JP3555208B2 - 露光方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は露光方法に関し、例えばプロキシミテイ露光装置で液晶表示装置を製造するための感光基板にマスクのパターンを複数回重ね合せ露光する際に適用し得る。
【0002】
【従来の技術】
従来のプロキシミテイ露光装置では、マスクと感光基板とをアライメントマークを用いて位置合せしてから露光することを複数回繰り返す際、アライメントマークが幾度も重なつて露光されることになる。その結果、アライメントマークの形状が本来のものから変化してしまい位置合せに誤差が生じることになる。
【0003】
この問題を解決するため、露光のたび毎にアライメントマークの位置をずらして形成し、常に新しいマークを用いて位置合せするようにしていた。しかしながらこの方法でも位置合せ毎にマークの位置が異なるため、位置合せ精度が悪化することは避けられなかつた。そこで、露光の際にいわゆるマークシヤツタを用いて露光することが行われていた。すなわち図5に示すように、プロキシミテイ露光装置1は、まずマスクステージ2上に載置したマスク3と基板ステージ4上に載置した感光基板5とをマスクのパターン領域近傍に設けられたアライメントマーク6と感光基板5上に設けられたアライメントマーク9を用いて位置合せする。この後、プロキシミテイ露光装置1は、マスク3を露光する際、アライメントマーク6をシヤツタ7で覆つてアライメントマーク6を除いた部分を露光する。
【0004】
これにより照明光学系8より射出した光束LAのうちマーク6に向かう光束がシヤツタ7で遮光されて、アライメントマーク6が感光基板5面上に配置されたアライメントマーク9に重複して露光することが防止される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のプロキシミテイ露光装置においては、マスク3の位置合せと露光のたびに、シヤツタ7をマスク3上面で挿脱する。このためシヤツタ7の挿脱機構からゴミが発生して、マスク3や感光基板5を汚損するおそれがあるという問題があつた。
またシヤツタ7の挿脱機構は露光装置の構成を複雑にするという欠点もあつた。さらにシヤツタ7の挿脱に要する時間は装置の処理時間を大きくして製造の際のスループツトを全体として低下させるという欠点もあつた。
【0006】
さらに上述の露光方法ではプロセスの都合上、一般に1層目に形成されたアライメントマーク9の上に2層目、3層目、……の物質膜が付着されていく。このため、プロセスを進めるに従つて、コントラストの高いアライメントマークの像を得ることが困難となつて、位置合せ精度の低下が増大するという問題もあつた。
【0007】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、複数回重ね合せ露光しても高い位置合せ精度を確保すると共に、装置の処理時間を短縮させることもでき、また位置合せの際の発塵を減少させ得る露光方法を提案しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために、一実施例を表す図1に対応付けて説明すると、請求項1に記載の露光方法では、第1の基準マーク(17)を配置したマスク(11)を照明光学系(8)からの光束で照明し、第1の基準マーク(17)に対応する感光基板(5)上の位置に予め第2の基準マーク(21)を配置した感光基板(5)にマスク(11)の像を、露光する露光方法において、予め第1及び第2の基準マーク(17及び21)によつて、マスク(11)及び感光基板(5)を位置合せし、位置合せの後にマスク(11)をマスク(11)の面内の方向に移動することにより、マスク(11)上に配置されて光束を透過させる透光窓(16)、又はマスク(11)上に配置されて光束を遮断する遮光窓(15)を第2の基準マーク(21)に対応する位置に移動し、透光窓(16)又は遮光窓(15)の像を第2の基準マーク(21)に露光すると共に、マスク(11)の像を感光基板(5)上に露光する。
また、マスク(11)の移動に際して、マスクの位置はレーザ干渉計(12,13)により計測されるようにする。
また、第2の基準マーク(21)は、感光基板を処理する複数のプロセスのうち第1のプロセスで形成されたマークを用いるようにする。
【0009】
【作用】
請求項1に記載の露光方法では、マスク(11)の第1の基準マーク(17)で位置合せ後にマスク(11)を面内方向に移動し、遮光窓(15)又は透光窓(16)を感光基板(5)側の第2の基準マーク(21)に対応する位置に移動して、第2の基準マーク(21)上の付着膜を取り除くように感光基板(5)上のレジスト膜に露光することにより、最初に形成した第2の基準マーク(21)が元の位置に元の形状のまま残される。従つて繰り返して位置合せする際にも最初に形成された第2の基準マーク(21)を用いることができ、位置合せの精度が一段と高くなるほか、第2の基準マーク(21)の検出信号のSN比が一段と高くなり、複数回重ね合せ露光しても高い位置合せ精度を確保し得る。またシヤツタ(7)の挿脱に代えて遮光窓(15)又は透光窓(16)を使用することにより、位置合せの際の発塵を減少させることができると共に、装置の処理時間を短縮させ得る。
【0010】
【実施例】
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
【0011】
図5との対応部分に同一符号を付して示す図1において、10は全体として液晶表示装置を製造するための感光基板を露光するプロキシミテイ露光装置の概略的な構成を示す。プロキシミテイ露光装置10は、従来の構成からシヤツタ7が除かれている。またプロキシミテイ露光装置10は、従来のマスク3に代えて、マスク11がマスクステージ2上に載置される。マスクステージ2には、レーザ干渉計12及び13が配設されている。レーザ干渉計12及び13の出力S1及びS2は位置検出装置30に送出される。そして、レーザ干渉計12、13及び位置検出装置30によつて検出された位置に基づいてモータ31、32を駆動することにより、マスクステージ2の位置が正確に制御される。
【0012】
マスク11は、露光パターンが形成されたパターン領域近傍で、照明光学系8からの照明光が照射される領域内に、矩形のアライメント窓14、遮光窓15及び透光窓16がX方向に沿つて所定距離だけ隔てて配置されている。アライメント窓14にはアライメントマーク17のパターンが形成されている。遮光窓15は露光光束(照明光と同波長)を完全に遮るパターンでなり、透光窓16は露光光束を透過させるパターンでなる。また遮光窓15及び透光窓16は感光基板5面上に形成されたアライメントマークを遮光領域又は照明領域で覆うに十分な大きさに形成されている。
【0013】
マスク11に形成されたパターンは、予めアライメントマーク17でアライメントして露光したときと、この位置から上述した所定距離だけマスク11をシフトした遮光窓15又は透光窓16の位置で露光したときとで感光基板5上に正常に重なるように、例えば繰り返しパターンとして設定されている。
【0014】
以上の構成において、プロキシミテイ露光装置10は、次の手順に従つて位置合せ及び露光する。すなわち第1露光(感光基板に対する最初の露光)のとき、プロキシミテイ露光装置10は、マスク11上のパターンを感光基板5面上に露光する。これにより感光基板5面上には、アライメント窓14、遮光窓15及び透光窓16にそれぞれ対応する像18〜20が露光される。プロキシミテイ露光装置10は、この第1露光されたマスク11の座標をステージ干渉計12及び13によつて読み取り記憶しておく。
【0015】
因みに、この第1露光でパターンが転写されるときの感光基板5には、通常、アルミニウム(Al)やクロム(Cr)が全面蒸着されて、この上にレジスト膜が塗布される。また、別の場合として感光基板5には、透明導電膜(以下ITO膜という)が全面に蒸着されて、この上にレジスト膜が塗布されることもある。
【0016】
レジストについてはポジレジスト及びネガレジストの2種があり、まずポジレジストを使用する場合について考える。図2に示すように、第1露光された感光基板5を現像、エツチングする等によつて、感光基板5面上に金属(Al、Cr等)又はITO膜でなるアライメントマーク21が形成される。第2露光(最初に露光したパターンの上に重ねて露光する)の前に、この感光基板5は、例えばアモルフアスシリコン等の半導体層22が全面に形成され、この上にポジレジスト膜23が重ねて塗布される。
【0017】
図3(A)に示すように、第2露光のとき、プロキシミテイ露光装置10は、まずアライメントマーク17及び21でマスク11及び感光基板5をアライメントする。この後、図3(B)に示すように、マスク11を所定距離aだけシフトして透光窓16をアライメントマーク21の位置に対応させて第2露光する。
この後、現像、エツチングする等によつてポジレジスト膜23及び半導体層22が除去されて、感光基板5面上にはアライメントマーク21が元の形状のまま残される。
【0018】
このようにして、以降の第3、第4……露光プロセスにおいてもマスク11上の透光窓16を用いると、感光基板5面上にはアライメントマーク21が元の形状のまま残される。これにより例えば図4に示すように、第3層膜26上のポジレジスト膜23に露光するときのマスク11と感光基板5との位置合せにおいても、常にアライメントマークの検出信号を高いSN比で検出することができる。
【0019】
次に、感光基板5面上にネガレジスト膜を塗布された場合を考える。この場合、第2露光のときのアライメントマーク17でアライメントする迄はポジレジスト膜23を使用する場合と同一である。この後のマスク11のシフトにおいて、透光窓16を使用することに代えて、遮光窓15を使用する。このようにして、第2露光することによつて、第1露光で形成されたアライメントマーク21のみがこの後の現像、エツチングする等によつて残ることになる。
これにより、以降の露光プロセスにおいても、ポジレジスト膜23を使用する場合と同様にアライメントマークの検出信号を高いSN比で検出することができる。
【0020】
次に、プロキシミテイ露光装置10が、第2プロセス以降に金属同士や半導体同士のように、アライメントマーク21上に形成されたこれと同質の材料の付着層に露光する場合を考える。上述の手順のままでは、第1露光で形成されたアライメントマーク21とこの上の付着層とを露光後に区別してエツチングし、アライメントマーク21のみを残すことは実際上困難である。
【0021】
この場合、プロキシミテイ露光装置10は、アライメント後のシフトのとき遮光窓15と透光窓16とを変更して露光する。すなわち感光基板5上にポジレジスト膜23が塗布されるとき、プロキシミテイ露光装置10は、アライメントマーク21を遮光窓15で遮光する。これにより感光基板5の金属層上のポジレジスト膜23にはマスク11側のアライメントマーク17のパターンが転写されない。
【0022】
この後、現像、エツチングする等によつて、アライメントマーク2及び金属層が一体化したまま残されることになる。従つて、これ以降の第3、第4……プロセスにおいても第1プロセスで形成されたアライメントマーク21を利用して、高いコントラストのアライメントマークの像を得ることができる。
【0023】
一方、感光基板5上にネガレジストが塗布されているとき、プロキシミテイ露光装置10は、アライメントマーク21を透光窓16を通して露光する。このようにして第1プロセスにおいて形成されたアライメントマーク21をその後のプロセスにおいても利用して、アライメントの精度を一段と高く維持することができる。またアライメントマーク21をその後のプロセスにおいても利用できることにより、アライメントマークの位置の変更が不要となつた。
【0024】
以上の構成によれば、マスク11のアライメントマーク17でアライメント後にマスク11を面内方向に移動し、遮光窓15又は透光窓16を感光基板5側のアライメントマーク21に対応する位置に移動して、アライメントマーク21上の付着膜22を取り除くように感光基板5上のレジスト膜に露光することにより、最初に形成したアライメントマーク21が元の位置に元の形状のまま残される。従つて繰り返して位置合せする際にも最初に形成したアライメントマーク21を用いることができ、アライメントの精度が一段と高くなるほか、アライメントマーク21の検出信号のSN比が一段と高くなり、複数回重ね合せ露光しても高いアライメント精度を確保し得る。
またシヤツタ7の挿脱に代えて遮光窓15又は透光窓16を使用することにより、アライメントの際の発塵を減少させることができる。
【0025】
さらにシヤツタ7を使用しないことにより、特に大きな機構変更を必要としない。さらにシヤツタ7が不要であることにより、プロキシミテイ露光装置10の構成を全体として簡易にすることができる。さらにアライメントのとき高いコントラストのアライメントマークの像を得るため処理時間を短縮することができる。またシヤツタの挿脱時間が不要でもあることにより、スループツトを全体として向上することができる。
【0026】
さらに、シヤツタ7に代えてマスク11のパターン面上にブラインド(遮光窓、透光窓等)を設けたことにより、露光光に対してマスク11上のパターンと同一な焦点面でブラインドされる。これにより、シヤツタ方式では現われていた光学的ニジミをなくすことができ、露光パターンと上記の窓14、15、16のサイズ及び間隔を小さくすることができる。これによりマスク11の設計上の自由度を向上させることができる。また、シヤツタ方式による光学的なニジミがなくなるため、マスク上の遮光帯の幅を狭くすることができる。
【0027】
なお上述の実施例においては、マスク11のアライメント位置をレーザ干渉計12及び13によつて検出する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、レーザ干渉計12及び13に代えて、マスクのアライメント位置を任意の位置読み取り機構、例えばリニアエンコーダ等を利用しても良い。この場合にも上述と同様の効果を得ることができる。
【0028】
また上述の実施例においては、マスク11と感光基板5とを一定ギヤツプまで近づけて露光するプロキシミテイ露光装置で露光する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、マスクと感光基板との間に投影光学系を配置し、マスク側の像を感光基板側に一括あるいは分割して露光するステツパー方式の露光装置や、マスク上のパターンを投影光学系によりスリツト状に感光基板上に結像し連続して露光する走査方式の露光装置で露光する場合にも適用できる。
【0029】
さらに上述の実施例においては、1つのマスク11にアライメント窓14、遮光窓15及び透光窓16を配置し、このマスク11で感光基板5にアライメント及び露光を複数回繰り返してパターンを重ね合わせる場合について述べたが、本発明はこれに限らず、複数のマスクにそれぞれアライメント窓14を配置すると共に、遮光窓15又は透光窓16の一方を配置してアライメント及び露光する場合にも適用できる。
【0030】
この場合、マスクをシフトして露光する際に、それぞれの窓を除くマスク上の全ての露光パターンが、シフト後の位置で、それより以前のプロセスで作製された感光基板上のパターンに重ね合わされるようにマスクを設計する。これにより上述した方法でアライメント及び露光すると、マスク上のアライメントマーク以外の露光パターンも感光基板上のパターンと正確に重ね合わされる。
【0031】
さらに上述の実施例においては、マスク中に2組のアライメント窓14、遮光窓15及び透光窓16を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、アライメント窓14、遮光窓15及び透光窓16をマスク中に任意の組数配置する場合にも適用できる。
【0032】
【発明の効果】
上述のように、請求項1に記載の露光方法によれば、マスクの第1の基準マークでアライメント後にマスクを面内方向に移動し、遮光窓又は透光窓を感光基板側の第2の基準マークに対応する位置に移動して、第2の基準マーク上の付着膜を取り除くように感光基板上のレジスト膜に露光することにより、最初に形成した第2の基準マークが元の位置に元の形状のまま残される。従つて繰り返して位置合せする際にも最初に形成された第2の基準マークを用いることができ、位置合せの精度が一段と高くなるほか、第2の基準マークの検出信号のSN比が一段と高くなり、複数回重ね合せ露光しても高いアライメント精度を確保し得る。またシヤツタの挿脱に代えて遮光窓又は透光窓を使用することにより、アライメントの際の発塵を減少させることができる。更に、シヤツタの挿脱に要する時間をなくすことができるので、アライメントの際の処理時間を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光方法の一実施例により露光するプロキシミテイ露光装置を示す構成図である。
【図2】処理中の感光基板上のアライメントマークの状態を示す断面図である。
【図3】実施例によるアライメントのときのそれぞれの窓の位置及びシフト後のそれぞれの窓の位置を示す平面図である。
【図4】実施例により複数回露光された感光基板のアライメントマークが元の形状を維持していることを示す断面図である。
【図5】従来の露光方法により露光するプロキシミテイ露光装置を示す構成図である。
【符号の説明】
1、10……プロキシミテイ露光装置、2……マスクステージ、3、11……マスク、4……基板ステージ、5……感光基板、6、9、17、21……アライメントマーク、7……シヤツタ、8……照明光学系、12、13……レーザ干渉計、14……アライメント窓、15……遮光窓、16……透光窓、18〜20……像、22、24〜26……半導体層、23……ポジレジスト膜。
Claims (3)
- 第1の基準マークを配置したマスクを照明光学系からの光束で照明し、前記第1の基準マークに対応する感光基板上の位置に予め第2の基準マークを配置した前記感光基板に前記マスクの像を露光する露光方法において、
予め前記第1及び第2の基準マークによつて、前記マスク及び感光基板を位置合わせし、
前記位置合せの後に前記マスクを該マスクの面内の方向に移動することにより、前記マスク上に配置されて前記光束を透過させる透光窓、又は前記マスク上に配置されて前記光束を遮断する遮光窓を前記第2の基準マークに対応する位置に移動し、
前記透光窓又は遮光窓の像を前記第2の基準マークに露光すると共に、前記マスクの像を前記感光基板上に露光することを特徴とする露光方法。 - 前記マスクの移動に際して、前記マスクの位置はレーザ干渉計により計測されることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記第2の基準マークは、前記感光基板を処理する複数のプロセスのうち第1のプロセスで形成されたマークを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の露光方法。
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