JP2773708B2 - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JP2773708B2 JP2773708B2 JP28292995A JP28292995A JP2773708B2 JP 2773708 B2 JP2773708 B2 JP 2773708B2 JP 28292995 A JP28292995 A JP 28292995A JP 28292995 A JP28292995 A JP 28292995A JP 2773708 B2 JP2773708 B2 JP 2773708B2
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- Japan
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- mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光用マスクに関
し、特に半導体装置製造の写真蝕刻工程における露光装
置に用いる露光用マスクに関する。
し、特に半導体装置製造の写真蝕刻工程における露光装
置に用いる露光用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
露光装置が原因となって重ね合せずれ等が生じる場合が
あるが、この時の露光用マスクの回転方向ずれやレンズ
の歪によるずれの検出方法としては、例えばマスクのス
クライブ線形成領域にチェック用パターンを設け、露光
してこれらチェック用パターンを接触させそのずれ量を
検出する方法が特開昭６３−１５１９４８号公報に記載
されている。
露光装置が原因となって重ね合せずれ等が生じる場合が
あるが、この時の露光用マスクの回転方向ずれやレンズ
の歪によるずれの検出方法としては、例えばマスクのス
クライブ線形成領域にチェック用パターンを設け、露光
してこれらチェック用パターンを接触させそのずれ量を
検出する方法が特開昭６３−１５１９４８号公報に記載
されている。
【０００３】すなわち、各コーナー部のスクライブ線領
域にチェック用パターン１４Ａ〜１４Ｄを形成した露光
用マスクを用いて、ステップアンドリピート法により露
光を行うと、半導体基板上には図７に示す様に、スクラ
イブ線２Ａ上にはチェック用パターン１４Ａ〜１４Ｄが
境界線７Ａ，７Ｂに接し重り合うように形成される。
域にチェック用パターン１４Ａ〜１４Ｄを形成した露光
用マスクを用いて、ステップアンドリピート法により露
光を行うと、半導体基板上には図７に示す様に、スクラ
イブ線２Ａ上にはチェック用パターン１４Ａ〜１４Ｄが
境界線７Ａ，７Ｂに接し重り合うように形成される。
【０００４】この時装置に、回転方向ずれがなければ、
隣り合うパターン及び重り合うパターンは、スクライブ
線の境界を中心にＸ軸方向，Ｙ軸方向とも線対称とな
る。一方、回転方向ずれがあれば、図８に示すように、
スクライブ線の境界線の交点に対してＸ軸方向，Ｙ軸方
向とも線対称とならない。従って回転方向のずれが容易
に検出できる為、修正を行うことが可能である。
隣り合うパターン及び重り合うパターンは、スクライブ
線の境界を中心にＸ軸方向，Ｙ軸方向とも線対称とな
る。一方、回転方向ずれがあれば、図８に示すように、
スクライブ線の境界線の交点に対してＸ軸方向，Ｙ軸方
向とも線対称とならない。従って回転方向のずれが容易
に検出できる為、修正を行うことが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の露光用マスクでは、チェック用パターンが等間隔に
形成されている為、回転方向のずれが発生しても、ずれ
量がすぐに分らず、露光装置の修正に長時間を要すると
共に、修正の精度が低下するという問題点があった。
来の露光用マスクでは、チェック用パターンが等間隔に
形成されている為、回転方向のずれが発生しても、ずれ
量がすぐに分らず、露光装置の修正に長時間を要すると
共に、修正の精度が低下するという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、露光装置の回転ずれの検
出が容易で、ずれの修正精度を向上させることの可能な
露光用マスクを提供することにある。
出が容易で、ずれの修正精度を向上させることの可能な
露光用マスクを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の露光用マスク
は、半導体素子のパターン形成領域と、このパターン形
成領域の周囲に設けられたスクライブ線形成領域と、こ
のスクライブ線形成領域の４つのコーナー部にスクライ
ブ線形成領域の長手方向と垂直に設けられた露光装置に
よる回転方向の重ね合わせずれ量検出用のチェックパタ
ーンとを有する露光用マスクにおいて、前記チェックパ
ターンは一定間隔で形成された第１のパターンと隅から
離れるにつれて一定の割合でその間隔が狭くなる第２の
パターンとから構成され、かつ前記４つのコーナー部が
１点で接して露光されてパターンが形成された場合、各
コーナー部の境界線を挟んで前記第１のパターンと前記
第２のパターンとが対向するように配設されると共に、
前記コーナー部の角部より中心方向に向かう斜線からな
る第３のパターンがスクライブ線形成領域に設けられて
いることを特徴とするものである。
は、半導体素子のパターン形成領域と、このパターン形
成領域の周囲に設けられたスクライブ線形成領域と、こ
のスクライブ線形成領域の４つのコーナー部にスクライ
ブ線形成領域の長手方向と垂直に設けられた露光装置に
よる回転方向の重ね合わせずれ量検出用のチェックパタ
ーンとを有する露光用マスクにおいて、前記チェックパ
ターンは一定間隔で形成された第１のパターンと隅から
離れるにつれて一定の割合でその間隔が狭くなる第２の
パターンとから構成され、かつ前記４つのコーナー部が
１点で接して露光されてパターンが形成された場合、各
コーナー部の境界線を挟んで前記第１のパターンと前記
第２のパターンとが対向するように配設されると共に、
前記コーナー部の角部より中心方向に向かう斜線からな
る第３のパターンがスクライブ線形成領域に設けられて
いることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為の露光用マスクの上面図、図２はこのマスクを用い
ウェーハ上に露光装置により露光した場合のスクライブ
線のコーナー部の上面図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為の露光用マスクの上面図、図２はこのマスクを用い
ウェーハ上に露光装置により露光した場合のスクライブ
線のコーナー部の上面図である。
【０００９】図１においてマスク１０には、素子パター
ン形成領域１とこのパターン形成領域１の周囲に設けら
れたスクライブ線形成領域２と、このスクライブ線形成
領域２の周囲に形成されたクロム層からなる遮へい領域
３と、スクライブ線形成領域２の４つのコーナー部５Ａ
〜５Ｄに設けられた露光装置による回転方向の重ね合せ
ずれ量検出用のチェックパターン４とから主に構成され
ている。そして、このチェックパターン４は、図２に示
したように、スクライブ線形成領域の長手方向と垂直に
設けらており、しかも一定間隔で形成された第１チェッ
クパターン４Ａと隅から離れるにつれて一定の割合でそ
の間隔が狭くなる第２チェックパターン４Ｂとから構成
され、４つのコーナー部５Ａ〜５Ｄが１点「０」で接し
て露光されパターンが形成された場合、スクライブ線２
Ａの各コーナー部の境界線７Ａ，７Ｂを挟んでこの第１
チェックパターン４Ａと第２チェックパターン４Ｂとが
対向するように配設されている。すなわち、第１チェッ
クパターン４Ａを構成するパターンａ〜ｄの間隔は一定
であり、第２チェックパターン４Ｂを構成するパターン
ａ〜ｄの間隔は辺に向う程一定の割合（例えば０．１〜
０．２μｍ）で狭くなっている。各チェックパターンを
構成するパターンａは、同じ大きさで角から同じ位置に
設けられている。
ン形成領域１とこのパターン形成領域１の周囲に設けら
れたスクライブ線形成領域２と、このスクライブ線形成
領域２の周囲に形成されたクロム層からなる遮へい領域
３と、スクライブ線形成領域２の４つのコーナー部５Ａ
〜５Ｄに設けられた露光装置による回転方向の重ね合せ
ずれ量検出用のチェックパターン４とから主に構成され
ている。そして、このチェックパターン４は、図２に示
したように、スクライブ線形成領域の長手方向と垂直に
設けらており、しかも一定間隔で形成された第１チェッ
クパターン４Ａと隅から離れるにつれて一定の割合でそ
の間隔が狭くなる第２チェックパターン４Ｂとから構成
され、４つのコーナー部５Ａ〜５Ｄが１点「０」で接し
て露光されパターンが形成された場合、スクライブ線２
Ａの各コーナー部の境界線７Ａ，７Ｂを挟んでこの第１
チェックパターン４Ａと第２チェックパターン４Ｂとが
対向するように配設されている。すなわち、第１チェッ
クパターン４Ａを構成するパターンａ〜ｄの間隔は一定
であり、第２チェックパターン４Ｂを構成するパターン
ａ〜ｄの間隔は辺に向う程一定の割合（例えば０．１〜
０．２μｍ）で狭くなっている。各チェックパターンを
構成するパターンａは、同じ大きさで角から同じ位置に
設けられている。
【００１０】図１で示したマスク１０では、第１コーナ
ー部５Ａと第３コーナー部５Ｃのチェックパターンは、
Ｘ軸方向，Ｙ軸方向のものも第１チェックパターン４Ａ
から構成され、第２コーナー部５Ｂと第４コーナー部５
Ｄのチェックパターンは、Ｘ軸方向，Ｙ軸方向とも第２
チェックパターン４Ｂから構成されている。そして各コ
ーナー部には角部より中心方向に向う斜線からなる第３
のパターン６ａ〜６ｄが設けられている。この第３のパ
ターンは回転方向の検出に用いられる。
ー部５Ａと第３コーナー部５Ｃのチェックパターンは、
Ｘ軸方向，Ｙ軸方向のものも第１チェックパターン４Ａ
から構成され、第２コーナー部５Ｂと第４コーナー部５
Ｄのチェックパターンは、Ｘ軸方向，Ｙ軸方向とも第２
チェックパターン４Ｂから構成されている。そして各コ
ーナー部には角部より中心方向に向う斜線からなる第３
のパターン６ａ〜６ｄが設けられている。この第３のパ
ターンは回転方向の検出に用いられる。
【００１１】このように構成されたマスク１０を用い、
ウェーハ上にステップアンドリピート法で露光した時、
各コーナー部におけるチェックパターンを構成するパタ
ーンａは重なり合う。この時回転方向にずれがなけれ
ば、図２に示したように、各コーナー部５Ａ〜５Ｄにお
ける第１，第２チェックパターン４Ａ，４Ｂの各パター
ンａは、境界線７Ａ又は７Ｂで線対称となり、４本の第
３パターン６ａ〜６ｄはＸ文字を形成する。
ウェーハ上にステップアンドリピート法で露光した時、
各コーナー部におけるチェックパターンを構成するパタ
ーンａは重なり合う。この時回転方向にずれがなけれ
ば、図２に示したように、各コーナー部５Ａ〜５Ｄにお
ける第１，第２チェックパターン４Ａ，４Ｂの各パター
ンａは、境界線７Ａ又は７Ｂで線対称となり、４本の第
３パターン６ａ〜６ｄはＸ文字を形成する。
【００１２】露光装置に回転ずれが発生した場合、第３
のパターン６の向きでその方向が判別できそのずれが反
時計方向の時は図３の矢印で示すように、Ｙ軸方向のず
れをチェックする第１，第２コーナー部５Ａ，５Ｂ及び
第３，第４コーナー部５Ｃ，５Ｄの各チェックパターン
の例えばパターンｄが一致する。同様にずれが時計方向
の時は図４の矢印で示すように、Ｘ軸方向のずれをチェ
ックする各チェックパターンのパターンｄが一致する。
従って、この一致したパターンより狭く（０．１〜０．
２μｍ）設けた第２チェックパターンのずれ量が容易に
検出できる為、回転のずれを直ちに求めることができ
る。例えば、チップサイズをＷ×Ｗとすると中心からの
長さは２1/2 Ｗ／２となる。従ってずれ量がｘと検出さ
れた場合、装置の回転角度θは、Ｓｉｎ-1（２ｘ）／
（２1/2 Ｗ）と計算できる。
のパターン６の向きでその方向が判別できそのずれが反
時計方向の時は図３の矢印で示すように、Ｙ軸方向のず
れをチェックする第１，第２コーナー部５Ａ，５Ｂ及び
第３，第４コーナー部５Ｃ，５Ｄの各チェックパターン
の例えばパターンｄが一致する。同様にずれが時計方向
の時は図４の矢印で示すように、Ｘ軸方向のずれをチェ
ックする各チェックパターンのパターンｄが一致する。
従って、この一致したパターンより狭く（０．１〜０．
２μｍ）設けた第２チェックパターンのずれ量が容易に
検出できる為、回転のずれを直ちに求めることができ
る。例えば、チップサイズをＷ×Ｗとすると中心からの
長さは２1/2 Ｗ／２となる。従ってずれ量がｘと検出さ
れた場合、装置の回転角度θは、Ｓｉｎ-1（２ｘ）／
（２1/2 Ｗ）と計算できる。
【００１３】図５は本発明の第２の実施の形態を説明す
る為の露光パターンのコーナー部の上面図であり、マス
クは図１と同様に構成されている。
る為の露光パターンのコーナー部の上面図であり、マス
クは図１と同様に構成されている。
【００１４】この第２の実施の形態におけるマクスのチ
ェックパターンは、図５より明らかなように、第１コー
ナー部５Ａと第３コーナー部５Ｃでは、第１チェックパ
ターン４Ａと第２チェックパターン４Ｂとから構成され
ており、第２コーナー部５Ｂでは２つの第２チェックパ
ターン４Ｂから、そして第４コーナー部５Ｄでは２つの
第１チェックパターン４Ａからそれぞれ構成されてい
る。このように構成されたマスクを用いてパターンを露
光した場合、第１チェックパターン４Ａと第２チェック
パターン４Ｂとは境界線７Ａ，７Ｂを挟んで隣接してお
り、装置の回転ずれがない場合は各チェックパターンを
構成するパターンａは線対称となり、ずれがある場合は
他のパターンが一致する。
ェックパターンは、図５より明らかなように、第１コー
ナー部５Ａと第３コーナー部５Ｃでは、第１チェックパ
ターン４Ａと第２チェックパターン４Ｂとから構成され
ており、第２コーナー部５Ｂでは２つの第２チェックパ
ターン４Ｂから、そして第４コーナー部５Ｄでは２つの
第１チェックパターン４Ａからそれぞれ構成されてい
る。このように構成されたマスクを用いてパターンを露
光した場合、第１チェックパターン４Ａと第２チェック
パターン４Ｂとは境界線７Ａ，７Ｂを挟んで隣接してお
り、装置の回転ずれがない場合は各チェックパターンを
構成するパターンａは線対称となり、ずれがある場合は
他のパターンが一致する。
【００１５】図６は本発明の第３の実施の形態を説明す
る為の露光パターンのコーナー部の上面図であり、マス
クは図１と同様に構成されている。この第３の実施の形
態におけるマスクのチェックパターンは図６より明らか
なように、第１〜第４コーナー部５Ａ〜５Ｄでは全て第
１及び第２チェックパターン４Ａ，４Ｂとから構成され
ており、露光した場合第１チェックパターン４Ａと第２
チェックパターン４Ｂとは境界線７Ａ，７Ｂを挟んで隣
接しており、装置の回転ずれの有無により第１チェック
パターンと第２チェックパターンを構成するパターンが
一致する。
る為の露光パターンのコーナー部の上面図であり、マス
クは図１と同様に構成されている。この第３の実施の形
態におけるマスクのチェックパターンは図６より明らか
なように、第１〜第４コーナー部５Ａ〜５Ｄでは全て第
１及び第２チェックパターン４Ａ，４Ｂとから構成され
ており、露光した場合第１チェックパターン４Ａと第２
チェックパターン４Ｂとは境界線７Ａ，７Ｂを挟んで隣
接しており、装置の回転ずれの有無により第１チェック
パターンと第２チェックパターンを構成するパターンが
一致する。
【００１６】尚、上記実施の形態では全て第３のパター
ン６が存在する場合について説明したが、第３のパター
ンがない場合であっても回転ずれ量の検出は従来例より
容易である。
ン６が存在する場合について説明したが、第３のパター
ンがない場合であっても回転ずれ量の検出は従来例より
容易である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、回転方向
のずれ量検出用のチェックパターンとして、一定間隔の
第１パターンと一定の割合で間隔が狭くなる第２パター
ンとを、露光した場合この第１パターンと第２パターン
とが対向するようにスクライブ線形成領域のコーナー部
に設けることにより、露光装置の回転方向のずれ量を容
易に検出できる為、精度良く回転ずれの修正を行うこと
ができるという効果がある。
のずれ量検出用のチェックパターンとして、一定間隔の
第１パターンと一定の割合で間隔が狭くなる第２パター
ンとを、露光した場合この第１パターンと第２パターン
とが対向するようにスクライブ線形成領域のコーナー部
に設けることにより、露光装置の回転方向のずれ量を容
易に検出できる為、精度良く回転ずれの修正を行うこと
ができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のマス
クの上面図。
クの上面図。
【図２】第１の実施の形態のマスクで露光した場合のス
クライブ線コーナー部の上面図。
クライブ線コーナー部の上面図。
【図３】第１の実施の形態のマスクで露光した場合のス
クライブ線コーナー部の上面図。
クライブ線コーナー部の上面図。
【図４】第１の実施の形態のマスクで露光した場合のス
クライブ線コーナー部の上面図。
クライブ線コーナー部の上面図。
【図５】第２の実施の形態のマスクで露光した場合のス
クライブ線コーナー部の上面図。
クライブ線コーナー部の上面図。
【図６】第３の実施の形態のマスクで露光した場合のス
クライブ線コーナー部の上面図。
クライブ線コーナー部の上面図。
【図７】従来のマスクで露光した場合のスクライブ線コ
ーナー部の上面図。
ーナー部の上面図。
【図８】従来のマスクで露光した場合のスクライブ線コ
ーナー部の上面図。
ーナー部の上面図。
１ 素子パターン形成領域 ２ スクライブ線形成領域 ２Ａ スクライブ線 ３ 遮へい領域 ４ チェックパターン ４Ａ 第１チェックパターン ４Ｂ 第２チェックパターン ５Ａ〜５Ｄ コーナー部 ６，６ａ〜６ｄ 第３のパターン ７Ａ，７Ｂ 境界線 １０ マスク １４Ａ〜１４Ｄ チェック用パターン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子のパターン形成領域と、この
パターン形成領域の周囲に設けられたスクライブ線形成
領域と、このスクライブ線形成領域の４つのコーナー部
にスクライブ線形成領域の長手方向と垂直に設けられた
露光装置による回転方向の重ね合わせずれ量検出用のチ
ェックパターンとを有する露光用マスクにおいて、前記
チェックパターンは一定間隔で形成された第１のパター
ンと隅から離れるにつれて一定の割合でその間隔が狭く
なる第２のパターンとから構成され、かつ前記４つのコ
ーナー部が１点で接して露光されてパターンが形成され
た場合、各コーナー部の境界線を挟んで前記第１のパタ
ーンと前記第２のパターンとが対向するように配設され
ると共に、前記コーナー部の角部より中心方向に向かう
斜線からなる第３のパターンがスクライブ線形成領域に
設けられていることを特徴とする露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28292995A JP2773708B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28292995A JP2773708B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09127680A JPH09127680A (ja) | 1997-05-16 |
| JP2773708B2 true JP2773708B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=17658949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28292995A Expired - Lifetime JP2773708B2 (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773708B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2870461B2 (ja) * | 1995-12-18 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 |
| JP4301584B2 (ja) * | 1998-01-14 | 2009-07-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 |
| US7001830B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-02-21 | Advanced Micro Devices, Inc | System and method of pattern recognition and metrology structure for an X-initiative layout design |
| JP4882354B2 (ja) * | 2004-12-01 | 2012-02-22 | 株式会社ニコン | アライメント調整方法、アライメントマークの形成方法、基材、及び透過型光学素子の製造方法 |
| JP4634929B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | フォトマスク、ショット重ね合わせ精度測定方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63151948A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-24 | Nec Corp | 露光用マスク |
| JPH02106745A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-18 | Matsushita Electron Corp | フォトマスクおよびフオトマスク測定方法 |
| JPH06324475A (ja) * | 1993-05-15 | 1994-11-25 | Nec Corp | レチクル |
| JPH08321453A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置用目合わせ方式 |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28292995A patent/JP2773708B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09127680A (ja) | 1997-05-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980324 |