JPS60145618A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60145618A JPS60145618A JP59002153A JP215384A JPS60145618A JP S60145618 A JPS60145618 A JP S60145618A JP 59002153 A JP59002153 A JP 59002153A JP 215384 A JP215384 A JP 215384A JP S60145618 A JPS60145618 A JP S60145618A
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- Japan
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- mark
- semiconductor device
- wafer
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置を製造する工程において使用する目
合せマークに関するものである。
合せマークに関するものである。
半導体装置を製造する工程において、ホトマスクを用い
た写真蝕刻法が広く用いられており、個個の工程間を目
合せすることが必要である。このため、能動的機能を果
すべく製造される半導体装置を形成するパターンとは別
に、目合せのためのパターンをホトマスク上に設け、前
工程により形成されたウェハー上のパターンと組合せて
目合ぜマークとなし１両者間の位置合わせにより目合せ
ｔなすことが行なわれている。
た写真蝕刻法が広く用いられており、個個の工程間を目
合せすることが必要である。このため、能動的機能を果
すべく製造される半導体装置を形成するパターンとは別
に、目合せのためのパターンをホトマスク上に設け、前
工程により形成されたウェハー上のパターンと組合せて
目合ぜマークとなし１両者間の位置合わせにより目合せ
ｔなすことが行なわれている。
従来、目合せ操作に用いられる目合せマークとしては、
第１図に示されるような矩形を特徴とするものが用いら
れいた。第１図において、矩形３は半導体ウェハー上の
目合せマークであり、１はマスクで、素子形成パターン
および目合せマークとしての矩形パターン２以外はクロ
ム等金属ｉｐ被覆され、矩形２と３とを用いて、目合せ
を行なうものである。この目的には、矩形２は矩形３に
対して、ある有限の間隙を設定して、形状設計されるが
一般的である。
第１図に示されるような矩形を特徴とするものが用いら
れいた。第１図において、矩形３は半導体ウェハー上の
目合せマークであり、１はマスクで、素子形成パターン
および目合せマークとしての矩形パターン２以外はクロ
ム等金属ｉｐ被覆され、矩形２と３とを用いて、目合せ
を行なうものである。この目的には、矩形２は矩形３に
対して、ある有限の間隙を設定して、形状設計されるが
一般的である。
第１図に示される従来の目合せマークでは、その間隙は
、矩形の一辺上で同一長であシ、第１図中、間ＮＡＢ及
びＡ／ Ｂ／又間隙ＣＤ及びＣ’ Ｄ’は同一長である
。この目合せマークでは、間隙ＡＢと間隙ＥＦを同長に
するよう、ホトマスク上の矩形２とウェハー上の矩形３
の位置合せを行なう。
、矩形の一辺上で同一長であシ、第１図中、間ＮＡＢ及
びＡ／ Ｂ／又間隙ＣＤ及びＣ’ Ｄ’は同一長である
。この目合せマークでは、間隙ＡＢと間隙ＥＦを同長に
するよう、ホトマスク上の矩形２とウェハー上の矩形３
の位置合せを行なう。
位置合わせ操作を人間が行なう際には、間隙ＡＢと間隙
ＥＦｉ個別に定量し比、較するのではなく、矩形２と矩
形３で形成される間隙の非対称性に対するパターン認識
を利用したものである。
ＥＦｉ個別に定量し比、較するのではなく、矩形２と矩
形３で形成される間隙の非対称性に対するパターン認識
を利用したものである。
本発明は目合せのそれのパターン認識をよシ容易に行え
るように改良した方法を提供することを目的とし、以下
、図面によシ本発明を詳述する。
るように改良した方法を提供することを目的とし、以下
、図面によシ本発明を詳述する。
第２図は本発明の原理を示す。すなわち、従来、平行な
間隙を用いていたのに対し、自身または延長線が斜交す
る２つの直線からなる頂角を有する形状では、マスク１
′上の明部２′とウェノ・−上のマーク３′とによって
形成される間隙は、ＡＢ力方向は長さノ、であるが、Ｃ
Ｄ方向では長さ１１でありｓ ｌ’ｔ よシも大きな量
となシ、シかも、その間隙はテーパーをもつ。したがっ
て、目合せずれによるパターン変化をパターン認識上増
大させることができる。
間隙を用いていたのに対し、自身または延長線が斜交す
る２つの直線からなる頂角を有する形状では、マスク１
′上の明部２′とウェノ・−上のマーク３′とによって
形成される間隙は、ＡＢ力方向は長さノ、であるが、Ｃ
Ｄ方向では長さ１１でありｓ ｌ’ｔ よシも大きな量
となシ、シかも、その間隙はテーパーをもつ。したがっ
て、目合せずれによるパターン変化をパターン認識上増
大させることができる。
第３図は本発明の一実施例であシ、ウェノ・−上のマー
ク３′とマスクの明部２′とは頂角が異なるひし形とし
、これらを用いて目合せしている。
ク３′とマスクの明部２′とは頂角が異なるひし形とし
、これらを用いて目合せしている。
又、直線的なテーパーのみでなく、直線と内弧し、曲率
の異なる円弧の組合せにおいても、同様の効果が期待で
きる。第４図が曲率の異なる円弧の組合せであシ、第５
図は直線と円弧の組合せである。
の異なる円弧の組合せにおいても、同様の効果が期待で
きる。第４図が曲率の異なる円弧の組合せであシ、第５
図は直線と円弧の組合せである。
さらに、第３図、第４図に示す実施例において対称性を
考慮すると、第６図のように、一対の目合せマークを彼
数個配置するのも効果的である。ウェハー上パターンと
してはシリコン酸化膜、窒化膜、金属の付着等、段差加
工を用いることができる。
考慮すると、第６図のように、一対の目合せマークを彼
数個配置するのも効果的である。ウェハー上パターンと
してはシリコン酸化膜、窒化膜、金属の付着等、段差加
工を用いることができる。
第１図は従来の目合せマークの平面図、第２図は本発明
の原理を示す平面図、第３図、第４図、第５図、第６図
はそれぞれ本発明の実施例金示す平面図である。 １．１′・・・・・・ホトマスク暗部（クロム向）、２
゜２′・・・・・・ホトマスク明部（ガラス面）、３．
３’・・・・・・ウェハー上パターン。
の原理を示す平面図、第３図、第４図、第５図、第６図
はそれぞれ本発明の実施例金示す平面図である。 １．１′・・・・・・ホトマスク暗部（クロム向）、２
゜２′・・・・・・ホトマスク明部（ガラス面）、３．
３’・・・・・・ウェハー上パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェーハ上の目合せマークとホトマスク上の
目合せマークとを用いて前記半導体ウェーハと前記ホト
マスクとの位置合せをする半導体装置の製造方法におい
て、前記二つの目合せマークに少なくとも三箇所で接す
るような二つの図形パターンを用いたことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 ２ 前記二つの図形パターンのそれぞれは斜交する二つ
の線分を有し、かつその斜交角が前記二つの図形パター
ンで異なっていることを特徴とする特許請求の範囲！１
項記載の半導体装置の製造方法。 ３、前記二つの図形パターンのそれぞれは円弧を有し、
かつその円弧の曲率が異なっていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ４、前記二つの図形パターンの一方は斜交する二つの線
分を有し、他方はその二つの線分に内接する円弧を有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002153A JPS60145618A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002153A JPS60145618A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145618A true JPS60145618A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11521406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002153A Pending JPS60145618A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145618A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247525A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント方法 |
| JP2008089063A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Honda Motor Co Ltd | 変速装置 |
| JP2010147253A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 位置合わせ方法、ホトマスクおよびウエハ |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59002153A patent/JPS60145618A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247525A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント方法 |
| JPH0523490B2 (ja) * | 1986-04-18 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JP2008089063A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Honda Motor Co Ltd | 変速装置 |
| JP2010147253A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 位置合わせ方法、ホトマスクおよびウエハ |
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