JP2001074606A - ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法 - Google Patents

ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法

Info

Publication number
JP2001074606A
JP2001074606A JP25046899A JP25046899A JP2001074606A JP 2001074606 A JP2001074606 A JP 2001074606A JP 25046899 A JP25046899 A JP 25046899A JP 25046899 A JP25046899 A JP 25046899A JP 2001074606 A JP2001074606 A JP 2001074606A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
optical length
length measuring
measuring device
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP25046899A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3442007B2 (ja
Inventor
Akira Watanabe
明 渡辺
Akihiko Nara
明彦 奈良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP25046899A priority Critical patent/JP3442007B2/ja
Priority to TW089104577A priority patent/TW457549B/zh
Priority to KR1020000012957A priority patent/KR100695825B1/ko
Priority to DE60045537T priority patent/DE60045537D1/de
Priority to EP00302145A priority patent/EP1081483B1/en
Priority to US09/527,854 priority patent/US6654107B1/en
Publication of JP2001074606A publication Critical patent/JP2001074606A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3442007B2 publication Critical patent/JP3442007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/02—Testing optical properties
    • G01M11/0242—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations
    • G01M11/0257—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested
    • G01M11/0264—Testing optical properties by measuring geometrical properties or aberrations by analyzing the image formed by the object to be tested by using targets or reference patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステッパレンズの収差特性評価を光学測長機
を用いて，高感度に短時間で測定することを可能とした
ステッパレンズの収差測定用パターンを提供すること。 【解決手段】 矩形パターン４１は，ステッパあるいは
光学測長機で分離解像しない幅を有するラインアンドス
ペースパターン４２と接合している。複数のこの接合パ
ターンを，ステッパ及び光学測長機で充分分離解像する
間隔４３を保ち，ラインアンドスペースパターン４２を
外側にして対称的に配置する。これをステッパを用いて
ウェハ上に転写，形成すると，その幅寸法のため，ライ
ンアンドスペース部の外縁部の形状は直線的な形状とな
り，光学測長機での測定が可能となり，収差成分の評価
ができる。また，ラインアンドスペース部の先端は露光
条件の変化や収差に対して敏感にその形状が変化するた
め，感度の高い測定方法となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置製造工
程のホトリソグラフィー工程で，半導体基板上にパター
ン形成する際に使用するステッパの縮小投影レンズの収
差特性評価に用いるパターン構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程のホトリソグラフィ
ー工程では，ステッパと呼ばれる縮小投影露光装置を用
いて，レティクルマスク上に形成された回路パターン
を，半導体基板（以下ウェハと称する）上に転写する工
程を繰り返し，半導体装置を製造する。従来，このホト
リソグラフィー工程では，回路パターンの形状が正確に
転写されることを目的として，ステッパの縮小投影系レ
ンズの収差特性成分の評価を行っている。このステッパ
レンズの収差特性評価では，レンズの収差成分によって
種々な検査，測定を行っている。
【０００３】一例としてコマ収差の測定を示す。コマ収
差が存在すると，集光スポットが非対称になり，形成パ
ターンが非対称に見える要因になる。図２０に従来の評
価に使用しているパターン構成を示す。これはステッパ
レンズの解像力に見合った幅を持つラインとスペースを
繰り返し数本ずつ並べたラインアンドスペースパターン
である。ここで，幅とは図のライン及びスペースの短辺
の長さを意味する。図２０（ａ）は幅方向が水平方向に
なるように並べたものである。図２０（ｂ），（ｃ），
（ｄ）は，（ａ）を９０°回転，時計回りに４５°回
転，反時計回りに４５°回転させたものである。
【０００４】従来では，これらのパターン構成を図２１
に示すようにレンズの各露光位置に配置して，各パター
ン構成の中で各々最外パターンの幅の寸法を測定し，寸
法差を算出して，その露光位置のコマ収差として評価し
ていた。最外パターンとは，同一パターン構成内でその
外側に隣接するパターンが無いパターンのことである。
これはラインアンドスペースパターンの場合，パターン
同士が隣接したパターンのエッジ形状は，最外パターン
より収差の影響を受けにくいということからこの方式を
採用していた。
【０００５】例えば，水平方向のコマ収差成分を求める
場合は，図２０（ａ）のパターン構成を用いる。ウェハ
上に転写，形成された複数のラインアンドスペースの
内，最外パターン幅にあたるＸＬとＸＲの寸法をＳＥＭ
型測長機で測定して コマ収差＝（ＸＬ）−（ＸＲ） もしくは， コマ収差＝（（ＸＬ）−（ＸＲ））／（（ＸＬ）＋（Ｘ
Ｒ）） の式を用いてコマ収差として算出する。この測定，算出
作業を図２１に示すレンズの各露光位置毎に行い，各位
置でのコマ収差を求める。
【０００６】垂直方向のコマ収差成分の場合は，図２０
（ｂ）のパターン構成を用いて，上部最外パターン幅Ｙ
Ｕと下部最外パターン幅ＹＬの寸法を測定，差を算出し
て求める。同様に，左上─右下方向のコマ収差成分の場
合は，図２０（ｃ）のパターン構成を用いて，パターン
幅＋４５Ｌと＋４５Ｒの寸法を測定，差を算出して求め
る。右上─左下方向のコマ収差成分の場合は，図２０
（ｄ）のパターン構成を用いて，パターン幅−４５Ｌと
−４５Ｒの寸法を測定，差を算出して求める。このよう
にして，図２０に示す各露光位置に配置された４種類の
パターン構成を用いて，形成パターンを測定することに
より，各露光位置での各方向のコマ収差を評価できる。
【０００７】次に，収差測定の別の例として非点収差の
場合を述べる。非点収差が存在すると，パターンの形成
方向によって，適性フォーカス位置が異なる。例えば，
１つの形成パターンの適性フォーカス位置に露光面を設
定すると，それに直交する方向の形成パターンはデフォ
ーカス状態になり，形成前は幅の等しかったパターンで
あっても，その露光面上ではこの２方向の形成パターン
の幅は異なる。これより，同一露光面上の異なる方向の
形成パターンの寸法差を測定，算出して，非点収差とし
て評価する。
【０００８】具体的には，図２０（ａ）の中央のパター
ン幅０Ｃ，図２０（ｂ）の中央のパターン幅９０Ｃの寸
法を各々測定して下式 ０°−９０°方向非点収差＝（０Ｃ）−（９０Ｃ） により０°方向と９０°方向の非点収差として評価す
る。同様に図２０（ｃ）の４５Ｃと図２０（ｄ）の１３
５Ｃを各々測定して，下式 ４５°−１３５°方向非点収差＝（４５Ｃ）−（１３５
Ｃ） により４５°方向と１３５°方向の非点収差として評価
する。全体の非点収差量としては，同一露光面上の各パ
ターンについて下式 非点収差＝ＭＡＸ（（０Ｃ），（９０Ｃ），（４５
Ｃ），（１３５Ｃ））−ＭＩＮ（（０Ｃ），（９０
Ｃ），（４５Ｃ），（１３５Ｃ）） により０°，９０°，４５°及び１３５°方向のパター
ン幅を比較し，寸法差を算出して非点収差として評価す
る。この寸法測定，比較，算出作業は，前出のコマ収差
同様，レンズ露光範囲に配置された各露光位置のパター
ンに関して行い，各露光位置の非点収差として評価され
る。非点収差測定において，各パターン構成の中央部を
使用するのは，パターン同士が隣接したパターンのエッ
ジ形状は，最外パターンに比べコマ収差の影響を受け難
いとされているからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたパターン
を用いた測定方法では，対称に配置された最外パターン
の寸法差を測定してコマ収差として算出している。しか
しながら，コマ収差の影響を受けたパターンであって
も，必ずしも最外パターンの幅に寸法差が発生するわけ
ではなかった。図２２（ａ）は図２０（ａ）に示すパタ
ーン構成によって形成されたパターンの断面図である。
図２２（ａ）に示す様に収差の影響を受けているにも関
わらず，ＬＥ≒ＲＩとなり，寸法差が生じないことがあ
った。つまり，従来の測定方式では，正確に収差成分が
測定できないという問題があった。
【００１０】図２２（ｂ）は，形成された１つのライン
パターンの断面図である。コマ収差自体は，図２２
（ｂ）に示す様に１パターンの左右エッジ形状差として
現れ，寸法差ＥＲ−ＥＬとして評価されるべきものであ
るが，従来の測定方式では，この同一パターンの左右エ
ッジ寸法差を求めているわけではないため，正確な評価
になっていないという問題があった。
【００１１】また，従来のコマ収差及び非点収差の測定
方式では，ステッパの解像限界近傍のパターンサイズで
評価を行うため，パターンの寸法測定は，ＳＥＭ型測長
機を使用する。ＳＥＭ型測長機での測定は，高倍率で行
うため，同一視野内で複数のパターンを測定するのは難
しい。各パターンを測定する度に測定位置を移動し，測
定作業を繰り返す必要があった。このため，多数のパタ
ーン測定を必要とする前述の収差評価作業は，煩雑であ
り，なおかつ時間がかかるという問題があった。
【００１２】本発明は，このような問題に鑑みてなされ
たもので，その目的とするところは，ステッパレンズの
収差特性評価を光学測長機を用いて，高感度に短時間で
測定することを可能としたステッパレンズの収差測定用
パターンを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明は，請求項1に記載のように，ステッパレン
ズの収差特性評価に用いるパターンであって，光学測長
機視野上で分離解像不能な寸法を短手方向幅として有す
る複数のラインパターンから成るラインアンドスペース
型の第１パターンと光学測長機視野上で分離解像可能な
外形寸法を有する略矩形形状の第２パターンとを略櫛形
状に接合して成る少なくとも２の接合パターンを，光学
測長機上で分離解像可能な寸法の間隔を相互に空けて，
前記第１パターンのライン部が外側を向いて相互に対称
な位置関係になるように配置したことを特徴とする，ス
テッパレンズの収差測定パターンを提供する。これをス
テッパを用いてウェハ上に転写，形成すると，パターン
の対称な部分の寸法を光学測長機で測定でき，比較計算
することで高感度にステッパレンズのコマ収差成分を評
価できる。その際に，請求項２に記載のように，前記接
合パターンは，第１パターンのライン長手方向が相互に
反対方向を向くように配置された一または二以上の接合
パターン対を組み合わせて成る接合パターン組から構成
すれば，接合パターン対の両側の第１パターンの長手方
向先端間の寸法を測定することで，高感度にステッパレ
ンズのコマ収差成分を評価することができる。
【００１４】さらに，請求項３に記載のように，前記接
合パターン組は，さらに，前記接合パターン組の前記第
２パターン同士の内側空間に，前記第２パターンに対し
て光学測長機で分離解像可能な間隔を空けて配置され
た，光学測長機上で分離解像可能な外形寸法を有すると
ともに前記各第２パターンの内側辺に平行な辺を有する
形状の第３パターンを含むように構成すれば，測定する
矩形パターンのエッジが受ける収差の影響を少なくする
ことができる。第３パターンの形状は，周囲に配される
接合パターン組の数に応じて，矩形，六角形，八角形な
どとすることができる。
【００１５】さらに，請求項４に記載のように，複数の
前記接合パターン組をそれぞれ等角度ずつ，例えば４５
°ずつ回転させて配置すれば，０°，＋４５°，−４５
°，９０°方向のコマ収差成分が評価できる。また，例
えば，接合パターンを４方向に配置すれば，０°，９０
°の２方向のコマ収差成分の測定，評価が同一パターン
でできる。また，例えば，接合パターンを８方向に配置
すれば，０°，＋４５°，−４５°，９０°の４方向の
コマ収差成分の測定，評価が同一パターンでできる。
【００１６】さらに，本発明の別の観点によれば，請求
項５に記載のように，ステッパレンズの収差特性評価に
用いるパターンであって，光学測長機視野上で分離解像
不能な寸法を短手方向幅として有する複数のラインパタ
ーンから成るラインアンドスペース型の第１パターン
を，光学測長機視野上で分離解像可能な外形寸法を有す
るとともに相互に平行な対向辺を有する形状の第２パタ
ーンの対向する少なくとも２辺にそれぞれ接合するとと
もに，前記各第１パターンのライン長手方向先端に対し
て光学測長機視野上で分離解像可能な間隔を空けて，光
学測長機視野上で分離解像可能な外形寸法を有する矩形
形状の第４パターンを配置して成るパターン組から成る
ことを特徴とする，ステッパレンズの収差測定パターン
が提供される。これをステッパを用いてウェハ上に転
写，形成すると，パターンの寸法を光学測長機で測定で
き，比較計算することで高感度にステッパレンズの非点
収差成分を評価できる。
【００１７】さらに，請求項６に記載のように，前記パ
ターン組は，さらに，前記第４パターンの外側辺に接合
された光学測長機視野上で分離解像不能な寸法を短手方
向幅として有する複数のラインパターンから成るライン
アンドスペース型の第５パターンを含むように構成して
もよい。また，請求項７に記載のように，複数の前記パ
ターン組をそれぞれ等角度ずつ，例えば４５°ずつ回転
させて配置すれば，０°−９０°方向，４５°方向の非
点収差成分が評価できる。
【００１８】なお，請求項８に記載のように，ラインパ
ターンは略楔形形状であり，その底辺部の短手方向幅が
光学測長機視野上で分離解像不能な寸法として構成する
ことが可能である。さらに，請求項９に記載のように，
ラインパターンの短手方向幅は，ステッパの解像限界以
下であることが好ましい。
【００１９】さらに，本発明の別の観点によれば，請求
項１０に記載のように，ステッパレンズの収差特性評価
方法であって，光学測長機視野上で分離解像不能な寸法
を短手方向幅として有する複数のラインパターンから成
るラインアンドスペース型の第１パターンと光学測長機
視野上で分離解像可能な外形寸法を有する略矩形形状の
第２パターンとを略櫛形状に接合して成る少なくとも２
の接合パターンを，光学測長機上で分離解像可能な寸法
の間隔を相互に空けて，前記第１パターンのライン部が
外側を向いて相互に対称な位置関係になるように配置し
て成る収差特性評価用パターンをステッパを用いて評価
用基板に転写し，光学測長機を用いて該評価用基板に転
写された一の接合パターンの第１パターン長手方向先端
部と第２パターンの第１パターンと反対側エッジ間の寸
法を測長し，さらに対象に配置した他の接合パターンの
第１パターン長手方向先端部と第２パターンの第１パタ
ーンと反対側エッジ間の寸法を測長し，比較演算するこ
とを特徴とする，ステッパレンズの収差特性評価方法が
提供される。
【００２０】なお，接合パターン組は，請求項１１に記
載のように，さらに，前記接合パターン組の前記第２パ
ターン同士の内側空間に，前記第２パターンに対して光
学測長機で分離解像可能な間隔を空けて配置された，光
学測長機上で分離解像可能な外形寸法を有するとともに
前記各第２パターンの内側辺に平行な辺を有する形状の
第３のパターンを含むように構成しても良い。
【００２１】さらにまた本発明の別の観点によれば，請
求項１２に記載のように，ステッパレンズの収差特性評
価方法であって，光学測長機視野上で分離解像不能な寸
法を短手方向幅として有する複数のラインパターンから
成るラインアンドスペース型の第１パターンを，光学測
長機視野上で分離解像可能な外形寸法を有するとともに
相互に平行な対向辺を有する形状の第２パターンの対向
する少なくとも２辺にそれぞれ接合するとともに，前記
各第１パターンのライン長手方向先端に対して光学測長
機視野上で分離解像可能な間隔を空けて，光学測長機視
野上で分離解像可能な外形寸法を有する矩形形状の第４
のパターンを配置して成るパターン組から成る収差特性
評価用パターンをステッパを用いて評価用基板に転写
し，光学測長機を用いて該評価用基板に転写されたパタ
ーン組の両側の第１パターン長手方向先端部間の寸法を
測長し評価することを特徴とする，ステッパレンズの収
差特性評価方法が提供される。
【００２２】さらに，パターン組は，請求項１３に記載
のように，前記第４パターンの外側辺に接合された光学
測長機視野上で分離解像不能な寸法を短手方向幅として
有する複数のラインパターンから成るラインアンドスペ
ース型の第５パターンを含み，さらに第５パターン長手
方向先端部と第４パターンの第５パターンと反対側エッ
ジ間の寸法を測長し評価するように構成してもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１（ａ）は，本発明の１
実施の形態に係るパターン構成図である。矩形パターン
４１は幅数μm，長辺方向の長さ数μm〜数十μmであ
り，光学測長機で測定可能な寸法となっており，ライン
アンドスペースパターン４２と長辺で接合している。ラ
インアンドスペースパターン４２のラインアンドスペー
スの幅は，ステッパを用いてウェハ上にパターンを転
写，形成しても，分離解像しない寸法，もしくは分離解
像しても寸法測定に用いる光学測長機で各パターンエッ
ジが分離解像して見えない寸法とする。ラインアンドス
ペースの長辺方向の長さは，露光条件の変化に応じたパ
ターン形状の変化が発生しても，転写，形成後にライン
アンドスペース部が存在する様に数μmとする。
【００２４】図１（ａ）に示すように，このような矩形
パターン４１とラインアンドスペースパターン４２が接
合した接合パターンを組み合わせて，ラインアンドスペ
ースパターン４２を外側にして対称的に配置する。この
とき，内側の２つの矩形パターン４１間の間隔４３は，
ステッパおよび光学測長機において分離解像するのに充
分な寸法（数μm〜数十μm）とする。
【００２５】図１（ｂ）は，図１（ａ）に示したパター
ン構成を，ステッパを用いてウェハ上に塗布されたレジ
ストに転写，形成してできたパターンである。図１
（ａ）の矩形パターン４１とその間隔４３に対応するの
が，図１（ｂ）の矩形パターン４４と間隔４５である。
図１（ａ）のラインアンドスペースパターン４２は，図
１（ｂ）の斜線部４６の様に各エッジ部が分離，解像さ
れずに転写，形成される。特願平７−５１１５８８に開
示されているように，ステッパの解像限界以下の寸法で
構成されたラインアンドスペースパターンは，分離，解
像されず，スペースパターン部からの露光光により全体
的に膜減りを起こす。
【００２６】図１（ｃ）は，図１（ｂ）の断面図であ
り，この膜減りの状態を示している。図１（ｃ）の寸法
４７，４８は矩形パターン４４の幅を示し，寸法４９，
５０は斜線部４６の幅を示している。図に示すように矩
形パターン部の膜厚はほぼ初期の膜厚を保って形成され
るが，ラインアンドスペース部の膜厚は薄くなってお
り，すなわち膜減りが起こっている。
【００２７】さらにラインアンドスペース部の先端部
は，露光条件の変化や収差に対して敏感にその形状が変
化し，ラインアンドスペースの長辺方向の長さにあたる
寸法は，露光条件の変化や収差に対して通常，幅方向よ
りも敏感に変化することが知られている。光学測長機の
測定視野におけるラインアンドスペース部のパターン外
縁部の形状は，ラインアンドスペースの幅が，ステッパ
では分離，解像しないか，分離解像しても光学測長機上
ではパターンが分離，解像して見えない寸法であるた
め，直線的なパターン形状となる。よって，光学測長機
を用いて各部の寸法測定が可能となる。図１（ｃ）のパ
ターン寸法ＬＥとＲＩを各々光学測長機で測定し，下式 コマ収差＝（ＬＥ）−（ＲＩ） もしくは， コマ収差＝（（ＬＥ）−（ＲＩ））／（（ＬＥ）＋（Ｒ
Ｉ）） より，コマ収差を算出することができる。
【００２８】このように本実施の形態によれば，ステッ
パでは分離，解像しないか，分離解像しても光学測長機
上ではパターンが分離，解像して見えない幅をもつライ
ンアンドスペースパターンを用いることにより，光学測
長機を用いてコマ収差を測定することができる。また，
通常ラインアンドスペースパターンの先端部が，ステッ
パの露光条件や収差に対して，幅方向よりも敏感に形状
及び寸法変化を生じるために，感度の高い測定方法とな
っている。このパターンをレンズ露光範囲全体に配置す
ることによりレンズ露光範囲全体のコマ収差の評価が可
能となる。
【００２９】図２は，本発明の第２の実施の形態に係る
パターン構成図である。図２（ａ），（ｂ），（ｃ）
は，図１（ａ）に示したパターン構成を各部の寸法を変
更せず，それぞれ９０°，反時計回りに４５°，時計回
りに４５°回転させて配置したものである。
【００３０】これらのパターンを用いて，ステッパによ
りウェハ上に転写，形成を行うと，各パターン形状は第
１の実施の形態と同様になり，ラインアンドスペース部
は膜減りを起こし，その先端部はステッパの露光条件や
収差に対して敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長
機の測定視野におけるパターン外縁部は直線的なパター
ン形状となる。この場合も，光学測長機を用いて各部の
寸法測定が可能となる。形成されたパターンにおいて図
２（ａ）のＵＰとＬＯ，（ｂ）のＵＲとＬＬ，（ｃ）の
ＵＬとＬＲにあたる長さををそれぞれ光学測長機にて寸
法測定し，下式よりコマ収差を算出する。 ９０°方向コマ収差＝（ＵＰ）−（ＬＯ） ＋４５°方向コマ収差＝（ＵＲ）−（ＬＬ） −４５°方向コマ収差＝（ＵＬ）−（ＬＲ）
【００３１】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。パターン構成を回転配置す
ることにより９０°方向（垂直方向）及び各４５°方向
のコマ収差成分測定が可能となる。さらに，図３に示す
様に第１の実施の形態のパターン構成を含め，レンズ露
光範囲全体に均等に４種のパターン構成を配置して，各
部の寸法測定を行い，コマ収差成分を算出することによ
り，ステッパレンズ露光範囲全体の４方向のコマ収差成
分の評価ができる。
【００３２】図４（ａ）は，本発明の第３の実施の形態
に係るパターン構成図である。矩形パターン７１，ライ
ンアンドスペースパターン７２は，それぞれ第１の実施
の形態で示した矩形パターン４１，ラインアンドスペー
スパターン４２と同様の寸法構成を有し，同様に接合し
ている。この接合パターンをラインアンドスペースパタ
ーン７２が外側になるように上下，左右の４方向に配置
する。図４（ａ）に示すパターン構成の最外寸法が測定
に使用する光学測長機の測定視野内となるように各部の
寸法を設計する。
【００３３】図４（ｂ）は，図４（ａ）のパターン構成
を，ステッパを用いてウェハ上に転写，形成してできた
パターンである。形成パターンは，第１の実施の形態と
同様に，ラインアンドスペース部は膜減りを起こし，そ
の先端部はステッパの露光条件や収差に対して敏感に寸
法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視野における
パターン外縁部は直線的なパターン形状となる。この場
合も，光学測長機を用いて各部の寸法測定が可能とな
る。図４（ｂ）のＬＥ，ＲＩ，ＵＰ，ＬＯを各々光学測
長機にて寸法測定を行い，下式よりコマ収差を算出す
る。 ０°方向コマ収差＝（ＬＥ）−（ＲＩ） ９０°方向コマ収差＝（ＵＰ）−（ＬＯ） さらに，図４（ｂ）のＸ，Ｙを各々光学測長機にて寸法
測定を行い，下式より０°−９０°方向の非点収差を算
出する。 ０°−９０°方向非点収差＝（Ｘ）−（Ｙ）
【００３４】図１９（ａ）のグラフは，図４（ａ）のパ
ターン構成を，ウェハ上に露光時のフォーカス位置を変
化させてパターン形成を行い，上述の方法より求めたコ
マ収差，非点収差を，横軸をフォーカス位置にしてプロ
ットしたものである。各収差のグラフには，露光ショッ
ト位置の異なる５種類の曲線が描かれている。各露光シ
ョット位置は図１９（ｂ）に示すとおりである。収差の
ない理想的なレンズであれば，全てのプロット点は縦軸
の数値が０になるが，実際には収差が存在するため，寸
法差が測定され図１９（ａ）のようになる。図１９
（ｂ）は，同じ測定結果を，フォーカス位置を０にした
ときの各収差を各露光ショット位置ごとに表したもので
ある。これより，各露光ショット位置での収差成分がわ
かる。
【００３５】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差と非点収差を測定することができる。本実施の形態の
パターン構成をレンズ露光範囲全体に配置することによ
りレンズ露光範囲全体のコマ収差成分と非点収差成分の
評価が可能となる。本実施の形態においては，４方向に
パターンを配置することにより，０°及び９０°の２方
向のコマ収差成分と非点収差成分の評価ができる。しか
も，本実施の形態においては，パターン構成の最外寸法
を光学測長機の測定視野内に収まる寸法とすることによ
り，０°及び９０°の２方向のコマ収差に関する寸法
と，０°−９０°方向の非点収差に関する寸法測定が同
一パターンで同時に可能となり，作業効率アップにつな
がる。
【００３６】図５（ａ）は，本発明の第４の実施の形態
に係るパターン構成図であり，図４（ａ）と同一のパタ
ーン構成全体を４５°回転して配置したものである。図
５（ｂ）は，図５（ａ）のパターン構成を，ステッパを
用いてウェハ上に転写，形成してできたパターンであ
る。形成パターンは，第１の実施の形態と同様に，ライ
ンアンドスペース部は膜減りを起こし，その先端部はス
テッパの露光条件や収差に対して敏感に寸法及び形状変
化を生じ，光学測長機の測定視野におけるパターン外縁
部は直線的なパターン形状となる。この場合も，光学測
長機を用いて各部の寸法測定が可能となる。図５（ｂ）
のＵＲ，ＬＬ，ＵＬ，ＬＲを各々光学測長機にて寸法測
定を行い，下式よりコマ収差を算出する。 ＋４５°方向コマ収差＝（ＵＲ）−（ＬＬ） −４５°方向コマ収差＝（ＵＬ）−（ＬＲ）
【００３７】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。本実施の形態のパターン構
成をレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体のコマ収差成分の評価が可能となる。本実施
の形態においては，４方向にパターンを配置することに
より，＋４５°及び−４５°の２方向のコマ収差成分の
評価ができる。しかも，本実施の形態においては，パタ
ーン構成の最外寸法を光学測長機の測定視野内に収まる
寸法とすることにより，＋４５°及び−４５°の２方向
の寸法測定が同一パターンで同時に可能となり，作業効
率アップにつながる。
【００３８】図６は，本発明の第５の実施の形態に係る
パターン構成図である。図に示す様に前述の接合パター
ンを上下，左右，各４５°方向の８方向に矩形パターン
のコーナー部が隣接し，ラインアンドスペースパターン
が外側になるように配置する。矩形パターン及びライン
アンドスペースパターンの各部の寸法は，前出の実施の
形態と同様の寸法構成とするが，図のパターン構成の最
外寸法が測定に使用する光学測長機の測定視野内となる
ように各部の寸法を設計する。
【００３９】このパターンを用いて，ステッパによりウ
ェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは第１の実
施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜減りを
起こし，その先端部はステッパの露光条件や収差に対し
て敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視
野におけるパターン外縁部は直線的なパターン形状とな
る。この場合も，光学測長機を用いて各部の寸法測定が
可能となる。形成されたパターンで図６のＵＰ，ＵＲ，
ＲＩ，ＬＲ，ＬＯ，ＬＬ，ＬＥ，ＵＬにあたる寸法を各
々光学測長機にて寸法測定を行い，下式よりコマ収差を
算出する。 ０°方向コマ収差＝（ＬＥ）−（ＲＩ） ９０°方向コマ収差＝（ＵＰ）−（ＬＯ） ＋４５°方向コマ収差＝（ＵＲ）−（ＬＬ） −４５°方向コマ収差＝（ＵＬ）−（ＬＲ）
【００４０】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。本実施の形態のパターン構
成をレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体のコマ収差成分の評価が可能となる。本実施
の形態においては，８方向にパターンを配置することに
より，１つのパターン構成によって０°，９０°，＋４
５°，−４５°の４方向のコマ収差成分の評価ができ
る。しかも，本実施の形態においては，パターン構成の
最外寸法を光学測長機の測定視野内に収まる寸法とする
ことにより，０°，９０°，＋４５°，−４５°の４方
向の寸法測定が同一パターンで同時に可能となり，作業
効率アップにつながる。
【００４１】図７（ａ）は，本発明の第６の実施の形態
に係るパターン構成図であり，図１（ａ）のパターン構
成に矩形パターンを付加した構成となっている。付加し
た矩形パターン１０３は，ラインアンドスペースパター
ン１０２と接合している矩形パターン１０１の間に配置
されている。矩形パターン１０３の幅は数μｍ〜数十μ
ｍ，長辺方向の長さは矩形パターン１０１とほぼ同じで
ある。矩形パターン１０３と矩形パターン１０１の間隔
は，ステッパで充分分離解像し，光学測長機上でパター
ン解像が確認できる最小寸法とする。
【００４２】図７（ｂ）は，図７（ａ）のパターン構成
を，ステッパを用いてウェハ上に転写，形成してできた
パターンである。図７（ａ）の矩形パターン１０１，矩
形パターン１０３に対応するのが，それぞれ図７（ｂ）
の矩形パターン１０４と矩形パターン１０５である。図
７（ａ）のラインアンドスペースパターン１０２は，図
７（ｂ）の斜線部１０６の様に各エッジ部が分離，解像
されずに転写，形成される。矩形パターン１０４と矩形
パターン１０５の間には間隔ができる。
【００４３】図７（ｃ）は，図７（ｂ）の断面図であ
る。ラインアンドスペース部は，第１の実施の形態と同
様に，膜減りを起こし，その先端部はステッパの露光条
件や収差に対して敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学
測長機の測定視野におけるパターン外縁部は直線的なパ
ターン形状となる。この場合も，光学測長機を用いて各
部の寸法測定が可能となる。その他の部分は，完全に遮
光されたパターンで形成されるため，レジスト膜厚が初
期膜厚と同等となる。矩形パターン１０４と矩形パター
ン１０５間のエッジ形状は，図に示すように完全に遮光
された矩形パターンから成るため切り立った様な形状を
示す。つまり，この部分のエッジ形状は，露光時に収差
成分等の影響を受け難くなる。図７（ｃ）のＬＥ，ＲＩ
を光学測長機にて寸法測定し，下式よりコマ収差を算出
する。 コマ収差＝（ＬＥ）−（ＲＩ）
【００４４】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。本実施の形態のパターン構
成をレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体のコマ収差成分の評価が可能となる。さら
に，本実施の形態においては，寸法測定する矩形パター
ン間に別の矩形パターンを配置することにより，測定す
る矩形パターンのエッジ形状が収差等の影響を受け難く
なり，精度の高い収差測定が可能になる。
【００４５】図８は，本発明の第７の実施の形態に係る
パターン構成図である。図８（ａ），（ｂ），（ｃ）
は，図７（ａ）に示したパターン構成を，それぞれ９０
°，反時計回りに４５°，時計回りに４５°回転させて
配置したものである。
【００４６】これらのパターンを用いて，ステッパによ
りウェハ上に転写，形成を行うと，第６の実施の形態と
同様に，ラインアンドスペース部は膜減りを起こし，そ
の先端部はステッパの露光条件や収差に対して敏感に寸
法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視野における
パターン外縁部は直線的なパターン形状となり，矩形パ
ターン間のエッジ形状は露光時に収差成分等の影響を受
け難い切り立った様な形状となる。この場合も，光学測
長機を用いて各部の寸法測定が可能となる。形成された
パターンで図８（ａ）のＵＰとＬＯ，（ｂ）のＵＲとＬ
Ｌ，（ｃ）のＵＬとＬＲにあたる寸法をそれぞれ測定
し，下式よりコマ収差を算出する。 ９０°方向コマ収差＝（ＵＰ）−（ＬＯ） ＋４５°方向コマ収差＝（ＵＲ）−（ＬＬ） −４５°方向コマ収差＝（ＵＬ）−（ＬＲ）
【００４７】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。パターン構成を回転配置す
ることにより９０°方向（垂直方向）及び各４５°方向
のコマ収差成分測定が可能となる。さらに，図７に示す
第６の実施の形態のパターン構成を含め，レンズ露光範
囲全体に４種のパターン構成を配置して，各部の寸法測
定を行い，コマ収差成分を算出することにより，ステッ
パレンズ露光範囲全体の４方向のコマ収差成分の評価が
できる。さらに，本実施の形態においては，寸法測定す
る矩形パターン間に別の矩形パターンを配置することに
より，測定する矩形パターンのエッジ形状が収差等の影
響を受け難くなり，精度の高い収差測定が可能になる。
【００４８】図９は，本発明の第８の実施の形態に係る
パターン構成図であり，図４（ａ）のパターン構成に矩
形パターンを付加した構成となっている。付加した矩形
パターン１２２は，ラインアンドスペースパターンを接
合した矩形パターン１２１で囲まれた内側に配置されて
いる。両者の間隔は，ステッパで充分分離解像し，光学
測長機上でパターン解像が確認できる最小寸法とする。
【００４９】このパターンを用いて，ステッパによりウ
ェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは第６の実
施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜減りを
起こし，その先端部はステッパの露光条件や収差に対し
て敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視
野におけるパターン外縁部は直線的なパターン形状とな
り，矩形パターン間のエッジ形状は露光時に収差成分等
の影響を受け難い切り立った様な形状となる。この場合
も，光学測長機を用いて各部の寸法測定が可能となる。
形成されたパターンで図９のＬＥ，ＲＩ，ＵＰ，ＬＯに
あたる寸法を各々光学測長機にて寸法測定し，下式より
コマ収差を算出する。 ０°方向コマ収差＝（ＬＥ）−（ＲＩ） ９０°方向コマ収差＝（ＵＰ）−（ＬＯ）
【００５０】よって，本実施の形態においても第１の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。本実施の形態のパターン構
成をレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体のコマ収差成分の評価が可能となる。本実施
の形態においては，４方向にパターンを配置することに
より，０°及び９０°の２方向のコマ収差成分の評価が
できる。さらに，本実施の形態においては，寸法測定す
る矩形パターン間に別の矩形パターンを配置することに
より，測定する矩形パターンのエッジ形状が収差等の影
響を受け難くなり，精度の高い収差測定が可能になる。
このパターン構成の最外寸法を光学測長機の測定視野内
の寸法で設計した場合には，０°及び９０°の２方向の
寸法測定が同一パターンで同時に可能となり，作業効率
アップにつながる。
【００５１】図１０は，本発明の第９の実施の形態に係
るパターン構成図であり，図９と同一のパターン構成を
４５°回転して配置したものである。このパターンを用
いて，ステッパによりウェハ上に転写，形成を行うと，
形成パターンは第６の実施の形態と同様に，ラインアン
ドスペース部は膜減りを起こし，その先端部はステッパ
の露光条件や収差に対して敏感に寸法及び形状変化を生
じ，光学測長機の測定視野におけるパターン外縁部は直
線的なパターン形状となり，矩形パターン間のエッジ形
状は露光時に収差成分等の影響を受け難い切り立った様
な形状となる。この場合も，光学測長機を用いて各部の
寸法測定が可能となる。形成されたパターンで図１０の
ＵＲ，ＬＲ，ＬＬ，ＵＬにあたる寸法を各々光学測長機
にて寸法測定し，下式よりコマ収差を算出する。 ＋４５°方向コマ収差＝（ＵＲ）−（ＬＬ） −４５°方向コマ収差＝（ＵＬ）−（ＬＲ）
【００５２】よって，本実施の形態においても第８の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。本実施の形態のパターン構
成をレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体のコマ収差成分の評価が可能となる。本実施
の形態においては，４方向にパターンを配置することに
より，＋４５°及び−４５°の２方向のコマ収差成分の
評価ができる。さらに，本実施の形態においては，寸法
測定する矩形パターン間に別の矩形パターンを配置する
ことにより，測定する矩形パターンのエッジ形状が収差
等の影響を受け難くなり，精度の高い収差測定が可能に
なる。このパターン構成の最外寸法を光学測長機の測定
視野内の寸法で設計した場合には，＋４５°及び−４５
°の２方向の寸法測定が同一パターンで同時に可能とな
り，作業効率アップにつながる。
【００５３】図１１は，本発明の第１０の実施の形態に
係るパターン構成図であり，図６のパターン構成に８角
形のパターンを付加した構成となっている。付加した８
角形のパターンは，８方向に配置された矩形パターンの
内側に矩形パターンと平行のエッジを有するように配置
する。この時の外側の矩形パターンと内側の８角形のパ
ターンの間隔は，ステッパで充分分離解像し，光学測長
機上でパターン解像が確認できる最小寸法とする。ま
た，図のパターン構成の最外寸法が測定に使用する光学
測長機の測定視野内となるように各部の寸法を設計す
る。
【００５４】このパターンを用いて，ステッパによりウ
ェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは第６の実
施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜減りを
起こし，その先端部はステッパの露光条件や収差に対し
て敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視
野におけるパターン外縁部は直線的なパターン形状とな
る。矩形パターンと内側の８角形のパターン間のエッジ
形状は露光時に収差成分等の影響を受け難い切り立った
様な形状となる。この場合も，光学測長機を用いて各部
の寸法測定が可能となる。形成されたパターンで図１１
のＵＰ，ＵＲ，ＲＩ，ＬＲ，ＬＯ，ＬＬ，ＬＥ，ＵＬに
あたる寸法を各々光学測長機にて寸法測定し，下式より
コマ収差を算出する。 ０°方向コマ収差＝（ＬＥ）−（ＲＩ） ９０°方向コマ収差＝（ＵＰ）−（ＬＯ） ＋４５°方向コマ収差＝（ＵＲ）−（ＬＬ） −４５°方向コマ収差＝（ＵＬ）−（ＬＲ）
【００５５】よって，本実施の形態においても第９の実
施の形態と同様に，光学測長機を用いて高感度にコマ収
差を測定することができる。本実施の形態のパターン構
成をレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体のコマ収差成分の評価が可能となる。本実施
の形態においては，８方向にパターンを配置することに
より，１つのパターン構成によって０°，９０°，＋４
５°，−４５°の４方向のコマ収差成分の評価ができ
る。さらに，本実施の形態においては，寸法測定する矩
形パターンの内側に８角形のパターンを配置することに
より，測定する矩形パターンのエッジ形状が収差等の影
響を受け難くなり，精度の高い収差測定が可能になる。
しかも，本実施の形態においては，パターン構成の寸法
を光学測長機の測定視野内に収まる寸法とすることによ
り，０°，９０°，＋４５°，−４５°の４方向の寸法
測定が同一パターンで同時に可能となり，作業効率アッ
プにつながる。
【００５６】図１２（ａ）は，本発明の第１１の実施の
形態に係るパターン構成図である。矩形パターン１５１
は，幅数μmであり，高さ数μm〜数十μmであり，その
対向する２辺にラインアンドスペースパターン１５２を
接合している。ラインアンドスペースパターン１５２の
ラインアンドスペースの幅は，ステッパを用いてウェハ
上にパターンを転写，形成しても，分離解像しない寸
法，もしくは分離解像しても寸法測定に用いる光学測長
機で各パターンエッジが分離解像して見えない寸法とす
る。ラインアンドスペースの長辺方向の長さは，露光条
件の変化に応じたパターン形状の変化が発生しても，転
写，形成後にラインアンドスペース部が存在する様に数
μmとする。ラインアンドスペースパターン１５２の外
側に間隔をあけてそれぞれ矩形パターン１５３を配置す
る。ラインアンドスペースパターン１５２と矩形パター
ン１５３の間隔は，ステッパで充分分離解像し，光学測
長機上でパターン解像が確認できる最小寸法とする。矩
形パターン１５３の幅は数μｍ以上とし，長辺方向の長
さは矩形パターン１５１とほぼ同じである。ここで，ラ
インアンドスペースパターン１５２の最外部の寸法，す
なわち図の０Ｘは，測定に使用する光学測長機の測定視
野内となるように各部の寸法を設計する。
【００５７】図１２（ｂ）は，図１２（ａ）のパターン
構成を９０°回転して配置したものであり，各部のパタ
ーン寸法及び構成は，図１２（ａ）と同一である。図１
２（ｂ）の９０Ｙは図１２（ａ）の０Ｘに対応する。
【００５８】図１２（ｃ）は，図１２（ａ）のパターン
構成をステッパを用いてウェハ上に転写，形成してでき
たパターンである。図１２（ａ）の矩形パターン１５
１，ラインアンドスペースパターン１５２，矩形パター
ン１５３は，それぞれ図１２（ｃ）の矩形パターン１５
４，斜線部１５５，矩形パターン１５６に対応してい
る。図１２（ｄ）は，図１２（ａ），（ｂ）のパターン
をもとに形成されたパターンの断面図である。
【００５９】ラインアンドスペース部は，スペースパタ
ーン部からの露光光を受けるため全体的に膜減りが発生
する。ラインアンドスペースパターンの長辺方向にあた
る寸法は，露光条件の変化や収差に対して通常，幅方向
よりも敏感に変化する。光学測長機の測定視野における
ラインアンドスペース部の外縁部の形状は，ラインアン
ドスペースの幅が，ステッパでは分離，解像しないか，
分離解像しても光学測長機上ではパターンが分離，解像
して見えない寸法であるため，直線的なパターン形状と
なる。この場合も，光学測長機を用いて各部の寸法測定
が可能となる。
【００６０】また，ラインアンドスペースパターン１５
５の外側に矩形パターン１５６が隣接しているため，ラ
インアンドスペースパターン１５５の先端部の形状は，
コマ収差等の影響を受け難くなっている。というのは，
パターンが隣接した場合は，隣接するパターンが存在し
ない場合に比較してパターン形状に影響する収差成分が
軽減された状態となるからである。図１２（ａ）と図１
２（ｂ）は互いに方向が異なるので，形成パターンにお
いて図１２（ａ）の０Ｘと図１２（ｂ）の９０Ｙにあた
る寸法を各々光学測長機で測定して下式より寸法差を算
出して非点収差として評価できる。 ０°−９０°方向非点収差＝（０Ｘ）−（９０Ｙ）
【００６１】このように本実施の形態によれば，光学測
長機を用いて非点収差を測定することができる。また，
通常ラインアンドスペースパターンの長辺方向にあたる
寸法が，ステッパの露光条件や収差に対して，幅方向よ
りも敏感に変化を生じるために，感度の高い評価方法と
なっている。さらに，本実施の形態においては，寸法測
定するラインアンドスペースパターンの外側に矩形パタ
ーンを配置することにより，測定するラインアンドスペ
ースパターンの先端部の形状が，コマ収差等の影響を受
け難い状態で非点収差の測定が可能になる。このパター
ンをレンズ露光範囲全体に配置することによりレンズ露
光範囲全体の非点収差の評価が可能となる。
【００６２】ここでは，ラインアンドスペースパターン
１５２を矩形パターン１５１に接合した構成としたが，
矩形パターン１５１を除去しても同様な効果が得られ
る。
【００６３】図１３は，本発明の第１２の実施の形態に
係るパターン構成図である。図１３（ａ），（ｂ）は，
図１２（ａ）に示したパターン構成を，それぞれ反時計
回りに４５°，時計回りに４５°回転させて配置したも
のである。
【００６４】これらのパターンを用いて，ステッパによ
りウェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは第１
１の実施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜
減りを起こし，ラインアンドスペースパターンの長辺方
向にあたる寸法はステッパの露光条件や収差に対して敏
感に変化を生じ，光学測長機の測定視野におけるパター
ン外縁部は直線的なパターン形状となるため，光学測長
機を用いて各部の寸法測定が可能となり，また，ライン
アンドスペースパターンの先端部の形状は，コマ収差等
の影響を受け難い状態となる。形成されたパターンで図
１３（ａ）の４５ａ，（ｂ）の４５ｂにあたる寸法を各
々光学測長機にて寸法測定し，下式より非点収差を算出
する。 ４５°方向非点収差＝（４５ａ）−（４５ｂ）
【００６５】よって，本実施の形態においても，第１１
の実施の形態と同様に，光学測長機を用いてコマ収差等
の影響が少ない状態で高感度に４５°方向の非点収差を
測定することができる。このパターンをレンズ露光範囲
全体に配置することによりレンズ露光範囲全体の非点収
差の評価が可能となる。また，本実施の形態と第１１の
実施の形態と合わせて，レンズ露光範囲に４種のパター
ンを配置することにより，同一露光条件下での２方向の
非点収差を評価できる。
【００６６】図１４は，本発明の第１３の実施の形態に
係るパターン構成図である。矩形パターン１７１の上
下，左右の４方向に第１１の実施の形態で記載した条件
のラインアンドスペースパターン１７２を接合し，更に
その外側に間隔をあけて矩形パターン１７３を配置す
る。この間隔及び各部の寸法は，第１１の実施の形態と
同様であるが，ラインアンドスペースパターン１７２の
最外部の寸法，すなわち０Ｘと９０Ｙは，光学測長機の
測定視野内となる様に設計する。
【００６７】このパターンを用いて，ステッパによりウ
ェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは第１１の
実施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜減り
を起こし，その先端部はステッパの露光条件や収差に対
して敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定
視野におけるパターン外縁部は直線的なパターン形状と
なるため，光学測長機を用いて各部の寸法測定が可能と
なり，また，ラインアンドスペースパターンの先端部の
形状は，コマ収差等の影響を受け難い状態となる。形成
されたパターンで図１４の０Ｘと９０Ｙにあたる寸法を
各々光学測長機にて寸法測定し，下式より非点収差を算
出する。 ０°−９０°方向非点収差＝（０Ｘ）−（９０Ｙ）
【００６８】よって，本実施の形態においても，第１１
の実施の形態と同様に，光学測長機を用いてコマ収差等
の影響が少ない状態で高感度に０°−９０°方向の非点
収差を測定することができる。このパターンをレンズ露
光範囲全体に配置することによりレンズ露光範囲全体の
非点収差の評価が可能となる。また，本実施の形態にお
いては，パターン構成の最外寸法を光学測長機の測定視
野内に収まる寸法とすることにより０°及び９０°方向
の２方向の寸法測定が同一パターンで同時に可能とな
り，作業効率アップにつながる。
【００６９】図１５は，本発明の第１４の実施の形態に
係るパターン構成図であり，図１４と同一のパターン構
成を４５°回転して配置したものである。このパターン
を用いて，ステッパによりウェハ上に転写，形成を行う
と，形成パターンは第１１の実施の形態と同様に，ライ
ンアンドスペース部は膜減りを起こし，その先端部はス
テッパの露光条件や収差に対して敏感に寸法及び形状変
化を生じ，光学測長機の測定視野におけるパターン外縁
部は直線的なパターン形状となるため，光学測長機を用
いて各部の寸法測定が可能となり，また，ラインアンド
スペースパターンの先端部の形状は，コマ収差等の影響
を受け難い状態となる。形成されたパターンで図１５の
４５ａと４５ｂにあたる寸法を各々光学測長機にて寸法
測定し，下式より非点収差を算出する。 ４５°方向非点収差＝（４５ａ）−（４５ｂ）
【００７０】よって，本実施の形態においても，第１１
の実施の形態と同様に，光学測長機を用いてコマ収差等
の影響が少ない状態で高感度に４５°方向の非点収差を
測定することができる。このパターンをレンズ露光範囲
全体に配置することによりレンズ露光範囲全体の非点収
差の評価が可能となる。また，本実施の形態において
は，パターン構成の最外寸法を光学測長機の測定視野内
に収まる寸法とすることにより２方向の寸法測定が同一
パターンで同時に可能となり，作業効率アップにつなが
る。本実施の形態と第１３の実施の形態とを合わせて配
置することにより，同一露光位置に関する２方向の非点
収差を評価できる。
【００７１】図１６は，本発明の第１５の実施の形態に
係るパターン構成図である。８角形のパターン１９１の
８方向の各エッジに，第１１の実施の形態で記載した条
件のラインアンドスペースパターン１９２を接合し，更
にその外側に間隔をあけて矩形パターン１９３を配置す
る。この間隔及び各部の寸法は，第１１の実施の形態と
同様であるが，ラインアンドスペースパターン１９２の
最外寸法は，光学測長機の測定視野内となる様に設計す
る。
【００７２】このパターンを用いて，ステッパによりウ
ェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは第１１の
実施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜減り
を起こし，その先端部はステッパの露光条件や収差に対
して敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定
視野におけるパターン外縁部は直線的なパターン形状と
なるため，光学測長機を用いて各部の寸法測定が可能と
なり，また，先端部の形状は，コマ収差等の影響を受け
難くなっている。形成されたパターンで図１６の０Ｘ，
９０Ｙ，４５ａ，４５ｂにあたる寸法を各々光学測長機
にて寸法測定し，下式より非点収差を算出する。 ０°−９０°方向非点収差＝（０Ｘ）−（９０Ｙ） ４５°方向非点収差＝（４５ａ）−（４５ｂ） ４方向非点収差＝ＭＡＸ（（０Ｘ），（９０Ｙ），（４
５ａ），（４５ｂ））−ＭＩＮ（（０Ｘ），（９０
Ｙ），（４５ａ），（４５ｂ））
【００７３】よって，本実施の形態においても，第１１
の実施の形態と同様に，光学測長機を用いてコマ収差等
の影響が少ない状態で高感度に非点収差を測定すること
ができる。このパターンをレンズ露光範囲全体に配置す
ることによりレンズ露光範囲全体の非点収差の評価が可
能となる。また，本実施の形態においては，８方向にパ
ターンを配置することにより，１つのパターン構成によ
って上述の３種の非点収差評価が可能となる。さらに，
パターン構成の寸法を光学測長機の測定視野内に収まる
寸法とすることにより，４方向の寸法測定が同一パター
ンで同時に可能となり，作業効率アップにつながる。
【００７４】図１７は，本発明の第１６の実施の形態に
係るパターン構成図であり，図１６のパターン構成の矩
形パターンの外側に更にラインアンドスペースパターン
を接合して配置したものである。このラインアンドスペ
ースパターンは，矩形パターンの内側に配置してあるラ
インアンドスペースと同寸法形状とし，各々８方向に配
置する。
【００７５】このパターンを用いて，ステッパによりウ
ェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは前述の実
施の形態と同様に，ラインアンドスペース部は膜減りを
起こし，その先端部はステッパの露光条件や収差に対し
て敏感に寸法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視
野におけるパターン外縁部は直線的なパターン形状とな
り，光学測長機を用いて各部の寸法測定が可能となる。
また，８角形のパターンに接合したラインアンドスペー
スパターンの先端部の形状は，コマ収差等の影響を受け
難くなっている。前述の場合と同様に，形成されたパタ
ーンで図１７の０Ｘ，９０Ｙ，４５ａ，４５ｂにあたる
寸法を各々光学測長機にて測定し，寸法差を算出するこ
とにより，非点収差が得られ，ＵＰ，ＵＲ，ＲＩ，Ｌ
Ｒ，ＬＯ，ＬＬ，ＬＥ，ＵＬにあたる寸法を各々光学測
長機にて測定し，寸法差を算出することにより，コマ収
差が得られる。
【００７６】よって，本実施の形態によると，光学測長
機を用いて高感度に同一パターン構成で４方向のコマ収
差と２方向の非点収差を評価でき，しかも，このときの
非点収差の測定はコマ収差等の影響が少ない状態で行う
ことができる。このパターンをレンズ露光範囲全体に配
置することによりレンズ露光範囲全体のコマ収差と非点
収差の評価が可能となる。また，このパターン構成の寸
法を光学測長機の測定視野内に収まる寸法とした場合に
は，コマ収差に関する４方向及び非点収差に関する４方
向の寸法測定が同一パターンで同時に可能となり，作業
効率アップにつながる。
【００７７】図１８（ａ）は，これまでに前述した実施
の形態における，矩形パターンとラインアンドスペース
パターンが接合した接合パターンの形状図である。図１
８（ｂ）は，本発明の第１７の実施の形態に係るパター
ン形状図であり，図１８（ａ）のラインアンドスペース
パターンを二等辺三角形の繰り返しパターンに変更し，
パターン形状を図に示す様な鋸歯状にしたものである。
二等辺三角形の底辺の長さは，ステッパを用いてウェハ
上にパターンを転写，形成しても，分離解像しない寸
法，もしくは分離解像しても寸法測定に用いる光学測長
機で各パターンエッジが分離解像して見えない寸法とす
る。二等辺三角形の高さ方向の長さは，露光条件の変化
に応じたパターン形状の変化が発生しても，転写，形成
後に二等辺三角形部が存在する様に数μmとする。
【００７８】前述した全ての実施の形態におけるライン
アンドスペースパターンを図１８（ｂ）で示す鋸歯状パ
ターンに置き換え，このパターンを用いて，ステッパに
よりウェハ上に転写，形成を行うと，形成パターンは前
述の実施の形態と同様に，鋸歯部は膜減りを起こし，そ
の先端部はステッパの露光条件や収差に対して敏感に寸
法及び形状変化を生じ，光学測長機の測定視野における
パターン外縁部は直線的なパターン形状となり，光学測
長機を用いて各部の寸法測定が可能となる。よって，本
実施の形態においても，前述のラインアンドスペースパ
ターンを用いた実施の形態と同様の効果が得られる。
【００７９】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かるステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパ
レンズの収差特性評価方法の好適な実施形態について説
明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言う
までもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想の範疇内において，各種の変更例または
修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについ
ても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解され
る。
【００８０】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように本発明によ
れば，ステッパレンズ収差評価を光学測長機を用いて，
高感度で短時間に測定することを可能としたステッパレ
ンズ収差測定用パターンを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施の形態に係るパターン構成図で
ある。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図３】レンズ露光範囲内におけるパターン構成の配置
図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図９】本発明の第８の実施の形態に係るパターン構成
図である。
【図１０】本発明の第９の実施の形態に係るパターン構
成図である。
【図１１】本発明の第１０の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１２】本発明の第１１の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１３】本発明の第１２の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１４】本発明の第１３の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１５】本発明の第１４の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１６】本発明の第１５の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１７】本発明の第１６の実施の形態に係るパターン
構成図である。
【図１８】本発明の第１７の実施の形態に係るパターン
形状を説明する図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態に係るパターン構
成における収差の測定結果を示す図である。
【図２０】従来のパターン構成図である。
【図２１】従来のレンズ露光範囲内におけるパターン構
成の配置図である。
【図２２】従来の形成パターンの断面図である。
【符号の説明】
４１ 矩形パターン ４２ ラインアンドスペースパターン ４３ 間隔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA54 CC22 DD03 DD06 LL25 PP24 QQ25 2G086 HH06 5F046 AA25 CB17 DA13

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ステッパレンズの収差特性評価に用いる
    パターンであって，光学測長機視野上で分離解像不能な
    寸法を短手方向幅として有する複数のラインパターンか
    ら成るラインアンドスペース型の第１パターンと光学測
    長機視野上で分離解像可能な外形寸法を有する略矩形形
    状の第２パターンとを略櫛形状に接合して成る少なくと
    も２の接合パターンを，光学測長機上で分離解像可能な
    寸法の間隔を相互に空けて，前記第１パターンのライン
    部が外側を向いて相互に対称な位置関係になるように配
    置したことを特徴とする，ステッパレンズの収差測定パ
    ターン。
  2. 【請求項２】 前記接合パターンは，前記第１パターン
    のライン長手方向が相互に反対方向を向くように配置さ
    れた一または二以上の接合パターン対を組み合わせて成
    る接合パターン組から成ることを特徴とする，請求項１
    に記載のステッパレンズの収差測定パターン。
  3. 【請求項３】 前記接合パターン組は，さらに，前記接
    合パターン組の前記第２パターン同士の内側空間に，前
    記第２パターンに対して光学測長機で分離解像可能な間
    隔を空けて配置された，光学測長機上で分離解像可能な
    外形寸法を有するとともに前記各第２パターンの内側辺
    に平行な辺を有する形状の第３のパターンを含むことを
    特徴とする，請求項１または２に記載のステッパレンズ
    の収差測定パターン。
  4. 【請求項４】 複数の前記接合パターン組をそれぞれ等
    角度ずつ回転させて配置したことを特徴とする，請求項
    ２または３に記載のステッパレンズの収差測定パター
    ン。
  5. 【請求項５】 ステッパレンズの収差特性評価に用いる
    パターンであって，光学測長機視野上で分離解像不能な
    寸法を短手方向幅として有する複数のラインパターンか
    ら成るラインアンドスペース型の第１パターンを，光学
    測長機視野上で分離解像可能な外形寸法を有するととも
    に相互に平行な対向辺を有する形状の第２パターンの対
    向する少なくとも２辺にそれぞれ接合するとともに，前
    記各第１パターンのライン長手方向先端に対して光学測
    長機視野上で分離解像可能な間隔を空けて，光学測長機
    視野上で分離解像可能な外形寸法を有する矩形形状の第
    ４パターンを配置して成るパターン組から成ることを特
    徴とする，ステッパレンズの収差測定パターン。
  6. 【請求項６】 前記パターン組は，さらに，前記第４パ
    ターンの外側辺に接合された光学測長機視野上で分離解
    像不能な寸法を短手方向幅として有する複数のラインパ
    ターンから成るラインアンドスペース型の第５パターン
    を含むことを特徴とする，請求項５に記載のステッパレ
    ンズの収差測定パターン。
  7. 【請求項７】 複数の前記パターン組をそれぞれ等角度
    ずつ回転させて配置したことを特徴とする，請求項５ま
    たは６に記載のステッパレンズの収差測定パターン。
  8. 【請求項８】 前記ラインパターンは略楔形形状であ
    り，その底辺部の短手方向幅が光学測長機視野上で分離
    解像不能な寸法であることを特徴とする，請求項１，
    ２，３，４，５，６または７のいずれかに記載のステッ
    パレンズの収差測定パターン。
  9. 【請求項９】 前記ラインパターンの短手方向幅は，ス
    テッパの解像限界以下であることを特徴とする，請求項
    １，２，３，４，５，６，７または８のいずれかに記載
    のステッパレンズの収差測定パターン。
  10. 【請求項１０】 ステッパレンズの収差特性評価方法で
    あって，光学測長機視野上で分離解像不能な寸法を短手
    方向幅として有する複数のラインパターンから成るライ
    ンアンドスペース型の第１パターンと光学測長機視野上
    で分離解像可能な外形寸法を有する略矩形形状の第２パ
    ターンとを略櫛形状に接合して成る少なくとも２の接合
    パターンを，光学測長機上で分離解像可能な寸法の間隔
    を相互に空けて，前記第１パターンのライン部が外側を
    向いて相互に対称な位置関係になるように配置して成る
    収差特性評価用パターンをステッパを用いて評価用基板
    に転写し，光学測長機を用いて該評価用基板に転写され
    た一の接合パターンの第１パターン長手方向先端部と第
    ２パターンの第１パターンと反対側エッジ間の寸法を測
    長し，さらに対称に配置した他の接合パターンの第１パ
    ターン長手方向先端部と第２パターンの第１パターンと
    反対側エッジ間の寸法を測長し，比較演算することを特
    徴とする，ステッパレンズの収差特性評価方法。
  11. 【請求項１１】 前記接合パターン組は，さらに，前記
    接合パターン組の前記第２パターン同士の内側空間に，
    前記第２パターンに対して光学測長機で分離解像可能な
    間隔を空けて配置された，光学測長機上で分離解像可能
    な外形寸法を有するとともに前記各第２パターンの内側
    辺に平行な辺を有する形状の第３のパターンを含むこと
    を特徴とする，請求項１０に記載のステッパレンズの収
    差特性評価方法。
  12. 【請求項１２】 ステッパレンズの収差特性評価方法で
    あって，光学測長機視野上で分離解像不能な寸法を短手
    方向幅として有する複数のラインパターンから成るライ
    ンアンドスペース型の第１パターンを，光学測長機視野
    上で分離解像可能な外形寸法を有するとともに相互に平
    行な対向辺を有する形状の第２パターンの対向する少な
    くとも２辺にそれぞれ接合するとともに，前記各第１パ
    ターンのライン長手方向先端に対して光学測長機視野上
    で分離解像可能な間隔を空けて，光学測長機視野上で分
    離解像可能な外形寸法を有する矩形形状の第４のパター
    ンを配置して成るパターン組から成る収差特性評価用パ
    ターンをステッパを用いて評価用基板に転写し，光学測
    長機を用いて該評価用基板に転写されたパターン組の両
    側の第１パターン長手方向先端部間の寸法を測長し評価
    することを特徴とする，ステッパレンズの収差特性評価
    方法。
  13. 【請求項１３】 前記パターン組は，さらに，前記第４
    パターンの外側辺に接合された光学測長機視野上で分離
    解像不能な寸法を短手方向幅として有する複数のライン
    パターンから成るラインアンドスペース型の第５パター
    ンを含み，さらに第５パターン長手方向先端部と第４パ
    ターンの第５パターンと反対側エッジ間の寸法を測長し
    評価することを特徴とする，請求項１２に記載のステッ
    パレンズの収差特性評価方法。
JP25046899A 1999-09-03 1999-09-03 ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法 Expired - Fee Related JP3442007B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25046899A JP3442007B2 (ja) 1999-09-03 1999-09-03 ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法
TW089104577A TW457549B (en) 1999-09-03 2000-03-14 Stepper lens aberration measurement pattern and stepper lens aberration characteristics evaluating method
KR1020000012957A KR100695825B1 (ko) 1999-09-03 2000-03-15 스테퍼 렌즈의 수차 측정 패턴 및 스테퍼 렌즈의 수차특성 평가방법
DE60045537T DE60045537D1 (de) 1999-09-03 2000-03-16 Muster zur Messung der Aberration einer Stepper-Linze und Auswertungsverfahren der Aberrations-Merkmale einer Stepper-Linze
EP00302145A EP1081483B1 (en) 1999-09-03 2000-03-16 Stepper lens aberration measurement pattern and stepper lens aberration characteristics evaluating method
US09/527,854 US6654107B1 (en) 1999-09-03 2000-03-17 Stepper lens aberration measurement pattern and stepper lens aberration characteristics evaluating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25046899A JP3442007B2 (ja) 1999-09-03 1999-09-03 ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001074606A true JP2001074606A (ja) 2001-03-23
JP3442007B2 JP3442007B2 (ja) 2003-09-02

Family

ID=17208328

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25046899A Expired - Fee Related JP3442007B2 (ja) 1999-09-03 1999-09-03 ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6654107B1 (ja)
EP (1) EP1081483B1 (ja)
JP (1) JP3442007B2 (ja)
KR (1) KR100695825B1 (ja)
DE (1) DE60045537D1 (ja)
TW (1) TW457549B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005520A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Renesas Technology Corp 露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスクおよび収差評価方法
JP2007165894A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 短波長を持つ電磁放射を用いたリソグラフ方法および装置
JP2008118061A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Canon Inc 露光装置
US7534637B2 (en) 2003-10-30 2009-05-19 Asml Holding N.V. Tunable alignment geometry
JP2009302532A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JPWO2008153023A1 (ja) * 2007-06-11 2010-08-26 株式会社ニコン 計測部材、センサ、計測方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2013021321A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Asml Netherlands Bv 波面収差に対する応答を調整したパターン設計の方法及びシステム

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI284790B (en) * 2005-07-19 2007-08-01 Powerchip Semiconductor Corp Calibration method for different types of exposure apparatus via using single mask and method for auto-feedback of the best focus
US7643976B2 (en) * 2006-02-28 2010-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for identifying lens aberration sensitive patterns in an integrated circuit chip

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5328807A (en) * 1990-06-11 1994-07-12 Hitichi, Ltd. Method of forming a pattern
US5615006A (en) * 1992-10-02 1997-03-25 Nikon Corporation Imaging characteristic and asymetric abrerration measurement of projection optical system
US5856053A (en) 1993-10-13 1999-01-05 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method for estimating optimum position of a wafer for forming image patterns thereon
KR100313191B1 (ko) * 1993-10-13 2002-04-06 사와무라 시코 초점평가용패턴및초점평가방법
TW357262B (en) * 1996-12-19 1999-05-01 Nikon Corp Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system
US5902703A (en) * 1997-03-27 1999-05-11 Vlsi Technology, Inc. Method for measuring dimensional anomalies in photolithographed integrated circuits using overlay metrology, and masks therefor
US5976740A (en) * 1997-08-28 1999-11-02 International Business Machines Corporation Process for controlling exposure dose or focus parameters using tone reversing pattern
JPH11102061A (ja) 1997-09-26 1999-04-13 Matsushita Electron Corp 投影露光用フォトマスクパターン、投影露光用フォトマスク、焦点位置検出方法、焦点位置制御方法および半導体装置の製造方法
JP3274396B2 (ja) * 1997-11-07 2002-04-15 株式会社東芝 パターン測定方法
JPH11184070A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Toshiba Corp 収差測定方法および収差測定用フォトマスク

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005520A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Renesas Technology Corp 露光装置評価用フォトマスクの製造方法、露光装置評価用フォトマスクおよび収差評価方法
US7838310B2 (en) 2003-10-30 2010-11-23 Asml Holding N.V. Tunable alignment geometry
US7534637B2 (en) 2003-10-30 2009-05-19 Asml Holding N.V. Tunable alignment geometry
JP2007165894A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw 短波長を持つ電磁放射を用いたリソグラフ方法および装置
JP2008118061A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Canon Inc 露光装置
JPWO2008153023A1 (ja) * 2007-06-11 2010-08-26 株式会社ニコン 計測部材、センサ、計測方法、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2009302532A (ja) * 2008-06-02 2009-12-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US8264671B2 (en) 2008-06-02 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8446564B2 (en) 2008-06-02 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8477289B2 (en) 2008-06-02 2013-07-02 Asml Netherlands B.V. Position measurement using natural frequency vibration of a pattern
JP2013021321A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Asml Netherlands Bv 波面収差に対する応答を調整したパターン設計の方法及びシステム
US8918742B2 (en) 2011-07-08 2014-12-23 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for pattern design with tailored response to wavefront aberration
US10423075B2 (en) 2011-07-08 2019-09-24 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for pattern design with tailored response to wavefront aberration

Also Published As

Publication number Publication date
EP1081483B1 (en) 2011-01-19
JP3442007B2 (ja) 2003-09-02
KR100695825B1 (ko) 2007-03-20
EP1081483A2 (en) 2001-03-07
EP1081483A3 (en) 2001-08-16
KR20010029595A (ko) 2001-04-06
US6654107B1 (en) 2003-11-25
DE60045537D1 (de) 2011-03-03
TW457549B (en) 2001-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6778275B2 (en) Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations
US5902703A (en) Method for measuring dimensional anomalies in photolithographed integrated circuits using overlay metrology, and masks therefor
US7463367B2 (en) Estimating overlay error and optical aberrations
JPH1069066A (ja) マスクおよびその検査方法ならびに露光方法
JP2870461B2 (ja) フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置
JP2007294521A (ja) パターン合わせずれ計測方法およびプログラム
JP2001074606A (ja) ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法
JPH11126746A (ja) 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法
KR20230169098A (ko) 제품 내 오버레이 타겟들
JP2009270988A (ja) 重ね合わせずれ量算出方法及び半導体装置の製造方法
KR100392744B1 (ko) 반도체 장치, 그 제조에 이용하는 포토마스크, 및 그 중첩정밀도 향상 방법
JP2002512384A (ja) マスク表面上のパターン構造の位置測定方法
JPS6338697B2 (ja)
JP2000277425A (ja) 電子線描画方法とその装置
KR102406962B1 (ko) 광학 시험 물체의 모아레 측정을 위한 기구
JP6492086B2 (ja) マスク上の構造体の位置を測定し、それによってマスク製造誤差を決定する方法
US7186481B2 (en) Flare measuring mask and flare measuring method of semiconductor aligner
JP4029210B2 (ja) 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク
JPH08162383A (ja) 重ね合わせ精度評価パターンおよびこれを用いた評価方法
JP2006030466A (ja) 露光マスク、リファレンスデータ作成方法、フォーカス測定方法、露光装置管理方法および電子デバイス製造方法
JP2004170947A (ja) 露光マスク、フォーカス測定方法、露光装置管理方法及び電子デバイスの製造方法
JP3067695B2 (ja) 投影露光装置の検査方法
JP3299758B2 (ja) 焦点評価用のレチクルおよびそれを用いた焦点評価方法
US20020127486A1 (en) Shot configuration measuring mark and transfer error detection method using the same
JP2874261B2 (ja) 投影露光マスク

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030603

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees