轉印至晶圓40中。因為，遮罩30中有圖案化的第一材料層32’作為硬遮罩，而此硬遮罩在對應第二可轉印的犧牲圖案24的部分(亦即相對應之第一不可轉印的犧牲圖案14部分重疊)並未被吃開而暴露出晶圓40，故硬遮罩會在將第二目標圖案22轉印於晶圓40的過程中，阻擋第二可轉印的犧牲圖案24同時轉印於晶圓40中。在本實施例中，在第二目標圖案22轉印於晶圓40的過程中，位於圖案化的第一材料層32’上的圖案化的第二材料層34’會被蝕刻而轉印部分的第二可轉印的犧牲圖案24，但此蝕刻會停止於圖案化的第一材料層32’上，而不會轉印至晶圓40，但本發明不以此為限。再者，第二光罩20包含一第二不可轉印的犧牲圖案26，其可與第一光罩10之第一目標圖案12重疊，但不會轉印於晶圓40中。

更進一步而言，在進行第二製程P2時，可如第2圖之下圖所示，在本實施例中僅有第二目標圖案22重疊於第一對應圖案Q的部分被轉移至晶圓40中，而於晶圓40中形成相對應之一轉印圖案K。 因此，如當第二目標圖案22在x方向的寬度為w1時，其因完全轉移而使轉印圖案K在x方向的寬度亦為w1；當第二目標圖案22在y方向的寬度為w1時，其超出第一對應圖案Q的部分則受遮罩30的阻擋而不會進一步被轉移，而使轉印圖案K在y方向的寬度縮減為w。如此一來，本發明可藉由自動對準通孔(self-aligned via，SAV)的方法，增加第二目標圖案22的尺寸以增加光通量，但仍可達到所欲形成之較小尺寸之轉印圖案K，進而縮小第二目標圖案22的曝光極限，並達到所需之物理特性。在一半導體製程中，通常會在晶圓40上形成至少一密集(dense)區以及至少一疏散(isolation,ISO)區的(轉印)圖案，其中密集區的圖案會較疏散區的圖案具有更多的光通量，因而可能具有更小的曝光極限。是以，在一較佳的實施態樣中，可藉由本發明之方法縮小疏散區之圖案的曝光極限又能得到適當的光通量，俾使其與密集區之圖案的曝光極限相同。

第二製程P2可包含一微影暨蝕刻製程，其先顯影第二目標圖案22以及第二可轉印的犧牲圖案24於至少部分之遮罩(較佳為其上所覆蓋之光阻)，再僅於晶圓40中蝕刻出相對應於第二目標圖案22的轉印圖案K。第二目標圖案則可例如為雙鑲嵌結構之一孔洞圖案，俾使晶圓40中的轉印圖案K為一孔洞，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二目標圖案22可例如為其他圖案，而轉印圖案K亦可為複數個孔洞或其他圖案，視實際需要而定。在一較佳的實施態樣中，第二可轉印的犧牲圖案24環繞第二目標圖案22，以有效增加第二目標圖案22的曝光量。在本實施例中，如第2圖所示， 第二可轉印的犧牲圖案24為一孔洞圖案；易言之，第二可轉印的犧牲圖案24為複數個環繞第二目標圖案22的孔洞。但在其他實施例中，可如第3圖所示，第二可轉印的犧牲圖案24為一馬蹄形圖案，且其環繞第二目標圖案22，其中馬蹄形圖案又可較第2圖之孔洞圖案更能增加第二目標圖案22的曝光量，須注意的是，第二可轉印的犧牲圖案24完全不與第一光罩10之第一目標圖案12重疊，但至少都與相對應之第一不可轉印的犧牲圖案14部分重疊。同樣地，第3圖之第二目標圖案22設計為略超出第一對應圖案Q之寬度w，是以可更增加第二目標圖案22的光通量。並且，由於第二目標圖案22超出第一對應圖案Q的部分亦被遮罩30中之第一材料層32’(其作為硬遮罩)阻擋，致使無法進一步被轉印至目標材料層42或晶圓40中。換言之，在本發明中僅有第二目標圖案22與第一對應圖案Q重疊的部分才能轉印於目標材料層42或晶圓40中。

更詳細而言，為了清楚說明第2圖之下圖相對應的晶圓40以及位於其上方之遮罩30的結構示意圖，第7圖係繪示本發明一實施例之形成光罩的方法之剖面示意圖。可如第7圖所示，其為第2圖之下圖的晶圓40以及位於其上方之遮罩30的剖面示意圖，其中第7圖之右圖為第2圖之下圖沿x方向之剖面圖，而第7圖之左圖為第2圖之下圖沿y方向之剖面圖。

如第2圖與第7圖所示，進行第二製程P2，首先全面覆蓋一光阻層(未繪示)，再以微影製程圖案化光阻層(未繪示)，而形成一 圖案化的光阻層R2。然後，以圖案化的光阻層R2蝕刻出一圖案化的第二材料層34”。如前所述，此時圖案化的光阻層R2中即形成有對應第二目標圖案22之對應圖案，但也同時形成第二可轉印的犧牲圖案24的對應圖案。接著，同時蝕刻所暴露出的目標材料層42或晶圓40，而於晶圓40中形成轉印圖案K。在此強調，藉由遮罩30中不具有第一不可轉印的犧牲圖案14的對應圖案以及調整適當的蝕刻選擇比，第二製程P2僅能蝕刻圖案化的第二材料層34’或目標材料層42或晶圓40，但不能蝕刻圖案化的第一材料層32’。因此，如第7圖之左圖所示(可對應參考第2圖)，第二製程P2僅能轉移第二可轉印的犧牲圖案24於圖案化的第二材料層34”中，但由於不同蝕刻率之圖案化的第一材料層32’位於晶圓40上，故不能繼續將第二可轉印的犧牲圖案24轉移至晶圓40中。換言之，第二目標圖案22中僅有對應暴露出的目標材料層42或晶圓40的部分才能轉移於目標材料層42或晶圓40中，而且即使光阻層R2中形成有第二可轉印的犧牲圖案24，但所有的第二可轉印的犧牲圖案24均不會被轉印至遮罩30的第一材料層32’中。是以，在y方向上，在圖案化的第二材料層34”中可蝕刻出寬度w1的圖案，但在目標材料層42或晶圓40中則縮小為寬度w的圖案，其與圖案化的第一材料層32’之寬度相同。然而，如第7圖之右圖所示，在x方向上，由於第二目標圖案22未形成於圖案化的第一材料層32’上，故可直接轉移至目標材料層42或晶圓40中。之後，可再進行移除圖案化的光阻層R2以及遮罩30等後續之半導體製程。

如此一來，完成第二光罩20之第二目標圖案22重疊於第一光罩10之第一對應圖案Q之部分轉移於目標材料層42或晶圓40的步驟，而且在完成第二製程P2的蝕刻步驟之後，只有第二光罩20之第二目標圖案22重疊於第一光罩10之第一目標圖案12之部分被轉移於目標材料層42或晶圓40中，即使第二製程P2的微影步驟會使圖案化的光阻層R2中形成有對應於第二可轉印的犧牲圖案24的對應圖案。

之後，可移除圖案化的光阻層R2，並將圖案化的第二材料層34”以及圖案化的第一材料層32’之圖案轉移至目標材料層42或晶圓40中，再將圖案化的第二材料層34”移除，而形成例如用以形成雙鑲嵌結構的孔洞D，如第8圖所繪示。然後，可再繼續後續填入金屬於孔洞D中，並將其平坦化等製程。

總上所述，本發明提出一種形成光罩的方法，其先以第一光罩來形成具有第一目標圖案的圖案化遮罩，特別是遮罩中的硬遮罩，其一般為金屬層，但於利用第一光罩所進行的第一微影暨蝕刻製程中，無論光阻或此圖案化遮罩均不形成有第一光罩之第一不可轉印的犧牲圖案；然後，再將第二光罩中之第二目標圖案重疊第一目標圖案的部分轉移至晶圓中，但於利用第二光罩所進行的第二微影暨蝕刻製程中，第二光罩之第二可轉印的犧牲圖案係僅形成於光阻中而不會被蝕刻轉移至所有的遮罩、目標材料層或晶圓中。如此一來，本發明可藉由自動對準通孔的方法，增加第二目標圖案的尺寸以增 加曝光時第二目標圖案的光通量，但仍可達到所欲形成於晶圓中之較小尺寸之轉印圖案，進而縮小第二目標圖案的曝光極限。

此外，本發明之第一光罩更包含一第一不可轉印的犧牲圖案，其尺寸小於曝光極限以增加第一目標圖案曝光時的光通量，亦即第一不可轉印的犧牲圖案曝不出來也不會被蝕刻轉移出來，且本發明之第二光罩更包含一第二可轉印的犧牲圖案，其尺寸大於曝光極限以增加第二目標圖案曝光時的光通量，但由於第一光罩之第一目標圖案未與第二可轉印的犧牲圖案重疊，是以在利用第二光罩所進行的蝕刻製程中，晶圓上仍有硬遮罩防止第二可轉印的犧牲圖案轉印於晶圓中，亦即第二可轉印的犧牲圖案曝得出來但不會被蝕刻轉移出來。也就是說，即便第一光罩更包含一第一不可轉印的犧牲圖案為增加第一目標圖案曝光時的光通量，但本發明之第一不可轉印的犧牲圖案之尺寸小於曝光極限，故不會形成於遮罩中；換言之，即使第二可轉印的犧牲圖案與第一不可轉印的犧牲圖案重疊，第二可轉印的犧牲圖案仍無法轉印於晶圓中。是以，本發明藉由形成大於曝光極限之第二可轉印的犧牲圖案於第二目標圖案旁，以增加通過第二目標圖案的光通量，並且搭配自動對準通孔的方法，可防止第二可轉印的犧牲圖案被轉印於晶圓中，進而可縮小第二目標圖案的曝光極限，並達到所需之物理特性及晶圓之圖案佈局。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

10‧‧‧第一光罩

12‧‧‧第一目標圖案

14‧‧‧第一不可轉印的犧牲圖案

20‧‧‧第二光罩

22‧‧‧第二目標圖案

24‧‧‧第二可轉印的犧牲圖案

26‧‧‧第二不可轉印的犧牲圖案

30‧‧‧遮罩

32‧‧‧第一材料層

32’‧‧‧圖案化的第一材料層

34‧‧‧第二材料層

34’、34”‧‧‧圖案化的第二材料層

40‧‧‧晶圓

42‧‧‧目標材料層

44‧‧‧基底

B‧‧‧犧牲氧化層

D‧‧‧孔洞

K‧‧‧轉印圖案

N‧‧‧對應部分

P1‧‧‧第一製程

P2‧‧‧第二製程

Q‧‧‧第一對應圖案

R1‧‧‧光阻層

R1’、R2‧‧‧圖案化的光阻層

w、w1‧‧‧寬度

第1-3圖係繪示本發明一實施例之形成光罩的方法之上視圖。

第4-8圖係繪示本發明一實施例之形成光罩的方法之剖面示意圖。

12‧‧‧第一目標圖案

14‧‧‧第一不可轉印的犧牲圖案

20‧‧‧第二光罩

22‧‧‧第二目標圖案

24‧‧‧第二可轉印的犧牲圖案

26‧‧‧第二不可轉印的犧牲圖案

30‧‧‧遮罩

40‧‧‧晶圓

K‧‧‧轉印圖案

P2‧‧‧第二製程

Q‧‧‧第一對應圖案

w、w1‧‧‧寬度

Claims (19)

1. 一種形成光罩的方法，包含有：提供一第一光罩包含一第一目標圖案以及一第一不可轉印的犧牲圖案；以及提供一第二光罩包含一第二目標圖案以及一第二可轉印的犧牲圖案，其中至少部分該第二可轉印的犧牲圖案重疊該第一不可轉印的犧牲圖案，以使該第二可轉印的犧牲圖案無法轉印至一晶圓中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第一目標圖案轉移至位於該晶圓上的一遮罩中，以於該遮罩中形成一第一對應圖案。
3. 如申請專利範圍第2項所述之形成光罩的方法，其中當該第一對應圖案形成於該遮罩時，即暴露出該晶圓的一對應部分。
4. 如申請專利範圍第2項所述之形成光罩的方法，其中該第一對應圖案包含一溝渠圖案。
5. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第一不可轉印的犧牲圖案位於該第一目標圖案旁，用以增加曝光時該第一目標圖案的光通量。
6. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第一不可轉印的犧牲圖案包含一溝渠圖案。
7. 如申請專利範圍第2項所述之形成光罩的方法，其中該第二目標圖案與該第一對應圖案重疊的部分會轉印於該晶圓，以於該晶圓中形成一轉印圖案，而該第二目標圖案與該第一對應圖案不重疊的部分不會轉印於該晶圓中。
8. 如申請專利範圍第7項所述之形成光罩的方法，其中該轉印圖案包含至少一孔洞。
9. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第二目標圖案包含一孔洞圖案。
10. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第二可轉印的犧牲圖案環繞該第二目標圖案。
11. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第二可轉印的犧牲圖案包含一孔洞圖案或一馬蹄形圖案。
12. 如申請專利範圍第7項所述之形成光罩的方法，其中該轉印圖案係位於該晶圓的一疏散(isolation,ISO)區。
13. 如申請專利範圍第7項所述之形成光罩的方法，其中該轉印圖案係由一自動對準通孔(self-aligned via，SAV)的方法形成。
14. 如申請專利範圍第2項所述之形成光罩的方法，其中該遮罩包含一第一材料層以及一第二材料層位於該第一材料層上。
15. 如申請專利範圍第14項所述之形成光罩的方法，其中該第一對應圖案形成於該第一材料層以及該第二材料層中，而該第二目標圖案僅轉印於該第二材料層中，且該第二目標圖案與該第一對應圖案重疊的部分會直接轉印於該晶圓中。
16. 如申請專利範圍第15項所述之形成光罩的方法，包含下述步驟：進行一第一製程，以形成該第一對應圖案於該第一材料層以及該第二材料層中；以及進行一第二製程，以轉印該第二目標圖案於該第二材料層中但不轉印於該第一材料層中，且亦蝕刻該晶圓對應該第一對應圖案重疊於該第二目標圖案的部分，以於該晶圓形成一轉印圖案。
17. 如申請專利範圍第16項所述之形成光罩的方法，其中該第一製程圖案化該第一材料層以及該第二材料層，而該第二製程僅能圖案化該第二材料層以及該晶圓。
18. 如申請專利範圍第17項所述之形成光罩的方法，其中該第二材 料層包含一氧化層，而該第一材料層包含一金屬層。
19. 如申請專利範圍第1項所述之形成光罩的方法，其中該第二光罩更包含一第二不可轉印的犧牲圖案，與該第一目標圖案重疊。