JPS6349367B2 - - Google Patents
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- JPS6349367B2 JPS6349367B2 JP53031579A JP3157978A JPS6349367B2 JP S6349367 B2 JPS6349367 B2 JP S6349367B2 JP 53031579 A JP53031579 A JP 53031579A JP 3157978 A JP3157978 A JP 3157978A JP S6349367 B2 JPS6349367 B2 JP S6349367B2
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は点光源を円弧状の光束に変換し、該円
弧状の光束によつてマスクを照明しつつマスクの
像をウエハーに焼付ける装置に関するものであ
る。
弧状の光束によつてマスクを照明しつつマスクの
像をウエハーに焼付ける装置に関するものであ
る。
光学装置に於いては円弧状の像が必要になる場
合が有る。例えば、昭和50年公開特許公報第
26561号に示された半導体回路製造用の焼付機に
於いては、マスク照明光用として該マスク上に細
い円弧状の光源像を必要としている。通常、円弧
状の光源像を得る場合、光源を円弧状にしなけれ
ばならない。円弧状光源はタングステンランプな
どの発熱抵抗体を使用するものはその発熱抵抗体
を円弧状にすることによつて比較的容易に得られ
る。しかしながらこの発熱抵抗体を使用した光源
は一般的に輝度が小さいという欠点及び、この光
源から紫外光が得にくいため、感光材の特性から
焼付け光として紫外線を使用する焼付け機には不
適であるという欠点を有している。又、輝度が高
く、又、紫外線が得られる光源としてクセノン、
水銀燈等のガス放電管が有る。このガス放電管を
円弧状光源とする為にはガラス管を円弧状にする
必要が有る。このガラス管を円弧状にするガラス
細工は難かしく、従つて、この円弧状ガス放電管
は高価なものになつてしまう。光源は消耗品であ
り、特に輝度の高いガス放電管は寿命も短く、ラ
ンニングコストが高くなるなどの欠点が生じる。
この為、高輝度の円弧状の光束を得る為には点光
源を使用して光学系によつて、円弧状にする必要
が有る。円弧状の光束を得る方法が昭和48年特許
出願公告第13477号に示されている。これは、円
錐面鏡を垂線に直交する二平面で光学的に切断
し、帯状の円錐面鏡を得、この帯状円錐面鏡にあ
る点を振れ原点とする光ビームを入射させてい
る。走査面に於ける光ビーム軌跡は垂線を中心と
した円弧状となる。
合が有る。例えば、昭和50年公開特許公報第
26561号に示された半導体回路製造用の焼付機に
於いては、マスク照明光用として該マスク上に細
い円弧状の光源像を必要としている。通常、円弧
状の光源像を得る場合、光源を円弧状にしなけれ
ばならない。円弧状光源はタングステンランプな
どの発熱抵抗体を使用するものはその発熱抵抗体
を円弧状にすることによつて比較的容易に得られ
る。しかしながらこの発熱抵抗体を使用した光源
は一般的に輝度が小さいという欠点及び、この光
源から紫外光が得にくいため、感光材の特性から
焼付け光として紫外線を使用する焼付け機には不
適であるという欠点を有している。又、輝度が高
く、又、紫外線が得られる光源としてクセノン、
水銀燈等のガス放電管が有る。このガス放電管を
円弧状光源とする為にはガラス管を円弧状にする
必要が有る。このガラス管を円弧状にするガラス
細工は難かしく、従つて、この円弧状ガス放電管
は高価なものになつてしまう。光源は消耗品であ
り、特に輝度の高いガス放電管は寿命も短く、ラ
ンニングコストが高くなるなどの欠点が生じる。
この為、高輝度の円弧状の光束を得る為には点光
源を使用して光学系によつて、円弧状にする必要
が有る。円弧状の光束を得る方法が昭和48年特許
出願公告第13477号に示されている。これは、円
錐面鏡を垂線に直交する二平面で光学的に切断
し、帯状の円錐面鏡を得、この帯状円錐面鏡にあ
る点を振れ原点とする光ビームを入射させてい
る。走査面に於ける光ビーム軌跡は垂線を中心と
した円弧状となる。
ところで、前記帯状円錐鏡の反射面は該鏡の垂
線を含む面内では曲率を有していない為、この反
射面では集束作用が無く照度が低く、感度の低い
感光材使用の時相当の焼付時間を必要とするとい
う問題を生ずる。
線を含む面内では曲率を有していない為、この反
射面では集束作用が無く照度が低く、感度の低い
感光材使用の時相当の焼付時間を必要とするとい
う問題を生ずる。
上記問題を解決する為には、照度を低下させる
ことなく、点光源を円弧状の光源に変換する光学
系、該円弧状の光源を感光材上に結像する結像光
学系とが必要となる。
ことなく、点光源を円弧状の光源に変換する光学
系、該円弧状の光源を感光材上に結像する結像光
学系とが必要となる。
本発明は、以上説明した事情に鑑みてなされた
もので、その要旨とする構成は、照明系からの円
弧状の光束でマスクを照明し、マスクの照明部分
の像を光軸外に円弧状の最適結像位置を有する結
像系によつてウエハー上に形成し、前記結像系に
対して相対的にマスクとウエハーを移動すること
によりマスクの像をウエハー上に焼付ける装置に
おいて、前記照明系は点光源と、この点光源から
の光を円弧状の二次光源に変換する第１の光学系
と、前記円弧状の二次光源を前記マスク上に結像
する第２の光学系とを有し、前記第１の光学系は
帯状球面鏡を含むテレセントリツク結像系であつ
て、前記点光源から発して前記帯状球面鏡の全領
域で反射される光束が前記テセントリツク結像系
の結像位置に前記円弧状の二次光源を形成するも
のであることを特徴とするものである。
もので、その要旨とする構成は、照明系からの円
弧状の光束でマスクを照明し、マスクの照明部分
の像を光軸外に円弧状の最適結像位置を有する結
像系によつてウエハー上に形成し、前記結像系に
対して相対的にマスクとウエハーを移動すること
によりマスクの像をウエハー上に焼付ける装置に
おいて、前記照明系は点光源と、この点光源から
の光を円弧状の二次光源に変換する第１の光学系
と、前記円弧状の二次光源を前記マスク上に結像
する第２の光学系とを有し、前記第１の光学系は
帯状球面鏡を含むテレセントリツク結像系であつ
て、前記点光源から発して前記帯状球面鏡の全領
域で反射される光束が前記テセントリツク結像系
の結像位置に前記円弧状の二次光源を形成するも
のであることを特徴とするものである。
そして、上記した点光源からの光を円弧状の二
次光源に変換することについて、さらに詳しく説
明するに、照度を低下させることなく点光源を各
部均一な照度の円弧状光源に変換するという目的
は、球面鏡を該球面の回転対称軸に垂直な２つの
平面によつて光学的に切断し、この帯状の球面鏡
の球面の曲率中心以外の前記回転対称軸上の点に
点光源を配し、この回転対称軸に垂直であり、か
つメリジオナル光束が結像する面上にマスクを配
すことによつて達成出来る。
次光源に変換することについて、さらに詳しく説
明するに、照度を低下させることなく点光源を各
部均一な照度の円弧状光源に変換するという目的
は、球面鏡を該球面の回転対称軸に垂直な２つの
平面によつて光学的に切断し、この帯状の球面鏡
の球面の曲率中心以外の前記回転対称軸上の点に
点光源を配し、この回転対称軸に垂直であり、か
つメリジオナル光束が結像する面上にマスクを配
すことによつて達成出来る。
尚、球面鏡を光学的に切断するとは、球面鏡を
物理的に切断すること以外に、例えば、球面鏡の
帯状部分以外を非反射性の塗料等によつて覆うこ
と等の物理的に切断することと等価な作用を得ら
れる場合も含む言である。更に、メリジオナル光
束とは、球面鏡の回転対称軸を含む断面中の光束
を称す。尚、以下に記載するサジタル光束とはこ
のメリジオナル断面に直交する断面中の光束を意
味する。
物理的に切断すること以外に、例えば、球面鏡の
帯状部分以外を非反射性の塗料等によつて覆うこ
と等の物理的に切断することと等価な作用を得ら
れる場合も含む言である。更に、メリジオナル光
束とは、球面鏡の回転対称軸を含む断面中の光束
を称す。尚、以下に記載するサジタル光束とはこ
のメリジオナル断面に直交する断面中の光束を意
味する。
以下本発明を添付した図面を使用して説明す
る。尚、以下の説明では円弧状の光源像によりマ
スクを照明する場合の例について説明する。
る。尚、以下の説明では円弧状の光源像によりマ
スクを照明する場合の例について説明する。
第１図は帯状球面鏡の性質を説明する図であ
る。図中１は凹状球面鏡である。２はこの球面鏡
１の回転対称軸３に垂直である間隔だけ隔れた不
図示の平面によつて切断された帯状球面鏡であ
る。４はこの球面鏡１の中心である。今、この中
心４に点光源５を配した場合この点光源５から帯
状球面鏡２に向つた光はこの帯状球面鏡２によつ
て反射され点光源５に再び集束する。しかしなが
ら、第２図の如く、点光源５を回転対称軸３上の
中心４以外の点に配置すると円弧状の像６が得ら
れる。すなわち、第１図の如く球面の中心４に点
光源５を配した場合、この点光源と帯状球面との
位置関係が先に定義したサジタル断面、メリジオ
ナル断面に於いて等しいが、第２図の如く、球面
の中心４以外の回転対称軸３上に配置した場合、
前記位置関係がサジタル断面とメリジオナル断面
に於いて異なる。この為、メリジオナル断面に於
いて、メリジオナル光束が結像する面、この面は
回転対称軸に垂直な面である、に於いてはサジタ
ル光束は結像しない。従つて、円弧状の光源像が
得られる。尚、７はサジタル断面に於いて、点光
源５と共役の位置である。
る。図中１は凹状球面鏡である。２はこの球面鏡
１の回転対称軸３に垂直である間隔だけ隔れた不
図示の平面によつて切断された帯状球面鏡であ
る。４はこの球面鏡１の中心である。今、この中
心４に点光源５を配した場合この点光源５から帯
状球面鏡２に向つた光はこの帯状球面鏡２によつ
て反射され点光源５に再び集束する。しかしなが
ら、第２図の如く、点光源５を回転対称軸３上の
中心４以外の点に配置すると円弧状の像６が得ら
れる。すなわち、第１図の如く球面の中心４に点
光源５を配した場合、この点光源と帯状球面との
位置関係が先に定義したサジタル断面、メリジオ
ナル断面に於いて等しいが、第２図の如く、球面
の中心４以外の回転対称軸３上に配置した場合、
前記位置関係がサジタル断面とメリジオナル断面
に於いて異なる。この為、メリジオナル断面に於
いて、メリジオナル光束が結像する面、この面は
回転対称軸に垂直な面である、に於いてはサジタ
ル光束は結像しない。従つて、円弧状の光源像が
得られる。尚、７はサジタル断面に於いて、点光
源５と共役の位置である。
メリジオナル断面におけるメリジオナル光束が
回転対称軸３に垂直な断面上に結像する理由は、
点光源とメリジオナル光束の結像点を２つの焦点
とする楕円の近似円が球面２のメリジオナル断面
と一致しているからである。
回転対称軸３に垂直な断面上に結像する理由は、
点光源とメリジオナル光束の結像点を２つの焦点
とする楕円の近似円が球面２のメリジオナル断面
と一致しているからである。
第３図は、本発明の実施例に使用する結像系を
示す図でメリジオナル断面を示している。この結
像系では帯状球面鏡の中心８の接線が軸３と45゜
で交わる如く、球面鏡１を前記２つの平面で切断
し、この中心８を通る線が軸３と直交する点に光
源５を配置している。この様な配置にすることに
よつて、点光源５からの主光線９は帯状球面鏡２
によつて直角に折り曲げられ結像面１０に直角に
入る。この結像系は主光線が結像面に直角に入る
ことより、いわゆるテレセントリツク光学系と称
することが出来る。
示す図でメリジオナル断面を示している。この結
像系では帯状球面鏡の中心８の接線が軸３と45゜
で交わる如く、球面鏡１を前記２つの平面で切断
し、この中心８を通る線が軸３と直交する点に光
源５を配置している。この様な配置にすることに
よつて、点光源５からの主光線９は帯状球面鏡２
によつて直角に折り曲げられ結像面１０に直角に
入る。この結像系は主光線が結像面に直角に入る
ことより、いわゆるテレセントリツク光学系と称
することが出来る。
次に、第３図の結像光学系を照明装置に適用し
た照明系を第４図を使用して説明する。
た照明系を第４図を使用して説明する。
第４図ａは正面図、ｂは側面図、ｃは平面図で
ある。シヨート・マークの超高圧水銀灯等の点光
源１１は上下に電気接続端子があり、その両端子
の間にガラス管があり、そのガラス管の中に両端
から接続された電極が、ある短い距離離れて置か
れている。ガラス管の中はガスが封入されてお
り、両端を点灯電源で印加することによつて、電
極間に放電が起り、電極間が発光する。この発光
点は５で示されている。１２は帯状球面鏡であ
り、又１３は照明面であつて、夫々第３図の符号
２，１０に対応している。従つて、点光源５から
の主光線１４は照明面１３に平行に進行し、帯状
球面鏡によつて直角に折り曲げられ、照明面１３
に垂直に入射される。従つて、照明面１３上には
円弧状の光源像が形成される。
ある。シヨート・マークの超高圧水銀灯等の点光
源１１は上下に電気接続端子があり、その両端子
の間にガラス管があり、そのガラス管の中に両端
から接続された電極が、ある短い距離離れて置か
れている。ガラス管の中はガスが封入されてお
り、両端を点灯電源で印加することによつて、電
極間に放電が起り、電極間が発光する。この発光
点は５で示されている。１２は帯状球面鏡であ
り、又１３は照明面であつて、夫々第３図の符号
２，１０に対応している。従つて、点光源５から
の主光線１４は照明面１３に平行に進行し、帯状
球面鏡によつて直角に折り曲げられ、照明面１３
に垂直に入射される。従つて、照明面１３上には
円弧状の光源像が形成される。
次に、本発明のIC、LSI、VLSI等の焼付け機
について説明する。そして、この焼付け機の照明
系は第３図の結像系すなわちテレセントリツク結
像系を使用している。
について説明する。そして、この焼付け機の照明
系は第３図の結像系すなわちテレセントリツク結
像系を使用している。
第５図は、照明光学系の光学配置を示す図であ
る。第５図ａ全体の構成図、ｂはスリツトS1を示
す図、ｃはスリツトS2を示す図、ｄ，ｅは観察用
スクリーンVS上の光源１５の像を示す図である。
第５図中、１５は超高圧水銀灯、R0は球面反面
鏡で、点光源像を水銀灯の点光源に並んで形成す
る。R1はテレセントリツク帯状球面鏡である。
M1は通常のミラー、S1は第５図ｂに示す様に円
弧の開口を有するスリツト板である。そして、こ
のスリツト板S1の面上に円弧状の光源像が形成さ
れる。このスリツトS1の開口の放射状方向の長
さ、円弧方向の長さを変化させることによつて、
後述のマスク面上の円弧状光源像の放射状方向、
及び円弧方向の長さを調整することが可能とな
る。Ｆはスリツト面S1にマスク・ウエハーアライ
メント時に挿入される焼付光カツトフイルターで
ある。M2は通常のミラー、R2はスリツトS1の開
口部を点状像に変換する入射側テレセントリツク
帯状球面鏡である。M3は一部透過ミラーである。
ＷはシヤツターでスリツトS1の点状像が形成する
面に有り、マスク照明の停止が望まれる場合点状
像上に位置する。一部透過ミラーM3に対して点
状像が形成される位置と共役な面にスクリーン
VSが設けられている。従つて、スクリーンVS上
には実際の光源と球面鏡R0によつて形成された
光源像のそれぞれの像が形成される。従つて、第
５図ｄ，ｅに示す如く、照準をスクリーン上に設
け２つの光源像がこの照準内に入つている状態を
光学系のアライメントされた時として、第５図ｄ
の場合の如くミスアライメントの場合の調整とし
て使用出来る。M4はミラー、R3は帯状球面鏡R2
によつて形成された点像を再びマスクMK上に円
弧状の像として形成する出射側テレセントリツク
帯状球面鏡である。S2は第５図Ｃに示す如く円弧
状の開口部を有するスリツトで、マスクMK上に
入射する光束の開口数を規制するもので、第６図
に示す撮影光学系の開口数との比で投影光学系の
結像性能が若干異なるので、このスリツト幅をい
かなる値にするかは重要な点である。
る。第５図ａ全体の構成図、ｂはスリツトS1を示
す図、ｃはスリツトS2を示す図、ｄ，ｅは観察用
スクリーンVS上の光源１５の像を示す図である。
第５図中、１５は超高圧水銀灯、R0は球面反面
鏡で、点光源像を水銀灯の点光源に並んで形成す
る。R1はテレセントリツク帯状球面鏡である。
M1は通常のミラー、S1は第５図ｂに示す様に円
弧の開口を有するスリツト板である。そして、こ
のスリツト板S1の面上に円弧状の光源像が形成さ
れる。このスリツトS1の開口の放射状方向の長
さ、円弧方向の長さを変化させることによつて、
後述のマスク面上の円弧状光源像の放射状方向、
及び円弧方向の長さを調整することが可能とな
る。Ｆはスリツト面S1にマスク・ウエハーアライ
メント時に挿入される焼付光カツトフイルターで
ある。M2は通常のミラー、R2はスリツトS1の開
口部を点状像に変換する入射側テレセントリツク
帯状球面鏡である。M3は一部透過ミラーである。
ＷはシヤツターでスリツトS1の点状像が形成する
面に有り、マスク照明の停止が望まれる場合点状
像上に位置する。一部透過ミラーM3に対して点
状像が形成される位置と共役な面にスクリーン
VSが設けられている。従つて、スクリーンVS上
には実際の光源と球面鏡R0によつて形成された
光源像のそれぞれの像が形成される。従つて、第
５図ｄ，ｅに示す如く、照準をスクリーン上に設
け２つの光源像がこの照準内に入つている状態を
光学系のアライメントされた時として、第５図ｄ
の場合の如くミスアライメントの場合の調整とし
て使用出来る。M4はミラー、R3は帯状球面鏡R2
によつて形成された点像を再びマスクMK上に円
弧状の像として形成する出射側テレセントリツク
帯状球面鏡である。S2は第５図Ｃに示す如く円弧
状の開口部を有するスリツトで、マスクMK上に
入射する光束の開口数を規制するもので、第６図
に示す撮影光学系の開口数との比で投影光学系の
結像性能が若干異なるので、このスリツト幅をい
かなる値にするかは重要な点である。
この様な照明系によつて照明されているマスク
をウエハーに焼付ける装置を第６図を使用して説
明する。尚、第６図に於いて、第５図ａの光学装
置は全体として２２で示されている。
をウエハーに焼付ける装置を第６図を使用して説
明する。尚、第６図に於いて、第５図ａの光学装
置は全体として２２で示されている。
第６図は、特許公開公報昭48−12039の単位倍
率の反射光学系を使用した焼付装置である。１６
で示した部分が単位倍率の反射光学系（投影光学
系）で凹面鏡１７と凸面鏡１８（凸面の曲率半径
は曲面の曲率半径の1/2）の各々の曲率中心を一
致するよう配置され、平面鏡１９，２０で光路を
曲げ、マスク面MKとウエハー面WFが１対１の
結像関係にある。この光学系の詳細は前述の公開
公報に記述されているので、省略するが簡単にこ
の光学系の特徴を挙げると、ミラーで構成されて
いる為色収差のないことと、ある像高ｈのみに無
収差である為１７，１８の光軸２１に対して半径
ｈの円周上に最適位置があり、円弧のスリツト露
光で、かつ、マスクMKとウエハーWFを一体に
して（他は固定して）図中の矢印の方向に露光用
移動ステージを移動して、全面の焼付を行うので
大きなウエハーWFの焼付を行うことができる。
率の反射光学系を使用した焼付装置である。１６
で示した部分が単位倍率の反射光学系（投影光学
系）で凹面鏡１７と凸面鏡１８（凸面の曲率半径
は曲面の曲率半径の1/2）の各々の曲率中心を一
致するよう配置され、平面鏡１９，２０で光路を
曲げ、マスク面MKとウエハー面WFが１対１の
結像関係にある。この光学系の詳細は前述の公開
公報に記述されているので、省略するが簡単にこ
の光学系の特徴を挙げると、ミラーで構成されて
いる為色収差のないことと、ある像高ｈのみに無
収差である為１７，１８の光軸２１に対して半径
ｈの円周上に最適位置があり、円弧のスリツト露
光で、かつ、マスクMKとウエハーWFを一体に
して（他は固定して）図中の矢印の方向に露光用
移動ステージを移動して、全面の焼付を行うので
大きなウエハーWFの焼付を行うことができる。
照明光学系は２２のように反射光学系１６の上
に置かれ、その内容に関しては第５図ａと同じで
ある（１部省略して第６図に示した）。観察光学
系２３は、反射光学系１６と照明光学系２２の間
にそう入される。観察光学系は、マスクMKとウ
エハーWFの位置合せに使用されるもので半透鏡
２４、対物レンズ２５、平面鏡２６，２７、リレ
ーレンズ２８、接眼鏡２９より構成され、照明光
学系２２の円弧光束が半透鏡２４を通り、マスク
MKに照射すると、マスクMKを通つて反射光学
系により、ウエハーWFを照射し、かつ、マスク
WF上での散乱光が反射光学系により再びマスク
MK上に結像され、マスクMKとウエハーWFの
像が重なり、観察光学系のフオーカス位置をマス
クMK上にすると同時にマスクMKとウエハー
WFが観察されるようになつている。
に置かれ、その内容に関しては第５図ａと同じで
ある（１部省略して第６図に示した）。観察光学
系２３は、反射光学系１６と照明光学系２２の間
にそう入される。観察光学系は、マスクMKとウ
エハーWFの位置合せに使用されるもので半透鏡
２４、対物レンズ２５、平面鏡２６，２７、リレ
ーレンズ２８、接眼鏡２９より構成され、照明光
学系２２の円弧光束が半透鏡２４を通り、マスク
MKに照射すると、マスクMKを通つて反射光学
系により、ウエハーWFを照射し、かつ、マスク
WF上での散乱光が反射光学系により再びマスク
MK上に結像され、マスクMKとウエハーWFの
像が重なり、観察光学系のフオーカス位置をマス
クMK上にすると同時にマスクMKとウエハー
WFが観察されるようになつている。
ウエハーWF上には感光材（ホト・レジスト）
が塗布されており、観察時には感光しない波長の
光を使用し、焼付時には感光する光を使用するわ
けであるが、その為に第５図のフイルターＦ（感
光しない波長の光を透過し、かつ、感光する波長
の光を遮断するフイルター）を挿入しそして観察
光学系を第６図のように配置し、マスクMKとウ
エハーWFを所定の関係に合わせるべく、観察光
学系で観察しながらマスクMKあるいはウエハー
WFの保持具を移動させるアライメント用移動ス
テージ（不図示）を動かす。次に、焼付である
が、その前にまず観察光学系を、はずし、半透鏡
２４で光量ロスしないようにし、マスクMK及び
ウエハーWFを一体に右側に移動させそしてフイ
ルターＦを除去する。焼付は、マスクMK及びウ
エハーWFを一体として等速度で移動させて行
う。マスクMK上での照度、円弧スリツトの放射
方向の間隔及び感光材の感度等により、この速度
は変えられるようになつている。本装置は特に微
細なパターン焼付に特に有用である。
が塗布されており、観察時には感光しない波長の
光を使用し、焼付時には感光する光を使用するわ
けであるが、その為に第５図のフイルターＦ（感
光しない波長の光を透過し、かつ、感光する波長
の光を遮断するフイルター）を挿入しそして観察
光学系を第６図のように配置し、マスクMKとウ
エハーWFを所定の関係に合わせるべく、観察光
学系で観察しながらマスクMKあるいはウエハー
WFの保持具を移動させるアライメント用移動ス
テージ（不図示）を動かす。次に、焼付である
が、その前にまず観察光学系を、はずし、半透鏡
２４で光量ロスしないようにし、マスクMK及び
ウエハーWFを一体に右側に移動させそしてフイ
ルターＦを除去する。焼付は、マスクMK及びウ
エハーWFを一体として等速度で移動させて行
う。マスクMK上での照度、円弧スリツトの放射
方向の間隔及び感光材の感度等により、この速度
は変えられるようになつている。本装置は特に微
細なパターン焼付に特に有用である。
今までの光学系において球面鏡は１個ないし３
個であつたが、２個あるいは３個以上でも可能で
あることは自明である。又、各球面鏡の曲率半径
も必ずしも等しくなくてもよい。例えば、第５図
ａのR3の半径を変えることによつて、円弧の半
径を変えることができる。
個であつたが、２個あるいは３個以上でも可能で
あることは自明である。又、各球面鏡の曲率半径
も必ずしも等しくなくてもよい。例えば、第５図
ａのR3の半径を変えることによつて、円弧の半
径を変えることができる。
第１図は帯状球面鏡を説明する図、第２図は本
発明焼付け装置に使用する結像光学系を示す図、
第３図は他の結像光学系を示す図、第４図は第３
図の結像光学系を照明系に適用した例を示す図、
第５図及び第６図は第３図の結像光学系を本発明
の焼付け装置に適用した場合の光学配置図であ
る。 図中、１は球面鏡、２は帯状球面鏡、３は回転
対称軸、４は球面鏡の中心、５は光源、６は円弧
状の像である。
発明焼付け装置に使用する結像光学系を示す図、
第３図は他の結像光学系を示す図、第４図は第３
図の結像光学系を照明系に適用した例を示す図、
第５図及び第６図は第３図の結像光学系を本発明
の焼付け装置に適用した場合の光学配置図であ
る。 図中、１は球面鏡、２は帯状球面鏡、３は回転
対称軸、４は球面鏡の中心、５は光源、６は円弧
状の像である。
Claims (1)
- １ 照明系からの円弧状の光束でマスクを照明
し、マスクの照明部分の像を光軸外に円弧状の最
適結像位置を有する結像系によつてウエハー上に
形成し、前記結像系に対して相対的にマスクとウ
エハーを移動することによりマスクの像をウエハ
ー上に焼付ける装置において、前記照明系は点光
源と、この点光源からの光を円弧状の二次光源に
変換する第１の光学系と、前記円弧状の二次光源
を前記マスク上に結像する第２の光学系とを有
し、前記第１の光学系は帯状球面鏡を含むテレセ
ントリツク結像系であつて、前記点光源から発し
て前記帯状球面鏡の全領域で反射される光束が前
記テレセントリツク結像系の結像位置に前記円弧
状の二次光源を形成するものであることを特徴と
する焼付装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157978A JPS54123877A (en) | 1978-03-18 | 1978-03-18 | Baking unit |
| DE2910280A DE2910280C2 (de) | 1978-03-18 | 1979-03-15 | Optische Abbildungssysteme |
| US06/116,752 US4294538A (en) | 1978-03-18 | 1980-01-30 | Image forming optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3157978A JPS54123877A (en) | 1978-03-18 | 1978-03-18 | Baking unit |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63099840A Division JPS63288014A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 焼付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54123877A JPS54123877A (en) | 1979-09-26 |
| JPS6349367B2 true JPS6349367B2 (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=12335085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3157978A Granted JPS54123877A (en) | 1978-03-18 | 1978-03-18 | Baking unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54123877A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111218A (en) * | 1980-01-07 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Projection and exposuring device |
| JPS58195840A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | 線状光源装置 |
| JPS5940532A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Hitachi Ltd | 投影露光方法および装置 |
| JPH05333267A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円弧照明装置 |
| JPH05333268A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円弧照明装置 |
| US5640284A (en) * | 1992-09-11 | 1997-06-17 | Nikon Corporation | Optical reflector, illumination optical system, light source system and illumination optical apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4925898A (ja) * | 1972-03-16 | 1974-03-07 | ||
| JPS5026561A (ja) * | 1973-03-09 | 1975-03-19 |
-
1978
- 1978-03-18 JP JP3157978A patent/JPS54123877A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4925898A (ja) * | 1972-03-16 | 1974-03-07 | ||
| JPS5026561A (ja) * | 1973-03-09 | 1975-03-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54123877A (en) | 1979-09-26 |
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